CN107783699A - 触控面板结构与其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本揭露提供一种触控面板结构，包含显示装置、介电层、第一感应线路、第二感应线路以及屏蔽层。介电层位于显示装置上。第一感应线路包含复数个第一感应电极及复数个导电桥，其中第一感应电极位于介电层上，而导电桥位于介电层与显示装置之间，且相邻的两第一感应电极藉由导电桥电性连接。第二感应线路包含复数个第二感应电极，其位于介电层上，并与第一感应线路交错绝缘设置。屏蔽层位于介电层与显示装置之间，并与导电桥同一平面。本揭露提供的技术方案整合屏蔽层与导电桥的制程，使整体制程简化，且同时可以使触控面板结构的厚度薄化，并且达到屏蔽显示装置的讯号干扰的功效。
Description
技术领域
本发明是有关于一种触控面板结构与其制造方法。
背景技术
近年来，由于电容式触控面板具有较高的灵敏度，广泛的应用各式触控产品上。其中由于可挠式屏幕是未来的趋势，各界无不致力于开发更薄的触控装置迭构，以符合市场需求，但是过薄的结构会导致触控感测电极距离显示装置过近，造成讯杂比过低，影响触控信息的判读。
习知技术中，会在感测电极与显示装置之间配置绝缘层以及屏蔽层，以解决上述的问题。但是如此会造成触控装置厚度增加，不符合未来发展的趋势，故如何解决上述问题，且能兼顾其尺寸，是目前面临的主要课题。
发明内容
本揭露之一态样，系提供一种触控面板结构，包含显示装置、介电层、第一感应线路、第二感应线路以及屏蔽层。介电层位于显示装置上。第一感应线路包含复数个第一感应电极以及复数个导电桥，其中第一感应电极位于介电层上，而导电桥位于介电层与显示装置之间，且相邻的两第一感应电极藉由导电桥电性连接。第二感应线路包含复数个第二感应电极，其位于介电层上，并与第一感应线路交错绝缘设置。屏蔽层位于介电层与显示装置之间，并与导电桥同一平面，其中屏蔽层与导电桥电性绝缘。
根据本揭露一或多个实施方式，触控面板结构更包含黏着层以及基板，配置于导电层与显示装置之间，其中基板位于黏着层之上。
根据本揭露一或多个实施方式，触控面板结构更包含黏着层以及基板，其中黏着层配置于导电层与显示装置之间，基板配置于第一感应电极与第二感应电极之上。
根据本揭露一或多个实施方式，屏蔽层与导电桥的间距≧5μm。
根据本揭露一或多个实施方式，导电层的材料为氧化铟锡(ITO)、聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene),PEDOT)、奈米碳管(Carbon Nanotube,CNT)、奈米银线(Silver Nanowire,AgNW)、聚偏二氟乙烯(polyvinylidene difluoride,PVDF)、可转移透明导电膜(Transparent Conductive Transfer Film,TCTF)或其组合。
根据本揭露一或多个实施方式，介电层的厚度≧0.5μm。
本揭露之一态样，系提供一种触控面板结构的制造方法，包含：形成导电层；蚀刻导电层以形成屏蔽层与复数个导电桥，其中导电桥及屏蔽层位于同一平面；形成介电层于导电层上；形成复数个感应电极以及复数条第一感应线路于介电层上，第一感应线路与感应电极系绝缘设置；以及将两相邻之感应电极与导电桥之一电性连结以形成复数条第二感应线。
根据本揭露一或多个实施方式，导电层是形成于第一显示装置或基板上。
根据本揭露一或多个实施方式，触控面板结构的制造方法中，导电层是形成于基板上，更包含将基板与第二显示装置贴合。
本揭露之一态样，系提供一种触控面板结构的制造方法，包含：提供基板；形成复数个感应电极与复数条第一感应线路于基板上，第一感应线路与感应电极系绝缘设置；形成介电层于感应电极与第一感应线路上；形成屏蔽层与复数个导电桥于介电层上，并将两相邻之感应电极与导电桥之一电性连结，藉由导电桥串接感应电极以形成复数条第二感应电路；以及将显示装置与导电层贴合。
本揭露提供一种触控面板结构与其制造方法，其整合屏蔽层与导电桥，使整体制程简化，且同时可以使触控面板结构的厚度薄化，并且达到屏蔽显示装置的讯号干扰的功效。
附图说明
图1绘示根据本揭露的部分实施方式的一种触控面板结构的上视图；
图2绘示根据习知技术之触控面板结构的剖面图；
图3绘示根据本揭露实施例之一的触控面板结构的剖面图；
图4绘示根据本揭露实施例之一的触控面板结构的剖面图；
图5绘示根据本揭露实施例之一的触控面板结构的剖面图；
图6绘示根据本揭露实施例之一的导电层的上视图；
图7-10绘示根据本揭露之一实施例的触控面板结构的制程各步骤的剖面图；
图11-15绘示根据本揭露之一实施例的触控面板结构的制程各步骤的剖面图；以及
图16-20绘示根据本揭露之一实施例的触控面板结构的制程各步骤的剖面图。
附图标记：
110：显示装置
120：第一感应电极
130：第二感应电极
140：导电桥
150：第一感应线路
160：第二感应线路
170：介电层
1001、1002：方向
210：屏蔽层
220：绝缘层
310：屏蔽层
320：导电层
410：黏着层
420：基板
具体实施方式
以下公开提供许多不同实施例，或示例，以建置所提供之标的物的不同特征。以下叙述之成份和排列方式的特定示例是为了简化本公开。这些当然仅是做为示例，其目的不在构成限制。举例而言，组件的尺寸不被揭露之范围或数值所限制，但可以取决于组件之制程条件与/或所需的特性。此外，第一特征形成在第二特征之上或上方的描述包含第一特征和第二特征有直接接触的实施例，也包含有其他特征形成在第一特征和第二特征之间，以致第一特征和第二特征没有直接接触的实施例。为了简单与清晰起见，不同特征可以任意地绘示成不同大小。
再者，空间相对性用语，例如「下方(beneath)」、「在…之下(below)」、「低于(lower)」、「在…之上(above)」、「高于(upper)」等，是为了易于描述图式中所绘示的元素或特征和其他元素或特征的关系。空间相对性用语除了图式中所描绘的方向外，还包含组件在使用或操作时的不同方向。仪器可以其他方式定向(旋转90度或在其他方向)，而本文所用的空间相对性描述也可以如此解读。
图1绘示触控面板结构100的上视图。第一感应线路150及第二感应线路160配置于显示装置110之上，并且彼此间隔交错配置，其中第一感应线路150及第二感应线路160系为绝缘配置。第一感应线路150包含第一感应电极120以及导电桥140。相邻的两个第一感应电极120在第一方向1001藉由导电桥140彼此电性连结。第二感应线路160包含第二感应电极130。第二感应电极130在第二方向1002彼此电性连结。第一感应电极120及第二感应电极130未直接接触，且彼此电性绝缘。介电层170系位于第一感应电极120以及第二感应电极130与显示装置110之间。显示装置110可以为薄膜晶体管液晶显示器(thin filmtransistor liquid crystal display,TFT-LCD)、有机发光二极管显示器(organiclight-emitting diode display,OLED display)或其他适合的装置。
值得注意的是，在本揭露的某些实施例中，第一感应线路150与第二感应线路160可以互换，两者皆用于感测触控。也就是说，可以依照处理芯片的定义，第一感应线路150以及第二感应线路160的延伸方向可以依序为图1的方向1001以及方向1002，也可以依序为图1的方向1002以及方向1001。
图2绘示先前技术中，用以解决感应电极距离显示装置过近而导致的讯杂比过低的触控面板结构。图2系为触控面板结构的剖面图。如图2所示，在习知技术中，为了改善上述问题，通常会在第一感应电极120及第二感应电极130与显示装置110之间加上绝缘层(insulation layer)220以及屏蔽层(shielding layer)210。第一感应线路150包含第一感应电极120及导电桥140，其中导电桥140用以将相邻的两个第一感应电极120电性连接。第二感应线路160包含第二感应电极130。第一感应线路150与第二感应线路160位于绝缘层220上。介电层170位于第一感应电极150与第二感应电极130上。值得注意的是，导电桥140位于介电层170上。
为了解决上述目前触控装置面临的技术问题，并兼顾其厚度，本揭露提供一种触控装置，既可维持其轻薄的特性，且可提高讯杂比。
图3为根据本揭露实施例之一，沿图1L-L线绘示之触控面板结构的剖面图。触控面板结构包含显示装置110、介电层170、第一感应线路150、第二感应线路160以及屏蔽层310。
在此实施例中，显示装置110类似于图1的显示装置110。显示装置110例如可为薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal display,TFT-LCD)、有机发光二极管显示器(organic light-emitting diode display,OLED display)或其他适合的装置。
第一感应线路150包含复数个第一感应电极120以及复数个导电桥140。第一感应电极120位于介电层170上，而导电桥140则位于介电层170及显示装置110之间。在第一感应线路150中，相邻的两个第一感应电极120藉由导电桥140电性连接。第二感应线路160包含第二感应电极130，其中相邻的两个第二感应电极130彼此电性连接。第二感应线路160位于介电层170上，且第二感应线路160与第一感应线路150电性绝缘。更进一步说明，第一感应线路150以及第二感应线路160系为交错绝缘配置。在某些实施例中，第一感应电极120与第二感应电极130可由导电材料制成，例如氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)、奈米银线(silver nanowire,AgNW)、奈米碳管(carbon nanotube,CNT)、石墨稀(graphene)等，但不以此为限。
屏蔽层310位于显示装置110上，导电桥140同样位于显示装置110上。值得注意的是，与习知技术不同，在本实施例中，屏蔽层310与导电桥140为同一平面。屏蔽层310与导电桥140构成导电层320。屏蔽层310与导电桥140之间的距离为X，其中X≧5μm，例如6μm、7μm、8μm、9μm、10μm、15μm或20μm。屏蔽层310与导电桥140彼此未电性连结且未互相接触。在某些实施例中，屏蔽层310及导电桥140的材料可以为氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)、聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene),PEDOT)、奈米碳管(carbonnanotube,CNT)、奈米银线(silver nanowire,AgNW)、聚偏二氟乙烯(polyvinylidenedifluoride,PVDF)、可转移透明导电膜(transparent conductive transfer film,TCTF)或其组合。屏蔽层310的材料可以与导电桥140的材料相同或不同。
屏蔽层310用于改善显示装置110对于第一感应线路150与第二感应线路160的感测触控讯号的干扰。由于电容式触控面板结构距离显示装置110越近时，其所受到显示装置110的干扰影响越严重，故需要在第一感应线路150及第二感应线路160与显示装置110之间加上屏蔽层310，以提升感测的讯杂比。在某些实施例中，屏蔽层310的材料通常可以为导电材料，但不以此为限。
请继续参阅图3，介电层170位于导电层320上。在某些实施例中，介电层170填入屏蔽层310与导电桥140之间的空间中。在某些实施例中，介电层170的厚度≧0.5μm，例如0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm、1μm、2μm或5μm。在某些实施例中，介电层170的材料包含有机氟类热塑性弹性体(TPF)、感光型树酯、热固型树酯、光阻、保护膜材料(over coating materials,OC materials)、绝缘胶或其他合适的材料。
图4为根据本揭露另一个实施例，沿图1L-L线绘示之触控面板结构的剖面图。在本实施例中，触控面板结构包含显示装置110、介电层170、第一感应线路150、第二感应线路160、屏蔽层310、黏着层410以及基板420。
第一感应线路150包含第一感应电极120以及导电桥140。第二感应线路160包含第二感应电极130，相邻的两个第二感应电极130彼此电性连接。屏蔽层310及导电桥140位于基板420之上，其中屏蔽层310与导电桥140构成导电层320。介电层170位于导电层320上，而第一感应电极120与第二感应电极130位于介电层170上。在第一感应线路150中，相邻的两个第一感应电极120藉由导电桥140电性连接。第二感应线路160与第一感应线路150电性绝缘。更进一步说明，第一感应线路150与第二感应线路160系为交错绝缘配置。第一感应电极120与第二感应电极130的材料如前所述，在此不再赘述。
在图4的实施例中，与图3不同的地方在于，在显示装置110与导电层320之间，更包含基板420及黏着层410，其中基板420位于黏着层410上，黏着层410位于显示装置110上。基板420系藉由黏着层410与显示装置110贴合。在某些实施例中，黏着层410的材料例如可为光学胶(optical clear adhesive,OCA)、液态光学胶(optical clear resin,OCR)或其组合。在某些实施例中，基板420的材料例如可为聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate,PET)、环烯烃聚合物(cyclo olefin polymer,COP)、三醋酸纤维素(triacetyl cellulose,TAC)、聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、亲水性聚偏二氟乙烯(hydrophilic polyvinylidene difluoride,H-PVDF)或其组合。
介电层170位于导电层320上。在某些实施例中，介电层170填入屏蔽层310与导电桥140之间的空间中。在某些实施例中，介电层170的厚度≧0.5μm，例如0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm、1μm、2μm或5μm。介电层170的材料如前所述，故在此不再赘述。
值得注意的是，在图4的实施例中，屏蔽层310与导电桥140为同一平面。屏蔽层310与导电桥140之间的距离为Y，其中Y≧5μm，例如6μm、7μm、8μm、9μm、10μm、15μm或20μm。屏蔽层310与导电桥140彼此未电性连结。在某些实施例中，屏蔽层310与导电桥140的材料如前所述，在此不再赘述。
图4绘示之实施例系为外挂式(add-on type)触控传感器的实施例之一，其先将触控感测装置制作于基板420上，再藉由黏着层410与显示装置110结合。
图5为根据本揭露另一个实施例，沿图1L-L线绘示之触控面板结构的剖面图。在本实施例中，触控面板结构包含显示装置110、介电层170、第一感应线路150、第二感应线路160、屏蔽层310、黏着层410以及基板420。
第一感应线路150包含第一感应电极120以及导电桥140。第二感应线路160包含第二感应电极130，相邻的两个第二感应电极130彼此电性连接。屏蔽层310与导电桥140位于黏着层410上，其中屏蔽层310与导电桥140构成导电层320。第一感应电极120与第二感应电极130位于介电层170上。在第一感应线路150中，相邻的两个第一感应电极120藉由导电桥140电性连接。第二感应线路160与第一感应线路150电性绝缘。更进一步说明，第一感应线路150与第二感应线路160系为交错绝缘配置。第一感应电极120与第二感应电极130的材料类似于前述，在此不再赘述。
在图5的实施例中，与图3不同的地方在于，触控面板结构更包含黏着层410与基板420。黏着层410位于显示装置110与导电层320之间。基板420位于介电层170、第一感应电极120以及第二感应电极130上。黏着层410位于显示装置110上，用以将形成于基板420上的触控面板结构与显示装置110贴合。在某些实施例中，黏着层410的材料例如可为光学胶(optical clear adhesive,OCA)、液态光学胶(optical clear resin,OCR)或其组合。在某些实施例中，基板420的材料如前所述，在此不再赘述。
介电层170位于导电层320上，并填入屏蔽层310与导电桥140之间的空间中。在某些实施例中，介电层170的厚度≧0.5μm，例如0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm、1μm、2μm或5μm。在某些实施例中，介电层170的材料如前述，在此不再赘述。
值得注意的是，在图5的实施例中，屏蔽层310与导电桥140为同一平面。屏蔽层310与导电桥140之间的距离为Z，其中Z≧5μm，例如6μm、7μm、8μm、9μm、10μm、15μm或20μm。屏蔽层310与导电桥140彼此未电性连结。屏蔽层310与导电桥140的材料如前所述，在此不再赘述。
图5绘示之实施例系为外挂式(add-on type)触控传感器的实施例之一，其先将触控感测装置制作于基板420上，再藉由黏着层410与显示装置110结合。
图6为根据本揭露实施例之一绘示的导电层320的上视图。导电层320具有多个导电桥140于屏蔽层310中，且导电桥140与屏蔽层310并未接触，也未电性连结。屏蔽层310电性连接至外部电路(未绘示)，并藉由外部电路将屏蔽层310吸收的来自于显示装置110的噪声释放。值得注意的是，由于屏蔽层310与导电桥140大致覆盖整个显示装置，所以不需要特别制作导电垫(conducting pad)供外部电路链接使用，只要将外部电路电性连接至屏蔽层310的任意位置即可导通。在某些实施例中，外部电路可以为软性电路板(flexibleprinted circuit,FPC)，但不局限于此。
以下将介绍触控面板结构的制作方法。图7-10绘示依照本揭露之一实施例的触控面板结构的制程各步骤的剖面图。应当理解，在图7-10所示之制程之前、期间以及之后可以增加额外的制程，而在某些实施例之方法中，一些下述之操作可以被取代或是移除。制程之顺序可以互换。
图7绘示提供一显示装置110。在某些实施例中，显示装置110如前所述，在此不再赘述。
如图8所绘示，沉积导电层320于显示装置110上，并且蚀刻导电层320以形成屏蔽层310与导电桥140于显示装置110上。屏蔽层310与导电桥140彼此互不接触，彼此也无电性连结。在某些实施例中，屏蔽层310与导电桥140彼此间距≧5μm，例如6μm、7μm、8μm、9μm、10μm、15μm或20μm。在某些实施例中，屏蔽层310与导电桥140的材料如前所述，在此不再赘述。在某些实施例中，屏蔽层310与导电桥140可以藉由微影技术与沉积制程形成。
如图9所绘示，在蚀刻导电层320以形成屏蔽层310与导电桥140于显示装置110上之后，形成介电层170于导电层320上，并且图案化介电层170。在某些实施例中，介电层170的厚度≧0.5μm，例如0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm、1μm、2μm或5μm。在某些实施例中，图案化介电层170系使用黄光显影、干式蚀刻或网印等方式。在某些实施例中，由于介电层170系在形成屏蔽层310与导电桥140之后形成，介电层170除了形成于屏蔽层310与导电桥140上，还填入屏蔽层310与导电桥140之间的空间中。在某些实施例中，图案化介电层170系为了将后续形成的第一感应电极120与导电桥140电性连接。在某些实施例中，介电层170的材料如前述，在此不再赘述。
如图10所绘示，在图案化介电层170之后，沉积感测层(未绘示)于介电层170上，并图案化感测层(未绘示)以形成第一感应电极120与第二感应电极130于介电层170上。第一感应电极120与第二感应电极130可藉由微影技术与沉积制程形成。在某些实施例中，沉积制程可例如为化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD)、溅镀法(sputtering)、电子束蒸镀法(e-beam deposition)、原子层沉积法(atomic layer deposition,ALD)或其它任何适合的制程，其中化学气相沉积法可例如为低压化学气相沉积法(low pressurechemical vapor deposition,LPCVD)、低温化学气相沉积法(low temperature chemicalvapor deposition,LTCVD)、快速升温化学气相沉积法(rapid thermal chemical vapordeposition,RTCVD)、电浆辅助化学气相沉积法(plasma enhanced chemical vapordeposition,PECVD)或其它常用的方法。在形成第一感应电极120的同时，电性连结第一感应电极120与导电桥140，以形成第一感应线路150。在某些实施例中，第一感应电极120与第二感应电极130可由导电材料制成，例如氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)、奈米银线(silver nanowire,AgNW)、奈米碳管(carbon nanotube,CNT)、石墨稀(graphene)或其组合，但不以此为限。
图7-10绘示之实施例系为将触控感测装置形成于显示装置110上的制程。换句话说，在制作触控面板结构时，需要提供一显示装置110。
图11-15绘示依照本揭露之一实施例的触控面板结构的制程各步骤的剖面图。应当理解，在图11-15所示之制程之前、期间以及之后可以增加额外的制程，而在某些实施例之方法中，一些下述之操作可以被取代或是移除。制程之顺序可以互换。
图11绘示提供一基板420。在某些实施例中，基板420的材料例如可为聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、环烯烃聚合物(cyclo olefin polymer,COP)、三醋酸纤维素(triacetyl cellulose,TAC)、聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、亲水性聚偏二氟乙烯(hydrophilic polyvinylidene difluoride,H-PVDF)或其组合。
如图12绘示，沉积导电层320于基板420上，并且蚀刻导电层320以形成屏蔽层310与导电桥140于基板420上。屏蔽层310与导电桥140彼此互不接触，彼此也无电性连结。在某些实施例中，屏蔽层310与导电桥140彼此间距≧5μm，例如6μm、7μm、8μm、9μm、10μm、15μm或20μm。在某些实施例中，屏蔽层310与导电桥140的材料如前述，在此不再赘述。在某些实施例中，屏蔽层310与导电桥140可以藉由微影技术与沉积制程形成。
如图13所绘示，在蚀刻导电层320以形成屏蔽层310与导电桥140于基板420上之后，形成介电层170于导电层320上，并且图案化介电层170。在某些实施例中，介电层170的厚度≧0.5μm，例如0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm、1μm、2μm或5μm。在某些实施例中，介电层170的材料如前述。
如图14所绘示，在图案化介电层170之后，沉积感测层(未绘示)于介电层170上，并图案化感测层(未绘示)以形成第一感应电极120与第二感应电极130于介电层170上。第一感应电极120与第二感应电影130可藉由微影技术与沉积制程形成。在某些实施例中，沉积制程可如前所述，在此不再赘述。在形成第一感应电极120的同时，电性连结第一感应电极120与导电桥140，以形成第一感应线路150。在某些实施例中，第一感应电极120与第二感应电极130可由导电材料制成，例如氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)、奈米银线(AgNW)、奈米碳管(carbon nanotube,CNT)、石墨稀(graphene)等，但不以此为限。
如图15绘示，在形成第一感应线路150与第二感应线路160之后，将基板420藉由黏着层410与显示装置110贴合。换句话说，黏着层410位于基板420与显示装置110之间。在某些实施例中，黏着层410的材料例如可为光学胶(optical clear adhesive,OCA)、液态光学胶(optical clear resin,OCR)或其组合。
图11-15所绘示的实施例系为外挂式(add-on type)触控器。在制作触控面板结构的制程中，不须先提供一显示装置110，而是先形成触控感测装置于基板420上，将触控感测装置完成后，再将触控感测装置的基板420与显示装置110贴合，形成触控面板结构。
图16-20绘示依照本揭露之一实施例的触控面板结构的制程各步骤的剖面图。应当理解，在图16-20所示之制程之前、期间以及之后可以增加额外的制程，而在某些实施例之方法中，一些下述之操作可以被取代或是移除。制程之顺序可以互换。
图16绘示提供一基板420。在某些实施例中，基板420的材料例如可为聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、环烯烃聚合物(cyclo olefin polymer,COP)、三醋酸纤维素(triacetyl cellulose,TAC)、聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、亲水性聚偏二氟乙烯(hydrophilic polyvinylidene difluoride,H-PVDF)或其组合。
如图17绘示，沉积感测层(未绘示)于基板420上，并图案化感测层以形成第一感应电极120与第二感应电极130于基板420上。第一感应电极120与第二感应电影130可藉由微影技术与沉积制程形成。在某些实施例中，沉积制程可如前所述，在此不再赘述。在某些实施例中，第一感应电极120与第二感应电极130可由导电材料制成，例如氧化铟锡(indiumtin oxide,ITO)、奈米银线(AgNW)、奈米碳管(carbon nanotube,CNT)、石墨稀(graphene)等，但不以此为限。
如图18绘示，在形成第一感应电极120与第二感应电极130之后，形成介电层170于第一感应电极120与第二感应电极130上，并且图案化介电层170。在某些实施例中，介电层170的厚度≧0.5μm，例如0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm、1μm、2μm或5μm。在某些实施例中，介电层170的材料可如前所述。
如图19绘示，沉积导电层320于介电层170上，并且蚀刻导电层320以形成屏蔽层310与导电桥140于基板420上。屏蔽层310与导电桥140彼此互不接触，彼此也无电性连结。值得注意的是，在形成导电桥140的同时，电性连结第一感应电极120与导电桥140，以形成第一感应线路150。在某些实施例中，屏蔽层310与导电桥140彼此间距≧5μm，例如6μm、7μm、8μm、9μm、10μm、15μm或20μm。在某些实施例中，屏蔽层310与导电桥140的材料可如前述，在此不再赘述。在某些实施例中，屏蔽层310与导电桥140可以藉由微影技术与沉积制程形成。
如图20绘示，在形成屏蔽层310与导电桥140之后，将导电层320藉由黏着层410与显示装置110贴合。换句话说，黏着层410位于导电层320与显示装置110之间。在某些实施例中，黏着层410的材料例如可为光学胶(optical clear adhesive,OCA)、液态光学胶(optical clear resin,OCR)或其组合。
图16-20所绘示的实施例系为外挂式(add-on type)触控器。在制作触控面板结构的制程中，不须先提供一显示装置110，而是先形成触控感测装置于基板420上，将触控感测装置完成后，再将触控感测装置的导电层320与显示装置110贴合，形成触控面板结构。
由于第一感应线路及第二感应线路与显示装置距离过近会使讯杂比过低，导致触控讯号解读上的困难与精准度下降。本揭露利用将导电桥配置于与屏蔽层同一平面的结构，在不增加额外的厚度的情况下，将第一感应线路及第二感应线路与显示装置的距离增加，以达到增加讯杂比的目的。本揭露提供的技术方案整合屏蔽层与导电桥的制程，使整体制程简化，且同时可以使触控面板结构的厚度薄化，并且达到屏蔽显示装置的讯号干扰的功效。
本揭露已经详细地描述某些实施方式，但其他的实施方式也是可能的。因此，所附请求项的精神和范畴不应限于本文所描述的实施方式。
虽然本揭露已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本揭露，任何熟习此技术者，在不脱离本揭露之精神与范围内，当可作各种更动与润饰，因此本揭露之保护范围当视后附之申请专利范围所界定者为准。
Claims (10)
1.一种触控面板结构，其特征在于，包含：
一显示装置；
一介电层配置于该显示装置上；
一第一感应线路，包含：
复数个第一感应电极，配置于该介电层上；以及
复数个导电桥，配置于该介电层与该显示装置之间，其中该两相邻之第一感应电极藉由该些导电桥之一电性连接；
一第二感应线路，包含复数个第二感应电极，配置于该介电层上，并与该第一感应线路交错绝缘配置；以及
一屏蔽层，配置于该介电层与该显示装置之间，与该些导电桥同一平面，并与该些导电桥电性绝缘，其中该些导电桥与该屏蔽层构成一导电层。
2.如权利要求1所述之触控面板结构，更包含一黏着层与一基板配置于该导电层与该显示装置之间，其中该基板位于该黏着层之上。
3.如权利要求1所述之触控面板结构，更包含：
一黏着层配置于该导电层与该显示装置之间；以及
一基板配置于该些第一感应电极与该些第二感应电极之上。
4.如权利要求1至3中任一项所述之触控面板结构，其中该屏蔽层与该些导电桥的一间距≧5μm。
5.如权利要求1至3中任一项所述之触控面板结构，其中该导电层的材料为氧化铟锡、聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)、奈米碳管、奈米银线、聚偏二氟乙烯、可转移透明导电膜或其组合。
6.如权利要求1至3中任一项所述之触控面板结构，其中该介电层的一厚度≧0.5μm。
7.一种触控面板结构的制造方法，其特征在于，包含：
形成一导电层；
蚀刻该导电层以形成一屏蔽层与复数个导电桥，其中该些导电桥与该屏蔽层位于同一平面；
形成一介电层于该导电层上；
形成复数个感应电极与复数条第一感应线路于该介电层上，该些第一感应线路与该些感应电极系绝缘设置；以及
将两相邻之该些感应电极与该些导电桥之一电性连结以形成复数条第二感应线。
8.如权利要求7所述之触控面板结构的制造方法，其中该导电层系形成于一第一显示装置或一基板上。
9.如权利要求8所述之触控面板结构的制造方法，其中该导电层系形成于该基板上，更包含将该基板与一第二显示装置贴合。
10.一种触控面板结构的制造方法，其特征在于，包含：
提供一基板；
形成复数个感应电极与复数条第一感应线路于该基板上，该些第一感应线路与该些感应电极系绝缘设置；
形成一介电层于该些感应电极与该些第一感应线路上；
形成一屏蔽层与复数个导电桥于该介电层上，并将两相邻之该些感应电极与该些导电桥之一电性连结，藉由该些导电桥串接该些感应电极以形成复数条第二感应电路；以及
将一显示装置与该导电层贴合。
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