CN107508556B - 一种de类倍频器的设计方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种DE类倍频器的设计方法,包括直流电压源,第一场效应管、第二场效应管、第一电感、第二电感、隔直电容、并联补偿电容、LC并联调谐电路和负载电阻,隔直电容一端接第一电感和第二电感的一端,另一端分别接LC并联调谐电路、并联补偿电容和负载电阻的一端,第一电感的另一端串接第一场效应管的漏极,第二电感的另一端串接第二场效应管的漏极,LC并联调谐电路、并联补偿电容和负载电阻的另一端接电源地,第一场效应管S1源极接电源地,栅极接第一驱动电压,第二场效应管S2源极接直流电压源,栅极接第二驱动电压。本发明在不改变原DE类放大器结构和驱动信号波形下仅仅调整无源器件的元件值即可获得倍频信号。
Description
技术领域
本发明涉及一种DE类倍频器的设计方法,属于倍频器技术领域。
背景技术
倍频器是通信中的重要器件,通过倍频器可以获得数倍的源信号频率。晶体管倍频器除了可以实现频率倍增,其输出信号通常还有功率增益。晶体管倍频器与开关式放大器类似,有D类、E类、DE类等,通常都具有较高的效率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种DE类倍频器的设计方法,在不改变原DE类放大器结构和驱动信号波形下仅仅调整无源器件的元件值即可获得倍频信号。
为解决上述技术问题,本发明提供一种DE类倍频器的设计方法,包括以下步骤:
1)DE类倍频器的驱动信号占空比为25%,当第一场效应管开关S1断开时,第一电感L1中的电流下降到0,且电流随时间的变化率为0,使得第一电感L1的功率损耗为0;当第一场效应管开关S2断开时,第二电感L2中的电流下降到0,且电流随时间的变化率为0,使得第二电感L2的功率损耗为0;根据此电感零电流转换和零电流导数转换条件,得到N倍频器中的参数关系:
其中,
B=NωC是并联补偿电容C的电纳,
X=ωL1=ωL2是串联电感L1和L2的感抗,
ω=2πf;
2)给定DE类倍频器的设计参数,包括直流电压源Vdd,输出功率Po,负载品质因数QLC,驱动信号频率f和频率倍数N;
3)结合步骤1)的参数关系,负载电阻的表达式和DE类倍频器的设计参数,得到N倍频器的元件参数:负载电阻RL、第一电感L1、第二电感L2、并联补偿电容C、并联调谐电容Cp和并联调谐电感Lp;
4)利用步骤3)的计算结果设计DE类倍频器。
前述的N倍频器中的N为奇数。
前述的并联调谐电容Cp和并联调谐电感Lp的计算公式如下:
进一步的,所述DE类倍频器包括直流电压源Vdd、第一场效应管S1、第二场效应管S2、第一电感L1、第二电感L2、隔直电容CDC、并联补偿电容C、LC并联调谐电路和负载电阻RL;
所述隔直电容CDC一端接第一电感L1和第二电感L2的一端,隔直电容CDC的另一端分别接LC并联调谐电路、并联补偿电容C和负载电阻RL的一端;所述第一电感L1的另一端串接第一场效应管S1的漏极;所述第二电感L2的另一端串接第二场效应管S2的漏极;所述LC并联调谐电路、并联补偿电容C和负载电阻RL的另一端接电源地;
所述第一场效应管S1源极接电源地,栅极接第一驱动电压;
所述第二场效应管S2源极接直流电压源Vdd,栅极接第二驱动电压。
进一步的,所述LC并联调谐电路包括调谐电容Cp和调谐电感Lp,其中,调谐电容Cp两端连接调谐电感Lp的两端,谐振于倍频目标频率。
本发明所达到的有益效果为:在不改变原DE类放大器结构和驱动信号波形下仅仅调整无源器件的元件值即可获得倍频信号,且保持很高的效率。
附图说明
图1是一种DE类倍频器的电路图;
图2是一种DE类倍频器的等效电路;
图3是驱动信号占空比为25%,N=3时,DE类3倍频器各电流电压波形图;图3(a)为第一场效应管的驱动电压波形vDr1(θ);图3(b)为第二场效应管的驱动电压波形vDr2(θ);图3(c)为流过第一场效应管S1的电流is1(θ)的波形图;图3(d)为流过第二场效应管S2的电流is2(θ)的波形图;图3(e)为第一场效应管漏极的电压波形vD1(θ);图3(f)为第二场效应管漏极电压波形vD2(θ);图3(g)是输出电压波形vo(θ)。
具体实施方式
下面对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。
如图1所示,本发明的DE类倍频器包括直流电压源Vdd,第一场效应管S1、第二场效应管S2、第一电感L1、第二电感L2、隔直电容CDC、并联补偿电容C、LC并联调谐电路和负载电阻RL。图1中,vDr1(θ)和vDr2(θ)是第一、二场效应管驱动电压,vs2(θ),is2(θ)是第二场效应管漏源极电压和流过它的电流,i1(θ)是流过隔直电容的交变电流,vm(θ)是第一电感L1和第二电感L2连接点的电压,vs1(θ)和is1(θ)是第一场效应管漏源极电压和流过它的电流,ix(θ)是并联补偿电容C中的电流,io(θ)是负载电阻RL中的电流,vo(θ)是负载电阻上的电压,θ是角时间,,θ=ωt。
隔直电容CDC一端接第一电感L1和第二电感L2的一端,另一端分别接LC并联调谐电路、并联补偿电容C和负载电阻RL的一端。
LC并联调谐电路、并联补偿电容C和负载电阻RL的另一端接电源地。
第一场效应管S1源极接电源地,栅极接第一驱动电压,漏极串联接第一电感L1的另一端。
第二场效应管S2源极接直流电压源Vdd,栅极接第二驱动电压,漏极串联接第二电感L2的另一端。
LC并联调谐电路包括调谐电容Cp和调谐电感Lp,其中,调谐电容Cp两端连接调谐电感Lp的两端,谐振于倍频目标频率。
图2是DE类倍频器的等效电路。将第一场效应管S1、第二场效应管S2等效为两个电压控制开关。
DE类倍频器的驱动信号占空比为25%。当第一场效应管开关S1断开时,第一电感L1中的电流下降到0,且电流随时间的变化率(即电流的斜率)为0,使得第一电感L1的功率损耗为0。当第一场效应管开关S2断开时,第二电感L2中的电流下降到0,且电流随时间的变化率(即电流的斜率)为0,使得第二电感L2的功率损耗为0。
运用以上电感零电流转换和零电流导数转换条件,得到N倍频器(N是奇数)中的参数关系:
其中:
B=NωC是并联补偿电容C的电纳,
X=ωL1=ωL2是串联电感L1和L2的感抗。
ω=2πf。
为了方便N倍频器的设计,将奇数N=3、5、7对应的设计参数列于表1:
表1N倍频器的参数关系
N | B/G | GX |
3 | 3.562 | 0.0474 |
5 | 10.94 | 0.0091 |
7 | 9.445 | 0.0076 |
图3是驱动信号占空比D=25%时,DE类3倍频器实例在一个2π周期内的工作过程为:
(1)在0<θ≤0.5π,如图3(a)驱动信号使第一场效应管S1闭合;如图3(b)驱动信号使第二场效应管S2断开;如图3(c)流过第一场效应管S1的电流iS1(也是流过第一电感L1的电流)有一个上升的过程,上升到峰值后出现一个下降的过程,最后到0,到达0时电流iS1随时间的导数也为0;如图3(e),第一场效应管漏极电压为0,即第一场效应管S1两端电压vS1为0;如图3(d),流过第二场效应管S2的电流iS2(也是流过第二电感L2的电流)为0;如图3(f),第二场效应管S2断开,第二场效应管漏极电压vD2随输出电压变化。
(2)在0.5π<θ≤π,如图3(a)驱动信号使第一场效应管S1断开;如图3(b)驱动信号使第二场效应管S2断开。图3(c)流过第一场效应管电流iS1(也是流过第一电感L1的电流)为0;如图3(e),第一场效应管S1断开,第一场效应管漏极电压vD1随输出电压变化;图3(d)流过第二场效应管电流iS2(也是流过第二电感L2的电流)为0;如图3(f),第二场效应管S2断开,第二场效应管漏极电压vD2随输出电压变化。
(3)在π<θ≤1.5π,如图3(a)驱动信号使第一场效应管S1断开;如图3(b)驱动信号使第二场效应管S2闭合;图3(c)流过第一场效应管电流iS1(也是流过第一电感L1的电流)为0;如图3(e),第一场效应管S1断开,第一场效应管漏极电压vD1随输出电压变化;图3(d),流过第二场效应管S2的电流iS2(也是流过第二电感L2的电流)有一个上升的过程,上升到峰值后出现一个下降的过程,最后到0,到达0时电流iS2随时间的导数也为0;图3(f),第二场效应管漏极电压等于直流电源电压,即第二场效应管S2两端电压vS2为0。
(4)在1.5π<θ≤2π,此范围内工作过程同(2)。如图3(a)驱动信号使第一场效应管S1断开;如图3(b)驱动信号使第二场效应管S2断开。图3(c)流过第一场效应管电流iS1(也是流过第一电感L1的电流)为0;如图3(e),第一场效应管S1断开,第一场效应管漏极电压vD1随输出电压变化;图3(d)流过第二场效应管电流iS2(也是流过第二电感L2的电流)为0;如图3(f),第二场效应管S2断开,第二场效应管漏极电压vD2随输出电压变化。
图3(g)是输出电压波形,输出电信号电压是直流电压源Vdd的2.9倍,频率是驱动信号的3倍,实现了3倍频。
给定DE类倍频器的设计参数,包括直流电压源Vdd,输出功率Po,负载品质因数QLC,驱动信号频率f和频率倍数N,结合参数关系以及负载电阻的表达式,得到DE类倍频器元件的各参数:
LC并联调谐电路用于提取所需的频率,LC并联调谐电路的元件参数为:
ω=2πf
在驱动信号占空比为25%时,当N=3时,即DE-1类3倍频器,输出信号电压是直流电源电压Vdd的2.9倍,频率是驱动信号的3倍,实现了3倍频。其负载电阻RL、第一电感L1、第二电感L2、并联补偿电容C、并联调谐电容Cp和并联调谐电感Lp的计算公式(隔直电容CDC只需足够大,不需要特别计算);
品质因数为QLC的LC并联调谐元件参数:
其中,ω=2πf。
最后,利用计算结果设计DE类倍频器。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。
Claims (1)
1.一种DE类倍频器的设计方法,其特征在于,
所述DE类倍频器包括直流电压源Vdd、第一场效应管S1、第二场效应管S2、第一电感L1、第二电感L2、隔直电容CDC、并联补偿电容C、LC并联调谐电路和负载电阻RL;
所述隔直电容CDC一端接第一电感L1和第二电感L2的一端,隔直电容CDC的另一端分别接LC并联调谐电路、并联补偿电容C和负载电阻RL的一端;所述第一电感L1的另一端串接第一场效应管S1的漏极;所述第二电感L2的另一端串接第二场效应管S2的漏极;所述LC并联调谐电路、并联补偿电容C和负载电阻RL的另一端接电源地;
所述LC并联调谐电路包括调谐电容Cp和调谐电感Lp,其中,调谐电容Cp两端连接调谐电感Lp的两端,谐振于倍频目标频率;
所述第一场效应管S1源极接电源地,栅极接第一驱动电压;
所述第二场效应管S2源极接直流电压源Vdd,栅极接第二驱动电压;
所述DE类倍频器的设计方法,包括以下步骤:
1)DE类倍频器的驱动信号占空比为25%,当第一场效应管开关S1断开时,第一电感L1中的电流下降到0,且电流随时间的变化率为0,使得第一电感L1的功率损耗为0;当第一场效应管开关S2断开时,第二电感L2中的电流下降到0,且电流随时间的变化率为0,使得第二电感L2的功率损耗为0;根据此电感零电流转换和零电流导数转换条件,得到N倍频器中的参数关系:
其中,
B=NωC是并联补偿电容C的电纳,
X=ωL1=ωL2是串联电感L1和L2的感抗,
ω=2πf;
所述N倍频器中的N为奇数;
2)给定DE类倍频器的设计参数,包括直流电压源Vdd,输出功率Po,负载品质因数QLC,驱动信号频率f和频率倍数N,
3)结合步骤1)的参数关系,负载电阻的表达式和DE类倍频器的设计参数,得到N倍频器的元件参数:负载电阻RL、第一电感L1、第二电感L2、并联补偿电容C、并联调谐电容Cp和并联调谐电感Lp;
所述并联调谐电容Cp和并联调谐电感Lp的计算公式如下:
4)利用步骤3)的计算结果设计DE类倍频器。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1087764A (zh) * | 1992-12-03 | 1994-06-08 | 艾利森电话股份有限公司 | 由差动放大器组成的高频发生器和振荡器 |
CN1886888A (zh) * | 2003-12-19 | 2006-12-27 | 艾利森电话股份有限公司 | 倍频布置和用于倍频的方法 |
CN103312279A (zh) * | 2013-05-21 | 2013-09-18 | 河海大学 | 一种de类功率放大器及其设计方法 |
CN104113307A (zh) * | 2014-07-07 | 2014-10-22 | 北京交通大学 | 一种全光时钟倍频装置及基于此装置的倍频方法 |
US8917805B2 (en) * | 2012-11-20 | 2014-12-23 | International Business Machines Corporation | Bipolar transistor frequency doublers at millimeter-wave frequencies |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9019178D0 (en) * | 1990-09-03 | 1990-10-17 | Lsi Logic Europ | Power amplifiers |
CN101299593A (zh) * | 2008-06-24 | 2008-11-05 | 上海杰盛无线通讯设备有限公司 | 基于bjt管的三倍频器 |
CN102104362B (zh) * | 2011-03-01 | 2013-03-06 | 北京大学 | 一种毫米波倍频器及级联倍频器 |
CN202153722U (zh) * | 2011-08-16 | 2012-02-29 | 武汉凡谷电子技术股份有限公司 | 一种倍频电路 |
CN203377864U (zh) * | 2013-07-24 | 2014-01-01 | 珠海市光辰科技有限公司 | 直接数字频率合成器 |
CN203377843U (zh) * | 2013-07-31 | 2014-01-01 | 珠海市光辰科技有限公司 | 高次倍频器 |
CN103731103B (zh) * | 2014-01-17 | 2016-08-17 | 东南大学 | 一种全差分微波毫米波倍频器 |
JP6465270B2 (ja) * | 2014-07-23 | 2019-02-06 | セイコーエプソン株式会社 | 周波数逓倍回路、電子機器及び移動体 |
CN104579316B (zh) * | 2015-01-30 | 2017-04-26 | 灿芯半导体(上海)有限公司 | 百分之五十占空比的可编程分频器 |
KR101828134B1 (ko) * | 2015-11-18 | 2018-02-12 | 한국전자통신연구원 | 최적화된 고조파 억압 특성을 갖는 주파수 2체배기 |
-
2017
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1087764A (zh) * | 1992-12-03 | 1994-06-08 | 艾利森电话股份有限公司 | 由差动放大器组成的高频发生器和振荡器 |
CN1886888A (zh) * | 2003-12-19 | 2006-12-27 | 艾利森电话股份有限公司 | 倍频布置和用于倍频的方法 |
US8917805B2 (en) * | 2012-11-20 | 2014-12-23 | International Business Machines Corporation | Bipolar transistor frequency doublers at millimeter-wave frequencies |
CN103312279A (zh) * | 2013-05-21 | 2013-09-18 | 河海大学 | 一种de类功率放大器及其设计方法 |
CN104113307A (zh) * | 2014-07-07 | 2014-10-22 | 北京交通大学 | 一种全光时钟倍频装置及基于此装置的倍频方法 |
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