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CN107315292A - 显示面板及其制造方法 - Google Patents

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CN107315292A
CN107315292A CN201610264400.2A CN201610264400A CN107315292A CN 107315292 A CN107315292 A CN 107315292A CN 201610264400 A CN201610264400 A CN 201610264400A CN 107315292 A CN107315292 A CN 107315292A
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CN
China
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substrate
layer
film transistor
thin film
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610264400.2A
Other languages
English (en)
Inventor
钟岳庭
卢永信
陈俊宇
吕建民
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Innolux Corp
Original Assignee
Innolux Display Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Innolux Display Corp filed Critical Innolux Display Corp
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Priority to US15/496,730 priority patent/US10203578B2/en
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Abstract

本发明揭露一种显示面板及其制造方法。显示面板包括一薄膜晶体管基板，薄膜晶体管基板包括一基板、多条扫描线与多条数据线以及一第一中介层。所述扫描线分别沿一第一方向延伸而设置于基板上，并与所述数据线交错以定义出多个次像素单元，所述次像素单元包括沿第一方向相邻设置的一第一次像素单元与一第二次像素单元，第一次像素单元具有一第一光穿透区与一第一元件设置区，第二次像素单元具有一第二光穿透区与一第二元件设置区。第一中介层设置于基板上，第一中介层具有一开口，该开口与第一光穿透区至少部分重叠，并且该开口与第二光穿透区至少部分重叠。本发明可使薄膜晶体管基板与显示面板具有较高的穿透率。

Description

显示面板及其制造方法
技术领域
本发明关于一种显示面板及其制造方法，特别关于一种具有较高穿透率的显示面板及其制造方法。
背景技术
随着科技的进步，平面显示装置已经广泛的被运用在各种领域，尤其是液晶显示装置，因具有体型轻薄、低功率消耗及无辐射等优越特性，已经渐渐地取代传统阴极射线管显示装置，而应用至许多种类的电子产品中，例如移动电话、便携式多媒体装置、笔记本电脑、液晶电视及液晶屏幕等等。
当显示装置的分辨率(或PPI)越来越高时，相对的显示面板的穿透率(Transmittance)、开口率(Aperture ratio)也会越来越低，使得显示装置比较耗能。因此，提高穿透率一直是显示装置业界努力的目标之一。
以液晶显示装置为例，液晶显示装置主要包含一显示面板(LCD Panel)以及一背光模组(Backlight Module)，显示面板与背光模组相对而设。显示面板具有多个阵列排列的次像素单元，且当背光模组所发出光线均匀地分布到显示面板时，可经由显示面板的各次像素单元显示色彩而形成一影像。每一个次像素单元一般具有一元件设置区及一透光区，元件设置区是设置例如薄膜晶体管的区域，而透光区是为光线可穿透的区域，且显示面板就是透过透光区来显示影像画面。然而，于基板上设置薄膜晶体管等元件的制造工艺中，需于元件设置区与透光区上分别沉积不同的中介薄膜层，例如分别沉积缓冲层、绝缘层或平坦化层等多层的薄膜，但是，当背光模组所提供的光线通过透光区内的多层薄膜层时，光线会被这些膜层吸收或反射，造成显示面板的穿透率降低。
因此，如何提供一种显示面板及其制造方法，可具有较高的穿透率，已成为重要课题之一。
发明内容
本发明的目的为提供一种具有较高的穿透率的显示面板及其制造方法。
本发明提出一种显示面板，包括一薄膜晶体管基板，薄膜晶体管基板包括一基板、多条扫描线与多条数据线以及一第一中介层。所述扫描线分别沿一第一方向延伸而设置于基板上，并与所述数据线交错以定义出多个次像素单元，所述次像素单元包括沿第一方向相邻设置的一第一次像素单元与一第二次像素单元，第一次像素单元具有一第一光穿透区与一第一元件设置区，第二次像素单元具有一第二光穿透区与一第二元件设置区。第一中介层设置于基板上，第一中介层具有一开口，该开口与第一光穿透区至少部分重叠，并且该开口与第二光穿透区至少部分重叠。
在一实施例中，所述扫描线包括一第一扫描线，所述数据线包括一第一数据线，第一扫描线与第一数据线交错而形成一交错区，第一数据线具有与交错区对应的一突起部，且第一数据线的突起部与基板之间具有第一中介层。
在一实施例中，第一数据线还具有与突起部连接的一直线延伸部，且突起部与基板之间的距离，大于直线延伸部与基板之间的距离。
在一实施例中，薄膜晶体管基板还包括一第二中介层，其设置于第一数据线的直线延伸部与基板之间。
在一实施例中，薄膜晶体管基板还包括一平坦化层，其连续性地设置于第一次像素单元的第一光穿透区与第一元件设置区，以及第二次像素单元的第二光穿透区与第二元件设置区，且第一中介层设置于平坦化层与基板之间。
在一实施例中，在第一光穿透区与第二光穿透区中，平坦化层至少有部分直接接触基板。
在一实施例中，薄膜晶体管基板还包括一薄膜晶体管，其设置于基板上，并对应第一元件设置区或第二元件设置区设置，平坦化层覆盖于薄膜晶体管上，且薄膜晶体管包含第一中介层与第二中介层。
在一实施例中，基板具有一显示区及一周边线路区，周边线路区位于显示区的外围，第一次像素单元与第二次像素单元位于显示区，平坦化层由显示区延伸至周边线路区，且位于周边线路区的平坦化层至少部分直接接触基板。
本发明提出一种显示面板的制造方法，包括：提供一基板；在基板上形成一第一金属层，以构成沿一第一方向延伸的多条扫描线及分别位于一第一像素单元与一第二像素单元中的薄膜晶体管的一栅极，其中第一像素单元和第二像素单元彼此沿第一方向相邻设置，第一次像素单元具有一第一光穿透区与一第一元件设置区，第二次像素单元具有一第二光穿透区与一第二元件设置区；在基板上形成些薄膜晶体管的一通道层；在基板上形成所述薄膜晶体管的一中介层；在中介层中形成一开口，使得开口与第一光穿透区至少部分重叠，并且开口与第二光穿透区至少部分重叠；以及在形成开口之后，在基板上形成一第二金属层，以构成多条数据线及所述薄膜晶体管的一源极与一漏极，其中部分第二金属层位于中介层的上方，且部分第二金属层位于中介层的开口内。
承上所述，于本发明的薄膜晶体管基板与显示面板中，在光穿透区的对应位置上，有部分中介层被除去，使得数据线至少有部分直接接触基板，且平坦化层至少有部分直接接触基板。或者，数据线至少有部分与基板之间有第二中介层，且平坦化层至少有部分与基板之间有第二中介层。藉此，使得所述次像素单元的光穿透区具有数量较少、厚度较薄的中介层，故背光源所提供的光线通过薄膜晶体管基板的所述光穿透区时，光线被吸收或反射的比率较少，因此，可使薄膜晶体管基板与显示面板具有较高的穿透率。
附图说明
图1为本发明一实施例的一种薄膜晶体管基板的示意图。
图2A至图2D分别是图1的薄膜晶体管基板中，沿直线A-A、直线B-B、直线C-C、直线D-D的剖视示意图。
图3A至图3D分别为图1的薄膜晶体管基板中，沿直线A-A、直线B-B、直线C-C、直线D-D的另一剖视示意图。
图4为本发明另一实施态样的薄膜晶体管基板的示意图。
图5A为本发明另一实施态样的薄膜晶体管基板的示意图。
图5B为图5A的薄膜晶体管基板中，沿直线E-E的剖视示意图。
图6为本发明较佳实施例的一种显示面板的示意图。
具体实施方式
以下将参照相关图式，说明依本发明较佳实施例的显示面板及其制造方法，其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明。本发明所有实施态样的图示只是示意，不代表真实尺寸与比例。此外，以下实施例的内容中所称的方位“上”及“下”只是用来表示相对的位置关系。再者，一个元件形成在另一个元件“上”、“之上”、“下”或“之下”可包括实施例中的一个元件与另一个元件直接接触，或也可包括一个元件与另一个元件之间还有其他额外元件使一个元件与另一个元件无直接接触。
请分别参照图1、图2A至图2D所示，其中，图1为本发明较佳实施例的一种薄膜晶体管基板1的示意图，而图2A至图2D分别是图1的薄膜晶体管基板1中，沿直线A-A、直线B-B、直线C-C、直线D-D的剖视示意图。
薄膜晶体管基板1包括一基板11以及多条扫描线与多条数据线，该些扫描线与该些数据线设置于基板11上。
基板11为可透光的材质制成，在实施上，例如可为玻璃、石英或类似物、塑胶、橡胶、玻璃纤维或其他高分子材料，较佳的可为一硼酸盐无碱玻璃基板。
该些扫描线分别沿一第一方向X延伸而设置于基板11上，并与该些数据线交错以定义出至少两个沿该第一方向X相邻设置的一第一次像素单元P1与一第二次像素单元P2。于此，图1的薄膜晶体管基板1是具有两条扫描线(第一扫描线S1与第二扫描线S2)、三条数据线(第一数据线D1、第二数据线D2与第三数据线D3)分别交错以定义出两个沿第一方向X相邻的第一次像素单元P1与第二次像素单元P2为例，且第一次像素单元P1与第二次像素单元P2的结构可为相同。其中，第一次像素单元P1至少包含第一扫描线S1、第二扫描线S2、第一数据线D1及第二数据线D2之间所围设的区域；第二次像素单元P2至少包含第一扫描线S1、第二扫描线S2、第二数据线D2及第三数据线D3之间所围设的区域。
第一扫描线S1与第二扫描线S2分别沿第一方向X延伸，而第一数据线D1、第二数据线D2及第三数据线D3分别沿一第二方向Y延伸，且第一方向X与第二方向Y之间具有一夹角，该夹角可为90度、锐角或钝角。本实施例是以第一方向X与第二方向Y之间的夹角θ为锐角(小于90度)为例。
如图1及图2A所示，第一次像素单元P1与第二次像素单元P2分别具有一光穿透区及一元件设置区，元件设置区邻接光穿透区。第一次像素单元P1具有光穿透区A1及元件设置区B1。第二次像素单元P2具有光穿透区A2及元件设置区B2(未显示)。举例而言，当薄膜晶体管基板1与一对向基板及一液晶层组合而成为液晶显示面板时，光穿透区A1、A2即为背光源的光线可穿过第一次像素单元P1、第二次像素单元P2的区域，而元件设置区B1、B2即为第一次像素单元P1、第二次像素单元P2中，设置驱动元件(例如薄膜晶体管)的区域，亦为被例如黑色矩阵(BM)遮蔽而不透光的区域。于此，图2A是显示薄膜晶体管基板1的第一次像素单元P1的光穿透区A1及元件设置区B1的局部示意图。
第一次像素单元P1与第二次像素单元P2分别包含一薄膜晶体管T、及一平坦化(planarization)层15，薄膜晶体管T与平坦化层15分别设置于基板11上。其中，薄膜晶体管T包括至少一中介层(中间介电层)，以使薄膜晶体管T内的电极(栅极、源极、漏极)之间绝缘(以下会再详细说明中介层)。在一些实施例中，薄膜晶体管T例如可包括：设置于基板上的一缓冲层12、一通道层CL、一第一栅极绝缘层131、一第二栅极绝缘层132、一栅极G、一第一层间介电层141、一第二层间介电层142、一源极与一漏极。
为了使像素单元的光穿透区有较高的穿透率，依据本发明一些实施例中，是将次像素单元的光穿透区中的中介层作部分移除。在形成薄膜晶体管的中介层之后，在该中介层中形成一开口，使得开口与第一次像素单元的第一光穿透区至少部分重叠，并且开口与第二次像素单元的第二光穿透区至少部分重叠。如此，光的路径可经过较少的中介膜层，使得像素单元的光穿透区有较高的穿透率，进而使得薄膜晶体管基板有较高的穿透率。
依据一些实施例，薄膜晶体管基板可依以下方式形成：在基板11上形成一第一金属层、通道层、和中介层之后，接着，在中介层中形成一开口。其中，第一金属层构成沿第一方向X延伸的多条扫描线与分别位于第一像素单元P1和第二像素单元P2中的薄膜晶体管的栅极G。
另外，在中介层中形成一开口，是于预先定义的光穿透区A1将中介层除去而形成该开口。于此，薄膜晶体管中所包括的中介层通常有多个膜层。依据一些实施例，可在第一、第二光穿透区的对应位置上，将所有多层的中介层除去。例如，在第一光穿透区A1、第二光穿透区A2的对应位置上，将设置于基板11上的缓冲层12、第一栅极绝缘层131、第二栅极绝缘层132、第一层间介电层141与第二层间介电层142除去，直到露出基板11为止，以形成一开口OP(如图1、图2A所示)，使缓冲层12、第一栅极绝缘层131、第二栅极绝缘层132、第一层间介电层141与第二层间介电层142存在于元件设置区B1内。如图所示，中介层的开口OP与第一光穿透区A1至少部分重叠，并且与第二光穿透区A2至少部分重叠。亦即，中介层仍可部分存在于第一光穿透区A1和第二光穿透区A2中。
形成开口OP之后，接着，在基板11上形成一第二金属层，以构成多条数据线(例如第一数据线D1、第二数据线D2、第三数据线D3)与薄膜晶体管的源极、漏极。接着，将平坦化层15覆盖于薄膜晶体管T和基板11上。
请分别参照图2B至图2D所示，其中，图2B至图2D只显示平坦化层15、基板11及位于平坦化层15与基板11之间的膜层。
如图2B所示，在中介层的开口OP的对应位置处，由于基板11上没有中介层，第二金属层会直接形成在基板11上。亦即，第一数据线D1与第二数据线D2形成于基板11上而直接接触基板11。换言之，第一数据线D1与基板11之间、第二数据线D2与基板12之间并没有上述的中介层(绝缘层、缓冲层或介电层)存在。另外，平坦化层15是由第一次像素单元P1的光穿透区A1延伸至第二次像素单元P2的光穿透区A2，并直接覆盖在第一数据线D1、第二数据线D2及基板11上。
另外，如图2C所示，于基板11上，由下而上依序为缓冲层12、通道层CL、第一栅极绝缘层131、第二栅极绝缘层132、栅极G(第一扫描线S1或第二扫描线S2)、第一层间介电层141与第二层间介电层142，且平坦化层15全部覆盖在第二层间介电层142与基板11上，以达到平坦化的作用。
另外，如图2D所示，第一扫描线S1与第一数据线D1交错而形成一交错区Z，与交错区Z对应处的第一数据线D1称为一突起部D11。同样的，第二扫描线S2与第一数据线D1交错而形成另一交错区，与另一交错区Z对应处的第一数据线D1具有一另一突起部。另外，第一数据线D1的突起部D11与基板11之间具有至少一中介层。例如，突起部D11与基板11之间具有缓冲层12、通道层CL、第一栅极绝缘层131、第二栅极绝缘层132、第一扫描线S1或第二扫描线S2、第一层间介电层141与第二层间介电层142。因此，第一数据线D1的突起部D11并不直接接触基板11。
此外，第一数据线D1还具有与突起部D11连接的一直线延伸部D12，第一数据线D1的直线延伸部D12是直接接触基板11。亦即，第一数据线D1至少部分直接接触基板11。其中，第一数据线D1的直线延伸部D12是对应于中介层的开口OP。如图2D所示，第一数据线D1的突起部D11和基板11之间的距离DS1，大于第一数据线D1的直线延伸部D12与基板11之间的距离(因为直线延伸部D12直接接触基板11，因此距离为0)。
另外，平坦层15是连续性地设置于第一次像素单元P1的第一光穿透区与第一元件设置区，以及第二次像素单元P2的第二光穿透区与第二元件设置区，并由元件设置区B1延伸至光穿透区A1。而且，于第一次像素单元P1的光穿透区A1与第二次像素单元P2的光穿透区A2中，平坦化层15至少有部分直接接触基板11。如图2C所示，在第一光穿透区A1、第二光穿透区A2的中介层的开口OP的对应位置上，由于基板11上没有中介层，平坦层15会填入中介层的开口OP内。因此，平坦层15会直接形成在基板11上。亦即，在第一光穿透区A1、第二光穿透区A2中，平坦层15至少有部分直接接触基板11。平坦化层15的材质可例如包含有机或无机绝缘材料，并例如为聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)、压克力(poly-methylmethacrylate,PMMA)、或聚酰亚胺(polyimide,PI)，或其它，于此，并不加以限定。
或者，依据一些实施例，也可在第一、第二光穿透区的对应位置上，将部分层的中介层除去。亦即，不需要将光穿透区中的缓冲层12、第一栅极绝缘层131、第二栅极绝缘层132、第一层间介电层141与第二层间介电层142全部除去。请再参见图1及图3A所示，于预先定义的光穿透区A1中将至少一层中介层除去，而形成一开口OP，且选择性地在光穿透区A1中留下一第二中介层52。亦即，可留下缓冲层12、第一栅极绝缘层131、第二栅极绝缘层132、第一层间介电层141、第二层间介电层142中的至少一层或多层的组合。依据一些实施例，如图3A所示，薄膜晶体管T是包括两部分的中介层，一部分是在光穿透区A1对应位置上除去的第一中介层51，一部分是保留于第一中介层51的开口中的第二中介层52。例如，形成中介层的开口OP时，可除去第一栅极绝缘层131、第二栅极绝缘层132、第一层间介电层141、第二层间介电层142(以上合称第一中介层51)，而在开口OP中留下缓冲层12(称第二中介层52)。
第一中介层51可为薄膜晶体管中任何一层中介层，亦可为多层中介层。同样地，第二中介层52可为薄膜晶体管中任何一层中介层，亦可为多层中介层。例如，第一中介层51可为缓冲层12、第一栅极绝缘层131、第二栅极绝缘层132、第一层间介电层141、第二层间介电层142中的任何一者，或其组合。第二中介层52可为缓冲层12、第一栅极绝缘层131、第二栅极绝缘层132、第一层间介电层141、第二层间介电层142中的任何一者，或其组合。第一中介层51的厚度可小于第二中介层52的厚度，第一中介层51的层数可小于第二中介层52的层数。
如图3A及图3C所示，中介层开口OP的相对位置上，平坦层15并不直接接触基板11，而有第二中介层52位于基板11与平坦层15之间。如图3B所示，中介层开口OP的相对位置上，第一数据线D1与第二数据线D2并不接接触基板11，而是有第二中介层52位于基板11和第一数据线D1之间，并且位于基板11和与第二数据线D2之间。另外，如图3D所示，中介层开口OP的相对位置上，数据线D1的直线延伸部D12并不直接触基板11，而有第二中介层52位于基板11与直线延伸部D12之间。此外，第一数据线D1的突起部D11与基板11之间的距离DS1，大于第一数据线D1的直线延伸部D12与基板11之间的距离DS2。
依据一些实施例，以下再说明薄膜晶体管基板的构造。请再参照图2A所示，中介层设置于平坦化层15与基板11之间，并由元件设置区B1延伸至元件设置区B1与光穿透区A1的交接处(以下会再细说明)。上述中介层的材质可分别包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、或氧化铪，或其组合。其中，中介层可以是缓冲层(buffer layer)、层间介电层(interlayer dielectric,ILD)或栅极介电层(gate insulator,GI)，或其他名称的绝缘材料层，或其组合。
详而言之，第一次像素单元P1中的薄膜晶体管与第二次像素单元P2中的薄膜晶体管，可分别包含至少一中介层。例如，上述的中介层可为缓冲层12、第一栅极绝缘层131、第二栅极绝缘层132、第一层间介电层141与第二层间介电层142的其中之一，或其组合。依据一实施例中，缓冲层12、第一栅极绝缘层131、第二栅极绝缘层132、第一层间介电层141与第二层间介电层142皆设置于元件设置区B1，并由元件设置区B1延伸至元件设置区B1与光穿透区A1的交接处，或由元件设置区B1延伸至光穿透区A1的部分区域内。
这里所指的“交接处”并不一定刚好是元件设置区B1与光穿透区A1的交接面，只要是邻近于元件设置区B1与光穿透区A1的交接面的区域者均是本发明所称的“交接处”。另外，由元件设置区B1延伸至元件设置区B1与光穿透区A1的交接处，是表示让缓冲层12、第一栅极绝缘层131、第二栅极绝缘层132、第一层间介电层141与第二层间介电层142位于元件设置区B1内，而不位于光穿透区A1内；或者，在一些实施例中，也可让缓冲层12、第一栅极绝缘层131、第二栅极绝缘层132、第一层间介电层141与第二层间介电层142位于元件设置区B1内，同时延伸至光穿透区A1的部分区域内。另外，依据一实施例，可例如分别沉积缓冲层12、第一栅极绝缘层131、第二栅极绝缘层132、第一层间介电层141与第二层间介电层142后，再利用例如蚀刻制造工艺于预先定义的光穿透区A1将中介层除去，例如将缓冲层12、第一栅极绝缘层131、第二栅极绝缘层132、第一层间介电层141与第二层间介电层142蚀刻掉，直到露出基板11为止，藉此形成开口OP。
在本实施例中，缓冲层12设置于基板11上，并对应元件设置区B1设置。缓冲层12可为一层或多层结构，其材质可为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、或氧化铪，并不限制。其中，若为多层结构时，不同层的缓冲层12的材质可为相同或不相同。
薄膜晶体管T设置于缓冲层12上，且对应元件设置区B1设置。本实施例是以边缘场切换(fringe field switching,FFS)型式的薄膜晶体管为例，但本发明并不以此为限。薄膜晶体管T可为上栅极(top gate)型的薄膜晶体管，或为下栅极(bottom gate)型的薄膜晶体管。在本实施例中，薄膜晶体管T是以上栅极型的薄膜晶体管为例。其中，薄膜晶体管T具有一栅极G、一通道层CL、一漏极DE及一源极(图未显示)。栅极G可与第一扫描线S1连接。通道层CL相对栅极G位置设置于缓冲层12上，且通道层CL位于栅极G与基板11之间。在实施上，通道层CL为一半导体层(例如硅半导体、镓半导体、锗半导体或其组合，或其它)，且其材料例如但不限于包含一氧化物半导体。前述的氧化物半导体包括氧化物，且氧化物包括铟、镓、锌及锡其中之一，例如为氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)。另外，漏极DE与源极(源极与第一数据线D1连接)分别设置于通道层CL上，且漏极DE与源极分别与通道层CL接触，于薄膜晶体管T的通道层CL未导通时，两者是电性分离。漏极DE与源极的材质可为金属(例如铝、铜、银、钼、或钛)或其合金所构成的单层或多层结构。此外，部分用以传输驱动信号的导线，可以使用与漏极DE与源极同层且同一制造工艺的结构，例如数据线。
栅极G与通道层CL对应设置，并位于通道层CL之上。栅极G的材质为金属(例如为铝、铜、银、钼、或钛)或其合金所构成的单层或多层结构。部分用以传输驱动信号的导线，可以使用与栅极G同层且同一制造工艺的结构，彼此电性相连，例如扫描线。另外，第一栅极绝缘层131与第二栅极绝缘层132依序设置于缓冲层12上。其中，第一栅极绝缘层131完全覆盖通道层CL，且第二栅极绝缘层132设置于第一栅极绝缘层131上，而栅极G设置于第二栅极绝缘层132上。在其他的实施例中，若薄膜晶体管T为下栅极型的薄膜晶体管时，则栅极G位于通道层CL与基板11之间，且栅极G与通道层CL之间可夹置至少一栅极绝缘层。
第一层间介电层141与第二层间介电层142依序设置于第二栅极绝缘层132上。其中，第一层间介电层141完全覆盖栅极G及第二栅极绝缘层132，且第二层间介电层142覆盖于第一层间介电层141上。
依据一些实施例，第一次像素单元P1与第二次像素单元P2还分别包含一共同电极层17、一钝化层18及一像素电极层19，共同电极层17设置于平坦化层15上，钝化层18设置并覆盖于共同电极层17上，且像素电极层19设置于钝化层18上，并覆盖部分钝化层18。于此，共同电极层17、钝化层18及像素电极层19是依序形成于平坦化层15上，并对应于元件设置区B1及光穿透区A1设置。另外，像素电极层19是透过一通孔16与漏极DE接触而电连接。其中，是将漏极DE设置于第一栅极绝缘层131、第一层间介电层141与第二层间介电层142所成的另一通孔而接触通道层CL，且于平坦化层15及钝化层18上形成此通孔16而露出漏极DE后，将像素电极层19设置于通孔16内而与漏极DE接触而电连接。
共同电极层17或像素电极层19的材质可例如为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)、镉锡氧化物(CTO)、氧化锡(SnO2)、或氧化锌(ZnO)等透明导电材料，并不限定。另外，钝化层18的材料可为无机材质，例如可为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、氧化铪、或上述材质的多层结构。
此外，于图2D中，依序形成缓冲层12、第一栅极绝缘层131、第二栅极绝缘层132、第一层间介电层141与第二层间介电层142等绝缘膜层于基板11上时，缓冲层12、第一栅极绝缘层131、第二栅极绝缘层132、第一层间介电层141与第二层间介电层142的两相对侧边的转折处分别具有斜度(非直角，可称倒角)，藉此可减少第一数据线D1或第二数据线D2形成于第二层间介电层142与基板11上时，转折处发生断线的风险。此外，平坦化层15是全面性的覆盖于第二层间介电层142、基板11、该些数据线与该些扫描线上，以达到平坦化的作用。
承上，于薄膜晶体管基板1中，于光穿透区的对应位置上，中介层有部分被除去。藉此，使得第一次像素单元P1的光穿透区与第二次像素单元P2的光穿透区具有较少的中介层，故背光源所提供的光线通过薄膜晶体管基板1的这些光穿透区时，光线被吸收或反射的比率较少，因此，可使薄膜晶体管基板1具有较高的穿透率。
另外，请参照图4所示，其为本发明另一实施态样的薄膜晶体管基板1a的示意图。
与薄膜晶体管基板1主要的不同在于，图4显示的薄膜晶体管基板1a的扫描线共有3条(第一扫描线S1～第三扫描线S3)，数据线共有8条(第一数据线D1～第八数据线D8)。其中，第一扫描线S1～第三扫描线S3与第一数据线D1～第八数据线D8交错而定义出上、下两排共14个次像素单元。本实施例的这些数据线(D1～D8)中，与该些扫描线(S1～S3)的交错处分别具有一转折。换言之，第一数据线D1～第八数据线D8并不是为直线，而是分别为折线。
另外，于薄膜晶体管基板1a的14个次像素单元中，每一个次像素单元与上述第一次像素单元P1(或第二次像素单元P2)具有相同的技术特征，不再赘述。此外，在本实施例中，定义出该些14个次像素单元的第一数据线D1至第八数据线D8分别至少部分直接接触基板(或者与基板之间有第二中介层)，且于每一个次像素单元的光穿透区中，平坦化层亦至少有部分直接接触基板(或者与基板之间有第二中介层)。藉此，使得该些14个次像素单元的光穿透区具有数量较少或厚度较小的中介层(于此，中介层的开口OP的区域沿第一方向X横跨于7个次像素单元)，故背光源所提供的光线通过薄膜晶体管基板1a的该些光穿透区时，光线被吸收或反射的比率较少，因此，薄膜晶体管基板1a亦具有较高的穿透率。
上述中介层的开口OP所横跨的次像素单元数量仅为举例，并非用以限制本发明。亦即，依据一些实施例，中介层的开口OP所横跨的次像素单元数量并不限于上述实施例中的2个或7个次像素单元，而可依实际需要而使中介层的开口OP横跨不同数量的次像素单元。
接着，请参照图5A及图5B所示，其中，图5A为本发明另一实施态样的薄膜晶体管基板1b的示意图，而图5B为图5A的薄膜晶体管基板1b中，沿直线E-E的剖视示意图。其中，图5A显示基板11，并未显示其他元件或膜层，而图5B显示平坦化层15及基板11，以及位于平坦化层15与基板11之间的中介膜层。
与前述薄膜晶体管基板1类似，薄膜晶体管基板1b包括多条扫描线与多条数据线，且该些扫描线与该些数据线定义出阵列排列的多个次像素单元(未显示)。薄膜晶体管基板1b的每个次像素单元与上述第一次像素单元P1(或第二次像素单元P2)具有相同的技术特征。
另外，本实施例的基板11具有一像素单元区(又可称为显示区)111及一周边线路区112，周边线路区112位于像素单元区111的外围，而该些次像素单元是位于像素单元区111，且周边元件(例如驱动扫描线的电子元件或走线)则设置于周边线路区112。本实施例的中介层的开口OP的区域沿第一方向X横跨于整个像素单元区111及部分的周边线路区112的区域。亦即，此实施例的薄膜晶体管基板1b与前述不同之处为，中介层开口OP的边缘并不是位于像素单元区111的次像素单元内，而是位于周边线路区112内。另外，平坦化层15设置于像素单元区111，并由像素单元区111延伸至周边线路区112而覆盖基板11上，以全面性的覆盖在基板11上而产生平坦化的作用。由于中介层开口OP的边缘是位于周边线路区112内，与前述实施例类似地，于中介层开口OP的对应位置处，数据线至少有部分直接接触基板，平坦层至少有部分直接接触基板。如图5B所示，位于周边线路区112的平坦化层15至少部分直接接触基板11。又或者，如前述类似地，于中介层开口OP的对应位置处，数据线至少有部分与基板11之间有第二中介层的存在，平坦化层至少有部分与基板11之间有第二中介层的存在。
如图5B所示，于周边线路区112中，部分的平坦化层15直接接触基板11，并覆盖在例如但不限于缓冲层12、第一栅极绝缘层131、第二栅极绝缘层132、第一层间介电层141与第二层间介电层142上而形成一斜面R。藉此，本实施例可减少通过整个薄膜晶体管基板1b的该些次像素单元的光线被吸收、漫射或反射的光量而可提升其透光率。
另外，请参照图6所示，其为本发明较佳实施例的一种显示面板2的示意图。
本实施例的显示面板2可为一主动矩阵式(active matrix)显示面板，并为液晶显示面板，例如但不限于为平面切换(in-plane switch，IPS)式液晶显示面板、边缘电场切换(fringe field switching，FFS)式液晶显示面板、垂直配向型式(verticalalignment mode,VA mode)液晶显示面板或3D液晶显示面板，并不限定。
显示面板2包括一薄膜晶体管基板3、一对向基板4以及一夹设于两基板间的显示介质层5。薄膜晶体管基板3与对向基板4相对设置，而显示介质层5则夹置于薄膜晶体管基板3与对向基板4之间。薄膜晶体管基板3、对向基板4与显示介质层5可形成多个阵列设置的次像素单元。其中，次像素单元对应于上述的次像素单元，且薄膜晶体管基板3可为上述的薄膜晶体管基板1、1a、1b的其中之一，或其变化态样，技术内容可参照上述，不再多作说明。
另外，对向基板3为可透光的材质，例如是玻璃、石英或类似物。在一些实施例中，对向基板3可为彩色滤光基板，且显示介质层5可为液晶层。不过，在其他实施例中，显示面板2可为有机发光二极管显示面板，而显示介质层可为有机发光二极管层，且对向基板可为一保护基板，本发明并不限定。
综上所述，于本发明的薄膜晶体管基板与显示面板中，在光穿透区的对应位置上，有部分中介层被除去，使得数据线至少有部分直接接触基板，且平坦化层至少有部分直接接触基板。或者，数据线至少有部分与基板之间有第二中介层，且平坦化层至少有部分与基板之间有第二中介层。藉此，使得该些次像素单元的光穿透区具有数量较少、厚度较薄的中介层，故背光源所提供的光线通过薄膜晶体管基板的该些光穿透区时，光线被吸收或反射的比率较少，因此，可使薄膜晶体管基板与显示面板具有较高的穿透率。
以上所述仅为举例性，而非为限制性者。任何未脱离本发明的精神与范畴，而对其进行的等效修改或变更，均应包含于所附的权利要求中。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括一薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：
一基板；
多条扫描线与多条数据线，所述扫描线分别沿一第一方向延伸而设置于该基板上，并与所述数据线交错以定义出多个次像素单元，所述次像素单元包括沿该第一方向相邻设置的一第一次像素单元与一第二次像素单元，该第一次像素单元具有一第一光穿透区与一第一元件设置区，该第二次像素单元具有一第二光穿透区与一第二元件设置区；以及
一第一中介层，设置于该基板上，该第一中介层具有一开口，该开口与该第一光穿透区至少部分重叠，并且该开口与该第二光穿透区至少部分重叠。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述扫描线包括一第一扫描线，所述数据线包括一第一数据线，该第一扫描线与该第一数据线交错而形成一交错区，该第一数据线具有与该交错区对应的一突起部，且该第一数据线的该突起部与该基板之间具有该第一中介层。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，该第一数据线还具有与该突起部连接的一直线延伸部，且该突起部与该基板之间的距离，大于该直线延伸部与该基板之间的距离。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，该第一数据线的该直线延伸部直接接触该基板。
5.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，该薄膜晶体管基板还包括：
一第二中介层，设置于该第一数据线的该直线延伸部与该基板之间。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该薄膜晶体管基板还包括：
一平坦化层，连续性地设置于该第一次像素单元的该第一光穿透区与该第一元件设置区，以及该第二次像素单元的该第二光穿透区与该第二元件设置区，且该第一中介层设置于该平坦化层与该基板之间。
7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，在该第一光穿透区与该第二光穿透区中，该平坦化层至少有部分直接接触该基板。
8.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，该薄膜晶体管基板还包括：
一薄膜晶体管，设置于该基板上，并对应该第一元件设置区或该第二元件设置区设置，该平坦化层覆盖于该薄膜晶体管上，且该薄膜晶体管包含该第一中介层。
9.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，该基板具有一显示区及一周边线路区，该周边线路区位于该显示区的外围，该第一次像素单元与该第二次像素单元位于该显示区，该平坦化层由该显示区延伸至该周边线路区，且位于该周边线路区的该平坦化层至少部分直接接触该基板。
10.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
在该基板上形成一第一金属层，以构成沿一第一方向延伸的多条扫描线及分别位于一第一像素单元与一第二像素单元中的薄膜晶体管的一栅极，其中该第一像素单元和该第二像素单元彼此沿该第一方向相邻设置，该第一次像素单元具有一第一光穿透区与一第一元件设置区，该第二次像素单元具有一第二光穿透区与一第二元件设置区；
在该基板上形成所述薄膜晶体管的一通道层；
在该基板上形成所述薄膜晶体管的一中介层；
在该中介层中形成一开口，使得该开口与该第一光穿透区至少部分重叠，并且该开口与该第二光穿透区至少部分重叠；以及
在形成该开口之后，在该基板上形成一第二金属层，以构成多条数据线及所述薄膜晶体管的一源极与一漏极，其中部分该第二金属层位于该中介层的上方，且部分该第二金属层位于该中介层的开口内。
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