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CN107275335A - 显示设备 - Google Patents

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CN107275335A
CN107275335A CN201710020319.4A CN201710020319A CN107275335A CN 107275335 A CN107275335 A CN 107275335A CN 201710020319 A CN201710020319 A CN 201710020319A CN 107275335 A CN107275335 A CN 107275335A
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layer
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Abstract

一种显示设备，包括：第一导电层；第一绝缘层，包括第一开口，该第一开口暴露第一导电层的第一上表面并且覆盖第一导电层的上边缘的至少一部分，其中，第一导电层的第一上表面包括第一导电层的上表面的中心部分；第二导电层，在第一导电层的第一上表面的一部分上并且在第一绝缘层上；以及第二绝缘层，包括第二开口，该第二开口暴露第二导电层的第二上表面并且覆盖第二导电层的上边缘的一部分，其中，第二导电层的第二上表面包括第二导电层的上表面的中心部分并且第二开口的面积小于第一开口的面积。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
于2016年4月7日在韩国知识产权局提交的题为“显示设备”的韩国专利申请第10-2016-0042801号，通过引用全部结合在本文中。
技术领域
实施方式涉及一种显示设备。
背景技术
通常，显示设备可以包括显示区域上的多个显示器件。此外，用于传输施加至显示区域的电信号的配线可以设置在显示区域的外围上。
发明内容
实施方式可以通过提供一种显示设备来实现，该显示设备包括：基板，包括显示区域和外围区域，外围区域在显示区域外部；第一导电层，在外围区域中；第一绝缘层，包括第一开口，该第一开口暴露第一导电层的第一上表面并且覆盖第一导电层的上边缘的至少一部分，其中，第一导电层的第一上表面至少包括第一导电层的上表面的中心部分；第二导电层，在第一导电层的第一上表面的至少一部分上并且在第一绝缘层上；以及第二绝缘层，包括第二开口，该第二开口暴露第二导电层的第二上表面并且覆盖第二导电层的上边缘的至少一部分，其中，第二导电层的第二上表面至少包括第二导电层的上表面的中心部分并且第二开口的面积小于第一开口的面积。
第二导电层的上表面可以包括在其中心部分处的平坦部分，并且第二绝缘层可以覆盖除平坦部分的至少一部分之外的第二导电层的上表面。
第二导电层的上表面在其一部分中可具有弯曲表面，并且第二绝缘层可以覆盖第二导电层的上表面中的弯曲表面。
显示设备可以进一步包括：薄膜晶体管，在显示区域中，该薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极，并且其中，第一导电层包括与栅电极的材料相同的材料，并且第二导电层包括与源电极和漏电极的材料相同的材料。
第一绝缘层可以包括与源电极和漏电极与栅电极之间的层间绝缘层的材料相同的材料，并且第二绝缘层可以包括与覆盖源电极和漏电极的保护层的材料相同的材料。
第一绝缘层可以与层间绝缘层是一体的，并且第二绝缘层可以与保护层是一体的。
显示设备可以进一步包括在第二导电层的第二上表面和第二绝缘层上的第三导电层。
显示设备可以进一步包括：薄膜晶体管，在显示区域中，该薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极；以及像素电极，电连接至源电极和漏电极中的一个，其中，第一导电层包括与栅电极的材料相同的材料，第二导电层包括与源电极和漏电极的材料相同的材料，并且第三导电层包括与像素电极的材料相同的材料。
第一绝缘层可以包括与源电极和漏电极与栅电极之间的层间绝缘层的材料相同的材料，并且第二绝缘层可以包括与覆盖源电极和漏电极的保护层的材料相同的材料。
第一绝缘层可以与层间绝缘层是一体的，并且第二绝缘层可以与保护层是一体的。
显示设备可以进一步包括：对向电极，遍及整个显示区域整体设置并且延伸至外围区域的一部分，其中，对向电极电接触第三导电层。
显示设备可以进一步包括：对向电极，遍及整个显示区域整体设置并且延伸至外围区域的一部分，其中，对向电极电连接至第二导电层。
第一导电层可具有岛状形状。
实施方式可以通过提供一种显示设备来实现，该显示设备包括：基板，包括显示区域和外围区域，显示区域包括像素并且外围区域在显示区域外部；以及电极电源线，电连接至显示区域的像素，其中，电极电源线包括：连接导电层，以及通过连接导电层连接的主导电层，其中，连接导电层具有连接至主导电层的连接侧和与连接侧相对并且面对基板的面对基板侧，其中，第一绝缘层覆盖连接导电层的连接侧的外边缘并且包括在连接导电层的连接侧的中心部分上打开的第一开口，其中，主导电层在连接导电层的连接侧的中心部分处接触连接导电层的连接侧，并且其中，第二绝缘层覆盖主导电层的面向外的表面的外边缘并且包括在主导电层的面向外的表面的中心部分上打开的第二开口，并且其中，第二开口的面积小于第一开口的面积。
主导电层的面向外的表面的中心部分可以包括平坦部分，并且第二绝缘层可以覆盖主导电层的面向外的表面的围绕平坦部分的部分。
主导电层的面向外的表面在其一部分中可具有弯曲表面，并且第二绝缘层可以覆盖主导电层的面向外的表面的弯曲表面。
连接导电层可具有岛状形状。
显示设备可以进一步包括在主导电层的面向外的表面和第二绝缘层上的第三导电层。
附图说明
通过参考附图详细描述示例性实施方式，特征对于本领域技术人员而言将变得显而易见，其中：
图1示出根据实施方式的显示设备的一部分的示意性平面图；
图2示出根据实施方式的显示设备的一部分的示意性平面图；
图3示出图1的显示设备中的部分A的局部放大图；
图4示出图1的显示设备中的导电层的示意性截面图；
图5示出沿图3的线V-V截取的显示设备的示意性截面图；
图6示出沿图3的线VI-VI截取的显示设备的示意性截面图；
图7示出根据实施方式的显示设备的一部分的示意性平面图；
图8示出沿图1的线VIII-VIII截取的显示设备的示意性截面图；以及
图9示出沿图1的线IX-IX截取的显示设备的示意性截面图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更全面地描述示例性实施方式；然而，它们可以以不同的形式体现并且不应当被解释为限于本文中阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式是为了使得本公开内容更为透彻和完整，并且将示例性实施方式充分传达给本领域技术人员。
在附图中，为了清楚地说明，可以放大层和区域的尺寸。还应当理解的是，在层或元件被称为在另一层或元件上时，该层或元件可以直接在另一层或元件上，或者也可以存在中间元件。此外，将理解的是，在元件被称为在另一元件下时，其可直接在另一元件下，或者也可存在一个或多个中间元件。此外，将理解的是，当一个元件被称为在两个元件之间时，其可以是两个元件之间的唯一元件，或者也可存在一个或者多个中间元件。相同的参考标号始终表示相同的元件。
如在本文中所使用的，术语“和/或”和“或”包括相关列举项的一个或多个的任意和所有组合。当诸如“至少一个”的表述在元件的列表之前时，其修饰整个的元件列表而不修饰列表的单个元件。
在以下实例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同的方向。
图1示出根据实施方式的显示设备的一部分的示意性平面图。如图1所示，显示设备可以包括，例如，基板100，该基板包括显示区域DA和外围区域PA(在显示区域DA的外部上或者在显示区域DA的外部处)。诸如有机发光器件的显示器件可以布置在基板100的显示区域DA上，并且电连接至显示器件的薄膜晶体管也可以布置在显示区域DA上方。下面将描述显示区域DA的配置。
基板100可以包括具有柔性或可弯曲特性的各种材料，例如，聚合树脂，诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或醋酸丙酸纤维素(CAP)。
配线可以在基板100的显示区域DA的外部布置在外围区域PA上。配线例如可以是电极电源线(EPSL)。在图1中，电极电源线EPSL大致围绕显示区域DA，例如，可具有U形状或倒置的U形状。因此，来自外部的电信号可以经由基板100的边缘(在+x方向上)处的两个焊盘提供。在此，焊盘可以表示电极电源线EPSL的末端，或者电极电源线EPSL的末端和电连接至末端的部分。
在实施方式中，电极电源线EPSL的数量和电极电源线EPSL的形状可以被不同地修改。例如，如图2所示(图2是根据实施方式的显示设备的一部分的示意性平面图)，电极电源线EPSL可以包括彼此平行的多个配线EPSL1和EPSL2，并且多个配线EPSL1和EPSL2可以电连接至彼此。在实施方式中，电极电源线EPSL可以包括彼此平行的多个配线EPSL1和EPSL2，以及用于电连接多个配线EPSL1和EPSL2的分支配线BW。多个配线EPSL1和EPSL2中的每个可具有与在图1中示出的电极电源线EPSL的形状相似的形状。
如上所述的电极电源线EPSL可以位于，例如，显示区域DA以内，并且可以电连接至作为延伸至显示区域DA的外部的共用电极的对向电极，以将电信号施加至对向电极。
图3示出图1的显示设备中的部分A的局部放大图，并且示出电极电源线EPSL的连接结构。如在图1中示出的，电极电源线EPSL可具有成整体的形状，没有断开。如图3所示，电极电源线EPSL可以在一个部分处断开。在图3中，在+x方向上延伸的电极电源线EPSL可以断开。在实施方式中，第一导电层213a(例如，连接导电层)可以设置在电极电源线EPSL下面或者邻近于电极电源线EPSL并且第一导电层213a电连接至电极电源线EPSL，并且即使电极电源线EPSL断开，电信号仍可以经由电极电源线EPSL传输。
电极电源线EPSL可以包括如以下将描述的第二导电层215c(例如，主导电层)，并且第二导电层215c可具有如图4所示的多层结构。例如，如图4所示，第二导电层215c可以包括下层215c1、中间层215c2和上层215c3。下层215c1，例如，导电层，可以通过使用一种材料形成，中间层215c2，例如，导电层，可以通过使用一种材料形成，并且上层215c3，例如，导电层，可以通过使用一种材料形成。然后，三个导电层可以被同时图案化以获得第二导电层215c。
如果三个导电层的蚀刻速率在制造如上所述的第二导电层215c的过程中彼此不相同，则第二导电层215c的侧表面可能不是一致的。例如，下层215c1和上层215c3可以包括钛，并且中间层215c2可以包括铝。在这种情况下，铝的湿蚀刻速率可以大于钛的湿蚀刻速率，因此中间层215c2的侧表面在完成图案化处理之后会是凹入的，如图4所示。因此，第二导电层215c可具有具有凹入的中心部分的侧表面，并且如以下将描述的，在形成覆盖第二导电层215c的封装层400时裂纹会出现在围绕第二导电层215c的侧表面的封装层400中。
如以上参照图1描述的，电极电源线EPSL可具有U形状或倒置的U形状，并且来自外部的电信号可以经由在基板的边缘(在+x方向上)处的两个焊盘来施加。这里，焊盘可以表示电极电源线EPSL的端部，或者包括端部和电连接至端部的部分的部分。
如果电极电源线EPSL被连续地连接至焊盘而没有断开，那么焊盘也可以具有与电极电源线EPSL的结构相同的结构。因此，裂纹会出现在焊盘中或围绕焊盘的封装层400中。因此，诸如外部湿气或氧气的杂质会经由裂纹渗透到显示面板中并且造成邻近于裂纹的显示区域DA的显示器件中的缺陷。
裂纹还会出现在邻近于电极电源线EPSL的其他部分的封装层400中并且会影响附近的显示器件。然而，电极电源线EPSL中的焊盘或者邻近于焊盘的部分可以在基板100的边缘处(在+x方向上)，如图1所示，并且因此，如果裂纹出现在围绕焊盘或邻近的部分的封装层400中，则诸如外部湿气或氧气的杂质会更容易渗透至显示面板中并且直接并大大地影响显示区域DA的相应的部分。通过围绕焊盘或邻近的部分而出现的裂纹渗透进去的杂质可以沿着电极电源线EPSL渗透至显示面板中。
在根据实施方式的显示设备中，电极电源线EPSL(包括第二导电层215c)可以断开，如图3所示。因此，裂纹不会在电极电源线EPSL断开的部分处出现在封装层400中。那么，即使杂质通过围绕焊盘或邻近的部分的封装层400中的裂纹渗透，杂质也不可能在电极电源线EPSL的断开部分处沿着电极电源线EPSL进一步渗透。另外，在电极电源线EPSL的断开部分处封装层400中不会有裂纹，并且杂质不会渗透至显示区域DA中。因而，在制造显示设备和利用显示设备的过程中可以有效防止会另外出现在显示设备中的缺陷。
在下文中，第一导电层213a和电极电源线EPSL的结构将在以下更详细地描述。
图5示出沿图3的线V-V截取的显示设备的示意性截面图。图6示出沿图3的线VI-VI截取的显示设备的示意性截面图。
如图5和图6所示，第一导电层213a可以位于基板100上。例如，第一导电层213a可以布置在基板100上的缓冲层110和栅极绝缘层120上，例如，使得缓冲层110和栅极绝缘层120在第一导电层213a和基板100之间。例如，第一导电层213a可以具有单层结构或多层结构。在后者的情况下，第一导电层213a可以包括，例如，包含钼的层和包含钨的层。在实施方式中，第一导电层213a可具有三层或更多层。
在如图3所示的平面图中(例如，在xy平面上)，第一导电层213a可以形成为岛状。如以上参照图2所述，当电极电源线EPSL包括多个配线EPSL1和EPSL2时，多个配线EPSL1和EPSL2中的每个可以断开，如图7所示(图7示出根据实施方式的显示设备的一部分的示意性平面图)。在实施方式中，第一导电层213a可以位于多个配线EPSL1和EPSL2下面以电连接至多个配线EPSL1和EPSL2，并且因此，即使多个配线EPSL1和EPSL2断开，电信号仍可以经由多个配线EPSL1和EPSL2传输。在实施方式中，一个第一导电层213a可以接触所有的多个配线EPSL1和EPSL2。在这种情况下，在像图7的平面图上(xy平面上)第一导电层213a可以形成为岛状。
第一导电层213a可以由层间绝缘层130，例如，第一绝缘层部分地覆盖。例如，层间绝缘层130可以部分地覆盖第一导电层213a并且可具有第一开口OP1。第一开口OP1可以暴露或覆盖第一上表面213a’(例如，连接侧)，该第一上表面至少包括第一导电层213a(在+z方向上)的上表面的中心部分。因此，层间绝缘层130可以部分地覆盖第一导电层213a的上表面的边缘。在实施方式中，第一上表面213a’(其是第一导电层213a的上表面的一部分)可以被理解为第一导电层213a的上表面中没有被层间绝缘层130覆盖的一部分。
(电极电源线EPSL的)第二导电层215c可以至少部分地位于第一导电层213a的第一上表面213a’和层间绝缘层130(例如，第一绝缘层)上。在实施方式中，第二导电层215c的一部分可以由保护层141，例如，第二绝缘层覆盖。例如，保护层141可以部分地覆盖第二导电层215c并且可以包括第二开口OP2，该第二开口暴露第二上表面215c’(例如，面向外的表面，并且至少包括第二导电层215c(在+z方向上)的上表面的中心部分)。因此，保护层141可以覆盖第二导电层215c的上边缘的至少一部分。在实施方式中，第二上表面215c’(其为第二导电层215c的上表面的一部分)可以被理解为第二导电层215c的上表面的没有被保护层141覆盖的部分。例如，保护层141的第二开口OP2的面积可以小于层间绝缘层130的第一开口OP1的面积。
保护层141可以包括第二开口OP2以便将第三导电层310a(其可以进一步包括在电极电源线EPSL中)电连接至第二导电层215c，如以下将描述的。在保护层141中形成第二开口OP2可以通过各种合适的方法，例如，干蚀刻方法来进行。
如上所述，第二导电层215c可以位于第一导电层213a中的第一上表面213a’的至少一部分和层间绝缘层130(例如，第一绝缘层)上，并且第二导电层215c可以覆盖第一开口OP1的内侧表面130a。在实施方式中，由于围绕层间绝缘层130的内侧表面130a的阶梯，围绕第一开口OP1的内侧表面130a的第二导电层215c的厚度可以小于任何其他部分的第二导电层215c的厚度。
当第二开口OP2通过干蚀刻方法形成时，形成第二开口OP2处的保护层141的下层会被部分地损坏。如果第二开口OP2具有的面积比第一开口OP1的面积更大并且通过干蚀刻方法形成，则围绕层间绝缘层130中的第一开口OP1的内侧表面130a的第二导电层215c会受到干蚀刻的影响。在对应于内侧表面130a的部分处的第二导电层215c的厚度可以小于第二导电层215c的其他部分的厚度，并且当第二开口OP2形成在保护层141中时，第二导电层215c可以断开。
然而，根据实施方式的显示设备，保护层141的第二开口OP2可具有比层间绝缘层130中的第一开口OP1的面积小的面积。因此，即使第二导电层215c(其在其中待形成第二开口OP2的保护层141的下面)在第二开口OP2通过干蚀刻方法形成时被部分地损坏，围绕层间绝缘层130的第一开口OP1的内侧表面130a的第二导电层215c的部分不会被损坏或可能被很少地损坏。这是因为围绕内侧表面130a的第二导电层215c的部分上方或上的保护层141不会被去除，如图6所示。因此，根据实施方式的显示设备，可以减少和/或有效防止诸如第二导电层215c中的断开的缺陷。
如上所述，由于围绕层间绝缘层130的内侧表面130a的阶梯，围绕层间绝缘层130中的第一开口OP1的内侧表面130a的第二导电层215c的厚度可以小于第二导电层215c中的其他部分的厚度。如上所述，厚度小的第二导电层215c的一部分可以是具有布置在其下的阶梯的一部分。在这种情况下，对应于阶梯的第二导电层215c的上表面也可以具有对应于阶梯的形状的弯曲表面。因此，为了帮助减少和/或防止缺陷(诸如第二导电层215c中的断开)，第二导电层215c的上表面中的弯曲表面可以不由保护层141的第二开口OP2暴露。例如，保护层141可以完全覆盖第二导电层215c的(+z方向上的)上表面中的弯曲表面。
如上所述，第二导电层215c中的厚度小的部分可在其下具有阶梯。在这种情况下，对应于阶梯的第二导电层215c的上表面也可以具有对应于阶梯的形状的弯曲表面。例如，如果第二导电层215c中的上表面的中心部分具有平坦表面，则在平坦表面处的第二导电层215c的厚度可以被理解为是恒定的。
第二导电层215c的具有恒定厚度的部分可具有预先设定的充足的厚度，与围绕层间绝缘层130中的第一开口OP1的内侧表面130a的第二导电层215c的部分不同。因此，当第二导电层215c中的上表面的中心部分具有平坦表面时，即使平坦表面由于在保护层141上进行的干蚀刻处理而被部分地损坏，第二导电层215c也不会断开。因此，当其中形成第二开口OP2的保护层141覆盖第二导电层215c(除第二导电层215c的上表面中的平坦表面的至少一部分之外)时，可以在充分暴露第二导电层215c的同时有效防止第二导电层215c的断开。
在实施方式中，如图5和图6所示，根据实施方式的显示设备可以进一步包括第三导电层310a。连同第二导电层215c一起，第三导电层310a可以是电极电源线EPSL的元件。第三导电层310a可以位于第二导电层215c的上表面中的没有被保护层141覆盖的第二上表面215c’上，并且可以在保护层141(例如，第二绝缘层)上或上方。第三导电层310a可以位于第二导电层215c的上表面中没有被保护层141覆盖的第二上表面215c’上，并且第三导电层310a可以电连接至第二导电层215c。第三导电层310a在显示设备的制造处理过程中可以帮助减少第二导电层215c的上表面暴露至外部，以便帮助防止第二导电层215c的氧化。第三导电层310a可以包括导电氧化物材料，例如，氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。
在实施方式中，如上所述，保护层141的第二开口OP2可具有比层间绝缘层130的第一开口OP1的面积小的面积。因此，第二导电层215c的上表面的平坦部分可以通过保护层141的第二开口OP2暴露。因此，第二导电层215c和第三导电层310彼此接触的界面可以是大致平行于基板100的上表面的平坦表面。因此，可以确保第二导电层215c和第三导电层310a之间的接触。
图8示出沿图1的线VIII-VIII截取的显示设备的示意性截面图，并且示出作为显示区域DA中的显示器件的有机发光器件300、薄膜晶体管210和电极电源线EPSL。有机发光器件300可以电连接至薄膜晶体管210，例如，有机发光器件300的像素电极310可以电连接至薄膜晶体管210的源电极215a和漏电极215b中的一个。在实施方式中，薄膜晶体管还可以布置在显示区域DA的外部上的外围区域PA中。位于外围区域PA中的薄膜晶体管可以是用于控制施加至显示区域DA中的电信号的电路单元的一部分。
薄膜晶体管210可以包括包含非晶硅、多晶硅或有机半导体材料的半导体层211、栅电极213、源电极215a和漏电极215b。包含诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的栅极绝缘层120可以布置在半导体层211和栅电极213之间，以帮助确保半导体层211和栅电极213之间的绝缘性能。
此外，包含诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的层间绝缘层130可以布置在栅电极213上，并且源电极215a和漏电极215b可以布置在层间绝缘层130上。如上所述，包含无机材料的绝缘层可以通过化学气相淀积(CVD)或原子层沉积(ALD)方法形成。在实施方式中，层间绝缘层130可以与覆盖第一导电层213a的边缘的至少一部分的层间绝缘层130(例如，第一绝缘层)相同。例如，层间绝缘层130(即，第一绝缘层)可以包括与布置在源电极215a和漏电极215b与栅电极213之间的层间绝缘层130的材料相同的材料。
如上所述，缓冲层110可以布置在具有以上结构的薄膜晶体管210和基板110之间。缓冲层110可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。缓冲层110可以帮助改善基板100的上表面的平滑性，和/或可以帮助防止或减少杂质从基板100渗入至薄膜晶体管210的半导体层211中。
在实施方式中，保护层141和平坦化层142可以布置在薄膜晶体管210上方。保护层141在显示设备的制造处理过程中可以帮助保护薄膜晶体管210免受杂质的影响，并且可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机材料，或者有机绝缘材料。
保护层141可以与覆盖第二导电层215c的边缘的至少一部分的保护层141(例如，第二绝缘层)相同。例如，保护层141(即，第二绝缘层)可以包括与覆盖薄膜晶体管210的保护层141的材料相同的材料。例如，在显示设备的制造处理过程中，保护层141(即，第二绝缘层)可以通过使用相同的材料与覆盖薄膜晶体管210的保护层141同时形成。
平坦化层142可以帮助使覆盖薄膜晶体管210的保护层141的上部平坦化。平坦化层142可以包括有机材料，例如，丙烯酸、苯并环丁烯(BCB)和六甲基二硅氧烷(HMDSO)。在实施方式中，如在图8中示出的，平坦化层142具有单层结构。在实施方式中，平坦化层142可具有多层结构。此外，如图8所示，平坦化层142在显示区域DA的外部处可具有开口，从而使得显示区域DA中的平坦化层142的一部分和基板100的外部上的平坦化层142的一部分可以在物理上彼此独立。那么，来自外部的杂质就不会经由平坦化层142到达显示区域DA。
在显示区域DA中，包括像素电极310、对向电极330和包含发射层并布置在像素电极310和对向电极330之间的中间层320的有机发光器件300可以位于平坦化层142上。像素电极310可以通过经由平坦化层142中形成的开口接触源电极215a和漏电极215b中的一个电连接至薄膜晶体管210，如图8所示。
像素限定层150可以在平坦化层142上。像素限定层150可以包括分别与子像素相对应的开口(例如，暴露像素电极310的中心部分的至少一个开口)以限定像素。另外，在图8中示出的实例中，像素限定层150可以增加像素电极310的边缘和像素电极310上方的对向电极330之间的距离以帮助防止在像素电极310的边缘处产生电弧(arc)。像素限定层150可以包括例如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料。
有机发光器件300的中间层320可以包括低分子量有机材料或聚合物有机材料。在中间层320包括低分子量有机材料时，中间层320可以包括单层或多层结构的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。有机材料的实例可以包括铜酞菁(CuPc)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。低分子量有机材料可以通过真空沉积方法沉积。
当中间层320包括聚合物材料时，中间层320可以包括空穴传输层(HTL)和发射层(EML)。在实施方式中，HTL可以包括PEDOT，并且EML可以包括聚苯乙烯(PPV)基或聚芴基聚合物材料。以上中间层320可以通过丝网印刷方法、墨喷式印刷方法或激光诱导热成像(LITI)方法形成。
在实施方式中，中间层320可以包括遍及多个像素电极310整体形成的层，或者被图案化成与多个像素电极310中的每个相对应的层。
对向电极330可以布置在显示区域DA上方或上，并且如图8所示，可以覆盖显示区域DA。例如，对向电极330可以相对于多个有机发光器件整体形成，以便与多个像素电极310相对应。对向电极330可以延伸至显示区域DA的外部上的外围区域PA的至少一部分以电连接至电极电源线EPSL，如以下将描述的。
有机发光器件会容易由外部湿气或氧气损坏。因此，封装层400可以覆盖有机发光器件以保护有机发光器件。封装层400可以覆盖显示区域DA，并且可以延伸至显示区域DA外部。在实施方式中，封装层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430，如图8所示。
第一无机封装层410可以覆盖对向电极330，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。在实施方式中，诸如覆盖层(capping layer)的其他层可以布置在第一无机封装层410和对向电极330之间。第一无机封装层410可以与布置在其下的结构一起形成，并且可具有不平坦的上表面，如图8所示。有机封装层420可以覆盖第一无机封装层410，并且与第一无机封装层410不同可具有平坦的上表面。例如，有机封装层420可具有与显示区域DA相对应的平坦的上表面。有机封装层420可以包括聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚氧化甲烯、聚芳酯或六甲基二硅氧烷中的一个或多个。第二无机封装层430可以覆盖有机封装层420，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第二无机封装层430可以在显示区域DA的外部处通过其边缘接触第一无机封装层410，以便不使有机封装层420暴露至外部。
如上所述，封装层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430，并且即使在以上的多层结构的封装层400中存在裂纹，裂纹也可以在第一无机封装层410和有机封装层420之间或者在有机封装层420和第二无机封装层430之间断开。因而，可以防止或减少外部湿气或氧气可以渗透至显示区域DA中的路径的形成。
如果期望，可以进一步执行形成用于实施触摸屏功能的各种图案的触摸电极或者形成用于保护封装层400上的触摸电极的触摸保护层的处理。触摸电极或触摸保护层可以通过诸如沉积的处理形成在封装层400上。另外，包括触摸电极的预先制备的触摸板可以附接至封装层400使得显示设备可具有触摸屏功能。
偏振板520可以经由光学透明粘合剂(OCA)510附接在封装层400上。偏振板520可以减少外部光的反射。例如，当穿过偏振板520的外部光被对向电极330的上表面反射并且然后再次穿过偏振板520时，外部光穿过偏振板520两次并且外部光的相位可以被改变。因此，反射光的相位可以不同于进入偏振板520的外部光的相位并且因此出现破环性干扰，并且因此，可以减少外部光的反射并且可以改善可视性。OCA 510和偏振板520可以覆盖平坦化层142中的开口，如图8所示。
在实施方式中，根据实施方式的显示设备可以不包括偏振板520，并且如果期望，偏振板520可以省去或利用另一个部件代替。例如，偏振板520可以省去，并且改为，可以设置黑矩阵和滤色器以减少显示设备中的外部光的反射。
在根据实施方式的显示设备中，位于电极电源线EPSL断开处的第一导电层213a可以包括与薄膜晶体管210的栅电极213的材料相同的材料。例如，第一导电层213a可以包括与薄膜晶体管210的栅电极213的材料相同的材料并且可以与栅电极213同时形成。例如，第一导电层213a可以包括钼。
在实施方式中，包括在电极电源线EPSL中的第二导电层215c可以包括与薄膜晶体管210中的源电极215a和漏电极215b的材料相同的材料。例如，第二导电层215c可以通过使用与源电极215a和漏电极215b相同的材料与薄膜晶体管210中的源电极215a和漏电极215b同时形成。同样地，包括在电极电源线EPSL中的第三导电层310a可以包括与显示区域DA中的有机发光器件300的像素电极310的材料相同的材料。例如，第三导电层310a可以通过使用与像素电极310的材料相同的材料与显示区域DA中的有机发光器件300的像素电极310同时形成。第二导电层215c可以包括如上所述的钛层、铝层和/或另外的钛层，并且第三导电层310a可以包括如上所述的诸如ITO和IZO的导电氧化物材料。
在实施方式中，用于实施触摸屏功能的各种图案的触摸电极可以位于封装层400上。当形成触摸电极时，第三导电层310a可以通过使用与触摸电极的材料相同的材料同时形成。与形成触摸电极同时形成的第三导电层310a的以上配置可以应用于以上所述的或随后将描述的显示设备。
电极电源线EPSL可以电连接至对向电极330以将电信号施加至对向电极330。电极电源线EPSL和对向电极330之间的电连接结构在图9中示出，图9是沿图1的线IX-IX截取的显示设备的示意性截面图。如图9中所示，对向电极330延伸至显示区域DA的外部上的外围区域PA，以接触包括在电极电源线EPSL中的第三导电层310a。因而，电信号可以被施加至对向电极330。如果电极电源线EPSL不包括第三导电层310a而是仅包括第二导电层215c，则对向电极330可以接触第二导电层215c。
如图9所示，坝(dam)150a可以位于基板100的外围区域PA的边缘处。坝150a可以包括与显示区域DA中的像素限定层150的材料相同的材料。例如，坝150a可以通过使用与像素限定层150的材料相同的材料与像素限定层150同时形成。坝150a可以帮助防止在形成封装层400时用于形成有机封装层420的材料从基板100的边缘溢出。在这种情况下，第一无机封装层410和第二无机封装层430可以在有机封装层420的外部彼此接触，并且此外，第一无机封装层410和第二无机封装层430可以超出坝150a在基板100的边缘附近延伸。
在实施方式中，当如图8中所示形成薄膜晶体管210时，需要在栅极绝缘层120和层间绝缘层130中形成接触孔以便使源电极215a和漏电极215b接触半导体层211。层间绝缘层130(例如，第一绝缘层)中的第一开口OP1(参见图6)可以在形成薄膜晶体管中的接触孔时同时形成。
在实施方式中，为了使像素电极310接触显示区域DA中的薄膜晶体管210的源电极215a或漏电极215b，需要在保护层141和平坦化层142中形成通孔。保护层141(例如，第二绝缘层)的第二开口OP2(见图6)可以在形成通孔时同时形成。例如，如果平坦化层142的相关的部分在第二开口OP2形成在保护层141中时被去除，则保护层中的第二开口OP2的内表面和平坦化层142中的开口的内表面可以彼此相同。
如果形成平坦化层142的材料的蚀刻速率大于形成保护层141的材料的蚀刻速率，则保护层141中的第二开口OP2的内表面141a和平坦化层142中的开口的内表面142a不会彼此相同，如图8所示。例如，平坦化层142中的开口的内表面142a可以位于保护层141的上表面上。在图8中示出的结构还可以在保护层141中形成第二开口OP2之后以单独的处理在平坦化层142中形成开口时获得。
在实施方式中，显示设备可以包括保护层141和平坦化层142两者。在实施方式中，显示设备可仅包括保护层141，而不包括平坦化层142。在实施方式中，显示设备可仅包括平坦化层142，而不包括保护层141。在后者的情况下，关于上述实施方式和其变形例中的保护层141的以上描述可以应用于平坦化层142。
通过总结和回顾，在一些显示设备中，有缺陷的像素在显示设备的制造处理中会出现在邻近于外围上的配线的端子的部分处的显示区域中，或者有缺陷的像素在移动显示设备时会出现在邻近于外围上的配线的端子的部分处。
根据一个或多个实施方式，可以实现能够减少在其制造处理或使用处理过程中产生缺陷的可能性的显示设备。
实施方式可以提供一种能够减少在制造或使用显示设备时的缺陷的可能性的显示设备。
本文已公开了示例性实施方式，并且尽管使用了特定术语，但是它们仅被用于和被解释为一般和描述性的意义，而不是为了限制的目的。在某些情况下，如对本领域技术人员显而易见的是，除非另有明确指示，否则，当提交本申请时，可单独使用结合具体实施方式描述的特征、特性和/或元件，或与结合其他实施方式描述的特性、特征和/或元件结合使用。因此，本领域技术人员应当理解的是，在不背离以下权利要求中所阐述的本发明的精神和范围内，可以做出各种形式和细节改变。

Claims (18)

1.一种显示设备，包括：
基板，包括显示区域和外围区域，所述外围区域在所述显示区域外部；
第一导电层，在所述外围区域中；
第一绝缘层，包括第一开口，所述第一开口暴露所述第一导电层的第一上表面并且覆盖所述第一导电层的上边缘的至少一部分，其中，所述第一导电层的所述第一上表面至少包括所述第一导电层的上表面的中心部分；
第二导电层，在所述第一导电层的所述第一上表面的至少一部分上并且在所述第一绝缘层上；以及
第二绝缘层，包括第二开口，所述第二开口暴露所述第二导电层的第二上表面并且覆盖所述第二导电层的上边缘的至少一部分，其中，所述第二导电层的所述第二上表面至少包括所述第二导电层的上表面的中心部分并且所述第二开口的面积小于所述第一开口的面积。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述第二导电层的所述上表面包括在其所述中心部分处的平坦部分，并且
所述第二绝缘层覆盖除所述平坦部分的至少一部分之外的所述第二导电层的所述上表面。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述第二导电层的所述上表面在其一部分中具有弯曲表面，并且
所述第二绝缘层覆盖所述第二导电层的所述上表面中的所述弯曲表面。
4.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：所述显示区域中的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极，并且
其中：
所述第一导电层包括与所述栅电极的材料相同的材料，并且
所述第二导电层包括与所述源电极和所述漏电极的材料相同的材料。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中：
所述第一绝缘层包括与所述源电极和所述漏电极与所述栅电极之间的层间绝缘层的材料相同的材料，并且
所述第二绝缘层包括与覆盖所述源电极和所述漏电极的保护层的材料相同的材料。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中：
所述第一绝缘层与所述层间绝缘层是一体的，并且
所述第二绝缘层与所述保护层是一体的。
7.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：第三导电层，在所述第二导电层的所述第二上表面和所述第二绝缘层上。
8.根据权利要求7所述的显示设备，进一步包括：
薄膜晶体管，在所述显示区域中，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极；以及
像素电极，电连接至所述源电极和所述漏电极中的一个，
其中：
所述第一导电层包括与所述栅电极的材料相同的材料，
所述第二导电层包括与所述源电极和所述漏电极的材料相同的材料，并且
所述第三导电层包括与所述像素电极的材料相同的材料。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中：
所述第一绝缘层包括与所述源电极和所述漏电极与所述栅电极之间的层间绝缘层的材料相同的材料，并且
所述第二绝缘层包括与覆盖所述源电极和所述漏电极的保护层的材料相同的材料。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中：
所述第一绝缘层与所述层间绝缘层是一体的，并且
所述第二绝缘层与所述保护层是一体的。
11.根据权利要求7所述的显示设备，进一步包括：对向电极，遍及整个所述显示区域整体设置并且延伸至所述外围区域的一部分，其中，所述对向电极电接触所述第三导电层。
12.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：对向电极，遍及整个所述显示区域整体设置并且延伸至所述外围区域的一部分，其中，所述对向电极电连接至所述第二导电层。
13.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一导电层具有岛状形状。
14.一种显示设备，包括：
基板，包括显示区域和外围区域，所述显示区域包括像素并且所述外围区域在所述显示区域外部；以及
电极电源线，电连接至所述显示区域的所述像素，
其中，所述电极电源线包括：
连接导电层，以及
主导电层，通过所述连接导电层连接，
其中，所述连接导电层具有连接至所述主导电层的连接侧和与所述连接侧相对并且面对所述基板的面对基板侧，
其中，第一绝缘层覆盖所述连接导电层的所述连接侧的外边缘并且包括在所述连接导电层的所述连接侧的中心部分上打开的第一开口，
其中，所述主导电层在所述连接导电层的所述连接侧的所述中心部分处接触所述连接导电层的所述连接侧，
其中，第二绝缘层覆盖所述主导电层的面向外的表面的外边缘并且包括在所述主导电层的所述面向外的表面的中心部分上打开的第二开口，并且
其中，所述第二开口的面积小于所述第一开口的面积。
15.根据权利要求14所述的显示设备，其中：
所述主导电层的所述面向外的表面的中心部分包括平坦部分，并且
所述第二绝缘层覆盖所述主导电层的所述面向外的表面的围绕所述平坦部分的部分。
16.根据权利要求14所述的显示设备，其中：
所述主导电层的所述面向外的表面在其一部分中具有弯曲表面，并且
所述第二绝缘层覆盖所述主导电层的所述面向外的表面的所述弯曲表面。
17.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述连接导电层具有岛状形状。
18.根据权利要求14所述的显示设备，进一步包括，第三导电层，在所述主导电层的所述面向外的表面和所述第二绝缘层上。
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