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CN107015409B - 空间光调制器及显示装置 - Google Patents

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CN107015409B
CN107015409B CN201710353166.5A CN201710353166A CN107015409B CN 107015409 B CN107015409 B CN 107015409B CN 201710353166 A CN201710353166 A CN 201710353166A CN 107015409 B CN107015409 B CN 107015409B
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light modulator
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牛磊
徐健
刘耀阳
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Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
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Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种空间光调制器及显示装置，以相邻的2×2个像素电极为一像素组，将与各像素电极对应的过孔设置于靠近像素组的中心的区域，并且将隔离柱设置在像素组的中心区域，可以使隔离柱与过孔重叠或者使隔离柱紧邻过孔。当隔离柱与过孔重叠时，覆盖隔离柱的黑矩阵层以及覆盖隔离柱周围区域的黑矩阵层可以覆盖至少部分过孔；当隔离柱紧邻过孔时，覆盖隔离柱周围区域的黑矩阵层可以覆盖部分过孔；这与现有技术中黑矩阵层覆盖过孔的区域和覆盖隔离柱的区域是没有重叠的相比，黑矩阵层的面积大大的减小了，从而可以提高空间光调制器的像素开口率。

Description

空间光调制器及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种空间光调制器及显示装置。
背景技术
全息显示技术不同于其它的三维显示技术，是以空间光调制器为核心器件，再现原物的三维立体像。全息显示技术的特点是将记录了物光波的振幅和相位信息的数字全息信息，加载到空间光调制器，利用全息光电再现技术再现原物光波。
空间光调制器是一种光电器件，在信源信号的控制下，它能对光波的某个参数进行调制，例如通过吸收调制振幅、折射率调制相位、偏振面的旋转调制偏振态等等，从而将信源信号所荷载的物光波的振幅和相位信息写进入射参考光波之中。其输出光波是随控制信号变化的空间和时间的函数。
目前用于全息显示的空间光调制器主要有液晶空间光调制器(Liquid CrystalSpatial Light Modulator，LC-SLM)。数字微反射镜器件(Digital Micro—mirrorDevice，DMD)以及光折变晶体(Photo Reflective Crystal，PRC)。其中，液晶空间光调制器的工作原理为参考光波照射至液晶空间光调制器，液晶空间光调制器在信源信号的控制下利用电场控制液晶的偏转，从而控制输出光波，即参考光波经液晶空间光调制器调制后输出。根据读参考光波的输入方式可分为透射式和反射式。如图1a所示，图1a为透射式液晶空间光调制器的光路示意图，透射式是指参考光波从液晶空间光调制器1的一侧输入，经液晶调制后的输出光波从另一侧输出。如图1b所示，图1b为反射式液晶空间光调制器的光路示意图；反射式是指参考光波从液晶空间光调制器1的一侧输入先被反射后，反射光经液晶调制后的输出光波还从输入侧输出。
现有的反射式液晶空间光调制器的结构如图2a所示，图2a为现有的反射式液晶空间光调制器的截面结构图；包括相对设置的阵列基板10和上基板20，位于阵列基板10与上基板20之间的液晶层30、隔离柱40；其中，上基板20上设置有公共电极21和黑矩阵层22，阵列基板10上设置有多个像素电极11，覆盖像素电极11的平坦化层12，位于平坦化层12上且与各像素电极11分别一一对应的反射电极13，为了增大存储电容，反射电极13通过贯穿平坦化层12的过孔V与对应的像素电极11电连接，如图2b所示，图2b现有的反射式液晶空间光调制器的局部俯视示意图；隔离柱40放置于4个相邻的过孔V之间，由于隔离柱40会影响其周围电场的分布，导致隔离柱40附近有较大区域无法正常显示，因此需要黑矩阵层22覆盖隔离柱40以及隔离柱40的周围区域，并且黑矩阵层22还需要覆盖过孔V，但是这会导致现有的空间光调制器像素开口率较低。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种空间光调制器及显示装置，用以提供空间光调制器的像素开口率。
本发明实施例提供的一种空间光调制器，包括相对设置的阵列基板和上基板，位于所述阵列基板与所述上基板之间的液晶层和隔离柱；其中，所述阵列基板上设置有呈矩阵排列的多个像素电极，覆盖所述像素电极的平坦化层，位于所述平坦化层上且与各所述像素电极分别一一对应的反射电极，且各所述反射电极通过贯穿所述平坦化层的过孔与对应的所述像素电极电连接；
以相邻的2×2个像素电极为一像素组，与各所述像素电极对应的过孔位于靠近所述像素组的中心的区域，且所述隔离柱位于所述像素组的中心区域。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的空间光调制器。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的上述空间光调制器及显示装置，以相邻的2×2个像素电极为一像素组，将与各像素电极对应的过孔设置于靠近像素组的中心的区域，并且将隔离柱设置在像素组的中心区域，可以使隔离柱与过孔重叠或者使隔离柱紧邻过孔。当隔离柱与过孔重叠时，覆盖隔离柱的黑矩阵层以及覆盖隔离柱周围区域的黑矩阵层可以覆盖至少部分过孔；当隔离柱紧邻过孔时，覆盖隔离柱周围区域的黑矩阵层可以覆盖部分过孔；这与现有技术中黑矩阵层覆盖过孔的区域和覆盖隔离柱的区域是没有重叠的相比，黑矩阵层的面积大大的减小了，从而可以提高空间光调制器的像素开口率。
附图说明
图1a为透射式液晶空间光调制器的光路示意图；
图1b为反射式液晶空间光调制器的光路示意图；
图2a为现有的反射式液晶空间光调制器的截面结构图；
图2b现有的反射式液晶空间光调制器的局部俯视示意图；
图3为本发明实施例提供的一种空间光调制器的截面结构示意图；
图4a为本发明实施例提供的一种空间光调制器的局部俯视示意图；
图4b为本发明实施例提供的另一种空间光调制器的局部俯视示意图；
图5为本发明实施例提供的另一种空间光调制器的截面结构示意图；
图6a为本发明实施例提供的又一种空间光调制器的截面结构示意图；
图6b为图6a所示的空间光调制器对应的俯视示意图；
图7a为本发明实施例提供的又一种空间光调制器的截面结构示意图；
图7b为图7a所示的空间光调制器对应的一种俯视示意图；
图7c为图7a所示的空间光调制器对应的另一种俯视示意图；
图7d为图7a所示的空间光调制器对应的又一种俯视示意图；
图8为本发明实施例提供的空间光调制器的中过孔的开口形状的示意图；
图9a为本发明实施例提供的又一种空间光调制器的截面结构示意图；
图9b为图9a所示的空间光调制器对应的一种俯视示意图；
图9c为图9a所示的空间光调制器对应的另一种俯视示意图；
图10为本发明实施例提供的又一种空间光调制器的截面结构示意图；
图11为本发明实施例提供的又一种空间光调制器的截面结构示意图；
图12为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供的一种空间光调制器，如图3所示，图3为本发明实施例提供的一种空间光调制器的截面结构示意图；包括相对设置的阵列基板10和上基板20，位于阵列基板与上基板之间的液晶层30和隔离柱40；其中，阵列基板10上设置有呈矩阵排列的多个像素电极11，覆盖像素电极11的平坦化层12，位于平坦化层12上且与各像素电极11分别一一对应的反射电极13，且各反射电极13通过贯穿平坦化层12的过孔与对应的像素电极11电连接；
如图4a所示，图4a为本发明实施例提供的一种空间光调制器的局部俯视示意图；以相邻的2×2个像素电极11为一像素组，与各像素电极11对应的过孔V位于靠近像素组的中心的区域，且隔离柱40位于像素组的中心区域。
本发明实施例提供的空间光调制器，如图4a所示，以相邻的2×2个像素电极11为一像素组，将与各像素电极11对应的过孔V设置于靠近像素组的中心的区域，并且将隔离柱40设置在像素组的中心区域，可以使隔离柱40与过孔V重叠或者使隔离柱40紧邻过孔V。当隔离柱40与过孔V重叠时，覆盖隔离柱40的黑矩阵层以及覆盖隔离柱40周围区域的黑矩阵层可以覆盖至少部分过孔；当隔离柱40紧邻过孔V时，覆盖隔离柱40周围区域的黑矩阵层可以覆盖部分过孔V；这与现有技术中黑矩阵层覆盖过孔的区域和覆盖隔离柱的区域是没有重叠的相比，黑矩阵层的面积大大的减小了，从而可以提高空间光调制器的像素开口率。
并且，本发明中由于将与各像素电极11对应的过孔V设置于靠近像素组的中心的区域，并且将隔离柱40设置在像素组的中心区域，这样可以使黑矩阵层在像素组中每一像素占用的面积一致，不像现有技术中黑矩阵层在有些像素中占用的面积较大，在有些像素中占用的面积较小，从而导致像素开口面积不一致的问题，因此本发明还可以解决现有技术中存在的由于像素开口面积不一致导致的显示亮度不均匀的问题。
具体地，在本发明实施例提供的空间光调制器中，如图4a所示，相邻的2×2个像素电极11是指该4个像素电极11位于相邻两行且位于相邻两列中。
具体地，在本发明实施例提供的空间光调制器中，像素电极与反射电极一一对应是指，一个像素电极对应一个反射电极，同时一个反射电极也仅对应一个像素电极。
具体地，本发明实施例提供的空间光调制器，如图4b所示，图4b为本发明实施例提供的另一种空间光调制器的局部俯视示意图；阵列基板10上还设置有多条沿列方向延伸的数据线data，多条沿行方向延伸的扫描线gate，呈矩阵排列的多个像素电极11是由扫描线gate和数据线data所限定的，像素电极11位于数据线data和扫描线gate限定的区域内。
具体地，在本发明实施例提供的空间光调制器中，由于隔离柱40和过孔V所在区域无法正常显示，因此，如图5所示，图5为本发明实施例提供的另一种空间光调制器的截面结构示意图；空间光调制器还包括位于隔离柱40与上基板20之间的黑矩阵层22，且黑矩阵层22在阵列基板10的正投影覆盖隔离柱40和过孔V在阵列基板10上的正投影。一般黑矩阵层22的边缘要超出隔离柱40和过孔V的边缘一定宽度。由于覆盖隔离柱40的黑矩阵层22以及覆盖隔离柱40周围区域的黑矩阵层22可以覆盖至少部分过孔V，这与现有技术中黑矩阵层22覆盖过孔V的区域和覆盖隔离柱40的区域是没有重叠的相比，黑矩阵层22的面积大大的减小了，从而可以提高空间光调制器的像素开口率。
在具体实施时，在本发明实施例提供的空间光调制器中，一般是将隔离柱固定于黑矩阵层面向液晶层的一侧。即在上基板上形成黑矩阵层之后形成隔垫物。当然，也可以将黑矩阵层设置在阵列基板上，在此不作限定。
具体地，在本发明实施例提供的空间光调制器中，如图3和图5所示，在上基板20上还设置有公共电极21。空间光调制器的工作原理为，向像素电极11与公共电极21上施加电压，使像素电极11与公共电极21形成电场，液晶分子在电场的作用下发生偏转，电场不同，偏转的程度就不同，偏转的程度不同导致输出光不同，从而实现对光的调制。而各像素电极11上的电压由空间光调制器接收的记录了物光波的振幅和相位信息的数字全息信息决定。
具体地，在本发明实施例提供的空间光调制器中，一个像素组中的4个像素电极可以对应同一个过孔，即4个像素电极通过同一个过孔分别与对应的反射电极电连接，但是要保证4个反射电极之间彼此绝缘，4个像素电极之间彼此绝缘；当然，一个像素组中的4个像素电极也可以对应同4个过孔，即1个像素电极对应1个过孔，每一像素电极通过各自其对应的过孔与反射电极电连接。下面通过具体实施例对本发明实施例提供的空间光调制器中隔离柱与过孔的具体相对位置关系进行说明。
下面先对一个像素组中的4个像素电极对应4个过孔的情况进行详细说明。
可选地，在本发明实施例提供的空间光调制器中，如图6a和图6b所示，图6a为本发明实施例提供的又一种空间光调制器的截面结构示意图；图6b为图6a所示的空间光调制器对应的俯视示意图；像素组中每一个像素电极11对应一个过孔V，像素组对应的四个过孔V，各过孔V位于靠近像素组的中心的区域；隔离柱40位于四个过孔V之间的平坦化层12上。黑矩阵层22覆盖隔离柱40和过孔V，相当于覆盖隔离柱40周围区域的黑矩阵层22与覆盖过孔的周围区域的黑矩阵层重叠了，从而减少了黑矩阵层22所占的面积，因此可以提高像素开口率。并且，隔离柱40位于四个过孔V之间的平坦化层12上，可以使像素组中4个反射电极13在像素组的中心区域被隔离柱40彼此阻挡，可以避免反射电极13之间发生短路问题。
可选地，在本发明实施例提供的空间光调制器中，如图7a和图7b所示，图7a为本发明实施例提供的又一种空间光调制器的截面结构示意图；图7b为图7a所示的空间光调制器对应的一种俯视示意图；隔离柱40在阵列基板10的正投影与像素组对应的四个过孔V在阵列基板10的正投影部分重叠。使隔离柱与过孔交叠可以进一步减小黑矩阵层22所占的面积，进一步提高空间光调制器的像素开口率。
可选地，在本发明实施例提供的空间光调制器中，如图6b和图7b所示，像素组对应的四个过孔V中，任意相邻两个过孔V呈轴对称设置。这样可以使每一过孔V占用像素的面积相同，而隔离柱40又位于4个过孔V之间，隔离柱40占用的每一像素的面积也相同，从而使每一像素的开口率相同，保证显示画面亮度均匀。
具体地，在本发明实施例提供的空间光调制器中，过孔的开口形状可以为任何形状，在此不作限定。
具体地，在本发明实施例提供的空间光调制器中，如图7c所示，图7c为图7a所示的空间光调制器对应的另一种俯视示意图；过孔V的开口形状为矩形，但是为了增加隔离柱40与平坦化层12的接触面积，可以适当的减小过孔V的面积，如图7d所示，图7d为图7a所示的空间光调制器对应的又一种俯视示意图；过孔V的开口形状为三角形。当过孔V的开口形状为三角形时，最好使三角形的长边临近像素组的中心，这样使四个过孔之间的平坦化层12的面积较大，以增加隔离柱40与平坦化层12的接触面积，从而提高隔离柱40的稳定性。
可选地，在本发明实施例提供的空间光调制器中，如图6b、图7b和图8所示，图8为本发明实施例图6b和图7b提供的空间光调制器的中过孔的开口形状的示意图；过孔V的开口形状为将靠近隔离柱40的一角设置为圆角的矩形。与过孔V的开口形状为四个均为直角的矩形相比，可以使四个过孔之间的平坦化层12的面积较大，从而可以增加隔离柱40与平坦化层12的接触面积，提高隔离柱40的稳定性。
可选地，在本发明实施例提供的空间关调制器中，如图7d所示，隔离柱40在阵列基板的正投影的形状为中心对称图形。隔离柱40的中心位于像素组的中心，这样可以保证隔离柱40占用每一像素的面积相同，从而保证每一像素的开口率相同。
具体地，在本发明实施例提供的空间光调制器中，针对像素组中的4个像素电极对应4个过孔的情况，过孔的开口形状可以根据实际情况进行设定，例如从工艺制作来讲，过孔的开口形状越简单工艺制作越容易实现；过孔的开口形状最好能在保证使反射电极和像素电极电连接的基础上使隔离柱与平坦化层的接触面积最大等。另外，隔离柱在阵列基板的正投影的形状也可以根据过孔的开口形状进行设计，例如当4个过孔包围的区域为圆形时，可以将隔离柱在设计成圆柱形，当4个过孔包围的区域为矩形时，可以将隔离柱在设计成矩形柱等，此不作限定。
下面对一个像素组中的4个像素电极对应1个过孔的情况进行详细说明。
具体地，在本发明实施例提供的空间光调制器中，如图9a至图9c所示，图9a为本发明实施例提供的又一种空间光调制器的截面结构示意图；图9b为图9a所示的空间光调制器对应的一种俯视示意图；图9c为图9a所示的空间光调制器对应的另一种俯视示意图；像素组中的四个像素电极11对应一个过孔V，过孔V位于靠近像素组的中心的区域且覆盖像素组的中心；隔离柱40位于过孔V内，且反射电极13通过贯穿过孔V的部分区域与对应的像素电极11电连接。
具体地，像素组中的四个像素电极对应一个过孔与四个像素电极对应四个过孔相比可以进一步提高像素的开口率，具体原因是由于过孔工艺限制，当对应四个过孔时，每一过孔的大小均不能太小，而现在将四个小的过孔合并为一个大的过孔，从工艺上一个大的过孔的面积可以适当减小，过孔占的面积小了，相对像素的开口率就提高了。但是当将四个小的过孔合并为一个大的过孔时，需要注意相邻反射电极之间的绝缘问题。
具体地，在本发明实施例提供的空间光调制器中，如图9a所示，过孔V的侧壁与位于过孔V内的隔离柱40之间的距离s1大于反射电极13的厚度。由于当过孔V的侧壁与位于过孔V内的隔离柱40之间的距离s1等于反射电极13的厚度时，相当于过孔V内除了隔离柱40只能容纳侧壁上一层反射电极13。在隔离柱40的面积一定的基础上，当将过孔V的侧壁与位于过孔V内的隔离柱40之间的距离s1设置为大于反射电极13的厚度，一方面可以使过孔V内容纳更多的反射电极13，有利于增大反射电极13与像素电极11的接触面积；一方面由于在制作时，对反射电极进行构图的过程中，4个反射电极13在过孔V内需要彼此分隔开，但是4个反射电极13之间可能会存在刻蚀不足导致反射电极13残留的问题，因此。将过孔V的侧壁与位于过孔V内的隔离柱40之间的距离s1设置为大于反射电极13的厚度，还可以使过孔V内相邻反射电极13之间的距离远一点，有利于相邻反射电极13之间的绝缘。
可选地，在本发明实施例提供的空间光调制器中，如图9a所示，位于过孔V内的隔离柱40与贯穿过孔V的反射电极13之间具有预设距离s2，相当于增大相邻反射电极13之间的距离，有利于相邻反射电极13之间的绝缘。
具体地，在本发明实施例提供的空间光调制器中，如图9b和图9c所示，过孔V的开口形状为中心对称图形，例如正方形、圆形等。这样可以保证过孔V占用每一像素的面积相同，从而保证每一像素的开口率相同。
可选地，在本发明实施例提供的空间光调制器中，如图9b和图9c所示，过孔V的开口形状与隔离柱40在阵列基板上的正投影的形状相似。有利于合理利用过孔的面积，保证反射电极13与像素电极11接触良好的基础上增大隔离柱与下方膜层的接触面积，从而增强隔离柱40的稳定性。
可选地，在本发明实施例提供的空间关调制器中，如图9b和图9c所示，隔离柱40在阵列基板10的正投影的形状为中心对称图形。隔离柱40的中心位于像素组的中心，这样可以保证隔离柱40占用每一像素的面积相同，从而保证过孔内留给每一反射电极13的空间是一致的，这样一方面便于工艺制作，一方面有利于每一反射电极13与像素电极11的接触电阻一致。
本领域内技术人员应该理解，在本发明实施例提供的空间光调制器中，黑矩阵层的图形可以根据覆盖的过孔和隔离柱的形状等具体面板设计需要而定，本申请对此不作限定。
上面实施例是针对本发明提供的空间光调制器中隔离柱与过孔的具体相对位置关系进行的说明。下面对于空间光调制器中的其它器件或膜层进行简单的介绍。
具体地，在本发明实施例提供的上述各空间光调制器中，阵列基板包括衬底基板、位于衬底基板上且与各像素电极对应的薄膜晶体管和覆盖薄膜晶体管的绝缘层；像素电极通过贯穿绝缘层的过孔与对应的薄膜晶体管电连接。例如，如图10所示，图10为本发明实施例提供的又一种空间光调制的截面示意图；阵列基板10包括衬底基板101、位于衬底基板101上且与各像素电极11对应的薄膜晶体管102和覆盖薄膜晶体管102的绝缘层103；像素电极11通过贯穿绝缘层103的过孔与对应的薄膜晶体管102电连接。
具体地，薄膜晶体管的栅极一般与扫描线相连，薄膜晶体管的源极或漏极与数据线相连，薄膜晶体管的漏极或源极与像素电极相连，当扫描线输出扫描信号时，数据线上的信号通过薄膜晶体管对像素电极进行充电。
具体地，在本发明实施例提供的空间光调制器中，如图10所示，薄膜晶体管102包括依次位于衬底基板101上的沟道层01、栅极绝缘层02、栅电极03、层间介质层04和源漏电极05；其中，源漏电极05通过贯穿层间介质层04和栅极绝缘层02之间的过孔与沟道层01电连接，像素电极11通过贯穿绝缘层103的过孔与源漏电极05中的漏电极05a电连接。
具体地，在本发明实施例提供的空间光调制器中，如图10所示，还包括位于黑矩阵层22与隔离柱40之间的第一公共电极23。空间光调制器的工作原理为，向像素电极11与第一公共电极23上施加电压，使像素电极11与第一公共电极23形成电场，液晶分子在电场的作用下发生偏转，电场不同，偏转的程度就不同，偏转的程度不同导致输出光不同，从而实现对光的调制。而各像素电极11上的电压由空间光调制器接收的记录了物光波的振幅和相位信息的数字全息信息决定。
具体地，在本发明实施例提供的空间光调制器中，如图11所示，绝缘层103包括依次位于薄膜晶体管102上方的第一绝缘层1031和第二绝缘层1032；
空间光调制器还包括位于第一绝缘层1031和第二绝缘层1032之间的第二公共电极24。第二公共电极24在衬底基板101的正投影与像素电极11在衬底基板101的正投影存在交叠区域，通过增加第二公共电极23使第二公共电极23与像素电极11形成电容，从而可以增大存储电容。
具体地，在本发明实施例提供的空间光调制器中，如图11所示，第二公共电极24在衬底基板101的正投影与薄膜晶体管102的源漏电极05在衬底基板101的正投影存在交叠区域，第二公共电极24与源漏电极05同样可以形成存储电容。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的空间光调制器，由于该显示装置解决问题的原理与前述一种空间光调制器组相似，因此该显示装置的实施可以参见前述背光模组的实施，重复之处不再赘述。
具体地，如图12所示，该显示装置为全息显示装置，除了包括空间光调制器1，还包括激光器2，激光器2为空间光调制器1提供参考光波。空间光调制器1在信源信号的控制下利用像素电极和公共电极之间的电场控制液晶的偏转，从而控制输出光波，即参考光波经空间光调制器1调制后输出。
本发明实施例提供上述空间光调制器及显示装置，以相邻的2×2个像素电极为一像素组，将与各像素电极对应的过孔设置于靠近像素组的中心的区域，并且将隔离柱设置在像素组的中心区域，可以使隔离柱与过孔重叠或者使隔离柱紧邻过孔。当隔离柱与过孔重叠时，覆盖隔离柱的黑矩阵层以及覆盖隔离柱周围区域的黑矩阵层可以覆盖至少部分过孔；当隔离柱紧邻过孔时，覆盖隔离柱周围区域的黑矩阵层可以覆盖部分过孔；这与现有技术中黑矩阵层覆盖过孔的区域和覆盖隔离柱的区域是没有重叠的相比，黑矩阵层的面积大大的减小了，从而可以提高空间光调制器的像素开口率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (17)

1.一种空间光调制器，其特征在于，包括相对设置的阵列基板和上基板，位于所述阵列基板与所述上基板之间的液晶层和隔离柱；其中，所述阵列基板上设置有呈矩阵排列的多个像素电极，覆盖所述像素电极的平坦化层，位于所述平坦化层上且与各所述像素电极分别一一对应的反射电极，且各所述反射电极通过贯穿所述平坦化层的过孔与对应的所述像素电极电连接；
以相邻的2×2个像素电极为一像素组；
所述像素组中每一个所述像素电极对应一个过孔，所述像素组对应的四个过孔，各所述过孔位于靠近所述像素组的中心的区域；所述隔离柱位于所述四个过孔之间的平坦化层上；或者，所述像素组中的四个所述像素电极对应一个过孔，所述过孔位于靠近所述像素组的中心的区域且覆盖所述像素组的中心；所述隔离柱位于所述过孔内，且所述反射电极通过贯穿所述过孔的部分区域与对应的所述像素电极电连接。
2.如权利要求1所述的空间光调制器，其特征在于，所述隔离柱在所述阵列基板的正投影与所述像素组对应的所述四个过孔在所述阵列基板的正投影部分重叠。
3.如权利要求1所述的空间光调制器，其特征在于，所述像素组对应的所述四个过孔中，任意相邻两个所述过孔呈轴对称设置。
4.如权利要求3所述的空间光调制器，其特征在于，所述过孔的开口形状为矩形或三角形。
5.如权利要求3所述的空间光调制器，其特征在于，所述过孔的开口形状为将靠近所述隔离柱的一角设置为圆角的矩形。
6.如权利要求1所述的空间光调制器，其特征在于，当所述像素组中的四个所述像素电极对应一个过孔时，所述过孔的侧壁与位于所述过孔内的所述隔离柱之间的距离大于所述反射电极的厚度。
7.如权利要求6所述的空间光调制器，其特征在于，位于所述过孔内的所述隔离柱与贯穿所述过孔的反射电极之间具有预设距离。
8.如权利要求1所述的空间光调制器，其特征在于，当所述像素组中的四个所述像素电极对应一个过孔时，所述过孔的开口形状为中心对称图形。
9.如权利要求1所述的空间光调制器，其特征在于，当所述像素组中的四个所述像素电极对应一个过孔时，所述过孔的开口形状与所述隔离柱在所述阵列基板上的正投影的形状相似。
10.如权利要求1-9任一项所述的空间光调制器，其特征在于，所述隔离柱在所述阵列基板的正投影的形状为中心对称图形。
11.如权利要求1-9任一项所述的空间光调制器，其特征在于，还包括位于所述隔离柱与所述上基板之间的黑矩阵层，且所述黑矩阵层在所述阵列基板的正投影覆盖所述隔离柱和所述过孔在所述阵列基板上的正投影。
12.如权利要求11所述的空间光调制器，其特征在于，所述隔离柱固定于所述黑矩阵层面向所述液晶层的一侧。
13.如权利要求12所述的空间光调制器，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板、位于所述衬底基板上且与各所述像素电极对应的薄膜晶体管和覆盖所述薄膜晶体管的绝缘层；所述像素电极通过贯穿所述绝缘层的过孔与对应的所述薄膜晶体管电连接。
14.如权利要求13所述的空间光调制器，其特征在于，薄膜晶体管包括依次位于所述衬底基板上的沟道层、栅极绝缘层、栅电极、层间介质层和源漏电极；其中，所述源漏电极通过贯穿所述层间介质层和所述栅极绝缘层之间的过孔与所述沟道层电连接，所述像素电极通过贯穿所述绝缘层的过孔与所述源漏电极中的漏电极电连接。
15.如权利要求13所述的空间光调制器，其特征在于，还包括位于所述黑矩阵层与所述隔离柱之间的第一公共电极。
16.如权利要求15所述的空间光调制器，其特征在于，所述绝缘层包括依次位于所述薄膜晶体管上方的第一绝缘层和第二绝缘层；
所述空间光调制器还包括位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的第二公共电极。
17.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-16任一项所述的空间光调制器。
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