CN106971976B - 阵列基板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种阵列基板及其制作方法，包括：制作阵列基板的第二金属层，第二金属层由金属薄膜层经第一黄光工艺处理后形成；在第二金属层上覆盖透明电极层。上述阵列基板制作方法及阵列基板，在阵列基板的第二金属层上直接制作透明电极层，通过第二金属层与透明电极层的直接接触实现导通，以减少现有技术中钝化层过孔的制作，从而减少一道黄光制程，以节省成本，提高生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示器技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。
背景技术
聚合物稳定的垂直排列(Polmer Stabilized Vertivally Aligned，简称PSVA)液晶是一种新型的液晶显示技术。在传统PSVA设计中，阵列基板的主要膜层需要5次黄光工艺，分别为M1(即第一金属层)、AS(非晶硅)、M2(即第二金属层)、PV(钝化层)和ITO，其中PV层上设置有过孔，以用于导通M2和ITO。
上述传统PSVA设计中，阵列基板的制作过程黄光道次多，制程复杂，效率低，因此，亟需一种新的方法对上述过程进行改进。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及其制作方法，用以解决现有技术阵列基板制程复杂、效率低的技术问题。
本发明一方面提供的阵列基板制作方法，包括：
制作阵列基板的第二金属层，所述第二金属层由金属薄膜层经第一黄光工艺处理后形成；
在所述第二金属层上覆盖透明电极层。
进一步的，在所述第二金属层上覆盖透明电极层之后，还包括：
对所述透明电极层采用第二黄光工艺处理，所述第二黄光工艺处理所采用的第二掩膜板的图形包括对所述金属薄膜层进行第一黄光工艺处理时所采用的第一掩膜板的图形。
进一步的，所述第二金属层与所述透明电极层相接触的部分包括对所述金属薄膜层进行第一黄光工艺处理后未被刻蚀的部分。
进一步的，制作阵列基板的第二金属层之前还包括：
在衬底基板上制作第一金属层，并在第一金属层上制作隔离层，所述隔离层覆盖所述第一金属层中的栅极。
进一步的，所述隔离层为非晶硅层。
本发明另一方面提供一种阵列基板，包括：第二金属层及直接覆盖在所述第二金属层上的透明电极层，其中，所述第二金属层由金属薄膜层经第一黄光工艺处理后形成。
进一步的，所述透明电极层进行第二黄光工艺处理时所采用的第二掩膜板的图形包括所述金属薄膜层进行第一黄光工艺处理时所采用的第一掩膜板的图形。
进一步的，所述透明电极层与所述第二金属层相接触的部分包括所述金属薄膜层进行第一黄光工艺处理后未被刻蚀的部分。
进一步的，还包括位于衬底基板上的第一金属层及位于所述第一金属层的栅极之上的隔离层，所述第二金属层位于所述隔离层之上。
进一步的，所述隔离层为非晶硅层。
本发明提供的阵列基板制作方法及阵列基板，在阵列基板的第二金属层上直接制作透明电极层，通过第二金属层与透明电极层的直接接触实现导通，以减少现有技术中钝化层过孔的制作，从而减少一道黄光制程，以节省成本，提高生产效率。
附图说明
在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中：
图1为本发明实施例一提供的阵列基板制作方法的一流程示意图；
图2为本发明实施例一提供的阵列基板制作方法的另一流程示意图；
图3为本发明实施例一提供的阵列基板制作方法的又一流程示意图；
图4为本发明实施例二提供的阵列基板第一掩膜板的结构示意图；
图5为本发明实施例二提供的阵列基板第二掩膜板的结构示意图。
在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
实施例一
如图1所示，本发明实施例一提供一种阵列基板制作方法，包括：
步骤101，制作阵列基板的第二金属层，第二金属层由金属薄膜层经第一黄光工艺处理后形成。半导体行业里，将硅片或金属薄膜进行涂胶、软烘、曝光、显影、硬烤，使其光刻出一定图形，这种工艺叫做黄光，是精细电路的制程工艺之一。具体的，黄光工艺(包括第一黄光工艺和下文中的第二黄光工艺)是将金属薄膜层处理成包含至少一个图案的工艺，具体步骤包括在金属薄膜层上涂光刻胶，然后利用第一掩膜板对所述光刻胶进行曝光，再利用显影液将需被刻蚀的光刻胶冲蚀掉，再刻蚀掉未覆盖光刻胶的金属薄膜部分，最后将剩下的光刻胶剥离，以此方式来获得第二金属层，第二金属层包括数据线。
步骤102，在所述第二金属层上覆盖透明电极层。
透明电极层直接覆盖在第二金属层上，可与第二金属层直接导通，与现有技术相比，第二金属层与透明电极层的导通不再通过设置在第二金属层与透明电极层之间的钝化层上的过孔进行导通，因此，减少了对钝化层进行黄光工艺处理形成过孔的步骤，因此，本实施例中的阵列基板制作方法减少了一次黄光工艺处理，节省了成本，提高了制作效率。
进一步的，在对透明电极层进行第二黄光工艺处理时，首先在透明电极层上涂覆光刻胶，然后利用第二掩膜板对所述光刻胶进行曝光，再利用显影液将需被刻蚀的光刻胶冲蚀掉，然后进一步刻蚀掉未覆盖光刻胶的透明电极层部分，由于透明电极层直接覆盖在第二金属层上，所以，在对未覆盖光刻胶的透明电极层部分进行刻蚀时，可能会破坏被该透明电极层部分覆盖的第二金属层，从而对第二金属层造成损坏，进一步影响阵列基板性能，因此，为了避免此问题出现，如图2所示，在本发明的一个具体实施例中，在第二金属层上覆盖透明电极层之后，还包括：
步骤103，对透明电极层采用第二黄光工艺处理，第二黄光工艺处理所采用的第二掩膜板的图形包括对金属薄膜层进行第一黄光工艺处理时所采用的第一掩膜板的图形。
由于第二掩膜板的图形包括了第一掩膜板的图形，因此，在对透明电极层进行黄光工艺处理，在刻蚀掉未覆盖光刻胶的透明电极层部分时，不会破坏第二金属层(即第二金属层未被被刻蚀的部分均有透明电极层覆盖)。
进一步的，在本发明另一个具体实施例中，第二金属层与透明电极层相接触的部分包括对金属薄膜层进行第一黄光工艺处理后未被刻蚀的部分。这种设置方式即在对透明电极层进行刻蚀时，不对与第二金属层相接触的透明电极层进行刻蚀，以避免对第二金属层造成破坏。
进一步的，如图3所示，在本发明一个具体实施例中，制作阵列基板的第二金属层之前还包括：
步骤a，在衬底基板上制作第一金属层，并在第一金属层上制作隔离层，所述隔离层覆盖所述第一金属层中的栅极。第一金属层是金属薄膜层经黄光工艺处理后形成的，包括栅极和栅线。步骤a完成之后，在第一金属层与隔离层之上制作第二金属层。所述隔离层为非晶硅层，以将第一金属层中的栅极与第二金属层隔离开。
实施例二
本发明实施例提供一种阵列基板，包括：第二金属层及直接覆盖在第二金属层上的透明电极层，其中，第二金属层由金属薄膜层经第一黄光工艺处理后形成。
进一步的，透明电极层进行第二黄光工艺处理时所采用的第二掩膜板2的图形包括金属薄膜层进行第一黄光工艺处理时所采用的第一掩膜板1的图形。如图4、图5所示，图4为第一掩膜板1的图形，图5为第二掩膜板2的图形，该图形包括了第一掩膜板1的图形(第一掩膜板1的图形由第二金属层未被刻蚀掉的部分所组成)，以使在对透明电极层进行刻蚀时，不对第二金属层造成破坏。
进一步的，在本发明另一个具体实施例中，透明电极层与第二金属层相接触的部分包括金属薄膜层进行第一黄光工艺处理后未被刻蚀的部分。
进一步的，在本发明另一个具体实施例中，上述阵列基板还包括位于衬底基板上的第一金属层及位于第一金属层的栅极之上的隔离层，第二金属层位于隔离层之上。该部分与现有技术的设置一致，在此不再赘述。进一步的，隔离层为非晶硅层，以将第二金属层与第一金属层的栅极隔离开。
虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。
Claims (8)
1.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：
制作阵列基板的第二金属层，所述第二金属层由金属薄膜层经第一黄光工艺处理后形成；
在所述第二金属层上覆盖透明电极层，对所述透明电极层采用第二黄光工艺处理，所述第二黄光工艺处理所采用的第二掩膜板的图形包括对所述金属薄膜层进行第一黄光工艺处理时所采用的第一掩膜板的图形。
2.根据权利要求1所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述第二金属层与所述透明电极层相接触的部分包括对所述金属薄膜层进行第一黄光工艺处理后未被刻蚀的部分。
3.根据权利要求1或2任一项所述的阵列基板制作方法，其特征在于，在制作阵列基板的第二金属层之前还包括：
在衬底基板上制作第一金属层，并在所述第一金属层上制作隔离层，所述隔离层覆盖所述第一金属层中的栅极。
4.根据权利要求3所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述隔离层为非晶硅层。
5.一种阵列基板，其特征在于，包括：第二金属层及直接覆盖在所述第二金属层上的透明电极层，其中，所述第二金属层由金属薄膜层经第一黄光工艺处理后形成，所述透明电极层采用第二黄光工艺处理，所述第二黄光工艺处理所采用的第二掩膜板的图形包括对所述金属薄膜层进行第一黄光工艺处理时所采用的第一掩膜板的图形。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述透明电极层与所述第二金属层相接触的部分包括所述金属薄膜层进行第一黄光工艺处理后未被刻蚀的部分。
7.根据权利要求5-6任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于衬底基板上的第一金属层及位于所述第一金属层中的栅极之上的隔离层，所述第二金属层位于所述隔离层之上。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述隔离层为非晶硅层。
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