CN106847881B - 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种金属氧化物场效应晶体管的器件结构及制作方法,其自下而上包括衬底(1)、Ga₂O₃外延层(2)和低掺杂n型Ga₂O₃薄膜(3)，薄膜上设有高掺杂n型离子注入区(4)和绝缘栅介质(7)，离子注入区上设有源电极(5)和漏电极(6)，绝缘栅介质上设有栅电极(8)，Ga₂O₃外延层上设有多个氢离子注入区(9)，这些氢离子注入区位于栅电极与漏电极之间的外延层中，且随着氢离子注入区与栅电极的距离增加，这些氢离子注入区的宽度随之减小，它们之间的间距随之增大。本发明通过氢离子对电子的吸引调节电场，提高了器件击穿电压，可用于作为功率器件和高压开关器件。

Description

金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法

技术领域

本发明属于半导体器件技术领域，特别涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管，可用于制作功率器件和高压开关器件。

背景技术

金属氧化物半导体场效应管采用金属氧化物半导体结构制作，以其半导体材料不同而分为不同类型的金属氧化物半导体场效应管。Ga₂O₃是一种宽禁带半导体，它最稳定的结构是β型Ga₂O₃，属于单斜晶体，禁带宽度约为4.8eV～4.9eV。根据其他宽禁带半导体材料的击穿电场强度与其禁带宽度的关系，预计β-Ga₂O₃材料的击穿电场可以达到8MV/cm，是SiC和GaN材料的2倍以上。Ga₂O₃材料的巴利伽优值为SiC和GaN材料的4倍，这意味着采用Ga₂O₃材料制作的功率器件的性能高于采用SiC和GaN材料制作的功率器件。因此Ga₂O₃是一种性能优异的适于功率器件和高压开关器件制备的宽禁带半导体材料。

为了提高Ga₂O₃金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET功率器件的性能，就必须提高器件在耗尽状态下的击穿电压，而Ga₂O₃金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET器件的击穿主要发生在栅靠漏端，因此要提高器件的击穿电压，必须使栅漏区域的电场重新分布，尤其是降低栅靠漏端的电场。

目前所使用的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的制作方法中并没有引入重新分布栅漏区域电场的结构，所以器件内部电场分布并不均匀，在栅靠漏端容易发生击穿，进而限制了现有结构的击穿场强，故无法满足当前对于高压器件的需求。

发明内容

本发明的目的在于针对上述现有技术的不足，提出一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法，以调节栅漏区域电场，降低漏端的电场，提高器件的击穿电压，满足高压器件的需求。

为实现上述目的，本发明的金属氧化物半导体场效应晶体管，自下而上包括衬底、Ga₂O₃外延层和低掺杂n型Ga₂O₃薄膜，薄膜上设有高掺杂n型离子注入区和绝缘栅介质层，高掺杂n型离子注入区上分别设有源电极和漏电极，在绝缘栅介质层上设有栅电极，其特征在于：

外延层中设有多个氢离子注入区，其位于栅电极与漏电极之间的低掺杂n型Ga₂O₃薄膜下部；

所述的多个氢离子注入区，其深度为20nm～50nm，注入浓度大于5×10¹⁸cm^-3，宽度随着氢离子注入区与栅电极之间的间距增大而减小，相邻两个氢离子注入区之间的间距随着氢离子注入区与栅电极之间的间距增大而增大。

所述多个氢离子注入区的宽度随着氢离子注入区与栅电极之间的间距增大而减小，是指将与栅电极最近的氢离子注入区作为第一氢离子注入区，将以最靠近源电极的氢离子注入区作为最后一个氢离子注入区；第一氢离子注入区位于栅电极靠近漏电极的正下方，宽度为3μm；最后一个氢离子注入区距离漏电极的距离大于1μm，宽度为2μm；第一氢离子注入区之后的多个氢离子注入区，其宽度由栅电极向漏电极依次减小，直到最后一个氢离子注入区的宽度为2μm。

所述多个氢离子注入区的相邻两个氢离子注入区之间的间距随着氢离子注入区与栅电极之间的间距增大而增大，是指第一离子注入区与第二个氢离子注入区之间的间距为0.3μm～0.5μm，第二个离子注入区与第三个氢离子注入区与之间的间距为0.8μm～1.5μm，以后的间距依次比前一个间距增加0.5μm～1.0μm，以此类推,直到最后一个氢离子注入区与漏电极的距离大于1μm。

为实现上述目的，本发明制作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，包括如下步骤：

1)将已在衬底上外延生长有Ga₂O₃的样品用流动的去离子水清洗后，放入HF:H₂O＝1:1的溶液中腐蚀30s～60s，再用流动的去离子水清洗并用高纯氮气吹干；

2)将清洗后的样品放入PECVD设备中淀积厚度为50nm的SiO₂掩膜；

3)对完成SiO₂掩膜淀积的样品进行光刻，形成离子注入区，并进行硅离子注入；

4)将完成硅离子注入的样品放入等离子体反应室中，通入流量为200sccm的氧气，设置反应室压力为30Pa～40Pa，射频功率为300W，对样品进行10min的刻蚀，以去除样品表面的光刻胶掩膜，再将样品在氮气气氛中进行1000℃的热退火30min，以对注入的硅离子进行激活；

5)对完成硅离子激活的样品进行光刻，形成氢离子注入区，并进行氢离子注入；

6)将完成氢离子注入的样品放入等离子体反应室中，通入流量为200sccm的氧气，设置反应室压力为30Pa～40Pa，射频功率为300W，对样品进行10min的刻蚀，以去除样品表面的光刻胶掩膜，再将样品在氮气气氛中进行400℃的热退火5min，消除注入对材料的损伤；

7)将去除过表面掩膜的样品放入BOE溶液中，腐蚀5min，去除表面的SiO₂掩膜；

8)对腐蚀后的样品进行光刻，形成源电极和漏电极区域，再放入电子束蒸发台中蒸金属Ti/Au，并依次进行金属剥离，并在氮气气氛中进行550℃的快速热退火60s，形成欧姆接触电极；

9)对形成欧姆接触电极的样品进行清洗，再放入原子层淀积设备中在温度为300℃、压力为2000Pa、H₂O和TMAl的流量均为150sccm的工艺条件下，淀积厚度为20nm～30nm的Al₂O₃绝缘栅介质；

10)对完成绝缘栅介质淀积的样品进行光刻，形成栅电极区域，再放入电子束蒸发台中蒸金属Ni/Au，并进行金属剥离，形成栅电极；

11)对完成栅电极制作的样品进行光刻，形成源电极和漏电极腐蚀区域，再放入BOE溶液中，腐蚀30s，去除源漏电极区域的Al₂O₃，完成整个器件的制作。

本发明由于在Ga₂O₃外延层中引入宽度依次减小、间距依次增大的氢离子注入区，当场效应晶体管处于截止状态而栅漏处于反偏状态时，氢离子对栅漏电极间电子的产生吸引，就可减弱电场在栅靠漏边缘的集聚，使得器件内部的电场大致相等，实现对电场的调制作用，提高了器件的反向击穿电压。

附图说明

图1是本发明器件的剖面结构示意图；

图2是本发明制作器件的工艺流程示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明进行更充分地描述。本发明可通过许多不同的形式来实施，所给的实施例不应该解释为局限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完全的，并将本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。

参照图1，本发明的器件包括衬底1、Ga₂O₃外延层2、低掺杂n型Ga₂O₃薄膜3、离子注入区4、源电极5、漏电极6、绝缘栅介质7、栅电极8和多个氢离子注入区9，其中：

衬底1的材料采用蓝宝石或MgO或MgAl₂O₄或Ga₂O₃；

Ga₂O₃外延层2的电子浓度为10¹⁴cm^-3～10¹⁶cm^-3，厚度大于1μm，其位于衬底1之上；

低掺杂n型Ga₂O₃薄膜3的载流子浓度为10¹⁷cm^-3～10¹⁸cm^-3，厚度大于100nm，其位于Ga₂O₃外延层2上；

n型离子注入区4注入的元素分别为Si、Ge或Sn，注入浓度大于2×10¹⁹cm^-3，其位于低掺杂n型Ga₂O₃薄膜3上；

绝缘栅介质7包括Si₃N₄、Al₂O₃、HfO₂和HfSiO中的一种或多种，其厚度为20nm～30nm，其位于低掺杂n型Ga₂O₃薄膜3之上；

源电极5和漏电极6位于n型离子注入区4的两端,厚度为120nm～250nm,所蒸金属为Ti/Au；

栅电极8位于绝缘栅介质7上，厚度为120nm～250nm,所蒸金属为Ni/Au；

所述多个氢离子注入区9分布在Ga₂O₃外延层2上，且位于栅电极与漏电极之间的低掺杂n型Ga₂O₃薄膜下部；每个注入区的深度为20nm～50nm，注入氢离子浓度大于5×10¹⁸cm^-3，宽度随着氢离子注入区与栅电极之间的间距增大而减小，相邻两个氢离子注入区之间的间距随着氢离子注入区与栅电极之间的间距增大而增大。

所述宽度随着氢离子注入区与栅电极之间的间距增大而减小，是指将与栅电极最近的氢离子注入区作为第一氢离子注入区，将以最靠近源电极的氢离子注入区作为最后一个氢离子注入区；第一氢离子注入区位于栅电极靠近漏电极的正下方，宽度为3μm；最后一个氢离子注入区距离漏电极的距离大于1μm，宽度为2μm；第一氢离子注入区之后的多个氢离子注入区，其宽度由栅电极向漏电极依次减小，直到最后一个氢离子注入区的宽度为2μm。例如，假设有五个氢离子注入区，则其宽度分别为3.0μm、2.75μm、2.5μm、2.25μm和2.0μm。

所述相邻两个氢离子注入区之间的间距随着氢离子注入区与栅电极之间的间距增大而增大，是指第一离子注入区与第二个氢离子注入区之间的间距为0.3μm～0.5μm，第二个离子注入区与第三个氢离子注入区与之间的间距为0.8μm～1.5μm，以后的间距依次比前一个间距增加0.5μm～1.0μm，以此类推,直到最后一个氢离子注入区与漏电极的距离大于1μm。例如，如果有五个离子注入区，则它们之间的间距分别为：0.5μm、1.0μm、1.5μm、2.0μm。

参照图2，本发明制作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，给出如下三种实施例：

实例1，制作衬底为Ga₂O₃，注入Si离子，绝缘栅介质为Al₂O₃的金属氧化物半导体场效应晶体管。

步骤1：清洗样品，如图2中的(a)所示。

1a)先对已在衬底上外延生长有Ga₂O₃的样品进行有机清洗，再用流动的去离子水清洗后，放入HF:H₂O＝1:1的溶液中进行腐蚀60s；

1b)将腐蚀后的样品再用流动的去离子水清洗，并用高纯氮气吹干。

步骤2：淀积SiO₂掩膜，如图2中的(b)所示。

将清洗好的样品放入PECVD设备中，设置反应室压力为2Pa,射频功率为40W，同时通入流量为40sccm的SiH₄和流量为10sccm的N₂O，在n型Ga₂O₃薄膜上淀积厚度为50nm的SiO₂掩膜。

步骤3：制作离子注入区，如图2中的(c)所示。

3a)对完成SiO₂掩膜淀积的样品进行光刻，形成离子注入区；

3b)将光刻后的样品放入离子注入反应室中进行两次硅离子注入，第一次注入能量为60keV，注入剂量为3.2×10¹⁴cm^-3；第二次注入能量为30keV，注入剂量为9.3×10¹³cm^-3；

步骤4：去胶退火激活，如图2中的(d)所示。

4a)将完成硅离子注入激活的样品放入等离子体反应室中，设置反应室压力为40Pa,射频功率为300W，通入流量为200sccm的氧气，刻蚀10min，以去除样品表面的光刻胶；

4b)将硅离子注入后的样品放入退火炉中，在氮气气氛中进行1000℃的热退火30min以对注入的硅离子进行激活。

步骤5：制作氢离子注入区，如图2中的(e)所示。

5a)对完成硅离子注入的样品进行光刻，形成氢离子注入区；

5b)将光刻后的样品放入离子注入反应室中进行氢离子注入，注入能量为150keV，注入剂量为5×10¹⁴cm^-2。

步骤6：去胶退火消除损伤，如图2中的(f)所示。

6a)将完成光刻的样品放入等离子体反应室中，设置反应室压力为40Pa,射频功率为300W，通入流量为200sccm的氧气，刻蚀10min，以去除样品表面的光刻胶。

6b)将完成去除光刻胶后的样品放入退火炉中，在氮气气氛中进行400℃的热退火50min以消除注入对材料的损伤。

步骤7：去除SiO₂掩膜，如图2中的(g)所示。

将完成去除光刻胶后的样品放入BOE溶液中，腐蚀5min，去除表面的SiO₂掩膜。

步骤8：制作源漏电电极，如图2中的(h)所示。

对腐蚀后的样品进行光刻，形成源电极和漏电极区域，再将其放入电子束蒸发台中蒸发金属Ti/Au，并进行剥离，其中金属Ti的厚度为50nm，金属Au的厚度为200nm，最后在氮气环境中进行温度为550℃的60s快速热退火，形成欧姆接触电极。

步骤9：淀积绝缘栅介质，如图2中的(i)所示。

将形成源漏电极的样品进行清洗后，放入原子层淀积设备中，设定温度为300℃,压力为2000Pa,H₂O和TMAl的流量均为150sccm，在整个样品上再淀积30nm厚的Al₂O₃绝缘栅介质。

步骤10：制作栅电极，如图2中的(j)所示。

对完成Al₂O₃绝缘栅介质淀积的样品进行光刻，形成栅电极区域，再放入电子束蒸发台中蒸金属Ni/Au，其中金属Ni的厚度为50nm，金属Au的厚度为200nm，并进行金属剥离，形成栅电极；

步骤11：腐蚀源漏电极区域的绝缘栅介质，如图2中的(k)所示。

对完成金属剥离的样品进行光刻，形成源电极和漏电极腐蚀区域，再放入BOE溶液中，腐蚀30s，去除源漏电极区域的Al₂O₃，完成整个器件的制作。

实例2，制作衬底为蓝宝石，注入Sn离子，绝缘栅介质为HfO₂的金属氧化物半导体场效应晶体管。

步骤一：清洗样品，如图2中的(a)所示。

本步骤与实例1的步骤1相同。

步骤二：淀积SiO₂掩膜，如图2(b)所示。

本步骤与实例1的步骤2相同。

步骤三：制作离子注入区，如图2中的(c)所示。

3.1)对完成SiO₂掩膜淀积的样品进行光刻，形成离子注入区；

3.2)将光刻后的样品放入离子注入反应室中进行两次Sn离子注入，第一次注入能量为60keV，注入剂量为3.2×10¹⁴cm^-3；第二次注入能量为30keV，注入剂量为9.3×10¹³cm^-3；

步骤四：去胶退火激活，如图2中的(d)所示。

本步骤与实例1的步骤4相同。

步骤五：制作氢离子注入区，如图2(e)所示。

本步骤与实例1的步骤5相同。

步骤六：去胶退火消除损伤，如图2中的(f)所示。

本步骤与实例1的步骤6相同。

步骤七：去除SiO₂掩膜，如图2中的(g)所示。

本步骤与实例1的步骤7相同。

步骤八：制作源漏电电极，如图2中的(h)所示。

对腐蚀后的样品进行光刻，形成源电极和漏电极区域，再将其放入电子束蒸发台中蒸发金属Ti/Au，并进行剥离，其中金属Ti的厚度为20nm，金属Au的厚度为100nm，最后在氮气环境中进行温度为550℃的60s快速热退火，形成欧姆接触电极。

步骤九：淀积绝缘栅介质，如图2中的(i)所示。

将形成源漏电极的样品进行清洗后，放入原子层淀积设备中，在生长温度为300℃,压力为2000Pa,H₂O和TMAl的流量均为150sccm的工艺条件下，再淀积20nm厚的HfO₂绝缘栅介质。

步骤十：制作栅电极，如图2中的(j)所示。

对完成HfO₂绝缘栅介质淀积的样品进行光刻，形成栅电极区域，再放入电子束蒸发台中蒸金属Ni/Au，其中金属Ni的厚度为20nm，金属Au的厚度为100nm，并进行金属剥离，形成栅电极；

步骤十一：腐蚀源漏电极区域的绝缘栅介质，如图2中的(k)所示。

本步骤与实例1的步骤11相同。

实例3，制作衬底为MgAl₂O₄，注入Ge离子，绝缘栅介质为Si₃N₄的金属氧化物半导体场效应晶体管。

步骤A：清洗样品，如图2中的(a)所示。

本步骤与实例1的步骤1相同。

步骤B：淀积SiO₂掩膜，如图2中的(b)所示。

本步骤与实例1的步骤2相同。

步骤C：制作离子注入区：即先对完成SiO₂掩膜淀积的样品进行光刻，形成离子注入区；再将光刻后的样品放入离子注入反应室中进行两次Ge离子注入，第一次注入能量为60keV，注入剂量为3.2×10¹⁴cm^-3；第二次注入能量为30keV，注入剂量为9.3×10¹³cm^-3；如图2(c)所示。

步骤D：去胶退火激活，如图2中的(d)所示。

本步骤与实例1的步骤4相同。

步骤E：制作氢离子注入区，如图2中的(e)所示。

本步骤与实例1的步骤5相同。

步骤F：去胶退火消除损伤，如图2中的(f)所示。

本步骤与实例1的步骤6相同。

步骤G：去除SiO₂掩膜，如图2中的(g)所示。

本步骤与实例1的步骤7相同。

步骤H：制作源漏电电极，即先对腐蚀后的样品进行光刻，形成源电极和漏电极区域，再将其放入电子束蒸发台中蒸发金属Ti/Au，并进行剥离，其中金属Ti的厚度为30nm，金属Au的厚度为150nm，最后在氮气环境中进行温度为550℃的60s快速热退火，形成欧姆接触电极，如图2中的(h)所示。

步骤I：淀积绝缘栅介质，即先将形成源漏电极的样品进行清洗后，再放入原子层淀积设备中，在生长温度为300℃,压力为2000Pa,H₂O和TMAl的流量均为150sccm的工艺条件下，淀积30nm厚的Si₃N₄绝缘栅介质，如图2中的(i)所示。

步骤J：制作栅电极，即先对完成Si₃N₄绝缘栅介质淀积的样品进行光刻，形成栅电极区域，再放入电子束蒸发台中蒸金属Ni/Au，其中金属Ni的厚度为30nm，金属Au的厚度为150nm，并进行金属剥离，形成栅电极，如图2中的(j)所示。

步骤K：腐蚀源漏电极区域的绝缘栅介质，如图2中的(k)所示。

本步骤与实例1的步骤11相同。

Claims (10)

1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管的器件结构，自下而上包括衬底(1)、Ga₂O₃外延层(2)和低掺杂n型Ga₂O₃薄膜(3)，该低掺杂n型Ga₂O₃薄膜(3)薄膜上设有高掺杂n型离子注入区(4)和绝缘栅介质(7)，离子注入区上设有源电极(5)和漏电极(6)，绝缘栅介质层上设有栅电极(8)，其特征在于：

外延层中设有多个氢离子注入区(9)，其位于栅电极与漏电极之间的低掺杂n型Ga₂O₃薄膜下部；

所述的多个氢离子注入区，其深度为20nm～50nm，注入浓度大于5×10¹⁸cm^-3，宽度随着氢离子注入区与栅电极之间的间距增大而减小，相邻两个氢离子注入区之间的间距随着氢离子注入区与栅电极之间的间距增大而增大。

2.根据权利要求书1所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的器件结构，其特征在于：多个氢离子注入区(9)的宽度随着氢离子注入区与栅电极之间的间距增大而减小，是指将与栅电极最近的氢离子注入区作为第一氢离子注入区，将以最靠近漏电极的氢离子注入区作为最后一个氢离子注入区；第一氢离子注入区位于栅电极靠近漏电极一端的正下方，宽度为3μm；最后一个氢离子注入区距离漏电极的距离大于1μm，宽度为2μm；第一氢离子注入区之后的多个氢离子注入区，其宽度由栅电极向漏电极依次减小，直到最后一个氢离子注入区的宽度为2μm。

3.根据权利要求书1所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的器件结构，其特征在于：多个氢离子注入区(9)的相邻两个氢离子注入区之间的间距随着氢离子注入区与栅电极之间的间距增大而增大，是指第一氢离子注入区与第二氢离子注入区之间的间距为0.3μm～0.5μm，第二个离子注入区与第三个氢离子注入区与之间的间距为0.8μm～1.5μm，以后的间距依次比前一个间距增加0.5μm～1.0μm，以此类推，直到最后一个氢离子注入区与漏电极的距离大于1μm。

4.根据权利要求书1所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的器件结构，其特征在于：衬底(1)的材料采用蓝宝石或MgO或MgAl₂O₄或Ga₂O₃；Ga₂O₃外延层(2)的电子浓度为10¹⁴cm^-3～10¹⁶cm^-3，厚度大于1μm；

低掺杂n型Ga₂O₃薄膜(3)的载流子浓度10¹⁷cm^-3～10¹⁸cm^-3，厚度大于100nm；

n型离子注入区(4)注入的元素分别为Si、Ge或Sn，注入浓度大于2×10¹⁹cm^-3。

5.根据权利要求书1所述的一种金属氧化物半导体场效应晶体管的器件结构，其特征在于：绝缘栅介质(7)包括Si₃N₄、Al₂O₃、HfO₂和HfSiO中的一种或多种，其厚度为20nm～30nm。

6.一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)将已在衬底上外延生长有Ga₂O₃的样品用流动的去离子水清洗后，放入HF:H₂O＝1:1的溶液中腐蚀30s～60s，再用流动的去离子水清洗并用高纯氮气吹干；将清洗后的样品放入PECVD设备中淀积厚度为50nm的SiO₂掩膜；

2)对完成SiO₂掩膜淀积的样品进行光刻，形成离子注入区，并进行硅离子注入；

3)将完成硅离子注入的样品放入等离子体反应室中，通入流量为200sccm的氧气，设置反应室压力为30Pa～40Pa，射频功率为300W，对样品进行10min的刻蚀，以去除样品表面的光刻胶掩膜，再将样品在氮气气氛中进行1000℃的热退火30min，以对注入的硅离子进行激活；

4)对完成硅离子激活的样品进行光刻，形成氢离子注入区，并进行氢离子注入；

5)将完成氢离子注入的样品放入等离子体反应室中，通入流量为200sccm的氧气，设置反应室压力为30Pa～40Pa，射频功率为300W，对样品进行10min的刻蚀，以去除样品表面的光刻胶掩膜，再将样品在氮气气氛中进行400℃的热退火5min，消除注入对材料的损伤；

7)将去除过表面光刻胶掩膜的样品放入BOE溶液中，腐蚀5min，去除表面的SiO₂掩膜；

8)对腐蚀后的样品进行光刻，形成源电极和漏电极区域，再放入电子束蒸发台中蒸金属Ti/Au，并依次进行金属剥离，然后在氮气气氛中进行550℃的快速热退火60s，形成欧姆接触电极；

9)对形成欧姆接触电极的样品进行清洗，再放入原子层淀积设备中在温度为300℃、压力为2000Pa、H₂O和TMAl的流量均为150sccm的工艺条件下，淀积厚度为5nm～20nm的Al₂O₃绝缘栅介质；

10)对完成绝缘栅介质淀积的样品进行光刻，形成栅电极区域，再放入电子束蒸发台中蒸金属Ni/Au，并进行金属剥离，形成栅电极；

11)对完成栅电极制作的样品进行光刻，形成源电极和漏电极腐蚀区域，再放入BOE溶液中，腐蚀30s，去除源漏电极区域的Al₂O₃，完成整个器件的制作。

7.根据权利要求书6所述的方法，其中步骤2)中淀积SiO₂掩膜的工艺条件如下SiH₄的流量为40sccm，N₂O的流量为10sccm，反应室内压力为1Pa～2Pa，射频功率为40W。

8.根据权利要求书6所述的方法，其中步骤3)中的Si离子注入采用两次注入，第一次注入能量和注入剂量分别为：60keV和3.2×10¹⁴cm^-2；第二次注入能量和注入剂量分别为：30keV和9.3×10¹³cm^-2。

9.根据权利要求书6所述的方法，其中步骤5)中的H离子注入，其注入能量为150keV，注入剂量为5×10¹⁴cm^-2。

10.根据权利要求书6所述的方法，其中步骤8)中蒸的金属总厚度为120nm～250nm，其中Ti厚度为20nm～50nm，金属Au的厚度为100nm～200nm。