CN106802526A - 阵列基板及其开路修理方法、显示装置 - Google Patents
阵列基板及其开路修理方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106802526A CN106802526A CN201710216158.6A CN201710216158A CN106802526A CN 106802526 A CN106802526 A CN 106802526A CN 201710216158 A CN201710216158 A CN 201710216158A CN 106802526 A CN106802526 A CN 106802526A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- open circuit
- line
- holding wire
- wire
- array base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000008439 repair process Effects 0.000 title claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 33
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
- G02F1/136263—Line defects
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
- G02F1/1309—Repairing; Testing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
- H10D86/443—Interconnections, e.g. scanning lines adapted for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本公开实施例提出了一种阵列基板、显示装置和修理方法。该阵列基板包括:沿第一方向布置的第一信号线;沿与第一方向不同的第二方向布置的第二信号线;以及修理部,布置在所述第一信号线中的与所述第二信号线交叠的交叉区附近,所述修理部与公共电极线电连接,并与所述第二信号线电绝缘。
Description
技术领域
本公开涉及电路设计领域,且更具体地涉及一种阵列基板、包括这种阵列基板在内的显示装置、以及针对这种阵列基板的开路修理方法。
背景技术
薄膜晶体管(TFT)液晶显示装置(LCD)是使用TFT技术来增强图像质量(例如,寻址能力和对比度)的一种LCD。随着技术的进步,TFT LCD已经变成了显示装置领域中的主流产品,其广泛用于例如电视、计算机监视器、移动电话、手持游戏机、个人数字助理(PDA)、导航系统、投影仪等等。
然而,在其生产、使用、维修过程中,经常会在其电路中出现开路(又称为断路或“open circuit”)的现象,进而导致显示装置中与该开路相关的像素故障,例如显示装置坏点等。在例如超高清(UHD)电视产品中,为了改善其色调偏绿(greenish)的问题,矩阵与公共电极可采用1∶1设计,数据线线宽可为例如4.5um。此时,数据线开路(以下有时简称为DO)发生率较高,约为4%~5%,而出现在数据线和扫描线的交叉区中的DO可占整体DO的30%~40%。
发明内容
为了至少部分解决或减轻上述问题,提供了根据本公开实施例的阵列基板、包括这种阵列基板在内的显示装置、以及针对这种阵列基板的开路修理方法。
根据本公开的第一方面,提出了一种阵列基板。该阵列基板包括:沿第一方向布置的第一信号线;沿与第一方向不同的第二方向布置的第二信号线;以及修理部,布置在所述第一信号线中的与所述第二信号线交叠的交叉区附近,所述修理部与公共电极线电连接,并与所述第一信号线电绝缘。
在一些实施例中,所述第一信号线是数据线且所述第二信号线是栅极线。在一些实施例中,所述修理部是通过在栅极掩膜板制作栅极线时增加孤立的栅极线来形成的。在一些实施例中,所述修理部布置于栅极层中。在一些实施例中,所述修理部布置于所述数据线下方的栅极层中。在一些实施例中,所述修理部与所述公共电极线是由相同材料制成的。在一些实施例中,当所述第一信号线在交叉区中发生开路时,将所述第一信号线开路一侧的部分电连接至所述修理部,将所述第一信号线开路另一侧的部分电连接至公共电极线,同时将包含交叉区在内的边长50微米的方形区域中的公共电极线与周围电绝缘。在一些实施例中,所述电连接是通过将所述修理部与所述第一信号线开路一侧的部分焊接以及将所述公共电极线与所述第一信号线开路另一侧的部分焊接来实现的,以及所述电绝缘是通过将所述公共电极线在所述方形区域中的部分与其他部分切割开来实现的。
根据本公开的第二方面,提出了一种显示装置。该显示装置包括根据本公开第一方面所述的阵列基板在内。
根据本公开的第三方面,提出了一种修理阵列基板中的第一信号线开路的方法。该方法包括:将所述第一信号线开路一侧的部分电连接至与公共电极线电连接的修理部;将所述第一信号线开路另一侧的部分电连接至公共电极线;以及将包含所述第一信号线中的与第二信号线交叠的交叉区在内的边长50微米的方形区域中的公共电极线与周围电绝缘
在一些实施例中,所述第一信号线是数据线且所述第二信号线是栅极线。在一些实施例中,所述修理部是通过在栅极掩膜板制作栅极线时增加孤立的栅极线来形成的。在一些实施例中,所述电连接是通过将所述修理部与所述第一信号线开路一侧的部分焊接以及将所述公共电极线与所述第一信号线开路另一侧的部分焊接来实现的,以及所述电绝缘是通过将所述公共电极线在所述方形区域中的部分与其他部分切割开来实现的。在一些实施例中,所述修理部布置于栅极层中。在一些实施例中,所述修理部布置于相应数据线下方的栅极层中。在一些实施例中,所述修理部与公共电极线是由相同材料制成的。
通过使用本公开实施例的阵列基板、显示装置和/或开路修理方法,可以提高维修成功率,同时对ITO(氧化铟锡)损伤面积较小,并可提高维修后产品良率。
附图说明
通过下面结合附图说明本公开的优选实施例,将使本公开的上述及其它目的、特征和优点更加清楚,其中:
图1是示出了根据相关技术的TFT LCD的等效电路示意图。
图2是示出了根据本公开实施例的示例阵列基板的局部放大示意图。
图3是示出了根据本公开实施例的修理后的示例阵列基板的局部放大示意图。
图4是示出了与图3相对应的修理后的示例阵列基板局部的X射线截面图。
图5是示出了根据本公开另一实施例的示例阵列基板的局部放大示意图。
图6是示出了根据本公开另一实施例的修理后的示例阵列基板的局部放大示意图。
图7是示出了根据本公开另一实施例的示例开路修理方法的流程图。
具体实施方式
下面参照附图对本公开的优选实施例进行详细说明,在描述过程中省略了对于本公开来说是不必要的细节和功能,以防止对本公开的理解造成混淆。在本说明书中,下述用于描述本公开原理的各种实施例只是说明,不应该以任何方式解释为限制公开的范围。参照附图的下述描述用于帮助全面理解由权利要求及其等同物限定的本公开的示例性实施例。下述描述包括多种具体细节来帮助理解,但这些细节应认为仅仅是示例性的。因此,本领域普通技术人员应认识到,在不脱离本公开的范围和精神的情况下,可以对本文中描述的实施例进行多种改变和修改。此外,为了清楚和简洁起见,省略了公知功能和结构的描述。此外,贯穿附图,相同的附图标记用于相同或相似的功能和操作。此外,在附图中,各部分并不一定按比例来绘制。换言之,附图中的各部分的相对大小、长度等并不一定与实际比例相对应。
以下,以本公开应用于TFT LCD的场景为例,对本公开进行了详细描述。但本公开并不局限于此,本公开也可以应用于任何其它适用的电路设计,包括(但不限于)存在开路的任何电路。此外,尽管以下以数据线开路为例详细描述了根据本公开实施例的技术方案,然而其在经过本领域技术人员所能想到的适当调整和变化的情况下也可以应用于其他开路情况,例如扫描(栅极)线开路等。
在本公开中,术语“包括”和“含有”及其派生词意为包括而非限制;术语“或”是包含性的,意为和/或。
首先将参照图1来大致介绍TFT LCD的构造以及原理。图1是示出了根据相关技术的TFT LCD的等效电路示意图。
如图1所示,TFT LCD的等效电路可包括阵列排布的多个像素电路。每个像素电路可以具有与其相对应的TFT、存储电容以及液晶(LC)。同一行的各个像素电路在同一条扫描线(以下有时也称为栅极线)的控制下,而同一列的各个像素电路在同一条数据线(以下有时也称为源极线)的控制下。扫描线和数据线通常是沿不同方向布置的,更具体地,通常是沿大体相互垂直的方向布置的。
在TFT LCD工作时,通常依次向各条扫描线顺序输入高电平(例如,扫描方向为从上到下,即从扫描线1至扫描线m),从而使得与每条扫描线对应的像素行中的所有TFT同时导通。在TFT导通时,同一行中的各个像素电路可以根据各自对应数据线中的输入来使得液晶发生偏转或不偏转,进而使得背光透过或不透过液晶层,最终使得显示装置上的对应像素发光或不发光。
更具体地,当在对TFT的栅极施加高电平使得TFT导通时,如果此时相应数据线(源极线)的输入为高电平,则使得像素电路中的LC发生偏转,背光透过,从而相应像素发光,同时还对相应存储电容进行充电。之后,当扫描到下一行像素时,本行像素的栅极线输入低电平,此时本行中的各TFT为截止状态。在该情况下,如果某一像素之前是发光状态,即其LC发生了偏转且存储电容中为充电状态,则尽管此时TFT截止且没有新的电流进入,但是存储电容依然可以为LC供电,使得其继续保持偏转状态并使得对应像素发光,等待下一次扫描。而对于之前不是发光状态的像素,则保持其不发光的状态。
如前所述,在生产、使用或维修这种TFT LCD的阵列基板时,可能会发生数据线开路的情况,例如图3中的数据线开路50或图6中的数据线开路50。为了至少部分解决或减轻该问题,提出了根据本公开实施例的阵列基板、显示装置和开路修理方法。以下将结合图2~图7对其进行详细描述。
首先,将结合图2~3来详细描述根据本公开实施例的示例阵列基板的布置。图2是示出了根据本公开实施例的示例阵列基板的局部放大俯视示意图。图2所示的阵列基板的局部可以包括:数据线10、扫描线20、公共电极线30、公共电极孔35、以及TFT 40。公共电极孔35作为过孔,其供公共电极导体通过,由于其上方的绝缘层均被刻蚀掉,因此可以通过孤立的像素电极搭在该过孔上,从而将整个公共电极连接成网状。
此外,如图2所示,数据线10在俯视图中与扫描线20相交的部分以及两侧的扩展部分可被称为数据线的交叉区1,或者将其称为数据线10的与扫描线20交叠的部分。尽管在图2的俯视图中将交叉区1示出为矩形,然而本公开不限于此。事实上交叉区1在俯视图中可以是任何形状,例如正方形、三角形、梯形、或任何其他规则或不规则的多边形等等,这部分取决于数据线本身的形状且部分取决于交叉区1的大小。此外,尽管在图2中将交叉区1示出为具有扫描线宽度的3倍的长度,即从扫描线向上延伸1倍扫描线宽度,且从扫描线向下延伸1倍扫描线宽度,然而本公开不限于此。事实上,交叉区的长度可以具有任何其他尺寸。本领域技术人员应当理解:在不影响如下文所描述的本公开的技术效果的情况下,交叉区1可以具有任何形状和/或大小。
图3是示出了根据本公开实施例的修理后的示例阵列基板的局部放大示意图。与图2所示实施例不同的是,在图3的实施例中,数据线10在交叉区1内发生开路(即,数据线交叉区DO)50。例如,数据线10可能由于生产工艺或使用不当等情况而出现开路50。
为了使得数据线10依然能够正常工作,在一些实施例中,可以通过在源漏层(以下有时简称为S-D层或SD层)中沉积钨粉形成绕开DO 50的钨粉沉积70。此外,为了避免形成的钨粉沉积70与周围的其他导体(例如,扫描线20、公共电极线30)短接,需要对钨粉沉积70周围的ITO区域80进行移除,使得钨粉沉积70与周围的其他导电层电绝缘。在这种情况下,可以使得数据线10依然能够正常工作。
然而,在SD层中维修DO时,钨粉可能扩散进入公共电极孔35,导致例如“数据线-公共电极线短路”(以下有时也称为DCS)高发。如果维修后存在这种DCS,则在使用X射线来检查SD层修理效果时维修人员看到的可能是X薄暗线,从而极易漏检并将不良留到用户端,存在品质风险。
图4是示出了与图3相对应的修理后的示例阵列基板局部的X射线截面图。如在图4的上部截面图中更明确地示出的,可以看到在SD层中维修之后,钨粉扩散到公共电极孔(Com孔)中,使得数据线和公共电极线发生短路(DCS),并造成对应像素不良。
此外,在另一些实施例中,还可以如图3所示通过使用钨粉在最终层(以下有时简称为final层,即作为TFT阵列基板工艺制程的最后一道工序所形成的层。)中形成绕开DO50处的钨粉沉积70。此外,为了避免形成的钨粉沉积70与周围的其他导体(例如,扫描线20、公共电极线30)短接,需要对钨粉沉积70周围的ITO区域80进行移除,使得钨粉沉积70与周围的其他导电层电绝缘。在这种情况下,同样可以使得数据线10依然能够正常工作。
尽管在最终层中维修可以避免前述DCS问题,但是在Final层中维修时,同样存在其他问题。例如,如果钨粉沉积能量大,则容易造成跨栅极或公共电极时将PVX(钝化层)击穿造成裂缝,而钨粉沉积本身同样也可能存在裂缝现象(例如,如在图4的下部截面图中更明确地示出的)。在该情况下,导致生产、维修流程的下游(即,流程中更接近用户的一侧)中的产品的DO/DCS较高,同样容易漏检从而将不良留到用户端,存在品质风险。而如果钨粉沉积能量低,则钨粉粘附性降低,可能导致维修失败,不能通过调试(例如参数调试)。此外,钨粉沉积后需将周围的ITO剥除(否则后端均为像素不良),此时ITO受损,同样可能造成后端像素不良较高。
因此,在图2和图3所示的实施例中,尽管可以通过在例如SD层或final层中实现对数据线开路的修复,但维修后可能依然存在数据线不良问题,进而导致对应像素为坏点。
为了至少进一步部分解决或减轻这些问题,以下将结合图5和图6来详细描述根据本公开另一实施例的阵列基板布置。
图5示出了根据本公开另一实施例的示例阵列基板的局部放大示意图。图5所示实施例与图2所示第施例的主要区别之一在于图5中的虚线圈所指示的部分。如图5所示,阵列基板除了包括图2所示的各个元件之外,还设置有修理部37。
在一些实施例中,修理部37可以是布置在数据线10的交叉区(例如,类似于图2和3所示的交叉区1)附近的导体。更具体地,在一些实施例中,修理部37可以是布置在数据线10的交叉区下方的导体。然而,本公开实施例不限于此。事实上,只要是任何可能出现开路的位置附近,都可以设置修理部37。
此外,修理部37可以与公共电极线30电连接,并与数据线10电绝缘。尽管在图5的俯视图中看起来数据线10与修理部37有重叠部分,但实际上这二者分处于不同的层中,并不直接接触。例如,数据线10可以在源漏层中,并与TFT 40的源极电连接。相对地,修理部37可以位于栅极层中,从而与数据线10电绝缘。在本实施例中,栅极层指的是栅极、栅极线所处的层。
此外,修理部37和与其电连接的公共电极线30可以由相同材料制成。更具体地,在一些实施例中,在生产阵列基板时,根据生产工艺,各层的制造顺序可以是例如第1ITO层、栅极层、源漏层、PVX(层、以及第2ITO层。示例性的,第一ITO层可以作为公共电极层,栅极层包括栅极以及与栅极电连接的栅极线,源漏金属层包括源漏电极以及与源漏电极同层设置的信号线,PVX层可以作为绝缘层或钝化层,第二ITO层可以作为像素电极。本实施例只是给出了一些示例性的结构,对阵列基板的结构并不构成限定,本领域技术人员可以根据实际需要设计阵列基板的结构以及相应生产工艺。此时,为了制造修理部37,可以通过在栅极掩膜板制作栅极线时增加孤立的栅极线来形成维修部37。
图6是示出了根据本公开另一实施例的修理后的示例阵列基板的局部放大示意图。如图6所示,当数据线10在交叉区内发生开路50时,可将数据线10开路50一侧的部分电连接至修理部37(例如,图6中数据线10在开路50上侧的部分),并可将数据线10开路50另一侧的部分电连接至公共电极线30,同时可将交叉区1附近(例如,包含交叉区1在内的边长50微米的方形区域中)的公共电极线30与周围电绝缘。在图6所示实施例中,电连接(例如,焊点或引线焊接39)可以是通过焊接实现的。例如,可以通过激光热效应将金属融化的效果,将数据线10断路两侧分别与修理部37和公共电极线30焊接。此外,在图6所示实施例中,电绝缘(例如,切割区38)可以是通过切割实现的。例如,可以在过孔位置(例如,公共电极孔35)靠近像素电极位置进行切割,切割时从最上面的像素电极到下面的公共电极均被切开,从而将过孔位置的公共电极金属孤立。
这样,通过利用已有的公共电极线以及简单的焊接与切割,而不是使用钨粉沉积,同样可以实现对数据线开路的修复,同时对ITO几乎无损伤。根据该实施例的方案无其它工艺风险,对产品良率无影响,且维修成功率高、维修后亮点不良发生率降低明显。
此外,尽管在图2~6的实施例中以“数据线”作为第一信号线的具体示例来详细说明了根据本公开的一些实施例的方案,然而本公开不限于此。事实上,可以将上述实施例中的“数据线”和“栅极线”互换,从而可以实现对“栅极线”开路的修复。
接下来,将结合图7来详细描述示例开路修理方法。
图7是示出了根据本公开另一实施例的用于修理第一信号线(例如,数据线)开路的示例方法700的流程图。图7中的方法开始于步骤S710。
在步骤S710中,可以将第一信号线的在开路一侧的部分电连接至与公共电极线电连接的修理部。
在步骤S720中,可以将第一信号线的在开路另一侧的部分电连接至公共电极线。
在步骤S730中,可以将在第一信号线中的与第二信号线交叠的交叉区附近(例如,包含交叉区在内的边长50微米的方形区域中)的公共电极线30与周围电绝缘。
在一些实施例中,第一信号线可以是数据线且第二信号线可以是栅极线。在一些实施例中,修理部可以是通过在栅极掩膜板制作栅极线时增加孤立的栅极线来形成的。通过这样的制作方式,可以将修理部的制造与现有工艺融合,以避免或减少由于变更工艺所造成的成本增加。
在一些实施例中,上述电连接可以是通过将所述修理部与第一信号线开路一侧的部分焊接以及将所述公共电极线与第一信号线开路另一侧的部分焊接来实现的,以及上述电绝缘可以是通过将所述公共电极线在所述交叉区附近(例如,包含交叉区在内的边长50微米的方形区域中)的部分与其他部分切割开来实现的。以这种方式来实现各个电连接和电绝缘,可以避免使用钨粉修理开路时所造成的短路或开裂,避免了对各ITO层的损伤,提高维修成功率。另外,由于焊接和切割可以使用现有设备的焊接和切割功能,从而也降低了成本。
在一些实施例中,修理部37可以布置于栅极层中。在一些实施例中,修理部37可以布置于相应数据线10下方的栅极层中。通过将修理部布置在数据线下方的栅极层中,可以通过在栅极掩膜板制作栅极线时增加孤立的栅极线来形成维修部37,与现有工艺流程兼容,也避免了变更生产工艺所可能导致的成本增加。
在一些实施例中,修理部37与公共电极线30可以是由相同材料制成的。通过用与公共电极线相同的材料来实现修理部,也能降低变更生产工艺所可能导致的成本增加。
至此已经结合优选实施例对本公开进行了描述。应该理解,本领域技术人员在不脱离本公开的精神和范围的情况下,可以进行各种其它的改变、替换和添加。因此,本公开的范围不局限于上述特定实施例,而应由所附权利要求所限定。
此外,在本文中被描述为通过纯硬件、纯软件和/或固件来实现的功能,也可以通过专用硬件、通用硬件与软件的结合等方式来实现。例如,被描述为通过专用硬件(例如,现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)等)来实现的功能,可以由通用硬件(例如,中央处理单元(CPU)、数字信号处理器(DSP))与软件的结合的方式来实现,反之亦然。
Claims (15)
1.一种阵列基板,包括:
沿第一方向布置的第一信号线;
沿与第一方向不同的第二方向布置的第二信号线;以及
修理部,布置在所述第一信号线中的与所述第二信号线交叠的交叉区附近,所述修理部与公共电极线电连接,并与所述第一信号线电绝缘。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一信号线是数据线且所述第二信号线是栅极线。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其中,所述修理部是通过在栅极掩膜板制作栅极线时增加孤立的栅极线来形成的。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其中,所述修理部布置于栅极层中。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其中,所述修理部布置于所述数据线下方的栅极层中。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,所述修理部与所述公共电极线是由相同材料制成的。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其中,当所述第一信号线在交叉区中发生开路时,将所述第一信号线开路一侧的部分电连接至所述修理部,将所述第一信号线开路另一侧的部分电连接至公共电极线,同时将包含交叉区在内的边长50微米的方形区域中的公共电极线与周围电绝缘。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其中,所述电连接是通过将所述修理部与所述第一信号线开路一侧的部分焊接以及将所述公共电极线与所述第一信号线开路另一侧的部分焊接来实现的,以及所述电绝缘是通过将所述公共电极线在所述方形区域中的部分与其他部分切割开来实现的。
9.一种显示装置,包括权利要求1~8中任一项所述的阵列基板。
10.一种修理阵列基板中的第一信号线的开路的方法,包括:
将所述第一信号线开路一侧的部分电连接至与公共电极线电连接的修理部;
将所述第一信号线开路另一侧的部分电连接至公共电极线;以及
将包含所述第一信号线中的与第二信号线交叠的交叉区在内的边长50微米的方形区域中的公共电极线与周围电绝缘。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述第一信号线是数据线且所述第二信号线是栅极线。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述修理部是通过在栅极掩膜板制作栅极线时增加孤立的栅极线来形成的。
13.根据权利要求10所述的方法,其中,所述电连接是通过将所述修理部与所述第一信号线开路一侧的部分焊接以及将所述公共电极线与所述第一信号线开路另一侧的部分焊接来实现的,以及所述电绝缘是通过将所述公共电极线在所述方形区域中的部分与其他部分切割开来实现的。
14.根据权利要求11所述的方法,其中,所述修理部布置于栅极层中。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述修理部布置于相应数据线下方的栅极层中。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710216158.6A CN106802526A (zh) | 2017-04-01 | 2017-04-01 | 阵列基板及其开路修理方法、显示装置 |
US16/072,599 US10859883B2 (en) | 2017-04-01 | 2017-10-13 | Array substrate, method for maintaining breakage thereof, and display apparatus |
PCT/CN2017/106122 WO2018176799A1 (zh) | 2017-04-01 | 2017-10-13 | 阵列基板及其开路修理方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710216158.6A CN106802526A (zh) | 2017-04-01 | 2017-04-01 | 阵列基板及其开路修理方法、显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106802526A true CN106802526A (zh) | 2017-06-06 |
Family
ID=58981843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710216158.6A Pending CN106802526A (zh) | 2017-04-01 | 2017-04-01 | 阵列基板及其开路修理方法、显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10859883B2 (zh) |
CN (1) | CN106802526A (zh) |
WO (1) | WO2018176799A1 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018176799A1 (zh) * | 2017-04-01 | 2018-10-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其开路修理方法、显示装置 |
CN108957804A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其维修方法、显示面板和显示装置 |
CN111399295A (zh) * | 2020-04-26 | 2020-07-10 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 断线修补方法、装置、电子设备和存储介质 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004118016A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Tfpd Kk | 上下配線間の短絡を矯正したアレイ基板、及び、その製造方法 |
CN102023438A (zh) * | 2009-09-18 | 2011-04-20 | 上海天马微电子有限公司 | 液晶显示装置及制造方法、缺陷修复方法 |
CN102156359A (zh) * | 2010-06-13 | 2011-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、液晶面板和液晶显示器及驱动方法 |
CN102468308A (zh) * | 2010-10-28 | 2012-05-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法和液晶显示器 |
CN104965325A (zh) * | 2015-08-03 | 2015-10-07 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种阵列基板、其修复方法、显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100628680B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2006-09-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
KR100587366B1 (ko) * | 2000-08-30 | 2006-06-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 |
US7193664B2 (en) | 2004-10-08 | 2007-03-20 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Pixel structure and method of repairing the same |
US7884364B2 (en) | 2006-12-12 | 2011-02-08 | Lg Display Co., Ltd. | Array substrate, method of manufacturing the same, and method of repairing line in the same |
CN101776808B (zh) * | 2010-02-10 | 2012-02-29 | 深超光电(深圳)有限公司 | 一种液晶显示器阵列基板及其修补方法 |
CN105892186A (zh) * | 2016-06-13 | 2016-08-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板结构、及其数据线断线修补方法和显示装置 |
CN106802526A (zh) * | 2017-04-01 | 2017-06-06 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阵列基板及其开路修理方法、显示装置 |
-
2017
- 2017-04-01 CN CN201710216158.6A patent/CN106802526A/zh active Pending
- 2017-10-13 US US16/072,599 patent/US10859883B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2017-10-13 WO PCT/CN2017/106122 patent/WO2018176799A1/zh active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004118016A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Tfpd Kk | 上下配線間の短絡を矯正したアレイ基板、及び、その製造方法 |
CN102023438A (zh) * | 2009-09-18 | 2011-04-20 | 上海天马微电子有限公司 | 液晶显示装置及制造方法、缺陷修复方法 |
CN102156359A (zh) * | 2010-06-13 | 2011-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、液晶面板和液晶显示器及驱动方法 |
CN102468308A (zh) * | 2010-10-28 | 2012-05-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法和液晶显示器 |
CN104965325A (zh) * | 2015-08-03 | 2015-10-07 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种阵列基板、其修复方法、显示面板及显示装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018176799A1 (zh) * | 2017-04-01 | 2018-10-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其开路修理方法、显示装置 |
US10859883B2 (en) | 2017-04-01 | 2020-12-08 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, method for maintaining breakage thereof, and display apparatus |
CN108957804A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其维修方法、显示面板和显示装置 |
CN108957804B (zh) * | 2018-07-27 | 2021-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其维修方法、显示面板和显示装置 |
CN111399295A (zh) * | 2020-04-26 | 2020-07-10 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 断线修补方法、装置、电子设备和存储介质 |
CN111399295B (zh) * | 2020-04-26 | 2022-11-29 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 断线修补方法、装置、电子设备和存储介质 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10859883B2 (en) | 2020-12-08 |
WO2018176799A1 (zh) | 2018-10-04 |
US20200192169A1 (en) | 2020-06-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105527736B (zh) | 一种阵列基板及其修复方法、显示面板和显示装置 | |
CN103034008B (zh) | 液晶面板的防静电结构及其制造方法、连接线的修复方法 | |
CN101059636B (zh) | 液晶显示装置 | |
WO2018120754A1 (zh) | Oled阵列基板、显示装置及其暗点修复方法 | |
CN101776808A (zh) | 一种液晶显示器阵列基板及其修补方法 | |
CN104965325B (zh) | 一种阵列基板、其修复方法、显示面板及显示装置 | |
CN108351572A (zh) | 阵列基板及其修复方法 | |
CN110797351B (zh) | 一种阵列基板、其检测方法、显示面板及显示装置 | |
CN110416270B (zh) | Oled显示面板及其检测方法、显示装置 | |
CN103353679B (zh) | 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的修复方法 | |
WO2018176754A1 (zh) | 阵列基板、显示面板及显示装置 | |
CN104503174B (zh) | Goa电路模块及其测试方法、显示面板和显示装置 | |
CN100592146C (zh) | 一种液晶显示装置阵列基板的修补方法 | |
CN106802526A (zh) | 阵列基板及其开路修理方法、显示装置 | |
JP2008010815A (ja) | 液晶表示装置の自動修復構造 | |
WO2018219065A1 (zh) | 阵列基板、阵列基板的维修方法、显示面板和显示装置 | |
CN107589603B (zh) | 一种有源矩阵衬底及显示装置 | |
WO2017012320A1 (zh) | Tft阵列基板及其制造方法及维修方法、显示面板 | |
CN107608149B (zh) | 一种有源矩阵衬底及显示装置 | |
CN102798999A (zh) | 一种阵列基板十字线修复方法、阵列基板和液晶显示器 | |
TWI401492B (zh) | 主動元件陣列基板及其修補方法 | |
CN105655358B (zh) | 一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置 | |
WO2019037293A1 (zh) | 一种有源矩阵衬底的修正方法及显示装置的制造方法 | |
TWI342426B (en) | Liquid crystal display panel and method of repairing the same | |
CN100454556C (zh) | 修补结构与主动元件阵列基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170606 |