CN105655358B - 一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents
一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105655358B CN105655358B CN201610180017.9A CN201610180017A CN105655358B CN 105655358 B CN105655358 B CN 105655358B CN 201610180017 A CN201610180017 A CN 201610180017A CN 105655358 B CN105655358 B CN 105655358B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- line
- line segment
- repair
- array substrate
- segment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
- H10D86/443—Interconnections, e.g. scanning lines adapted for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
- H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
- H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
- G02F1/136272—Auxiliary lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/01—Manufacture or treatment
- H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置,以解决现有技术中静电通过修复线进入显示面板后对显示面板造成损害,造成显示面板良品率下降的问题。所述阵列基板,包括交叉设置的多条数据线和多条栅线、围绕所述数据线和所述栅线的环状的公共信号线、以及至少一条环状的修复线,所述修复线通过防静电环与所述公共信号线电连接,所述修复线包括彼此绝缘的第一线段和第二线段;所述第一线段与各条所述数据线交叉且彼此绝缘;所述第二线段与各条所述数据线无交叉,且通过防静电环与所述公共信号线电连接;所述第一线段和所述第二线段之间设置有修复部,所述修复部用于熔接后使所述第一线段和所述第二线段电连接。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置。
背景技术
在显示领域,平板显示装置(如液晶显示装置或发光二极管显示装置)的显示面板包括阵列基板和对向基板,阵列基板具有交叉设置的数据线和栅线,数据线和栅线构成多个显示单元,围绕数据线和栅线形成有公共信号线;阵列基板上还形成有修复线,修复线用于修复数据线、栅线或其它信号线的断路或短路故障。例如图1所示的阵列基板,包括多条数据线11、栅线12、公共信号线13和修复线14,公共信号线13和修复线14为环状信号线,且修复线14通过防静电环15与公共信号线13电连接,修复线14与数据线11的两端交叉且彼此绝缘。在成盒工艺后的检测中,如果发现某一数据线11有断路或短路的情况,维修人员可以用修复线14修复断路或短路的该数据线11。例如,某一数据线11断路,可以分别对该数据线11的两端与修复线14交叠的位置进行激光焊接,这样数据信号将通过修复线14传输。当然,可以仅利用半个环状的修复线14修复一条数据线11的断路,另一半的环状的修复线14可以修复另一条数据线11的断路,这样每条修复线14可以维修两个数据线11断路的问题。
但是上述阵列基板结构,在显示面板正常工作时或在显示面板的制作过程中,产生的静电可以通过修复线14进入显示面板内部。例如,在高温和高能量的等离子体轰击阵列基板表面时产生的静电集聚在公共信号线13上;或者,在高速传送过程中外围的公共信号线13集聚的静电。公共信号线13通过防静电环15将静电作用于修复线14,造成显示面板内部节点和器件损伤,当静电积累到一定程度甚至会击穿显示面板内部的器件,导致显示面板缺陷,从而降低了显示面板的良品率。
发明内容
本发明的目的是提供一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置,以解决现有技术中静电通过修复线进入显示面板后对显示面板造成损害,造成显示面板良品率下降的问题。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
本发明实施例提供一种阵列基板,包括交叉设置的多条数据线和多条栅线、围绕所述数据线和所述栅线的环状的公共信号线、以及至少一条环状的修复线,所述修复线通过防静电环与所述公共信号线电连接,所述修复线包括彼此绝缘的第一线段和第二线段;
所述第一线段与各条所述数据线交叉且彼此绝缘;
所述第二线段与各条所述数据线无交叉,且通过防静电环与所述公共信号线电连接;
所述第一线段和所述第二线段之间设置有修复部,所述修复部用于熔接后使所述第一线段和所述第二线段电连接。
本实施例中,通过使环状的所述修复线划分为与所述数据线交叉且绝缘的所述第一线段和与所述数据线无交叉的所述第二线段,在彼此绝缘所述第一线段和所述第二线段之间设置所述修复部,在需要以所述修复线对所述数据线进行修复时,只需要所述修复部熔接后使所述第一线段和所述第二线段电连接即可实现整条所述修复线的导通,而所述修复部使所述阵列基板在受到高温、高能量等影响而集聚在所述公共信号线的静电不会经所述第一线段传输到所述数据线,使静电不会对显示面板造成损害,从而提高显示面板的良品率。
优选的,每一条所述修复线包括对称分布的两条所述第一线段和对称分布的两条所述第二线段;
所述第一线段和所述第二线段间隔设置组成环状的所述修复线,属于同一所述修复线的、相邻所述第一线段和所述第二线段之间设置一个所述修复部。本实施例中,通过细分所述修复线,使两条所述第二线段均与所述第一线段通过所述修复部进行绝缘处理,从而使静电传输到所述第一线段,也就不会对显示面板造成损害;同时,相邻的所述第一线段和第二线段可以灵活的组合以便实现对不同数据线的修复。
优选的,各所述修复部设置于所述阵列基板的靠近四个角的区域。本实施例中,将所述修复部设置于远离所述阵列基板的显示区的位置,所述修复部不会影响开口率,也不会影响显示效果。
优选的,所述修复部包括导电电极,所述导电电极与所述第一线段和所述第二线段彼此绝缘;
所述导电电极分别与自身所在位置处的所述第一线段和所述第二线段的端部在所述阵列基板上的垂直投影部分重叠。本实施例中,所述第一线段和所述第二线段的端部可以在垂直投影重叠部分进行熔接。
优选的,所述导电电极与所述数据线同层设置。本实施例中,同层设置所述导电电极和所述数据线,不需要额外增加制备工序和层结构,节省成本。
优选的,所述修复线与所述阵列基板的栅线同层设置。
本发明实施例有益效果如下:通过使环状的所述修复线划分为与所述数据线交叉且绝缘的所述第一线段和与所述数据线无交叉的所述第二线段,在彼此绝缘所述第一线段和所述第二线段之间设置所述修复部,在需要以所述修复线对所述数据线进行修复时,只需要所述修复部熔接后使所述第一线段和所述第二线段电连接即可实现整条所述修复线的导通,而所述修复部使所述阵列基板在受到高温、高能量等影响而集聚在所述公共信号线的静电不会经所述第一线段传输到所述数据线,使静电不会对显示面板造成损害,从而提高显示面板的良品率。
本发明实施例还提供一种显示面板,包括如上实施例提供的所述阵列基板。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括如上实施例提供的所述显示面板。
本发明实施例还提供一种阵列基板的制备方法,包括:
在衬底基板上形成包括栅线、环状的公共信号线和环状的修复线的栅极金属层;其中,所述修复线包括彼此绝缘的第一线段和第二线段;
在完成上述步骤的所述衬底基板上依次形成栅绝缘层和有源层;
在完成上述步骤的所述衬底基板上形成包括导电电极、数据线、源电极和漏电极的源漏极金属层;其中,所述数据线和所述栅线被所述公共信号线包围,各所述数据线与所述修复线的所述第一线段交叉且彼此绝缘,各所述数据线与所述修复线的的所述第二线段无交叉;所述导电电极分别与自身所在位置处的所述第一线段和所述第二线段的端部在所述阵列基板上的垂直投影部分重叠;所述导电电极作为所述修复部,用于熔接后使所述第一线段和所述第二线段电连接。
优选的,还包括:
在完成上述步骤的衬底基板上形成包括过孔的钝化层;
在钝化层之上形成包括像素电极的透明导电层,使所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极电连接。
本发明实施例有益效果如下:通过使环状的所述修复线划分为与所述数据线交叉且绝缘的所述第一线段和与所述数据线无交叉的所述第二线段,在彼此绝缘所述第一线段和所述第二线段之间设置所述修复部,在需要以所述修复线对所述数据线进行修复时,只需要所述修复部熔接后使所述第一线段和所述第二线段电连接即可实现整条所述修复线的导通,而所述修复部使所述阵列基板在受到高温、高能量等影响而集聚在所述公共信号线的静电不会经所述第一线段传输到所述数据线,使静电不会对显示面板造成损害,从而提高显示面板的良品率。
附图说明
图1为现有技术提供的阵列基板的示意图;
图2为本发明实施例提供的阵列基板的示意图;
图3为本发明实施例提供的修复线的示意图;
图4为本发明实施例提供的修复部的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的显示面板的示意图;
图6为本发明实施例提供的阵列基板的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面结合说明书附图对本发明实施例的实现过程进行详细说明。需要注意的是,自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
参见图2,本发明实施例提供一种阵列基板100,包括交叉设置的多条数据线11和多条栅线12、围绕数据线和栅线的环状的公共信号线13、以及至少一条环状的修复线14,修复线14通过防静电环15与公共信号线13电连接。
如图3所示,修复线14包括彼此绝缘的第一线段141和第二线段142;第一线段141与各条数据线11交叉且彼此绝缘;第二线段142与各条数据线11无交叉,且通过防静电环15与公共信号线13电连接;第一线段141和第二线段142之间设置有修复部143,修复部143用于熔接后使第一线段141和第二线段142电连接。需要说明的是,该公共信号线13可以提供公共电压的信号线,也可以是接地的信号线。
本实施例中,通过使环状的修复线14划分为与数据线11交叉且绝缘的第一线段141和与数据线11无交叉且彼此绝缘的第二线段142,在彼此绝缘第一线段141和第二线段142之间设置修复部143,在需要以修复线14对数据线11进行修复时,只需要修复部143熔接后使第一线段141和第二线段142电连接即可实现整条修复线14的导通,而修复部143使阵列基板100在受到高温、高能量等影响而集聚在公共信号线13的静电不会经第一线段141传输到数据线11,使静电不会对显示面板造成损害,从而提高显示面板的良品率。
优选的,每一条修复线14包括对称分布的两条第一线段141和对称分布的两条第二线段142;
第一线段141和第二线段142间隔设置组成环状的修复线14,属于同一修复线14的、相邻第一线段141和第二线段142之间设置一个修复部143。本实施例中,通过细分修复线14,使两条第二线段142均与第一线段141通过修复部143进行绝缘处理,从而使静电传输到第一线段141,也就不会对显示面板造成损害;同时,相邻的第一线段141和第二线段142可以灵活的组合以便实现对不同数据线11的修复。
优选的,各修复部143设置于阵列基板100的靠近四个角的区域。本实施例中,将修复部143设置于远离阵列基板100的显示区的位置,修复部143不会影响开口率,也不会影响显示效果。
修复部143可以单独制备,也可以借助于阵列基板100的某些导电层来实现,需要满足与第一线段141和第二线段142绝缘,且在需要第一线段141和第二线段142导通时能够熔接修复部143,以实现第一线段141和第二线段142导通。
参见图4,示出一种优选的修复部143的示图,修复部143包括导电电极1431,导电电极1431与第一线段141和第二线段142彼此绝缘;导电电极1431分别与自身所在位置处的第一线段141和第二线段142的端部在阵列基板100上的垂直投影部分重叠,导电电极1431与第一线段141和第二线段142之间的层结构为绝缘层,在此不再赘述。需要说明的是,当需要熔接时,可以在位置17处进行熔接,使修复部143的导电电极1431分别与第一线段141和第二线段142熔接。本实施例中,第一线段141和第二线段142的端部可以在垂直投影重叠部分进行熔接。
优选的,导电电极1431与数据线11同层设置。本实施例中,同层设置导电电极1431和数据线11,不需要额外增加制备工序和层结构,节省成本。
优选的,修复线14与阵列基板100的栅线12同层设置。
参见图5,本发明实施例还提供一种显示面板200,包括如上实施例提供的阵列基板100。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括如上实施例提供的显示面板200,在此不再示出。
本发明实施例有益效果如下:通过使环状的修复线14划分为与数据线11交叉且绝缘的第一线段141和与数据线11无交叉的第二线142,在彼此绝缘第一线段141和第二线142之间设置修复部143,在需要以修复线14对数据线11进行修复时,只需要修复部143熔接后使第一线段141和第二线142电连接即可实现整条修复线14的导通,而修复部143使阵列基板100在受到高温、高能量等影响而集聚在公共信号线13的静电不会经第一线段141传输到数据线11,使静电不会对显示面板造成损害,从而提高显示面板的良品率。
参见图6,本发明实施例还提供一种阵列基板的制备方法,包括:
601、在衬底基板上形成包括栅线、环状的公共信号线和环状的修复线的栅极金属层;其中,修复线包括彼此绝缘的第一线段和第二线段。
602、在完成上述步骤的衬底基板上依次形成栅绝缘层和有源层。
603、在完成上述步骤的衬底基板上形成包括导电电极、数据线、源电极和漏电极的源漏极金属层;其中,数据线和栅线被公共信号线包围,各数据线与修复线的第一线段交叉且彼此绝缘,各数据线与修复线的的第二线段无交叉;导电电极分别与自身所在位置处的第一线段和第二线段的端部在阵列基板上的垂直投影部分重叠;导电电极作为修复部,用于熔接后使第一线段和第二线段电连接。
604、在完成上述步骤的衬底基板上形成包括过孔的钝化层。
605、在钝化层之上形成包括像素电极的透明导电层,使像素电极通过过孔与漏电极电连接。
本发明实施例有益效果如下:通过使环状的修复线划分为与数据线交叉且绝缘的第一线段和与数据线无交叉的第二线段,在彼此绝缘第一线段和第二线段之间设置修复部,在需要以修复线对数据线进行修复时,只需要修复部熔接后使第一线段和第二线段电连接即可实现整条修复线的导通,而修复部使阵列基板在受到高温、高能量等影响而集聚在公共信号线的静电不会经第一线段传输到数据线,使静电不会对显示面板造成损害,从而提高显示面板的良品率。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种阵列基板,包括交叉设置的多条数据线和多条栅线、围绕所述数据线和所述栅线的环状的公共信号线、以及至少一条环状的修复线,所述修复线通过防静电环与所述公共信号线电连接,其特征在于,所述修复线包括彼此绝缘的第一线段和第二线段;
所述第一线段与各条所述数据线交叉且彼此绝缘;
所述第二线段与各条所述数据线无交叉,且通过防静电环与所述公共信号线电连接;
所述第一线段和所述第二线段之间设置有修复部,所述修复部用于熔接后使所述第一线段和所述第二线段电连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每一条所述修复线包括对称分布的两条所述第一线段和对称分布的两条所述第二线段;
所述第一线段和所述第二线段间隔设置组成环状的所述修复线,属于同一所述修复线的、相邻所述第一线段和所述第二线段之间设置一个所述修复部。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,各所述修复部设置于所述阵列基板的靠近四个角的区域。
4.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述修复部包括导电电极,所述导电电极与所述第一线段和所述第二线段彼此绝缘;
所述导电电极分别与自身所在位置处的所述第一线段和所述第二线段的端部在所述阵列基板上的垂直投影部分重叠。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述导电电极与所述数据线同层设置。
6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述修复线与所述阵列基板的栅线同层设置。
7.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至6任一项所述的阵列基板。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求7所述的显示面板。
9.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成包括栅线、环状的公共信号线和环状的修复线的栅极金属层;其中,所述修复线包括彼此绝缘的第一线段和第二线段,所述第二线段通过防静电环与所述公共信号线电连接;
在完成上述步骤的所述衬底基板上依次形成栅绝缘层和有源层;
在完成上述步骤的所述衬底基板上形成包括导电电极、数据线、源电极和漏电极的源漏极金属层;其中,所述数据线和所述栅线被所述公共信号线包围,各所述数据线与所述修复线的所述第一线段交叉且彼此绝缘,各所述数据线与所述修复线的的所述第二线段无交叉;所述导电电极分别与自身所在位置处的所述第一线段和所述第二线段的端部在所述阵列基板上的垂直投影部分重叠;所述导电电极作为所述修复部,用于熔接后使所述第一线段和所述第二线段电连接。
10.如权利要求9所述的制备方法,其特征在于,还包括:
在完成上述步骤的衬底基板上形成包括过孔的钝化层;
在钝化层之上形成包括像素电极的透明导电层,使所述像素电极通过所述过孔与所述漏电极电连接。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610180017.9A CN105655358B (zh) | 2016-03-25 | 2016-03-25 | 一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置 |
US15/214,343 US9653491B1 (en) | 2016-03-25 | 2016-07-19 | Array substrate and manufacturing method, display panel and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610180017.9A CN105655358B (zh) | 2016-03-25 | 2016-03-25 | 一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105655358A CN105655358A (zh) | 2016-06-08 |
CN105655358B true CN105655358B (zh) | 2018-06-05 |
Family
ID=56495542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610180017.9A Expired - Fee Related CN105655358B (zh) | 2016-03-25 | 2016-03-25 | 一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9653491B1 (zh) |
CN (1) | CN105655358B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110706667A (zh) * | 2019-09-17 | 2020-01-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种goa电路和显示装置 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102409881B1 (ko) * | 2016-03-21 | 2022-06-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 쇼트 검사 방법 |
CN105892184A (zh) * | 2016-06-12 | 2016-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板中短路缺陷的修复方法及系统 |
CN113571557B (zh) | 2021-07-09 | 2022-09-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103956365A (zh) * | 2014-04-30 | 2014-07-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4039446B2 (ja) * | 2005-08-02 | 2008-01-30 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
US7265386B2 (en) * | 2005-08-29 | 2007-09-04 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Thin film transistor array substrate and method for repairing the same |
TWI405016B (zh) * | 2010-08-25 | 2013-08-11 | Au Optronics Corp | 顯示面板 |
KR101765274B1 (ko) * | 2010-12-30 | 2017-08-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정표시패널 |
-
2016
- 2016-03-25 CN CN201610180017.9A patent/CN105655358B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2016-07-19 US US15/214,343 patent/US9653491B1/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103956365A (zh) * | 2014-04-30 | 2014-07-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110706667A (zh) * | 2019-09-17 | 2020-01-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种goa电路和显示装置 |
CN110706667B (zh) * | 2019-09-17 | 2021-06-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种goa电路和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105655358A (zh) | 2016-06-08 |
US9653491B1 (en) | 2017-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103278987B (zh) | 阵列基板、该阵列基板断线修复方法及显示装置 | |
CN105655358B (zh) | 一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置 | |
CN106169482B (zh) | 一种基板及其制作方法、电子器件 | |
CN103680326B (zh) | 一种高开口像素结构及其修复方法 | |
CN110416270B (zh) | Oled显示面板及其检测方法、显示装置 | |
CN102650784B (zh) | 一种阵列基板、液晶显示器件及其修复方法 | |
CN103760727B (zh) | 薄膜晶体管阵列基板、液晶显示面板及液晶显示面板的修复方法 | |
CN109164654A (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
CN107179640A (zh) | 阵列基板、阵列基板的维修方法、显示面板和显示装置 | |
JP2008010815A (ja) | 液晶表示装置の自動修復構造 | |
TWI494817B (zh) | 觸控面板之導電層 | |
WO2014201822A1 (zh) | 阵列基板、显示装置及阵列基板的修复方法 | |
CN102798999A (zh) | 一种阵列基板十字线修复方法、阵列基板和液晶显示器 | |
US20150370101A1 (en) | Method of repairing display panel, and display panel | |
CN107589604A (zh) | 一种有源矩阵衬底的缺陷修正方法及显示装置的制造方法 | |
CN107589605A (zh) | 一种有源矩阵衬底的缺陷修正方法及显示装置的制造方法 | |
CN107589603A (zh) | 一种有源矩阵衬底及显示装置 | |
US10859883B2 (en) | Array substrate, method for maintaining breakage thereof, and display apparatus | |
CN104485337B (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管阵列基板的制备方法 | |
CN103293796B (zh) | 平面场开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器及其修复方法 | |
CN202421683U (zh) | 一种tft阵列基板的中间产品、阵列基板及显示器件 | |
WO2017107951A1 (zh) | 液晶显示面板及其修复方法 | |
CN107093391A (zh) | 液晶显示面板的检测电路结构与液晶显示面板 | |
CN102331647B (zh) | 具有可修补导线的层叠结构的平面显示面板及其修补方法 | |
CN106653746B (zh) | 一种阵列基板和显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20180605 |