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CN106547143B - 显示基板的制作方法、显示基板及显示装置 - Google Patents

显示基板的制作方法、显示基板及显示装置 Download PDF

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CN106547143B CN201710060160.9A CN201710060160A CN106547143B CN 106547143 B CN106547143 B CN 106547143B CN 201710060160 A CN201710060160 A CN 201710060160A CN 106547143 B CN106547143 B CN 106547143B
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Abstract

一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置，该显示基板的制作方法包括通过掩模板对光刻胶层进行第一次曝光；将掩模板沿行方向移动至少一个第一节距和/或沿列方向移动至少一个第二节距后，通过掩模板对光刻胶层进行第二次曝光；对光刻胶层进行显影，以形成具有多个开口结构的图案。利用该显示基板的制作方法可以制作黑矩阵，即使制作黑矩阵的掩模板有污染或轻微损伤，也不会产生固定位置缺失的不良现象，可以很好的解决黑矩阵在像素区或边框区产生的漏光或亮点问题，从而有效减少了嫁动损失并提升了加工过程中黑矩阵的良率。

Description

显示基板的制作方法、显示基板及显示装置
技术领域
本发明至少一个实施例涉及一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置。
背景技术
在液晶显示装置行业中的彩膜基板的制备工艺中，一般在衬底基板上制作黑矩阵是第一道工序。黑矩阵可以有效遮断子像素之间的漏光，避免相连色层的混色，减少外界光反射，从而提高显示装置的对比度，并且黑矩阵还可以防止外界光线照射薄膜晶体管器件的有源层而增加漏电流。
发明内容
本发明的至少一实施例提供一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置。利用该显示基板的制作方法可以制作黑矩阵，即使制作黑矩阵的掩模板有污染或轻微损伤，也不会产生固定位置缺失(Common Defect)的不良现象，可以很好的解决黑矩阵在像素区或边框区产生漏光或亮点的问题，从而有效减少了嫁动损失并提升了加工过程中黑矩阵的良率，节约了成本，降低了风险。
本发明的至少一实施例提供一种显示基板的制作方法，该显示基板的制作方法包括在衬底基板上涂敷光刻胶层；通过掩模板对光刻胶层进行第一次曝光，其中，掩模板包括透光部以及多个遮光部，多个遮光部沿行方向和列方向排列成阵列，遮光部在行方向上排列的节距为第一节距，遮光部在列方向上排列的节距为第二节距；将掩模板沿行方向移动至少一个第一节距和/或沿列方向移动至少一个第二节距后，通过掩模板对光刻胶层进行第二次曝光；对光刻胶层进行显影，以形成具有多个开口结构的图案。
本发明的至少一实施例提供一种显示基板，利用本发明实施例所述的任一显示基板的制作方法制作而成。
本发明的至少一实施例提供一种显示装置，包括本发明实施例所述的任一显示基板。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1为一种显示基板中的黑矩阵的制作方法示意图；
图2a为本发明一实施例提供的显示基板的制作方法的具体步骤示意图；
图2b为本发明一实施例提供的显示基板中的黑矩阵的制作方法中的曝光过程示意图；
图3为本发明一实施例提供的掩模板上有异物时的曝光过程示意图；
图4a-4g为本发明另一实施例提供的黑矩阵的制作流程中各个工艺阶段的示意图。
附图标记：10-光刻胶层；11-开口结构；20-掩模板；21-透光部；22-遮光部；40-异物；41-异物图案；50-紫外光；100-光刻胶层；101-开口结构；1011-第一遮光区域；1012-第二遮光区域；200-掩模板；201-透光部；202-遮光部；300-衬底基板；400-异物；401-第一异物遮挡区；402-第二异物遮挡区；500-紫外光；600-黑色材料层；AA'-第一节距；BB'-第二节距。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
在彩膜基板的制作工艺中，一般在彩膜基板的衬底基板上先制作黑矩阵，制作黑矩阵的工艺主要包括三步：涂胶、曝光和显影。图1为一种显示基板中的黑矩阵的制作方法示意图，如图1所示，在衬底基板上涂敷黑色的光刻胶层10，采用紫外光50通过黑矩阵掩模板20对光刻胶层10进行照射。例如，该光刻胶层10为负性光刻胶层，处于曝光区域的小分子会变成大分子，聚合后不能被显影液溶解，因此经过显影后，处于曝光区域的光刻胶层10留在了衬底基板上，而处于非曝光区域的光刻胶层10被显影液溶解后被去除。黑矩阵掩模板20具有透光部21和阵列排布的多个遮光部22，紫外光50可以透过掩模板20中的透光部21，照射透光部21在光刻胶层10上的透光区域，因此该区域光刻胶层10被曝光而硬化，不会被显影液溶解；紫外光50被掩模板20中的遮光部22遮挡，不能照射到遮光部22在光刻胶层10上的遮光区域，该区域的光刻胶层10会被显影液溶解，然后被去除，从而形成与遮光部22在光刻胶层10上的遮挡区域完全重合的多个开口结构11，即形成黑矩阵中的开口结构图案。
在研究中，本申请人发现：在黑矩阵掩模板20的透光部21存在污染或轻微损伤时，会导致在曝光过程中，光刻胶层10应该被曝光的区域受到异物40的遮挡而没有被曝光，因此在显影过程中，被异物40遮挡的区域被显影液溶解，使得光刻胶层10上形成异物图案41，即产生固定位置缺失(Common Defect)的不良现象。当异物图案41位于像素区时，会导致像素区产生漏光现象，如图1所示；当异物图案位于边框区时，会导致边框区产生亮点。由于利用不良的黑矩阵掩模板制作的黑矩阵也会产生不良，因此会产生嫁动损失。而对于边框区产生的亮点问题，通常需要人工修补(Ink Repair)，浪费资源。
本发明的实施例提供一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置，该显示基板的制作方法包括在衬底基板上涂敷光刻胶层；通过掩模板对光刻胶层进行第一次曝光，其中，掩模板包括透光部以及多个遮光部，多个遮光部沿行方向和列方向排列成阵列，遮光部在行方向上排列的节距为第一节距，遮光部在列方向上排列的节距为第二节距；将掩模板沿行方向移动至少一个第一节距和/或沿列方向移动至少一个第二节距后，通过掩模板对光刻胶层进行第二次曝光；对光刻胶层进行显影，以形成具有多个开口结构的图案。利用该显示基板的制作方法可以制作黑矩阵，即使制作黑矩阵的掩模板有污染或轻微损伤，也不会产生固定位置缺失的不良现象，可以很好的解决黑矩阵在像素区或边框区产生的漏光或亮点问题，从而有效减少了嫁动损失并提升了加工过程中黑矩阵的良率，节约了成本，降低了风险。
下面结合附图对本发明实施例提供的显示基板的制作方法、显示基板及显示装置进行说明。
实施例一
图2a为显示基板制作方法的具体步骤示意图，图2b为显示基板中的黑矩阵的制作方法中的具体曝光过程示意图。如图2a和图2b所示，该制作方法包括以下步骤S101-S104。
S101：在衬底基板上涂敷一层光刻胶层100。
例如，衬底基板可以由玻璃、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种或多种材料制成，本实施例对此不作限制。
例如，在涂敷一层光刻胶层100前，将衬底基板洗净，例如干洗或湿洗，以提高衬底基板的密着力和浸润力。例如，清洗方法包括紫外清洗、超声波清洗等，本实施例不限于此。
例如，在衬底基板上可以采用旋转涂胶法涂敷一层薄而均匀，并且没有缺陷的光刻胶层100，本实施例不限于此，还可以采用其他涂敷方法。
例如，光刻胶由树脂、感光剂、溶剂以及添加剂组成，在曝光之前需对光刻胶层100进行前烘，使光刻胶层100中的溶剂蒸发，提高曝光后线条分辨率。烘后的光刻胶层100可以与衬底基板粘结的更加牢固。例如，正性光刻胶可以在空气中进行前烘，而负性光刻胶需在氮气环境中进行前烘。
例如，本实施例中以用于形成黑矩阵的光刻胶层100为负性光刻胶层为例进行描述，负性光刻胶被曝光的部分会因交联而硬化，不溶于显影液。例如负性光刻胶的材料可以为聚异戊二烯类聚合物等，本实施例不限于此。
S102：通过掩模板200对光刻胶层100进行第一次曝光。
例如，可以采用电子束、离子束、X射线和紫外线等照射光刻胶，本实施例不限于此，例如，紫外线可以为具有波长范围为200nm-400nm的普通紫外线，也可以为具有波长范围为10nm-14nm的极紫外线，本实施例对此不作限制。
如图2b所示，掩模板200包括透光部201以及多个遮光部202，多个遮光部202沿行方向和列方向排列成阵列，遮光部202在行方向上排列的节距为第一节距AA'，遮光部202在列方向上排列的节距为第二节距BB'。例如，第一节距AA'为沿X方向(即行方向)的相邻两个遮光部202之间的距离与一个遮光部202的尺寸之和；第二节距BB'为沿Y方向(即列方向)的相邻两个遮光部202之间的距离与一个遮光部202的尺寸之和。
如图2b所示，通过掩模板200对光刻胶层100进行第一次曝光。例如，紫外线500透过掩模板200的透光部201，照射到透光部201在光刻胶层100上的透光区域，使光刻胶层100中处于该部分曝光区域的小分子变成大分子，聚合后不能被显影液溶解；紫外线500被遮光部202遮挡，不能照射到遮光部202在光刻胶层100上的遮光区域，该区域的光刻胶在后续显影过程中会被显影液溶解。
对光刻胶层100进行第一次曝光时，多个遮光部202在光刻胶层100上的遮光区域包括多个第一遮光区域1011以及待形成的多个开口结构101两部分，即待形成的多个开口结构101与多个遮光部202的部分遮光部202在光刻胶层100上的遮光区域重合，并且第一遮光区域1011位于光刻胶层100上的待形成的多个开口结构101的一侧。如图2b所示，多个遮光部202在光刻胶层100上的遮光区域沿X方向比待形成的多个开口结构101多一排第一遮光区域1011，也就是说掩模板200中的多个遮光部202比一般的掩模板沿X方向多一排遮光部。本实施例不限于此，例如，可以是多个遮光部202在光刻胶层100上的遮光区域沿X方向比待形成的多个开口结构101多两排或更多排第一遮光区域1011，还可以是多个遮光部202在光刻胶层100上的遮光区域沿Y方向比待形成的多个开口结构101多至少一排第一遮光区域，或者多个遮光部202在光刻胶层100上的遮光区域沿X方向和Y方向比待形成的多个开口结构101多至少一排第一遮光区域等。需要说明的是，本实施例中的X方向和Y方向分别代表行方向和列方向。
如图2b所示，待形成的多个开口结构101用白色实线矩形框表示，第一遮光区域1011用透明虚线矩形框表示。需要说明的是，这里的第一遮光区域1011不会形成最终的开口结构，因此用透明虚线矩形框表示，后面提到的第二遮光区域1012也是如此。图2b只是示意性示例，实际的多个开口结构101周边的边框区的尺寸远比每个开口结构101的尺寸大。
例如，掩模板200中的遮光部202采用不透明树脂或不透明的金属材料制成。
S103：将掩模板200沿行方向移动至少一个第一节距AA'和/或沿列方向移动至少一个第二节距BB'后，通过掩模板200对光刻胶层100进行第二次曝光。
如图2b所示，对光刻胶层100进行第二次曝光时，多个遮光部202在光刻胶层100上的遮光区域包括多个第二遮光区域1012和待形成的多个开口结构101。图2b中的第二遮光区域1012用透明虚线矩形框表示，且第二遮光区域1012相对于第一遮光区域1011位于待形成的多个开口结构101的另一侧。本实施例以掩模板200沿X方向移动距离为一个第一节距AA'为例，即以掩模板200中的多个遮光部202在光刻胶层100上比待形成的多个开口结构101沿X方向多一排遮光区域为例进行说明，但本实施例不限于此。需要说明的是，掩模板200中的多个遮光部202在光刻胶层100上比待形成的多个开口结构101沿X方向和/或Y方向多N(N为整数)排遮光区域，则掩模板200沿X方向移动的距离为N(N为整数)个第一节距AA'和/或沿Y方向移动的距离为N(N为整数)个第二节距BB'。
例如，掩模板200移动的距离为第一节距AA'的整数倍和/或第二节距BB'的整数倍，本实施例对此不作限制，只需保证不影响后续形成的黑矩阵周围的边框区域的完整性即可。
例如，掩模板200沿X方向移动距离为一个第一节距AA'后，对光刻胶层100进行第二次曝光时，多个第一遮光区域1011处于透光部201在光刻胶层100上的透光区域，因此多个第一遮光区域1011所在区域被曝光，该区域的光刻胶因被曝光而硬化，不会被显影液溶解，在显影后不会形成真正的开口结构。同理，多个第二遮光区域1012所在区域的光刻胶层100在第一次曝光时已经被曝光，该区域的光刻胶因被曝光而硬化，不会被显影液溶解，在显影后也不会形成真正的开口结构。因此，经过两次曝光后，只有待形成的开口结构101没有被曝光过，最后经过显影可以形成真正的开口结构图案，即光刻胶层100的在第一次曝光和第二次曝光时均被遮挡的区域形成多个开口结构101，也就是在进行第一次曝光时多个遮光部202的部分遮光部202在光刻胶层100上的遮光区域与进行第二次曝光时多个遮光部202的部分遮光部202在光刻胶层100上的遮光区域完全重合。
例如，在曝光结束后需对光刻胶层100进行后烘，使光刻胶分子发生热运动，并使其中过曝光和欠曝光的分子重新分布。
S104：对光刻胶层100进行显影，以形成具有多个开口结构101的图案。
需要说明的是，本实例以形成彩膜基板中的黑矩阵为例进行描述，本实施例中的光刻胶层100为黑色光刻胶层，且形成的具有多个开口结构101的光刻胶层100为黑矩阵。例如，黑色光刻胶层100为掺入黑色颜料(主要是碳)的丙烯树脂，本实施例不限于此。
例如，光刻胶层100采用碱性显影液进行显影，例如碳酸氢钠(1％)，本实施例不限于此。
本实施例中，通过将掩模板200沿X方向移动至少一个第一节距AA'和/或沿Y方向移动至少一个第二节距BB'后，对光刻胶层100进行第二次曝光，即使掩模板200有污染或轻微损伤，也不会产生固定位置缺失的不良现象，即不会在应该是黑矩阵所在位置产生暗区域的白不良(Dark White)，从而有效减少了嫁动损失并提升了加工过程中黑矩阵的良率，节约了成本，降低了风险。
图3为本实施例中掩模板上有异物时的曝光过程示意图，如图3所示，当掩模板200上存在异物400时，在对光刻胶层100进行第一次曝光时，异物400在光刻胶层100上的遮挡区为第一异物遮挡区401；将掩模板200沿X方向移动距离为一个第一节距AA'后，通过掩模板200对光刻胶层100进行第二次曝光，异物400在光刻胶层100上的遮挡区为第二异物遮挡区402。这里的第一异物遮挡区401以及第二异物遮挡区402不会形成最终的异物图案，因此用透明虚线框表示。需要说明的是，图3只是示意性示例，还可以将掩模板200沿X方向移动多个第一节距AA'，和/或沿Y方向移动距离为至少一个第二节距BB'等，本实施例不限于此。
因为在掩模板200沿X方向移动距离为一个第一节距AA'后，第一异物遮挡区401处于透光部201在光刻胶层100上的透光区，因此在第二次曝光时，光刻胶层100上的第一异物遮挡区401所在位置会被曝光，该区域的光刻胶因被曝光而硬化，不会被显影液溶解，因此第一次曝光时的第一异物遮挡区401显影后不会成为亮点。同理，第二次曝光时的第二异物遮挡区402所在区域的光刻胶层100在第一次曝光时已经被曝光，该区域的光刻胶因被曝光而硬化，不会被显影液溶解，在显影后也不会成为亮点。因此，即使掩模板200上存在污染或轻微损伤，经过两次曝光后，掩模板200上的异物在光刻胶层100上也不会留下不良痕迹，从而提高了黑矩阵的良率，减少了嫁动损失。
例如，掩模板上存在两处异物，并且两处异物移动后完全重合时，采用本实施例提供的显示基板的制作方法制作的黑矩阵，会使得原本产生两处异物图案的情况改善为只产生一处异物图案，因此也会提升加工过程中黑矩阵的良率。
例如，一般黑矩阵的边框区产生的亮点需要人工修补(Ink Repair)，浪费资源。本实施例中的显示基板的制作方法可以解决边框区产生亮点引起的嫁动损失，从而节省了修补的步骤，提高了工作效率。
需要说明的是，图3以异物400产生的第一异物遮挡区401或第二异物遮挡区402位于黑矩阵的边框区域为例进行描述，采用该显示基板的制作方法制作的黑矩阵可以有效避免黑矩阵的边框区域产生亮点的现象。本实施例不限于此，例如，异物产生的异物图案还可能位于黑矩阵的像素区，因此，采用该显示基板的制作方法制作的黑矩阵可以很好的解决像素区产生漏光的问题，从而有效减少了嫁动损失并提升了加工过程中黑矩阵的良率。
例如，在形成黑矩阵之后，形成各色层。例如，形成红绿蓝(RGB)色层，色层的成分为聚合物、单体、溶剂、颜料、光起始剂、分散剂等，本实施例不限于此。
例如，在黑矩阵层图案上涂布一层R的着色感材，该R的着色感材为将R颜料分散在丙烯或环氧类可以进行紫外光硬化处理的树脂中，使用时以液体形式存在。对涂布好的R着色感材通过R掩模板(形成R像素层的掩模板)进行光刻处理，被曝光区域不能溶解于碱性显影液，例如，碳酸氢钠(1％)，本实施例不限于此。没有被曝光的区域不发生硬化，可以溶解于碱性显影液，然后被去除。经过显影后留下所需R色层图案。重复以上步骤，可以得到G色层图案和B色层图案。本实施例对形成各色层图案的顺序不作限定。
例如，在利用掩模板进行曝光以形成各色层图案的步骤中，根据不同形状及排列的像素区域的设计，可以使用同一个掩模板对三种色层曝光，也可以分别使用不同的掩模板对三种色层曝光，本实施例对此不作限制。
例如，在本实施例中，包括形成黑矩阵的步骤以及形成不同颜色的彩膜层的步骤，该方法可以制备彩膜基板。然而，根据本发明的实施例不限于此，黑矩阵也可以形成在阵列基板上，从而根据上述方法也可以制作具有黑矩阵的阵列基板。
例如，本实施例中以图案化形成具有多个开口结构的黑矩阵的制作方法为例进行描述，但本实施例不限于此，例如，还可以为通过该制作方法形成像素限定层等其他具有多个开口结构的图案层。
实施例二
与实施例一不同的是本实施例提供的在衬底基板上涂敷的光刻胶层可以不是黑色光刻胶层，而是作为掩模对黑色材料层进行刻蚀，以形成具有多个开口结构的黑矩阵。本实施例提供的显示基板的制作方法中，在衬底基板300上涂敷光刻胶层100之前，在衬底基板300上形成黑色材料层600。
图4a-图4g示出了本实施例提供的黑矩阵的制作流程中各个工艺阶段的示意图，图4a示出了清洗后的衬底基板300，图4b示出了在衬底基板300上形成黑色材料层600，例如，黑色材料层600包括铬金属等，本实施例不限于此。
如图4c所示，在黑色材料层600上涂覆一层光刻胶层100，例如，光刻胶层100可以为透明光刻胶，本实施例不限于此。
图4d-图4f示出了对光刻胶层100进行的两次曝光以及经过显影形成具有多个开口结构101的图案的过程与实施例一相同，这里不再赘述。
如图4g所示，以具有多个开口结构101的光刻胶层100作为掩模对黑色材料层600进行刻蚀，以形成具有多个开口结构101的黑矩阵。例如，可利用干刻或者湿刻的方法将黑色材料层600刻蚀出需要的图形。干刻例如包括等离子刻蚀，例如，采用干刻方法时，可采用等离子刻蚀在黑色材料层600上形成贯穿黑色材料层600的多个开口结构101。需要说明的是，在黑色材料层600上形成贯穿黑色材料层600的多个开口结构101的方法不限于上述列举的情形。
利用该显示基板的制作方法可以制作黑矩阵，即使制作黑矩阵的掩模板有污染或轻微损伤，也不会产生固定位置缺失的不良现象，可以很好的解决黑矩阵在像素区或边框区产生漏光或亮点的问题，从而有效减少了嫁动损失并提升了加工过程中黑矩阵的良率，节约了成本，降低了风险。
实施例三
本实施例提供一种显示基板，该显示基板利用本发明实施例所述的任一显示基板的制作方法制作而成
例如，显示基板可以为彩膜基板或阵列基板，本实施例对此不作限制。例如，该显示基板中形成的具有多个开口结构的光刻胶层可以为彩膜基板中的黑矩阵，也可以为有机发光二极管中的阵列基板中的像素限定层，本实施例对此不作限制。
该显示基板中的黑矩阵为利用本发明实施例所述的任一显示基板的制作方法制作而成。该黑矩阵具有较高的制作良率，不会产生固定位置缺失的不良现象，即在像素区以及边框区产生漏光以及亮点的几率较低。
实施例四
本实施例提供一种显示装置，包括本发明实施例所述的任一显示基板。该显示装置的像素区或边框区产生漏光或亮点的几率较低。该显示装置中的黑矩阵可以有效遮断子像素之间的漏光，避免相连色层的混色，减少外界光反射，从而提高该显示装置的对比度。
例如，该显示装置可以为液晶显示装置、电子纸、OLED(Organic Light-EmittingDiode，有机发光二极管)显示器等显示器件以及包括该显示装置的电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件，本实施例不限于此。
有以下几点需要说明：
(1)除非另作定义，本发明实施例以及附图中，同一标号代表同一含义。
(2)本发明实施例附图中，只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(3)为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或区域被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种显示基板的制作方法，包括：
在衬底基板上涂敷光刻胶层；
通过掩模板对所述光刻胶层进行第一次曝光，其中，所述掩模板包括透光部以及多个遮光部，所述多个遮光部沿行方向和列方向排列成阵列，所述遮光部在所述行方向上排列的节距为第一节距，所述遮光部在所述列方向上排列的节距为第二节距；
对所述光刻胶层进行显影，以形成具有多个开口结构的图案；
其特征在于，对所述光刻胶层进行显影前还包括：
将所述掩模板沿所述行方向移动至少一个所述第一节距和/或沿所述列方向移动至少一个所述第二节距后，通过所述掩模板对所述光刻胶层进行第二次曝光。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其中，所述光刻胶层在所述第一次曝光和所述第二次曝光时均被遮挡的区域形成所述多个开口结构。
3.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其中，所述多个开口结构与所述多个遮光部的部分遮光部在所述光刻胶层上的遮光区域重合。
4.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其中，所述显示基板为彩膜基板。
5.根据权利要求4所述的显示基板的制作方法，其中，所述光刻胶层为黑色光刻胶层，且形成的具有所述多个开口结构的所述黑色光刻胶层为黑矩阵。
6.根据权利要求4所述的显示基板的制作方法，还包括：
在所述衬底基板上涂敷所述光刻胶层之前，在所述衬底基板上形成黑色材料层。
7.根据权利要求6所述的显示基板的制作方法，其中，以具有所述多个开口结构的所述光刻胶层为掩模对所述黑色材料层进行刻蚀，以形成具有所述多个开口结构的黑矩阵。
8.根据权利要求6所述的显示基板的制作方法，其中，所述黑色材料层包括铬金属。
9.根据权利要求1-8任一项所述的显示基板的制作方法，其中，所述光刻胶层为负性光刻胶层。
10.根据权利要求1-8任一项所述的显示基板的制作方法，其中，所述掩模板沿所述行方向移动所述第一节距的整数倍和/或沿所述列方向移动所述第二节距的整数倍。
11.根据权利要求1-8任一项所述的显示基板的制作方法，其中，所述掩模板中的所述遮光部采用不透明树脂或不透明的金属材料制成。
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