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CN106299136B - 一种室温溶解碘化铅制备掺杂钙钛矿薄膜电池的方法 - Google Patents

一种室温溶解碘化铅制备掺杂钙钛矿薄膜电池的方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种室温溶解碘化铅制备掺杂钙钛矿薄膜电池的方法，电池结构从下至上依次为：1导电型衬底、2电子传输层、3掺杂钙钛矿吸收层、4空穴传输层、5顶电极。其中掺杂钙钛矿吸收层是首先将氯化铵和碘化铅按一定的摩尔比溶解在DMF溶剂中，室温下振荡2～3min，然后旋涂在基板上，再通过CVD反应沉积有机卤化物(MAI,FAI或MAI/FAI混合物)或溶液法旋涂有机卤化物。采用氯化铵辅助溶解碘化铅，制备钙钛矿薄膜电池，可以有效避免在旋涂过程中碘化铅难溶或容易析出结晶，以及在极性溶剂制备过程中的亚稳态，有利于薄膜的制备，钙钛矿形核生长，提高电池的转换效率。并且，可以在室温下制备大面积钙钛矿薄膜电池。

Description

一种室温溶解碘化铅制备掺杂钙钛矿薄膜电池的方法
技术领域
本发明涉及一种新型薄膜太阳能电池的制备方法，具体地说是一种室温溶解碘化铅制备掺杂钙钛矿薄膜电池的方法。
背景技术
随着石油、煤炭等不可再生能源的枯竭以及使用过程中产生的CO2、SiO2等气体和粉尘，造成全球温室效应、酸雨以及PM 2.5指数增加，严重影响到我们的身体健康，危害人类赖以生存的自然环境。开发利用可再生新能源，将是未来人类发展的主题，而太阳能直接将光转换成热、电等，对环境无污染，并且取之不尽，是解决全球能源危机，降低污染的重要途径。太阳能电池主要是将光转换成电，而目前硅基太阳能电池、薄膜电池等已经广泛应用，但是其性能和转换效率已趋近于极限，并且工艺复杂、制造成本较高，因此开发研究新型高效率低成本太阳能电池成为发展的目标。
近年来，有机/无机太阳能电池因其适宜的带隙宽度，载流子迁移率高，扩散长度大，载流子寿命较长，并且对光的吸收范围广，电荷分离效率高等特点，得到众多科研院所的关注和研究。通过掺杂、离子交换，退火处理等工艺优化，目前，钙钛矿电池已经取得了超过22％的转换效率。但是，对水汽敏感，稳定性差，重复性低依旧制约着其在实际中的应用。
发明内容
本发明旨在提供一种室温溶解碘化铅制备掺杂钙钛矿薄膜电池的方法，采用氯化铵作为添加剂，在室温下溶解碘化铅，同时对钙钛矿材料进行阴离子掺杂，有效的提高了碘化铅的溶解性及钙钛矿电池的转换效率和稳定性。
本发明室温溶解碘化铅制备掺杂钙钛矿薄膜电池的方法，包括如下步骤：
1、依次用清洁剂、丙酮、无水乙醇、去离子水对衬底进行超声清洗，然后将衬底用氮气吹干；所述衬底为透明导电玻璃，如FTO、ITO、AZO等；
2、在步骤1处理后的衬底上采用溶液旋涂或者磁控溅射或者ALD等方法沉积电子传输层TiO2薄膜；
3、在所述电子传输层上采用旋涂工艺沉积PbI2和NH4Cl的前驱溶液，获得PbI2薄膜；在所述PbI2薄膜上采用化学气相沉积或者溶液法沉积制备掺杂钙钛矿吸收层薄膜；
4、在所述掺杂钙钛矿吸收层薄膜上制备空穴传输层2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(Spiro-OMeTAD)；厚度控制在100nm左右。
5、在所述空穴传输层上采用电子束、热蒸发或磁控溅射工艺沉积Au或Ag薄膜作为顶电极，厚度控制在100-120nm。
步骤2中沉积电子传输层的方法如下：
在步骤1处理后的衬底上旋涂异丙氧基钛酸性溶液，在空气中于450℃烧结30min，然后浸泡在40mM的TiCl4溶液中，70℃处理30min，最后再次在450℃下烧结30min，得到致密的电子传输层TiO2薄膜。
所述异丙氧基钛酸性溶液的配制过程如下：将730μL异丙氧基钛(Ti{OCH(CH3)2}4)加入5mL乙醇中获得溶液A，将69μL、2M的HCl加入5mL乙醇中获得溶液B，将溶液A和溶液B混合均匀获得异丙氧基钛酸性溶液。
步骤3中掺杂钙钛矿吸收层薄膜的制备方法一如下：
在所述电子传输层上旋涂NH4Cl和PbI2的前驱溶液(NH4Cl和PbI2的摩尔比为0～3:1，溶剂为DMF)，得到PbI2薄膜，将所述PbI2薄膜作为反应物放置在双温区管式CVD炉的温区A，将FAI、MAI或FAI/MAI混合物(FAI和MAI的比例任意)放入坩埚中作为气相源，并置于双温区管式CVD炉的温区B；反应物的温度保持在100～120℃，气相源的温度保持在140～150℃，反应时间为60～120min，得到掺杂钙钛矿吸收层薄膜。
步骤3中掺杂钙钛矿吸收层薄膜的制备方法二如下：
在所述电子传输层上旋涂NH4Cl和PbI2的前驱溶液(NH4Cl和PbI2的摩尔比为0～3:1，溶剂为DMF)，得到PbI2薄膜，将FAI、MAI或FAI/MAI混合物溶解在异丙醇中得到反应溶液并旋涂在所述PbI2薄膜上，经过100℃退火30min得到掺杂钙钛矿吸收层薄膜。
步骤3中掺杂钙钛矿吸收层薄膜的制备方法三如下：
在所述电子传输层上旋涂NH4Cl和PbI2的前驱溶液(NH4Cl和PbI2的摩尔比为0～3:1，溶剂为DMF)，得到PbI2薄膜，将FAI、MAI或FAI/MAI混合物溶解在异丙醇中得到反应溶液，将所述PbI2薄膜放入反应溶液中浸泡0.5～3min，经过100℃退火30min得到掺杂钙钛矿吸收层薄膜。
所述掺杂钙钛矿吸收层薄膜的厚度控制在300～500nm。
本发明中NH4Cl和PbI2先形成络合物[x·NH4]+[PbI2Cl]-，再与FAI、MAI或者FAI/MAI混合物通过化学气相沉积或溶液反应生成掺杂钙钛矿薄膜CH3NH3PbI3-xClx，实现室温下溶解PbI2及掺杂Cl离子。其中FAI为甲脒碘HC(NH2)2I，MAI为碘甲胺CH3NH3I。
步骤4中制备空穴传输层的方法如下：
在所述掺杂钙钛矿吸收层薄膜上制备有机空穴传输层2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(Spiro-OMeTAD)层：①先将72.3mg的2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴的粉末溶解在1ml氯苯中；②将①中配好的溶液摇匀后，添加28μL的4-叔丁基吡啶；③将520mg的双三氟甲烷磺酰亚胺锂盐溶解在1ml的乙腈中；④取17.5μL③配制好的溶液滴加到②中，摇匀，放置10-12h；⑤旋涂④配好的Spiro-OMeTAD溶液到钙钛矿基片上，转速3500rpm，30s。
本发明的有益效果体现在：
本发明采用氯化铵和碘化铅按一定的摩尔比溶解在DMF溶剂中，室温下振荡2～3min，然后旋涂在基板上，再通过CVD反应或者溶液法沉积有机卤化物(MAI,FAI或MAI/FAI混合物)，可以显著提高碘化铅在溶剂中的溶解度，并将卤离子掺杂入钙钛矿中，有效的提高了钙钛矿材料电池的稳定性和电池转化效率；采用氯化铵掺杂，可以实现室温下、连续性、大面积钙钛矿薄膜沉积。
附图说明
图1是本发明掺杂钙钛矿薄膜电池的结构示意图。
图2为实施例1所得的钙钛矿薄膜电池的XRD图，从图2中可以看出NH4Cl中的Cl离子成功掺杂到钙钛矿中。
图3为实施例1所得的钙钛矿薄膜电池在AM 1.5 100mW/cm2标准光强照射下效率图。
具体实施方式
为使本发明的技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照图1，对本发明进一步详细说明。
实施例1：
本实施例中室温溶解碘化铅制备掺杂钙钛矿薄膜电池的方法如下：
1、依次用清洁剂、丙酮、无水乙醇、去离子水对衬底进行超声清洗，然后将衬底用氮气吹干；所述衬底为FTO透明导电玻璃，其方块电阻～15Ω/sq；
2、在步骤1处理后的衬底上旋涂异丙氧基钛酸性溶液，在空气中于450℃烧结30min，然后浸泡在40mM的TiCl4溶液中，70℃处理30min，最后再次在450℃下烧结30min，得到致密的电子传输层TiO2薄膜。
所述异丙氧基钛酸性溶液的配制过程如下：将730μL异丙氧基钛(Ti{OCH(CH3)2}4)加入5mL乙醇中获得溶液A，将69μL、2M的HCl加入5mL乙醇中获得溶液B，将溶液A和溶液B混合均匀获得异丙氧基钛酸性溶液。
3、在所述电子传输层上旋涂NH4Cl和PbI2的前驱溶液(NH4Cl和PbI2的摩尔比设置为0.25:1、0.5:1、0.75:1、1:1四种比例)，得到PbI2薄膜，将所述PbI2薄膜作为反应物放置在双温区管式CVD炉的温区A，将FAI/MAI混合物(FAI和MAI的质量比为0.2:1)放入坩埚中作为气相源，并置于双温区管式CVD炉的温区B；反应物的温度保持在100～120℃，气相源的温度保持在140～150℃，反应时间为60min，得到掺杂钙钛矿吸收层薄膜。掺杂钙钛矿吸收层薄膜在空气或手套箱中退火30min。
4、在所述掺杂钙钛矿吸收层薄膜上制备有机空穴传输层2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(Spiro-OMeTAD)层：①先将72.3mg的2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴的粉末溶解在1ml氯苯中；②将①中配好的溶液摇匀后，添加28μL的4-叔丁基吡啶；③将520mg的双三氟甲烷磺酰亚胺锂盐溶解在1ml的乙腈中；④取17.5μL③配制好的溶液滴加到②中，摇匀，放置10-12h；⑤旋涂④配好的Spiro-OMeTAD溶液到钙钛矿基片上，转速3500rpm，30s。
5、在所述空穴传输层上采用热蒸发工艺沉积Ag薄膜作为顶电极，厚度120nm。
实施例2：
1、依次用清洁剂、丙酮、无水乙醇、去离子水对衬底进行超声清洗，然后将衬底用氮气吹干；所述衬底为FTO透明导电玻璃，其方块电阻～15Ω/sq；
2、在步骤1处理后的衬底上旋涂异丙氧基钛酸性溶液，在空气中于450℃烧结30min，然后浸泡在40mM的TiCl4溶液中，70℃处理30min，最后再次在450℃下烧结30min，得到致密的电子传输层TiO2薄膜。
所述异丙氧基钛酸性溶液的配制过程如下：将730μL异丙氧基钛(Ti{OCH(CH3)2}4)加入5mL乙醇中获得溶液A，将69μL、2M的HCl加入5mL乙醇中获得溶液B，将溶液A和溶液B混合均匀获得异丙氧基钛酸性溶液。
3、在所述电子传输层上旋涂NH4Cl和PbI2的前驱溶液(NH4Cl和PbI2的摩尔比设置为0.25:1、0.5:1、0.75:1、1:1四种比例)，得到PbI2薄膜。
4、将FAI/MAI混合物(FAI和MAI的质量比为0.2:1)溶解在异丙醇中，形成反应溶液。旋涂在PbI2薄膜上，3000rpm，30s并在手套箱或者空气中于100℃下退火30min，形成掺杂钙钛矿吸收层薄膜。
5、在所述掺杂钙钛矿吸收层薄膜上制备有机空穴传输层2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(Spiro-OMeTAD)层：①先将72.3mg的2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴的粉末溶解在1ml氯苯中；②将①中配好的溶液摇匀后，添加28μL的4-叔丁基吡啶；③将520mg的双三氟甲烷磺酰亚胺锂盐溶解在1ml的乙腈中；④取17.5μL③配制好的溶液滴加到②中，摇匀，放置10-12h；⑤旋涂④配好的Spiro-OMeTAD溶液到钙钛矿基片上，转速3500rpm，30s。
6、在所述空穴传输层上采用热蒸发工艺沉积Ag薄膜作为顶电极，厚度120nm。
实施例3：
1、依次用清洁剂、丙酮、无水乙醇、去离子水对衬底进行超声清洗，然后将衬底用氮气吹干；所述衬底为FTO透明导电玻璃，其方块电阻～15Ω/sq；
2、在步骤1处理后的衬底上旋涂异丙氧基钛酸性溶液，在空气中于450℃烧结30min，然后浸泡在40mM的TiCl4溶液中，70℃处理30min，最后再次在450℃下烧结30min，得到致密的电子传输层TiO2薄膜。
所述异丙氧基钛酸性溶液的配制过程如下：将730μL异丙氧基钛(Ti{OCH(CH3)2}4)加入5mL乙醇中获得溶液A，将69μL、2M的HCl加入5mL乙醇中获得溶液B，将溶液A和溶液B混合均匀获得异丙氧基钛酸性溶液。
3、在所述电子传输层上旋涂NH4Cl和PbI2的前驱溶液(NH4Cl和PbI2的摩尔比设置为0.25:1、0.5:1、0.75:1、1:1四种比例)，得到PbI2薄膜。
4、将FAI/MAI混合物(FAI和MAI的质量比为0.2:1)溶解在异丙醇中，形成反应溶液。将PbI2薄膜放入反应溶液中浸泡0.5～3min，并在手套箱或者空气中于100℃下退火30min，形成掺杂钙钛矿吸收层薄膜。
5、在所述掺杂钙钛矿吸收层薄膜上制备有机空穴传输层2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(Spiro-OMeTAD)层：①先将72.3mg的2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴的粉末溶解在1ml氯苯中；②将①中配好的溶液摇匀后，添加28μL的4-叔丁基吡啶；③将520mg的双三氟甲烷磺酰亚胺锂盐溶解在1ml的乙腈中；④取17.5μL③配制好的溶液滴加到②中，摇匀，放置10-12h；⑤旋涂④配好的Spiro-OMeTAD溶液到钙钛矿基片上，转速3500rpm，30s。
6、在所述空穴传输层上采用热蒸发工艺沉积Ag薄膜作为顶电极，厚度120nm。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种室温溶解碘化铅制备掺杂钙钛矿薄膜电池的方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)依次用清洁剂、丙酮、无水乙醇、去离子水对衬底进行超声清洗，然后将衬底用氮气吹干；所述衬底为透明导电玻璃，选自FTO、ITO或AZO；
(2)在步骤(1)处理后的衬底上采用溶液旋涂或者磁控溅射或者ALD方法沉积电子传输层TiO2薄膜；
(3)在所述电子传输层上采用旋涂工艺沉积PbI2和NH4Cl的前驱溶液，获得PbI2薄膜；在所述PbI2薄膜上采用化学气相沉积或者溶液法沉积制备掺杂钙钛矿吸收层薄膜；
(4)在所述掺杂钙钛矿吸收层薄膜上制备空穴传输层2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴；
(5)在所述空穴传输层上采用电子束、热蒸发或磁控溅射工艺沉积Au或Ag薄膜作为顶电极。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(2)中沉积电子传输层的方法如下：
在步骤(1)处理后的衬底上旋涂异丙氧基钛酸性溶液，在空气中于450℃烧结30min，然后浸泡在40mM的TiCl4溶液中，70℃处理30min，最后再次在450℃下烧结30min，得到致密的电子传输层TiO2薄膜。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述异丙氧基钛酸性溶液的配制过程如下：
将730μL异丙氧基钛加入5mL乙醇中获得溶液A，将69μL、2M的HCl加入5mL乙醇中获得溶液B，将溶液A和溶液B混合均匀获得异丙氧基钛酸性溶液。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(3)中掺杂钙钛矿吸收层薄膜的制备方法如下：
在所述电子传输层上旋涂NH4Cl和PbI2的前驱溶液，得到PbI2薄膜，将所述PbI2薄膜作为反应物放置在双温区管式CVD炉的温区A，将甲脒碘、碘甲胺或甲脒碘/碘甲胺混合物放入坩埚中作为气相源，并置于双温区管式CVD炉的温区B；反应物的温度保持在100～120℃，气相源的温度保持在140～150℃，反应时间为60～120min，得到掺杂钙钛矿吸收层薄膜。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(3)中掺杂钙钛矿吸收层薄膜的制备方法如下：
在所述电子传输层上旋涂NH4Cl和PbI2的前驱溶液，得到PbI2薄膜，将甲脒碘、碘甲胺或甲脒碘/碘甲胺混合物溶解在异丙醇中得到反应溶液并旋涂在所述PbI2薄膜上，经过100℃退火30min得到掺杂钙钛矿吸收层薄膜。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(3)中掺杂钙钛矿吸收层薄膜的制备方法如下：
在所述电子传输层上旋涂NH4Cl和PbI2的前驱溶液，得到PbI2薄膜，将甲脒碘、碘甲胺或甲脒碘/碘甲胺混合物溶解在异丙醇中得到反应溶液，将所述PbI2薄膜放入反应溶液中浸泡0.5～3min，经过100℃退火30min得到掺杂钙钛矿吸收层薄膜。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述掺杂钙钛矿吸收层薄膜的厚度控制在300～500nm。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于步骤(4)中制备空穴传输层的方法如下：
①先将72.3mg的2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴的粉末溶解在1ml氯苯中；②将①中配好的溶液摇匀后，添加28μL的4-叔丁基吡啶；③将520mg的双三氟甲烷磺酰亚胺锂盐溶解在1ml的乙腈中；④取17.5μL③配制好的溶液滴加到②中，摇匀，放置10-12h；⑤旋涂④配好的溶液到钙钛矿基片上，转速3500rpm，30s。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106803538B (zh) * 2017-01-13 2019-08-23 浙江大学 垂直取向结构的二维有机-无机杂化钙钛矿薄膜材料
CN107033875B (zh) * 2017-05-11 2019-05-14 华南师范大学 气相辅助溶液法制备有机无机杂合纯溴基钙钛矿量子点的方法
CN108565342A (zh) * 2018-05-04 2018-09-21 湖北大学 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN109841703B (zh) * 2019-01-30 2021-06-11 暨南大学 一种全无机钙钛矿光电探测器及其制备方法
CN110854274B (zh) * 2019-11-22 2022-03-15 中南大学 一种钙钛矿薄膜的制备方法及其在太阳能电池中的应用
CN111009615B (zh) * 2019-12-24 2023-04-07 天合光能股份有限公司 甲基氯化胺掺杂蒸发法制备高质量钙钛矿层的方法
CN112520784B (zh) * 2020-12-11 2022-10-14 福建江夏学院 一种研磨制备NH4PbIxCl3-x钙钛矿光电材料的方法
CN114871254B (zh) * 2022-04-08 2023-02-28 西湖大学 一种废弃钙钛矿器件的碘化铅和基底的回收方法
CN115036422A (zh) * 2022-05-17 2022-09-09 南开大学 一种基于室温钙钛矿的柔性人工突触及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103956394A (zh) * 2014-05-13 2014-07-30 国家纳米科学中心 一种改善钙钛矿太阳电池吸光层性能的方法
CN105024012A (zh) * 2015-06-13 2015-11-04 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 一种制备高质量钙钛矿薄膜的新方法
CN105336856A (zh) * 2015-10-14 2016-02-17 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 一种制备钙钛矿薄膜的新方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103956394A (zh) * 2014-05-13 2014-07-30 国家纳米科学中心 一种改善钙钛矿太阳电池吸光层性能的方法
CN105024012A (zh) * 2015-06-13 2015-11-04 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 一种制备高质量钙钛矿薄膜的新方法
CN105336856A (zh) * 2015-10-14 2016-02-17 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 一种制备钙钛矿薄膜的新方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Chuantian Zuo and Liming Ding."An 80.11% FF record achieved for perovskite solar cells by using the NH4Cl additive".《Nanoscale》.2014,第6卷(第17期),9935-9938. *
Po-Wei Liang et al.."Additive Enhanced Crystallization of Solution-Processed Perovskite for Highly Efficient Planar-Heterojunction Solar Cells".《Adcanced Materials》.2014,第26卷(第22期),3748-3754. *
Yani Chen et al.."Non-Thermal Annealing Fabrication of Efficient Planar Perovskite Solar Cells with Inclusion of NH4Cl".《Chemistry of Materials》.2015,第27卷1448-1451. *

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