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CN106292084A - 像素结构及其制作方法 - Google Patents

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CN106292084A
CN106292084A CN201610741740.XA CN201610741740A CN106292084A CN 106292084 A CN106292084 A CN 106292084A CN 201610741740 A CN201610741740 A CN 201610741740A CN 106292084 A CN106292084 A CN 106292084A
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Abstract

本发明提供一种像素结构及其制作方法。本发明的像素结构，通过在一个像素结构中设置两个不相连接的像素电极，该两个像素电极分别通过各自的薄膜晶体管与两条数据线相连，正常显示时，两条数据线上分别施加不同电压，使两个像素电极上的电位不同，两个像素电极上不同的电位使靠近不同像素电极的液晶分子形成不同的极角，从而在液晶中形成多种极角的分布和存在，减小液晶沿不同方向相位差的差值，从而改善垂直配向型液晶显示器的视角和色偏。本发明的像素结构的制作方法，制程简单易操作，制得的像素结构在正常显示时，能够在液晶中形成多种极角的分布和存在，减小液晶沿不同方向相位差的差值，从而改善垂直配向型液晶显示器的视角和色偏。

Description

像素结构及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素结构及其制作方法。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
通常液晶显示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶体管(TFT，Thin FilmTransistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成。
然而，与阴极射线管显示器相比，薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的视角相对较窄，这就为其在对视角要求严格的高端显示领域的应用带来了很大局限，如航空航天、医疗等领域。随着LCD领域广视角技术的迅速发展，目前很多产品的视角已经可以达到水平视角和垂直视角分别为85°/85°，甚至更大的视角。
LCD广视角技术目前主要包括多畴垂直取向(Multi-domain VerticalAlignment，MVA)技术和面内转换(In Plane Switching，IPS)技术。MVA技术的优点是正面对比度高，通常可以达到4000:1及以上；IPS技术通过在薄膜晶体管阵列基板上形成平行且重复分布的像素电极和公用电极，使液晶分子在水平电场的作用下转动，从而形成广视角，但是其对比度相对较低，通常在2000:1以下。
如图1所示，为现有的一种垂直配向型液晶显示器的像素结构，其包括一薄膜晶体管100、及与该薄膜晶体管100电性连接的一像素电极200，该像素电极200由四个区域210构成，在该像素电极200的驱动下，对应该像素电极200的一个区域210中的液晶分子具有相同的极角(液晶分子的长轴方向与显示屏之间的夹角)，从不同的视角对显示屏进行观看时，由于液晶分子的双折射效应，在不同视角下看到同一液晶分子的折射率不同，因此接收到的光线的强度也不同，具体来讲，观察视角越大，看到的屏幕亮度越低，从而使得采用该像素结构的液晶显示器的视角特性较差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种像素结构，能够改善垂直配向型液晶显示器的视角和色偏。
本发明的目的还在于提供一种像素结构的制作方法，能够改善垂直配向型液晶显示器的视角和色偏。
为实现上述目的，本发明首先提供一种像素结构，包括衬底基板、设于所述衬底基板上的第一金属层、设于所述第一金属层及衬底基板上的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层上的半导体层、设于所述半导体层及第一绝缘层上的第二金属层、设于所述第二金属层、半导体层、及第一绝缘层上的第二绝缘层、及设于所述第二绝缘层上的透明导电层；
所述第一金属层包括扫描线；
所述半导体层包括间隔设置的第一有源层与第二有源层，所述第一有源层与第二有源层均对应于所述扫描线上方设置；
所述第二金属层包括第一数据线、连接于所述第一数据线一侧的第一源极、与所述第一源极间隔设置的第一漏极、第二数据线、连接于所述第二数据线一侧的第二源极、以及与所述第二源极间隔设置的第二漏极；
所述第一数据线与第二数据线分别与所述扫描线垂直相交叉；所述第一源极与第一漏极分别与所述第一有源层的两侧相接触；所述第二源极与第二漏极分别与所述第二有源层的两侧相接触；
所述透明导电层包括不相连接的第一像素电极与第二像素电极；
所述第二绝缘层上设有对应于所述第一漏极上方的第一通孔以及对应于所述第二漏极上方的第二通孔，所述第一像素电极通过所述第一通孔与所述第一漏极相接触；所述第二像素电极通过所述第二通孔与所述第二漏极相接触。
所述第一像素电极包括垂直相交的竖直主干电极和水平主干电极、以及由所述水平主干电极与所述竖直主干电极垂直相交所分成的四个像素电极区域，每个像素电极区域均包括与所述水平主干电极或所述竖直主干电极呈±45°或±135°夹角连接的数个第一条状分支电极，所述四个像素电极区域中的数个第一条状分支电极分别沿所述水平主干电极与所述竖直主干电极上下左右对称，形成“米”字型的像素电极结构。
所述第二像素电极包括位于所述第一像素电极外围的边框电极、以及分别连接于所述边框电极的数个第二条状分支电极，所述数个第二条状分支电极分布于所述第一像素电极的四个像素电极区域中，并且与每一像素电极区域的第一条状分支电极平行且交错设置。
所述边框电极包括平行于所述水平主干电极的第一水平电极与第二水平电极、以及平行于所述竖直主干电极的第一竖直电极与第二竖直电极；所述第一水平电极、第一竖直电极、第二水平电极、及第二竖直电极依次相连；所述第一水平电极靠近所述第一漏极与所述第二漏极设置；所述第一水平电极上设有一开口，所述第一像素电极的竖直主干电极从该开口中穿过，并分别与该开口两侧的第一水平电极及第二水平电极不相连接。
所述第一像素电极包括与所述竖直主干电极相连的第一连接电极，所述第一连接电极通过所述第一通孔与所述第一漏极相接触，使得第一像素电极与所述第一漏极电性连接；
所述第二像素电极包括与所述边框电极相连的第二连接电极，所述第二连接电极通过所述第二通孔与所述第二漏极相接触，使得第二像素电极与所述第二漏极电性连接。
本发明还提供一种像素结构的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成第一金属层，所述第一金属层包括扫描线；
步骤2、在所述第一金属层及衬底基板上形成第一绝缘层；
步骤3、在所述第一绝缘层上形成半导体层，所述半导体层包括间隔设置的第一有源层与第二有源层，所述第一有源层与第二有源层均对应于所述扫描线上方设置；
步骤4、在所述半导体层及第一绝缘层上形成第二金属层；
所述第二金属层包括第一数据线、连接于所述第一数据线一侧的第一源极、与所述第一源极间隔设置的第一漏极、第二数据线、连接于所述第二数据线一侧的第二源极、以及与所述第二源极间隔设置的第二漏极；
所述第一数据线与第二数据线分别与所述扫描线垂直相交叉；所述第一源极与第一漏极分别与所述第一有源层的两侧相接触；所述第二源极与第二漏极分别与所述第二有源层的两侧相接触；
步骤5、在所述第二金属层、半导体层、及第一绝缘层上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成对应于所述第一漏极上方的第一通孔以及对应于所述第二漏极上方的第二通孔；
步骤6、在所述第二绝缘层上形成透明导电层，所述透明导电层包括不相连接的第一像素电极与第二像素电极；
所述第一像素电极通过所述第一通孔与所述第一漏极相接触；所述第二像素电极通过所述第二通孔与所述第二漏极相接触。
所述第一像素电极包括垂直相交的竖直主干电极和水平主干电极、以及由所述水平主干电极与所述竖直主干电极垂直相交所分成的四个像素电极区域，每个像素电极区域均包括与所述水平主干电极或所述竖直主干电极呈±45°或±135°夹角连接的数个第一条状分支电极，所述四个像素电极区域中的数个第一条状分支电极分别沿所述水平主干电极与所述竖直主干电极上下左右对称，形成“米”字型的像素电极结构。
所述第二像素电极包括位于所述第一像素电极外围的边框电极、以及分别连接于所述边框电极的数个第二条状分支电极，所述数个第二条状分支电极分布于所述第一像素电极的四个像素电极区域中，并且与每一像素电极区域的第一条状分支电极平行且交错设置。
所述边框电极包括平行于所述水平主干电极的第一水平电极与第二水平电极、以及平行于所述竖直主干电极的第一竖直电极与第二竖直电极；所述第一水平电极、第一竖直电极、第二水平电极、及第二竖直电极依次相连；所述第一水平电极靠近所述第一漏极与所述第二漏极设置；所述第一水平电极上设有一开口，所述第一像素电极的竖直主干电极从该开口中穿过，并分别与该开口两侧的第一水平电极及第二水平电极不相连接。
所述第一像素电极包括与所述竖直主干电极相连的第一连接电极，所述第一连接电极通过所述第一通孔与所述第一漏极相接触，使得第一像素电极与所述第一漏极电性连接；
所述第二像素电极包括与所述边框电极相连的第二连接电极，所述第二连接电极通过所述第二通孔与所述第二漏极相接触，使得第二像素电极与所述第二漏极电性连接。
本发明的有益效果：本发明提供的一种像素结构，通过在一个像素结构中设置两个不相连接的像素电极，该两个像素电极分别通过各自的薄膜晶体管与两条数据线相连，正常显示时，两条数据线上分别施加不同电压，使两个像素电极上的电位不同，两个像素电极上不同的电位使靠近不同像素电极的液晶分子形成不同的极角，从而在液晶中形成多种极角的分布和存在，减小液晶沿不同方向相位差的差值，从而改善垂直配向型液晶显示器的视角和色偏。本发明提供的一种像素结构的制作方法，制程简单易操作，制得的像素结构在正常显示时，能够在液晶中形成多种极角的分布和存在，减小液晶沿不同方向相位差的差值，从而改善垂直配向型液晶显示器的视角和色偏。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有的一种垂直配向型液晶显示器的像素结构的俯视示意图；
图2为本发明的像素结构的俯视示意图；
图3为图2沿A-A线的剖视示意图；
图4为图2沿B-B线的剖视示意图；
图5为本发明的像素结构的第一金属层的俯视示意图；
图6为本发明的像素结构的第一绝缘层的俯视示意图；
图7为本发明的像素结构的半导体层的俯视示意图；
图8为本发明的像素结构的第二金属层的俯视示意图；
图9为本发明的像素结构的第二绝缘层的俯视示意图；
图10为本发明的像素结构的透明导电层的俯视示意图；
图11为本发明的像素结构的制作方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2-10，本发明提供一种像素结构，包括衬底基板10、设于所述衬底基板10上的第一金属层20、设于所述第一金属层20及衬底基板10上的第一绝缘层30、设于所述第一绝缘层30上的半导体层40、设于所述半导体层40及第一绝缘层30上的第二金属层50、设于所述第二金属层50、半导体层40、及第一绝缘层30上的第二绝缘层60、及设于所述第二绝缘层60上的透明导电层70；
如图5所示，所述第一金属层20包括扫描线21；
如图7所示，所述半导体层40包括间隔设置的第一有源层41与第二有源层42，所述第一有源层41与第二有源层42均对应于所述扫描线21上方设置；
如图8所示，所述第二金属层50包括第一数据线51、连接于所述第一数据线51一侧的第一源极52、与所述第一源极52间隔设置的第一漏极53、第二数据线54、连接于所述第二数据线54一侧的第二源极55、以及与所述第二源极55间隔设置的第二漏极56；
所述第一数据线51与第二数据线54分别与所述扫描线21垂直相交叉；所述第一源极52与第一漏极53分别与所述第一有源层41的两侧相接触；所述第二源极55与第二漏极56分别与所述第二有源层42的两侧相接触；
如图10所示，所述透明导电层70包括不相连接的第一像素电极71与第二像素电极72；
如图10与图2-4所示，所述第二绝缘层60上设有对应于所述第一漏极53上方的第一通孔61以及对应于所述第二漏极56上方的第二通孔62，所述第一像素电极71通过所述第一通孔61与所述第一漏极53相接触；所述第二像素电极72通过所述第二通孔62与所述第二漏极56相接触。
具体的，所述第一像素电极71包括垂直相交的竖直主干电极711和水平主干电极712、以及由所述水平主干电极712与所述竖直主干电极711垂直相交所分成的四个像素电极区域713，每个像素电极区域713均包括与所述水平主干电极712或所述竖直主干电极711呈±45°或±135°夹角连接的数个第一条状分支电极715，所述四个像素电极区域713中的数个第一条状分支电极715分别沿所述水平主干电极712与所述竖直主干电极711上下左右对称，形成“米”字型的像素电极结构。
具体的，所述第二像素电极72包括位于所述第一像素电极71外围的边框电极80、以及分别连接于所述边框电极80的数个第二条状分支电极725，所述数个第二条状分支电极725分布于所述第一像素电极71的四个像素电极区域713中，并且与每一像素电极区域713的第一条状分支电极715平行且交错设置。
具体的，所述边框电极80包括平行于所述水平主干电极712的第一水平电极81与第二水平电极82、以及平行于所述竖直主干电极711的第一竖直电极83与第二竖直电极84；所述第一水平电极81、第一竖直电极83、第二水平电极82、及第二竖直电极84依次相连；所述第一水平电极81靠近所述第一漏极53与所述第二漏极56设置；所述第一水平电极81上设有一开口815，所述第一像素电极71的竖直主干电极711从该开口815中穿过，并分别与该开口815两侧的第一水平电极81及第二水平电极82不相连接。
进一步的，所述第一像素电极71包括与所述竖直主干电极711相连的第一连接电极710，所述第一连接电极710通过所述第一通孔61与所述第一漏极53相接触，使得第一像素电极71与所述第一漏极53电性连接。
进一步的，所述第二像素电极72包括与所述边框电极80相连的第二连接电极720，所述第二连接电极720通过所述第二通孔62与所述第二漏极56相接触，使得第二像素电极72与所述第二漏极56电性连接。优选的，所述第二连接电极720连接至所述第一水平电极81。
具体的，所述衬底基板10为透明基板；优选的，所述衬底基板10为玻璃基板。
具体的，所述第一金属层20与所述第二金属层50的材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、及钛(Ti)中的至少一种。
具体的，所述半导体层40的材料包括非晶硅、多晶硅、及金属氧化物半导体材料中的至少一种；所述金属氧化物半导体材料可以为铟镓锌氧化物(IGZO)。
具体的，所述第一绝缘层30与第二绝缘层60的材料分别包括氧化硅(SiOx)与氮化硅(SiNx)中的至少一种。
具体的，所述第一像素电极71与第二像素电极72的材料均为透明导电金属氧化物，所述透明导电金属氧化物优选为氧化铟锡(ITO)。
上述像素结构，通过在一个像素结构中设置两个不相连接的像素电极，该两个像素电极分别通过各自的薄膜晶体管与两条数据线相连，正常显示时，两条数据线上分别施加不同电压，使两个像素电极上的电位不同，两个像素电极上不同的电位使靠近不同像素电极的液晶分子形成不同的极角，从而在液晶中形成多种极角的分布和存在，减小液晶沿不同方向相位差的差值，从而改善垂直配向型液晶显示器的视角和色偏。
请参阅图11，本发明还提供一种上述像素结构的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、如图5所示，提供衬底基板10，在所述衬底基板10上形成第一金属层20，所述第一金属层20包括扫描线21。
具体的，所述衬底基板10为透明基板；优选的，所述衬底基板10为玻璃基板。
具体的，所述第一金属层20的材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、及钛(Ti)中的至少一种。
步骤2、如图6所示，在所述第一金属层20及衬底基板10上形成第一绝缘层30。
具体的，所述第一绝缘层30的材料包括氧化硅与氮化硅中的至少一种。
步骤3、如图7所示，在所述第一绝缘层30上形成半导体层40，所述半导体层40包括间隔设置的第一有源层41与第二有源层42，如图2所示，所述第一有源层41与第二有源层42均对应于所述扫描线21上方设置。
具体的，所述半导体层40的材料包括非晶硅、多晶硅、及金属氧化物半导体材料中的至少一种；所述金属氧化物半导体材料可以为铟镓锌氧化物(IGZO)。
步骤4、如图8所示，在所述半导体层40及第一绝缘层30上形成第二金属层50；
所述第二金属层50包括第一数据线51、连接于所述第一数据线51一侧的第一源极52、与所述第一源极52间隔设置的第一漏极53、第二数据线54、连接于所述第二数据线54一侧的第二源极55、以及与所述第二源极55间隔设置的第二漏极56；
所述第一数据线51与第二数据线54分别与所述扫描线21垂直相交叉；所述第一源极52与第一漏极53分别与所述第一有源层41的两侧相接触；所述第二源极55与第二漏极56分别与所述第二有源层42的两侧相接触。
具体的，所述第二金属层50的材料包括钼、铝、铜、及钛中的至少一种。
步骤5、如图9所示，在所述第二金属层50、半导体层40、及第一绝缘层30上形成第二绝缘层60；
如图3-4所示，在所述第二绝缘层60上形成对应于所述第一漏极53上方的第一通孔61以及对应于所述第二漏极56上方的第二通孔62。
具体的，所述第二绝缘层60的材料包括氧化硅与氮化硅中的至少一种。
步骤6、如图10所示，在所述第二绝缘层60上形成透明导电层70，所述透明导电层70包括不相连接的第一像素电极71与第二像素电极72；
所述第一像素电极71通过所述第一通孔61与所述第一漏极53相接触；所述第二像素电极72通过所述第二通孔62与所述第二漏极56相接触。
具体的，所述第一像素电极71包括垂直相交的竖直主干电极711和水平主干电极712、以及由所述水平主干电极712与所述竖直主干电极711垂直相交所分成的四个像素电极区域713，每个像素电极区域713均包括与所述水平主干电极712或所述竖直主干电极711呈±45°或±135°夹角连接的数个第一条状分支电极715，所述四个像素电极区域713中的数个第一条状分支电极715分别沿所述水平主干电极712与所述竖直主干电极711上下左右对称，形成“米”字型的像素电极结构。
具体的，所述第二像素电极72包括位于所述第一像素电极71外围的边框电极80、以及分别连接于所述边框电极80的数个第二条状分支电极725，所述数个第二条状分支电极725分布于所述第一像素电极71的四个像素电极区域713中，并且与每一像素电极区域713的第一条状分支电极715平行且交错设置。
具体的，所述边框电极80包括平行于所述水平主干电极712的第一水平电极81与第二水平电极82、以及平行于所述竖直主干电极711的第一竖直电极83与第二竖直电极84；所述第一水平电极81、第一竖直电极83、第二水平电极82、及第二竖直电极84依次相连；所述第一水平电极81靠近所述第一漏极53与所述第二漏极56设置；所述第一水平电极81上设有一开口815，所述第一像素电极71的竖直主干电极711从该开口815中穿过，并分别与该开口815两侧的第一水平电极81及第二水平电极82不相连接。
进一步的，所述第一像素电极71包括与所述竖直主干电极711相连的第一连接电极710，所述第一连接电极710通过所述第一通孔61与所述第一漏极53相接触，使得第一像素电极71与所述第一漏极53电性连接。
进一步的，所述第二像素电极72包括与所述边框电极80相连的第二连接电极720，所述第二连接电极720通过所述第二通孔62与所述第二漏极56相接触，使得第二像素电极72与所述第二漏极56电性连接。优选的，所述第二连接电极720连接至所述第一水平电极81。
上述像素结构的制作方法，制程简单易操作，制得的像素结构在正常显示时，能够在液晶中形成多种极角的分布和存在，减小液晶沿不同方向相位差的差值，从而改善垂直配向型液晶显示器的视角和色偏。
综上所述，本发明提供一种像素结构及其制作方法。本发明的像素结构，通过在一个像素结构中设置两个不相连接的像素电极，该两个像素电极分别通过各自的薄膜晶体管与两条数据线相连，正常显示时，两条数据线上分别施加不同电压，使两个像素电极上的电位不同，两个像素电极上不同的电位使靠近不同像素电极的液晶分子形成不同的极角，从而在液晶中形成多种极角的分布和存在，减小液晶沿不同方向相位差的差值，从而改善垂直配向型液晶显示器的视角和色偏。本发明的像素结构的制作方法，制程简单易操作，制得的像素结构在正常显示时，能够在液晶中形成多种极角的分布和存在，减小液晶沿不同方向相位差的差值，从而改善垂直配向型液晶显示器的视角和色偏。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种像素结构，其特征在于，包括衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的第一金属层(20)、设于所述第一金属层(20)及衬底基板(10)上的第一绝缘层(30)、设于所述第一绝缘层(30)上的半导体层(40)、设于所述半导体层(40)及第一绝缘层(30)上的第二金属层(50)、设于所述第二金属层(50)、半导体层(40)、及第一绝缘层(30)上的第二绝缘层(60)、及设于所述第二绝缘层(60)上的透明导电层(70)；
所述第一金属层(20)包括扫描线(21)；
所述半导体层(40)包括间隔设置的第一有源层(41)与第二有源层(42)，所述第一有源层(41)与第二有源层(42)均对应于所述扫描线(21)上方设置；
所述第二金属层(50)包括第一数据线(51)、连接于所述第一数据线(51)一侧的第一源极(52)、与所述第一源极(52)间隔设置的第一漏极(53)、第二数据线(54)、连接于所述第二数据线(54)一侧的第二源极(55)、以及与所述第二源极(55)间隔设置的第二漏极(56)；
所述第一数据线(51)与第二数据线(54)分别与所述扫描线(21)垂直相交叉；所述第一源极(52)与第一漏极(53)分别与所述第一有源层(41)的两侧相接触；所述第二源极(55)与第二漏极(56)分别与所述第二有源层(42)的两侧相接触；
所述透明导电层(70)包括不相连接的第一像素电极(71)与第二像素电极(72)；
所述第二绝缘层(60)上设有对应于所述第一漏极(53)上方的第一通孔(61)以及对应于所述第二漏极(56)上方的第二通孔(62)，所述第一像素电极(71)通过所述第一通孔(61)与所述第一漏极(53)相接触；所述第二像素电极(72)通过所述第二通孔(62)与所述第二漏极(56)相接触。
2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一像素电极(71)包括垂直相交的竖直主干电极(711)和水平主干电极(712)、以及由所述水平主干电极(712)与所述竖直主干电极(711)垂直相交所分成的四个像素电极区域(713)，每个像素电极区域(713)均包括与所述水平主干电极(712)或所述竖直主干电极(711)呈±45°或±135°夹角连接的数个第一条状分支电极(715)，所述四个像素电极区域(713)中的数个第一条状分支电极(715)分别沿所述水平主干电极(712)与所述竖直主干电极(711)上下左右对称，形成“米”字型的像素电极结构。
3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第二像素电极(72)包括位于所述第一像素电极(71)外围的边框电极(80)、以及分别连接于所述边框电极(80)的数个第二条状分支电极(725)，所述数个第二条状分支电极(725)分布于所述第一像素电极(71)的四个像素电极区域(713)中，并且与每一像素电极区域(713)的第一条状分支电极(715)平行且交错设置。
4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述边框电极(80)包括平行于所述水平主干电极(712)的第一水平电极(81)与第二水平电极(82)、以及平行于所述竖直主干电极(711)的第一竖直电极(83)与第二竖直电极(84)；所述第一水平电极(81)、第一竖直电极(83)、第二水平电极(82)、及第二竖直电极(84)依次相连；所述第一水平电极(81)靠近所述第一漏极(53)与所述第二漏极(56)设置；所述第一水平电极(81)上设有一开口(815)，所述第一像素电极(71)的竖直主干电极(711)从该开口(815)中穿过，并分别与该开口(815)两侧的第一水平电极(81)及第二水平电极(82)不相连接。
5.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述第一像素电极(71)包括与所述竖直主干电极(711)相连的第一连接电极(710)，所述第一连接电极(710)通过所述第一通孔(61)与所述第一漏极(53)相接触，使得第一像素电极(71)与所述第一漏极(53)电性连接；
所述第二像素电极(72)包括与所述边框电极(80)相连的第二连接电极(720)，所述第二连接电极(720)通过所述第二通孔(62)与所述第二漏极(56)相接触，使得第二像素电极(72)与所述第二漏极(56)电性连接。
6.一种像素结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成第一金属层(20)，所述第一金属层(20)包括扫描线(21)；
步骤2、在所述第一金属层(20)及衬底基板(10)上形成第一绝缘层(30)；
步骤3、在所述第一绝缘层(30)上形成半导体层(40)，所述半导体层(40)包括间隔设置的第一有源层(41)与第二有源层(42)，所述第一有源层(41)与第二有源层(42)均对应于所述扫描线(21)上方设置；
步骤4、在所述半导体层(40)及第一绝缘层(30)上形成第二金属层(50)；
所述第二金属层(50)包括第一数据线(51)、连接于所述第一数据线(51)一侧的第一源极(52)、与所述第一源极(52)间隔设置的第一漏极(53)、第二数据线(54)、连接于所述第二数据线(54)一侧的第二源极(55)、以及与所述第二源极(55)间隔设置的第二漏极(56)；
所述第一数据线(51)与第二数据线(54)分别与所述扫描线(21)垂直相交叉；所述第一源极(52)与第一漏极(53)分别与所述第一有源层(41)的两侧相接触；所述第二源极(55)与第二漏极(56)分别与所述第二有源层(42)的两侧相接触；
步骤5、在所述第二金属层(50)、半导体层(40)、及第一绝缘层(30)上形成第二绝缘层(60)；
在所述第二绝缘层(60)上形成对应于所述第一漏极(53)上方的第一通孔(61)以及对应于所述第二漏极(56)上方的第二通孔(62)；
步骤6、在所述第二绝缘层(60)上形成透明导电层(70)，所述透明导电层(70)包括不相连接的第一像素电极(71)与第二像素电极(72)；
所述第一像素电极(71)通过所述第一通孔(61)与所述第一漏极(53)相接触；所述第二像素电极(72)通过所述第二通孔(62)与所述第二漏极(56)相接触。
7.如权利要求6所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述第一像素电极(71)包括垂直相交的竖直主干电极(711)和水平主干电极(712)、以及由所述水平主干电极(712)与所述竖直主干电极(711)垂直相交所分成的四个像素电极区域(713)，每个像素电极区域(713)均包括与所述水平主干电极(712)或所述竖直主干电极(711)呈±45°或±135°夹角连接的数个第一条状分支电极(715)，所述四个像素电极区域(713)中的数个第一条状分支电极(715)分别沿所述水平主干电极(712)与所述竖直主干电极(711)上下左右对称，形成“米”字型的像素电极结构。
8.如权利要求7所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述第二像素电极(72)包括位于所述第一像素电极(71)外围的边框电极(80)、以及分别连接于所述边框电极(80)的数个第二条状分支电极(725)，所述数个第二条状分支电极(725)分布于所述第一像素电极(71)的四个像素电极区域(713)中，并且与每一像素电极区域(713)的第一条状分支电极(715)平行且交错设置。
9.如权利要求8所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述边框电极(80)包括平行于所述水平主干电极(712)的第一水平电极(81)与第二水平电极(82)、以及平行于所述竖直主干电极(711)的第一竖直电极(83)与第二竖直电极(84)；所述第一水平电极(81)、第一竖直电极(83)、第二水平电极(82)、及第二竖直电极(84)依次相连；所述第一水平电极(81)靠近所述第一漏极(53)与所述第二漏极(56)设置；所述第一水平电极(81)上设有一开口(815)，所述第一像素电极(71)的竖直主干电极(711)从该开口(815)中穿过，并分别与该开口(815)两侧的第一水平电极(81)及第二水平电极(82)不相连接。
10.如权利要求8所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述第一像素电极(71)包括与所述竖直主干电极(711)相连的第一连接电极(710)，所述第一连接电极(710)通过所述第一通孔(61)与所述第一漏极(53)相接触，使得第一像素电极(71)与所述第一漏极(53)电性连接；
所述第二像素电极(72)包括与所述边框电极(80)相连的第二连接电极(720)，所述第二连接电极(720)通过所述第二通孔(62)与所述第二漏极(56)相接触，使得第二像素电极(72)与所述第二漏极(56)电性连接。
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