CN106206987A - 基板及其制造方法以及显示装置及其制造方法 - Google Patents
基板及其制造方法以及显示装置及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106206987A CN106206987A CN201610720891.7A CN201610720891A CN106206987A CN 106206987 A CN106206987 A CN 106206987A CN 201610720891 A CN201610720891 A CN 201610720891A CN 106206987 A CN106206987 A CN 106206987A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- area
- region
- adhesive
- substrate
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 145
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 117
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 116
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- -1 O 2 Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
- B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
- B32B3/30—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by a layer formed with recesses or projections, e.g. hollows, grooves, protuberances, ribs
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8423—Metallic sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
- B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
- B32B2457/206—Organic displays, e.g. OLED
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
- Y10T428/24612—Composite web or sheet
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明涉及一种基板及其制造方法以及显示装置及其制造方法。该基板包括:衬底基板,所述衬底基板至少包括粘合区和邻近所述粘合区的对准区;设置在所述衬底基板上的覆盖层,所述覆盖层的位于所述粘合区的部分包括粘合剂设置区和位于所述粘合剂设置区两侧的非粘合剂设置区,其特征在于,所述覆盖层的所述粘合剂设置区的顶部具有凹槽。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域。更具体地,涉及一种基板及其制造方法以及显示装置及其制造方法。
背景技术
随着显示技术的急速进步,作为显示装置核心的半导体元件技术也随之得到了飞跃性的进步。对于现有的显示装置而言,有机发光二极管(Organic Light EmittingDiode,OLED)作为一种电流型发光器件,因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
OLED按驱动方式可分为无源矩阵驱动有机发光二极管(Passive Matrix DrivingOLED,PMOLED)和有源矩阵驱动有机发光二极管(Active Matrix Driving OLED,AMOLED)两种。由于AMOLED显示器具有低制造成本、高应答速度、省电、可用于便携式设备的直流驱动、工作温度范围大等等优点而可望成为取代液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)的下一代新型平面显示器。在现有的AMOLED显示面板中,每个OLED均包括多个TFT(Thin FilmTransistor,薄膜晶体管)开关电路。其中,低温多晶硅(Low Temperature Poly Silicon)TFT由于其具有优越的静态电学特性,已经被作为一种重要的电子器件在液晶显示、矩阵图像传感器等方面得到广泛的应用。
但OLED器件的发光层对大气中的污染物、O2、水等十分敏感,OLED器件的封装技术直接影响到OLED器件的稳定性和寿命,而现有技术的封装效果不理想。
在现有的OLED的封装工艺中,一般根据面板具体图形要求,在盖板玻璃上涂布玻璃料(Frit胶)。然后用背板玻璃与盖板玻璃对位进行贴合,用激光对Frit胶区域进行照射,使其熔融,并将背板玻璃以及盖板玻璃密封起来。由于封装内外的气压差异较大,未完全固化的玻璃料很容易受到气压的影响而发生形变,严重者会在薄弱处产生穿孔,造成漏气。形变发生后,即使完成激光固化后,也较易发生信赖性问题,或对产品寿命造成不利影响。
发明内容
本发明的实施例提供一种基板及其制造方法和显示装置及其制造方法,能够解决现有技术中的密封效果不好、信赖性较差的问题。
本发明的一个目的在于提供一种基板。
本发明的第一方面提供了一种基板,所述基板包括:衬底基板,所述衬底基板至少包括粘合区和邻近所述粘合区的对准区;设置在所述衬底基板上的覆盖层,所述覆盖层的位于所述粘合区的部分包括粘合剂设置区和位于所述粘合剂设置区两侧的非粘合剂设置区,其特征在于,所述覆盖层的所述粘合剂设置区的顶部具有凹槽。
在一个实施例中,所述凹槽的宽度不小于5μm。
在一个实施例中,所述凹槽在所述衬底基板上的投影面积不超过所述粘合剂设置区在所述衬底基板上的投影面积的50%。
在一个实施例中,所述粘合剂设置区包括第一区域、第二区域和第三区域,其中所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间,并且其中,所述第二区域中的凹槽的深度大于所述第一区域和所述第三区域中的凹槽的深度。
在一个实施例中,所述第二区域相对于所述粘合剂设置区的比例的范围为1%~99%。
在一个实施例中,所述凹槽的深度相对于所述覆盖层厚度的比例范围为1%~99%。
在一个实施例中,所述基板进一步包括设置在所述衬底基板和所述覆盖层之间的第一凸起和第二凸起,并且其中,所述第一凸起和所述第二凸起位于所述粘合区中并且位于所述粘合剂设置区的两侧。
在一个实施例中,所述基板进一步包括位于所述衬底基板和所述覆盖层之间的第三凸起,其中,所述第三凸起位于所述对准区中,并且其中,所述第一凸起、所述第二凸起和所述第三凸起包括金属。
在一个实施例中,所述覆盖层包括下列的至少一种:氧化硅、氮化硅以及其组合;
所述衬底基板包括玻璃基板。
在一个实施例中,所述覆盖层的厚度范围在500-2000埃之间。
本发明的另一个目的在于提供一种显示装置。
本发明的第二个方面提供了一种显示装置,所述显示装置包括如上所述的基板。
本发明的又一个目的在于提供一种基板的制造方法。
本发明的第三方面提供了一种基板的制造方法,包括:提供至少包括粘合区和邻近所述粘合区的对准区的衬底基板;在所述衬底基板上形成覆盖层,所述覆盖层位于所述粘合区的部分包括粘合剂设置区和位于所述粘合剂设置区两侧的非粘合剂设置区,其特征在于,所述方法还包括在所述覆盖层的所述粘合剂设置区的顶部上形成凹槽。
在一个实施例中,所述粘合剂设置区包括第一区域、第二区域和第三区域,其中所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间,并且其中,
形成所述凹槽包括将所述凹槽形成为所述第二区域中的凹槽的深度大于所述第一区域和所述第三区域中的凹槽的深度。
在一个实施例中,形成所述凹槽包括:
在所述覆盖层上形成光刻胶;
进行曝光处理和显影处理以在所述光刻胶上形成孔槽,其中,所述曝光处理是采用具有第一区、第二区和第三区的掩模来进行的,所述第一区的透光率大于所述第二区的透光率,且所述第二区的透光率大于所述第三区的透光率,并且其中,
在所述掩模的对应于所述第一区域和所述第三区域的部分中设置有交替排列的所述第二区和所述第三区,以在所述光刻胶的对应于所述第一区域和所述第三区域的区域中分别形成第一孔槽和第三孔槽,
在所述掩模的对应于所述第二区域的部分中设置有交替排列的所述第一区和所述第三区,以在所述光刻胶的对应于所述第二区域的区域中形成第二孔槽,
其中,所述第二孔槽的深度大于所述第一孔槽和所述第二孔槽的深度;
进行刻蚀,以穿过所述光刻胶在所述覆盖层的所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中形成所述凹槽;
去除所述光刻胶。
在一个实施例中,所述掩模包括半色调掩模。
在一个实施例中,所述第二区域占所述粘合剂设置区的比例为1%~99%。
在一个实施例中,所述凹槽的宽度不小于5μm,并且其中,所述凹槽的深度相对于覆盖层厚度的比例范围为1%~99%。
在一个实施例中,所述基板的制造方法进一步包括:在形成所述覆盖层之前,在所述衬底基板上形成金属层;
对所述金属层进行构图,以形成第一凸起、第二凸起和第三凸起,其中,所述第一凸起和所述第二凸起位于所述粘合区中并且位于所述粘合剂设置区的两侧,且所述第三凸起位于所述对准区中。
本发明的再一个目的在于提供一种显示装置的制造方法。
本发明的第四方面提供了一种显示装置的制造方法,其中,所述显示装置的制造方法包括如上所述的基板的制造方法。
本发明的实施例提供的基板及其制造方法和显示装置及其制造方法,具有至少包括粘合区和邻近所述粘合区的对准区的基板,设置在所述衬底基板上的覆盖层,所述覆盖层的位于所述粘合区的部分包括粘合剂设置区和位于所述粘合剂设置区两侧的非粘合剂设置区,其中,所述覆盖层的所述粘合剂设置区的顶部具有凹槽,能够增加粘合剂与覆盖层的接触面积,起到锚定效果,从而可以增强粘合剂对基板的附着能力。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的实施例的技术方案,下面将对实施例的附图进行简要说明,应当知道,以下描述的附图仅仅涉及本发明的一些实施例,而非对本发明的限制,其中:
图1为根据本发明的实施例的基板的示意图;
图2为根据本发明的实施例的基板的示意图;
图3为根据本发明的实施例的基板的示意图;
图4为根据本发明的实施例的基板的示意图;
图5为根据本发明的实施例的基板的俯视图;
图6为根据本发明的实施例的基板的制造方法的流程图;
图7为根据本发明的实施例的基板的制造方法的流程图;
图8(a)为根据本发明的实施例的形成第一凸起、第二凸起和第三凸起的方法的流程图;
图8(b)为根据本发明的实施例的形成覆盖层的方法的流程图;
图9为根据本发明的实施例的基板的制造方法的流程图;
图10(a)为根据本发明的实施例的基板的制造方法的示意图;
图10(b)为根据本发明的实施例的基板的制造方法的进一步示意图;
图10(c)为根据本发明的实施例的基板的制造方法的进一步示意图;
图10(d)为根据本发明的实施例的基板的制造方法的进一步示意图;
图10(e)为根据本发明的实施例的基板的制造方法的进一步示意图。
具体实施方式
为了使本发明的实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将接合附图,对本发明的实施例的技术方案进行清楚、完整的描述。显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例,本领域技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,也都属于本发明保护的范围。
当介绍本发明的元素及其实施例时,冠词“一”、“一个”、“该”和“所述”旨在表示存在一个或者多个要素。用语“包含”、“包括”、“含有”和“具有”旨在包括性的并且表示可以存在除所列要素之外的另外的要素。
出于下文表面描述的目的,如其在附图中被标定方向那样,术语“上”、“下”、“左”、“右”“垂直”、“水平”、“顶”、“底”及其派生词应涉及发明。术语“上覆”、“在……顶上”、“定位在……上”或者“定位在……顶上”意味着诸如第一结构的第一要素存在于诸如第二结构的第二要素上,其中,在第一要素和第二要素之间可存在诸如界面结构的中间要素。术语“接触”意味着连接诸如第一结构的第一要素和诸如第二结构的第二要素,而在两个要素的界面处可以有或者没有其它要素。
图1为根据本发明的实施例的基板的示意图。如图1所示,基板包括:衬底基板1,该衬底基板1至少包括粘合区R1和邻近粘合区R1的对准区R2;设置在衬底基板1上的覆盖层2,该覆盖层的位于粘合区R1的部分包括粘合剂设置区RA1和位于粘合剂设置区RA1两侧的非粘合剂设置区RA2,其中,覆盖层2的粘合剂设置区RA1的顶部具有凹槽3。
通过在覆盖层的粘合剂设置区的顶部中设置凹槽,可以增加后续使用的粘合剂与覆盖层的接触面积,起到锚定效果,从而可以增强粘合剂对基板的附着能力。
需要说明,图1中以凹槽的截面形状为圆形做示例性说明。也可以根据实际需要,来设置凹槽的形状。例如,凹槽的截面形状可以包括圆形、椭圆形、方形中的至少一种。
在一个实施例中,凹槽的宽度可以不小于5μm,从而能获得更好的锚定效果。可以理解的是,这里所述的“凹槽的宽度”是指凹槽在衬底基板上的投影的任两点之间的最大距离。在一个实施例中,为了防止覆盖层的强度受到不利影响,可以将凹槽在衬底基板上的投影面积设置为不超过粘合剂设置区在衬底基板上的投影面积的50%。凹槽的深度可以相同,也可以不同。
图2为根据本发明的实施例的基板的示意图。如图2所示,粘合剂设置区RA1包括第一区域RA11、第二区域RA12和第三区域RA13,其中,第二区域RA12位于第一区域RA11和第三区域RA13之间,并且其中,第二区域中RA12的凹槽的深度大于第一区域RA11和第三区域RA13中的凹槽的深度。即,粘合剂设置区为中间深凹槽、两边浅凹槽的结构。换而言之,第一区域RA11和第三区域RA13为浅凹槽区域,第二区域RA12为深凹槽区域。
图2所示的实施例的结构可以增大粘合剂和覆盖层的接触面积,并且通过锚定作用强化诸如玻璃料的粘合剂对于基板的附着能力。以下以粘合剂为玻璃料(Frit)为例进行示例性说明。在未进行激光照射前,覆盖层的凹凸不平的表面通过增加接触面积和凹槽中的玻璃料部分来强化玻璃料与基板的固定能力。在激光照射时,熔融状态的玻璃料在压力的作用下填满孔中,在中间深两旁浅的凹槽分布下,可以尽可能的减少由于玻璃料中的颗粒(particle)等造成的不利影响,即使边缘浅孔区域的玻璃料被颗粒等顶起而产生微小漏缝,中间深孔区域的玻璃料会受到较小的影响,从而继续保持封装玻璃的密封性。
图2中以第一区域RA11和第三区域RA13中的凹槽的深度基本上相同为示例,然而,第一区域RA11和第三区域RA13中的凹槽的深度也可以不同。图2中以凹槽的底部没有达到衬底基板的上表面为示例,然而,也可以根据实际需要,将凹槽设置为凹槽的底部到达衬底基板的上表面。
在一个实施例中,第二区域RA12相对于粘合剂设置区RA的比例的范围为1%~99%(例如,比例范围可以为30%~50%)。凹槽的深度相对于覆盖层厚度的比例范围为1%~99%。考虑到覆盖层与衬底基板的附着性,在一个实施例中,凹槽的深度不超过覆盖层厚度的50%。
图3为根据本发明的实施例的基板的示意图。如图3所述,基板还包括设置在衬底基板1和覆盖层2之间的第一凸起4和第二凸起5,并且其中,第一凸起4和第二凸5起位于粘合区R1中并且位于粘合剂设置区RA1的两侧。
在粘合剂设置区RA1两侧形成不连续凸起(例如,金属凸起区),能够对诸如玻璃料的粘合剂进行进一步的固着及位置限定。以下以粘合剂为玻璃料进行示例性说明。由于玻璃料本身在进行激光照射固化前,与基板的粘附并非足够牢固,因此该凸起区能起到类似卡位的作用,增加其固着效果;同时,在增加了凸起区之后,在激光照射过程中,凸起会对处于融化状态的玻璃料外流起到一定的限制作用,从而减少由于玻璃料流到粘合剂设置区之外的区域而造成产品不良。
图4为根据本发明的实施例的基板的示意图。不同于图3中的基板,图4中的基板进一步包括位于衬底基板1和覆盖层2之间的第三凸起6,其中,该第三凸起位6于对准区R2中。在一个实施例中,第一凸起4、第二凸起5和第三凸起6包括金属。该第三凸起可被用作不同基板对盒工艺中的对位标记。
图5为根据本发明的实施例的基板的俯视图。如图5所示,粘合剂设置区RA1包括第一区域RA11、第二区域RA12和第三区域RA13,其中第二区域RA12位于第一区域RA11和第三区域RA13之间。位于粘合剂设置区中的凹槽包括深度不同的凹槽。即,在图5中,第一区域RA11、第二区域RA12和第三区域RA13中的凹槽的深度不同。第二区域RA12中的凹槽32的深度大于第一区域RA11中的凹槽31的深度,并且第二区域RA12中的凹槽32的深度也大于第三区域RA13中的凹槽33的深度。
需要说明,图5以凹槽在衬底基板的投影为圆形为例做实例性说明。凹槽在衬底基板上的投影的形状可以包括圆形、椭圆形、方形中的至少一种。凹槽可以是如图5所示的规则排列,也可以非规则排列。
衬底基板包括但不限制于玻璃基板。覆盖层包括下列的至少一种:氧化硅、氮化硅以及其组合。然而,也可以根据需要,将覆盖层设置为包括其它材料。在一个实施例中,覆盖层的厚度范围在500-2000埃之间。若覆盖层过厚,则会增加制造成本。
本发明的另一方面提供了一种基板的制造方法,包括:提供至少包括粘合区和邻近所述粘合区的对准区的衬底基板;在所述衬底基板上形成覆盖层,所述覆盖层位于所述粘合区的部分包括粘合剂设置区和位于所述粘合剂设置区两侧的非粘合剂设置区,其中,该基板的制造方法还包括在所述覆盖层的所述粘合剂设置区的顶部上形成凹槽。
图6为根据本发明的实施例的基板的制造方法的流程图。如图6所示,该基板的制造方法包括:
S1.提供至少包括粘合区和邻近粘合区的对准区的衬底基板;
S3.在衬底基板上形成覆盖层,该覆盖层位于粘合区的部分包括粘合剂设置区和位于粘合剂设置区两侧的非粘合剂设置区,其中,覆盖层的粘合剂设置区的顶部具有凹槽。
粘合剂设置区可以包括第一区域、第二区域和第三区域,其中第二区域位于第一区域和第三区域之间,并且其中,第二区域中的凹槽的深度大于第一区域和第三区域中的凹槽的深度。
第二区域占粘合剂设置区的比例可以为1%~99%(例如,30%~50%)。凹槽的宽度可以不小于5μm,并且凹槽的深度相对于所述覆盖层厚度的比例范围为1%~99%(例如,凹槽的深度可以不超过覆盖层厚度的50%)。
图7为根据本发明的实施例的基板的制造方法的流程图。如图7所示,该基板的制造方法包括:
S1.提供至少包括粘合区和邻近粘合区的对准区的衬底基板;
S2.形成在所述衬底基板和所述覆盖层之间的第一凸起、第二凸起和第三凸起,其中,所述第一凸起和所述第二凸起位于所述粘合区中并且位于所述粘合剂设置区的两侧,所述第三凸起位于所述对准区中;
S3.在衬底基板上形成覆盖层,该覆盖层位于粘合区的部分包括粘合剂设置区和位于粘合剂设置区两侧的非粘合剂设置区,其中,覆盖层的粘合剂设置区的顶部具有凹槽。
图8(a)为根据本发明的实施例的形成第一凸起、第二凸起和第三凸起的方法的流程图。如图8(a)所示,形成所述第一凸起、所述第二凸起和所述第三凸起的步骤S2可以包括:
S21.在形成覆盖层之前,在所述衬底基板上形成金属层;
S22.对金属层进行构图以形成第一凸起、第二凸起和第三凸起,其中,第一凸起和第二凸起位于粘合区中并且位于粘合剂设置区的两侧,第三凸起位于对准区中。
8(b)为根据本发明的实施例的形成覆盖层的方法的流程图。如图8(b)所示,在所述衬底基板上形成覆盖层的步骤S3包括:
S31.在第一凸起、第二凸起、第三凸起和衬底基板的暴露部分上形成基础覆盖层;
S32.在基础覆盖层上设置光刻胶;进行曝光处理和显影处理;
S33.进行刻蚀处理,以生成具有凹槽的覆盖层;
图9为根据本发明的实施例的基板的制造方法的流程图。如图9所示,基板的制造方法包括下列步骤:
S1.提供衬底基板;
S21.在衬底基板上形成金属层;
S22.对金属层进行构图,以形成第一凸起、第二凸起和第三凸起,其中,第一凸起和第二凸起位于粘合区中并且位于粘合剂设置区的两侧,第三凸起位于对准区中;
S31.在所述第一凸起、所述第二凸起、所述第三凸起和所述衬底基板的暴露部分上形成基础覆盖层;
S32.在基础覆盖层上设置光刻胶;进行曝光处理和显影处理;
S33.进行刻蚀处理,以生成具有凹槽的覆盖层;
S4.去除光刻胶。
图10(a)为根据本发明的实施例的基板的制造方法的示意图。如图(a)所示,提供了至少包括粘合区R1和邻近粘合区R1的对准区R2的衬底基板1。可选地,衬底基板1上设置有第一凸起4、第二凸起5和第三凸起6。在第一凸起4、第二凸起5、第三凸起6和衬底基板1的暴露的表面上设置有覆盖层2,且覆盖层2的位于粘合区R1的部分包括粘合剂设置区RA1和位于粘合剂设置区RA1两侧的非粘合剂设置区RA2。在覆盖层上形成了光刻胶7。
图10(b)为根据本发明的实施例的基板的制造方法的进一步示意图。如图10(b)所示,采用具有第一区A1、第二区A2和第三区A3的掩模8来进行曝光处理。第一区A1的透光率大于第二区A2的透光率,且第二区A2的透光率大于第三区A3的透光率。在掩模8的对应于第一区域RA11和第三区域RA13的部分中设置有交替排列的第二区A2和第三区A3。在掩模8的对应于第二区域RA22的部分中设置有交替排列的第一区A1和第三区A3。通过采用掩模8,可以实现对光刻胶7的不同曝光,以在光刻胶上形成深度不同的孔槽。
在一种实施方式中,掩模可以为半色调掩模,第一区可以为透光部分,第二区可以为半透光部分,第三区可以为不透光部分。
图10(c)为根据本发明的实施例的基板的制造方法的进一步示意图。对图10(b)所示的结构进行显影处理,得到如图10(c)所示的结构。如图10(c)可以看出,在光刻胶7的对应于粘合剂设置区的部分中形成了深度不同的孔槽。具体地,在光刻胶7的对应于第一区域RA11和第三区域RA13的区域中分别形成第一孔槽91和第三孔槽93。在光刻胶7的对应于第二区域RA12的区域中形成第二孔槽92。其中,第二孔槽92的深度大于第一孔槽91和第二孔槽93的深度。需要说明,图10(c)中以第二孔槽92的底部到达覆盖层6的上表面为示例,也可以根据需要,将第二孔槽设置为其底部未到达覆盖层6的上表面。
图10(d)为根据本发明的实施例的基板的制造方法的进一步示意图。对图10(c)的结构进行刻蚀,得到如图10(d)所示的结构。如图10(d)所示,经过刻蚀之后,穿过光刻胶7在覆盖层2的第一区域RA11、第二区域RA12和第三区域RA13中形成了凹槽3。刻蚀可以采用干法刻蚀(Dry Etch)。在蚀刻工艺中,可以使用诸如CF4、SF6、CF3H、C2F5H、O2等的气体。
图10(e)为根据本发明的实施例的基板的制造方法的进一步示意图。对图10(d)的结构进行光刻胶去除,得到如10(e)所示的结构。
本发明的实施例还提供了一种显示装置及显示装置制造方法,该显示装置包括如上所述的基板,该显示装置的制造方法包括如上所述的基板的制造方法。在根据本发明的实施例中,显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明的实施例提供了能够解决现有技术中的密封效果不好、信赖性较差的问题的技术方案。在本发明的实施例中,通过具有至少包括粘合区和邻近所述粘合区的对准区的基板,设置在所述衬底基板上的覆盖层,所述覆盖层的位于所述粘合区的部分包括粘合剂设置区和位于所述粘合剂设置区两侧的非粘合剂设置区,其中,所述覆盖层的所述粘合剂设置区的顶部具有凹槽,能够增加粘合剂与覆盖层的接触面积,起到锚定效果,从而可以增强粘合剂对基板的附着能力。
已经描述了某特定实施例,这些实施例仅通过举例的方式展现,而且不旨在限制本发明的范围。事实上,本文所描述的新颖实施例可以以各种其它形式来实施;此外,可在不脱离本发明的精神下,做出以本文所描述的实施例的形式的各种省略、替代和改变。所附权利要求以及它们的等价物旨在覆盖落在本发明范围和精神内的此类形式或者修改。
Claims (19)
1.一种基板,包括:衬底基板,所述衬底基板至少包括粘合区和邻近所述粘合区的对准区;设置在所述衬底基板上的覆盖层,所述覆盖层的位于所述粘合区的部分包括粘合剂设置区和位于所述粘合剂设置区两侧的非粘合剂设置区,其特征在于,所述覆盖层的所述粘合剂设置区的顶部具有凹槽。
2.根据权利要求1所述的基板,其中,所述凹槽的宽度不小于5μm。
3.根据权利要求1所述的基板,其中,所述凹槽在所述衬底基板上的投影面积不超过所述粘合剂设置区在所述衬底基板上的投影面积的50%。
4.根据权利要求1所述的基板,其中,所述粘合剂设置区包括第一区域、第二区域和第三区域,其中所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间,并且其中,
所述第二区域中的凹槽的深度大于所述第一区域和所述第三区域中的凹槽的深度。
5.根据权利要求4所述的基板,其中,所述第二区域相对于所述粘合剂设置区的比例的范围为1%~99%。
6.根据权利要求1所述的基板,其中,所述凹槽的深度相对于所述覆盖层厚度的比例范围为1%~99%。
7.根据权利要求1所述的基板,其中,所述基板进一步包括设置在所述衬底基板和所述覆盖层之间的第一凸起和第二凸起,并且其中,所述第一凸起和所述第二凸起位于所述粘合区中并且位于所述粘合剂设置区的两侧。
8.根据权利要求7所述的基板,其中,所述基板进一步包括位于所述衬底基板和所述覆盖层之间的第三凸起,其中,所述第三凸起位于所述对准区中,并且其中,所述第一凸起、所述第二凸起和所述第三凸起包括金属。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的基板,其中,所述覆盖层包括下列的至少一种:氧化硅、氮化硅以及其组合;
所述衬底基板包括玻璃基板。
10.根据权利要求9所述的基板,其中,所述覆盖层的厚度范围在500-2000埃之间。
11.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括根据权利要求1-10中任一项所述的基板。
12.一种基板的制造方法,包括:提供至少包括粘合区和邻近所述粘合区的对准区的衬底基板;在所述衬底基板上形成覆盖层,所述覆盖层位于所述粘合区的部分包括粘合剂设置区和位于所述粘合剂设置区两侧的非粘合剂设置区,其特征在于,所述基板的制造方法还包括在所述覆盖层的所述粘合剂设置区的顶部上形成凹槽。
13.根据权利要求12所述的基板的制造方法,其中,所述粘合剂设置区包括第一区域、第二区域和第三区域,其中所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间,并且其中,
形成所述凹槽包括将所述凹槽形成为所述第二区域中的凹槽的深度大于所述第一区域和所述第三区域中的凹槽的深度。
14.根据权利要求13所述的基板的制造方法,形成所述凹槽包括:
在所述覆盖层上形成光刻胶;
进行曝光处理和显影处理以在所述光刻胶上形成孔槽,其中,所述曝光处理是采用具有第一区、第二区和第三区的掩模来进行的,所述第一区的透光率大于所述第二区的透光率,且所述第二区的透光率大于所述第三区的透光率,并且其中,
在所述掩模的对应于所述第一区域和所述第三区域的部分中设置有交替排列的所述第二区和所述第三区,以在所述光刻胶的对应于所述第一区域和所述第三区域的区域中分别形成第一孔槽和第三孔槽,
在所述掩模的对应于所述第二区域的部分中设置有交替排列的所述第一区和所述第三区,以在所述光刻胶的对应于所述第二区域的区域中形成第二孔槽,
其中,所述第二孔槽的深度大于所述第一孔槽和所述第二孔槽的深度;
进行刻蚀,以穿过所述光刻胶在所述覆盖层的所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中形成所述凹槽;
去除所述光刻胶。
15.根据权利要求14所述的基板的制造方法,其中,所述掩模包括半色调掩模。
16.根据权利要求12-15中任一项所述的基板的制造方法,其中,所述第二区域占所述粘合剂设置区的比例为1%~99%。
17.根据权利要求12-15中任一项所述的基板的制造方法,其中,所述凹槽的宽度不小于5μm,并且其中,所述凹槽的深度相对于覆盖层厚度的比例范围为1%~99%。
18.根据权利要求12-15中任一项所述的基板的制造方法,其中,所述基板的制造方法进一步包括:在形成所述覆盖层之前,在所述衬底基板上形成金属层;
对所述金属层进行构图,以形成第一凸起、第二凸起和第三凸起,其中,所述第一凸起和所述第二凸起位于所述粘合区中并且位于所述粘合剂设置区的两侧,且所述第三凸起位于所述对准区中。
19.一种显示装置的制造方法,其特征在于,所述显示装置的制造方法包括根据权利要求12-18中任一项所述的基板的制造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610720891.7A CN106206987A (zh) | 2016-08-25 | 2016-08-25 | 基板及其制造方法以及显示装置及其制造方法 |
PCT/CN2017/087448 WO2018036242A1 (zh) | 2016-08-25 | 2017-06-07 | 基板及其制造方法以及显示装置及其制造方法 |
US15/577,864 US11018315B2 (en) | 2016-08-25 | 2017-06-07 | Substrate and method of producing the same with display apparatus and producing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610720891.7A CN106206987A (zh) | 2016-08-25 | 2016-08-25 | 基板及其制造方法以及显示装置及其制造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106206987A true CN106206987A (zh) | 2016-12-07 |
Family
ID=57523522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610720891.7A Pending CN106206987A (zh) | 2016-08-25 | 2016-08-25 | 基板及其制造方法以及显示装置及其制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11018315B2 (zh) |
CN (1) | CN106206987A (zh) |
WO (1) | WO2018036242A1 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018036242A1 (zh) * | 2016-08-25 | 2018-03-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板及其制造方法以及显示装置及其制造方法 |
CN109473568A (zh) * | 2018-11-08 | 2019-03-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107611090B (zh) * | 2017-09-15 | 2021-07-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
CN112150929A (zh) * | 2020-09-27 | 2020-12-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 背板和显示装置 |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1380634A (zh) * | 2001-02-27 | 2002-11-20 | 三星Sdi株式会社 | 平板显示装置 |
CN1404162A (zh) * | 2001-09-05 | 2003-03-19 | 矶光显示科技股份有限公司 | 有机光发射二极管的密封构造、密封方法及密封装置 |
CN1622700A (zh) * | 2003-11-29 | 2005-06-01 | 三星Sdi株式会社 | 有机电致发光器件 |
KR20060077466A (ko) * | 2004-12-30 | 2006-07-05 | 오리온전기 주식회사 | 유기발광소자의 봉지 구조 및 봉지 방법 |
CN1805130A (zh) * | 2005-01-10 | 2006-07-19 | 清华大学 | 湿敏电子器件的封装外壳、基底及其密封结构 |
KR100643891B1 (ko) * | 2005-05-04 | 2006-11-10 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 봉지 캡을 구비한 유기 발광 소자 패널 |
CN101009303A (zh) * | 2006-01-27 | 2007-08-01 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光显示器及其制造方法 |
CN101452986A (zh) * | 2008-12-31 | 2009-06-10 | 广东昭信光电科技有限公司 | 白光发光二极管器件的封装结构和方法 |
US20110127548A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-02 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device |
CN102262319A (zh) * | 2010-05-24 | 2011-11-30 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶显示基板及其制造方法、液晶面板和液晶显示器 |
US20120056523A1 (en) * | 2010-09-02 | 2012-03-08 | Byung-Uk Han | Flat panel display apparatus and mother substrate for flat panel display apparatus |
CN102662276A (zh) * | 2012-05-17 | 2012-09-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板 |
CN103337511A (zh) * | 2013-07-05 | 2013-10-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled面板及其封装方法 |
CN103531095A (zh) * | 2013-10-30 | 2014-01-22 | 北京京东方光电科技有限公司 | 显示用基板及其制作方法、显示装置 |
CN203707134U (zh) * | 2013-11-21 | 2014-07-09 | 四川虹视显示技术有限公司 | Oled显示器件的封装结构 |
CN104538555A (zh) * | 2014-12-02 | 2015-04-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled封装结构及oled封装方法 |
CN105576148A (zh) * | 2016-01-04 | 2016-05-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板的封装方法、oled显示面板及oled显示装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6827499B2 (en) * | 2001-07-13 | 2004-12-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of manufacturing two-dimensional optical connector component |
CN106206987A (zh) | 2016-08-25 | 2016-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板及其制造方法以及显示装置及其制造方法 |
-
2016
- 2016-08-25 CN CN201610720891.7A patent/CN106206987A/zh active Pending
-
2017
- 2017-06-07 US US15/577,864 patent/US11018315B2/en active Active
- 2017-06-07 WO PCT/CN2017/087448 patent/WO2018036242A1/zh active Application Filing
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1380634A (zh) * | 2001-02-27 | 2002-11-20 | 三星Sdi株式会社 | 平板显示装置 |
CN1404162A (zh) * | 2001-09-05 | 2003-03-19 | 矶光显示科技股份有限公司 | 有机光发射二极管的密封构造、密封方法及密封装置 |
CN1622700A (zh) * | 2003-11-29 | 2005-06-01 | 三星Sdi株式会社 | 有机电致发光器件 |
KR20060077466A (ko) * | 2004-12-30 | 2006-07-05 | 오리온전기 주식회사 | 유기발광소자의 봉지 구조 및 봉지 방법 |
CN1805130A (zh) * | 2005-01-10 | 2006-07-19 | 清华大学 | 湿敏电子器件的封装外壳、基底及其密封结构 |
KR100643891B1 (ko) * | 2005-05-04 | 2006-11-10 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 봉지 캡을 구비한 유기 발광 소자 패널 |
CN101009303A (zh) * | 2006-01-27 | 2007-08-01 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光显示器及其制造方法 |
CN101452986A (zh) * | 2008-12-31 | 2009-06-10 | 广东昭信光电科技有限公司 | 白光发光二极管器件的封装结构和方法 |
US20110127548A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-02 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device |
CN102262319A (zh) * | 2010-05-24 | 2011-11-30 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶显示基板及其制造方法、液晶面板和液晶显示器 |
US20120056523A1 (en) * | 2010-09-02 | 2012-03-08 | Byung-Uk Han | Flat panel display apparatus and mother substrate for flat panel display apparatus |
CN102662276A (zh) * | 2012-05-17 | 2012-09-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板 |
CN103337511A (zh) * | 2013-07-05 | 2013-10-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled面板及其封装方法 |
CN103531095A (zh) * | 2013-10-30 | 2014-01-22 | 北京京东方光电科技有限公司 | 显示用基板及其制作方法、显示装置 |
CN203707134U (zh) * | 2013-11-21 | 2014-07-09 | 四川虹视显示技术有限公司 | Oled显示器件的封装结构 |
CN104538555A (zh) * | 2014-12-02 | 2015-04-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled封装结构及oled封装方法 |
CN105576148A (zh) * | 2016-01-04 | 2016-05-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板的封装方法、oled显示面板及oled显示装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018036242A1 (zh) * | 2016-08-25 | 2018-03-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板及其制造方法以及显示装置及其制造方法 |
US11018315B2 (en) | 2016-08-25 | 2021-05-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Substrate and method of producing the same with display apparatus and producing method thereof |
CN109473568A (zh) * | 2018-11-08 | 2019-03-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
US10971564B2 (en) | 2018-11-08 | 2021-04-06 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display panel, manufacturing method thereof, and display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11018315B2 (en) | 2021-05-25 |
US20180294434A1 (en) | 2018-10-11 |
WO2018036242A1 (zh) | 2018-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI451610B (zh) | 發光裝置之母板結構以及發光裝置及其製造方法 | |
WO2016019643A1 (zh) | 有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 | |
CN105679790B (zh) | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 | |
TWI574399B (zh) | 有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法 | |
WO2020082481A1 (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
CN108832017A (zh) | 显示面板及其制作方法、显示模组、电子装置 | |
CN106206987A (zh) | 基板及其制造方法以及显示装置及其制造方法 | |
CN105576148B (zh) | Oled显示面板的封装方法 | |
WO2017071397A1 (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 | |
CN106057843B (zh) | 透明显示面板、透明显示装置及透明显示面板的制作方法 | |
CN108511503B (zh) | 一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 | |
CN103943657A (zh) | 一种显示面板及其封装方法、显示装置 | |
US20220068899A1 (en) | Display panel and preparation method thereof | |
WO2015062271A1 (zh) | 一种底发射基板、显示装置及该基板的制造方法 | |
JP2012237998A (ja) | 電子機器、液晶ディスプレイ及びその製造方法 | |
WO2015100797A1 (zh) | 柔性oled面板的制作方法 | |
CN105070743B (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 | |
CN103730511B (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置 | |
WO2016155429A1 (zh) | 显示基板及其制造方法、显示装置 | |
WO2019179431A1 (zh) | 热转印基板、触控显示面板及其制造方法、显示装置 | |
WO2015039493A1 (zh) | 电致发光装置及其制备方法 | |
WO2019153903A1 (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
KR102087193B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 터치 패널의 제조 방법 | |
WO2017181753A1 (zh) | 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板制作方法 | |
TWI416983B (zh) | 有機電激發光顯示裝置及其製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20161207 |