[go: up one dir, main page]

CN106129267B - Oled薄膜封装结构及其制作方法 - Google Patents

Oled薄膜封装结构及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106129267B
CN106129267B CN201610623611.0A CN201610623611A CN106129267B CN 106129267 B CN106129267 B CN 106129267B CN 201610623611 A CN201610623611 A CN 201610623611A CN 106129267 B CN106129267 B CN 106129267B
Authority
CN
China
Prior art keywords
organic layer
layer
protrusions
inorganic layer
inorganic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610623611.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106129267A (zh
Inventor
陈永胜
徐湘伦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201610623611.0A priority Critical patent/CN106129267B/zh
Priority to PCT/CN2016/098560 priority patent/WO2018023855A1/zh
Priority to US15/313,920 priority patent/US10629851B2/en
Publication of CN106129267A publication Critical patent/CN106129267A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106129267B publication Critical patent/CN106129267B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种OLED薄膜封装结构及其制作方法，该一种OLED薄膜封装结构包括：一基板；第一有机层，其设置于所述基板上；第一无机层，其设置于所述第一有机层以及所述基板上，所述第一无机层为疏水层；第二有机层，其设置于所述第一无机层上；第二无机层，其设置于所述第一无机层以及所述第二有机层上，所述第二无机层为疏水层；所述第一有机层和/或所述第二有机层上设置有多个间隔分布的第一凸起。本发明的OLED薄膜封装结构通过在第一有机层或第二有机层设置多个第一凸起从而形成微结构，达到增加出光亮度，提高出光效率的目的。

Description

OLED薄膜封装结构及其制作方法
技术领域
本发明涉及薄膜封装领域，特别是涉及一种OLED薄膜封装结构及其制作方法。
背景技术
因为OLED薄膜封装结构中有机、无机堆叠的膜层都是逐水氧膜层，并没有增光效果，且薄膜封装结构的有机膜层中因为黏度的关系，膜层表面相当平坦，且材料折射率也大多固定在1.5～1.6之间，对光学效应并没有多大影响，增光效果较差。
因此，现有技术存在缺陷，急需改进。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED薄膜封装结构及其制作方法；以解决现有的OLED薄膜封装结构的增光效果差的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种OLED薄膜封装结构，包括：
一基板；
第一有机层，其设置于所述基板上；
第一无机层，其设置于所述第一有机层以及所述基板上，所述第一无机层为疏水层；
第二有机层，其设置于所述第一无机层上；
第二无机层，其设置于所述第一无机层以及所述第二有机层上，所述第二无机层为疏水层；
所述第一有机层和/或所述第二有机层上设置有多个间隔分布的第一凸起。
在本发明所述的OLED薄膜封装结构中，所述第一凸起呈圆球状、半圆球状、椭圆球状或半椭圆球状。
在本发明所述的OLED薄膜封装结构中，该多个第一凸起呈矩形阵列分布。
在本发明所述的OLED薄膜封装结构中，所述第一有机层设置有所述多个间隔分布的第一凸起，所述第一无机层的远离所述第一有机层的一面设置有多个第二凸起，每一所述第二凸起分别与一所述第一凸起对应并正对；所述第二有机层朝向所述第一无机层的一面设置有多个第一凹槽，每一所述第二凸起分别与一所述第一凹槽对应且适配，每一所述第二凸起分别收容在对应的第一凹槽中。
在本发明所述的OLED薄膜封装结构中，所述第二有机层设置有所述多个间隔分布的第一凸起，所述第二无机层的远离所述第二有机层的一面设置有多个第三凸起，每一所述第三凸起分别与一所述第一凸起对应并正对。
本发明还提供了一种OLED薄膜封装结构的制作方法，其特征在于，在基板上形成第一有机层；
在所述第一有机层以及所述基板上形成第一无机层，所述第一无机层为疏水层；
在所述第一无机层上形成第二有机层；
在所述第一无机层以及所述第二有机层上形成第二无机层，所述第二无机层为疏水层；
所述第一有机层和/或所述第二有机层上设置有多个间隔分布的第一凸起。
在本发明所述的OLED薄膜封装结构的制作方法中，所述第一凸起呈圆球状、半圆球状、椭圆球状或半椭圆球状。
在本发明所述的OLED薄膜封装结构的制作方法中，所述第一有机层设置有所述多个间隔分布的第一凸起，所述第一无机层的远离所述第一有机层的一面设置有多个第二凸起，每一所述第二凸起分别与一所述第一凸起对应并正对；所述第二有机层朝向所述第一无机层的一面设置有多个第一凹槽，每一所述第二凸起分别与一所述第一凹槽对应且适配，每一所述第二凸起分别收容在对应的第一凹槽中。
在本发明所述的OLED薄膜封装结构的制作方法中，所述第二有机层设置有所述多个间隔分布的第一凸起，所述第二无机层的远离所述第二有机层的一面设置有多个第三凸起，每一所述第三凸起分别与一所述第一凸起对应并正对。
在本发明所述的OLED薄膜封装结构的制作方法中，该多个第一凸起呈矩形阵列分布。
相较于现有技术，本优选实施例的本发明实施例中的OLED薄膜封装结构通过在第一有机层或第二有机层设置多个第一凸起从而形成微结构，达到增加出光亮度，提高出光效率的目的。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
附图说明
图1为本发明第一优选实施例中的OLED薄膜封装结构的结构示意图；
图2为本发明第二优选实施例中的OLED薄膜封装结构的结构示意图；
图3为本发明第一优选实施例中的OLED薄膜封装结构的制作方法流程图；
图3A-3D是图3所述实施例中的OLED薄膜封装结构的制作方法的示意图；
图4为本发明第二优选实施例中的OLED薄膜封装结构的制作方法流程图；
图4A-4D是图4所述实施例中的OLED薄膜封装结构的制作方法的示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、 「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
本发明提供了一种OLED薄膜封装结构，包括：
一基板；
第一有机层，其设置于所述基板上；
第一无机层，其设置于所述第一有机层以及所述基板上，所述第一无机层为疏水层；
第二有机层，其设置于所述第一无机层上；
第二无机层，其设置于所述第一无机层以及所述第二有机层上，所述第二无机层为疏水层；
所述第一有机层和/或所述第二有机层上设置有多个间隔分布的第一凸起。
请参照图1，图1为本发明的OLED薄膜封装结构的第一优选实施例的结构示意图。本优选实施例的OLED薄膜封装结构包括基板101、第一有机层102、第一无机层103、第二有机层104以及第二无机层105。
其中，该基板101为玻璃基板，或者塑料透明基板；
其中，该第一有机层102设置于该基板101上。具体地，该第一有机层102由多个间隔分布且呈阵列分布的第一凸起组成，该第一凸起可以呈圆球状、半圆球状、椭圆球状或半椭圆球状；其采用墨水喷涂印刷机器喷涂形成，并且该墨水喷涂印刷机器的 喷头旁边设置一固化装置，可以使得喷头在喷涂的同时就可以进行固化。该第一有机层102的厚度在100nm-1000nm之间。第一无机层103设置于第一有机层102以及基板101上，该第一无机层103为疏水层，也可以为逐水氧膜层。其采用原子层沈积技术或者化学气相沉淀技术形成，该疏水层的厚度在400nm-4000nm之间。该第一无机层103的远离该第一有机层102的一面上还设置有多个第二凸起，每一第二凸起106分别与一第一凸起对应并正对，在本实施例中，该第二凸起106呈半圆球装置或半椭圆球状。
第二有机层104设置于第一无机层103上。该第二有机层104采用网印、IJP、Spray或是Coating等方式形成，其厚度在厚度在100nm-1000nm之间。该第二有机层的朝向该第一无机层的一面设置有多个第一凹槽107，该多个第一凹槽107分别与该多个第二凸起106相互适配，每一第二凸起106分别收容在一第一凹槽107中。该第一有机层102的折射率与第二有机层的折射率不同，具体地，并且，该各个第一凸起中任意相邻两个第一凸起的折射率的平均值均等于第二有机层104的折射率，且每一第一凸起的折射率相对于该第二有机层104的折射率的偏差值在该第二有机层104的折射率的3％到5％之间。
第二无机层105设置于第一无机层103以及所述第二有机层104上，所述第二无机层105为疏水层，其采用原子层沈积技术或者化学气相沉淀技术形成，该疏水层的厚度在400nm-4000nm之间。
由上可知，本发明实施例中的OLED薄膜封装结构通过在第一有机层设置多个第一凸起从而形成微结构，达到增加出光亮度， 提高出光效率的目的。
请参照图2，图2为本发明的OLED薄膜封装结构的第一优选实施例的结构示意图。本优选实施例的OLED薄膜封装结构包括基板201、第一有机层202、第一无机层203、第二有机层204以及第二无机层205。
其中，该基板201为玻璃基板，或者塑料透明基板；
第一有机层202设置于该基板201上。具体地，该第一有机层202采用网印、IJP、Spray等方式形成，其厚度在厚度在100nm-1000nm之间。
第一无机层203设置于第一有机层202以及基板201上，该第一无机层203为疏水层。其采用原子层沈积技术或者化学气相沉淀技术形成，该疏水层的厚度在400nm-4000nm之间。
第二有机层204设置于第一无机层203上。具体地，该第二有机层202由多个间隔分布且呈阵列分布的第一凸起组成，该第一凸起可以呈圆球状、半圆球状、椭圆球状或半椭圆球状；其采用墨水喷涂印刷机器喷涂形成，并且该墨水喷涂印刷机器的喷头旁边设置一固化装置，可以使得喷头在喷涂的同时就可以进行固化。该第一有机层202的厚度在100nm-1000nm之间。该第一有机层202的折射率与第二有机层204的折射率不同，并且，该第二有机层204的各个第一凸起中任意相邻两个第一凸起的折射率的平均值均等于第一有机层202的折射率，且每一第一凸起的折射率相对于该第一有机层202的折射率的偏差值在该第一有机层202的折射率的3％到5％之间。
第二无机层205设置于第一无机层203以及所述第二有机层204上，所述第二无机层205为疏水层，其采用原子层沈积技术或者化学气相沉淀技术形成，该疏水层的厚度在400nm-4000nm之间。该第二无机层205的朝向该第二有机层204的一面设置有多个分别与该多个第一凸起一一对应的第二凹槽(未标号)，每一第一凸起分别收容于一第二凹槽中。该第二无机层205的远离该第二有机层204的一面还设置有多个第三凸起206，该多个第三凸起206分别与该多个第二凹槽一一对应并正对，该第二凹槽的形状以及尺寸均与对应的第三凸起的近似或者相同。
由上可知，本发明实施例中的OLED薄膜封装结构通过在第二有机层设置多个第一凸起从而形成微结构，达到增加出光亮度，提高出光效率的目的。
本发明还提供了一种OLED薄膜封装结构的制作方法，包括以下步骤：
在基板上形成第一有机层；
在所述第一有机层以及所述基板上形成第一无机层，所述第一无机层为疏水层；
在所述第一无机层上形成第二有机层；
在所述第一无机层以及所述第二有机层上形成第二无机层，所述第二无机层为疏水层；
所述第一有机层和/或所述第二有机层上设置有多个间隔分布的第一凸起。
如图3所示，本发明第一优选实施例的OLED薄膜封装结构的制作方法包括以下步骤：
S301，在基板上形成第一有机层，该第一有机层设置有多个间隔分布的第一凸起。
S302，在该第一有机层以及该基板上形成第一无机层，该第一无机层为疏水层；
S303，在该第一无机层上形成第二有机层；
S304，在该第一无机层以及该第二有机层上形成第二无机层，该第二无机层为疏水层。
下面结合附图3A-3D对本方法的各个步骤进行详细说明。
在该步骤S301中，该第一有机层102由多个间隔分布且呈阵列分布的第一凸起组成，该多个第一凸起呈矩形阵列分布。该第一凸起可以呈圆球状、半圆球状、椭圆球状或半椭圆球状；其采用墨水喷涂印刷机器喷涂形成，并且该墨水喷涂印刷机器的喷头旁边设置一固化装置，可以使得喷头在喷涂的同时就可以进行固化。该第一有机层102的厚度在100nm-1000nm之间。如图3A所示，转至步骤S302。
在该步骤S302中，该第一无机层采用原子层沈积技术或者化学气相沉淀技术形成，该疏水层的厚度在400nm-4000nm之间。该第一无机层103的远离该第一有机层102的一面上还设置有多个第二凸起，每一第二凸起106分别与一第一凸起对应并正对，在 本实施例中，该第二凸起106呈半圆球装置或半椭圆球状。如图3B所示，转至步骤S303。
在该步骤S303中，该第二有机层104采用网印、IJP、Spray等方式形成，其厚度在厚度在100nm-1000nm之间。该第二有机层的朝向该第一无机层的一面设置有多个第一凹槽107，该多个第一凹槽107分别与该多个第二凸起106相互适配，每一第二凸起106分别收容在一第一凹槽107中。如图3C所示，转至步骤S304。
在该步骤S304中，该第二无机层105采用原子层沈积技术或者化学气相沉淀技术形成，该疏水层的厚度在400nm-4000nm之间。如图3D所示。
如图4所示，本发明第二优选实施例的OLED薄膜封装结构的制作方法包括以下步骤：
S401，在基板上形成第一有机层。
S402，在该第一有机层以及该基板上形成第一无机层，该第一无机层为疏水层；
S403，在该第一无机层上形成第二有机层；，该第二有机层设置有多个间隔分布的第一凸起
S404，在该第一无机层以及该第二有机层上形成第二无机层，该第二无机层为疏水层。
下面结合附图4A-4D对本方法的各个步骤进行详细说明。
在该步骤S401中，该第一有机层202采用网印、IJP、Spray等方式形成，其厚度在厚度在100nm-1000nm之间。如图4A所示，转至步骤S402。
在该步骤S402中，该第二无机层203采用原子层沈积技术或者化学气相沉淀技术形成，该疏水层的厚度在400nm-4000nm之间。如图4B所示，转至步骤S403。
在该步骤S403中，该第二有机层202由多个间隔分布且呈阵列分布的第一凸起组成，该第一凸起可以呈圆球状、半圆球状、椭圆球状或半椭圆球状；其采用墨水喷涂印刷机器喷涂形成，并且该墨水喷涂印刷机器的喷头旁边设置一固化装置，可以使得喷头在喷涂的同时就可以进行固化。该第一有机层202的厚度在100nm-1000nm之间。如图4C所示，转至步骤S404。
在该步骤S404中，采用原子层沈积技术或者化学气相沉淀技术形成，该疏水层的厚度在400nm-4000nm之间。该第二无机层205的朝向该第二有机层204的一面设置有多个分别与该多个第一凸起一一对应的第二凹槽(未标号)，每一第一凸起分别收容于一第二凹槽中。该第二无机层205的远离该第二有机层204的一面还设置有多个第三凸起206，该多个第三凸起206分别与该多个第二凹槽一一对应并正对，该第二凹槽的形状以及尺寸均与对应的第三凸起的近似或者相同。如图4D所示。
由上可知，本发明实施例中的OLED薄膜封装结构的制作方法通过在第二有机层设置多个第一凸起从而形成微结构，达到增加出光亮度，提高出光效率的目的。
由上可知，本发明实施例中的OLED薄膜封装结构的制作方法通过在第一有机层设置多个第一凸起从而形成微结构，达到增加出光亮度，提高出光效率的目的。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (8)

1.一种OLED薄膜封装结构，其特征在于，包括：
一基板；
第一有机层，其设置于所述基板上；
第一无机层，其设置于所述第一有机层以及所述基板上，所述第一无机层为疏水层；
第二有机层，其设置于所述第一无机层上；
第二无机层，其设置于所述第一无机层以及所述第二有机层上，所述第二无机层为疏水层；
所述第一有机层设置有多个间隔分布的第一凸起，所述第一无机层的远离所述第一有机层的一面设置有多个第二凸起，每一所述第二凸起分别与一所述第一凸起对应并正对；所述第二有机层朝向所述第一无机层的一面设置有多个第一凹槽，每一所述第二凸起分别与一所述第一凹槽对应且适配，每一所述第二凸起分别收容在对应的第一凹槽中。
2.根据权利要求1所述的OLED薄膜封装结构，其特征在于，所述第一凸起呈圆球状、半圆球状、椭圆球状或半椭圆球状。
3.根据权利要求1或2所述的OLED薄膜封装结构，其特征在于，该多个第一凸起呈矩形阵列分布。
4.根据权利要求1所述的OLED薄膜封装结构，其特征在于，所述第二有机层设置有所述多个间隔分布的第一凸起，所述第二无机层的远离所述第二有机层的一面设置有多个第三凸起，每一所述第三凸起分别与一所述第一凸起对应并正对。
5.一种OLED薄膜封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基板上形成第一有机层；
在所述第一有机层以及所述基板上形成第一无机层，所述第一无机层为疏水层；
在所述第一无机层上形成第二有机层；
在所述第一无机层以及所述第二有机层上形成第二无机层，所述第二无机层为疏水层；
所述第一有机层设置有多个间隔分布的第一凸起，所述第一无机层的远离所述第一有机层的一面设置有多个第二凸起，每一所述第二凸起分别与一所述第一凸起对应并正对；所述第二有机层朝向所述第一无机层的一面设置有多个第一凹槽，每一所述第二凸起分别与一所述第一凹槽对应且适配，每一所述第二凸起分别收容在对应的第一凹槽中。
6.根据权利要求5所述的OLED薄膜封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一凸起呈圆球状、半圆球状、椭圆球状或半椭圆球状。
7.根据权利要求5所述的OLED薄膜封装结构的制作方法，其特征在于，所述第二有机层设置有所述多个间隔分布的第一凸起，所述第二无机层的远离所述第二有机层的一面设置有多个第三凸起，每一所述第三凸起分别与一所述第一凸起对应并正对。
8.根据权利要求5所述的OLED薄膜封装结构的制作方法，其特征在于，该多个第一凸起呈矩形阵列分布。
CN201610623611.0A 2016-08-02 2016-08-02 Oled薄膜封装结构及其制作方法 Active CN106129267B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610623611.0A CN106129267B (zh) 2016-08-02 2016-08-02 Oled薄膜封装结构及其制作方法
PCT/CN2016/098560 WO2018023855A1 (zh) 2016-08-02 2016-09-09 Oled薄膜封装结构及其制作方法
US15/313,920 US10629851B2 (en) 2016-08-02 2016-09-09 OLED thin film encapsulation structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610623611.0A CN106129267B (zh) 2016-08-02 2016-08-02 Oled薄膜封装结构及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106129267A CN106129267A (zh) 2016-11-16
CN106129267B true CN106129267B (zh) 2018-01-12

Family

ID=57254339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610623611.0A Active CN106129267B (zh) 2016-08-02 2016-08-02 Oled薄膜封装结构及其制作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10629851B2 (zh)
CN (1) CN106129267B (zh)
WO (1) WO2018023855A1 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108198836A (zh) * 2017-12-27 2018-06-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置
CN109980118A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 宁波长阳科技股份有限公司 一种水汽阻隔膜
CN108198843B (zh) * 2017-12-29 2020-08-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板制备方法
CN108365121A (zh) * 2018-02-07 2018-08-03 上海瀚莅电子科技有限公司 微型oled显示装置及其制作方法
CN108461645A (zh) * 2018-02-09 2018-08-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种用于柔性显示器件上的封装结构及制备方法
CN108565355A (zh) * 2018-04-24 2018-09-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 封装薄膜及其制作方法、显示面板
CN108470854A (zh) * 2018-04-25 2018-08-31 深圳市华星光电技术有限公司 Woled显示面板及其制作方法
KR102480881B1 (ko) * 2018-07-25 2022-12-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자를 이용한 조명 장치 및 이의 제조 방법
US10868277B2 (en) 2018-09-19 2020-12-15 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light emitting diode display panel and manufacturing method thereof
CN109346619B (zh) * 2018-09-19 2020-04-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
CN109273507B (zh) * 2018-09-30 2020-06-05 霸州市云谷电子科技有限公司 一种显示面板
CN208753371U (zh) * 2018-11-02 2019-04-16 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板及显示装置
CN110993826B (zh) * 2019-12-19 2021-12-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及显示面板、显示装置
KR20210079898A (ko) * 2019-12-20 2021-06-30 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN111584746A (zh) * 2020-05-13 2020-08-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
WO2023004768A1 (zh) 2021-07-30 2023-02-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2136423A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-23 Centro Ricerche Plast-Optica S.p.A. Multilayer coating for protecting organic optic devices and manufacturing process thereof
CN102179971A (zh) * 2009-12-31 2011-09-14 三星移动显示器株式会社 阻挡膜复合材料、显示装置及它们的制造方法
CN104900812A (zh) * 2015-04-23 2015-09-09 京东方科技集团股份有限公司 薄膜封装结构及其制作方法和显示装置
CN105405982A (zh) * 2015-12-09 2016-03-16 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管封装结构、封装方法及有机发光二极管

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2091096A1 (en) * 2008-02-15 2009-08-19 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Encapsulated electronic device and method of manufacturing
KR101842586B1 (ko) * 2011-04-05 2018-03-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101873476B1 (ko) * 2011-04-11 2018-07-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20140091288A1 (en) * 2012-09-28 2014-04-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
CN203466226U (zh) * 2013-09-29 2014-03-05 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件的封装结构、显示装置
CN104505468B (zh) * 2014-12-16 2017-12-05 昆山国显光电有限公司 发光器件及其封装方法
KR101674066B1 (ko) * 2014-12-24 2016-11-08 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자
CN105140417A (zh) * 2015-08-20 2015-12-09 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管器件及制作方法和显示装置
CN105206763B (zh) * 2015-10-21 2018-01-23 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示器及其制造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2136423A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-23 Centro Ricerche Plast-Optica S.p.A. Multilayer coating for protecting organic optic devices and manufacturing process thereof
CN102179971A (zh) * 2009-12-31 2011-09-14 三星移动显示器株式会社 阻挡膜复合材料、显示装置及它们的制造方法
CN104900812A (zh) * 2015-04-23 2015-09-09 京东方科技集团股份有限公司 薄膜封装结构及其制作方法和显示装置
CN105405982A (zh) * 2015-12-09 2016-03-16 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管封装结构、封装方法及有机发光二极管

Also Published As

Publication number Publication date
US10629851B2 (en) 2020-04-21
CN106129267A (zh) 2016-11-16
WO2018023855A1 (zh) 2018-02-08
US20180183009A1 (en) 2018-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106129267B (zh) Oled薄膜封装结构及其制作方法
US10326097B1 (en) Display panel preparation method, display panel and display device
CN103915482B (zh) 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
US20170194394A1 (en) Organic Light-Emitting Display Substrate, Method of Fabricating the Same, Display Panel, and Display Device
CN105870355A (zh) 一种柔性oled器件及其制备方法
CN107565066A (zh) Oled面板的制作方法及oled面板
CN104201289B (zh) 一种像素单元及其制作方法、显示面板、显示装置
KR101536573B1 (ko) 이중층의 투명 전도성 필름 및 이의 제조방법
CN107799572A (zh) 一种有机发光二极管显示器
CN108539041A (zh) 显示面板及其制作方法
US20180294435A1 (en) Oled device packaged by thin film and thin film packaging method of oled device
CN108539037A (zh) 一种oeld显示器件
CN112018131B (zh) 柔性显示面板及其制备方法
WO2016180103A1 (zh) 薄膜封装结构及其制作方法和显示装置
WO2017117982A1 (zh) 一种oled器件的封装结构、显示装置和封装方法
CN204361100U (zh) 一种有机发光显示装置
WO2019184854A1 (zh) 光学膜材结构、其形成方法和显示装置
CN106298860A (zh) 一种有机发光显示面板及其制作方法
WO2015143843A1 (zh) 一种显示面板及其封装方法、显示装置
WO2016169370A1 (zh) 薄膜封装结构及其制作方法和显示装置
US20190267570A1 (en) Oled display device
CN111816789A (zh) 显示基板及其制作方法
CN110085639A (zh) 发光面板、发光面板的制备方法及显示装置
CN105742328A (zh) 一种显示基板、其制作方法及显示面板
CN104932097B (zh) 一种电润湿显示器及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant