CN106032036A - 切削装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供切削装置，其紧凑地构成了紫外线照射构件，紫外线照射构件对晶片照射紫外线来赋予亲水性，可防止切削时产生的切削屑附着于晶片表面，并且能够在晶片被分割为一个个器件后对切割带照射紫外线以降低粘接力。切削装置具备对晶片的表面照射紫外线以赋予亲水性并对切割带照射紫外线以使粘接力降低的紫外线照射构件。紫外线照射构件具备：紫外线照射灯，其照射紫外线，紫外线包含对晶片的表面照射而生成臭氧并生成活性氧的波长、和对切割带照射而使粘接力降低的波长；第1框架支承构件，其配设在紫外线照射灯下侧，对借助切割带支承晶片的环状框架进行支承；和第2框架支承构件，其配设在紫外线照射灯的上侧，对借助切割带支承晶片的环状框架进行支承。

Description

切削装置

技术领域

本发明涉及用于对半导体晶片等晶片进行切削加工的切削装置。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，在大致圆板形状的半导体晶片的表面，通过呈格子状排列形成的分割预定线划分出多个区域，在该划分出的区域中形成IC(IntegratedCircuit：集成电路)、LSI(Large-scale Integration：大规模集成电路)等器件。然后，通过沿分割预定线将半导体晶片切断，由此分割形成有器件的区域，制造出一个个的器件。另外，对于在蓝宝石基板的表面层叠有氮化镓系化合物半导体等而成的光器件晶片，也通过沿分割预定线进行切断而分割出一个个发光二极管、激光二极管等光器件，广泛应用于电子设备中。

上述的沿着半导体晶片或光器件晶片等的分割预定线进行的切断通常利用被称作切片机的切削装置来进行。该切削装置具备：保持构件，其保持半导体晶片等晶片；切削构件，其具备切削刀具，该切削刀具对保持于该保持构件上的被加工物进行切削；切削进给构件，其使保持构件和切削构件沿切削进给方向相对地移动；分度进给构件，其使保持构件和切削构件沿与切削进给方向垂直的分度进给方向相对地移动；盒载置机构，其具备盒载置台，所述盒载置台载置收纳有晶片的盒，所述晶片粘贴在由于紫外线的照射而使得粘接力降低的切割带上，并通过该切割带支承于环状框架；搬出构件，其将收纳于载置在该盒载置台上的该盒中的晶片搬出至临时放置区域；以及搬送构件，其将被搬出至该临时放置区域的晶片搬送至保持构件。切削构件包括主轴单元，该主轴单元具备旋转主轴和驱动机构，该驱动机构驱动安装于该主轴上的切削刀具及旋转主轴旋转，在切削时，一边向切削刀具的切削部供给切削液一边进行切削。

可是，在上述切削装置中，存在这样的问题：在利用切削刀具对晶片进行切削时产生的切削屑混入切削液中并漂浮在晶片的表面上，由此导致切削屑附着于晶片的表面而造成污染。即，由于切削晶片而产生的切削屑在混入切削液而漂浮在晶片的表面上时附着于晶片的表面，并且，当切削液消失而干燥时，切削屑会牢固地附着于晶片的表面。

为了解决这样的问题，在下述专利文献1中公开了一种切削装置，该切削装置具备第1紫外线照射构件和第2紫外线照射构件，所述第1紫外线照射构件配置在上述盒载置台的下侧，对晶片照射紫外线来赋予亲水性，所述第2紫外线照射构件对切割带照射紫外线而使其粘接力降低，在切削晶片之前对晶片的表面照射紫外线而生成臭氧，并且生成活性氧而对切削面赋予亲水性，从而防止在切削时产生的切削屑附着于晶片的表面，并且，晶片被分割为一个个器件之后，对切割带照射紫外线而使其粘接力降低，使得接下来的拾取工序变得容易。

专利文献1：日本特开2006-295050号公报

并且，在上述的切削装置中，对晶片照射紫外线来赋予亲水性的第1紫外线照射构件和对切割带照射紫外线来使粘接力降低的第2紫外线照射构件分别独立地配置，装置内的空间受到制约从而成为阻碍装置小型化的原因。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于提供一种紧凑地构成有紫外线照射构件的切削装置，所述紫外线照射构件对晶片照射紫外线以赋予亲水性，从而能够防止在切削时产生的切削屑附着于晶片的表面，并且，所述紫外线照射构件能够在晶片被分割为一个个器件之后对切割带照射紫外线以使其粘接力降低。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种切削装置，所述切削装置具备：保持构件，其保持晶片；切削构件，其具备对由该保持构件保持的晶片进行切削的切削刀具；切削进给构件，其使该保持构件和该切削构件沿切削进给方向相对移动；分度进给构件，其使该保持构件和该切削构件沿着与切削进给方向垂直的分度进给方向相对移动；盒载置机构，其具备盒载置台，该盒载置台载置收纳有晶片的盒，所述晶片被粘贴在由于紫外线的照射而使得粘接力降低的切割带上，并借助该切割带被支承于环状的框架；搬出构件，其将在载置于该盒载置台上的该盒中收纳的晶片搬出至临时放置区域；以及搬送构件，其将被搬出至该临时放置区域的晶片搬送至该保持构件，所述切削装置的特征在于，所述切削装置具备紫外线照射构件，所述紫外线照射构件向被该搬出构件搬出的晶片的表面照射紫外线以赋予亲水性，并且向该切割带照射紫外线以使粘接力降低，该紫外线照射构件具备：紫外线照射灯，其照射紫外线，所述紫外线包含对晶片的表面进行照射而生成臭氧并且生成活性氧的波长、和对该切割带进行照射而使粘接力降低的波长；第1框架支承构件，其配设在该紫外线照射灯下侧，对借助该切割带支承晶片的该环状的框架进行支承；和第2框架支承构件，其配设在该紫外线照射灯的上侧，对借助该切割带支承晶片的该环状的框架进行支承，在对晶片的表面照射紫外线来赋予亲水性时，利用该第1框架支承构件对借助该切割带支承晶片的该环状的框架进行支承，在对该切割带照射紫外线以使粘接力降低时，利用该第2框架支承构件对借助该切割带支承晶片的该环状的框架进行支承。

上述紫外线照射灯优选为低压水银灯。

在本发明的切削装置中，紫外线照射构件向被搬出构件搬出的晶片的表面照射紫外线以赋予亲水性，并对切割带照射紫外线以使其粘接力降低，该紫外线照射构件具备：紫外线照射灯，其照射紫外线，所述紫外线包含对晶片的表面进行照射而生成臭氧并生成活性氧的波长、和对切割带进行照射而使其粘接力降低的波长；第1框架支承构件，其配设在紫外线照射灯下侧，对借助切割带支承晶片的环状的框架进行支承；和第2框架支承构件，其配设在紫外线照射灯的上侧，对借助切割带支承晶片的环状的框架进行支承，在对晶片的表面照射紫外线来赋予亲水性时，利用第1框架支承构件对借助切割带支承晶片的环状的框架进行支承，在对切割带照射紫外线以使其粘接力降低时，利用第2框架支承构件对借助切割带支承晶片的环状的框架进行支承，因此，能够利用1个紫外线照射灯来实施将对晶片的表面照射紫外线以赋予亲水性的亲水性赋予工序、和对切割带照射紫外线以使粘接力降低的粘接力降低工序。因此，无需配设用于赋予亲水性的紫外线照射灯和用于降低粘接力的紫外线照射灯，因此，切削装置内的空间的限制得到缓和，能够实现装置的小型化。

附图说明

图1是根据本发明构成的切削装置的立体图。

图2是在图1所示的切削装置中装备的盒载置机构的立体图。

图3是示出将盒载置台定位于第1搬出搬入位置的状态的说明图，所述盒载置台构成了在图1所示的切削装置中装备的盒载置机构。

图4是示出将盒载置台定位于第2搬出搬入位置的状态的说明图，所述盒载置台构成了在图1所示的切削装置中装备的盒载置机构。

图5是示出将盒载置台定位于第3搬出搬入位置的状态的说明图，所述盒载置台构成了在图1所示的切削装置中装备的盒载置机构。

标号说明

2：装置壳体；

3：保持构件；

4：主轴单元；

43：切削刀具；

44：切削液供给喷嘴；

5：摄像构件；

6：显示构件；

7：盒载置机构；

71：盒载置台；

72：升降构件；

8：紫外线照射构件；

81：壳体；

811：紫外线照射室；

82：紫外线照射灯；

83：第1框架支承构件；

84：第2框架支承构件；

10：盒；

11：晶片；

12：环状的框架；

13：切割带；

15：搬出搬入构件；

16：第1搬送构件；

17：清洗构件；

18：第2搬送构件。

具体实施方式

以下，对于本发明的晶片的切削方法和切削装置的优选实施方式，参照附图详细地进行说明。

在图1中，示出了根据本发明构成的切削装置的立体图。

图示的实施方式中的切削装置具备大致长方体形状的装置壳体2。保持作为被加工物的晶片的保持构件3以能够沿着作为切削进给方向的箭头X所示的切削进给方向移动的方式配设在该装置壳体2内。保持构件3具备吸附卡盘支承座31和安装于该吸附卡盘支承座31上的吸附卡盘32，利用未图示的抽吸构件将作为被加工物的例如圆板状的晶片保持在该吸附卡盘32的表面即保持面上。另外，保持构件3构成为能够借助未图示的旋转机构转动。

图示的实施方式中的切削装置具备作为切削构件的主轴单元4。主轴单元4具备：主轴壳体41，其安装在未图示的移动基座上，并且沿着与箭头X所示的切削进给方向垂直的由箭头Y所示的分度方向、和与吸附卡盘32的表面即保持面垂直的由箭头Z所示的切入方向进行移动调整；旋转主轴42，其被旋转自如地支承于该主轴壳体41，并被未图示的旋转驱动机构旋转驱动；和切削刀具43，其被安装于该旋转主轴42上。在该切削刀具43的两侧配设有与未图示的切削液供给源连接的切削液供给喷嘴44。

图示的实施方式中的切削装置具备摄像构件5，该摄像构件5用于对保持在构成上述保持构件3的吸附卡盘32的表面上的晶片的表面进行拍摄，并检测应通过上述切削刀具43切削的区域、或者确认切削槽的状态。该摄像构件5由显微镜或CCD相机等光学构件构成。另外，图示的实施方式中的切削装置具备用于显示由摄像构件5拍摄的图像的显示构件6。

图示的实施方式中的切削装置具备收纳作为被加工物的晶片的盒10。盒10具备用于供作为被加工物的晶片进出的被加工物搬出搬入开口101，用于载置晶片的多个载置架102在上下方向上对置地设于盒10的两侧壁的内表面上。如图1所示,收纳于盒10中的作为被加工物的晶片11形成为圆板形状，在由形成为格子状的分割预定线111在其表面上划分出的多个区域中形成有IC、LSI等器件112。这样形成的晶片11粘贴在被安装于环状的框架12上的切割带13的表面上。切割带13使用了下述这样的所谓UV带：切割带13的粘合层由于照射规定的波长的紫外线而使得粘接力下降。收纳有晶片11的盒10被以被加工物搬出搬入开口101朝向临时放置区域14的方式载置于盒载置机构7的盒载置台71上。在盒载置台71的上表面设有用于在载置盒10时进行定位的定位部件711。另外，对于盒载置机构7，在后面详细进行说明。

图示的实施方式中的切削装置具备：搬出搬入构件15，其将收纳在盒10中的作为被加工物的晶片11搬出至临时放置区域14，并且将切削加工后的晶片11搬入盒10中；第1搬送构件16，其将被该搬出搬入构件15搬出的晶片11搬送至上述保持构件3上；清洗构件17，其对在保持构件3上切削加工后的晶片11进行清洗；和第2搬送构件18，其将在保持构件3上切削加工后的晶片11搬送至清洗构件17。

接下来，参照图2及图3对盒载置机构7进行说明。

图示的实施方式中的盒载置机构7具备：配设在上述盒载置台71的下侧的紫外线照射构件8；和用于使盒载置台71沿上下方向移动的升降构件72。

紫外线照射构件8具备由盒载置台71构成上壁的壳体81。如图2和图3所示，壳体81具备紫外线照射室811，该紫外线照射室811在搬出搬入构件15侧(在图3中为右侧)形成有开口811a。在壳体81的紫外线照射室811的上下方向中间部配设有紫外线照射灯82，该紫外线照射灯82照射包括下述波长的紫外线：对晶片11的表面进行照射而生成臭氧并生成活性氧的波长；和对切割带13进行照射而使粘接力降低的波长。该紫外线照射灯82由照射波长为150nm～400nm的紫外线的低压水银灯构成。另外，在形成于壳体81的紫外线照射室811中，在紫外线照射灯82的下侧配设有用于支承环状的框架12的第1框架支承构件83，所述环状的框架12通过切割带13支承晶片11，并且，在紫外线照射灯82的上侧配设有用于支承环状的框架12的第2框架支承构件84，所述环状的框架12通过切割带13支承晶片11。第1框架支承构件83由一对支承架831、831构成，所述一对支承架831、831在紫外线照射灯82的下侧对置地分别设置在构成壳体81的侧壁812、813的内表面上，第2框架支承构件84由一对支承架841、841构成，所述一对支承架841、841在紫外线照射灯82的上侧对置地分别设置在构成壳体81的侧壁812、813的内表面上。

如图2和图3所示，关于构成上述紫外线照射构件8的壳体81，在后壁814上还安装有借助升降构件72进行升降的移动块73和被引导部件74。

如图2所示，图示的实施方式中的升降构件72由以下部分构成：沿上下方向配设的引导构件721；和使上述移动块73沿该引导构件721移动的移动构件722。引导构件721具备一对导轨721a、721a，这一对导轨721a、721a相互平行地配设，并且以能够滑动的方式与设置在被引导部件74上的一对被引导槽741、741嵌合。移动构件722由以下部分构成：外螺纹杆722a，其沿上下方向配设在构成引导构件721的一对导轨721a与721a之间，且上端部以能够旋转的方式被安装在引导构件721上的轴承721b支承；和能够正转及反转的脉冲马达722b，其使该外螺纹杆722a旋转，如图3所示,外螺纹杆722a螺合于在移动块73上设置的内螺纹孔731中。因此，如果驱动脉冲马达722b向一个方向旋转，则移动块73和被引导部件74沿外螺纹杆722a和一对导轨721a、721a上升，如果驱动脉冲马达722b向另一个方向旋转，则移动块73和被引导部件74沿外螺纹杆722a和一对导轨721a、721a下降。像这样升降的移动块73和被引导部件74被定位于第1搬出搬入位置、第2搬出搬入位置以及第3搬出搬入位置，在该第1搬出搬入位置，如图3所示，载置于盒载置台71上的盒10与上述搬出搬入构件15对置，在该第2搬出搬入位置，如图4所示，配设在紫外线照射构件8的壳体81上第2框架支承构件84与搬出搬入构件15对置，在该第3搬出搬入位置，如图5所示，配设在紫外线照射构件8的壳体81上的第1框架支承构件83与搬出搬入构件15对置。另外，在第1搬出搬入位置，对应于在载置于盒载置台71上的盒10中收纳的晶片的收纳位置，对升降构件72进行位置调整。

图示的实施方式中的切削装置如上述那样构成，下面，对其作用进行说明。

在进行晶片11的切削时，将收纳有晶片11的盒10载置于盒载置机构7的盒载置台71上的规定的位置。另外，在将盒10载置于盒载置台71的情况下，盒载置台71如图3所示这样被定位于第1搬出搬入位置。通过如图3所示这样在第1搬出搬入位置将盒10载置于盒载置台71上的规定的位置，由此完成了收纳于盒10中的晶片11的切削作业的准备。

如果如上所述那样完成了切削作业的准备，则当接通切削加工开始开关(未图示)时，使盒载置机构7的升降构件72动作从而将载置于盒载置台71上的盒10的规定的位置定位于图3所示的第1搬出搬入位置。在盒10被定位于图3所示的第1搬出搬入位置后，使搬出搬入构件15动作来把持环状的框架12，所述环状的框架12载置于盒10的规定的架上，借助切割带13支承晶片11。在像这样利用搬出搬入构件15把持住借助切割带13支承晶片11的环状的框架12后，将搬出搬入构件15定位于在图3中由双点划线表示的位置。

接下来，使盒载置机构7的升降构件72动作，将配设在盒载置台71的下侧的紫外线照射构件8定位于图5所示的第3搬出搬入位置。当紫外线照射构件8被定位于图5所示的第3搬出搬入位置时，配设在紫外线照射构件8的壳体81上的第1框架支承构件83处于与搬出搬入构件15对置的位置。当紫外线照射构件8被定位于图5所示的第3搬出搬入位置后，使搬出搬入构件15动作，使借助切割带13支承晶片11的环状的框架12通过开口811a，将晶片11插入紫外线照射室811内，并将环状的框架12载置于构成第1框架支承构件83的一对支承架831、831上。因此，借助切割带13被支承在载置于一对支承架831、831的环状的框架12上的晶片11被定位成表面与紫外线照射灯82对置。这样，在将借助切割带13支承着晶片11的环状的框架12载置于构成第1框架支承构件83的一对支承架831、831上后，将搬出搬入构件15定位于在图5中由双点划线表示的位置。

如上所述，如果已将借助切割带13支承有晶片11的环状的框架12载置于构成第1框架支承构件83的一对支承架831、831上，并将搬出搬入构件15定位于在图5中由双点划线表示的位置，则使配设在紫外线照射室811中的紫外线照射灯82点亮，向载置于支承架831上的晶片11照射波长为150nm～400nm的紫外线。其结果是，利用波长为184.9nm的紫外线来分解氧分子而生成臭氧(O₃)，并利用波长为253.7nm的紫外线来分解臭氧(O₃)而生成高能的活性氧。像这样生成的活性氧作用于晶片11的表面，由此，晶片11的表面的亲水性得到提高(亲水性赋予工序)。像这样实施了亲水性赋予工序后，使紫外线照射灯82熄灭。

在实施了上述亲水性赋予工序后，使搬出搬入构件15动作，来把持环状的框架12，所述环状的框架12被支承在构成第1框架支承构件83的一对支承架831、831上，且借助切割带13支承晶片11。像这样把持着借助切割带13支承晶片11的环状的框架12的搬出搬入构件15将晶片11(以下，仅将使晶片11借助切割带13支承在环状的框架12上的状态下的晶片11称作晶片11)搬出至临时放置区域14。通过第1搬送构件16的回转动作将搬出至临时放置区域14的晶片11搬送至构成上述保持构件3的吸附卡盘32的保持面上，将该晶片11抽吸保持于该吸附卡盘32上。使像这样抽吸保持着晶片11的保持构件3移动至摄像构件5的正下方。在保持构件3被定位于摄像构件5的正下方时，通过摄像构件5检测出形成在晶片11上的分割预定线111，并沿主轴单元4的分度方向即箭头Y方向移动并调节，进行精密的位置对准作业。

然后，通过使抽吸保持着晶片11的保持构件3沿着作为切削进给方向的以箭头X所示的方向(与切削刀具43的旋转轴垂直的方向)移动，由此利用切削刀具43沿规定的分割预定线111将保持在保持构件3上的晶片11切断(切削工序)。即，由于切削刀具43被安装于主轴单元4上，并被驱动而旋转，所述主轴单元4沿着作为分度方向的以箭头Y所示的方向和作为切入方向的以箭头Z所示的方向进行了移动调整而被定位，因此，通过使保持构件3沿切削刀具43的下侧在箭头X所示的切削进给方向上移动，由此，保持在保持构件3上的晶片11被切削刀具43沿着规定的分割预定线111切断。通过这样将晶片11沿分割预定线111切断，从而将晶片11分割为一个个的器件。分割后的器件由于切割带13的作用不会变得散乱，而是维持着借助切割带13被支承在环状的框架12上的晶片11的状态。

在上述切削工序中，从切削液供给喷嘴44向切削刀具43切削晶片11的切削部供给切削液。因此，由于切削刀具43的切削而生成的切削屑混入切削液中而漂浮在晶片11的表面即切削面上。可是，由于晶片11的表面即切削面通过上述的亲水性赋予工序而提高了亲水性，维持着润湿的状态，因此，切削屑不会牢固地附着于晶片11的表面即切削面上。

在如上述这样结束了切削工序后，使借助切割带13支承在环状的框架12上的分割出的器件(以下，称作切削加工后的晶片11)返回最初抽吸保持晶片11的位置，在此，解除对切削后的晶片11的抽吸保持。接下来，借助第2搬送构件18将切削加工后的晶片11搬送至清洗构件17处，在此，清洗并去除在上述切削时生成的切削屑(清洗工序)。在该清洗工序中，如上所述，由于对晶片11的上表面即切削面赋予了亲水性，在切削时生成的切削屑没有牢固地附着于晶片11的上表面即切削面上，因此，能够容易地去除切削屑。像这样进行了清洗的切削加工后的晶片11被第1搬送构件16搬送至临时放置区域14。

另一方面，盒载置机构7将紫外线照射构件8定位于图4所示的第2搬出搬入位置。并且，然后，使搬出搬入构件15动作，使借助切割带13支承着如上述那样被搬送至临时放置区域14的切削加工后的晶片11的环状的框架12通过开口811a插入紫外线照射室811内，并将环状的框架12载置于构成第2框架支承构件84的一对支承架841、841上。因此，在载置于一对支承架841、841上的环状的框架12上安装的切割带13的背面被定位成与紫外线照射灯82对置。这样，在将借助切割带13支承着切削加工后的晶片11的环状的框架12载置于构成第2框架支承构件84的一对支承架841、841上后，将搬出搬入构件15定位于图4中由双点划线表示的位置，并使配设在紫外线照射室811中的紫外线照射灯82点亮，朝粘贴有切削加工后的晶片11的切割带13照射波长为150nm～400nm的紫外线。其结果是，通过对切割带13照射的波长为300～400nm的紫外线，使切割带13的粘接力降低(粘接力降低工序)。通过像这样实施粘接力降低工序，由此，在作为接下来的工序的拾取工序中，由于将分割成一个个的器件从切割带13剥离，因此，拾取变得容易。

在如上述那样对粘贴有被搬送至紫外线照射构件8处的切削加工后的晶片11的切割带13照射紫外线后，熄灭紫外线照射灯82。接下来，使搬出搬入构件15动作，将在因实施上述粘接力降低工序而使得粘接力降低的切割带13上粘贴的、切削加工后的晶片11搬出。然后，在使盒载置机构7的升降构件72动作而将盒10定位于图3所示的第1搬出搬入位置后，再次使搬出搬入构件15动作，将切削加工后的晶片11收纳于被定位在第1搬出搬入位置处的盒10的规定的位置。这样，在将切削加工后的晶片11收纳于盒10的规定的位置后，使搬出搬入构件15动作，将接下来应进行切削的晶片从盒10搬出，并重复实施上述切削作业。

并且，在上述的切削作业中，在对实施了亲水性赋予工序后的晶片11实施切削工序的期间，将接下来应进行切削的晶片11从盒10搬出并实施亲水性赋予工序，并使被赋予了亲水性的晶片11返回盒10中预先进行准备，由此能够提高作业效率。

如上所述，图示的实施方式中的紫外线照射构件8具备：紫外线照射灯82，其配设在壳体81的紫外线照射室811中，由照射波长为150nm～400nm的紫外线的低压水银灯构成；第1框架支承构件83，其配设在紫外线照射灯82下侧，用于对借助切割带13支承晶片11的环状的框架12进行支承；和第2框架支承构件84，其配设在紫外线照射灯82的上侧，用于对借助切割带13支承晶片11的环状的框架12进行支承，在对晶片11的表面照射紫外线来赋予亲水性时，利用第1框架支承构件83对借助切割带13支承晶片11的环状的框架12进行支承，在对切割带13照射紫外线来使粘接力降低时，利用第2框架支承构件84对借助切割带13支承晶片11的环状的框架12进行支承，因此，能够利用1个紫外线照射灯82来实施向晶片的表面照射紫外线以赋予亲水性的亲水性赋予工序、和向切割带照射紫外线以使粘接力降低的粘接力降低工序。因此，无需配设用于赋予亲水性的紫外线照射灯和用于降低粘接力的紫外线照射灯，因此，切削装置内的空间的限制得到缓解，能够实现装置的小型化。

以上，基于图示的实施方式对本发明进行了说明，但本发明并不仅仅限定于实施方式。在图示的实施方式中，示出了通过在切削装置中装备的紫外线照射构件8来实施亲水性赋予工序的例子，但也可以通过与切削装置相邻地配置的紫外线照射构件来实施亲水性赋予工序。

Claims (2)

1.一种切削装置，所述切削装置具备：保持构件，其保持晶片；切削构件，其具备对由该保持构件保持的晶片进行切削的切削刀具；切削进给构件，其使该保持构件和该切削构件沿切削进给方向相对移动；分度进给构件，其使该保持构件和该切削构件沿着与切削进给方向垂直的分度进给方向相对移动；盒载置机构，其具备盒载置台，该盒载置台载置收纳有晶片的盒，所述晶片被粘贴在由于紫外线的照射而使得粘接力降低的切割带上，并借助该切割带被支承于环状的框架；搬出构件，其将在载置于该盒载置台上的该盒中收纳的晶片搬出至临时放置区域；以及搬送构件，其将被搬出至该临时放置区域的晶片搬送至该保持构件，

所述切削装置的特征在于，

所述切削装置具备紫外线照射构件，所述紫外线照射构件向被该搬出构件搬出的晶片的表面照射紫外线以赋予亲水性，并且向该切割带照射紫外线以使粘接力降低，

该紫外线照射构件具备：紫外线照射灯，其照射紫外线，所述紫外线包含对晶片的表面进行照射而生成臭氧并且生成活性氧的波长、和对该切割带进行照射而使粘接力降低的波长；第1框架支承构件，其配设在该紫外线照射灯的下侧，对借助该切割带支承晶片的该环状的框架进行支承；和第2框架支承构件，其配设在该紫外线照射灯的上侧，对借助该切割带支承晶片的该环状的框架进行支承，

在对晶片的表面照射紫外线来赋予亲水性时，利用该第1框架支承构件对借助该切割带支承晶片的该环状的框架进行支承，在对该切割带照射紫外线以使粘接力降低时，利用该第2框架支承构件对借助该切割带支承晶片的该环状的框架进行支承。

2.根据权利要求1所述的切削装置，其中，

该紫外线照射灯为低压水银灯。