CN105974659A - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种阵列基板及显示面板，包括：第一基板；位于所述第一基板第一侧的液晶驱动膜层，所述液晶驱动膜层包括位于同一层且相互绝缘的公共电极和像素电极；与所述液晶驱动膜层位于所述第一基板同一侧的彩膜膜层，所述彩膜膜层包括黑色矩阵和位于由所述黑色矩阵定义的多个区域内的彩色色阻；其中，在垂直于所述阵列基板表面的方向上，所述黑色矩阵与所述像素电极至少部分交叠，且所述黑色矩阵为导体层，在所述阵列基板工作时电连接固定电位，从而增加了所述阵列基板中的存储电容，进而缓解了显示画面中的闪烁现象或残像，提高了显示画面的显示质量。

Description

阵列基板及显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及包括该阵列基板的显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，显示面板的应用越来越广泛。但是，现有IPS(In-Plane Switching，平面转换)的液晶显示面板中，其用于控制液晶分子翻转的公共电极和像素电极位于同一层，且所述公共电极与所述像素电极之间没有交叠区域，使得所述公共电极与所述像素电极之间形成的存储电容较小，从而导致IPS液晶显示面板在显示画面时容易存在闪烁现象或残像，影响显示画面的显示质量。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板及包括该阵列基板的显示面板，以增大所述阵列基板及包括该阵列基板的显示面板中的存储电容，缓解显示画面中的闪烁现象或残像，提高显示质量。

为解决上述问题，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种阵列基板，包括：

第一基板；

位于所述第一基板第一侧的液晶驱动膜层，所述液晶驱动膜层包括位于同一层且相互绝缘的公共电极和像素电极；

与所述液晶驱动膜层位于所述第一基板同一侧的彩膜膜层，所述彩膜膜层包括黑色矩阵和位于由所述黑色矩阵定义的多个区域内的彩色色阻；

其中，在垂直于所述阵列基板表面的方向上，所述黑色矩阵与所述像素电极至少部分交叠，且所述黑色矩阵为导体层，在所述阵列基板工作时电连接固定电位。

可选的，所述固定电位与所述公共电极上施加的电位相同。

可选的，所述第一基板的第一侧还设置有像素驱动膜层，所述像素驱动膜层包括：

交叉设置且相互绝缘的多条数据线和扫描线，所述多条数据线和扫描线限定出多个子像素；

与所述数据线和所述扫描线电连接的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接，源极与所述数据线电连接，漏极与所述像素电极电连接，在所述扫描线的控制下，将所述数据线输入的数据信号通过所述像素电极提供给其对应的子像素，控制该子像素的显示。

可选的，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极通过过孔电连接。

可选的，所述黑色矩阵与所述漏极至少部分交叠。

可选的，所述彩膜膜层位于所述液晶驱动膜层和所述像素驱动膜层之间。

可选的，所述黑色矩阵位于所述彩色色阻朝向所述液晶驱动膜层一侧。

可选的，所述阵列基板中的彩色色阻包括：红色色阻、蓝色色阻和绿色色阻，所述红色色阻、所述蓝色色阻和所述绿色色阻的厚度不完全相同。

可选的，所述彩膜膜层背离所述第一基板表面一侧还设置有平坦化层。

一种显示面板，包括：相对设置的阵列基板和第二基板，以及位于所述阵列基板和所述第二基板之间的液晶层，其中，所述阵列基板为上述任一项所述的阵列基板。

与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：

本发明实施例所提供的阵列基板，包括：位于第一基板第一侧的液晶驱动膜层和彩膜膜层，其中，所述液晶驱动膜层包括位于同一层且相互绝缘的公共电极和像素电极，所述彩膜膜层包括黑色矩阵和位于由所述黑色矩阵定义的多个区域内的彩色色阻，且在垂直于所述阵列基板表面的方向上，所述黑色矩阵与所述像素电极至少部分交叠，且所述黑色矩阵为导体层，在所述阵列基板工作时电连接固定电位，从而使得所述阵列基板中的存储电容不仅包括像素电极和公共电极之间形成的电容，还包括像素电极与黑色矩阵之间形成的电容，增加了所述阵列基板中的存储电容，进而缓解了显示画面中的闪烁现象或残像，提高了显示画面的显示质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图；

图2为本发明另一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图；

图3为本发明又一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图；

图4为本发明再一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图；

图5为图4所示的阵列基板中，像素驱动膜层的俯视图；

图6为图5所示的像素驱动膜层中一个子像素的结构示意图；

图7为图6所示子像素中A处的剖视图；

图8为图6所示子像素中B处的剖视图；

图9为图6所示子像素中B处的另一种剖视图；

图10为本发明又一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图；

图11为图6所示子像素中B处的又一种剖视图；

图12为本发明再一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图

图13为本发明一个实施例所提供的显示面板的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

如图1所示，图1是示出了本发明一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图。在本发明实施例中，所述阵列基板包括：

第一基板10；

位于所述第一基板10第一侧的液晶驱动膜层20，所述液晶驱动膜层20包括位于同一层且相互绝缘的公共电极21和像素电极22；

与所述液晶驱动膜层20位于所述第一基板10同一侧的彩膜膜层30，所述彩膜膜层30包括黑色矩阵31和位于由所述黑色矩阵31定义的多个区域内的彩色色阻32；

其中，在垂直于所述阵列基板表面的方向上，所述黑色矩阵31与所述像素电极22至少部分交叠，且在所述阵列基板工作时电连接固定电位，从而在所述阵列基板工作时，在所述黑色矩阵31和所述像素电极22之间形成电容，作为所述阵列基板中存储电容的一部分，增大所述阵列基板中的存储电容。

在上述实施例的基础上，在本发明的一个可选实施例中，所述固定电位与所述公共电极21上施加的电位相同，但本发明对此并不做限定，只要保证所述阵列基板中各像素电极22对应的黑色矩阵31上所施加的电位相同即可。

在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，继续如图1所示，所述黑色矩阵31与所述像素电极22至少部分交叠为所述黑色矩阵31与所述像素电极22仅部分交叠，即所述黑色矩阵31的部分与所述像素电极22的部分相交叠；在本发明的另一个实施例中，如图2所示，图2示出了本发明另一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图，在本实施例中，所述黑色矩阵31与所述像素电极22至少部分交叠为所述像素电极22在所述第一基板10上的投影完全覆盖所述黑色矩阵31在第一基板10上的投影，本发明对此并不做限定，只要保证所述像素电极22与所述公共电极21相互绝缘，且所述像素电极22与所述黑色矩阵31至少部分交叠即可。

需要说明的是，在图1和图2所示的阵列基板中，所述液晶驱动膜层20位于所述彩膜膜层30背离所述第一基板10一侧，但本发明对此并不做限定，在本发明的另一个实施例中，如图3所示，图3示出了本发明又一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图，所述液晶驱动膜层20还可以位于所述彩膜膜层30朝向所述第一基板10一侧，具体视情况而定，只要保证所述液晶驱动膜层20和所述彩膜膜层30位于所述第一基板10的同一侧即可。

如图4-图6所示，图4示出了本发明再一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图；图5为图4所示的阵列基板中，像素驱动膜层的俯视图；图6为图5所示的像素驱动膜层中一个子像素的结构示意图。在本发明实施例中，所述第一基板10的第一侧还设置有像素驱动膜层40，所述像素驱动膜层40包括：交叉且相互绝缘的多条数据线41和多条扫描线42，所述多条数据线41和多条扫描线42限定出多个子像素43；与所述数据线41和所述扫描线42电连接的薄膜晶体管44，所述薄膜晶体管44的栅极g与所述扫描线42电连接，所述薄膜晶体管44的源极s与所述数据线41电连接，所述薄膜晶体管44的漏极d与所述像素电极22电连接，具体工作时，所述薄膜晶体管44在所述扫描线42的控制下，将所述数据线41输入的数据信号通过所述像素电极22提供给其对应的子像素43，控制该子像素43的显示。

如图7所示，图7为图6所示子像素中A处的剖视图。在上述实施例中，所述源极s与所述漏极d之间具有沟道区，所述沟道区的制作材料为半导体材料，所述半导体材料为非晶硅、低温多晶硅、金属氧化物或低温多晶氧化物；所述沟道区与所述栅极g之间设置有栅极绝缘层45，且所述沟道区设置于所述栅极g的正上方，即所述沟道区在所述第一基板10上的投影覆盖所述栅极g在所述第一基板10上的投影，其中，所述栅极绝缘层45可以为氮化硅层或氧化硅层。

需要说明的是，在本发明实施例中，所述数据线41和所述扫描线42可选为金属走线，且所述数据线41和所述扫描线42的厚度可选为不同，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。可选的，所述金属走线可以为铝走线，也可以为铜走线。

具体的，如图8所示，图8为图6所示子像素中B处的剖视图。在上述实施例的基础上，在本发明的一个可选实施例中，所述薄膜晶体管44的漏极d与所述像素电极22通过过孔50电连接。

在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，继续如图8所示，在垂直于所述阵列基板表面的方向上，所述黑色矩阵31与所述漏极d至少部分交叠，从而将所述黑色矩阵31与所述漏极d之间形成的电容也作为存储电容的一部分，进一步增大所述阵列基板中的存储电容。

需要说明的是，在上述实施例中，在本发明的一个实施例中，继续如图8所示，在垂直于所述阵列基板表面的方向上，所述黑色矩阵31与所述漏极d至少部分交叠可以为在垂直于所述阵列基板表面的方向上，所述黑色矩阵31的部分与所述漏极d的部分相交叠；在本发明的另一个实施例中，如图9所示，图9示出了图6所示子像素中B处的另一种剖视图，在本发明实施例中，在垂直于所述阵列基板表面的方向上，所述黑色矩阵31与所述漏极d至少部分交叠也可以为在垂直于所述阵列基板表面的方向上，所述黑色矩阵31在所述第一基板10上的投影完全覆盖所述漏极d在所述第一基板10上的投影，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。

在上述任一实施例的基础上，当所述彩膜膜层30位于所述液晶驱动膜层20朝向所述第一基板10一侧时，继续如图4所示，在本发明实施例中，所述彩膜膜层30位于所述液晶驱动膜层20与所述像素驱动膜层40之间。

如图10所示，图10示出了本发明又一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图，在本发明实施例中，所述彩膜膜层30还可以位于所述像素驱动膜层40与所述第一基板10之间。本发明对此并不做限定，具体视情况而定。

需要说明的是，虽然图1-图4中所示的阵列基板中，不同颜色的色阻呈矩阵设置，所述黑色矩阵31与所述彩色色阻32位于同一层，但本发明对此并不做限定，在本发明的其他实施例中，不同颜色的色阻相互交叠。

在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，如图8所示，所述黑色矩阵31位于所述彩色色阻32与所述像素电极22之间，即所述黑色矩阵31位于所述彩色色阻32朝向液晶驱动膜层20一侧，以缩小所述黑色矩阵31与所述像素电极22之间的距离，在相同正对面积下，增加所述黑色矩阵31与所述像素电极22之间的电容。

如图11所示，图11为图6所示子像素中B处的又一种剖视图，在本发明实施例中，所述黑色矩阵31还可以位于所述彩色色阻32朝向所述第一基板10一侧，具体视情况而定。

在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述阵列基板包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，在本发明实施例中，所述阵列基板中的彩色色阻32包括：红色色阻、蓝色色阻和绿色色阻，以使得所述阵列基板的出射光包括红光、绿光和蓝光。其中，所述红色色阻对应所述红色子像素，所述蓝色色阻对应所述蓝色子像素，所述绿色色阻对应所述绿色子像素，但本发明对此并不做限定，在本发明的其他实施例中，所述阵列基板还可以包括白色子像素或黄色子像素等其他颜色子像素，具体视情况而定。

需要说明的是，在上述实施例中，所述红色色阻、所述蓝色色阻和所述绿色色阻的厚度不完全相同。即在本发明实施例中，所述红色色阻、所述蓝色色阻和所述绿色色阻的厚度可以相同，也可以部分相同，部分不同，还可以完全不同。

如图12所示，图12示出了本发明再一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图。在本发明实施例中，所述彩膜膜层30背离所述第一基板10表面一侧还设置有平坦化层60，以利用所述平坦化层60对所述阵列基板的表面进行平坦化。需要说明的是，在本发明实施例中，所述平坦化层60还作为所述黑色矩阵31与所述像素电极22之间的绝缘层，在本发明的其他实施例中，所述平坦化层60还可以不作为所述黑色矩阵31与所述像素电极22之间的绝缘层，在本实施例中，所述平坦化层60与所述黑色矩阵31之间额外设置有绝缘层，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。

需要说明的是，在上述实施例中，所述平坦化层60可以为有机层，也可以为无机层，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。

如图13所示，图13示出了本发明一个实施例所提供的显示面板的结构示意图。在本发明实施例中，所述显示面板包括：相对设置的阵列基板100和第二基板200，以及位于所述阵列基板100和所述第二基板200之间的液晶层300，其中，所述阵列基板100为上述任一实施例所提供的阵列基板。

综上所述，本发明实施例所提供的阵列基板及包括该阵列基板的显示面板，包括：位于第一基板10第一侧的液晶驱动膜层20和彩膜膜层30，其中，所述液晶驱动膜层20包括位于同一层且相互绝缘的公共电极21和像素电极22，所述彩膜膜层30包括黑色矩阵31和位于由所述黑色矩阵31定义的多个区域内的彩色色阻32，且在垂直于所述阵列基板表面的方向上，所述黑色矩阵31与所述像素电极22至少部分交叠，且所述黑色矩阵31为导体层，在所述阵列基板工作时电连接固定电位，从而使得所述阵列基板中的存储电容不仅包括像素电极22和公共电极21之间形成的电容，还包括像素电极22与黑色矩阵31之间形成的电容，增加了所述阵列基板中的存储电容，进而减弱所述显示面板中的漏电现象对利用所述存储电容中的电荷控制液晶分子偏转时的影响，缓解了由于漏电现象的存在而导致的显示画面中的闪烁现象或残像，提高了显示画面的显示质量。

本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

第一基板；

位于所述第一基板第一侧的液晶驱动膜层，所述液晶驱动膜层包括位于同一层且相互绝缘的公共电极和像素电极；

与所述液晶驱动膜层位于所述第一基板同一侧的彩膜膜层，所述彩膜膜层包括黑色矩阵和位于由所述黑色矩阵定义的多个区域内的彩色色阻；

其中，在垂直于所述阵列基板表面的方向上，所述黑色矩阵与所述像素电极至少部分交叠，且所述黑色矩阵为导体层，在所述阵列基板工作时电连接固定电位。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述固定电位与所述公共电极上施加的电位相同。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一基板的第一侧还设置有像素驱动膜层，所述像素驱动膜层包括：

交叉设置且相互绝缘的多条数据线和扫描线，所述多条数据线和扫描线限定出多个子像素；

与所述数据线和所述扫描线电连接的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接，源极与所述数据线电连接，漏极与所述像素电极电连接，在所述扫描线的控制下，将所述数据线输入的数据信号通过所述像素电极提供给其对应的子像素，控制该子像素的显示。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极通过过孔电连接。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，在垂直于所述阵列基板表面的方向上，所述黑色矩阵与所述漏极至少部分交叠。

6.根据权利要求3-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述彩膜膜层位于所述液晶驱动膜层和所述像素驱动膜层之间。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述黑色矩阵位于所述彩色色阻朝向所述液晶驱动膜层一侧。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板中的彩色色阻包括：红色色阻、蓝色色阻和绿色色阻，所述红色色阻、所述蓝色色阻和所述绿色色阻的厚度不完全相同。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述彩膜膜层背离所述第一基板表面一侧还设置有平坦化层。

10.一种显示面板，其特征在于，包括：相对设置的阵列基板和第二基板，以及位于所述阵列基板和所述第二基板之间的液晶层，其中，所述阵列基板为权利要求1-9任一项所述的阵列基板。