CN105892115A - 阵列基板、显示面板以及阵列基板的修复方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的修复方法,所述阵列基板包括多条数据线、多条扫描线以及多个像素电极,所述像素电极设置在所述数据线和扫描线之间,其中,所述扫描线和/或所述数据线的至少部分位置加宽。能够在不降低阵列基板开口率的前提下,有效提高数据线修补后的完整性和稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域,特别是涉及一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的修复方法。
背景技术
伴随着液晶LCD以及有机发光二极管OLED为代表的平板显示器向着大尺寸、高分辨率的方向发展,薄膜晶体管TFT作为平板显示行业的核心部件,也得到广泛的关注。现有技术中常用的薄膜晶体管包括非晶硅薄膜晶体管以及氧化物薄膜晶体管,由于氧化物薄膜晶体管具有载流子迁移率高的优势,在导入时无需大幅改变现有的液晶面板生产线等优势,而得到了广泛应用。
在制造TFT-LCD阵列面板过程中,为了保证阵列面板的开口率,一般数据线设计的相对比较细不可避免的会出现数据线断线问题,现有的对数据线断线进行修复的方法一般是通过激光将金属离子沉积、长线进行修补来完成修复。在进行长线修补时,需要先通过激光进行打点,以使包裹在金属线外表面的非金属层打开暴露出该金属层,来完成长线的焊接。但是由于激光打点有一定的轰击辐射范围,容易造成焊接点周围金属线的融化,而影响修复的完整性,而且,在后续使用过程中,由于数据线本身很细,在经过激光打点后,也容易出现焊接不稳定的情况,增加用户的使用风险。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的修复方法,能够在不降低阵列基板开口率的前提下,有效提高数据线修补后的完整性和稳定性。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种阵列基板,包括多条数据线、多条扫描线以及多个像素电极,所述像素电极设置在所述数据线和扫描线之间,其中,所述扫描线和/或所述数据线的至少部分位置加宽。
其中,所述扫描线和/或所述数据线的加宽部位用于在所述扫描线和/或所述数据线断开时作为连接所述断开的长线的焊接点。
其中,所述加宽部位的两侧分别加宽0.5~2微米。
其中,所述至少两个加宽部位分别设置在所述扫描线和/或数据线中对应所述公共电极两侧的区域的中间位置。
其中,所述阵列基板还包括薄膜晶体管TFT、过孔,所述TFT的栅极连接所述扫描线,所述TFT的源极和漏极中的其中一个与数据线连接,另一个通过所述过孔与所述像素电极电路连接。
其中,所述扫描线和所述数据线为行列设置,每个像素中的公共电极为十字形。
为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种显示面板,所述显示面板包括阵列基板,所述阵列基板包括多条数据线、多条扫描线以及多个像素电极,所述像素电极设置在所述数据线和扫描线之间,其中,所述扫描线和/或所述数据线的至少部分位置加宽。
其中,所述扫描线和/或所述数据线的加宽部位用于在所述扫描线和/或所述数据线断开时作为连接所述断开的长线的焊接点。
为解决上述技术问题,本发明采用的再一个技术方案是:提供一种阵列基板的修复方法,所述修复方法包括:
扫描线和/或所述数据线的至少部分位置加宽,以作为所述扫描线和/或所述数据线断开时连接所述断开的长线的焊接点;
将所述焊接点激光打孔暴露部分金属线后,将所述长线焊接在所述焊接点处。
本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况,本实施方式的阵列基板包括多条数据线、多条扫描线以及多个像素电极,所述像素电极设置在所述数据线和扫描线之间,其中,所述扫描线和/或所述数据线的至少部分位置加宽。通过上述方式,在进行激光打点焊接长线时,能够阻隔了焊接点与其他周围的金属线的直接接触,有效防止了焊接点周围金属线的融化,提高了阵列基板的完整性。而且,由于焊接点的加宽,使长线与焊接点的接触面积本身也得到了增大,进一步使得长线与焊接点的连接更加牢固,在后续使用中也更加稳定,能够有效降低后续使用长线脱落的风险。另外,由于阵列基板仅仅是对扫描线和/或所述数据线的至少部分位置加宽,即局部加宽,并没有额外增加整体扫描线和/或所述数据线的宽度,因此,也不会影响阵列基板的开口率。
附图说明
图1是本发明阵列基板一实施方式的结构示意图;
图2是本发明数据线修补方式一实施方式的结构示意图
图3是本发明显示面板再一实施方式的结构示意图;
图4是本发明阵列基板的修复方法一实施方式的流程示意图。
具体实施方式
参阅图1,图1是本发明阵列基板一实施方式的结构示意图。如图1所示,该阵列基板包括多条扫描线101,多条数据线102,其中,该扫描线101和数据线102为行列设置,该阵列基板还包括由所述扫描线101和数据线102所组成的像素区域103,其中,该像素区域103包括像素电极1031,像素电极1031设置在数据线102和扫描线101之间。
由于数据线或扫描线在生产过程中,不可避免的会出现断线的情况,在进行长线修补时,为了避免由于高温高湿或其他苛刻条件造成的长线脱落或焊接部位的损害,本实施方式中,扫描线101和/或数据线102的至少部分位置加宽,如图中的104区域。其中,扫描线101和/或所述数据线102的加宽部位用于在扫描线101和/或所述数据线102断开时作为连接所述断开的长线的焊接点。
其中,为了保证每个显示区域102都能实现长线的焊接,在一个可选的实施方式中,扫描线101和/或所述数据线102对应每个像素的区域包含至少两个所述加宽部位,该至少两个加宽部位分别设置在所述扫描线101和/或数据线102中对应所述公共电极105两侧的区域中。
其中,该公共电极105设置在像素区域中,每个显示区域中的公共电极105为十字形,如图1所示。
在另一个优选的实施方式中,为了保证像素区域较小的情况下,仍能实现长线的焊接,至少两个加宽部位104分别设置在所述扫描线101和/或数据线102中对应所述公共电极105两侧的区域的中间位置。
为了保证阵列基板的开口率,一般由于数据线设计的相对较细,以修补数据线为例来说明,如图2所示。其中,加宽部位2011和2012位于数据线201上,作为本次修补的焊接点。2013为数据线断开部位,202为用于修补该断线的长线。
为了完成本次修补,先通过激光分别将数据线201加宽部位2011和2012的部分表面的包裹在金属线表面的非金属层如绝缘层打开,暴露出该部分金属线,再将用于焊接的长线202的两边分别焊接在该加宽部位2011和2012暴露出的金属线上,来完成焊接。
通过上述方式的焊接,即使激光打点有一定的轰击辐射范围,由于焊接点被加宽了,阻隔了焊接点与其他周围的金属线的直接接触,因此也不会造成焊接点周围金属线的融化,保证了阵列基板的完整性。而且,由于焊接点的加宽,使长线202与焊接点的接触面积本身也得到了增大,这使得长线与焊接点的连接更加牢固,在后续使用中也更加稳定,能够有效降低后续使用长线脱落的风险。
在一个优选的实施方式中,即为了保证阵列基板的开口率,也为了保证焊接的稳定性,上述加宽部位2021和2022的两侧分别加宽0.5~2微米。
由于本实施方式的阵列基板仅仅是对扫描线和/或所述数据线的至少部分位置加宽,即局部加宽,并没有额外增加整体扫描线和/或所述数据线的宽度,因此,也不会影响阵列基板的开口率。
进一步地参阅图1,本实施方式的阵列基板还包括薄膜晶体管TFT106、过孔107,所述TFT 106的栅极连接所述扫描线101,所述TFT 106的源极和漏极中的其中一个与数据线102连接,另一个通过所述过孔107与所述像素电极1031电路连接。在此不做限定。
区别于现有技术,本实施方式的阵列基板包括多条数据线、多条扫描线以及多个像素电极,所述像素电极设置在所述数据线和扫描线之间,其中,所述扫描线和/或所述数据线的至少部分位置加宽。通过上述方式,在进行激光打点焊接长线时,能够阻隔了焊接点与其他周围的金属线的直接接触,有效防止了焊接点周围金属线的融化,提高了阵列基板的完整性。而且,由于焊接点的加宽,使长线与焊接点的接触面积本身也得到了增大,进一步使得长线与焊接点的连接更加牢固,在后续使用中也更加稳定,能够有效降低后续使用长线脱落的风险。另外,由于阵列基板仅仅是对扫描线和/或所述数据线的至少部分位置加宽,即局部加宽,并没有额外增加整体扫描线和/或所述数据线的宽度,因此,也不会影响阵列基板的开口率。
参阅图3,图3是本发明显示面板一实施方式的结构示意图。本实施方式的显示面板包括相对设置的阵列基板301、彩膜基板302,还包括设置在该阵列基板301以及彩膜基板302之间的液晶层303。
该阵列基板301包括多条扫描线,多条数据线,其中,该扫描线和数据线为行列设置,该阵列基板还包括由所述扫描线和数据线所组成的像素区域,其中,该像素区域包括像素电极,像素电极设置在数据线102和扫描线之间。
由于数据线或扫描线在生产过程中,不可避免的会出现断线的情况,在进行长线修补时,为了避免由于高温高湿或其他苛刻条件造成的长线脱落或焊接部位的损害,本实施方式中,扫描线和/或数据线的至少部分位置加宽。其中,扫描线和/或所述数据线的加宽部位用于在扫描线和/或所述数据线断开时作为连接所述断开的长线的焊接点。
其中,为了保证每个显示区域都能实现长线的焊接,在一个可选的实施方式中,扫描线和/或所述数据线对应每个像素的区域包含至少两个所述加宽部位,该至少两个加宽部位分别设置在所述扫描线和/或数据线中对应所述公共电极两侧的区域中。
其中,该公共电极设置在像素区域中,每个显示区域中的公共电极为十字形。
在另一个优选的实施方式中,为了保证像素区域较小的情况下,仍能实现长线的焊接,至少两个加宽部位分别设置在所述扫描线和/或数据线中对应所述公共电极两侧的区域的中间位置。
在一个具体的实施方式中,为了保证显示面板的开口率,一般数据线设计的相对较细,以修补数据线为例来说明,先通过激光分别将数据线的两个加宽部位部分表面的包裹在金属线表面的非金属层如绝缘层打开,暴露出该部分金属线,再将用于焊接的长线的两边分别焊接在该两个加宽部位暴露出的金属线上,来完成焊接。
通过上述方式的焊接,即使激光打点有一定的轰击辐射范围,由于焊接点被加宽了,阻隔了焊接点与其他周围的金属线的直接接触,因此也不会造成焊接点周围金属线的融化,保证了阵列基板的完整性。而且,由于焊接点的加宽,使长线与焊接点的接触面积本身也得到了增大,这使得长线与焊接点的连接更加牢固,在后续使用中也更加稳定,能够有效降低后续使用长线脱落的风险。
在一个优选的实施方式中,即为了保证阵列基板的开口率,也为了保证焊接的稳定性,上述两个加宽部位的两侧分别加宽0.5~2微米。
由于本实施方式的阵列基板仅仅是对扫描线和/或所述数据线的至少部分位置加宽,即局部加宽,并没有额外增加整体扫描线和/或所述数据线的宽度,因此,也不会影响阵列基板的开口率。
在另一个实施方式中,阵列基板还包括薄膜晶体管TFT、过孔,所述TFT的栅极连接所述扫描线,所述TFT的源极和漏极中的其中一个与数据线连接,另一个通过所述过孔与所述像素电极电路连接。在此不做限定。
区别于现有技术,本实施方式的显示面板的阵列基板包括多条数据线、多条扫描线以及多个像素电极,所述像素电极设置在所述数据线和扫描线之间,其中,所述扫描线和/或所述数据线的至少部分位置加宽。通过上述方式,在进行激光打点焊接长线时,能够阻隔了焊接点与其他周围的金属线的直接接触,有效防止了焊接点周围金属线的融化,提高了阵列基板的完整性。而且,由于焊接点的加宽,使长线与焊接点的接触面积本身也得到了增大,进一步使得长线与焊接点的连接更加牢固,在后续使用中也更加稳定,能够有效降低后续使用长线脱落的风险。另外,由于阵列基板仅仅是对扫描线和/或所述数据线的至少部分位置加宽,即局部加宽,并没有额外增加整体扫描线和/或所述数据线的宽度,因此,也不会影响阵列基板的开口率。
参阅图4,图4是本发明阵列基板的修复方法一实施方式的流程示意图。本实施方式的修复方法包括如下步骤:
401:扫描线和/或所述数据线的至少部分位置加宽,以作为所述扫描线和/或所述数据线断开时连接所述断开的长线的焊接点。
由于数据线或扫描线在生产过程中,不可避免的会出现断线的情况,在进行长线修补时,为了避免由于高温高湿或其他苛刻条件造成的长线脱落或焊接部位的损害,本实施方式中,扫描线和/或数据线的至少部分位置加宽。其中,扫描线和/或所述数据线的加宽部位用于在扫描线和/或所述数据线断开时作为连接所述断开的长线的焊接点。
其中,为了保证每个显示区域都能实现长线的焊接,在一个可选的实施方式中,扫描线和/或所述数据线对应每个像素的区域包含至少两个所述加宽部位,该至少两个加宽部位分别设置在所述扫描线和/或数据线中对应所述公共电极两侧的区域中。
其中,该公共电极设置在像素区域中,每个显示区域中的公共电极为十字形。
在另一个优选的实施方式中,为了保证像素区域较小的情况下,仍能实现长线的焊接,至少两个加宽部位分别设置在所述扫描线和/或数据线中对应所述公共电极两侧的区域的中间位置。
在一个优选的实施方式中,即为了保证阵列基板的开口率,也为了保证焊接的稳定性,上述两个加宽部位的两侧分别加宽0.5~2微米。
402:将所述焊接点激光打孔暴露部分金属线后,将所述长线焊接在所述焊接点处。
具体地,先通过激光分别将数据线的两个加宽部位部分表面的包裹在金属线表面的非金属层如绝缘层打开,暴露出该部分金属线,再将用于焊接的长线的两边分别焊接在该两个加宽部位暴露出的金属线上,来完成焊接。
区别于现有技术,本实施方式的修复方法在进行激光打点焊接长线时,能够阻隔了焊接点与其他周围的金属线的直接接触,有效防止了焊接点周围金属线的融化,提高了阵列基板的完整性。而且,由于焊接点的加宽,使长线与焊接点的接触面积本身也得到了增大,进一步使得长线与焊接点的连接更加牢固,在后续使用中也更加稳定,能够有效降低后续使用长线脱落的风险。另外,由于阵列基板仅仅是对扫描线和/或所述数据线的至少部分位置加宽,即局部加宽,并没有额外增加整体扫描线和/或所述数据线的宽度,因此,也不会影响阵列基板的开口率。
以上所述仅为本发明的实施方式,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括多条数据线、多条扫描线以及多个像素电极,所述像素电极设置在所述数据线和扫描线之间,其中,所述扫描线和/或所述数据线的至少部分位置加宽。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述扫描线和/或所述数据线的加宽部位用于在所述扫描线和/或所述数据线断开时作为连接所述断开的长线的焊接点。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述加宽部位的两侧分别加宽0.5~2微米。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括对应所述像素电极设置的公共电极,所述扫描线和/或数据线对应每个像素的区域包含至少两个所述加宽部位,所述至少两个加宽部位分别设置在所述扫描线和/或数据线中对应所述公共电极两侧的区域中。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述至少两个加宽部位分别设置在所述扫描线和/或数据线中对应所述公共电极两侧的区域的中间位置。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括薄膜晶体管TFT、过孔,所述TFT的栅极连接所述扫描线,所述TFT的源极和漏极中的其中一个与数据线连接,另一个通过所述过孔与所述像素电极电路连接。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述扫描线和所述数据线为行列设置,每个像素中的公共电极为十字形。
8.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括阵列基板,所述阵列基板包括多条数据线、多条扫描线以及多个像素电极,所述像素电极设置在所述数据线和扫描线之间,其中,所述扫描线和/或所述数据线的至少部分位置加宽。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述扫描线和/或所述数据线的加宽部位用于在所述扫描线和/或所述数据线断开时作为连接所述断开的长线的焊接点。
10.一种阵列基板的修复方法,其特征在于,所述修复方法包括:
扫描线和/或所述数据线的至少部分位置加宽,以作为所述扫描线和/或所述数据线断开时连接所述断开的长线的焊接点;
将所述焊接点激光打孔暴露部分金属线后,将所述长线焊接在所述焊接点处。
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CN (1) | CN105892115B (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107145019A (zh) * | 2017-07-03 | 2017-09-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的修复方法、修复系统、显示基板及显示面板 |
CN110045553A (zh) * | 2019-04-17 | 2019-07-23 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | 显示面板及其修复方法 |
CN114460770A (zh) * | 2022-02-22 | 2022-05-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板以及修复方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1527268A (zh) * | 2003-03-07 | 2004-09-08 | 友达光电股份有限公司 | 可修补数据线的缺陷的平面显示器及其修补方法 |
US20120021663A1 (en) * | 2006-03-01 | 2012-01-26 | Hannstar Display Corp. | Repair structure and method for liquid crystal display |
CN103293794A (zh) * | 2012-02-22 | 2013-09-11 | 上海中航光电子有限公司 | 一种薄膜晶体管液晶显示装置及其修复方法 |
US20130292713A1 (en) * | 2010-10-08 | 2013-11-07 | Au Optronics Corp. | Array substrate of display panel |
CN103698951A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-04-02 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板、显示装置及其修复方法 |
-
2016
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1527268A (zh) * | 2003-03-07 | 2004-09-08 | 友达光电股份有限公司 | 可修补数据线的缺陷的平面显示器及其修补方法 |
US20120021663A1 (en) * | 2006-03-01 | 2012-01-26 | Hannstar Display Corp. | Repair structure and method for liquid crystal display |
US20130292713A1 (en) * | 2010-10-08 | 2013-11-07 | Au Optronics Corp. | Array substrate of display panel |
CN103293794A (zh) * | 2012-02-22 | 2013-09-11 | 上海中航光电子有限公司 | 一种薄膜晶体管液晶显示装置及其修复方法 |
CN103698951A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-04-02 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板、显示装置及其修复方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107145019A (zh) * | 2017-07-03 | 2017-09-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的修复方法、修复系统、显示基板及显示面板 |
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