CN105812685A - 像素阵列和提高像素阵列的光响应均匀性的方法 - Google Patents

Abstract

一种像素阵列和提高像素阵列的光响应均匀性的方法。其中，所述像素阵列包括阵列分布的多个像素，所述像素阵列还包括：到镜头光轴所在直线的距离小于等于第一距离的第一区域；到镜头光轴所在直线的距离大于第一距离的第二区域；位于所述第一区域内的每个像素具有第一感光面积；位于所述第二区域内的每个像素具有第二感光面积；所述第二感光面积大于所述第一感光面积。所述像素阵列能够避免因固有余弦四次方曝光规律导致的光响应差异问题，提高像素阵列不同区域内像素光响应的均匀性。

Description

像素阵列和提高像素阵列的光响应均匀性的方法

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种像素阵列和提高像素阵列的光响应均匀性的方法。

背景技术

图像传感器是一种将光学信息(opticalinformation)转换为电信号的装置。图像传感器可以被进一步地分为两种不同的类型：互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(CCD)图像传感器。其中CMOS图像传感器具有结构简单、体积小和应用方便等优点，具有广泛的用途。

对图像传感器来说，通过镜头到达传感器的光强在像面光轴上以及周边不同，其中像面四周的明亮度，称为周边光量，以相对与中心亮度百分比来表示，为相对照度(RelativeIllumination)曲线。周边光量因受到镜头余弦四次方定律及渐晕现象的影响，与中心部相比，明亮度必然减少。导致传感器周围出现暗角等现象。即与镜头光轴平行的入射光，聚集在画面中心部分成像，假设它的照度为I₀，则与光轴不平行的斜光线，与光轴成任意角θ入射，这时的像面照度为I_θ，则有下列关系：

I_θ＝I₀cos⁴θ

相应的相对照度曲线如图1所示。斜光线成像的亮度与这个斜角的余弦四次方成正比。因此与画面中心部分相比，越向边缘，影像越暗。特别是用广角镜头或大口径镜头，受边缘减光的影响更大。

由于上述余弦四次方曝光规律，导致现有像素阵列中不同区域的像素存在光响应差异问题。

为消减余弦四次方以及渐晕现象作用导致的传感器出现暗角等问题，通过缩小光圈可以消除渐晕现象。

如图2所示，现有方法通常通过设计复杂的镜头组合200，从而提升开口效率，以防止到达像素阵列100周边的光量较少，从而达到消减余弦四次方曝光规律导致的光响应差异的目的。图2中的点划线所在直线即为镜头光轴所在直线，而镜头光轴经过像素阵列100的位置为像素阵列100的中点101。

另一种现有方法是在像素上方增加一层掩膜层，通过不同的开口尺寸来控制到达像素上的进光量来改变每个像素的响应。然而，这种方法增加了工艺的复杂性。

但是，上述两种方法都无法避免固有余弦四次方曝光规律导致的光响应差异问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种像素阵列及提高像素阵列的光响应均匀性的方法，以解决不同区域的像素光响应差异问题。

为解决上述问题，本发明提供一种像素阵列，所述像素阵列包括阵列分布的多个像素，所述像素阵列包括：

到镜头光轴所在直线的距离小于等于第一距离的第一区域；

到镜头光轴所在直线的距离大于第一距离的第二区域；

位于所述第一区域内的每个像素具有第一感光面积；

位于所述第二区域内的每个像素具有第二感光面积；

所述第二感光面积大于所述第一感光面积。

可选的，所述像素阵列的最小边长为2.84mm以上，所述第一距离的大小范围为1.29mm～1.42mm。

可选的，所述第一感光面积的大小范围为0.589μm²～0.711μm²，所述第二感光面积为所述第一感光面积的1.8倍～2.0倍。

可选的，所述第二区域到镜头光轴所在直线的距离小于等于第二距离，所述像素阵列还包括：

到镜头光轴所在直线的距离大于第二距离的第三区域；

位于所述第三区域内的每个像素具有第三感光面积；

所述第三感光面积大于所述第二感光面积。

可选的，所述像素阵列的最小边长为2.84mm以上，所述第一距离为0.91mm～1.00mm，所述第二距离为1.29mm～1.42mm。

可选的，所述第一感光面积的大小范围为0.589μm²～0.711μm²，所述第二感光面积为所述第一感光面积的1.6倍～1.7倍，所述第三感光面积为所述第二感光面积的1.8倍～2.0倍。

可选的，所述第三区域到镜头光轴所在直线的距离小于等于第三距离，所述像素阵列还包括：

到镜头光轴所在直线的距离大于第三距离的第四区域；

位于所述第四区域内的每个像素具有第四感光面积；

所述第四感光面积大于所述第三感光面积。

可选的，所述第四区域到镜头光轴所在直线的距离小于等于第四距离，所述像素阵列还包括：

到镜头光轴所在直线的距离大于第四距离的第五区域；

位于所述第五区域内的每个像素具有第五感光面积；

所述第五感光面积大于所述第四感光面积。

为解决上述问题，本发明还提供了一种提高像素阵列的光响应均匀性的方法，包括：

提供像素阵列，所述像素阵列包括阵列排布的多个像素；

设置所述像素阵列中到镜头光轴所在直线的距离小于等于第一距离的区域为第一区域；

设置所述像素阵列中到镜头光轴所在直线的距离大于第一距离的区域为第二区域；

设置所述第一区域内的每个像素具有第一感光面积；

设置所述第二区域内的每个像素具有第二感光面积；

设置所述第二感光面积大于所述第一感光面积，以减小所述第一区域内的像素和所述第二区域内的像素之间的光响应差异。

可选的，所述方法还包括：

设置所述第二区域到镜头光轴所在直线的距离小于等于第二距离；

设置所述像素阵列中到镜头光轴所在直线的距离大于第二距离的区域为第三区域；

设置所述第三区域内的每个像素具有第三感光面积；

设置所述第三感光面积大于所述第二感光面积，以减小所述第二区域内的像素和所述第三区域内的像素之间的光响应差异。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明的技术方案中，像素阵列分为第一区域和第二区域，并且第一区域内的像素到镜头光轴所在直线的距离小于等于第一距离。像素阵列中的其它像素位于第二区域中。位于第一区域内的每个像素具有第一感光面积，位于第二区域内的每个像素具有第二感光面积，并且第二感光面积大于第一感光面积。通过设置第二感光面积大于第一感光面积，能够调整第一区域内的像素与第二区域内的像素的感光差异，从而避免因固有余弦四次方曝光规律导致的光响应差异问题，从而提高像素阵列不同区域内像素光响应的均匀性。

进一步，所述第二感光面积控制在所述第一感光面积的1.8倍～2.0倍。根据余弦四次方曲线计算得到，第一距离处与像素阵列中心处的光量比大约为(1/1.8)～(1/2.0)，再根据此光量比的关系，控制第二感光面积约为第一感光面积1.8～2.0倍，从而保证第二区域内的第二像素能够达到与第一区域内的第一像素大体相当的光响应灵敏度。

附图说明

图1是余弦四次方曝光规律影响下的相对照度曲线；

图2是现有像素阵列和镜头组合的结构示意图；

图3是本发明实施例所提供的像素阵列示意图；

图4是本发明另一实施例所提供的像素阵列示意图；

图5是图4所示像素阵列的剖面示意图；

图6是现有像素阵列不同区域的像素对应的曝光时间-灰度值曲线；

图7是图4所示像素阵列不同区域的像素对应的曝光时间-灰度值曲线。

具体实施方式

为解决上述光响应差异问题，本发明提供了一种新的像素阵列，通常设计使得不同区域内的像素具有不同感光面积，并且越靠近镜头光轴所在直线的区域，像素的感光面积越小，越远离镜头光轴所在直线的区域，像素的感光面积越大。像素的感光面积越大，在同样的光照条件和曝光时间内能够接收到的光子数量越多，相应地产生的电荷数量越多，补偿了由于余弦四次方曝光规律导致远离镜头光轴的周边区域光量减小的影响，从而使得不同像素区域的像素具有大体相同的感光灵敏度，避免因固有余弦四次方曝光规律导致的光响应差异问题，提高像素阵列不同区域内像素光响应的均匀性。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

本发明实施例提供一种像素阵列300，请参考图3。

所述像素阵列300包括阵列分布的多个像素(未全部示出)，所述像素阵列300包括到镜头光轴所在直线的距离小于等于第一距离D31的第一区域Z31，以及到镜头光轴所在直线的距离大于第一距离D31的第二区域Z32。第一区域Z31内的像素为第一像素P31，图3中显示其中一个第一像素P31为例。第二区域Z32内的像素为第二像素P32，图3中显示其中一个第二像素P32为例。全部第一像素P31和第二像素P32即为上述像素阵列300所包括的多个像素。其中，位于第一区域Z31内的每个像素具有第一感光面积，即第一像素P31具有第一感光面积。位于所述第二区域Z32内的每个像素具有第二感光面积，即第二像素P32具有第二感光面积。并且，所述第二感光面积大于所述第一感光面积。

本实施例中，所述像素阵列300的平面形状可以为矩形，像素阵列300具有一个矩形中心301。此矩形中心301亦为镜头光轴所在直线经过像素阵列300的位置(可参考图2)。

本实施例中，矩形像素阵列300的最小边长(最小边长即矩形相互平行的两条短边的边长)可以为2.84mm以上，从而保证整个像素阵列300的像素个数值较高(例如5M以上)。例如具体的，像素阵列300的最小边长可以为2.84mm。

本实施例中，考虑到矩形像素阵列300的最小边长可以为2.84mm以上，则所述第一距离D31的大小范围可以为1.29mm～1.42mm，即全部第一像素P31到矩形中心301的距离均小于1.29mm，或者均小于1.42mm，例如具体可以为1.42mm。由于第一距离D31恰好为像素阵列300短边边长的一半，因此，此时第一区域Z31恰好为以矩形中心301为圆心的内切圆。而在其它实施例中，第一区域Z31的直径可以小于1.42mm，相应的，此时第一区域Z31为以矩形中心301为圆心的圆形区域，所述圆形区域位于矩形像素阵列300内。

本实施例中，所述第一感光面积的大小范围可以为0.589μm²～0.711μm²。位于第一区域Z31内的像素接受到的光照照度较强，因此，当第一区域Z31的半径为1.29mm～1.42mm时(即第一距离D31的大小为1.29mm～1.42mm时)，所述第一感光面积可以较小，即选择在0.589μm²～0.711μm²，从而即保证第一像素P31具有足够的光响应灵敏度，又能够防止第一像素P31与第二像素P32的光响应差异增大。

本实施例中，所述第二感光面积控制在所述第一感光面积的1.8倍～2.0倍。根据图2所示余弦四次方曲线计算得到，第一距离D31处与中心301处的光量比大约为(1/1.8)～(1/2.0)，再根据此光量比的关系，控制第二感光面积约为第一感光面积1.8～2.0倍，从而保证第二区域Z32内的第二像素P32能够达到与第一区域Z31内的第一像素P31大体相当的光响应灵敏度。

本实施例所提供的像素阵列300中，像素阵列300分为第一区域Z31和第二区域Z32，并且第一区域Z31内的像素到镜头光轴所在直线的距离小于等于第一距离D31，此部分像素为第一像素P31。像素阵列300中的其它像素位于第二区域Z32中，此部分像素为第二像素P32。并且，第一像素P31具有第一感光面积，第二像素P32具有第二感光面积，而第二感光面积大于第一感光面积。通过设置第二感光面积大于第一感光面积，能够调整第二像素P32和第一像素P31的感光差异，从而避免因固有余弦四次方曝光规律导致的光响应差异问题，提高像素阵列不同区域内像素光响应的均匀性。

本发明另一实施例提供另外一种像素阵列400，请参考图4。

所述像素阵列400包括阵列分布的多个像素(未全部示出)，所述像素阵列400包括到镜头光轴所在直线的距离小于等于第一距离D41的第一区域Z41，以及到镜头光轴所在直线的距离大于第一距离D41的第二区域Z42，并且像素阵列400的第二区域Z42到镜头光轴所在直线的距离小于等于第二距离D42。第一区域Z41内的像素为第一像素P41，图4中显示其中一个第一像素P41为例。第二区域Z42内的像素为第二像素P42，图4中显示其中一个第二像素P42为例。其中，位于第一区域Z41内的每个像素具有第一感光面积，即第一像素P41具有第一感光面积。位于所述第二区域Z42内的每个像素具有第二感光面积，即第二像素P42具有第二感光面积。并且，所述第二感光面积大于所述第一感光面积。

请继续参考图4，与前述实施例不同的是，本实施例中，所述像素阵列400还包括到镜头光轴所在直线的距离大于第二距离D42的第三区域Z43。第三区域Z43内的像素为第三像素P43，图4中显示其中一个第三像素P43为例。位于第三区域Z43内的每个像素具有第三感光面积，即第三像素P43具有第三感光面积，并且，所述第三感光面积大于所述第二感光面积。全部第一像素P41、第二像素P42和第三像素P43即为上述像素阵列400所包括的多个像素。

请参考图5，示出了像素阵列400的剖面示意图。在剖面结构中，镜头光轴所在直线为图5所示点划线所在直线。结合图4和图5可知，第一距离D41为第一区域Z41边缘到镜头光轴所在直线的距离，第二距离D42为第二区域Z42外边缘到镜头光轴所在直线的距离。

本实施例中，所述像素阵列400的平面形状同样可以为矩形，像素阵列400具有一个矩形中心401。此矩形中心401亦为镜头光轴所在直线经过像素阵列400的位置(可结合参考图2和图5)。

本实施例中，矩形像素阵列400的最小边长(最小边长即矩形相互平行的两条短边的边长)可以为2.84mm以上，从而保证整个像素阵列400的像素个数值较高(例如5M以上)。例如具体的，像素阵列400的最小边长可以为2.84mm。

本实施例中，考虑到矩形像素阵列400的最小边长可以为2.84mm以上，则所述第一距离D41的大小范围可以为0.91mm～1.00mm，即全部第一像素P41到矩形中心401的距离均小于0.91mm，或者均小于1.00mm，例如具体可以为1.00mm。第一区域Z41为以矩形中心401为圆心的圆形区域，所述圆形区域位于矩形像素阵列400内。

本实施例中，第二距离为1.29mm～1.42mm，即全部第二像素P42到矩形中心401的距离均大于第一距离D41，并且小于或者等于1.29mm～1.42mm。第二区域Z42为以矩形中心401为圆心的圆环形区域，所述圆环形区域同样位于矩形像素阵列400内。

在本发明的其它实施例中，也可以进一步设置第一区域Z41的面积等于第二区域Z42的面积，则此时，第二距离D2等于1.414倍的第一距离D1。

本实施例中，所述第一感光面积的大小范围可以为0.589μm²～0.711μm²。位于第一区域Z41内的像素接受到的光照照度较强，因此，当第一区域Z41的半径为0.91mm～1.00mm时(即第一距离D41的大小为0.91mm～1.00mm时)，所述第一感光面积可以较小，即选择在0.589μm²～0.711μm²，从而即保证第一像素P41具有足够的光响应灵敏度，又能够防止第一像素P41与第二像素P42的光响应差异增大。

本实施例中，所述第二感光面积控制在所述第一感光面积的1.6倍～1.7倍。根据图2所示余弦四次方曲线计算得到，第一距离D41处与中心401处的光量比大约为(1/1.6)～(1/1.7)，再根据此光量比的关系，控制第二感光面积约为第一感光面积1.6～1.7倍，从而保证第二区域Z42内的第二像素P42能够达到与第一区域Z41内的第一像素P41大体相当的光响应灵敏度。

本实施例中，所述第三感光面积为所述第二感光面积的1.8倍～2.0倍。由于像素阵列400中，第三区域Z43是除了第一区域Z41和第二区域Z42以外的其它区域，因此第三区域Z43位于整个像素阵列400的边角位置。根据图2所示余弦四次方曲线计算得到，第二距离D42处与第一距离D41处的光量比大约为(1/1.8)～(1/2.0)，再根据此光量比的关系，控制第三感光面积约为第二感光面积1.8～2.0倍，从而保证第三区域Z43内的第三像素P43能够达到与第二区域Z42内的第二像素P42大体相当的光响应灵敏度。

需要说明的是，在本发明的其它实施例中，当像素阵列的总面积调整时，也可以以像素阵列最小边长的三分之一作为第一距离，以像素阵列最小边长的三分之二作为第二距离，并以此将像素阵列划分成为第一区域、第二区域和第三区域三个部分。

需要说明的是，在设置了上述各区域中各像素的感光面积之后，还可以调整镜头(未示出)到像素阵列的距离，从而使整个像素阵列达到更好的感光效果。

本实施例中，可以通过控制整个像素的面积来达到控制像素中感光面积的目的。具体的，由于一个像素中，感光区域面积占整个像素面积的比例较为固定，当增加整个像素的面积时，相应地就能够增加此像素的感光面积。

本实施例所提供的像素阵列400中，像素阵列400分为第一区域Z41、第二区域Z42和第三区域Z43，第一区域Z41内的像素到镜头光轴所在直线的距离小于等于第一距离D41，位于第一区域D41内的像素为第一像素P41，第二区域Z42内的像素到镜头光轴所在直线的距离大于第一距离D41且小于等于第二距离D42，位于第二区域D42内的像素为第二像素P42，第三区域Z43内的像素到镜头光轴所在直线的距离大于第二距离D42，位于第三区域D43内的像素为第三像素P43。并且，第一像素P41具有第一感光面积，第二像素P42具有第二感光面积，第三像素P43具有第三感光面积。而第二感光面积大于第一感光面积，第三感光面积大于第二感光面积。通过设置第二感光面积大于第一感光面积，并设置第三感光面积大于第二感光面积，能够调整第三像素P43、第二像素P42和第一像素P41的感光差异，从而避免因固有余弦四次方曝光规律导致的光响应差异问题，提高像素阵列不同区域内像素光响应的均匀性。

图6示出了现有像素阵列不同区域的像素的曝光时间-灰度值曲线。其中，特别采用本实施例的划分方法对现有像素阵列进行划分，以划分出第一区域、第二区域和第三区域，此时不同区域中的像素感光面积是相同的。并选择各区域中位于中间位置的一个像素为代表，制作相应的曲线。三个区域中间位置的像素对应的灰度值与曝光时间曲线分别如图中的L1、L2和L3所示：三条曲线均包括斜线部分和横线部分，斜线部分表示灰度值随着曝光时间的增加而增加，而横线部分代表像素已经到达饱和曝光量。从图6中可以看到，由于余弦四次方曝光规律，在达到饱和曝光量之前，三条曲线斜线部分的斜率不同，其中，L1的斜线斜率明显大于L3的斜线斜率，也就是说，在现有像素阵列中所有像素感光面积相同的情况下，靠近镜头光轴的第一区域的光响应明显高于远离镜头光轴的第三区域的光响应，因此，现有像素阵列中的像素之间存在较为严重的光响应差异问题。

而图7示出了本实施例所提供的像素阵列400中，第一像素P41、第二像素P42和第三像素P43的曝光时间-灰度值曲线。从中可以看到，由于本实施例设置第一像素P41、第二像素P42和第三像素P43具有不同的感光面积，并且是第二感光面积大于第一感光面积，第三感光面积大于第二感光面积。像素的感光面积越大，在同样的光照条件和曝光时间内能够接收到的光子数量越多，相应地产生的电荷数量越多，补偿了由于余弦四次方曝光规律导致远离镜头光轴的周边区域光量减小的影响，从而使得不同像素区域的像素具有大体相同的感光灵敏度，因此三条折线L41、L42和L43基本完全重合。因此，第一像素P41、第二像素P42和第三像素P43基本不存在光响应差异问题，即，像素阵列间不同区域内的像素光响应均匀性高。

需要说明的是，在本发明的其它实施例中，也可以将像素阵列分为四个区域。其中，到镜头光轴所在直线的距离小于等于第一距离的第一区域。到镜头光轴所在直线的距离大于第一距离的第二区域。所述第二区域到镜头光轴所在直线的距离小于等于第二距离。到镜头光轴所在直线的距离大于第二距离的第三区域。所述第三区域到镜头光轴所在直线的距离小于等于第三距离。到镜头光轴所在直线的距离大于第三距离的第四区域。位于所述第一区域内的每个像素具有第一感光面积。位于所述第二区域内的每个像素具有第二感光面积。位于所述第三区域内的每个像素具有第三感光面积。位于所述第四区域内的每个像素具有第四感光面积。所述第二感光面积大于所述第一感光面积。所述第三感光面积大于所述第二感光面积。所述第四感光面积大于所述第三感光面积。

需要说明的是，在本发明的其它实施例中，也可以将像素阵列分为五个区域。即除了上述第四区域之外，还可以包括第五区域。此时，所述第四区域到镜头光轴所在直线的距离小于等于第四距离。而第五区域到镜头光轴所在直线的距离大于第四距离。

需要说明的是，在本发明的其它实施例中，也可以将像素阵列分为六个以上的区域。本发明对此不作限定。

本发明实施例还提供了一种提高像素阵列的光响应均匀性的方法。

所述方法首先提供像素阵列，所述像素阵列包括阵列排布的多个像素。所述像素阵列可以参考图3所示的像素阵列300，也可以参考图4中的像素阵列400。

所述方法继续设置所述像素阵列中到镜头光轴所在直线的距离小于等于第一距离的区域为第一区域。

设置所述像素阵列中到镜头光轴所在直线的距离大于第一距离的区域为第二区域。

设置所述第一区域内的每个像素具有第一感光面积。具体可以通过调整第一区域内像素的整体面积以调整第一感光面积的大小。

设置所述第二区域内的每个像素具有第二感光面积。具体可以通过调整第二区域内像素的整体面积以调整第二感光面积的大小。

设置所述第二感光面积大于所述第一感光面积，以减小所述第一区域内的像素和所述第二区域内的像素之间的光响应差异，，从而提高像素阵列不同区域内像素光响应的均匀性。

由于设置所述第二感光面积大于所述第一感光面积，根据本说明书前述各实施例可知，像素阵列内不同区域内的像素光响应差异问题能够得到较好的解决。

需要说明的是，在本发明的其它实施例中，所述方法也可以继续设置所述第二区域到镜头光轴所在直线的距离小于等于第二距离。设置所述像素阵列中到镜头光轴所在直线的距离大于第二距离的区域为第三区域。设置所述第三区域内的每个像素具有第三感光面积。设置所述第三感光面积大于所述第二感光面积，以减小所述第二区域内的像素和所述第三区域内的像素之间的光响应差异，提高像素阵列不同区域内像素光响应的均匀性。

需要说明的是，在本发明的其它实施例中，所述方法也可以提供一种像素阵列，所述像素阵列包括阵列排布的多个像素。然后设置所述像素阵列具有N个区域。其中，设置第n区域到镜头光轴所在直线的距离小于等于第n距离，第(n+1)区域到镜头光轴所在直线的距离大于第n距离且小于等于第(n+1)距离。设置所述第n区域内的每个像素具有第n感光面积。设置所述第(n+1)区域内的每个像素具有第(n+1)感光面积。并设置所述第(n+1)感光面积大于所述第n感光面积，以减小所述第n区域内的像素和所述第(n+1)区域内的像素之间的光响应差异。其中，N为大于等于4的自然数，n为1至(N-1)的自然数。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种像素阵列，所述像素阵列包括阵列分布的多个像素，其特征在于，所述像素阵列包括：

到镜头光轴所在直线的距离小于等于第一距离的第一区域；

到镜头光轴所在直线的距离大于第一距离的第二区域；

位于所述第一区域内的每个像素具有第一感光面积；

位于所述第二区域内的每个像素具有第二感光面积；

所述第二感光面积大于所述第一感光面积。

2.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，所述像素阵列的最小边长为2.84mm以上，所述第一距离的大小范围为1.29mm～1.42mm。

3.如权利要求2所述的像素阵列，其特征在于，所述第一感光面积的大小范围为0.589μm²～0.711μm²，所述第二感光面积为所述第一感光面积的1.8倍～2.0倍。

4.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，所述第二区域到镜头光轴所在直线的距离小于等于第二距离，所述像素阵列还包括：

到镜头光轴所在直线的距离大于第二距离的第三区域；

位于所述第三区域内的每个像素具有第三感光面积；

所述第三感光面积大于所述第二感光面积。

5.如权利要求4所述的像素阵列，其特征在于，所述像素阵列的最小边长为2.84mm以上，所述第一距离为0.91mm～1.00mm，所述第二距离为1.29mm～1.42mm。

6.如权利要求5所述的像素阵列，其特征在于，所述第一感光面积的大小范围为0.589μm²～0.711μm²，所述第二感光面积为所述第一感光面积的1.6倍～1.7倍，所述第三感光面积为所述第二感光面积的1.8倍～2.0倍。

7.如权利要求4所述的像素阵列，其特征在于，所述第三区域到镜头光轴所在直线的距离小于等于第三距离，所述像素阵列还包括：

到镜头光轴所在直线的距离大于第三距离的第四区域；

位于所述第四区域内的每个像素具有第四感光面积；

所述第四感光面积大于所述第三感光面积。

8.如权利要求7所述的像素阵列，其特征在于，所述第四区域到镜头光轴所在直线的距离小于等于第四距离，所述像素阵列还包括：

到镜头光轴所在直线的距离大于第四距离的第五区域；

位于所述第五区域内的每个像素具有第五感光面积；

所述第五感光面积大于所述第四感光面积。

9.一种提高像素阵列的光响应均匀性的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供像素阵列，所述像素阵列包括阵列排布的多个像素；

设置所述像素阵列中到镜头光轴所在直线的距离小于等于第一距离的区域为第一区域；

设置所述像素阵列中到镜头光轴所在直线的距离大于第一距离的区域为第二区域；

设置所述第一区域内的每个像素具有第一感光面积；

设置所述第二区域内的每个像素具有第二感光面积；

设置所述第二感光面积大于所述第一感光面积，以减小所述第一区域内的像素和所述第二区域内的像素之间的光响应差异。

10.如权利要求9所述的提高像素阵列的光响应均匀性的方法，其特征在于，还包括：

设置所述第二区域到镜头光轴所在直线的距离小于等于第二距离；

设置所述像素阵列中到镜头光轴所在直线的距离大于第二距离的区域为第三区域；

设置所述第三区域内的每个像素具有第三感光面积；

设置所述第三感光面积大于所述第二感光面积，以减小所述第二区域内的像素和所述第三区域内的像素之间的光响应差异。