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CN105700745A - 阵列基板及其制造方法、驱动方式、触摸屏、显示装置 - Google Patents

阵列基板及其制造方法、驱动方式、触摸屏、显示装置 Download PDF

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CN105700745A
CN105700745A CN201610012402.2A CN201610012402A CN105700745A CN 105700745 A CN105700745 A CN 105700745A CN 201610012402 A CN201610012402 A CN 201610012402A CN 105700745 A CN105700745 A CN 105700745A
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electrode
pattern
common electrode
base substrate
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许睿
杨盛际
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BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、驱动方式、触摸屏、显示装置，属于显示技术领域。该制造方法包括:在衬底基板上形成栅极和触控电极图形，触控电极图形包括至少一个触控电极组，每个触控电极组包括至少一个触控电极；在形成有触控电极图形的衬底基板上形成像素电极层；在形成有像素电极层的衬底基板上形成第一公共电极图形，第一公共电极图形包括至少一个第一公共电极组，每个第一公共电极组包括至少一个第一公共电极；第一公共电极组和触控电极组用于在手指作用于触摸屏上时产生互电容。本发明解决了现有技术中互容式触摸屏实现多点触控的方式单一的问题，实现了丰富多点触控的可实现方式的效果，用于显示装置。

Description

阵列基板及其制造方法、驱动方式、触摸屏、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、驱动方式、触摸屏、显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展，触摸屏已经逐渐遍及人们的生活中。触摸屏可以分为两类：oncell(外挂式)触摸屏和incell(内嵌式)触摸屏，其中，incell触摸屏又可分为三类：电容式触摸屏、电阻式触摸屏、光学式触摸屏。由于电容式触摸屏不仅提供了友好的人机界面，而且操作流畅，因此，电容式触摸屏受到了广泛的关注。
现有技术中，电容式触摸屏包括自容式触摸屏和互容式触摸屏，其中，互容式触摸屏是在阵列基板的同一层形成横向电极和纵向电极，横向电极和纵向电极交叉的地方会形成电容，横向电极和纵向电极分别构成了电容的两极。当手指触摸到互容式触摸屏时，会影响触摸点附近横向电极和纵向电极之间的耦合，从而改变了横向电极和纵向电极之间的电容量。互容式触摸屏在检测互电容大小时，所有横向电极发出激励信号，所有纵向电极接收信号，这样可以得到所有横向电极和所有纵向电极交汇点的电容值的大小，即整个互容式触摸屏的二维平面的电容大小。互容式触摸屏根据二维电容变化量数据，计算出每个触摸点的坐标。
上述互容式触摸屏能够实现多点触控，但互容式触摸屏的结构较为单一，因此，实现多点触控的方式单一。
发明内容
为了解决现有技术中互容式触摸屏实现多点触控的方式单一的问题，本发明提供了一种阵列基板及其制造方法、驱动方式、触摸屏、显示装置。所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：
在衬底基板上形成栅极和触控电极图形，所述触控电极图形包括至少一个触控电极组，每个所述触控电极组包括至少一个触控电极，每个所述触控电极组与触控集成电路电连接；
在形成有所述触控电极图形的衬底基板上形成像素电极层；
在形成有所述像素电极层的衬底基板上形成第一公共电极图形，所述第一公共电极图形包括至少一个第一公共电极组，每个所述第一公共电极组包括至少一个第一公共电极，每个所述第一公共电极组与所述触控集成电路电连接；
其中，任一所述触控电极组中触控电极的排布方向与任一所述第一公共电极组中第一公共电极的排布方向垂直，所述第一公共电极组和所述触控电极组用于在手指作用于触摸屏上时产生互电容。
可选的，所述触控电极图形包括触控电极引线图形，所述触控电极引线图形包括至少一根触控电极引线，每个所述触控电极组通过一根所述触控电极引线与触控集成电路电连接。
可选的，所述触控电极引线图形为第二公共电极图形，
所述第二公共电极图形包括至少一根条状的第二公共电极，每个所述触控电极组通过一根所述第二公共电极与所述触控集成电路电连接。
可选的，所述在形成有所述触控电极图形的衬底基板上形成像素电极层，包括：
在形成有所述触控电极图形的衬底基板上形成栅极绝缘层；
在形成有所述栅极绝缘层的衬底基板上形成有源层图形；
在形成有所述有源层图形的衬底基板上形成数据线和源漏极金属图形；
在形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成所述像素电极层。
可选的，所述在形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成所述像素电极层之后，所述方法还包括：
在形成有所述像素电极层的衬底基板上形成过孔图形。
可选的，所述触控电极和所述像素电极层在所述衬底基板上的投影存在第一重叠区域；
所述像素电极层和所述第一公共电极在所述衬底基板上的投影存在第二重叠区域。
可选的，所述触控电极由透明导电材料制成。
可选的，所述触控电极为TX感应电极；
所述第一公共电极为RX传输电极。
第二方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：
衬底基板；
所述衬底基板上形成有栅极和触控电极图形，所述触控电极图形包括至少一个触控电极组，每个所述触控电极组包括至少一个触控电极，每个所述触控电极组与触控集成电路电连接；
形成有所述触控电极图形的衬底基板上形成有像素电极层；
形成有所述像素电极层的衬底基板上形成有所述第一公共电极图形，所述第一公共电极图形包括至少一个第一公共电极组，每个所述第一公共电极组包括至少一个第一公共电极，每个所述第一公共电极组与所述触控集成电路电连接；
其中，任一所述触控电极组中触控电极的排布方向与任一所述第一公共电极组中第一公共电极的排布方向垂直，所述第一公共电极组和所述触控电极组用于在手指作用于触摸屏上时产生互电容。
可选的，所述触控电极图形包括触控电极引线图形，所述触控电极引线图形包括至少一根触控电极引线，每个所述触控电极组通过一根所述触控电极引线与触控集成电路电连接。
可选的，所述触控电极引线图形为第二公共电极图形，
所述第二公共电极图形包括至少一根条状的第二公共电极，每个所述触控电极组通过一根所述第二公共电极与所述触控集成电路电连接。
可选的，所述阵列基板还包括；
形成有所述触控电极图形的衬底基板上形成有栅极绝缘层：
形成有所述栅极绝缘层的衬底基板上形成有有源层图形；
形成有所述有源层图形的衬底基板上形成有数据线和源漏极金属图形；
形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成有所述像素电极层。
可选的，所述阵列基板还包括：
形成有所述像素电极层的衬底基板上形成有过孔图形。
第三方面，提供了一种阵列基板的驱动方法，所述阵列基板包括第二方面所述的阵列基板，所述方法包括：在显示时间段内，触控集成电路向所述触控电极和所述第一公共电极加载公共电极信号；
在触控时间段内，所述触控电极在所述触控集成电路的控制下发出激励信号，所述第一公共电极接收所述激励信号。
第四方面，提供了一种触摸屏，包括第二方面所述的阵列基板。
第五方面，提供了一种显示装置，包括第四方面所述的触摸屏。
本发明提供了一种阵列基板及其制造方法、驱动方式、触摸屏、显示装置，通过在衬底基板上形成栅极和触控电极图形，再在形成有触控电极图形的衬底基板上形成像素电极层，然后在形成有像素电极层的衬底基板上形成第一公共电极图形，使得触控电极图形和第一公共电极图形位于像素电极层的两侧，丰富了多点触控的可实现方式。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；
图2-1是本发明实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图；
图2-2是图2-1所示实施例中栅极和触控电极图形的结构示意图；
图2-3是图2-1所示实施例中触控电极图形的示意图；
图2-4是图2-1所示实施例中栅极绝缘层的结构示意图；
图2-5是图2-1所示实施例中有源层图形的结构示意图；
图2-6是图2-1所示实施例中源漏极金属图形的结构示意图；
图2-7是图2-1所示实施例中像素电极层的结构示意图；
图2-8是图2-1所示实施例中过孔图形的结构示意图；
图2-9是图2-1所示实施例中第一公共电极图形的结构示意图；
图2-10是图2-1所示实施例中第一公共电极图形的示意图；
图2-11是图2-1所示实施例中第一公共电极组和触控电极组的示意图；
图2-12是图2-1所示实施例中整个像素的平面结构的局部示意图；
图2-13是图2-12中A-A’处的截面示意图；
图2-14是图2-12中B-B’处的截面示意图；
图2-15是图2-1所示实施例中像素结构的像素透过率的曲线示意图；
图3是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种阵列基板的驱动方法。
通过上述附图，已示出本发明明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明实施例提供了一种阵列基板的制造方法，如图1所示，该方法可以包括：
步骤101、在衬底基板上形成栅极和触控电极图形，触控电极图形包括至少一个触控电极组，每个触控电极组包括至少一个触控电极，每个触控电极组与触控集成电路电连接。
步骤102、在形成有触控电极图形的衬底基板上形成像素电极层。
步骤103、在形成有像素电极层的衬底基板上形成第一公共电极图形，第一公共电极图形包括至少一个第一公共电极组，每个第一公共电极组包括至少一个第一公共电极，每个第一公共电极组与触控集成电路电连接。
其中，任一触控电极组中触控电极的排布方向与任一第一公共电极组中第一公共电极的排布方向垂直，第一公共电极组和触控电极组用于在手指作用于触摸屏上时产生互电容。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过在衬底基板上形成栅极和触控电极图形，再在形成有触控电极图形的衬底基板上形成像素电极层，然后在形成有像素电极层的衬底基板上形成第一公共电极图形，使得触控电极图形和第一公共电极图形位于像素电极层的两侧，丰富了多点触控的可实现方式。
本发明实施例提供了另一种阵列基板的制造方法，如图2-1所示，该方法可以包括：
步骤201、在衬底基板上形成栅极和触控电极图形。
如图2-2所示，对衬底基板1000进行膜层沉积、掩膜、曝光、刻蚀，形成栅极1100和触控电极图形1200。其中，膜层沉积、掩膜、曝光、刻蚀的具体过程可以参考现有技术，本发明实施例对此不再赘述。示例的，触控电极为TX感应电极。如图2-3所示，触控电极图形1200包括至少一个触控电极组1210，每个触控电极组1210包括至少一个触控电极1211，每个触控电极组1210与触控集成电路电连接。
可选的，如图2-2所示，触控电极图形1200包括触控电极引线图形1220，触控电极引线图形1220包括至少一根触控电极引线(图2-2中未画出)，如图2-3所示，每个触控电极组1210通过一根触控电极引线1221与触控集成电路电连接。
可选的，步骤201中，可以先在衬底基板上形成栅极和触控电极引线图形，然后在形成有触控电极引线图形的衬底基板上形成TX感应电极图形。触控电极引线图形可以为第二公共电极图形。第二公共电极图形包括至少一根条状的第二公共电极，每个触控电极组通过一根第二公共电极与触控集成电路电连接。TX感应电极图形与第二公共电极图形搭接。
步骤202、在形成有触控电极图形的衬底基板上形成栅极绝缘层。
如图2-4所示，对形成有触控电极图形1200的衬底基板1000进行膜层沉积、掩膜、曝光、刻蚀，形成栅极绝缘层1300。
步骤203、在形成有栅极绝缘层的衬底基板上形成有源层图形。
如图2-5所示，对形成有栅极绝缘层1300的衬底基板1000进行非晶硅(英文：Amorphoussilicon；简称：a-Si)膜层沉积、掩膜、曝光、干法刻蚀，形成有源层图形1400。
步骤204、在形成有有源层图形的衬底基板上形成数据线和源漏极金属图形。
如图2-6所示，对形成有有源层图形1400的衬底基板1000进行膜层沉积、掩膜、曝光、刻蚀，形成数据线(图2-6中未画出)和源漏极金属图形1500。
步骤205、在形成有源漏极金属图形的衬底基板上形成像素电极层。
如图2-7所示，对形成有源漏极金属图形1500的衬底基板1000进行膜层沉积、掩膜、曝光、刻蚀，形成像素电极层1600。
步骤206、在形成有像素电极层的衬底基板上形成过孔图形。
如图2-8所示，对形成有像素电极层1600的衬底基板1000进行膜层沉积、掩膜、曝光、刻蚀，形成过孔图形1700。
步骤207、在形成有过孔图形的衬底基板上形成第一公共电极图形。
如图2-9所示，对形成有过孔图形1700的衬底基板1000进行膜层沉积、掩膜、曝光、刻蚀，形成第一公共电极图形1800。
进一步的，如图2-10所示，第一公共电极图形1800包括至少一个第一公共电极组1810，每个第一公共电极组1810包括至少一个第一公共电极1811，每个第一公共电极组1810与触控集成电路电连接。示例的，第一公共电极为RX传输电极。如图2-11所示，任一触控电极组中触控电极1211的排布方向与任一第一公共电极组中第一公共电极1811的排布方向垂直，第一公共电极组和触控电极组用于在手指作用于触摸屏上时产生互电容。其中，触控电极和像素电极层在衬底基板上的投影存在第一重叠区域；像素电极层和第一公共电极在衬底基板上的投影存在第二重叠区域，整个像素的存储电容由触控电极和像素电极层之间的电容、像素电极层和第一公共电极之间的电容并联形成，整个像素的存储电容为两电容之和，进而增大了像素的存储电容，提高了像素的充电率，提高了画面的显示品质。
可选的，触控电极由透明导电材料制成。由于触控电极由透明导电材料制成，所以可以形成较大面积的触控电极，而增大触控电极的面积可以增大触控电极和像素电极层之间的电容，以进一步增加存储电容。
图2-12示出了本发明实施例形成的阵列基板上整个像素的平面结构的局部示意图，图2-12中212为薄膜晶体管(英文：ThinFilmTransistor；简称：TFT)，图2-13示出了图2-12中A-A’处的截面图，图2-13中的1200为触控电极图形，1900为数据线层，1600为像素电极层，1800为第一公共电极图形。图2-14示出了图2-12中B-B’处的截面示意图，图2-14中的1100为栅极，1220为触控电极引线图形，1200为触控电极图形，1600为像素电极层，1800为第一公共电极图形。如图2-13和图2-14所示，整个像素的存储电容由触控电极和像素电极层之间的电容、像素电极层和第一公共电极之间的电容并联形成，整个像素的存储电容为两电容之和，进而增大了像素的存储电容，提高了像素的充电率，提高了画面的显示品质。
图2-15示出了本发明实施例形成的阵列基板的像素结构的像素透过率的曲线示意图，图中的横坐标表示电极电压，电极电压的单位为伏(V)，纵坐标表示像素透过率(百分比)，曲线a为现有技术中的一种像素透过率，曲线b为本发明实施例中的像素透过率。由图2-15可知，当电极电压即驱动电压最大时，像素透过率与现有技术中的像素透过率接近，因此，该阵列基板在实现互容技术中TX电极和RX电极都在阵列基板上的基础上，保证了像素设计在显示阶段内的显示效果。
本发明实施例的阵列基板采用分时驱动，在触控时间段内，触控电极在触控集成电路的控制下发出激励信号，第一公共电极接收激励信号，使像素在不同区域分别提供TX信号和RX信号；在显示时间段内，触控集成电路向触控电极和第一公共电极加载公共电极信号。在显示时间段内，触控电极和像素电极层之间的电容、像素电极层和第一公共电极之间的电容并联形成像素的存储电容，整个像素的存储电容为两电容之和，增大了像素的存储电容，提高了像素的充电率，提高了画面的显示品质。该阵列基板适用于高PPI(PixelPerInch，每英寸所拥有的像素数目)的fullincelltouchpanel(内嵌式触控面板)设计，同时该像素设计的透过率也与现有的像素设计的透过率接近，所以，该阵列基板通过简单工艺实现互电容技术，且提高了画面的显示品质。包括该阵列基板的互电容fullincelltouch的模组结构由下至上分别是阵列基板、液晶层和彩膜基板，阵列基板设计有像素结构，且该像素结构中的公共电极形成互电容的TX电极和RX电极。此外，阵列基板上形成有显示区之外的信号走线，及与信号走线连接的显示集成电路和触控集成电路。当手指触控模组上表面时，TX电极和RX电极产生互电容，显示装置通过TX电极信号和RX电极信号分别锁定X坐标和Y坐标，从而得到触控点的位置。
本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，不改变像素的整体结构，仅增加一道掩膜工艺，形成电极图形,该电极图形可以由氧化铟锡(英文：IndiumTinOxide；简称：ITO)制成。通过在阵列基板上设计互容显示图形，实现互电容技术。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过在衬底基板上形成栅极和触控电极图形，再在形成有触控电极图形的衬底基板上形成像素电极层，然后在形成有像素电极层的衬底基板上形成第一公共电极图形，使得触控电极图形和第一公共电极图形位于像素电极层的两侧，丰富了多点触控的可实现方式，且增大了像素的存储电容，提高了像素的充电率，提高了画面的显示品质。
本发明实施例提供了一种阵列基板，如图3所示，该阵列基板可以包括：
衬底基板1000；
衬底基板1000上形成有栅极1100和触控电极图形1200。如图2-3所示，触控电极图形1200包括至少一个触控电极组1210，每个触控电极组1210包括至少一个触控电极1211，每个触控电极组1210与触控集成电路电连接；
形成有触控电极图形1200的衬底基板1000上形成有像素电极层1600；
形成有像素电极层1600的衬底基板1000上形成有第一公共电极图形1800。如图2-10所示，第一公共电极图形1800包括至少一个第一公共电极组1810，每个第一公共电极组1810包括至少一个第一公共电极1811，每个第一公共电极组1811与触控集成电路电连接。
如图2-11所示，任一触控电极组中触控电极1211的排布方向与任一第一公共电极组中第一公共电极1811的排布方向垂直，第一公共电极组和触控电极组用于在手指作用于触摸屏上时产生互电容。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，阵列基板的衬底基板上形成栅极和触控电极图形，形成有触控电极图形的衬底基板上形成有像素电极层，形成有像素电极层的衬底基板上形成有第一公共电极图形，阵列基板上的触控电极图形和第一公共电极图形位于像素电极层的两侧，丰富了多点触控的可实现方式。
进一步的，触控电极和像素电极层在衬底基板上的投影存在第一重叠区域；像素电极层和第一公共电极在衬底基板上的投影存在第二重叠区域。整个像素的存储电容由触控电极和像素电极层之间的电容、像素电极层和第一公共电极之间的电容并联形成，整个像素的存储电容为两电容之和，进而增大了像素的存储电容，提高了像素的充电率，提高了画面的显示品质。
可选的，触控电极由透明导电材料制成。由于触控电极由透明导电材料制成，所以可以形成较大面积的触控电极，而增大触控电极的面积可以增大触控电极和像素电极层之间的电容，以进一步增加存储电容。
可选的，如图2-9所示，触控电极图形1200包括触控电极引线图形1220，触控电极引线图形1220包括至少一根触控电极引线(图2-9中未画出)，如图2-3所示，每个触控电极组1210通过一根触控电极引线1221与触控集成电路电连接。
可选的，触控电极引线图形为第二公共电极图形，第二公共电极图形包括至少一根条状的第二公共电极，每个触控电极组通过一根第二公共电极与触控集成电路电连接。
进一步的，如图2-9所示，该阵列基板还包括：
形成有触控电极图形1200的衬底基板1000上形成有栅极绝缘层1300；
形成有栅极绝缘层1300的衬底基板1000上形成有有源层图形1400；
形成有有源层图形1400的衬底基板1000上形成有数据线(图2-9中未画出)和源漏极金属图形1500；
形成有源漏极金属图形1500的衬底基板1000上形成有像素电极层1600。
如图2-9所示，该阵列基板还包括：
形成有像素电极层1600的衬底基板1000上形成有过孔图形1700。
本发明实施例的阵列基板采用分时驱动，在触控时间段内，触控电极在触控集成电路的控制下发出激励信号，第一公共电极接收激励信号，使像素在不同区域分别提供TX信号和RX信号；在显示时间段内，触控集成电路向触控电极和第一公共电极加载公共电极信号。在显示时间段内，触控电极和像素电极层之间的电容、像素电极层和第一公共电极之间的电容并联形成像素的存储电容，整个像素的存储电容为两电容之和，增大了像素的存储电容，提高了像素的充电率，提高了画面的显示品质。该阵列基板适用于高PPI的fullincelltouchpanel设计，同时该像素设计的透过率也与现有的像素设计的透过率接近，所以，该阵列基板通过简单工艺实现互电容技术，且提高了画面的显示品质。包括该阵列基板的互电容fullincelltouch的模组结构由下至上分别是阵列基板、液晶层和彩膜基板，阵列基板设计有像素结构，且该像素结构中的公共电极形成互电容的TX电极和RX电极。此外，阵列基板上形成有显示区之外的信号走线，及与信号走线连接的显示集成电路和触控集成电路。当手指触控模组上表面时，TX电极和RX电极产生互电容，显示装置通过TX电极信号和RX电极信号分别锁定X坐标和Y坐标，从而得到触控点的位置。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板，阵列基板的衬底基板上形成栅极和触控电极图形，形成有触控电极图形的衬底基板上形成有像素电极层，形成有像素电极层的衬底基板上形成有第一公共电极图形，阵列基板上的触控电极图形和第一公共电极图形位于像素电极层的两侧，丰富了多点触控的可实现方式，且增大了像素的存储电容，提高了像素的充电率，提高了画面的显示品质，同时，该阵列基板的结构简单，易于实现。
本发明实施例提供了一种阵列基板的驱动方法，如图4所示，该方法可以包括：
步骤401、在显示时间段内，触控集成电路向触控电极和第一公共电极加载公共电极信号。
步骤402、在触控时间段内，触控电极在触控集成电路的控制下发出激励信号，第一公共电极接收激励信号。
具体的，如图2-3所示，触控电极图形1200包括至少一个触控电极组1210，每个触控电极组1210包括至少一个触控电极1211，每个触控电极组1210与触控集成电路电连接。如图2-2所示，触控电极图形1200包括触控电极引线图形1220，触控电极引线图形1220包括至少一根触控电极引线(图2-2中未画出)，如图2-3所示，每个触控电极组1210通过一根触控电极引线1221与触控集成电路电连接。
如图2-10所示，第一公共电极图形1800包括至少一个第一公共电极组1810，每个第一公共电极组1810包括至少一个第一公共电极1811，每个第一公共电极组1810可以通过金属引线与触控集成电路电连接。所以，在显示时间段内，触控集成电路能够向触控电极和第一公共电极加载公共电极信号。
当手指触控触摸屏时，触控电极和第一公共电极产生互电容，触摸屏在检测互电容大小时，触控电极在触控集成电路的控制下发出激励信号，第一公共电极接收激励信号，显示装置通过触控电极信号和第一公共电极信号分别锁定X坐标和Y坐标，从而得到触控点的位置。
本发明实施例采用分时驱动的方式驱动阵列基板，具体的，在触控时间段内，触控电极在触控集成电路的控制下发出激励信号，第一公共电极接收激励信号，使像素在不同区域分别提供TX信号和RX信号；在显示时间段内，触控集成电路向触控电极和第一公共电极加载公共电极信号。在显示时间段内，触控电极和像素电极层之间的电容、像素电极层和第一公共电极之间的电容并联形成像素的存储电容，整个像素的存储电容为两电容之和，增大了像素的存储电容，提高了像素的充电率，提高了画面的显示品质。该阵列基板适用于高PPI的fullincelltouchpanel设计，同时该像素设计的透过率也与现有的像素设计的透过率接近，所以，该阵列基板通过简单工艺实现了互电容技术，且提高了画面的显示品质。
综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的驱动方法，在显示时间段内，触控集成电路向触控电极和第一公共电极加载公共电极信号，在触控时间段内，触控电极在触控集成电路的控制下发出激励信号，第一公共电极接收激励信号，触控电极和像素电极层之间的电容、像素电极层和第一公共电极之间的电容并联形成像素的存储电容，整个像素的存储电容为两电容之和，增大了像素的存储电容，提高了像素的充电率，提高了画面的显示品质。
本发明实施例提供了一种触摸屏，包括图3或图2-9所示的阵列基板。该触摸屏中的阵列基板的衬底基板上形成栅极和触控电极图形，形成有触控电极图形的衬底基板上形成有像素电极层，形成有像素电极层的衬底基板上形成有第一公共电极图形，阵列基板上的触控电极图形和第一公共电极图形位于像素电极层的两侧，丰富了多点触控的可实现方式，且增大了像素的存储电容，提高了像素的充电率，提高了画面的显示品质。
本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括上述触摸屏。该显示装置包括液晶面板、液晶电视、手机、平板电脑、导航仪等。该显示装置中的阵列基板的衬底基板上形成栅极和触控电极图形，形成有触控电极图形的衬底基板上形成有像素电极层，形成有像素电极层的衬底基板上形成有第一公共电极图形，阵列基板上的触控电极图形和第一公共电极图形位于像素电极层的两侧，丰富了多点触控的可实现方式，且增大了像素的存储电容，提高了像素的充电率，提高了画面的显示品质。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (16)

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上形成栅极和触控电极图形，所述触控电极图形包括至少一个触控电极组，每个所述触控电极组包括至少一个触控电极，每个所述触控电极组与触控集成电路电连接；
在形成有所述触控电极图形的衬底基板上形成像素电极层；
在形成有所述像素电极层的衬底基板上形成第一公共电极图形，所述第一公共电极图形包括至少一个第一公共电极组，每个所述第一公共电极组包括至少一个第一公共电极，每个所述第一公共电极组与所述触控集成电路电连接；
其中，任一所述触控电极组中触控电极的排布方向与任一所述第一公共电极组中第一公共电极的排布方向垂直，所述第一公共电极组和所述触控电极组用于在手指作用于触摸屏上时产生互电容。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述触控电极图形包括触控电极引线图形，所述触控电极引线图形包括至少一根触控电极引线，每个所述触控电极组通过一根所述触控电极引线与触控集成电路电连接。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述触控电极引线图形为第二公共电极图形，
所述第二公共电极图形包括至少一根条状的第二公共电极，每个所述触控电极组通过一根所述第二公共电极与所述触控集成电路电连接。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述触控电极图形的衬底基板上形成像素电极层，包括：
在形成有所述触控电极图形的衬底基板上形成栅极绝缘层；
在形成有所述栅极绝缘层的衬底基板上形成有源层图形；
在形成有所述有源层图形的衬底基板上形成数据线和源漏极金属图形；
在形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成所述像素电极层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成所述像素电极层之后，所述方法还包括：
在形成有所述像素电极层的衬底基板上形成过孔图形。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述触控电极和所述像素电极层在所述衬底基板上的投影存在第一重叠区域；
所述像素电极层和所述第一公共电极在所述衬底基板上的投影存在第二重叠区域。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述触控电极由透明导电材料制成。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述触控电极为TX感应电极；
所述第一公共电极为RX传输电极。
9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
衬底基板；
所述衬底基板上形成有栅极和触控电极图形，所述触控电极图形包括至少一个触控电极组，每个所述触控电极组包括至少一个触控电极，每个所述触控电极组与触控集成电路电连接；
形成有所述触控电极图形的衬底基板上形成有像素电极层；
形成有所述像素电极层的衬底基板上形成有所述第一公共电极图形，所述第一公共电极图形包括至少一个第一公共电极组，每个所述第一公共电极组包括至少一个第一公共电极，每个所述第一公共电极组与所述触控集成电路电连接；
其中，任一所述触控电极组中触控电极的排布方向与任一所述第一公共电极组中第一公共电极的排布方向垂直，所述第一公共电极组和所述触控电极组用于在手指作用于触摸屏上时产生互电容。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极图形包括触控电极引线图形，所述触控电极引线图形包括至少一根触控电极引线，每个所述触控电极组通过一根所述触控电极引线与触控集成电路电连接。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极引线图形为第二公共电极图形，
所述第二公共电极图形包括至少一根条状的第二公共电极，每个所述触控电极组通过一根所述第二公共电极与所述触控集成电路电连接。
12.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
形成有所述触控电极图形的衬底基板上形成有栅极绝缘层；
形成有所述栅极绝缘层的衬底基板上形成有有源层图形；
形成有所述有源层图形的衬底基板上形成有数据线和源漏极金属图形；
形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成有所述像素电极层。
13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
形成有所述像素电极层的衬底基板上形成有过孔图形。
14.一种阵列基板的驱动方法，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求9至13任一所述的阵列基板，所述方法包括：
在显示时间段内，触控集成电路向所述触控电极和所述第一公共电极加载公共电极信号；
在触控时间段内，所述触控电极在所述触控集成电路的控制下发出激励信号，所述第一公共电极接收所述激励信号。
15.一种触摸屏，其特征在于，包括权利要求9至13任一所述的阵列基板。
16.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求15所述的触摸屏。
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