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CN105428220B - 太鼓减薄工艺的环切工艺方法 - Google Patents

太鼓减薄工艺的环切工艺方法 Download PDF

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CN105428220B CN201510977067.5A CN201510977067A CN105428220B CN 105428220 B CN105428220 B CN 105428220B CN 201510977067 A CN201510977067 A CN 201510977067A CN 105428220 B CN105428220 B CN 105428220B
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Abstract

本发明公开了一种太鼓减薄工艺的环切工艺方法，包括步骤：使用太鼓减薄工艺方法对晶圆背面进行减薄；在晶圆的背面完成背面工艺；将晶圆贴附在切割胶带上并固定在划片环上；进行环切工艺包括分步骤：在晶圆的中间部分的外侧边缘处进行切割；将采用分多次逐步逼近方式将取环手臂切入到切割胶带和支撑环之间。本发明能降低环切步骤中的碎片率。

Description

太鼓减薄工艺的环切工艺方法
技术领域
本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种太鼓(Taiko)减薄工艺的环切工艺方法。
背景技术
Taiko减薄工艺是由日本DISCO公司开发的一种超薄减薄工艺，Taiko减薄工艺并不是对晶圆即硅片的整个平面都减薄，而是仅对晶圆的中间部分进行减薄，晶圆的边缘部分不进行研磨减薄，不进行减薄的边缘部分的宽度约为2毫米～5毫米并由该不进行减薄的边缘部分形成支撑环。
一般当硅片薄到一定程度，且面积较大时，其机械强度大大下降，以8英寸硅片为例，当硅片厚度<200微米时，硅片会发生卷曲，因此无法继续进行搬送、转移和加工。而采用Taiko减薄工艺之后，仅硅片的中间部分减薄，利用硅片的中间部分形成集成电路的器件；利用较厚的支撑环来保持整个硅片的机械强度，防止硅片发生卷曲，有利于后续工艺中对硅片的搬送、转移和加工。
Taiko减薄工艺主要包含贴膜，减薄，揭膜，背面工艺，切割膜(Dicing tape)贴附，环切等步骤。
在其中的环切工艺步骤一般采用机械切割或激光切割将支撑环切除或采用研磨的方法将所述支撑环磨平。
如图1所示，是现有方法中环切工艺过程的示意图；太鼓减薄工艺之后在晶圆1的边缘形成有支撑环2。正背面工艺都完成后需要进行环切工艺将支撑环2从所述晶圆1中取下。环切之前需要将晶圆1的表面贴附在切割胶带如紫外线照射胶带(UV膜)3上并固定在划片环5上，而晶圆1的表面则放置在吸附平台(chuck table，CK)4上，吸附平台4通过真空或静电的方式将晶圆1吸附在平台表面，使晶圆1得到固定。之后在所述晶圆1的中间部分的外侧边缘处即虚线圈7所示位置处进行切割使所述支撑环2和所述晶圆1的中间部分分开。将取环手臂6切入到所述切割胶带3和所述支撑环2之间，现有方法中所述取环手臂6采用一次性切入，切入方向如图1中的水平方向的箭头所示。
在最后环切过程中，UV膜和晶圆1边缘的支撑环2粘性较强，这样一次性切入过程中需要使用较大的力且会使切入过程中力矩不均匀，持续较大的力矩不易控制且容易导致在取环的过程中发生夹膜以及碎片的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种太鼓减薄工艺的环切工艺方法，能降低环切步骤中的碎片率。
为解决上述技术问题，本发明提供的太鼓减薄工艺的环切工艺方法包括如下步骤：
步骤一、使用太鼓减薄工艺方法对晶圆背面进行减薄，所述晶圆的中间部分减薄到需要的厚度，所述晶圆的边缘部分不被减薄而形成一支撑环。
步骤二、在减薄后的所述晶圆的背面完成背面工艺。
步骤三、将完成背面工艺的所述晶圆的贴附在切割胶带上并固定在划片环上。
步骤四、进行环切工艺，所述环切工艺包括分步骤：
步骤41、在所述晶圆的中间部分的外侧边缘处进行切割使所述支撑环和所述晶圆的中间部分分开。
步骤42、将取环手臂切入到所述切割胶带和所述支撑环之间，所述取环手臂在切入过程中分多次逐步逼近所述支撑环的表面，最后将所述支撑环从所述切割胶带上完全脱离。
进一步的改进是，步骤42中所述取环手臂切入过程中每次逼近所述支撑环的表面的距离相等且为所述取环手臂开始切入时距离所述支撑环表面的距离除以逼近次数。
进一步的改进是，步骤42中所述取环手臂在切入过程中分2次或3次逐步逼近所述支撑环的表面。
进一步的改进是，步骤42中所述取环手臂逼近所述支撑环的表面后将所述取环手臂和所述支撑环表面贴合或将所述取环手臂抬起一定角度。
进一步的改进是，所述切割胶带为紫外线照射胶带或热敏胶带。
本发明在将取环手臂切入到切割胶带和支撑环之间的过程中分多次逐步逼近支撑环的表面，能够使切入过程中的力和力矩得到良好的控制，使切割胶带和支撑环分离过程平稳,能降低环切步骤中的碎片率。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是现有方法中环切工艺过程的示意图；
图2是本发明实施例方法流程图；
图3A-图3C是本发明实施例方法环切工艺过程的示意图。
具体实施方式
如图2所示，是本发明实施例方法流程图；如图3A至图3C所示，是本发明实施例方法环切工艺过程的示意图。本发明实施例太鼓减薄工艺的环切工艺方法包括如下步骤：
步骤一、使用太鼓减薄工艺方法对晶圆1背面进行减薄，所述晶圆1的中间部分减薄到需要的厚度，所述晶圆1的边缘部分不被减薄而形成一支撑环2。
步骤二、在减薄后的所述晶圆1的背面完成背面工艺。
步骤三、将完成背面工艺的所述晶圆1的贴附在切割胶带3上并固定在划片环5上。较佳为，所述切割胶带3为紫外线照射胶带或热敏胶带。
其中，晶圆1的表面放置在吸附平台4上，吸附平台4通过真空或静电的方式将晶圆1吸附在平台表面，使晶圆1得到固定。
步骤三中将所述晶圆1的正面贴附在切割胶带3上之后、固定在划片环5上之前，还包括在所述晶圆1的表面形成光刻胶4的步骤，所述光刻胶4用于对所述晶圆1表面进行保护。
步骤四、进行环切工艺，所述环切工艺包括分步骤：
步骤41、在所述晶圆1的中间部分的外侧边缘处即虚线框7所示位置处进行切割使所述支撑环2和所述晶圆1的中间部分分开。
步骤42、将取环手臂6切入到所述切割胶带3和所述支撑环2之间，所述取环手臂6在切入过程中分多次逐步逼近所述支撑环2的表面，最后将所述支撑环2从所述切割胶带3上完全脱离。
本发明实施例中，步骤42中所述取环手臂6切入过程中每次逼近所述支撑环2的表面的距离相等且为所述取环手臂6开始切入时距离所述支撑环2表面的距离除以逼近次数。所述取环手臂6和所述支撑环2表面的距离如图3A中向上的箭头所示，切入方向如图3A中的水平方向向左的箭头所示。图3A为切入初始状态的示意图；图3B为切入过程中的示意图，可以看出所述取环手臂6和所述支撑环2表面的距离变小；图3C是所述取环手臂6逐步逼近所述支撑环2的表面后的示意图。
本发明实施例中步骤42中所述取环手臂6在切入过程中分2次或3次逐步逼近所述支撑环2的表面。在其它实施例中也能采用大于3的更多的次数。
步骤42中所述取环手臂6逼近所述支撑环2的表面后将所述取环手臂6和所述支撑环2表面贴合或将所述取环手臂6抬起一定角度。其中抬起一定的角度可以参考图3C所示，所述取环手臂6的根部和所述支撑环2的表面接触，所述取环手臂6的尖端有一定的下翘，这样更有利于撕扯所述切割胶带3并使所述支撑环2从所述切割胶带3上完全脱离。
以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种太鼓减薄工艺的环切工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、使用太鼓减薄工艺方法对晶圆背面进行减薄，所述晶圆的中间部分减薄到需要的厚度，所述晶圆的边缘部分不被减薄而形成一支撑环；
步骤二、在减薄后的所述晶圆的背面完成背面工艺；
步骤三、将完成背面工艺的所述晶圆的背面贴附在切割胶带上并固定在划片环上；
步骤四、进行环切工艺，所述环切工艺包括分步骤：
步骤41、在所述晶圆的中间部分的外侧边缘处进行切割使所述支撑环和所述晶圆的中间部分分开；
步骤42、将取环手臂切入到所述切割胶带和所述支撑环之间，所述取环手臂在切入过程中分多次逐步逼近所述支撑环的表面，最后将所述支撑环从所述切割胶带上完全脱离。
2.如权利要求1所述的太鼓减薄工艺的环切工艺方法，其特征在于：步骤42中所述取环手臂切入过程中每次逼近所述支撑环的表面的距离相等且为所述取环手臂开始切入时距离所述支撑环表面的距离除以逼近次数。
3.如权利要求2所述的太鼓减薄工艺的环切工艺方法，其特征在于：步骤42中所述取环手臂在切入过程中分2次或3次逐步逼近所述支撑环的表面。
4.如权利要求1所述的太鼓减薄工艺的环切工艺方法，其特征在于：步骤42中所述取环手臂逼近所述支撑环的表面后将所述取环手臂和所述支撑环表面贴合或将所述取环手臂抬起一定角度。
5.如权利要求1所述的太鼓减薄工艺的环切工艺方法，其特征在于：所述切割胶带为紫外线照射胶带或热敏胶带。
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