CN105323960A - 电路板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供电路板,其是具备覆盖表面粗糙度小的导体层的厚度更薄的绝缘层的电路板,其中,即使在通过激光照射形成小直径通孔的情况下也能抑制经时发生的不良现象。电路板,其是具备导体层24和覆盖导体层的绝缘层30、并具备使导体层的一部分从绝缘层露出的通孔40的电路板10,其中,导体层的表面24a的算术平均粗糙度为350nm以下,通孔的深度为30μm以下,通孔的顶部直径(Z)为50μm以下,通孔的顶部直径(Z)与通孔的最小直径(Y)和通孔的底部直径(X)的关系满足Y/Z=0.7~0.99和Y/X=0.7~1(Z>Y)。
Description
技术领域
本发明涉及电路板及其制造方法。
背景技术
为了使电子器件小型化、多功能化,要求广泛用于电子器件的电路板的布线微细化、高密度化。作为电路板的制造方法,已知在内层基板上交替重叠绝缘层和导体层而形成多层布线结构的堆叠(build-up)方式的制造方法。
在堆叠方式的电路板的制造方法中,通过使用包含例如支撑体和树脂组合物层的带支撑体的树脂片等在内层基板上层压树脂组合物层,使树脂组合物层热固化,从而形成绝缘层。接着,在形成的绝缘层上进行开孔加工形成通孔(例如参照专利文献1)。
已知电路板上电信号衰减的主要原因之一是包含布线的导体层的表面粗糙度大,为了抑制由导体层的表面粗糙度大而引起的电信号衰减,希望进一步减小导体层的表面粗糙度。尤其在使用高频电信号的情况下,由导体层的表面粗糙度大造成的传输损耗显著,在需要向服务器等高速传输电信号的所谓的高频电路板中,特别希望进一步减小导体层的表面粗糙度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2008-37957号公报。
发明内容
发明要解决的问题
本发明人等鉴于上述各点,发现在对导体层的表面粗糙度更小、覆盖该导体层的绝缘层厚度更薄的电路板的绝缘层照射激光以形成通孔的情况下,由于激光在导体层表面反射、散射而造成导体层附近的绝缘层被剜出而不可避免地形成凹部(抉れ部),尤其在形成顶部直径(top diameter)更小的通孔的情况下,会显著地因使用而经时发生由该凹部引起导体层、绝缘层产生裂纹等不良现象。
因此,本发明的课题在于,提供电路板,其是具备更薄绝缘层的薄型电路板,其中,在进一步降低导体层的表面粗糙度时,即使在通过照射激光在绝缘层上形成小直径通孔的情况下,也难以发生产生裂纹等因使用而导致的经时的不良现象。
用于解决问题的手段
本发明人等对上述问题进行了认真研究,结果发现通过使电路板的导体层与绝缘层的密合强度为0.15kgf/cm以上、通孔的顶部直径(Z)与通孔的最小直径(Y)和通孔的底部直径(X)的关系满足Y/Z=0.7~0.99、Y/X=0.7~1(Z>Y),能够解决上述问题,从而完成了本发明。
即,本发明提供下列[1]~[20]。
[1] 电路板,其是具备导体层和覆盖该导体层的绝缘层、并且具备使上述导体层的一部分从该绝缘层露出的通孔的电路板,其中,
上述导体层的表面的算术平均粗糙度为350nm以下;
上述通孔的深度为30μm以下;
上述通孔的顶部直径(Z)为50μm以下;
上述通孔的顶部直径(Z)与上述通孔的最小直径(Y)和上述通孔的底部直径(X)的关系满足Y/Z=0.7~0.99和Y/X=0.7~1(Z>Y)。
[2]
[1]所述的电路板,其中,以上述通孔的深度为基准时,上述最小直径的位置靠近上述导体层。
[3]
[1]或[2]所述的电路板,其中,上述导体层的表面的算术平均粗糙度为300nm以下。
[4]
[1]~[3]中任一项所述的电路板,其中,上述通孔的深度为25μm以下。
[5]
[1]~[4]中任一项所述的电路板,其中,上述导体层与上述绝缘层的密合强度为0.15kgf/cm以上。
[6]
[1]~[4]中任一项所述的电路板,其中,上述导体层与上述绝缘层的密合强度为0.2kgf/cm以上。
[7]
[1]~[6]中任一项所述的电路板,其中,上述通孔的顶部直径(Z)为40μm以下。
[8]
[1]~[7]中任一项所述的电路板,其中,上述绝缘层为树脂组合物的固化物。
[9]
[1]~[8]中任一项所述的电路板,其中,上述通孔为通过照射激光形成的通孔。
[10] 具备[1]~[9]中任一项所述的电路板的半导体装置。
[11] 电路板的制造方法,其包括:
步骤(A)将带塑料膜支撑体的树脂片与设置有导体层的布线基板的该导体层接合的步骤,上述带塑料膜支撑体的树脂片包含塑料膜支撑体以及与该塑料膜支撑体接合的树脂组合物层,上述导体层表面的算术平均粗糙度为350nm以下且包含导体图案;
步骤(B)将上述树脂组合物层热固化形成绝缘层的步骤,所述绝缘层是在上述导体层上的厚度为30μm以下的绝缘层,该绝缘层与上述导体层的密合强度为0.15kgf/cm以上;
步骤(C)从上述塑料膜支撑体侧照射激光,在上述绝缘层上形成通孔的步骤,上述通孔是顶部直径(Z)为50μm以下的通孔,该通孔的顶部直径(Z)与该通孔的最小直径(Y)和该通孔的底部直径(X)的关系满足Y/Z=0.7~0.99和Y/X=0.7~1(Z>Y);
步骤(D)进行除污(desmear)处理的步骤;
步骤(E)将上述塑料膜支撑体从上述绝缘层剥离的步骤;以及
步骤(F)在上述绝缘层上进一步形成导体层的步骤。
[12]
[11]所述的电路板的制造方法,其中,在上述步骤(C)中,上述通孔形成为:以该通孔的深度为基准时,最小直径(Y)的位置靠近上述导体层。
[13]
[11]或[12]所述的电路板的制造方法,其中,上述步骤(D)的除污处理为湿式除污处理。
[14]
[11]~[13]中任一项所述的电路板的制造方法,其中,上述步骤(F)是利用干法镀敷在上述绝缘层的表面形成金属层,利用湿法镀敷在该金属层的表面形成上述导体层的步骤。
[15]
[11]~[14]中任一项所述的电路板的制造方法,其中,上述塑料膜支撑体是带脱模层的塑料膜支撑体。
[16]
[11]~[15]中任一项所述的电路板的制造方法,其中,上述树脂组合物层含有环氧树脂、固化剂和无机填充材料。
[17]
[16]所述的电路板的制造方法,其中,上述无机填充材料的平均粒径为0.01μm~3μm。
[18]
[16]所述的电路板的制造方法,其中,上述无机填充材料的平均粒径为0.01μm~0.4μm。
[19]
[16]~[18]中任一项所述的电路板的制造方法,其中,将上述树脂组合物层中的不挥发成分设为100质量%时,上述树脂组合物层中的上述无机填充材料的含量为40质量%~95质量%。
[20]
[16]~[19]中任一项所述的电路板的制造方法,其中,上述无机填充材料用表面处理剂进行表面处理。
发明的效果
根据本发明,可以提供电路板,该电路板具备覆盖表面粗糙度小的导体层的厚度更薄的绝缘层,其中,即使在通过照射激光形成小直径通孔的情况下,也难以发生导体层、绝缘层产生裂纹等因使用而导致的经时的不良现象。
附图说明
图1是表示电路板的俯视示意图;
图2是表示沿图1中II-II点划线截断的端面的示意图;
图3是用于说明电路板的制造方法的示意图;
图4是用于说明电路板的制造方法的示意图。
-符号说明-
10-电路板;20-布线基板;22-基板;24-导体层;24a-导体层的表面;30-绝缘层;30X-树脂组合物层;30a-绝缘层的表面;40-通孔;42-凹部;44-底部;50-塑料膜支撑体;60-带塑料膜支撑体的树脂片;70-布线层;X-底部直径;Y-最小直径;Z-顶部直径;t-绝缘层的厚度;d-通孔的深度。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行说明。应予说明,各附图仅在能够理解发明的程度内示意性地表示构成要素的形状、大小和配置。本发明并不限于以下记载,各构成要素可以在不脱离本发明宗旨的范围内适当改变。在以下说明所用的附图中,相同的构成要素用同一符号表示,有时省略重复说明。另外,本发明的实施方式所述的构成,并不一定按照图示的配置、形状进行制造或使用。
[具备导体层和覆盖该导体层的绝缘层的电路板]
本发明的电路板具备导体层和覆盖该导体层的绝缘层,并具备使导体层的一部分从该绝缘层露出的通孔,导体层的表面的算术平均粗糙度为350nm以下,通孔的深度为30μm以下,通孔的顶部直径(Z)为50μm以下,通孔的顶部直径(Z)与通孔的最小直径(Y)和通孔的底部直径(X)的关系满足Y/Z=0.7~0.99和Y/X=0.7~1(Z>Y)。
参照图1和图2,对电路板的构成例进行说明。
图1是表示电路板的俯视示意图。将电路板中设置有一个通孔的区域放大表示。图2是表示沿图1中II-II点划线截断的端面的示意图。
如图1和图2所示,本实施方式的电路板10包含布线基板(内层基板)20。布线基板20包含基板22、以及设置在基板22主面的导体层24。在设置导体层24的一侧,设置有将该导体层24和从导体层24露出的基板22的主面覆盖的绝缘层30。
图示例中,仅在基板22的一个主面侧设置有导体层24和绝缘层30。但是,本实施方式涉及的电路板10的结构并不限于图示例,也可以是在基板22的两面侧设置导体层24和绝缘层30,进而在基板22的两面侧设置堆叠层的结构。在此情况下,布线基板20相当于所谓的内层电路板。
以下说明中,为了简化说明且更便于理解,对仅在基板22的一个主面侧设置有导体层24和绝缘层30的结构进行说明。
此处导体层24的表面24a的表面粗糙度、即平均粗糙度(算术平均粗糙度Ra)为350nm以下,优选为300nm以下。因此导体层24的表面粗糙度比以往的导体层更小。
本实施方式涉及的导体层24上的绝缘层30的厚度为30μm以下,优选为25μm以下。因此绝缘层30比以往的电路板的绝缘层更薄。也就是说,本发明涉及的电路板10具有整体更薄型化的特征。
绝缘层30的制造方法详细如后所述,绝缘层30作为树脂组合物的固化物构成。该固化物可用含有树脂组合物和片状纤维基材的预浸料形成。
电路板10设置有从绝缘层30的表面30a到导体层24的表面24a,使导体层24的表面24a的一部分露出的一个以上的通孔40。本实施方式中通孔40在绝缘层30的表面30a上划成的近圆形轮廓的直径(开口直径)即顶部直径(Z)为50μm以下,优选为40μm以下。换言之,本发明的电路板10所设置的通孔40设置为,从电路板10的厚度方向观察时的最大直径即顶部直径(Z)小于以往通孔的小直径的通孔。
通孔40的形成方法详细如后所述,通孔40优选通过照射激光而形成。
本实施方式的通孔40的顶部直径(Z)与最小直径(Y)和通孔的底部直径(X)的关系中,Y/Z为0.7~0.99的范围(Y/Z=0.7~0.99)、以及Y/X为0.7~1的范围且Z>Y
(Y/X=0.7~1(Z>Y))。
本实施方式的通孔40中,深度d相当于沿着与绝缘层30的表面30a和/或导体层24的表面24a正交的方向在通孔40内延伸,一端位于表面24a、另一端位于与表面30a的高度相等的位置的线段的长度。通孔40中,最小直径(Y)的位置在以通孔40的深度d为基准时位于靠近导体层24的位置。换言之,最小直径(Y)的位置,以通孔40的深度d为基准,比距离顶部直径(Z)的位置或底部直径(X)的位置相等的位置、即d/2的位置更靠近导体层24,也就是说,以通孔40的深度d为基准时,位于从底部直径(X)侧即通孔40的底部44(0d)起d/2的范围内的位置,进而换言之,位于从顶部直径(Z)侧起0.5d~1.0d的范围内的位置。
此处,在绝缘层30来源于预浸料且包含片状纤维基材的情况下,通常通孔40内片状纤维基材的一部分从绝缘层30(通孔40的侧壁)突出的位置相当于最小直径(Y)。
通常,通孔40轮廓的形状为,具有其顶部直径(Z)大于底部直径(X)的倒截锥形的形状,但图示例的通孔40中,从导体层24的表面24a起在导体层24附近的区域形成有凹部42。应予说明,本实施方式的通孔40中,有时也可以是没有凹部42,最小直径(Y)与底部直径(X)一致,顶部直径(Z)大于底部直径(X)的倒截锥形的形状。
凹部42由用于形成通孔40的激光在导体层24的表面24a反射、散射而形成。
凹部42在图示例中,其轮廓的形状为,其底面直径大于上面直径的截锥形。但是,凹部42的形状并不限于此。凹部42的最大直径在图示例中与通孔40的底部44的底部直径(X)一致。
在电路板10中,优选凹部42的轮廓的直径(截锥的底面和上面的直径)、尺寸(轮廓所划成的区域的体积)更小,更优选不存在凹部42,即Y/X为1、通孔40轮廓的形状为倒截锥形的形状。
本实施方式涉及的导体层24与绝缘层30的密合强度为0.15kgf/cm以上,优选为0.18kgf/cm以上,更优选为0.20kgf/cm以上。由此,通过使导体层24与绝缘层30的密合强度为0.15kgf/cm以上,通孔40轮廓的形状满足上述关系。这样,可以形成没有凹部42的通孔40,或者即使不可避免地具有凹部42也可形成凹部42的直径、凹部42的尺寸更小的通孔40。结果,由于难以发生绝缘层30、导体层24产生裂纹等因使用而导致的经时的不良现象,因此能够提供寿命长、即使在例如高频信号下工作可靠性也高的电路板10。
另一方面,在导体层24与绝缘层30的密合强度小于0.15kgf/cm的情况下,通孔40轮廓的形状无法满足上述关系,凹部42的直径、尺寸增大,容易发生绝缘层30、导体层24产生裂纹等因使用而导致的经时的不良现象,因此可能会使经时特性劣化、或者装置寿命缩短。
图示例中,绝缘层30的表面30a设置有布线层70。布线层70作为包含多条布线的布线图案构成。此处,以布线层70的材料填充于通孔40内的方式,例如作为填充通孔(filled via)构成,由此布线层70到达导体层24的表面24a,布线层70与导体层24电连接。
[电路板的制造方法]
本实施方式涉及的电路板的制造方法包括:步骤(A)将带塑料膜支撑体的树脂片与设置有导体层的布线基板的该导体层接合的步骤,所述带塑料膜支撑体的树脂片包含塑料膜支撑体以及与该塑料膜支撑体接合的树脂组合物层,所述导体层表面的算术平均粗糙度为350nm以下且包含导体图案;步骤(B)将树脂组合物层热固化形成绝缘层的步骤,所述绝缘层是在导体层上的厚度为30μm以下的绝缘层,绝缘层与导体层的密合强度为0.15kgf/cm以上;步骤(C)从塑料膜支撑体侧照射激光在绝缘层形成通孔的步骤,所述通孔是顶部直径(Z)为50μm以下的通孔,通孔的顶部直径(Z)与通孔的最小直径(Y)和通孔的底部直径(X)的关系满足Y/Z=0.7~0.99和Y/X=0.7~1(Z>Y);步骤(D)进行除污处理的步骤;步骤(E)将塑料膜支撑体从绝缘层剥离的步骤;步骤(F)在绝缘层上进一步形成导体层的步骤。
参照图3和图4,对本实施方式涉及的电路板的制造方法进行说明。图3和图4是用于说明与图2同样表示的电路板的制造方法的示意图。
<步骤(A)>
步骤(A)是将带塑料膜支撑体的树脂片与设置有导体层的布线基板的该导体层接合的步骤,所述带塑料膜支撑体的树脂片包含塑料膜支撑体以及与该塑料膜支撑体接合的树脂组合物层,所述导体层表面的算术平均粗糙度为350nm以下且包含导体图案。
如图3所示,步骤(A)中,准备包含塑料膜支撑体50以及与该塑料膜支撑体50接合的树脂组合物层30X的带塑料膜支撑体的树脂片60,以带塑料膜支撑体的树脂片60的树脂组合物层30X与布线基板20的导体层24的表面24a接合的方式进行叠层。
作为布线基板20所含的基板22的例子,可列举出玻璃环氧基板、金属基板、聚酯基板、聚酰亚胺基板、BT树脂基板、热固型聚苯醚基板等。如上述说明所述,可以在基板22的单面(或双面)形成包含图案化的一个以上的布线图案的导体层(电路)24。
布线基板20的导体层24的表面24a的表面粗糙度,从降低电信号的导体损耗的观点出发,平均表面粗糙度(Ra)为350nm以下,优选为300nm以下。导体层24的表面粗糙度可通过导体层24的表面处理进行调整。
作为从兼顾导体层24的表面24a的低粗糙度、以及导体层24与绝缘层30的密合性的观点出发而优选的导体层24的表面24a的表面处理的例子,可列举出使用有机酸系微蚀刻剂即“メックエッチボンドCZ8100”、“メックエッチボンドCZ8101”(MEC株式会社制)的粗糙化处理、使用锡系处理剂即“Secure HFz”(Atotech公司制)、“フラットボンド(FlatBOND)”(MEC株式会社制)的锡系处理的表面处理等。此处锡系处理是指,在导体层24的表面24a形成含有至少金属锡或锡氧化物的层。具体而言,通过置换镀锡或使用含有锡盐、有机和/或无机酸、还原剂等的处理液等的浸渍等的处理,对布线基板20进行表面处理。
步骤(A)中使用的带塑料膜支撑体的树脂片60的结构、制造方法详细如后所述。
带塑料膜支撑体的树脂片60与布线基板20的接合(叠层),例如可通过从塑料膜支撑体50侧将带塑料膜支撑体的树脂片60加热压接在布线基板20上的加热压接步骤来进行。作为将带塑料膜支撑体的树脂片60加热压接在布线基板20上的部件(以下也称为“加热压接部件”),例如可列举出经加热的金属板(SUS端板等)或金属辊(SUS辊)等。应予说明,优选不将加热压接部件在带塑料膜支撑体的树脂片60上直接加压,而是经由以耐热橡胶等作为材料的弹性材料进行加压,以使树脂组合物层30X充分追随并覆盖电路板20表面的凹凸。
加热压接步骤的温度优选为80℃~160℃的范围,更优选为90℃~140℃的范围,进一步优选为100℃~120℃的范围。加热压接步骤的压力优选为0.098MPa~1.77MPa的范围,更优选为0.29MPa~1.47MPa的范围。加热压接步骤的处理时间优选为20秒~400秒的范围,更优选为30秒~300秒的范围。叠层优选在压力为26.7hPa以下的减压条件下实施。
叠层可用市售真空层压机进行。作为市售真空层压机,例如可列举出(株)名机制作所制的真空加压式层压机、ニチゴー・モートン(株)制的真空敷料器(vacuum applicator)等。
在步骤(A)中,带塑料膜支撑体的树脂片60可以仅在布线基板20两主面中的一面进行叠层,也可以在两面都进行叠层。
叠层后,通过常压下(大气压下),例如将加热压接部件从塑料膜支撑体50侧加压,由此对叠层后的带塑料膜支撑体的树脂片60进行平滑化处理。平滑化处理的加压条件可为与上述加热压接步骤中各条件相同的条件。平滑化处理可以通过市售层压机进行。应予说明,叠层和平滑化处理可用上述市售真空层压机连续进行。
<步骤(B)>
步骤(B)是将树脂组合物层30X热固化形成绝缘层30的步骤,所述绝缘层30是在导体层24上的厚度为30μm以下的绝缘层30,绝缘层30与导体层24的密合强度为0.15kgf/cm以上。
在步骤(B)中,将树脂组合物层30X热固化形成绝缘层30。可以在热固化前将塑料膜支撑体50从树脂组合物层30X剥离(除去)。在对塑料膜支撑体50的表面进行脱模处理且脱模处理后的表面与树脂组合物层30X相接的情况等、可在形成绝缘层30后将塑料膜支撑体50容易地从绝缘层30的表面30a剥离的情况下,也可以不剥离塑料膜支撑体50而直接进行热固化形成绝缘层30。
在步骤(B)中,树脂组合物层30X的热固化条件没有特别限制,例如可以使固化温度为120℃~240℃的范围(优选为150℃~210℃的范围、更优选为160℃~200℃的范围),固化时间为5分钟~90分钟的范围(优选为10分钟~75分钟的范围、更优选为15分钟~60分钟的范围)。另外,热固化时的压力没有特别限制,可为常压下、加压下、减压下的任意压力。
使树脂组合物层30X热固化前,可以进行将树脂组合物层30X在低于固化温度的温度下加热处理的预加热处理。例如,使树脂组合物层30X热固化之前,可以进行在50℃以上且小于120℃(优选为60℃以上且110℃以下)的温度下将树脂组合物层30X加热处理5分钟以上(优选为5分钟~150分钟)的预加热处理。
从电路板10薄型化的观点出发,由树脂组合物层30X的热固化形成的、导体层24上的绝缘层30的厚度、即上述通孔40的深度d为30μm以下。从薄型化的观点出发,导体层24上的绝缘层30的厚度优选为25μm以下。导体层24上的绝缘层30的厚度下限没有特别限制,但通常为3μm以上。绝缘层30的厚度t和绝缘层30在导体层24上的厚度(d)可通过调整带塑料膜支撑体的树脂片60的树脂组合物层30X的厚度来进行适当调整。
由树脂组合物层30X的热固化而形成的绝缘层30与导体层24的密合强度为0.15kgf/cm以上。绝缘层30与导体层24的密合强度优选为0.2kgf/cm以上。如果密合强度小于0.15kgf/cm,则照射激光形成通孔40时,由于激光在位于通孔40的底部44侧的导体层24的表面24a反射、散射,有时会引起绝缘层30与导体层24因激光能的热量而剥离的不良现象。
所形成的绝缘层30与导体层24的密合强度可以通过用于形成绝缘层30的树脂组合物的成分、形成绝缘层30时的固化条件(构成绝缘层30的树脂的玻璃化转变温度(Tg))、导体层24的表面24a的表面粗糙度、用于提高导体层24的表面24a的密合性的处理等来进行调整。
从调整绝缘层30与导体层24的密合强度的观点出发,优选在例如树脂组合物的成分中,使用以环氧树脂为主成分的树脂组合物,使用酚系固化剂、活性酯系固化剂作为固化剂。作为这样的树脂组合物的固化条件,优选在使树脂组合物的固化物的Tg为100℃以上那样的固化条件下进行固化。在使用具有三嗪结构的环氧树脂、具有三嗪结构的酚系固化剂作为树脂组合物的材料的情况下,绝缘层30与导体层24的密合强度有提高的趋势。另一方面,如果使用脂环式环氧树脂作为环氧树脂,则绝缘层30与导体层24的密合强度有降低的趋势,另外,在使用乙烯基聚合系的树脂作为树脂组合物的成分的情况下,密合强度也有降低的趋势。
导体层24的表面24a的表面粗糙度越大,由于所谓的锚固(anchor)效应使绝缘层30与导体层24的密合强度有提高的趋势。但是,导体层24的表面24a的表面粗糙度越大,信号的传输损耗也有增大的趋势。因此,本实施方式涉及的电路板10中导体层24的表面24a的表面粗糙度为350μm以下。另外,通过对导体层24的表面24a进行用于使密合强度提高的表面处理,也能够提高绝缘层30与导体层24的密合强度。
作为可使导体层24的表面24a为低粗糙度并提高密合强度的表面处理的例子,可列举出使用有机酸系微蚀刻剂即“メックエッチボンドCZ8100”、“メックエッチボンドCZ8101”(MEC株式会社制)的粗糙化处理。另外,作为用于提高导体层24的表面24a的密合强度的表面处理的例子,可列举出利用锡系处理剂即“Secure
HFz”(Atotech公司制)的表面处理等。另外,可以通过在进行了粗糙化处理、用于提高密合强度的处理后进一步实施使用偶联剂的处理来提高密合强度。作为可用的偶联剂的例子,可列举出硅烷偶联剂、钛酸酯系偶联剂、铝酸酯系偶联剂等。其中优选硅烷偶联剂,作为硅烷偶联剂的例子,可列举出氨基硅烷偶联剂、环氧硅烷偶联剂、苯乙烯硅烷偶联剂等。作为这样的表面处理,可列举出包括利用锡系处理剂的处理和使用偶联剂的处理的“フラットボンド”(MEC株式会社制)的表面处理。
本实施方式涉及的电路板10的制造方法中,在绝缘层30形成通孔40。如上述说明所述,所形成的通孔40的顶部直径(Z)为50μm以下,通孔40的顶部直径(Z)与通孔40的最小直径(Y)和通孔40的底部直径(X)的关系为:Y/Z=0.7~0.99、Y/X=0.7~1(Z>Y)。此时,通孔40的最小直径的位置位于以通孔40的深度d为基准时靠近导体层24的位置。
<步骤(C)>
本实施方式涉及的电路板10可以通过在实施如步骤(A)和步骤(B)后,实施步骤(C)来制造。
步骤(C)是从塑料膜支撑体50侧、即从塑料膜支撑体50的上方照射激光,在绝缘层30形成通孔40的步骤,所述通孔40是顶部直径(Z)为50μm以下的通孔40,该通孔40的顶部直径(Z)与该通孔40的最小直径(Y)和该通孔40的底部直径(X)的关系满足Y/Z=0.7~0.99和Y/X=0.7~1(Z>Y)。
如图4所示,在步骤(C)中,照射激光,在绝缘层30形成顶部直径(Z)为50μm以下的通孔40。如图示例所示,可在塑料膜支撑体50以与绝缘层30接合的状态存在的情况下,从塑料膜支撑体50的上方对塑料膜支撑体50照射激光,也可以将塑料膜支撑体50剥离而对绝缘层30直接照射激光。从精度良好地形成通孔40的观点出发,优选不剥离塑料膜支撑体50而从其上方照射激光来形成通孔40。
从电路板10所具备的布线图案的进一步高密度化的观点出发,步骤(C)中形成的通孔40的顶部直径(Z)优选小于50μm,更优选为40μm以下,进一步优选为35μm以下,特别优选为30μm以下。
步骤(C)中形成的通孔40的个数没有特别限制,可根据电路板10的设计形成任意适当的个数。形成的多个通孔40的顶部直径(Z)可以相同也可以互不相同。应予说明,步骤(C)中形成的所有通孔40的顶部直径(Z)无需都在50μm以下。可以根据电路板10的设计,配合形成具有大于50μm的顶部直径(Z)的通孔40。
由本实施方式涉及的电路板10的制造方法形成的通孔40的顶部直径(Z)与通孔40的最小直径(Y)和通孔40的底部直径(X)的关系为:Y/Z=0.7~0.99、Y/X=0.7~1(Z>Y)。而且,通孔40的最小直径的位置位于以通孔40的深度d为基准时靠近导体层24的位置。
在步骤(C)中,作为可用于激光照射的激光源,例如可列举出二氧化碳激光、YAG激光、UV-YAG激光、YVO4激光、YLF激光、准分子激光等。可以根据塑料膜支撑体50、绝缘层30的吸光特性等,使用任意合适的激光源。
激光的照射条件只要能够形成具有上述说明程度的顶部直径(Z)的小直径通孔40则没有特别限制,可以根据激光源的种类、塑料膜支撑体50的有无及其厚度、以及绝缘层30的厚度、种类等适当决定。
以下,对使用二氧化碳激光作为激光源的情况的照射条件进行说明。在使用二氧化碳激光作为激光源的情况下,通常使用9.3μm~10.6μm波长的激光。发射数(SHOT数)根据要形成通孔40的深度d、顶部直径(Z)而不同,但通常可在1SHOT~10SHOT的范围内进行选择。从增加加工速度来提高电路板生产率的观点出发,发射数少的方案更佳,优选为1SHOT~5SHOT的范围,更优选为1SHOT~3SHOT的范围。应予说明,在发射数为2
SHOT以上的情况下,可在脉冲模式(burst mode)、循环模式(cycle mode)的任意模式下照射激光。激光的能量取决于发射数、通孔40的深度d、塑料膜支撑体50的有无、其厚度,但优选设定为0.2mJ以上,更优选设定为0.3mJ以上,进一步优选设定为0.4mJ以上。激光的能量的上限优选为20mJ以下,更优选为15mJ以下,进一步优选为10mJ以下。
步骤(C)可使用市售激光装置实施。作为市售激光装置,例如可列举出日立维亚机械(日立ビアメカニクス)株式会社制“LC-2E21B/1C”(二氧化碳激光装置)、三菱电机株式会社制“605GTWIII(-P)”(二氧化碳激光装置)、ESI公司制“MODEL5330xi”、“MODEL5335”(UV-YAG激光装置)等。
步骤(C)中形成的通孔40的内部(特别是通孔40的底部)通常附着有树脂残渣(污迹,smear)。这样的污迹会成为层间的电连接不良的原因,因此在形成通孔40后通常进行将污迹除去的除污处理(步骤(D))。
<步骤(D)>
步骤(D)是进行除污处理的步骤。
步骤(D)的除污处理没有特别限制,可以进行任意合适的以往公知的除污处理。除污处理例如可通过干式除污处理、湿式除污处理或它们的组合来进行。在从塑料膜支撑体50的上方进行利用激光的通孔40的形成的情况下,刚形成通孔40之后为塑料膜支撑体50与绝缘层30接合的状态,除污处理可以直接在塑料膜支撑体50与绝缘层30接合的状态下进行,也可以将塑料膜支撑体50从绝缘层30剥离后进行。
作为干式除污处理的例子,可列举出使用等离子体的除污处理。使用等离子体的除污处理可以使用市售的等离子体除污处理装置实施。市售的等离子体除污处理装置中,作为适合于本发明的电路板的制造用途的例子,可列举出Nissin(ニッシン)株式会社制的微波等离子体装置、积水化学工业(株)制的常压等离子体蚀刻装置等。
作为干式除污处理的例子,还可列举出能够从喷嘴喷射研磨材料对处理对象进行研磨的干式喷砂处理。干式喷砂处理可以使用市售干式喷砂处理装置实施。作为研磨材料,在使用水溶性研磨材料的情况下,通过在干式喷砂处理后进行水洗处理,可以有效除去污迹而不会在通孔40内部残留研磨材料。
作为湿式除污处理,例如可列举出使用氧化剂溶液的除污处理等。在使用氧化剂溶液进行除污处理的情况下,优选依次进行利用膨润液的膨润处理、利用氧化剂溶液的氧化处理、利用中和液的中和处理。作为膨润液,例如可列举出アトテックジャパン(株)制的“スウェリング・ディップ・セキュリガンスP”、“スウェリング・ディップ・セキュリガンスSBU”等。膨润处理优选通过将形成有通孔40的基板在加热至60℃~80℃的膨润液中浸渍5分钟~10分钟来进行。作为氧化剂溶液,优选碱性高锰酸水溶液,例如可列举出将高锰酸钾或高锰酸钠溶解在氢氧化钠水溶液中而成的溶液。利用氧化剂溶液的氧化处理优选通过将膨润处理后的基板在加热至60℃~80℃的氧化剂溶液中浸渍10分钟~30分钟来进行。作为碱性高锰酸水溶液的市售品,例如可列举出アトテックジャパン(株)制的“コンセントレート・コンパクトCP”、“ドージングソリューション・セキュリガンスP”等。利用中和液的中和处理优选通过将氧化处理后的基板在30℃~50℃的中和液中浸渍3分钟~10分钟来进行。作为中和液,优选为酸性的水溶液,作为市售品,例如可列举出アトテックジャパン(株)制的“リダクションソリューション・セキュリガンスP”。
作为湿式除污处理,还可以使用能够从喷嘴喷射研磨材料和分散介质对处理对象进行研磨的湿式喷砂处理。湿式喷砂处理可以使用市售的湿式喷砂处理装置实施。
在干式除污处理和湿式除污处理组合实施的情况下,可以先实施干式除污处理,也可以先实施湿式除污处理。
从可进一步享有本发明效果的观点出发,步骤(D)的除污处理优选为湿式除污处理。
<步骤(E)>
步骤(E)是将塑料膜支撑体50从绝缘层30剥离的步骤。
塑料膜支撑体50的剥离方法没有特别限制,可通过以往公知的任意合适的方法进行。塑料膜支撑体50可以利用自动剥离装置进行机械剥离。
<步骤(F)>
步骤(F)为在绝缘层30上形成布线层70的步骤。
除污处理后,在绝缘层30的表面30a形成布线层70(堆叠布线层)。
可用于布线层70的导体材料没有特别限制。在适宜的实施方式中,布线层70含有选自金、铂、钯、银、铜、铝、钴、铬、锌、镍、钛、钨、铁、锡和铟中的一种以上的金属作为材料。布线层70可以是单金属层也可以是合金层,作为合金层,例如可列举出由选自上述金属中的两种以上的金属的合金(例如、镍-铬合金、铜-镍合金和铜-钛合金)形成的层。其中,从布线层70的形成容易性、成本、图案化的容易性等观点出发,布线层70优选为铬、镍、钛、铝、锌、金、钯、银或铜的单金属层、或者镍-铬合金、铜-镍合金、铜-钛合金的合金层,更优选为铬、镍、钛、铝、锌、金、钯、银或铜的单金属层、或者镍-铬合金的合金层,进一步优选为铜的单金属层。
布线层70可以是单层结构,也可以是两层以上的包含不同种类的金属或合金的单金属层或合金层叠层而得的多层结构。在布线层70为多层结构的情况下,与绝缘层30接合的层优选为铬、锌或钛的单金属层、或者镍-铬合金的合金层。
布线层70的厚度取决于所需电路板的设计,通常为35μm以下,优选为30μm以下,更优选为25μm以下。布线层70的厚度的下限没有特别限制,通常为3μm以上,优选为5μm以上。
在适宜的实施方式中,步骤(F)依次包括:
在绝缘层30的表面用干法镀敷形成金属层的步骤、以及
在金属层的表面用湿法镀敷形成布线层70的步骤(以下称为“步骤(F-1)”)。
在步骤(F-1)中,首先,在绝缘层30的表面30a用干法镀敷形成金属层。
作为干法镀敷,例如可列举出蒸镀、溅射、离子镀、激光烧蚀等物理气相沉积(PVD)法、热CVD、等离子体CVD等化学气相沉积(CVD)法,其中优选蒸镀、溅射。可以将这些干法镀敷中的两种组合来形成金属层。
所形成的金属层的厚度没有特别限制,优选为5nm~2μm,更优选为10nm~1μm,进一步优选为20nm~500nm。应予说明,金属层可以是单层结构,也可以是多层结构。在金属层为多层结构的情况下,优选金属层整体的厚度在上述范围内。
在步骤(F-1)中,金属层形成后,在该金属层的表面用湿法镀敷形成布线层70。
可以使用金属层作为镀种层(めっきシード層),采用半添加法通过湿法镀敷形成包含具有所需图案的布线图案的布线层70。详细而言,在镀种层(金属层)上形成对应于所需布线图案使镀种层的一部分露出的掩膜图案。在露出的镀种层上利用电镀形成布线层70后,将掩膜图案除去。然后,可以通过蚀刻等将不要的镀种层除去,形成包含所需布线图案的布线层70。
应予说明,形成布线层70时,可以预先对绝缘层30的表面30a进行粗糙化处理。在此情况下,步骤(F-1)依次包括:
对绝缘层30的表面30a进行粗糙化处理的步骤、
利用干法镀敷在绝缘层30的表面30a形成金属层的步骤、以及
利用湿法镀敷在金属层的表面形成布线层70的步骤。
作为粗糙化处理,例如可列举出干式粗糙化处理、湿式粗糙化处理,也可以将它们组合实施粗糙化处理。
干式粗糙化处理可以采用与上述说明的干式除污处理同样的方式进行。另外,湿式粗糙化处理也可以采用与上述说明的湿式除污处理同样的方式进行。在将干式粗糙化处理与湿式粗糙化处理组合实施的情况下,可以先实施干式粗糙化处理,也可以先实施湿式粗糙化处理。粗糙化处理的目的是使绝缘层30露出的表面30a粗糙化,但对于除去通孔40内部的污迹也起到一定效果。因此,即使在温和条件下实施步骤(D)的情况下,也能够防止污迹的残留。
在适宜的其它实施方式中,步骤(F)依次包括:
对绝缘层30的表面30a进行粗糙化处理的步骤、以及
利用湿法镀敷在绝缘层30的表面30a形成布线层70的步骤(以下称为“步骤(F-2)”)。
粗糙化处理详细如上述说明所示。
在步骤(F-2)中,对绝缘层30的表面30a进行粗糙化处理后,利用湿法镀敷在绝缘层30的表面30a形成布线层70。
例如,可以将化学镀和电镀组合,利用半添加法形成包含具有所需图案的布线图案的布线层70。
从能够进一步降低所得绝缘层30的表面30a的表面粗糙度,更有助于布线的微细化、高密度化方面考虑,作为步骤(F),优选进行步骤(F-1)。
通过以上步骤制造电路板10。应予说明,此处说明了仅形成一层绝缘层30之例,但也可以形成一层以上进一步包含绝缘层和设置在该绝缘层上的布线层的所谓的堆叠层。
<带塑料膜支撑体的树脂片>
对本发明的制造方法中使用的带塑料膜支撑体的树脂片60进行说明。
本发明的制造方法中使用的带塑料膜支撑体的树脂片60包含塑料膜支撑体50、以及与塑料膜支撑体50接合的树脂组合物层30X。以下,对它们进行说明。
(塑料膜支撑体)
作为塑料膜支撑体50的材料,例如可列举出:聚对苯二甲酸乙二醇酯(称为“PET”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(称为“PEN”)等聚酯、聚碳酸酯(称为“PC”)、聚甲基丙烯酸甲酯(称为“PMMA”)等丙烯酸、环状聚烯烃、三乙酰纤维素(称为“TAC”)、聚醚硫化物(称为“PES”)、聚醚酮、聚酰亚胺等。其中,优选PET、PEN、聚酰亚胺,更优选PET、PEN。在适宜的一实施方式中,塑料膜支撑体50为PET膜支撑体或PEN膜支撑体。
制造本发明的电路板10时,优选从塑料膜支撑体50侧的上方照射激光,在绝缘层30上形成小直径通孔40。从通过激光的照射而顺利地形成通孔40的观点出发,优选塑料膜支撑体50能够吸收激光能量。例如,PEN膜支撑体由于具有紫外线(UV)吸收性,因此适宜作为塑料膜支撑体50用于照射UV形成通孔40。
可以通过使塑料膜支撑体50含有激光能量吸收性成分,从而赋予或增强激光能量吸收性。作为激光能量吸收性成分,只要能够吸收用于形成通孔40的激光则没有特别限制,例如可列举出碳粉、金属化合物粉、金属粉和黑色染料等。激光能量吸收性成分可以单独使用一种,也可以组合两种以上使用。
作为碳粉,例如可列举出炉黑、槽法炭黑、乙炔黑、热裂炭黑、粗蒽炭黑等炭黑的粉末、石墨粉末、以及它们的混合物的粉末。作为金属化合物粉,例如可列举出:氧化钛等二氧化钛类、氧化镁等镁氧类、氧化铁等铁氧化物、氧化镍等镍氧化物、二氧化锰、氧化锌等锌氧化物、二氧化硅、氧化铝、稀土类氧化物、氧化钴等钴氧化物、氧化锡等锡氧化物、氧化钨等钨氧化物、碳化硅、碳化钨、氮化硼、氮化硅、氮化钛、氮化铝、硫酸钡、稀土类硫氧化物、以及它们的混合物的粉末。作为金属粉,例如可列举出银、铝、铋、钴、铜、铁、镁、锰、钼、镍、钯、锑、硅、锡、钛、钒、钨、锌、以及它们的合金或混合物的粉末等。作为黑色染料,例如可列举出:偶氮(单偶氮、双偶氮等)染料、偶氮甲碱染料、蒽醌系染料、喹啉染料、酮亚胺(ケトンイミン)染料、荧光酮染料、硝基染料、呫吨染料、二氢苊染料、喹酞酮(キノフタロン)染料、氨基酮染料、次甲基染料、苝染料、香豆素染料、紫环酮(ペリノン)染料、三苯基染料、三芳基甲烷染料、酞菁染料、黑酚(インクロフェノール)染料、吖嗪染料、以及它们的混合物等。黑色染料使分散性提高,因此优选使用可溶于溶剂的黑色染料。其中,作为激光能量吸收性成分,从激光能量转换为热量的转换效率、通用性等观点出发,优选碳粉,特别优选炭黑。应予说明,从有效吸收激光能量的观点出发,激光能量吸收性成分的平均粒径的上限优选为20μm以下,更优选为10μm以下。从分散性的观点出发,该平均粒径的下限优选为0.001μm以上,更优选为0.002μm。此处所称“平均粒径”可以利用粒度分布测定装置通过BET法测定。BET法是指,使吸附占有面积已知的分子在液体氮的温度下吸附于粉体颗粒的表面,从其量求出试样的比表面积的方法。进而,可以从BET法求出的比表面积来计算平均粒径。
以构成塑料膜支撑体50的所有成分为100质量%时,从顺利地形成通孔40的观点出发,激光能量吸收性成分的含量优选为0.01质量%以上,更优选为0.03质量%以上,进一步优选为0.05质量%以上。从获得具有良好挠性的塑料膜支撑体50的观点出发,该含量的上限优选为40质量%以下,更优选为20质量%以下,进一步优选为10质量%以下。应予说明,激光能量吸收性成分可包含于后述脱模层中。
作为塑料膜支撑体50的市售品,例如可列举出:东丽株式会社制的“露米勒(ルミラー)R56”、“露米勒R80”、“露米勒T6AM”(PET膜)、帝人杜邦薄膜株式会社制的“G2LA”(PET膜)、“テオネックスQ83”(PEN膜)、宇部兴产株式会社制的“ユーピレックス-S”(聚酰亚胺膜)、(株)カネカ(Kaneka)制的“アピカルAH”、“アピカルNPI”(聚酰亚胺膜)等。
可以对塑料膜支撑体50的与树脂组合物层30X接合的面实施消光处理、电晕处理。
从在步骤(B)中易于将绝缘层30与塑料膜支撑体50之间的密合强度调整至所需范围方面考虑,作为塑料膜支撑体50,与树脂组合物层30X接合的面具有脱模层的带脱模层的塑料膜支撑体50较为合适。作为可用于脱模层的脱模剂,例如可列举出醇酸树脂、三聚氰胺树脂、烯烃树脂、聚氨酯树脂等非有机硅系脱模剂、以及有机硅系脱模剂。脱模剂可以单独使用一种,也可以组合使用两种以上。其中,从制作带塑料膜支撑体的树脂片60时对树脂清漆表现出高润湿性,使得与树脂组合物层30X的接触状态在整个表面易于均匀化方面考虑,脱模层优选为含有非有机硅系脱模剂的脱模层,更优选为含有醇酸树脂和/或烯烃树脂的脱模层。
脱模剂根据其组成成分的种类等,可以分类为剥离强度低的所谓轻剥离型脱模剂、剥离强度高的所谓重剥离型脱模剂、剥离强度介于轻剥离型脱模剂与重剥离型脱模剂之间的所谓中剥离型脱模剂,从在步骤(B)中易于将密合强度调整至所需范围方面出发,优选为重剥离型脱模剂。虽然也取决于用于形成绝缘层30的树脂组合物层30X的组成、步骤(A)的叠层条件、步骤(B)的热固化条件等,但作为脱模剂,可以使用初期密合强度优选为100(mN/20mm)以上,更优选为300(mN/20mm)以上,进一步优选为500(mN/20mm)以上, 700(mN/20mm)以上、800(mN/20mm)以上、900(mN/20mm)以上或1000(mN/20mm)以上的脱模剂。初期密合强度的上限没有特别限制,从在步骤(E)中顺利地剥离塑料膜支撑体50的观点出发,通常可为8000(mN/20mm)以下,7500(mN/20mm)以下等。初期密合强度可如下求出:用2kg辊将丙烯酸胶粘带(日东电工(株)制“31B”)贴在经脱模剂脱模处理后的面上,放置30分钟后,将丙烯酸胶粘带的一端剥下用夹具夹住,测定在室温、30cm/分钟的速度、剥离角度180°的条件下剥下时的载荷(mN/20mm)。测定可以使用例如(株)TSE制“AC-50C-SL”等拉伸试验机实施。
作为脱模剂的市售品,例如可列举出琳得科(リンテック)株式会社制的“X”(含有机硅的醇酸树脂系脱模剂,490mN/20mm)、“SK-1”(含有机硅的醇酸树脂系脱模剂,1250mN/20mm)、“AL-5”(非有机硅-醇酸树脂系脱模剂,1480mN/20mm)、“6050”(非有机硅-醇酸树脂系脱模剂,2400mN/20mm)、“6051”(非有机硅-醇酸树脂系脱模剂,2800mN/20mm)、“6052”(非有机硅-醇酸树脂系脱模剂,4000mN/20mm)等(括号内表示初期密合强度值)。作为脱模剂的市售品,还可列举出琳得科株式会社制的“AL-7”(非有机硅-醇酸树脂系脱模剂,重剥离型)、藤森工业(株)制的“NSP-4”(非有机硅-醇酸树脂系脱模剂,重剥离型)等。
塑料膜支撑体50的厚度没有特别限制,但优选为10μm~100μm的范围,更优选为15μm~75μm的范围。特别是从容易形成小直径通孔的观点出发,塑料膜支撑体50的厚度进一步优选为20μm~50μm的范围。应予说明,在塑料膜支撑体50为带脱模层的塑料膜支撑体50的情况下,优选带脱模层的塑料膜支撑体50整体的厚度在上述范围内。
(树脂组合物层)
树脂组合物层30X所用的树脂组合物只要其固化物具有充分的硬度和绝缘性,并且得到与塑料膜支撑体50的所需密合强度,则没有特别限制。作为树脂组合物,例如可以使用含有环氧树脂、固化剂和无机填充材料的树脂组合物。树脂组合物层30X所用的树脂组合物可以根据需要进一步含有热塑性树脂、固化促进剂、阻燃剂和有机填充材料等添加剂。以下,对树脂组合物的成分进行说明。
-环氧树脂-
作为环氧树脂,例如可列举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、三酚型环氧树脂、萘酚酚醛清漆(naphthol novolak)型环氧树脂、苯酚酚醛清漆(phenol novolak)型环氧树脂、叔丁基邻苯二酚型环氧树脂、萘型环氧树脂、萘酚型环氧树脂、蒽型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、缩水甘油酯型环氧树脂、甲酚酚醛清漆(cresol
novolak)型环氧树脂、联苯型环氧树脂、线型脂肪族环氧树脂、具有丁二烯结构的环氧树脂、脂环式环氧树脂、杂环式环氧树脂、含螺环的环氧树脂、环己烷二甲醇型环氧树脂、亚萘基醚型环氧树脂、以及三羟甲基型环氧树脂等。例示的环氧树脂可以单独使用一种,也可以组合使用两种以上。
环氧树脂优选含有1分子中有2个以上环氧基的环氧树脂。在以环氧树脂的不挥发成分为100质量%的情况下,优选至少50质量%以上为1分子中有2个以上环氧基的环氧树脂。其中,优选包含:1分子中有2个以上环氧基且20℃温度下为液态的环氧树脂(以下称为“液态环氧树脂”),和1分子中有3个以上环氧基且20℃温度下为固态的环氧树脂(以下称为“固态环氧树脂”)。通过并用液态环氧树脂和固态环氧树脂作为环氧树脂,可获得具有优异挠性的树脂组合物。另外,树脂组合物的固化物的断裂强度也会提高。
作为液态环氧树脂,优选双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、萘型环氧树脂、缩水甘油酯型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、以及具有丁二烯结构的环氧树脂,更优选双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、以及萘型环氧树脂。作为液态环氧树脂的具体例,可列举出DIC(株)制的“HP4032”、“HP4032D”、“HP4032SS”(萘型环氧树脂);三菱化学(株)制的“jER828EL”(双酚A型环氧树脂)、“jER807”(双酚F型环氧树脂)、“jER152”(苯酚酚醛清漆型环氧树脂);新日铁住金化学(株)制的“ZX1059”(双酚A型环氧树脂与双酚F型环氧树脂的混合品);ナガセケムテックス(株)制的“EX-721”(缩水甘油酯型环氧树脂);大赛路(ダイセル)化学工业(株)制的“PB-3600”(具有丁二烯结构的环氧树脂)。这些环氧树脂可以单独使用一种,也可以组合使用两种以上。
作为固态环氧树脂,优选萘型4官能环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、三酚型环氧树脂、萘酚型环氧树脂、联苯型环氧树脂、亚萘基醚型环氧树脂、蒽型环氧树脂,更优选萘型4官能环氧树脂、萘酚型环氧树脂、以及联苯型环氧树脂。作为固态环氧树脂的具体例,可列举出DIC(株)制的“HP4032H”、“HP-4700”、“HP-4710”(萘型4官能环氧树脂)、“N-690”(甲酚酚醛清漆型环氧树脂)、“N-695”(甲酚酚醛清漆型环氧树脂)、“HP-7200”(双环戊二烯型环氧树脂)、“EXA7311”、“EXA7311-G3”、“EXA7311-G4”、“EXA7311-G4S”、“HP6000”(亚萘基醚型环氧树脂);日本化药(株)制的“EPPN-502H”(三酚型环氧树脂)、“NC7000L”(萘酚酚醛清漆型环氧树脂)、“NC3000H”、“NC3000”、“NC3000L”、“NC3100”(联苯型环氧树脂);新日铁住金化学(株)制的“ESN475V”(萘酚型环氧树脂)、“ESN485V”(萘酚酚醛清漆型环氧树脂);三菱化学(株)制的“YX4000H”、“YL6121”(联苯型环氧树脂)、“YX4000HK”(联二甲酚型环氧树脂)、“YX8800”(蒽型环氧树脂);大阪燃气化学株式会社(大阪ガスケミカル(株))制的“PG-100”、“CG-500”;三菱化学(株)制的“YL7800”(芴型环氧树脂)等。
并用液态环氧树脂和固态环氧树脂作为环氧树脂的情况下,二者的量比(液态环氧树脂:固态环氧树脂)以质量比计优选为1:0.1~1:6的范围。通过使液态环氧树脂与固态环氧树脂的量比在该范围内,能够获得i)以带塑料膜支撑体的树脂片的形态使用时具有适度的粘着性、ii)以带塑料膜支撑体的树脂片的形态使用时得到充分的挠性且操作性提高、以及iii)可得到具有充分断裂强度的固化物等效果。从上述i)~iii)的效果的观点出发,液态环氧树脂与固态环氧树脂的量比(液态环氧树脂:固态环氧树脂)以质量比计更优选为1:0.3~1:5的范围,进一步优选为1:0.6~1:4.5的范围。
树脂组合物中环氧树脂的含量优选为3质量%~40质量%,更优选为5质量%~35质量%,进一步优选为10质量%~30质量%。
本说明书中,只要无特别说明,树脂组合物中各成分的含量为将树脂组合物中的不挥发成分设为100质量%时的值。
环氧树脂的重均分子量优选为100~5000,更优选为250~3000,进一步优选为400~1500。此处,环氧树脂的重均分子量是由凝胶渗透色谱(GPC)法测定的聚苯乙烯换算的重均分子量。
环氧树脂的环氧当量优选为50~3000,更优选为80~2000,进一步优选为110~1000。通过使环氧树脂的环氧当量在此范围内,能够得到固化物的交联密度充分、表面粗糙度小的绝缘层。应予说明,环氧当量可按照JIS K7236中规定的方法测定,是含有1当量环氧基的树脂的质量。
-固化剂-
作为固化剂,只要具有使环氧树脂固化的功能则没有特别限制,例如可列举出苯酚(phenol)系固化剂、萘酚系固化剂、活性酯系固化剂、苯并噁嗪系固化剂、氰酸酯系固化剂和碳二亚胺系固化剂等。固化剂可以单独使用一种,也可以组合使用两种以上。
作为苯酚系固化剂和萘酚系固化剂,从耐热性和耐水性的观点出发,优选具有酚醛清漆结构的苯酚系固化剂、或者具有酚醛清漆结构的萘酚系固化剂。另外,从与导体层的密合强度的观点出发,优选含氮苯酚系固化剂或含氮萘酚系固化剂,更优选含三嗪骨架的苯酚系固化剂或含三嗪骨架的萘酚系固化剂。其中,从高度满足耐热性、耐水性、以及与导体层的密合强度的观点出发,优选含三嗪骨架的苯酚酚醛清漆树脂。这些固化剂可以单独使用一种,也可以组合使用两种以上。
作为苯酚系固化剂和萘酚系固化剂的具体例,例如可列举出明和化成(株)制的“MEH-7700”、“MEH-7810”、“MEH-7851”;日本化药(株)制的“NHN”、“CBN”、“GPH”;东都化成(株)制的“SN-170”、“SN-180”、“SN-190”、“SN-475”、“SN-485”、“SN-495”、“SN-375”、“SN-395”;DIC(株)制的“LA-7052”、“LA-7054”、“LA-3018”、“LA-1356”等。
从提高与导体层24的密合强度的观点出发,还优选活性酯系固化剂。作为活性酯系固化剂没有特别限制,通常优选使用酚酯类、苯硫酚酯类、N-羟基胺酯类、杂环羟基化合物的酯类等1分子中含有2个以上反应活性高的酯基的化合物。该活性酯系固化剂优选由羧酸化合物和/或硫代羧酸化合物与羟基化合物和/或硫醇化合物的缩合反应所得的固化剂。特别是从耐热性提高的观点出发,优选由羧酸化合物与羟基化合物所得的活性酯系固化剂,更优选由羧酸化合物与苯酚化合物和/或萘酚化合物所得的活性酯系固化剂。作为羧酸化合物,例如可列举出苯甲酸、乙酸、琥珀酸、马来酸、衣康酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、苯均四酸等。作为苯酚化合物或萘酚化合物,例如可例举出氢醌、间苯二酚、双酚A、双酚F、双酚S、酚酞啉、甲基化双酚A、甲基化双酚F、甲基化双酚S、苯酚、邻甲酚、间甲酚、对甲酚、邻苯二酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羟基萘、1,6-二羟基萘、2,6-二羟基萘、二羟基二苯甲酮、三羟基二苯甲酮、四羟基二苯甲酮、间苯三酚、苯三酚、双环戊二烯型联苯酚化合物、苯酚酚醛清漆等。此处,“双环戊二烯型联苯酚化合物”是指,1分子双环戊二烯中缩合2分子苯酚所得的联苯酚化合物。
作为活性酯系固化剂,优选含有双环戊二烯型联苯酚结构的活性酯化合物、含有萘结构的活性酯化合物、含有苯酚酚醛清漆的乙酰化物的活性酯化合物、含有苯酚酚醛清漆的苯甲酰化物的活性酯化合物,其中更优选含有萘结构的活性酯化合物、含有双环戊二烯型联苯酚结构的活性酯化合物。这些活性酯化合物可以单独使用一种,也可以组合使用两种以上。应予说明,“双环戊二烯型联苯酚结构”表示,由亚苯基-二环戊搭烯(dicyclopentalene)-亚苯基形成的2价的结构单元。
作为活性酯系固化剂的市售品,含有双环戊二烯型联苯酚结构的活性酯化合物可列举出“EXB9451”、“EXB9460”、“EXB9460S”、“HPC8000-65T”(DIC(株)制),含有萘结构的活性酯化合物可列举出“EXB9416-70BK”(DIC(株)制),含有苯酚酚醛清漆的乙酰化物的活性酯化合物可列举出“DC808”(三菱化学(株)制),含有苯酚酚醛清漆的苯甲酰化物的活性酯化合物可列举出“YLH1026”(三菱化学(株)制)等。
作为苯并噁嗪系固化剂的具体例,可列举出昭和高分子(株)制的“HFB2006M”、四国化成工业(株)制的“P-d”、“F-a”。
作为氰酸酯系固化剂没有特别限制,例如可例举出酚醛清漆型(苯酚酚醛清漆型、烷基苯酚酚醛清漆型等)氰酸酯系固化剂、双环戊二烯型氰酸酯系固化剂、双酚型(双酚A型、双酚F型、双酚S型等)氰酸酯系固化剂、以及这些固化剂的一部分三嗪化而成的预聚物等。作为具体例,可例举出双酚A二氰酸酯(BADCy,也称为2,2-双(4-氰酸酯苯基)丙烷)、多酚氰酸酯(低聚(3-亚甲基-1,5-亚苯基氰酸酯))、4,4’-亚甲基双(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4’-亚乙基二苯基二氰酸酯、六氟双酚A二氰酸酯、1,1-双(4-氰酸酯苯基)甲烷、双(4-氰酸酯基-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-双(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亚乙基))苯、双(4-氰酸酯苯基)硫醚、以及双(4-氰酸酯苯基)醚等双官能氰酸酯树脂、由苯酚酚醛清漆和甲酚酚醛清漆等衍生出的多官能氰酸酯树脂、这些氰酸酯树脂的一部分三嗪化而成的预聚物等。作为氰酸酯系固化剂的市售品,可列举出ロンザ公司制的“PT30”和“PT60”(均为苯酚酚醛清漆型多官能氰酸酯树脂)、“BA230”(双酚A二氰酸酯的一部分或全部三嗪化形成三量体的预聚物)、“Primaset(注册商标)BADCy”等。
作为碳二亚胺系固化剂的具体例,可列举出日清纺化学(日清紡ケミカル)(株)制的“V-03”、“V-07”等。
从提高所得绝缘层的机械强度和耐水性的观点出发,环氧树脂与固化剂的量比以[环氧树脂的环氧基的总数]:[固化剂的反应基团的总数]的比率计,优选为1:0.2~1:2的范围,更优选为1:0.3~1:1.5的范围,进一步优选为1:0.4~1:1的范围。此处,固化剂的反应基团是活性羟基、活性酯基等,根据固化剂的种类而不同。另外,环氧树脂的环氧基的总数是指,所有环氧树脂中各环氧树脂的不挥发成分的质量除以环氧当量所得的值之和,固化剂的反应基团的总数是指,所有固化剂中各固化剂的不挥发成分的质量除以反应基团当量所得的值之和。
-无机填充材料-
无机填充材料的材料没有特别限制,例如可列举出二氧化硅、氧化铝、玻璃、堇青石、硅氧化物、硫酸钡、碳酸钡、滑石、粘土、云母粉、氧化锌、水滑石、勃姆石、氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、氧化镁、氮化硼、氮化铝、氮化锰、硼酸铝、碳酸锶、氧化锆、钛酸钡、锆钛酸钡(barium
titanate zirconate)、钛酸锶、钛酸钙、钛酸镁、钛酸铋、氧化钛、锆酸钡、锆酸钙、磷酸锆、以及磷钨酸锆(zirconium
phosphate tungstate)等。其中,无定形二氧化硅、熔融二氧化硅、结晶二氧化硅、合成二氧化硅、中空二氧化硅等二氧化硅特别适合。另外,作为二氧化硅,优选球形二氧化硅。无机填充材料可以单独使用一种,也可以组合使用两种以上。作为市售的球形熔融二氧化硅,可列举出(株)アドマテックス制“SO-C3”、“SO-C2”、“SO-C1”、“YA100C”、“YA050C”、“YA010C”等。
从获得可在其上形成微细的布线图案的绝缘层的观点出发,无机填充材料的平均粒径优选为3μm以下,更优选为1μm以下,进一步优选为0.7μm以下,进一步更优选为0.5μm以下、0.4μm以下、或0.3μm以下。从使用树脂组合物形成树脂清漆时得到具有适度的粘度且操作性良好的树脂清漆的观点出发,无机填充材料的平均粒径的下限优选为0.01μm以上,更优选为0.03μm以上,进一步优选为0.05μm以上,进一步更优选为0.07μm以上,特别优选为0.1μm以上。无机填充材料的平均粒径可通过基于米氏(Mie)散射理论的激光衍射-散射法来测定。具体而言,可以通过利用激光衍射式粒度分布测定装置,按体积基准制作无机填充材料的粒度分布,以其中值粒径作为平均粒径进行测定。作为测定样品,可优选使用将无机填充材料用超声分散在水中所得的样品。作为激光衍射式粒度分布测定装置,可以使用(株)堀场制作所制“LA-500”、“LA-750”、“LA-950”等。
作为本实施方式的制造方法中所用的无机填充材料,优选使用通过分级将粗大颗粒除去后的无机填充材料。一实施方式中,优选使用通过分级将粒径10μm以上的颗粒除去后的无机填充材料,更优选使用通过分级将粒径5μm以上的颗粒除去后的无机填充材料,进一步优选使用通过分级将粒径3μm以上的颗粒除去后的无机填充材料。
无机填充材料的平均粒径优选为0.01μm~3μm,更优选为0.01μm~0.4μm。
从提高分散性、耐湿性的观点出发,无机填充材料优选用表面处理剂进行表面处理。作为表面处理剂,例如可列举出氨基硅烷系偶联剂、环氧硅烷系偶联剂、巯基硅烷系偶联剂、硅烷系偶联剂、有机硅氮烷化合物、钛酸酯系偶联剂。表面处理剂可以单独使用一种、也可以组合使用两种以上。作为表面处理剂的市售品,例如可列举出信越化学工业(株)制“KBM403”(3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷)、信越化学工业(株)制“KBM803”(3-巯基丙基三甲氧基硅烷)、信越化学工业(株)制“KBE903”(3-氨基丙基三乙氧基硅烷)、信越化学工业(株)制“KBM573”(N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷)、信越化学工业(株)制“SZ-31”(六甲基二硅氮烷)等。
无机填充材料的表面处理后,结合在无机填充材料表面的每单位表面积的碳量优选为0.05mg/m2以上,更优选为0.08mg/m2以上,进一步优选为0.11mg/m2以上,进一步更优选为0.14mg/m2以上,特别优选为0.17mg/m2以上、0.20mg/m2以上、0.23mg/m2以上、或0.26mg/m2以上。碳量的上限优选为1.00mg/m2以下,更优选为0.75mg/m2以下,进一步优选为0.70mg/m2以下,进一步更优选为0.65mg/m2以下、0.60mg/m2以下、0.55mg/m2以下、0.50mg/m2以下。
结合在无机填充材料表面的每单位面积的碳量可由以下步骤计算。在表面处理后的无机填充材料中加入足量的甲基乙基酮(MEK)作为溶剂,超声清洗。除去上清液,将所得的不挥发成分干燥后,用碳分析计测定结合在无机填充材料表面的碳量。所得的碳量除以无机填充材料的比表面积,计算出结合在无机填充材料上的每单位表面积的碳量。作为碳分析计,例如可列举出(株)堀场制作所制“EMIA-320V”等。
从降低绝缘层30的热膨胀系数,防止因绝缘层30与导体层24的热膨胀差异造成的裂纹或电路变形的发生的观点出发,将树脂组合物层中的不挥发成分设为100质量%时,树脂组合物中无机填充材料的含量优选为40质量%以上,更优选为50质量%以上,进一步优选为60质量%以上。在使用无机填充材料含量高的树脂组合物形成绝缘层30的情况下,有时绝缘层30与导体层24的密合强度会降低,但根据本发明的电路板的制造方法,即使在使用无机填充材料含量高的树脂组合物的情况下,也能实现绝缘层30与导体层24的充分密合强度。在本发明的电路板的制造方法中,能够进一步提高树脂组合物中无机填充材料的含量而不会使绝缘层30与导体层24的密合强度降低。例如,树脂组合物中无机填充材料的含量可高达62质量%以上、64质量%以上、66质量%以上、68质量%以上、或70质量%以上。
从绝缘层30的机械强度的观点出发,将树脂组合物层中的不挥发成分设为100质量%时,无机填充材料的含量的上限优选为95质量%以下,更优选为90质量%以下,进一步优选为85质量%以下。
在一实施方式中,树脂组合物层30X所用的树脂组合物含有上述环氧树脂、固化剂和无机填充材料。其中,树脂组合物优选含有液态环氧树脂和固态环氧树脂的混合物(液态环氧树脂:固态环氧树脂的质量比优选为1:0.1~1:6、更优选为1:0.3~1:5、进一步优选为1:0.6~1:4.5)作为环氧树脂,含有选自苯酚系固化剂、萘酚系固化剂、活性酯系固化剂和氰酸酯系固化剂中的一种以上作为固化剂,含有二氧化硅作为无机填充材料。关于含有该特定成分的组合的树脂组合物层30X,环氧树脂、固化剂、以及无机填充材料的适宜含量如上所述,其中,优选环氧树脂的含量为5质量%~35质量%、无机填充材料的含量为40质量%~95质量%,更优选环氧树脂的含量为10质量%~30质量%、无机填充材料的含量为50质量%~90质量%。关于固化剂的含量,优选固化剂的含量使环氧树脂的环氧基的总数与固化剂的反应基团的总数之比为1:0.2~1:2,更优选为1:0.3~1:1.5,进一步优选为1:0.4~1:1。
用于形成树脂组合物层30X的树脂组合物可以根据需要进一步含有热塑性树脂、固化促进剂、阻燃剂和有机填充材料等。以下,对这些成分进行说明。
-热塑性树脂-
作为热塑性树脂,例如可列举出苯氧树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、聚烯烃树脂、聚丁二烯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚砜树脂、聚醚砜树脂、聚苯醚树脂、聚碳酸酯树脂、聚醚醚酮树脂、聚酯树脂。热塑性树脂可以单独使用一种,或者也可以组合使用两种以上。
热塑性树脂的聚苯乙烯换算的重均分子量优选为8000~70000的范围,更优选为10000~60000的范围,进一步优选为20000~60000的范围。热塑性树脂的聚苯乙烯换算的重均分子量采用凝胶渗透色谱(GPC)法测定。具体而言,热塑性树脂的聚苯乙烯换算的重均分子量可以采用以下方式计算:使用岛津制作所(株)制LC-9A/RID-6A作为测定装置,使用昭和电工(株)制Shodex K-800P/K-804L/K-804L作为色谱柱,使用氯仿等作为流动相,柱温40℃下进行测定,利用标准聚苯乙烯的标准曲线进行计算。
作为苯氧树脂,例如可列举出具有选自双酚A骨架、双酚F骨架、双酚S骨架、双酚乙酰苯骨架、酚醛清漆骨架、联苯骨架、芴骨架、双环戊二烯骨架、降冰片烯骨架、萘骨架、蒽骨架、金刚烷骨架、萜烯骨架、以及三甲基环己烷骨架中一种以上的骨架的苯氧树脂。苯氧树脂的末端可以是酚羟基、环氧基等任意官能团。苯氧树脂可以单独使用一种,也可以组合使用两种以上。作为苯氧树脂的具体例,可列举出三菱化学(株)制的“1256”和“4250”(均为含双酚A骨架的苯氧树脂)、“YX8100”(含双酚S骨架的苯氧树脂)、以及“YX6954”(含双酚乙酰苯骨架的苯氧树脂),此外还可列举出东都化成(株)制的“FX280”和“FX293”;三菱化学(株)制的“YX7553”、“YX7553BH30”、“YL6794”、“YL7213”、“YL7290”和“YL7482”等。
作为聚乙烯醇缩醛树脂的具体例,可列举出电气化学工业(株)制的电化ブチラール4000-2、5000-A、6000-C、6000-EP;积水化学工业(株)制的エスレックBH系列、BX系列、KS系列、BL系列、BM系列等。
作为聚酰亚胺树脂的具体例,可列举出新日本理化(株)制的“リカコートSN20”和“リカコートPN20”。作为聚酰亚胺树脂的具体例,还可列举出双官能性羟基末端聚丁二烯、二异氰酸酯化合物与四元酸酐反应所得的线型聚酰亚胺(例如日本特开2006-37083号公报记载的线型聚酰亚胺)、含有聚硅氧烷骨架的聚酰亚胺(日本特开2002-12667号公报和日本特开2000-319386号公报等记载的含有聚硅氧烷骨架的聚酰亚胺)等改性聚酰亚胺。
作为聚酰胺-酰亚胺树脂的具体例,可列举出东洋纺织(株)制的“バイロマックスHR11NN”和“バイロマックスHR16NN”。作为聚酰胺-酰亚胺树脂的具体例,还可列举出日立化成工业(株)制的含有聚硅氧烷骨架的聚酰胺-酰亚胺“KS9100”、“KS9300”等改性聚酰胺-酰亚胺。
作为聚醚砜树脂的具体例,可列举出住友化学(株)制的“PES5003P”等。
作为聚砜树脂的具体例,可列举出ソルベイアドバンストポリマーズ(株)制的聚砜“P1700”、“P3500”等。
树脂组合物中热塑性树脂的含量优选为0.1质量%~20质量%,更优选为0.5质量%~10质量%,进一步优选为1质量%~5质量%。
-固化促进剂-
作为固化促进剂,例如可列举出磷系固化促进剂、胺系固化促进剂、咪唑系固化促进剂、胍系固化促进剂等,优选磷系固化促进剂、胺系固化促进剂、咪唑系固化促进剂。固化促进剂可以单独使用一种,也可以组合使用两种以上。将环氧树脂与固化剂的不挥发成分之和设为100质量%时,固化促进剂的含量优选在0.05质量%~3质量%的范围内使用。作为固化促进剂,例如可列举出4-二甲基氨基吡啶(DMAP)、乙酰丙酮钴(III)(Co(III)-1M)(东京化成(株))。
-阻燃剂-
作为阻燃剂,例如可列举出有机磷系阻燃剂、有机系含氮磷化合物、氮化合物、有机硅系阻燃剂、金属氢氧化物等。阻燃剂可以单独使用一种,或者也可以组合使用两种以上。树脂组合物中阻燃剂的含量没有特别限制,但优选为0.5质量%~10质量%,更优选为1质量%~9质量%。作为阻燃剂,例如可列举出HCA-HQ(三光(株)制)。
-有机填充材料-
作为有机填充材料,可以使用能在形成电路板的绝缘层时使用的任意有机填充材料,例如可列举出橡胶颗粒、聚酰胺微粒、有机硅颗粒等,优选橡胶颗粒。
作为橡胶颗粒,只要是对表现出橡胶弹性的树脂实施化学交联处理,在有机溶剂中不溶解且不熔化的树脂的微粒体,则没有特别限制,例如可列举出丙烯腈丁二烯橡胶颗粒、丁二烯橡胶颗粒、丙烯酸橡胶颗粒等。作为橡胶颗粒,具体可列举出XER-91(日本合成橡胶(株)制)、スタフィロイドAC3355、AC3816、AC3816N、AC3832、AC4030、AC3364、IM101(以上为アイカ工业(株)制)、パラロイドEXL2655、EXL2602(以上为吴羽化学工业(株)制)等。
有机填充材料的平均粒径优选为0.005μm~1μm的范围,更优选为0.2μm~0.6μm的范围。橡胶颗粒的平均粒径可采用动态光散射法测定。例如可通过以下方式测定:利用超声等将橡胶颗粒均匀分散在适当的有机溶剂中,使用高浓度粒径分析仪(大塚电子(株)制“FPAR-1000”),以质量基准制成橡胶颗粒的粒度分布,将其中值粒径作为平均粒径。树脂组合物中橡胶颗粒的含量优选为1质量%~10质量%,更优选为2质量%~5质量%。
-其它成分-
用于树脂组合物层的树脂组合物可以根据需要含有其它成分。作为其它成分,例如可列举出有机铜化合物、有机锌化合物和有机钴化合物等有机金属化合物、以及增稠剂、消泡剂、流平剂、密合性赋予剂、着色剂和固化性树脂等树脂添加剂等。
带塑料膜支撑体的树脂片60中,树脂组合物层30X可为由2层以上的层组成的多层结构。在多层结构的树脂组合物层30X的情况下,优选其整体厚度在上述范围内。
带塑料膜支撑体的树脂片60可通过以与塑料膜支撑体50接合的方式形成树脂组合物层30X来制造。
树脂组合物层30X可采用以往公知的任意合适的方法形成于塑料膜支撑体50上。例如,可以制备将树脂组合物溶解于溶剂中而成的树脂清漆,利用金属型涂布机(die coater)等涂布装置将该树脂清漆涂布在塑料膜支撑体50的表面,使涂布膜干燥形成树脂组合物层30X。
作为用于制备树脂清漆的溶剂,例如可列举出丙酮、甲基乙基酮和环己酮等酮系溶剂;乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸溶纤剂、丙二醇单甲醚乙酸酯和卡必醇乙酸酯等乙酸酯系溶剂;溶纤剂和丁基卡必醇等卡必醇系溶剂;甲苯和二甲苯等芳香烃系溶剂;二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺和N-甲基吡咯烷酮等酰胺系溶剂等。溶剂可以单独使用一种,也可以组合使用两种以上。
涂布膜的干燥可通过加热、吹热风等公知的干燥方法实施。如果树脂组合物层30X中残留很多溶剂,则会导致固化后发生膨胀,因此通常干燥至树脂组合物中的残留溶剂量为10质量%以下,优选为5质量%以下。虽然也取决于树脂清漆中有机溶剂的沸点,但例如在使用含有30质量%~60质量%溶剂的树脂清漆的情况下,可通过在50℃~150℃下干燥3分钟~10分钟,形成树脂组合物层30X。
带塑料膜支撑体的树脂片60中,可以在树脂组合物层30X的未与塑料膜支撑体50接合的面(即与塑料膜支撑体50相反侧的面)进一步叠层以塑料膜支撑体50为基准的保护膜。保护膜的厚度没有特别限制,例如可为1μm~40μm。通过叠层保护膜,能够防止灰尘等附着在树脂组合物层30X表面或树脂组合物层30X表面的损伤。带塑料膜支撑体的树脂片60可卷成卷状保存,在制造电路板10时,将保护膜剥去即可使用。
[半导体装置]
使用由本发明的制造方法制造的电路板10,通过将例如具有所需功能的半导体芯片搭载在该电路板10上,能够制造具备电路板10的半导体装置。
作为该半导体装置之例,可列举出供于电气制品(例如计算机、手机、数码相机和电视机等)和交通工具(例如摩托车、汽车、电车、船舶和航空器等)等的各种半导体装置。
[实施例]
通过实施例对本发明进行更具体的说明,但本发明并不限于这些实施例。应予说明,以下,只要没有另外说明,“份”和“%”分别是指“质量份”和“质量%”。
以下,对实施例1~3和比较例1~4进行说明。
[样品的制作和评价]
(1)布线基板的基底处理
准备对两面形成有直径150μm的圆形导体图案(布线图案)的玻璃布基材环氧树脂叠层板(铜箔厚度18μm、基板厚度0.3mm、尺寸510mm×340mm、使用松下电器(Panasonic)株式会社制“R5715ES”形成了导体图案(残铜率约70%)的布线基板)的两面进行处理(i)用MEC株式会社制“CZ8100”蚀刻除去厚度约0.6μm进行导体图案表面的粗糙化处理所得的样品(i)、以及代替处理(i)而进行处理(ii)对导体图案的表面进行MEC株式会社制“フラットボンド”处理所得的样品(ii)。
(导体层的表面的算术平均粗糙度(Ra值)的测定)
使用非接触型表面粗糙度计(维易科精密仪器有限公司(ビーコインスツルメンツ社)制WYKO NT3300),求出以VSI接触模式、用50倍透镜、测定范围为121μm×92μm所得的数值作为Ra值。应予说明,Ra值为通过求出样品(i)和样品(ii)各10点的测定值的平均值所得的值。用CZ8100处理的样品(i)的Ra值为270nm,进行“フラットボンド”处理后的样品(ii)Ra值为160nm。由此,在本实施例中,Ra值与以往处理(厚度1μm~2μm左右的蚀刻)所得的Ra值(500nm~700nm)相比更小。
(2)带塑料膜支撑体的树脂片的叠层步骤
将如下列制作例所示制成的带塑料膜支撑体的树脂片(带塑料膜支撑体的预浸料)(尺寸504mm×334mm)的保护膜剥离,使用间歇式真空加压层压机(ニチゴー・モートン(株)制,2阶段堆叠层压机(2 stage build
up laminater),CVP700),使树脂组合物层与经上述(1)处理后的布线基板相接,对布线基板的两面进行叠层。该叠层步骤通过将气压30秒减压至13hPa以下后,在温度110℃、压力0.74MPa的条件下压接30秒来实施。接着,在温度110℃、压力0.5MPa的条件下进行60秒热压步骤。
在带塑料膜支撑体的树脂片为带塑料膜支撑体的预浸料的情况下,在布线基板的两面接合带塑料膜支撑体的预浸料后,将气压30秒减压至13hPa以下,在温度120℃、压力0.74MPa的条件下压接60秒来实施叠层步骤。接着,在温度120℃、压力0.5MPa的条件下进行90秒热压步骤。
(导体层与绝缘层的密合强度(剥离强度)的测定和评价)
通过下列(a)~(c)的处理来测定剥离强度。
(a)铜箔的基底处理
准备对三井金属矿山(株)制3EC-III(电解铜箔、厚度35μm)的光泽面侧进行处理(i)用MEC株式会社制“CZ8100”蚀刻除去厚度0.6μm进行铜箔表面的粗糙化处理所得的样品(i)、以及代替上述处理(i)而进行处理(ii)通过MEC株式会社制“フラットボンド”处理来进行铜箔表面处理所得的样品(ii)。铜箔表面的粗糙度,经CZ8100处理后的样品(i)Ra值为270(nm),进行“フラットボンド”处理后的样品(ii)Ra值为160(nm)。
(b)铜箔的层压和绝缘层的形成
从上述(2)中层压后的带塑料膜支撑体的树脂片(带塑料膜支撑体的预浸料)剥离塑料膜支撑体(PET膜),使经上述(a)处理后的铜箔的光泽面侧朝向树脂组合物层侧,在与上述(2)的叠层步骤相同的条件下,将铜箔层压在形成于布线基板两面的树脂组合物层上。120℃下加热处理30分钟,然后175℃下加热处理30分钟,通过将树脂组合物层热固化而作为绝缘层得到评价用样品(电路板)。将所得的电路板称为“评价基板A”。另外,将层压后的铜箔称为导体层。
(c)导体层的扯离强度(剥离强度)的测定
将上述(b)所得的评价基板A切成150mm×30mm的小片。在小片的铜箔部分切出宽度10mm、长度100mm的条状切口,将铜箔中条状切口的一端剥下用夹具(株式会社TSE、オートコム型试验机AC-50C-SL)夹住,使用INSTRON万能试验机,室温下以50mm/分钟的速度测定沿与评价基板A的表面垂直的方向剥离35mm时的载荷,将测定值作为剥离强度。
测定的剥离强度为0.15kgf/cm以上的样品评价为“○”,小于0.15kgf/cm的样品评价为“×”。
在上述(2)的带塑料膜支撑体的树脂片的叠层步骤后,接着通过实施下列(3)~(7)得到评价基板B和评价基板C。
(3)树脂组合物层的固化
将叠层有带塑料膜支撑体的树脂片的布线基板在120℃下加热30分钟,然后在175℃下加热30分钟、或者在165℃下加热30分钟(比较例1和2),使树脂组合物层热固化成为绝缘层。
(4)通孔的形成
从塑料膜支撑体侧的上方照射激光,在位于内侧的直径150μm的圆形导体图案的正上方的绝缘层上形成小直径的通孔。
通孔的形成步骤按下列(A)~(D)所示改变条件来进行。此处说明与实施例1~3及比较例1~4的对应关系。
实施例1、比较例1和比较例3按照下列(A)的步骤、实施例2和实施例4按照下列(B)的步骤、实施例3和比较例4按照下列(C)的步骤、比较例2按照下列(D)的步骤,在各自的绝缘层形成小直径通孔。
(A)使用三菱电机(株)制CO2激光加工机“605GTWIII(-P)”,从塑料膜支撑体侧的上方照射激光,在绝缘层形成顶部直径(直径)为30μm或31μm的通孔。激光照射条件:掩膜直径为1mm、脉宽为16μs、能量为0.20mJ/SHOT、发射数为2、以脉冲模式(10kHz)进行。
(B)使用三菱电机(株)制CO2激光加工机“605GTWIII(-P)”,从塑料膜支撑体侧的上方照射激光,在绝缘层形成顶部直径(直径)为25μm的通孔。激光照射条件:掩膜直径为0.9mm、脉宽为16μs、能量为0.18mJ/SHOT、发射数为2、以脉冲模式(10kHz)进行。
(C)使用维亚机械(株)制CO2激光加工机“LC-2k212/2C”,从塑料膜支撑体侧的上方照射激光,在绝缘层形成顶部直径(直径)为40μm或41μm的通孔。激光照射条件:掩膜直径为2.5mm、脉宽为4μs、功率为0.7W、发射数为3、以循环模式(2kHz)进行。
(D)使用三菱电机(株)制CO2激光加工机“605GTWIII(-P)”,从塑料膜支撑体侧的上方照射激光,在绝缘层形成顶部直径(直径)为29μm的通孔。激光照射条件:掩膜直径为0.9mm、脉宽为16μs、能量为0.36mJ/SHOT、发射数为2、以脉冲模式(10kHz)进行。
实施例1、实施例2、实施例4和比较例1~3中形成的通孔的深度d为15μm,实施例3和比较例4中形成的通孔的深度d为23μm。
(5)除污处理
形成通孔后,将塑料膜支撑体剥离,对设置有通孔的电路板进行除污处理。应予说明,作为除污处理,实施下列湿式除污处理。
湿式除污处理:
将设置有通孔的电路板在膨润液(アトテックジャパン(株)制“スウェリングディップ・セキュリガンスP”,二乙二醇单丁醚和氢氧化钠的水溶液)中于60℃下浸渍10分钟,接着在氧化剂溶液(アトテックジャパン(株)制“コンセントレート・コンパクトCP”,高锰酸钾浓度约6%、氢氧化钠浓度约4%的水溶液)中于80℃下浸渍20分钟,最后在中和液(アトテックジャパン(株)制“リダクションソリューション・セキュリガンスP”,硫酸水溶液)中于40℃下浸渍5分钟,然后在80℃下干燥15分钟。所得的基板称为“评价基板B”。
(6)通孔形状的确认
对上述(5)所得的评价基板B,用扫描电子显微镜(精工纳米科技株式会社制SMI3050SE
FIB-SEM复合装置)从表面观察通孔的开口部,然后用聚焦离子束加工观察装置(FIB)削出中央部剖面,从所得图像测定通孔的顶部直径(Z)、通孔的最小直径(Y)、通孔的底部直径(X)、以及从通孔底部到最小直径(Y)的距离,分别求出10个通孔的平均值。
(7)导体层的形成
为了在评价基板B的表面形成导体层,进行包括下列1~7的步骤在内的镀敷步骤(使用アトテックジャパン(株)制的化学试剂的镀铜步骤)形成导体层。
1.碱洗(设置有通孔的绝缘层表面的洗涤和电荷调整)
使用商品名:Cleaning Cleaner Securiganth 902(商品名)在60℃下洗涤5分钟。
2.微蚀(soft etching)(通孔内的洗涤)
使用硫酸酸性过氧二硫酸钠水溶液,30℃下处理1分钟。
3.预浸(为Pd赋予而进行的绝缘层表面的电荷调整)
使用Pre. Dip Neoganth B(商品名),室温下处理1分钟。
4.活化剂赋予(对绝缘层的表面赋予Pd)
使用Activator Neoganth 834(商品名),35℃下处理5分钟。
5.还原(将赋予绝缘层的Pd还原)
使用Reducer Neoganth WA(商品名)和Reducer
Acceralator 810 mod.(商品名)的混合液,30℃下处理5分钟。
6.化学镀铜步骤(在绝缘层的表面(Pd表面)析出Cu)
使用Basic Solution Printganth MSK-DK(商品名)、Copper solution
Printganth MSK(商品名)、Stabilizer Printganth MSK-DK(商品名)和Reducer Cu(商品名)的混合液,35℃下处理20分钟。形成的化学镀铜层的厚度为1μm。
7.电解镀铜步骤
接着,使用アトテックジャパン(株)制的化学试剂,在通孔内填充有铜的条件下进行电解镀铜步骤。然后,作为用于由蚀刻进行的图案化的抗蚀图案,形成与通孔对应的直径80μm的焊盘图案(land pattern),利用该焊盘图案在绝缘层的表面以15μm的厚度形成具有导体图案的导体层。接着,在190℃下进行60分钟退火处理得到电路板。所得的电路板称为“评价基板C”。
<热循环测试>
使用爱斯佩克(Espec)株式会社制小型冷热冲击装置“TSE-11”,以连续进行-55℃、30分钟处理a以及120℃、30分钟处理b的处理为1循环,对上述(7)所得的评价基板C进行1000循环的热循环测试(TCB)。然后,利用扫描电子显微镜(精工纳米科技(SII NanoTechnology)株式会社制SMI3050SE
FIB-SEM复合装置)从表面观察由通过上述镀敷步骤填充于通孔内的铜构成的填充通孔,然后用FIB削出中央部剖面,对10个位置的填充通孔观察绝缘层和导体层的裂纹、以及导体层中的空隙,按照下列评价基准进行评价。
评价基准:
○:所有填充通孔均未确认到裂纹或空隙;
×:一个以上填充通孔确认有裂纹或空隙。
<制备例1>树脂清漆1的制备
将双酚型环氧树脂(环氧当量约165,新日铁住金化学(株)制“ZX1059”,双酚A型和双酚F型的1:1混合品)6份、联二甲酚型环氧树脂(环氧当量约185,三菱化学(株)制“YX4000HK”)10份、联苯型环氧树脂(环氧当量约290,日本化药(株)制“NC3000H”)10份、以及苯氧树脂(三菱化学(株)制“YX7553BH30”,不挥发成分30质量%的甲基乙基酮(MEK)溶液)10份边搅拌边加热溶解在溶剂油20份中。冷却至室温后,向其中混合含三嗪骨架的苯酚酚醛清漆系固化剂(羟基当量146,DIC(株)制“LA-1356”,不挥发成分60质量%的MEK溶液)10份、活性酯系固化剂(DIC(株)制“HPC8000-65T”,活性基团当量约223,不挥发成分65质量%的甲苯溶液)10份、固化促进剂(4-二甲基氨基吡啶(DMAP),不挥发成分2质量%的MEK溶液)4份、阻燃剂(三光(株)制“HCA-HQ”,10-(2,5-二羟基苯基)-10-氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物,平均粒径1μm)2份、橡胶颗粒(アイカ工业(株)制“スタフィロイドAC3816N”,微粉碎品)2份、以及用氨基硅烷系偶联剂(信越化学工业(株)制“KBM573”)进行了表面处理并通过分级除去了3μm以上颗粒的小直径球形二氧化硅((株)アドマテックス制“SO-C1”、平均粒径0.25μm、每单位表面积的碳量0.36mg/m2)100份,用高速旋转式搅拌机均匀分散,制成树脂清漆1。树脂清漆1的配合成分和配合量如表1所示。
<制备例2>树脂清漆2的制备
将双酚型环氧树脂(环氧当量约165,新日铁住金化学(株)制“ZX1059”,双酚A型和双酚F型的1:1混合品)6份、萘型环氧树脂(DIC(株)制“HP-4032SS”,环氧当量约144)3份、联二甲酚型环氧树脂(环氧当量约185,三菱化学(株)制“YX4000HK”)9份、联苯型环氧树脂(环氧当量约290,日本化药(株)制“NC3000H”)8份、以及苯氧树脂(三菱化学(株)制“YX7553BH30”,不挥发成分30质量%的甲基乙基酮(MEK)溶液)10份边搅拌边加热溶解在溶剂油20份中。冷却至室温后,向其中混合活性酯系固化剂(DIC(株)制“HPC8000-65T”,活性基团当量约223,不挥发成分65质量%的甲苯溶液)30份、固化促进剂(4-二甲基氨基吡啶(DMAP),不挥发成分2质量%的MEK溶液)10份、阻燃剂(三光(株)制“HCA-HQ”,10-(2,5-二羟基苯基)-10-氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物,平均粒径1μm)2份、橡胶颗粒(アイカ工业(株)制“スタフィロイドAC3816N”,微粉碎品)2份、以及用氨基硅烷系偶联剂(信越化学工业(株)制“KBM573”)进行了表面处理并通过分级除去了3μm以上颗粒的小直径球形二氧化硅((株)アドマテックス制“SO-C1”,平均粒径0.25μm,每单位表面积的碳量0.36mg/m2)100份,用高速旋转式搅拌机均匀分散,制成树脂清漆2。树脂清漆2的配合成分和配合量如表1所示。
<制备例3>树脂清漆3的制备
将双酚型环氧树脂(环氧当量约165,新日铁住金化学(株)制“ZX1059”,双酚A型和双酚F型的1:1混合品)2份、联二甲酚型环氧树脂(环氧当量约185,三菱化学(株)制“YX4000HK”)12份、联苯型环氧树脂(环氧当量约290,日本化药(株)制“NC3000H”)12份、以及苯氧树脂(三菱化学(株)制“YX7553BH30”,不挥发成分30质量%的甲基乙基酮(MEK)溶液)10份边搅拌边加热溶解在溶剂油20份中。冷却至室温后,向其中混合活性酯系固化剂(DIC(株)制“HPC8000-65T”,活性基团当量约223,不挥发成分65质量%的甲苯溶液)10份、氰酸酯系固化剂(BADCy,ロンザ公司制“Primaset(注册商标) BADCy”)5份、固化促进剂(4-二甲基氨基吡啶(DMAP),不挥发成分2质量%的MEK溶液)1份、固化促进剂(东京化成(株)制,钴(III)乙酰丙酮化物(Co(III)-1M),不挥发成分1质量%的MEK溶液)2份、阻燃剂(三光(株)制“HCA-HQ”,10-(2,5-二羟基苯基)-10-氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物,平均粒径1μm)2份、橡胶颗粒(アイカ工业(株)制“スタフィロイドAC3816N”,微粉碎品)2份、用氨基硅烷系偶联剂(信越化学工业(株)制“KBM573”)进行了表面处理并通过分级除去了3μm以上颗粒的小直径球形二氧化硅((株)アドマテックス制“SO-C1”,平均粒径0.25μm,每单位表面积的碳量0.36mg/m2)100份,用高速旋转式搅拌机均匀分散,制成树脂清漆3。树脂清漆3的配合成分和配合量如表1所示。
<制作例1>带塑料膜支撑体的树脂片1的制作
准备经非有机硅系脱模剂(琳得科株式会社制“AL-5”)脱模处理后的PET膜(东丽株式会社制“露米勒T6AM”,厚度38μm)作为塑料膜支撑体。用金属型涂布机在该塑料支撑体的脱模面涂布树脂清漆1,在80℃~110℃(平均100℃)下干燥3分钟,形成树脂组合物层。树脂组合物层的厚度为20μm。接着,作为保护膜将聚丙烯膜(王子特殊纸(株)制“アルファンMA-411”,厚度15μm)的粗面侧贴合在树脂组合物层的未与塑料膜支撑体接合的面上,得到带塑料膜支撑体的树脂片1(树脂片1)。
<制作例2>带有塑料膜支撑体的预浸料2的制作
采用溶剂法将(株)有泽制作所制1000玻璃布(厚度14μm)浸渍在上述树脂清漆1中使其浸透,加热使溶剂挥发,干燥使预浸料中残留的溶剂量为0.5%且厚度为28μm,从两面贴合经非有机硅系脱模剂(琳得科株式会社制“AL-5”)脱模处理后的PET膜(东丽株式会社制“露米勒T6AM”、厚度38μm)的脱模面和聚丙烯膜(王子特殊纸(株)制“アルファンMA-411”、厚度15μm)的粗面侧,得到带塑料膜支撑体的预浸料2(预浸料2)。
<制作例3>带塑料膜支撑体的树脂片3的制作
准备经非有机硅系脱模剂(琳得科株式会社制“AL-5”)脱模处理后的PET膜(东丽株式会社制“露米勒T6AM”,厚度38μm)作为塑料膜支撑体。用金属型涂布机在该塑料支撑体的脱模面涂布树脂清漆2,在80℃~110℃(平均100℃)下干燥3分钟,形成树脂组合物层。树脂组合物层的厚度为20μm。接着,作为保护膜将聚丙烯膜(王子特殊纸(株)制“アルファンMA-411”,厚度15μm)的粗面侧贴合在树脂组合物层的未与塑料膜支撑体接合的面上,得到带塑料膜支撑体的树脂片3(树脂片3)。
<制作例4>带塑料膜支撑体的树脂片4的制作
准备经非有机硅系脱模剂(琳得科株式会社制“AL-5”)脱模处理后的PET膜(东丽株式会社制“露米勒T6AM”,厚度38μm)作为塑料膜支撑体。用金属型涂布机在该塑料支撑体的脱模面涂布树脂清漆3,在80℃~110℃(平均100℃)下干燥3分钟,形成树脂组合物层。树脂组合物层的厚度为20μm。接着,作为保护膜将聚丙烯膜(王子特殊纸(株)制“アルファンMA-411”,厚度15μm)的粗面侧贴合在树脂组合物层的未与塑料膜支撑体接合的面上,得到带塑料膜支撑体的树脂片4(树脂片4)。
<制作例5>带塑料膜支撑体的预浸料5的制作
采用溶剂法将(株)有泽制作所制1000玻璃布(厚度14μm)浸渍在树脂清漆3中使其浸透,加热使溶剂挥发,干燥使预浸料中残留的溶剂量为0.5%且厚度为28μm,从两面贴合经非有机硅系脱模剂(琳得科株式会社制“AL-5”)脱模处理后的PET膜(东丽株式会社制“露米勒T6AM”,厚度38μm)的脱模面和聚丙烯膜(王子特殊纸(株)制“アルファンMA-411”,厚度15μm)的粗面侧,得到带塑料膜支撑体的预浸料5(预浸料5)。
应予说明,树脂片1、预浸料2、树脂片3、树脂片4和预浸料5的树脂组合物层的厚度(预浸料的情况下包括玻璃布的厚度)采用接触式层厚计((株)ミツトヨ制,MCD-25MJ)测定。
[表1]
。
实施例1涉及的样品采用以下方法制成:使用树脂片1,通过上述粗糙化处理使导体层表面的Ra值(表面粗糙度)为270(nm),上述(3)的步骤中在120℃下加热30分钟、接着在175℃下加热30分钟,将树脂组合物层热固化形成绝缘层。
另外,实施例2涉及的样品,除了通过“フラットボンド”处理使导体层表面的Ra值为160(nm)以外,采用与实施例1同样的方法制成。
实施例3涉及的样品,除了使用预浸料2作为带塑料膜支撑体的树脂片以外,采用与实施例1同样的方法制成。
另外,实施例4涉及的样品,除了使用树脂片3以外,采用与实施例2同样的方法制成。
比较例1涉及的样品,除了上述(3)的步骤中在165℃下加热30分钟,将树脂组合物层热固化形成绝缘层以外,采用与实施例1同样的方法制成。
比较例2涉及的样品,除了通过“フラットボンド”处理使导体层表面的Ra值(表面粗糙度)为160(nm)以外,采用与比较例1同样的方法制成。
比较例3涉及的样品,除了使用树脂片4作为带塑料膜支撑体的树脂片以外,采用与实施例1同样的方法制成。
比较例4涉及的样品,除了使用预浸料5作为带塑料膜支撑体的树脂片以外,采用与实施例1同样的方法制成。
实施例1~4涉及的样品的制作条件、形态和评价结果示于下列表2,以及比较例1~4涉及的样品的制作条件、形态和评价结果示于下列表3。
[表2]
。
[表3]
。
如表2和表3所示,通过热循环测试可知,通孔40的顶部直径(Z)与最小直径(Y)和底部直径(X)满足规定关系的实施例1~4涉及的电路板中,即使在照射激光形成小直径通孔的情况下,也能有效抑制导体层、绝缘层产生裂纹等经时的不良现象的发生。因此根据本发明,可抑制经时的特性劣化因此能够提高可靠性,能够使产品寿命更长,并能够提供薄型化电路板。
Claims (20)
1.电路板,其是具备导体层和覆盖该导体层的绝缘层、并且具备使所述导体层的一部分从该绝缘层露出的通孔的电路板,其中,
所述导体层的表面的算术平均粗糙度为350nm以下,
所述通孔的深度为30μm以下,
所述通孔的顶部直径(Z)为50μm以下,
所述通孔的顶部直径(Z)与所述通孔的最小直径(Y)和所述通孔的底部直径(X)的关系满足Y/Z=0.7~0.99和Y/X=0.7~1(Z>Y)。
2.根据权利要求1所述的电路板,其中,以所述通孔的深度为基准时,所述最小直径的位置靠近所述导体层。
3.根据权利要求1所述的电路板,其中,所述导体层的表面的算术平均粗糙度为300nm以下。
4.根据权利要求1所述的电路板,其中,所述通孔的深度为25μm以下。
5.根据权利要求1所述的电路板,其中,所述导体层与所述绝缘层的密合强度为0.15kgf/cm以上。
6.根据权利要求1所述的电路板,其中,所述导体层与所述绝缘层的密合强度为0.2kgf/cm以上。
7.根据权利要求1所述的电路板,其中,所述通孔的顶部直径(Z)为40μm以下。
8.根据权利要求1所述的电路板,其中,所述绝缘层为树脂组合物的固化物。
9.根据权利要求1所述的电路板,其中,所述通孔为通过照射激光形成的通孔。
10.半导体装置,其具备权利要求1~9中任一项所述的电路板。
11.电路板的制造方法,其包括:
步骤(A):将带塑料膜支撑体的树脂片与设置有导体层的布线基板的该导体层接合的步骤,
所述带塑料膜支撑体的树脂片包含塑料膜支撑体以及与该塑料膜支撑体接合的树脂组合物层,所述导体层表面的算术平均粗糙度为350nm以下且包含导体图案;
步骤(B):将所述树脂组合物层热固化形成绝缘层的步骤,
所述绝缘层是在所述导体层上的厚度为30μm以下的绝缘层,该绝缘层与所述导体层的密合强度为0.15kgf/cm以上;
步骤(C):从所述塑料膜支撑体侧照射激光,在所述绝缘层上形成通孔的步骤,
所述通孔是顶部直径(Z)为50μm以下的通孔,该通孔的顶部直径(Z)与该通孔的最小直径(Y)和该通孔的底部直径(X)的关系满足Y/Z=0.7~0.99和Y/X=0.7~1(Z>Y);
步骤(D):进行除污处理的步骤;
步骤(E):将所述塑料膜支撑体从所述绝缘层剥离的步骤;以及
步骤(F):在所述绝缘层上进一步形成导体层的步骤。
12.根据权利要求11所述的电路板的制造方法,其中,在所述步骤(C)中,所述通孔形成为:以该通孔的深度为基准时,最小直径(Y)的位置靠近所述导体层。
13.根据权利要求11所述的电路板的制造方法,其中,所述步骤(D)的除污处理为湿式除污处理。
14.根据权利要求11所述的电路板的制造方法,其中,所述步骤(F)是利用干法镀敷在所述绝缘层的表面形成金属层,利用湿法镀敷在该金属层的表面形成所述导体层的步骤。
15.根据权利要求11所述的电路板的制造方法,其中,所述塑料膜支撑体是带脱模层的塑料膜支撑体。
16.根据权利要求11所述的电路板的制造方法,其中,所述树脂组合物层含有环氧树脂、固化剂和无机填充材料。
17.根据权利要求16所述的电路板的制造方法,其中,所述无机填充材料的平均粒径为0.01μm~3μm。
18.根据权利要求16所述的电路板的制造方法,其中,所述无机填充材料的平均粒径为0.01μm~0.4μm。
19.根据权利要求16所述的电路板的制造方法,其中,将所述树脂组合物层中的不挥发成分设为100质量%时,所述树脂组合物层中的所述无机填充材料的含量为40质量%~95质量%。
20.根据权利要求16所述的电路板的制造方法,其中,所述无机填充材料用表面处理剂进行表面处理。
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