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CN105301809A - 阵列基板结构及阵列基板的数据线断线修复方法 - Google Patents

阵列基板结构及阵列基板的数据线断线修复方法 Download PDF

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CN105301809A
CN105301809A CN201510811006.1A CN201510811006A CN105301809A CN 105301809 A CN105301809 A CN 105301809A CN 201510811006 A CN201510811006 A CN 201510811006A CN 105301809 A CN105301809 A CN 105301809A
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徐向阳
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TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
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Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
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    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Abstract

本发明提供一种阵列基板结构及阵列基板的数据线断线修复方法，设置有与数据线(2)一一对应的备用数据线(4)，并在每一数据线(2)及其对应的备用数据线(4)的两端下方分别设置修复线(5)，当数据线(2)出现断线时，只要通过激光熔接断线的数据线(2)与对应的修复线(5)的交叉点、及对应的备用数据线(4)与对应的修复线(5)的交叉点，即可将所述断线的数据线(2)与对应的修复线(5)、及对应的备用数据线(4)连接在一起，能够简单快捷地修复阵列基板的数据线断线，提高阵列基板数据线断线的修复效率及修复成功率。

Description

阵列基板结构及阵列基板的数据线断线修复方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板结构及阵列基板的数据线断线修复方法。
背景技术
液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(BacklightModule)。液晶显示面板的结构是由一彩色滤光片基板(ColorFilter，CF)、一薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)以及一配置于两基板间的液晶层(LiquidCrystalLayer)所构成，其中在阵列基板上有许多竖直和水平的细小电线。液晶显示面板的工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
现有的阵列基板结构通常包括：多条相互平行并依次排列的竖直的数据线、多条相互平行并依次排列的水平的扫描线、与所述数据线及扫描线电性连接的多个呈阵列式排布的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)、及与所述薄膜晶体管电性连接的像素电极。
所述扫描线向薄膜晶体管提供扫描信号，所述数据线向薄膜晶体管提供数据信号，以控制液晶显示面板显示画面。在阵列基板的生产过程中，由于生产工序复杂，受生产工艺或厂房环境的影响，可能出现数据线断线的情况，导致在显示画面中产生黑线，严重影响画面显示质量，此时需要对断线的数据线进行修复。对于上述现有的阵列基板结构，当数据线断裂后，只能在外围进行长线修复，修复过程复杂，修复效果差，成功率低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板结构，能够简化阵列基板数据线断线修复的过程，提高阵列基板数据线断线的修复效率及修复成功率。
本发明的目的还在于一种阵列基板的数据线断线修复方法，能够简单快捷地修复阵列基板的数据线断线，提高阵列基板数据线断线的修复效率及修复成功率。
为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板结构，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的第一金属层、覆盖于所述第一金属层与衬底基板上的绝缘层、及设于所述绝缘层上的第二金属层；
所述第二金属层包括：多条相互平行并依次竖直排列的数据线、及与所述数据线一一对应的多条相互平行并依次竖直排列的备用数据线，每一备用数据线与其对应的数据线间隔设置；
所述第一金属层包括：多条相互平行并依次水平排列的扫描线、及分别于每一数据线及其对应的备用数据线的两端下方设置的修复线，所述修复线与设于其上方的数据线及备用数据线的两端在空间上交叉。
所述阵列基板结构还包括阵列排布于所述衬底基板上的多个像素单元，每一像素单元包括一像素电极及与该像素电极电性连接的TFT；
每条数据线左、右两侧各设置一列像素单元，每行像素单元上、下方各设置一条扫描线；对于同一行像素单元，位于每条数据线左、右两侧的两列TFT共同电性连接于该条数据线，位于该数据线左侧的的TFT电性连接于位于该行像素单元上方的扫描线，位于该数据线右侧的TFT电性连接于位于该行像素单元下方的扫描线。
所述TFT的栅极位于第一金属层并电性连接于扫描线，源极与漏极均位于第二金属层并分别电性连接于数据线与像素电极。
所述第一金属层及第二金属层的材料均为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或几种的堆栈组合。
所述绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合，所述像素电极的材料为ITO。
本发明还提供一种阵列基板的数据线断线修复方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一阵列基板；
所述阵列基板的结构包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的第一金属层、覆盖于所述第一金属层与衬底基板上的绝缘层、及设于所述绝缘层上的第二金属层；
所述第二金属层包括：多条相互平行并依次竖直排列的数据线、及与所述数据线一一对应的多条相互平行并依次竖直排列的备用数据线，每一备用数据线与其对应的数据线间隔设置；
所述第一金属层包括：多条相互平行并依次水平排列的扫描线、及分别于每一数据线及其对应的备用数据线的两端下方设置的修复线，所述修复线与设于其上方的数据线及备用数据线的两端在空间上交叉；
步骤2、检测所述阵列基板出现断线的数据线的位置，并找到与出现断线的数据线对应的备用数据线及修复线；
步骤3、通过激光熔接断线的数据线与对应的修复线的交叉点、及对应的备用数据线与对应的修复线的交叉点，将所述断线的数据线与对应的修复线、及对应的备用数据线连接在一起。
所述步骤1中的阵列基板的结构还包括阵列排布于所述衬底基板上的多个像素单元，每一像素单元包括一像素电极及与该像素电极电性连接的TFT；
每条数据线左、右两侧各设置一列像素单元，每行像素单元上、下方各设置一条扫描线；对于同一行像素单元，位于每条数据线左、右两侧的两列TFT共同电性连接于该条数据线，位于该数据线左侧的的TFT电性连接于位于该行像素单元上方的扫描线，位于该数据线右侧的TFT电性连接于位于该行像素单元下方的扫描线。
所述第一金属层及第二金属层的材料均为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或几种的堆栈组合。
所述绝缘层的材料氧化硅、氮化硅、或二者的组合，所述像素电极的材料为ITO。
本发明的有益效果：本发明提供的一种阵列基板结构及阵列基板的数据线断线修复方法，设置有与数据线一一对应的备用数据线，并在每一数据线及其对应的备用数据线的两端下方分别设置修复线，当数据线出现断线时，只要通过激光熔接断线的数据线与对应的修复线的交叉点、及对应的备用数据线与对应的修复线的交叉点，即可将所述断线的数据线与对应的修复线、及对应的备用数据线连接在一起，能够简单快捷地修复阵列基板的数据线断线，提高阵列基板数据线断线的修复效率及修复成功率。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为本发明的阵列基板结构的结构简图；
图2为对应于图1中A-A处的剖面示意图；
图3为本发明的阵列基板结构进行数据线断线修复的示意图暨本发明的阵列基板的数据线断线修复方法的步骤3的示意图；
图4为本发明的阵列基板的数据线断线修复方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请同时参阅图1与图2，本发明首先提供一种阵列基板结构，包括：衬底基板1、设于所述衬底基板1上的第一金属层M1、覆盖于所述第一金属层M1与衬底基板1上的绝缘层GI、及设于所述绝缘层GI上的第二金属层M2。
所述第二金属层M2包括：多条相互平行并依次竖直排列的数据线2、及与所述数据线2一一对应的多条相互平行并依次竖直排列的备用数据线4，每一备用数据线4与其对应的数据线2间隔设置。图1示意出了每一备用数据线4设于与其对应的数据线2的左侧，当然，每一备用数据线4也可设于与其对应的数据线2的右侧。
所述第一金属层M1包括：多条相互平行并依次水平排列的扫描线3、及分别于每一数据线2及其对应的备用数据线4的两端下方设置的修复线5，所述修复线5与设于其上方的数据线2及备用数据线4的两端在空间上交叉。
具体地，所述第一金属层M1及第二金属层M2的材料均为钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)中的一种或几种的堆栈组合。所述绝缘层GI的材料氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、或二者的组合。
所述阵列基板结构还包括阵列排布于所述衬底基板1上的多个像素单元，每一像素单元包括一像素电极6及与该像素电极6电性连接的TFT7。所述TFT7的栅极位于第一金属层M1并电性连接于扫描线3，源极与漏极均位于第二金属层M2并分别电性连接于数据线2及像素单元6。所述像素电极6的材料为氧化铟锡(IndiumTinOxide，ITO)。进一步地，本发明的阵列基板结构采用共用数据线(DataLineShare，DLS)型的像素单元布局，每条数据线2左、右两侧各设置一列像素单元，每行像素单元上、下方各设置一条扫描线3。对于同一行像素单元，位于每条数据线2左、右两侧的两列TFT7共同电性连接于该条数据线2，位于该数据线2左侧的的TFT7电性连接于位于该行像素单元上方的扫描线3，位于该数据线2右侧的TFT7电性连接于位于该行像素单元下方的扫描线3。通过上述共用数据线型的像素单元布局，能够减少数据线2的数目，减弱因增加备用数据线4导致阵列基板上线路增多带来的影响。
请参阅图3，当本发明的阵列基板结构发生数据线断线时，通过激光直接熔接断线的数据线2与对应的修复线5的交叉点、及对应的备用数据线4与对应的修复线5的交叉点，即能够将所述断线的数据线2与对应的修复线5、及对应的备用数据线4连接在一起，实现数据线断线的修复，简化了阵列基板数据线断线修复的过程，提高了阵列基板数据线断线的修复效率及修复成功率。
请参阅图4，本发明还提供一种阵列基板的数据线断线修复方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一阵列基板。
如图1与图2所示，所述阵列基板的结构包括：衬底基板1、设于所述衬底基板1上的第一金属层M1、覆盖于所述第一金属层M1与衬底基板1上的绝缘层GI、及设于所述绝缘层GI上的第二金属层M2。
所述第二金属层M2包括：多条相互平行并依次竖直排列的数据线2、及与所述数据线2一一对应的多条相互平行并依次竖直排列的备用数据线4，每一备用数据线4与其对应的数据线2间隔设置。
所述第一金属层M1包括：多条相互平行并依次水平排列的扫描线3、及分别于每一数据线2及其对应的备用数据线4的两端下方设置的修复线5，所述修复线5与设于其上方的数据线2及备用数据线4的两端在空间上交叉。
具体地，所述第一金属层M1及第二金属层M2的材料均为Mo、Ti、Al、Cu、Ni中的一种或几种的堆栈组合。所述绝缘层GI的材料SiOx、SiNx、或二者的组合。
所述阵列基板结构还包括阵列排布于所述衬底基板1上的多个像素单元，每一像素单元包括一像素电极6及与该像素电极6电性连接的TFT7。所述TFT7的栅极位于第一金属层M1并电性连接于扫描线3，源极与漏极均位于第二金属层M2并分别电性连接于数据线2及像素单元6。所述像素电极6的材料为ITO。进一步地，本发明的阵列基板结构采用共用数据线型的像素单元布局，每条数据线2左、右两侧各设置一列像素单元，每行像素单元上、下方各设置一条扫描线3。对于同一行像素单元，位于每条数据线2左、右两侧的两列TFT7共同电性连接于该条数据线2，位于该数据线2左侧的的TFT7电性连接于位于该行像素单元上方的扫描线3，位于该数据线2右侧的TFT7电性连接于位于该行像素单元下方的扫描线3。
步骤2、检测所述阵列基板出现断线的数据线2的位置，并找到与出现断线的数据线2对应的备用数据线4及修复线5。
步骤3、如图3所示，通过激光熔接断线的数据线2与对应的修复线5的交叉点、及对应的备用数据线4与对应的修复线5的交叉点，将所述断线的数据线2与对应的修复线5、及对应的备用数据线4连接在一起。
至此完成对阵列基板的数据线断线的修复。
与现有技术相比，本发明的阵列基板的数据线断线修复方法利用激光直接熔接断线的数据线2与对应的修复线5的交叉点、及对应的备用数据线4与对应的修复线5的交叉点，能够简单快捷地修复阵列基板的数据线断线，提高阵列基板数据线断线的修复效率及修复成功率。
综上所述，本发明的阵列基板结构及阵列基板的数据线断线修复方法，设置有与数据线一一对应的备用数据线，并在每一数据线及其对应的备用数据线的两端下方分别设置修复线，当数据线出现断线时，只要通过激光熔接断线的数据线与对应的修复线的交叉点、及对应的备用数据线与对应的修复线的交叉点，即可将所述断线的数据线与对应的修复线、及对应的备用数据线连接在一起，能够简单快捷地修复阵列基板的数据线断线，提高阵列基板数据线断线的修复效率及修复成功率。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板结构，其特征在于，包括：衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的第一金属层(M1)、覆盖于所述第一金属层(M1)与衬底基板(1)上的绝缘层(GI)、及设于所述绝缘层(GI)上的第二金属层(M2)；
所述第二金属层(M2)包括：多条相互平行并依次竖直排列的数据线(2)、及与所述数据线(2)一一对应的多条相互平行并依次竖直排列的备用数据线(4)，每一备用数据线(4)与其对应的数据线(2)间隔设置；
所述第一金属层(M1)包括：多条相互平行并依次水平排列的扫描线(3)、及分别于每一数据线(2)及其对应的备用数据线(4)的两端下方设置的修复线(5)，所述修复线(5)与设于其上方的数据线(2)及备用数据线(4)的两端在空间上交叉。
2.如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，还包括阵列排布于所述衬底基板(1)上的多个像素单元，每一像素单元包括一像素电极(6)及与该像素电极(6)电性连接的TFT(7)；
每条数据线(2)左、右两侧各设置一列像素单元，每行像素单元上、下方各设置一条扫描线(3)；对于同一行像素单元，位于每条数据线(2)左、右两侧的两列TFT(7)共同电性连接于该条数据线(2)，位于该数据线(2)左侧的的TFT(7)电性连接于位于该行像素单元上方的扫描线(3)，位于该数据线(2)右侧的TFT(7)电性连接于位于该行像素单元下方的扫描线(3)。
3.如权利要求2所述的阵列基板结构，其特征在于，所述TFT(7)的栅极位于第一金属层(M1)并电性连接于扫描线(3)，源极与漏极均位于第二金属层(M2)并分别电性连接于数据线(2)与像素电极(6)。
4.如权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于，所述第一金属层(M1)及第二金属层(M2)的材料均为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或几种的堆栈组合。
5.如权利要求2所述的阵列基板结构，其特征在于，所述绝缘层(GI)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合，所述像素电极(6)的材料为ITO。
6.一种阵列基板的数据线断线修复方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一阵列基板；
所述阵列基板的结构包括：衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的第一金属层(M1)、覆盖于所述第一金属层(M1)与衬底基板(1)上的绝缘层(GI)、及设于所述绝缘层(GI)上的第二金属层(M2)；
所述第二金属层(M2)包括：多条相互平行并依次竖直排列的数据线(2)、及与所述数据线(2)一一对应的多条相互平行并依次竖直排列的备用数据线(4)，每一备用数据线(4)与其对应的数据线(2)间隔设置；
所述第一金属层(M1)包括：多条相互平行并依次水平排列的扫描线(3)、及分别于每一数据线(2)及其对应的备用数据线(4)的两端下方设置的修复线(5)，所述修复线(5)与设于其上方的数据线(2)及备用数据线(4)的两端在空间上交叉；
步骤2、检测所述阵列基板出现断线的数据线(2)的位置，并找到与出现断线的数据线(2)对应的备用数据线(4)及修复线(5)；
步骤3、通过激光熔接断线的数据线(2)与对应的修复线(5)的交叉点、及对应的备用数据线(4)与对应的修复线(5)的交叉点，将所述断线的数据线(2)与对应的修复线(5)、及对应的备用数据线(4)连接在一起。
7.如权利要求6所述的阵列基板的数据线断线修复方法，其特征在于，所述步骤1中的阵列基板的结构还包括阵列排布于所述衬底基板(1)上的多个像素单元，每一像素单元包括一像素电极(6)及与该像素电极(6)电性连接的TFT(7)；
每条数据线(2)左、右两侧各设置一列像素单元，每行像素单元上、下方各设置一条扫描线(3)；对于同一行像素单元，位于每条数据线(2)左、右两侧的两列TFT(7)共同电性连接于该条数据线(2)，位于该数据线(2)左侧的的TFT(7)电性连接于位于该行像素单元上方的扫描线(3)，位于该数据线(2)右侧的TFT(7)电性连接于位于该行像素单元下方的扫描线(3)。
8.如权利要求7所述的阵列基板的数据线断线修复方法，其特征在于，所述TFT(7)的栅极位于第一金属层(M1)并电性连接于扫描线(3)，源极与漏极均位于第二金属层(M2)并分别电性连接于数据线(2)与像素电极(6)。
9.如权利要求6所述的阵列基板的数据线断线修复方法，其特征在于，所述第一金属层(M1)及第二金属层(M2)的材料均为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或几种的堆栈组合。
10.如权利要求7所述的阵列基板的数据线断线修复方法，其特征在于，所述绝缘层(GI)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合，所述像素电极(6)的材料为ITO。
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