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CN105280482B - 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 - Google Patents

衬底处理装置及半导体器件的制造方法 Download PDF

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CN105280482B CN201510082782.2A CN201510082782A CN105280482B CN 105280482 B CN105280482 B CN 105280482B CN 201510082782 A CN201510082782 A CN 201510082782A CN 105280482 B CN105280482 B CN 105280482B
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Abstract

本发明的目的在于提供提高簇射头内的不同于处理气体的成分的捕获效率的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。该衬底处理装置具有：使气体分散的簇射头；设置在所述簇射头的下游、并具有利用处理气体处理衬底的处理空间的处理容器；连接于所述簇射头的气体供给部；连接于所述簇射头的簇射头气体排气部；和捕获所述簇射头内的不同于所述处理气体的成分的捕获部。

Description

衬底处理装置及半导体器件的制造方法
技术领域
本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。
背景技术
近年来、闪存等半导体器件有高集成化的倾向。相伴与此，图案尺寸显著微细化。在形成这些图案，作为制造工序的一个工序，有时要实施对衬底进行氧化处理和/或氮化处理等规定的处理的工序。
作为上述形成图案的方法之一，存在在电路间形成槽并在槽中形成种晶膜、内衬膜和/或配线的工序。伴随近年来的微细化，该槽构成为高纵横比。
在形成内衬膜等时，要求形成在槽的上部侧面、中部侧面、下部侧面、底部都没有膜厚和膜质不均的良好的阶梯覆盖(step-coverage)膜。因为：通过设为良好的阶梯覆盖膜，从而能够使半导体器件的特性在槽之间均匀，由此能够抑制半导体器件的特性不均。
作为使半导体器件的特性均匀的硬件结构的入口(approach)，存在例如单片装置中的簇射头构造。通过在衬底上设置气体的分散孔，从而均匀地供给气体。
另外，作为使半导体器件的特性均匀的衬底处理方法，例如有交替地供给至少二种处理气体并使之在衬底表面反应的交替供给方法。交替供给方法中，为抑制各气体在衬底表面以外反应，而在供给各气体之间利用吹扫(purge)气体去除剩余气体。
为了进一步提高膜特性可以考虑在采用簇射头构造的装置中使用交替供给法。在这样的装置的情况下，为了防止各气体的混合，可以考虑按每种气体设置气体供给路径和/或缓冲空间。但是因为结构变得复杂，存在所以维护耗费工时并且成本升高这一问题。因此，使用将二种气体以及吹扫气体的供给系统集成在一个缓冲空间的簇射头使比较现实的。
在使用具有二种气体共用的缓冲空间的簇射头的情况下，要考虑到在簇射头内剩余气体彼此反应、附着物堆积于簇射头内壁。为了防止这样的情况，优选，在缓冲室设置排气孔并从排气孔对气氛进行排气，使得能够高效地去除缓冲室内的剩余气体。
在使用二种气体共用的缓冲空间的簇射头的情况下，构成为，向处理空间供给的二种气体以及吹扫气体，不向用于对缓冲空间进行排气的排气孔的方向扩散。作为这样的结构，例如将形成气体流的气体引导件设置于缓冲室内。气体引导件，例如优选是设置在用于对缓冲空间进行排气的排气孔与供给两种气体以及吹扫气体的供给孔之间，朝向簇射头的分散板设置成放射状。
在以上那样复杂结构的簇射头的情况下，因为零件的加工精度问题和/或零件配置的复杂性，会在零件之间形成气体积存。因此，一般认为在该部分会附着副产物等。清洁气体难以到达气体积存，所以副产物恐会残留。因此，也可以考虑在拆解装置后，将簇射头浸入清洁液等中以进行清洁的方法。
发明内容
发明所要解决的技术问题
清洁后，在再次组装装置时，需要尽可能地减少清洁液等残留成分中、不同于处理气体的成分。这是因为不同于处理气体的成分恐会对工艺造成负面影响。通常，在组装前进行烘烤处理等以去除该成分，但是烘烤处理耗费时间，因此要考虑到消耗大量停机时间的情况。另一方面，为了更为可靠地去除该成分，有在组装后利用泵等进行排气的方法，但是在设置于半导体制造装置的现有泵即用于吸真空的涡轮分子泵中，因为构造方面的问题而难以进行去除。另外，在干燥泵的情况下，排气功率小，所以难以在如上所述的簇射头结构进行去除。如前所述，该成分恐会对膜特性造成负面影响，所以必需捕获簇射头内的不同于处理气体的成分。
本发明鉴于上述课题，其目的在于提供对簇射头内的不同于处理气体的成分的捕获效率高的衬底处理装置、半导体器件的制造方法、程序以及记录介质。
用于解决课题的手段
本发明的一个方式，提供一种衬底处理装置，具有：使气体分散的簇射头；设置于所述簇射头的下游、并具有利用处理气体处理衬底的处理空间的处理容器；连接于所述簇射头的气体供给部；连接于所述簇射头的簇射头气体排气部；和将所述簇射头内的不同于所述处理气体的成分捕获的捕获部。
根据本发明的其他方式，提供一种半导体器件的制造方法，是将用簇射头分散了的气体供给到处理空间以处理衬底的半导体器件的制造方法，包括：将用所述簇射头分散了的处理气体供给到处理空间以处理所述衬底的工序、将所述衬底从处理空间送出的工序；和将所述簇射头内的不同于所述处理气体的成分捕获的工序。
根据本发明的其他方式，提供一种程序，执行将用簇射头分散了的气体供给到处理空间以处理衬底的半导体器件的制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：将用所述簇射头分散了的处理气体供给到处理空间以处理所述衬底的工序；将所述衬底从处理空间送出的工序；和将所述簇射头内的不同于所述处理气体的成分捕获的工序。
根据本发明的其他方式，提供一种计算机可读记录介质，其存储有下述程序，所述程序执行将用簇射头分散了的气体供给到处理空间以处理衬底的半导体器件的制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：将用所述簇射头分散了的处理气体供给到处理空间以处理所述衬底的工序；将所述衬底从处理空间送出的工序；和将所述簇射头内的不同于所述处理气体的成分捕获的工序。
发明效果
根据本发明，能够提高对簇射头内的不同于处理气体的成分的捕获效率。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式涉及的衬底处理装置的图。
图2使第一实施方式涉及的第一分散构造的说明图。
图3是说明第一实施方式涉及的气体引导件、第一分散构造的关联性的说明图。
图4是表示图1所示的衬底处理装置的衬底处理工序的流程图。
图5是表示图4所示的成膜工序的详情的流程图。
图6是表示图4所示的维护工序的详情的流程图。
图7是表示图1所示的衬底处理装置的排气系统的工作的时序图。
附图标记的说明
100···衬底处理装置
200···晶片(衬底)
201···处理空间
202···反应容器
203···输送空间
232···缓冲空间
261、262、263、264···排气管
261a、262b···分支管
265、273···TMP(涡轮分子泵)
272···DP(干燥泵)
261b、266、267、268、270、271、292···阀
具体实施方式
以下说明本发明的第一实施方式。
＜装置结构＞
本实施方式涉及的衬底处理装置100的结构示于图1。如图1所示，衬底处理装置100构成为单片式衬底处理装置。
(处理容器)
如图1所示，衬底处理装置100具备处理容器202。处理容器202构成为例如横截面为圆形的扁平的密闭容器。另外，处理容器202由例如铝(Al)、不锈钢(SUS)等金属材料构成。处理容器202内形成有：处理作为衬底的硅晶片等晶片200的处理空间201；和在将晶片向200处理空间201输送时供晶片200通过的输送空间203。处理容器202由上部容器2021和下部容器2022构成。在上部容器2021与下部容器2022之间设置有分隔板204。
在下部容器2022的侧面设置有与闸阀205相邻的衬底送入送出口206，晶片200经由衬底送入送出口206在与未图示的输送室之间移动。在下部容器2022的底部设置有多个提升销207。进一步，下部容器2022接地。
在处理空间201内设置有支承晶片200的衬底支承部210。衬底支承部210主要具有：载置晶片200的载置面211；在表面具有载置面211的衬底载置台212；和内置于衬底载置台212的作为加热源的加热器213。在衬底载置台212，在与提升销207相对应的位置分别设置有供提升销207贯通的贯通孔214。
衬底载置台212由轴217支承。轴217贯通处理容器202的底部，进一步在处理容器202的外部连接于升降机构218。通过使升降机构218工作而使轴217以及衬底载置台212升降，从而能够使载置在载置面211上的晶片200升降。此外，轴217下端部的周围由波纹管219覆盖，处理容器202内保持气密。
衬底载置台212，在晶片200的输送时，下降直至载置面211与衬底送入送出口206相对的位置(晶片输送位置)，在晶片200的处理时，如图1所示，上升直至晶片200达到处理空间201内的处理位置(晶片处理位置)。
具体而言，在使衬底载置台212下降直至晶片输送位置时，使得提升销207的上端部从载置面211的上表面突出而使提升销207从下方支承晶片200。另外，在使衬底载置台212上升直至晶片处理位置时，使得提升销207从载置面211的上表面没入而使载置面211从下方支承晶片200。此外，提升销207因为与晶片200直接接触，所以优选，用例如石英、氧化铝等材质形成。
在处理空间201的上部(上游侧)设置有作为用于将气体分散的分散机构的簇射头230。在簇射头230的盖231设置有第一分散机构241，在该第一分散机构241连接有后述当的气体供给系统。从第一分散机构241被导入的气体，被供给到簇射头230的缓冲空间232。
在处理空间201的上部(上游侧)设置有作为用于将气体分散的分散机构的簇射头230。在在簇射头230的盖231设置有供第一分散机构241插入的贯通孔231a。第一分散机构241具有被插入簇射头内的顶端部241a和固定于盖231的凸缘241b。
图2是说明第一分散机构241的顶端部241a的说明图。顶端部241a构成为圆柱状。在圆柱的侧面设置有分散孔241c。从后述的气体供给部(供给系统)供给的气体，经由顶端部241a以及分散孔241c被供给到缓冲空间232。
簇射头的盖231用具有导电性的金属形成，作为用于在缓冲空间232或处理空间201内生成等离子体的电极使用。在盖231与上部容器2021之间设置有绝缘块233，盖231与上部容器2021之间绝缘。
簇射头230具备作为使用于使经由第一分散机构241从供给系统供给的气体分散的、作为第二分散机构的分散板234。该分散板234的上游侧为缓冲空间232，下游侧为处理空间201。在分散板234设置有多个贯通孔234a。分散板234配置成为与衬底载置面211相对。
上部容器2021具有凸缘2021a，在凸缘2021a上载置并固定绝缘块233。绝缘块233具有凸缘233a，在凸缘233a上载置并固定分散板234。进一步，盖231被固定于绝缘块233的上表面。在绝缘块233的上表面与盖231的接触面，由于加工精度，很有可能会形成有间隙α。因此，在盖231与绝缘块233之间设置有用于使缓冲空间232气密的O形环236。
通过设为以上那样的构造，从而能够从上方按顺序拆下盖231、分散板234、绝缘块233。
此外，本实施例中、后述的等离子体生成部连接于盖231，所以设置有使得电力不传递到上部容器2011的绝缘部件233。进一步，在该绝缘部件上设置有分散板234、盖231。但是，不限于此。例如、在不具有等离子体生成部的情况下，只要在凸缘2021a固定分散板234并在上部容器2021的不同于凸缘的部分固定盖231即可。即，只要是从上方按顺序拆下盖231、分散板234那样的嵌套构造即可。此时，有可能在盖231与上部容器2021之间形成有间隙，所以在盖231与上部容器2021的凸缘之间设置有用于进行气密的O形环236。
缓冲空间232中设置有形成所供给的气体的流路的气体引导件235。气体引导件235为以第一分散机构241为顶点随着朝向分散板234方向而扩径的圆锥形状。气体引导件235形成为，其下端位于比在分散板234的最外周侧所形成的贯通孔234a还靠外周侧。气体引导件235的上端例如用螺钉固定在盖231上。
(供给系统)
在簇射头230的盖231所设置的气体导入孔231a，连接有处理室侧气体供给管241。在处理室侧气体供给管241连接有共用气体供给管242。在处理室侧气体供给管241设置有凸缘，利用螺钉等固定于盖231，进一步固定于共用气体供给管242的凸缘。
处理室侧气体供给管241与共用气体供给管242，在管的内部相连通，从共用气体供给管242供给的气体经由处理室侧气体供给管241、气体导入孔231a被供给到簇射头230内。
在共用气体供给管242连接有第一气体供给管243a、第二气体供给管244a、第三气体供给管245a。第二气体供给管244a经由远程等离子体单元244e连接于共用气体供给管242。
从包括第一气体供给管243a的第一气体供给系统243主要供给含有第一元素气体，从包括第二气体供给管244a的第二气体供给系统244主要供给含有第二元素气体。从包括第三气体供给管245a的第三气体供给系统245，在处理晶片时主要供给惰性气体，在清洁簇射头230和处理空间201时主要供给清洁气体。
(第一气体供给系统)
在第一气体供给管243a，从上游方向按顺序设置有第一气体供给源243b、作为流量控制器(流量控制部)的质量流控制器(MFC)243c、以及作为开闭阀的阀243d。
含有第一元素的气体(以下称为“含有第一元素气体”)，从第一气体供给管243a经由质量流控制器243c、阀243d、共用气体供给管242被供给到簇射头230。
含有第一元素气体为原料气体、即处理气体之一。在此，第一元素为例如作为金属元素的钛(Ti)。即，含有第一元素气体为例如含钛气体。此外，含有第一元素气体也可以是常温常压下为固体、液体以及气体中任一形态的气体。在含有第一元素气体在常温常压为液体的情况下，如果在第一气体供给源243b与质量流控制器243c之间设置未图示的汽化器即可。在此，作为气体进行说明。
在第一气体供给管243a的比阀243d靠下游侧的位置，连接有第一惰性气体供给管246a的下游端。在第一惰性气体供给管246a从上游方向按顺序设置有惰性气体供给源246b、作为流量控制器(流量控制部)的质量流控制器(MFC)246c、以及作为开闭阀的阀246d。
在此，惰性气体为例如氮气(N2)。此外，作为惰性气体，除N2气外，还可以使用例如氦气(He)、氖气(Ne)、氩气(Ar)等稀有气体。
主要由第一气体供给管243a、质量流控制器243c、阀243d构成含有第一元素气体供给系统243(也称为含钛气体供给系统)。
另外，主要由第一惰性气体供给管246a、质量流控制器246c以及阀246d构成第一惰性气体供给系统。此外，也可以考虑将惰性气体供给源246b、第一气体供给管243a包含于第一惰性气体供给系统。
进一步，也可以认为第一气体供给源243b、第一惰性气体供给系统包含于含有第一元素气体供给系统243。
(第二气体供给系统)
相对于第二气体供给管244a，在下游设置有远程等离子体单元244e。在上游从上游方向起按顺序设置有第二气体供给源244b、作为流量控制器(流量控制部)的质量流控制器(MFC)244c、以及作为开闭阀的阀244d。
含有第二元素的气体(以下称为“含有第二元素气体”)，从第二气体供给管244a经由质量流控制器244c、阀244d、远程等离子体单元244e、共用气体供给管242被供给到簇射头230内。含有第二元素气体通过远程等离子体单元244e而成为等离子体状态，并被照射到晶片200上。
含有第二元素气体为处理气体之一。此外，也可以考虑将含有第二元素气体作为反应气体或改性气体。
在此，含有第二元素气体含有不同于第一元素的第二元素。作为第二元素，例如是氮(N)、碳(C)中任一元素。本实施方式中，含有第二元素气体例如为含氮气体。具体而言，作为含氮气体，可以使用氨气(NH3)。
主要由第二气体供给管244a、质量流控制器244c、阀244d构成含有第二元素气体供给系统244(也称为含氮气体供给系统)。
另外，在第二气体供给管244a的比阀244d靠下游侧的位置连接有第二惰性气体供给管247a的下游端。在第二惰性气体供给管247a从上游方向按顺序设置有惰性气体供给源247b、作为流量控制器(流量控制部)的质量流控制器(MFC)247c、以及作为开闭阀的阀247d。
惰性气体从第二惰性气体供给管247a经由质量流控制器247c、阀247d、第二气体供给管244a、远程等离子体单元244e被供给到簇射头230内。惰性气体在薄膜形成工序(S104)中作为运载气体或稀释气体发挥作用。
主要由第二惰性气体供给管247a、质量流控制器247c以及阀247d构成第二惰性气体供给系统。此外，也可以考虑将惰性气体供给源247b、第二气体供给管243a、远程等离子体单元244e包含于第二惰性气体供给系统。
进一步，也可以考虑将第二气体供给源244b、远程等离子体单元244e、第二惰性气体供给系统包含于含有第二元素气体供给系统244。
(第三气体供给系统)
在第三气体供给管245a从上游方向按顺序设置有第三气体供给源245b、作为流量控制器(流量控制部)的质量流控制器(MFC)245c、以及作为开闭阀的阀245d。
作为吹扫气体的惰性气体，从第三气体供给管245a经由质量流控制器245c、阀245d、共用气体供给管242被供给到簇射头230。
在此，惰性气体为例如氮气(N2)。此外，作为惰性气体，除N2气外，也可以使用例如氦气(He)、氖气(Ne)、氩气(Ar)等稀有气体。
主要由第三气体供给管245a、质量流控制器245c、阀245d构成第三气体供给系统245。
进一步，也可以考虑将第三气体供给源245b包含于第三气体供给系统245。
从惰性气体供给源245b被供给的惰性气体，在衬底处理工序中，作为对蓄积于处理容器202和/或簇射头230内的气体进行吹扫的吹扫气体发挥作用。
接下来，利用图3就第一分散机构241、气体引导件235、顶板231的具体构造进行说明。图3是放大表示图1的第一分散机构241的周边的图，是说明第一分散机构241、气体引导件235、顶板231的具体构造的说明图。
第一分散机构241具有顶端部241a和凸缘241b。顶端部241a从贯通孔231a的上方被插入。凸缘241b的下表面通过螺钉等而固定于盖231的上表面。凸缘241的上表面通过螺钉等而固定于气体供给管242的凸缘。在凸缘241b与顶板231之间设置有O形环237，将簇射头内的空间气密。第一分散机构241能够单独从顶板231拆下。在拆下时，将用于固定于气体供给管242的螺钉和用于固定于顶板的螺钉拧开并从顶板231上拆下。
气体引导件235具有板部235a和连接部235b。
板部235a是将从第一分散机构241的分散孔241c供给的气体引导至下方的分散板234的板，为随着朝向分散板234方向而扩径的圆锥形状。气体引导件235形成为，其下端位于比在分散板234的最外周侧所形成的贯通孔234a还靠外周侧。
连接部235b是将盖231与板部235a连接的部件。连接部235b的上端，通过未图示的螺钉等而固定于盖231。下端通过焊接而连接于板部235b。连接部235b为圆柱形状，构成为隔着间隙232b包围顶端部241a的侧壁的外周。由于隔着间隙，因此在从顶板231拆下第一分散机构241时，避免第一分散机构241与连接部235b物理接触。通过避免物理接触，而使第一分散机构的拆下容易进行并且抑制由物理接触所导致的污垢的产生。
(等离子体生成部)
在簇射头的盖231连接有整合器251、高频电源252。通过利用高频电源252、整合器251来调整阻抗，而在簇射头230、处理空间201生成等离子体。
(排气系统)
对处理容器202的气氛进行排气的排气系统，具有连接于处理容器202的多个排气管。具体而言，具有连接于输送空间203的排气管(第五排气管)261、连接于缓冲空间232的排气管(第一排气管)262和连接于处理空间201的排气管(第三排气管)263。另外，在各排气管261、262、263的下游侧连接有排气管(第四排气管)264。
排气管261连接于输送空间203的侧面或底面。在排气管261作为实现高真空或超高真空的真空泵设置有TMP(Turbo Molecular Pump，涡轮分子泵，第一真空泵)265。在排气管261中TMP265的上游侧设置有作为输送空间用第一排气阀的阀266。
另外，在排气管261中TMP265的下游侧设置有阀267。在阀266与涡轮分子泵265(第三真空泵。第一、第二真空泵后述)之间，设置有作为用于捕获后述的残留清洁液的捕获部的冷阱(cryotrap)268。另外，在排气管261中阀267的上游侧连接有分支管261b(第二排气管)。在分支管261b设置有阀269。分支管261b的下游侧连接于排气管264。此外，相对于分支管261b，将排气管261a称为主排气管261a。进一步，将主排气管261a、分支管261b以及设置在这些管上的阀和泵统称作输送空间排气部。
排气管262连接于缓冲空间232的上表面或侧面。在排气管262连接有阀270。在排气管262中在阀270的上游侧连接有分支管262b。在分支管262b上从上游起按顺序设置有阀271、冷阱272、涡轮分支泵273(第一真空泵)、阀274。关于冷阱272后述。冷阱272用作用于捕获残留清洁液和簇射头内的清洁药液残留物的捕获部。此外，相对于分支管262b，将排气管262称为主排气管262a。进一步，将主排气管262a、分支管262b以及设置在这些管上的阀和泵统称作簇射头排气部。
排气管263连接于处理空间201的侧方。在排气管263设置有作为将处理空间201内控制为规定压力的压力控制器的APC(Auto Pressure Controller，自动压力控制器)276。APC276具有开度可调的阀体(未图示)，与来自后述的控制器的指示相应地调整排气管263的流导。在排气管263中APC276的下游侧设置有阀277。另外，在排气管263中APC276的上游侧设置有作为处理空间排气用第一阀的阀275。将排气管263以及设置在这些管上的阀和泵275、APC276统称为处理室空间排气部。
在排气管264设置有DP(Dry Pump，干燥泵)278(第二真空泵)。干燥泵是能够在比上述涡轮分子泵高的压力范围内进行排气的泵。如图所示，在排气管264从其上游侧连接有排气管262(主排气管262a)、分支管262b、排气管263、排气管261(主排气管261a)、分支管261b，及进一步在它们的下游设置有DP278。DP278分别经由排气管262、排气管263、排气管261以及分支管261b对缓冲空间232、处理空间201以及输送空间203的每一个的气氛进行排气。另外，DP278，在TMP265工作时，也作为其辅助泵发挥作用。即，作为高真空(或超高真空)泵的TMP265，难以单独进行直至大气压为止的排气，所以作为进行直至大气压的排气的辅助泵使用DP278。上述的排气系统的各阀使用例如空气阀。
(控制器)
衬底处理装置100具有控制衬底处理装置100的各部分的工作的控制器280。控制器280至少具有运算部281以及存储部282。控制器280连接于上述的各构成，与上位控制器和/或使用者的指示相应地从存储部282调用程序和/或制程(recipe)，与其内容相应地控制各结构的工作。此外，控制器280既可以作为专用的计算机而构成，也可以作为通用的计算机而构成。例如，通过准备存有上述程序的外部存储装置(例如、磁带、软盘和硬盘等磁盘、CD和DVD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器(USB Flash Drive)和存储卡等半导体存储器)283，并使用外部存储装置283将程序安装于通用的计算机，从而能够构成本实施方式涉及的控制器280。另外，用于对计算机供给程序的方法，不限于经由外部存储装置283来供给的情况。、也可以不经由外部存储装置283，而使用例如互联网和专用线路等通信手段来供给程序。此外，存储部282和外部存储装置283作为计算机可读记录介质而构成。以下，也将这些介质简答地称为记录介质。此外，本说明书中使用记录介质这一术语的情况包括只包括存储部282单体的情况、只包括外部存储装置283单体的情况、或者包括这两方的情况。
＜衬底处理工序＞
接下来，就使用衬底处理装置100来在晶片200上形成薄膜的工序进行说明。此外，在以下的说明中，构成衬底处理装置100的各部分的工作由控制器280控制。
图4是表示本实施方式涉及的衬底处理工序的流程图。图5是表示图4的成膜工序S104的详情的流程图。另外，图6是表示图4的维护工序S110的详情的流程图。图7是表示各工序中排气系统的阀的开闭的时序图。图7中，“O”表示开阀(Open)，“C”表示闭阀(Close)。
以下，就作为第一处理气体使用TiCl4气体、作为第二处理气体使用氨气(NH3)并在晶片200上作为薄膜形成氮化钛膜的例子进行说明。
(衬底送入·载置工序S102)
通过在处理装置100中使衬底载置台212降低直至晶片200的输送位置，从而使提升销207贯通衬底载置台212的贯通孔214。其结果，提升销207变为仅比衬底载置台212表面突出规定高度的状态。接下来，打开闸阀205而使输送空间203与移载室(未图示)连通。而且，使用晶片移载机(未图示)将晶片200从该移载室送入输送空间203，并将晶片200移载到提升销207上。由此，晶片200在从衬底载置台212的表面突出的提升销207上按水平姿势被支承。
当将晶片200送入处理容器202内时，使晶片移载机向处理容器202外退避，并关闭闸阀205以密闭处理容器202内。之后，通过使衬底载置台212上升，从而使晶片200载置于设置于衬底载置台212的载置面211上，通过进一步使衬底载置台212上升，从而使晶片200上升直至前述处理空间201内的处理位置。
参照图7对衬底送入·载置工序S102中排气系统的各阀的工作进行说明。首先，在将晶片200送入处理容器202内时，将阀266与阀267打开(开阀)，使输送空间203与TMP265之间连通，并且使TMP265与DP278之间连通。另一方面，阀266与阀267以外的排气系统的阀设为关闭(闭阀)。由此，利用TMP265(以及DP278)将输送空间203的气氛排气，使处理容器202达到高真空(超高真空)状态(例如10－5Pa以下)。在该工序中使处理容器202成为高真空(超高真空)状态，是为了减低与同样保持高真空(超高真空)状态(例如10－6Pa以下)的移载室的压力差。在该状态下将闸阀205打开，将晶片200从移载室送入输送空间203。此外，TMP265以及DP278，在图4以及图5所示的工序中始终工作，使得不会导致与这些工作的开始相伴的处理工序的延迟。
晶片200在被送入输送空间203后，当上升直至处理空间201内的处理位置时，将阀266与阀267关闭。由此，输送空间203与TMP265之间、以及、TMP265与排气管264之间被切断，由TMP265所进行的输送空间203的排气结束。另一方面，将阀277与阀275打开并使处理空间201与APC276之间连通，并且使APC276与DP278之间连通。APC276通过调整排气管263的流导，从而控制由DP278进行的处理空间201的排气流量，将处理空间201维持在规定压力(例如10－5～10－1Pa的高真空)。此外，其他排气系统的阀维持关闭。另外，在将阀266与阀267关闭时，在关闭位于TMP265的上游侧的阀267关闭后，通过将阀266关闭，而稳定地维持TMP265的工作。
此外，在该工序中，也可以一边对处理容器202内进行排气，一边从惰性气体供给系统对处理容器202内供给作为惰性气体的N2气体。即，也可以通过一边用TMP265或DP278对处理容器202内进行排气，一边至少打开第三气体供给系统的阀245d，从而对处理容器202内供给N2气体
另外，在将晶片200载置到衬底载置台212上时，对被埋入衬底载置台212内部的加热器213供给电力,进行控制使得晶片200的表面成为规定的温度。晶片200的温度例如为室温以上且500℃以下，优选为室温以上且400℃以下。此时，通过基于由未图示的温度传感器检测到的温度信息而控制对加热器213的通电情况，从而调整加热器213的温度。
(成膜工序S104)
接下来，进行薄膜形成工序S104。以下，参照图5就成膜工序S104进行详细说明。此外，成膜工序S104为反复进行交替供给不同的处理气体的工序的循环处理。
(第一处理气体供给工序S202)
当对晶片200进行加热而到达所期望的温度时，打开阀243d，并且调整质量流控制器243c使得TiCl4气体的流量成为规定的流量。此外，TiCl4气体的供给流量为例如100sccm以上且5000sccm以下。此时，打开第三气体供给系统的阀245d，并从第三气体供给管245a供给N2气体。另外，也可以从第一惰性气体供给系统流动N2气体。另外，也可以在该工序之前，开始从第三气体供给管245a供给N2气体。
被供给到处理空间202的TiCl4气体被供给到晶片200上。在晶片200的表面，通过TiCl4气体接触晶片200之上而形成作为“含有第一元素层”的含钛层。。
与例如处理容器202内的压力、TiCl4气体的流量、衬托器(susceptor)217的温度、通过处理空间201花费的时间等相应地按规定厚度以及规定的分布形成含钛层。此外，也可以在晶片200上预先形成规定的膜。另外，也可以在晶片200或规定的膜上预先形成规定的图案。
从开始TiCl4气体的供给起经过规定时间后，关闭阀243d并停止TiCl4气体的供给。上述S202的工序中，如图7所示，阀275以及阀277打开，由APC276进行控制使得处理空间201的压力成为规定的压力。S202中，阀275以及阀277以外的排气系统的阀全部设为关闭。
(吹扫工序S204)
接下来，从第三气体供给管245a供给N2气体，并进行簇射头230以及处理空间201的吹扫。此时，阀275以及阀277也设为打开，也由APC276进行控制使得处理空间201的压力成为规定的压力。另一方面，阀275以及阀277以外的排气系统的阀全部设为关闭。由此，第一处理气体供给工序S202中无法结合于晶片200的TiCl4气体，由DP278经由排气管263从处理空间201去除。
接下来，从第三气体供给管245a供给N2气体并进行簇射头230的吹扫。此时的排气系统的阀，如图7中“SHP”所示，阀275以及阀277设为关闭，另一方面阀270设为打开。其他排气系统的阀保持关闭。即，在进行簇射头230的吹扫时，将处理空间201与APC276之间切换，并且将APC276与排气管264之间切断，停止由APC276进行的压力控制，另一方面将缓冲空间232与DP278之间连通。由此，残留在簇射头230(缓冲空间232)内的TiCl4气体，经由排气管262由DP278从簇射头230被排气。另外，此时，APC276的下游侧的阀277也可以设为打开。
当簇射头230的吹扫结束时，将阀277以及阀275设为打开以再次开始由APC276所进行的压力控制，并且将阀270设为关闭以将簇射头230与排气管264之间切断。其他排气系统的阀保持关闭。此时，还持续从第三气体供给管245a供给N2气体，持续进行簇射头230以及处理空间201的吹扫。此外，吹扫工序S204中，设为在经由排气管262的吹扫的前后进行经由排气管263的吹扫，但是也可以仅是经由排气管262的吹扫。另外，也可以设为同时进行经由排气管262的吹扫与经由排气管263的吹扫。
(第二处理气体供给工序S206)
吹扫工序S204后，打开阀244d以经由远程等离子体单元244e、簇射头230开始对处理空间201内供给等离子体状态的氨气。
此时，调整质量流控制器244c，使得氨气的流量成为规定的流量。此外，氨气的供给流量为例如100sccm以上且5000sccm以下。此外，也可以与氨气一起，从第二惰性气体供给系统作为运载气体流出N2气体。另外，另外，该工序中，也可以将第三气体供给系统的阀245d设为打开，从第三气体供给管245a供给N2气体。
等离子体状态的氨气被供给到晶片200上。已形成的含钛层被氨气的等离子体改性，从而在晶片200上形成例如含有钛元素以及氮元素的层。另一方面，从第一分散机构241供给的氨气也滞留于间隙232b。
改性层与例如处理容器203内的压力、含氮气体的流量、衬底载置台212的温度、远程等离子体单元244e的电力供给情况等相应地，按规定的厚度、规定的分布、规定的氮成分等相对于含钛层的侵入深度形成。
经过规定的时间后，也将阀244d关闭并停止氮气的供给。
S206中，也与上述S202同样地，将阀275以及阀277设为打开，通过APC276进行控制使得处理空间201的压力成为规定的压力。另外，阀275以及阀277以外的排气系统的阀全部设为关闭。
(吹扫工序S208)
接下来，执行与S204相同的吹扫工序。各部分的工作与利用S204说明了的相同，所以省略此处的说明。
(判定S210)
控制器280判定从第一处理气体供给工序S202到吹扫工序S208是否执行了规定次数(n次循环)。
在没有实施规定次数时(S210中否的情况下)，反复进行第一处理气体供给工序S202、吹扫工序S204、第二处理气体供给工序S206、吹扫工序S208的循环。在实施了规定次数时(S210中是的情况下)，结束图5所示的处理
回到图4的说明，接下来执行衬底送出工序S106。
(衬底送出工序S106)
衬底送出工序S106中，使衬底载置台212下降，并使晶片200被支承在从衬底载置台212的表面突出的提升销207上。由此，晶片200从处理位置变为输送位置。之后，将闸阀205打开，并用晶片移载机将晶片200向处理容器202外送出。此时，关闭阀245d，并停止从第三气体供给系统向处理容器202内供给惰性气体。
衬底送出工序S106中排气系统的各阀的工作，如图7所示。首先，在晶片200从处理位置移动至输送位置期间，将阀275和阀277设为关闭，停止由APC276进行压力控制。另一方面，将阀266和以及阀276设为打开，将输送空间203与DP278之间连通，由DP278对输送空间203进行排气。此时，其他排气系统的阀设为关闭。
接下来，当晶片200移动直至输送位置时，将阀266与阀267设为打开，利用TMP265(以及DP278)对输送空间203的气氛进行排气，从而将处理容器202维持在高真空(超高真空)状态(例如10－5Pa以下)，降低与同样被维持在高真空(超高真空)状态(例如10－6Pa以下)的移载室的压力差。该状态下将闸阀205打开，将晶片200从处理容器202向移载室送出。
(处理次数判定工序S108)
在送出晶片200后，判定薄膜形成工序是否达到了规定的次数。如果判定为达到了规定的次数，则转换到维护工序S110。如果判定为没有达到规定的次数，则开始对下一个待机的晶片200的处理，因此转换到衬底送入·载置工序S102。
(维护工序110)
接下来，进行维护工序。以下利用图6对维护工序的详情进行说明。
(清洁工序S302)
如果在处理次数判定工序S108中判断为薄膜形成工序达到了规定次数，则进行维护工序。维护工序中，拆分装置，按每个零件用清洁液进行清洁处理。清洁液使用例如含氟清洁液、纯水、乙醇等醇。含氟清洁液对于石英零件等很有用。另外，在金属系零件的情况下，使用纯水和醇等不会使金属腐食的清洁液。
如果在处理次数判定工序S108中判断为薄膜形成工序达到了规定次数，则关闭各阀以将气体的供给完全停止，并且停止除DP278外的泵的工作。之后，拆分装置。
本实施方式中，首先将第一分散机构241从共用气体供给管242以及盖231上拆下。接着，与气体导向件235一并将盖231从绝缘块233上拆下。进一步，使分散板234上升并拆下。
被拆下的盖231、绝缘块233、分散板234分别被浸渍于清洁液，清洁对象物被去除。
(烘烤工序S304)
如果清洁对象物被去除了，则用空气或N2的气流等吹送可目视的清洁液，进一步使用与本装置不同的烘烤处理用加热器对各零件进行烘烤处理，并使清洁液按一定程度的量蒸发。本实施例中，为了更为缩短停机时间，设为比通常的烘烤处理短的时间。
(组装/残留清洁液除去工序S306)
如果烘烤处理中清洁液一定程度地被去除了，则进行从上方顺序嵌入分散板234、绝缘部件233、盖231的组装作业。
本实施例中，为了实现停机时间的缩短而缩短烘烤处理时间，因此在各零件残留清洁液的可能性很高。因此，一般认为，在组装后的簇射头230之中，例如在空隙232b和/或间隙α等处也蓄积有残留清洁液。
在蓄积有残留清洁液的状态下进行成膜工序、例如形成不含氧成分的膜的情况下，要考虑到以下这样的问题。第一个问题是：第一处理气体供给工序S202中，含氧和/或氟等不同于处理气体的成分的残留清洁液在簇射头231内与含钛气体混合，其附着于金属含有层并促进金属含有层的氧化。混合后的残留清洁液的量少，因此成为在衬底表面氧化了的部位与未氧化部位混合存在的状态(斑点状态)，导致成品率降低。
其他的问题是：含有在第一处理气体供给工序S202中被氧化了的金属含有层的膜，有可能成分为非意图的电阻值，其结果，所形成的膜本身的电阻值有可能偏离所期望的范围。
进一步，其他问题是：未控制的量的氢或氧附着于金属含有层，所以在附着有氧成分的部分与未附着的部分膜的成分分布和/或膜密度不同，面内的膜特性的均匀性降低。
进一步，其他问题是：每次实施成膜工序逐渐去除残留清洁液，所以在组装后即刻处理的衬底和处理数张后再处理的衬底上，氧成分的附着量不同。因此，在每个批次中处理的衬底之间膜特性有差异。
另一方面，装置结构中，将簇射头内的残留成分从哪个排气系统排气是个问题。在从连接于处理空间或输送空间的排气管进行排气的情况下从分散孔234a进行排气，但是分散孔234a的排气流导小，因此排气会非常耗时。
因此，本实施方式中，从连接于簇射头的排气系统将残留清洁液去除。进一步，将用于去除簇射头中的残留清洁液的残留清洁液捕获器设置于簇射头排气系统。
为了如上述那样去除残留清洁液，本工序中具体进行下述的工作。
在晶片未载置于处理空间的状态下，将阀267、阀269、阀270、阀274、阀275关闭，将处理室设为大气开放。接着，将阀274设为打开，由DP278进行吸真空直至规定压力。吸真空完成后，起动涡轮分子泵273。如果涡轮分子泵变为额定旋转运转，起动冷阱272并持续运行。通过后述的方法使冷阱272工作直至变为规定的温度(绝对温度200K(开尔文)左右)。
与使冷阱272工作之前的上升作业并行地组装簇射头等。如果确认出包括簇射头在内的处理室的组装完成了，则将阀270设为打开、将阀274设为关闭，通过DP278对处理室进行吸真空直至达到规定圧力。如果处理室达到了规定压力，则将阀271设为打开。
在此关于冷阱272的冷却方法进行说明。冷阱272具有专用压缩机。在进行冷却时，对该专用压缩机供给氦气(He)使其压缩，对压缩后的He气体快速进行排气。若这样处理，则利用He气体的去热效果将低温面板(冷却面板)冷却。通过高速地重复该工作，而被冷却到绝对温度200K左右为止。带有在冷阱的冷却器被排气的热的He气体回到专用压缩机，在专用压缩机内通过循环的冷却介质循环去热，而且再次被压缩并被向冷阱供给。
由涡轮分子泵273吸引的气氛内的残留清洁液等，吸附于上述那样被冷却了的低温面板表面。
此外，在此，作为捕获部而使用冷阱272，但是在需要进行更高速排气和/或需要使处理室内成为更高真空等情况下，也可以取代冷阱与涡轮分子泵的组合，而使用低温泵。
但是，低温泵有下述这样的情况，因此存在停机时间变长这一问题。第一，低温泵具有与冷阱相比冷却至更低的极低温带的性质。这样一来，拓宽冷凝范围以扩大可捕获的成分。但是，存在冷却耗费时间这一问题。此外，所谓极低温是说例如15K以下。进一步，低温泵是采用气体贮藏式泵的冷却方式，所以需要将氮(N2)气体供给到泵内，使得低温泵内的温度快速回到急速以进行再生处理。因此，存在与冷阱相比维护作业长这一问题。进一步，残留的氮成分恐会逆流到处理室中。
另一方面，冷阱，虽然可捕获的分子与低温泵相比受到限制，但是不需要冷却至极低温。因此，能够用比低温泵短的时间冷却到所期望的温度。另外，再生处理中，上游侧的阀闭锁后停止冷阱、回到常温，并且通过涡轮分子泵的排气进行再生。进一步，没有供给氮气体的情况，因此不需要考虑氮成分的残留。
因此，在停机时间的缩短优选的情况和/或担忧氮成分的影响的情况下，使用冷阱与涡轮分子泵的组合。
另外，本实施方式中，使用二个涡轮分子泵(涡轮分子泵265、涡轮分子泵273)进行了说明，但是并不限于此，例如也可以设为共用涡轮分子泵。
此外，本工序中，装置组装后实施了残留成分捕获工序，但是不限于此，例如，也可以检测残留成分的浓度等，如果该浓度为阈值以上则实施残留成分捕获工序。该情况下，更高效的良好的停机时间控制成为可能。
进一步，本实施方式中，作为含有第一元素气体以Ticl4为例进行了说明，但是不限于此，只要是例如Zr和Hf等金属元素含有材料等、氧成分造成负面影响那样的材料即可。
以上，作为本发明的各种典型实施方式就成膜技术进行了说明，但是本发明不限定于这些实施方式。例如，也可以应用于进行上述例示的薄膜以外的成膜处理和/或、扩散处理、氮化处理、光刻处理等其他的衬底处理的情况。另外，本发明除退火处置装置外，也可以应用于薄膜形成装置、蚀刻装置、氮化处理装置、涂敷装置、加热装置等其他的衬底处理装置。另外，可以将某一个实施方式的结构的一部分置换成其他实施方式的结构，另外，也可以在某一实施方式的结构中追加其他实施方式的结构。另外，关于各实施方式的结构的一部分，也可以进行其他结构的追加、削除、置换。
(本发明的优选方式)
以下，附记本发明的优选方式。
〔附记1〕
一种衬底处理装置，其中，具有：
使气体分散的簇射头；
设置于所述簇射头的下游、并具有利用处理气体处理衬底的处理空间的处理容器；
连接于所述簇射头的气体供给部；
连接于所述簇射头的簇射头气体排气部；和
捕获所述簇射头内的不同于所述处理气体的成分的捕获部。
〔附记2〕
根据附记1所述记载的衬底处理装置，其中，
所述捕获部设置在所述簇射头气体排气部。
〔附记3〕
根据附记1或2所述记载的衬底处理装置，其中，
所述簇射头气体排气部具有：设置有簇射头排气用第一阀的第一排气管；和第二排气管，其连接于所述簇射头排气用第一阀的上游，并从上游起按顺序设置有簇射头排气用第二阀和所述捕获部。
〔附记4〕
根据附记1到3中任一项所述记载的衬底处理装置，其中，
在所述处理空间连接有具有设置有处理空间排气用第一阀的第三排气管的处理空间排气部。
〔附记5〕
根据附记1到4中任一项所述记载的衬底处理装置，其中，
所述簇射头具有设置有气体导向件的盖和将所供给的气体分散的分散部。
〔附记6〕
根据附记3所述记载的衬底处理装置，其中，
在所述第二排气管中在所述捕获部的下游设置有第一真空泵。
〔附记7〕
根据附记3到6中任一项所述记载的衬底处理装置，其中，
在所述第一排气管与所述第二排气管的下游连接有排气用共用排气管，在所述排气用共用排气管连接有能够在比所述第一真空泵高的压力范围内排气的第二真空泵。
〔附记8〕
根据附记1到7中任一项所述记载的衬底处理装置，其中，
所述气体供给部具有：供给原料气体的原料气体供给系统；供给与所述原料气体反应的反应气体的反应气体供给系统；和供给惰性气体的惰性气体供给系统。
〔附记9〕
根据附记3所述记载的衬底处理装置，其中，
进一步具有控制各结构的控制部，
所述控制部进行控制以进行成膜工序，
所述成膜工序包括：
在衬底处于所述处理空间的状态下，一边供给所述原料气体一边从所述处理空间用排气部对气氛进行排气的原料气体供给步骤；
一边供给所述反应气体一边从所述处理空间用排气部对气氛进行排气的反应气体供给步骤；和
在所述原料气体供给步骤与所述反应气体供给步骤之间，在将所述簇射头排气用第一阀设为打开、将所述簇射头排气用第二阀设为关闭的状态下，对所述簇射头的气氛进行排气的簇射头排气步骤，
进一步进行控制以进行捕获步骤，所述捕获步骤为在所述处理空间没有衬底的状态下，将所述簇射头排气用第一阀设为关闭、将所述簇射头排气用第二阀设为打开以捕获不同于所述处理气体的成分。
〔附记10〕
根据附记9所述记载的衬底处理装置，其中，
所述控制部进行控制，使得所述捕获部在所述捕获步骤期间工作。
〔附记11〕
一种半导体器件的制造方法，是将用簇射头分散了的气体供给到处理空间以处理衬底的半导体器件的制造方法，包括：
将用所述簇射头分散了的处理气体供给到处理空间以处理所述衬底的工序；
将所述衬底从处理空间送出的工序；和
捕获所述簇射头内的不同于所述处理气体的成分的工序。
〔附记12〕
一种程序，执行将用簇射头分散了的气体供给到处理空间以处理衬底的半导体器件的制造方法，
所述半导体器件的制造方法包括：
将用所述簇射头分散了的处理气体供给到处理空间以处理所述衬底的工序；
将所述衬底从处理空间送出的工序；和
捕获所述簇射头内的不同于所述处理气体的成分的工序。
〔附记13〕
一种计算机可读记录介质，其存储有下述程序，
所述程序执行将用簇射头分散了的气体供给到处理空间以处理衬底的半导体器件的制造方法，
所述半导体器件的制造方法包括：
将用所述簇射头分散了的处理气体供给到处理空间以处理所述衬底的工序；
将所述衬底从处理空间送出的工序；和
捕获所述簇射头内的不同于所述处理气体的成分的工序。
〔附记14〕
一种半导体器件的制造方法，是将用处理空间的上游侧的簇射头分散了的气体供给到所述处理空间以处理衬底的半导体器件的制造方法，包括
将衬底送入所述处理空间内的工序；
成膜工序，一边从所述簇射头供给气体，一边将设置在连接于所述簇射头的第一排气管上的簇射头排气用第一阀设为打开并且将设置在第二排气管上的所述簇射头排气用第二阀设为关闭以对所述处理空间的气氛进行排气，在所述衬底上进行成膜处理；
将所述衬底从处理空间送出的工序；和
在将所述簇射头排气用第一阀设为关闭的状态下，一边将所述簇射头第二排气阀设为打开，一边使设置在所述第二排气阀的下游的捕获部工作的工序。
〔附记15〕
一种程序，执行将用处理空间的上游侧的簇射头分散了的气体供给到所述处理空间以处理衬底的半导体器件的制造方法，
所述半导体器件的制造方法包括：
将衬底送入处理空间内的工序；
经由所述簇射头供给气体以在所述衬底上进行成膜处理的成膜工序；
将所述衬底从处理空间送出的工序；和
在所述处理空间内无衬底的情况下，使设置于所述簇射头排气部的捕获部工作的工序。
〔附记16〕
一种计算机可读记录介质，其存储有下述程序，
所述程序执行将用处理空间的上游侧的簇射头分散了的气体供给到所述处理空间以处理衬底的半导体器件的制造方法，
所述半导体器件的制造方法包括：
将衬底送入处理空间内的工序；
经由所述簇射头供给气体以在所述衬底上进行成膜处理的成膜工序；
将所述衬底从处理空间送出的工序；和
在所述处理空间内无衬底的情况下，使设置于所述簇射头排气部的捕获部工作的工序。
〔附记17〕
一种半导体器件的制造方法，是将用处理空间的上游侧的簇射头分散了的气体供给到所述处理空间以处理衬底的半导体器件的制造方法，包括：
将用所述簇射头分散了的气体供给到处理空间以处理所述衬底的衬底处理工序；
将所述衬底从处理空间送出的工序；
将所述衬底处理装置分解以用清洁药液进行清洁的清洁工序；和
捕获在组装所述衬底处理装置后残留于所述簇射头的清洁药液的残留成分的工序。

Claims (7)

1.一种衬底处理装置，其中，具有：
使气体分散的簇射头；
处理容器，设置于所述簇射头的下游、并具有利用处理气体处理衬底的处理空间；
连接于所述簇射头的气体供给部；
连接于所述簇射头的簇射头气体排气部；和
捕获所述簇射头内的不同于所述处理气体的成分的捕获部，
所述簇射头气体排气部具有：设置有簇射头排气用第一阀的第一排气管；和第二排气管，其连接于所述簇射头排气用第一阀的上游，并从上游起按顺序设置有簇射头排气用第二阀和所述捕获部，
在所述处理空间连接有处理空间排气部，所述处理空间排气部具有设置有处理空间排气用第一阀的第三排气管，
所述衬底处理装置进一步具有控制各结构的控制部，
所述控制部进行控制以进行如下的成膜工序，
所述成膜工序包括：
在衬底处于所述处理空间的状态下，一边供给原料气体一边从所述处理空间排气部对气氛进行排气的原料气体供给工序；
一边供给反应气体一边从所述处理空间排气部对气氛进行排气的反应气体供给工序；和
在所述原料气体供给工序与所述反应气体供给工序之间，在将所述簇射头排气用第一阀设为打开、将所述簇射头排气用第二阀设为关闭的状态下，对所述簇射头的气氛进行排气的簇射头排气工序，
进一步进行控制以进行捕获工序，所述捕获工序为在所述处理空间没有衬底的状态下，将所述簇射头排气用第一阀设为关闭、将所述簇射头排气用第二阀设为打开以捕获不同于所述处理气体的成分。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
所述簇射头具有设置有气体导向件的盖和将所供给的气体分散的分散部。
3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，
所述气体供给部具有：供给原料气体的原料气体供给系统；供给与所述原料气体反应的反应气体的反应气体供给系统；和供给惰性气体的惰性气体供给系统。
4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
在所述第二排气管中在所述捕获部的下游设置有第一真空泵。
5.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中，
在所述第一排气管与所述第二排气管的下游连接有排气用共用排气管，在所述排气用共用排气管连接有能够在比所述第一真空泵高的压力范围内排气的第二真空泵。
6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
所述控制部进行控制，使得所述捕获部在所述捕获工序期间工作。
7.一种半导体器件的制造方法，是将用簇射头分散了的处理气体供给到处理空间以处理衬底的半导体器件的制造方法，包括：成膜工序和捕获工序，
所述成膜工序包括：
在衬底处于所述处理空间的状态下，一边供给原料气体一边从处理空间排气部对气氛进行排气的原料气体供给工序；一边供给反应气体一边从所述处理空间排气部对气氛进行排气的反应气体供给工序；和在所述原料气体供给工序与所述反应气体供给工序之间，在将簇射头排气用第一阀设为打开、将簇射头排气用第二阀设为关闭的状态下，对所述簇射头的气氛进行排气的簇射头排气工序，
所述捕获工序为在所述处理空间没有衬底的状态下，将所述簇射头排气用第一阀设为关闭、将所述簇射头排气用第二阀设为打开以捕获不同于所述处理气体的成分。
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