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CN105204244B - 像素电极结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种像素电极结构，通过将位于第一、第二、第三、第四电极中间的“十”字形区域的电极设计成数个间隔分布且呈V形的子电极，使得该数个子电极之间形成狭缝，从而调整位于该“十”字形区域的液晶分子的导向，使其与对应于所述第一、第二、第三、第四电极区域的液晶分子导向一致，从而减少液晶显示面板的每个子像素中的“十”字形暗纹，增大透光区域，提升产品的穿透率和显示品质。

Description

像素电极结构
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电极结构。
背景技术
主动式薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-LCD，TFT-LCD)近年来得到了飞速的发展和广泛的应用。就目前主流市场上的TFT-LCD显示面板而言，可分为三种类型，分别是扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic，STN)型，平面转换(In-Plane Switching，IPS)型、垂直配向(Vertical Alignment，VA)型、及高垂直配向(High Vertical Alignment，HVA)型。
通常液晶显示装置包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组(Backlight module)。其中，液晶面板的结构主要是由一薄膜晶体管阵列基板(Thin FilmTransistor Array Substrate，TFT Array Substrate)、一彩色滤光片基板(Color FilterSubstrate，CF Substrate)、以及配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
HVA型显示器的制程中，一般通过特定的光罩对TFT基板与CF基板上的配向膜进行曝光配向，TFT/CF基板的配向膜曝光制程中，TFT/CF基板的配向膜在特定区域会交叉重覆曝光，重覆曝光的区域因上下配向膜的偏光角度形成暗纹，如图1所示，所述暗纹100通常呈“十”字形，且位于每个子像素200的中央，从而影响了液晶显示面板的穿透率以及显示效果。
发明内容
本发明的目的在于提供一种像素电极结构，可减少液晶显示面板的每个子像素中的“十”字形暗纹，增大透光区域，提升产品的穿透率和显示品质。
为实现上述目的，本发明提供一种像素电极结构，包括第一、第二、第三、第四电极、连接在第一与第二电极之间的第五电极、连接在第一与第三电极之间的第六电极、连接在第二与第四电极之间的第七电极、连接在第三与第四电极之间的第八电极、及位于第一至第八电极围起的中间位置的第九电极；
所述第五至第八电极分别包括数个平行且间隔设置的第一、第二、第三、第四子电极，所述第一、第二、第三、第四子电极均呈V形，且所述第一、第二、第三、第四子电极的V形开口均朝向第五至第八电极围起的中心位置；所述第九电极呈封闭的四边形。
所述第一子电极包括垂直连接的第一条形电极与第二条形电极；
所述第二子电极包括垂直连接的第三条形电极与第四条形电极；
所述第三子电极包括垂直连接的第五条形电极与第六条形电极；
所述第四子电极包括垂直连接的第七条形电极与第八条形电极；
其中，所述第五条形电极和第六条形电极与水平方向的夹角分别为45°和-45°，所述第二、第三、第五、第八条形电极的延伸方向相互平行，所述第一、第四、第六、第七条形电极的延伸方向相互平行。
所述第五、第六、第七、第八、第九电极形成十字形区域。
所述第五、第六、第七、第八电极的宽度相同。
所述第五、第六、第七、第八电极的宽度均为3μm。
所述第一、第二、第三、第四子电极的宽度相同。
所述第一、第二、第三、第四子电极的宽度均为2.5μm。
所述第一、第二、第三、第四子电极之间分别形成第一、第二、第三、第四狭缝，所述第一、第二、第三、第四狭缝的宽度相同。
所述第一、第二、第三、第四电极均为整块电极。
所述第九电极呈菱形，对应所述第五至第八电极中第一、第二、第三、第四子电极的V形设置。
本发明的有益效果：本发明的像素电极结构，通过将位于第一、第二、第三、第四电极中间的“十”字形区域的电极设计成数个间隔分布且呈V形的子电极，使得该数个子电极之间形成狭缝，从而调整位于该“十”字形区域的液晶分子的导向，使其与对应于所述第一、第二、第三、第四电极区域的液晶分子导向一致，从而减少液晶显示面板的每个子像素中的“十”字形暗纹，增大透光区域，提升产品的穿透率和显示品质。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的液晶显示面板的子像素中出现“十”字形暗纹的示意图；
图2为本发明的像素电极结构的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2，本发明提供一种像素电极结构，包括第一、第二、第三、第四电极3、4、5、6、连接在第一与第二电极3、4之间的第五电极21、连接在第一与第三电极3、5之间的第六电极12、连接在第二与第四电极4、6之间的第七电极11、连接在第三与第四电极5、6之间的第八电极22、及位于第一至第八电极3、4、5、6、21、12、11、22围起的中间位置的第九电极2。
具体的，所述第五至第八电极分别包括数个平行且间隔设置的第一、第二、第三、第四子电极211、121、111、221，所述第一、第二、第三、第四子电极211、121、111、221均呈V形，且所述第一、第二、第三、第四子电极211、121、111、221的V形开口均朝向第五至第八电极21、12、11、22围起的中心位置。所述第九电极2呈封闭的四边形。
具体的，所述第一子电极211包括垂直连接的第一条形电极2101与第二条形电极2102。所述第二子电极121包括垂直连接的第三条形电极1201与第四条形电极1202。所述第三子电极111包括垂直连接的第五条形电极1101与第六条形电极1102。所述第四子电极221包括垂直连接的第七条形电极2201与第八条形电极2202。
其中，所述第五条形电极1101和第六条形电极1102与水平方向的夹角分别为45°和-45°，所述第二、第三、第五、第八条形电极2102、1201、1101、2202的延伸方向相互平行，所述第一、第四、第六、第七条形电极2101、1202、1102、2201的延伸方向相互平行。
具体的，所述第五、第六、第七、第八、第九电极21、12、11、22、2形成十字形区域，对应液晶显示面板的每个子像素中易形成“十”字形暗纹的区域。
具体的，所述第五、第六、第七、第八电极21、12、11、22的宽度相同。优选的，所述第五、第六、第七、第八电极21、12、11、22的宽度均为3μm。
具体的，所述第一、第二、第三、第四子电极211、121、111、221的宽度相同。优选的，所述第一、第二、第三、第四子电极211、121、111、221的宽度均为2.5μm。
具体的，所述第一、第二、第三、第四子电极211、121、111、221之间分别形成第一、第二、第三、第四狭缝31、32、33、34，所述第一、第二、第三、第四狭缝31、32、33、34的宽度相同。优选的，所述第一、第二、第三、第四狭缝31、32、33、34的宽度均为3.5μm。所述第一、第二、第三、第四狭缝31、32、33、34可调整位于所述第五、第六、第七、第八、第九电极21、12、11、22、2所形成的十字形区域的液晶分子的导向，使其与对应于所述第一、第二、第三、第四电极3、4、5、6区域的液晶分子导向一致，从而减少液晶显示面板的每个子像素中的“十”字形暗纹。
具体的，所述第一、第二、第三、第四电极3、4、5、6均为整块电极，呈矩形。
具体的，所述第九电极2呈菱形，对应所述第五至第八电极21、12、11、22中第一、第二、第三、第四子电极211、121、111、221的V形设置。
综上所述，本发明的像素电极结构，通过将位于第一、第二、第三、第四电极中间的“十”字形区域的电极设计成数个间隔分布且呈V形的子电极，使得该数个子电极之间形成狭缝，从而调整位于该“十”字形区域的液晶分子的导向，使其与对应于所述第一、第二、第三、第四电极区域的液晶分子导向一致，从而减少液晶显示面板的每个子像素中的“十”字形暗纹，增大透光区域，提升产品的穿透率和显示品质。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种像素电极结构，其特征在于，包括第一、第二、第三、第四电极(3、4、5、6)、连接在第一与第二电极(3、4)之间的第五电极(21)、连接在第一与第三电极(3、5)之间的第六电极(12)、连接在第二与第四电极(4、6)之间的第七电极(11)、连接在第三与第四电极(5、6)之间的第八电极(22)、及位于第一至第八电极(3、4、5、6、21、12、11、22)围起的中间位置的第九电极(2)；
所述第五至第八电极分别包括数个平行且间隔设置的第一、第二、第三、第四子电极(211、121、111、221)，所述第一、第二、第三、第四子电极(211、121、111、221)均呈V形，且所述第一、第二、第三、第四子电极(211、121、111、221)的V形开口均朝向第五至第八电极(21、12、11、22)围起的中心位置；所述第九电极(2)呈封闭的四边形；
所述第五电极(21)中的数个第一子电极(211)之间互不连接，所述第六电极(12)中的数个第二子电极(121)之间互不连接，所述第七电极(11)中的数个第三子电极(111)之间互不连接，所述第八电极(22)中的数个第四子电极(221)之间互不连接，所述第九电极(2)与所述第五至第八电极(21、12、11、22)均不连接。
2.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述第一子电极(211)包括垂直连接的第一条形电极(2101)与第二条形电极(2102)；
所述第二子电极(121)包括垂直连接的第三条形电极(1201)与第四条形电极(1202)；
所述第三子电极(111)包括垂直连接的第五条形电极(1101)与第六条形电极(1102)；
所述第四子电极(221)包括垂直连接的第七条形电极(2201)与第八条形电极(2202)；
其中，所述第五条形电极(1101)和第六条形电极(1102)与水平方向的夹角分别为45°和-45°，所述第二、第三、第五、第八条形电极(2102、1201、1101、2202)的延伸方向相互平行，所述第一、第四、第六、第七条形电极(2101、1202、1102、2201)的延伸方向相互平行。
3.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述第五、第六、第七、第八、第九电极(21、12、11、22、2)形成十字形区域。
4.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述第五、第六、第七、第八电极(21、12、11、22)的宽度相同。
5.如权利要求4所述的像素电极结构，其特征在于，所述第五、第六、第七、第八电极(21、12、11、22)的宽度均为3μm。
6.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述第一、第二、第三、第四子电极(211、121、111、221)的宽度相同。
7.如权利要求6所述的像素电极结构，其特征在于，所述第一、第二、第三、第四子电极(211、121、111、221)的宽度均为2.5μm。
8.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述第一、第二、第三、第四子电极(211、121、111、221)之间分别形成第一、第二、第三、第四狭缝(31、32、33、34)，所述第一、第二、第三、第四狭缝
(31、32、33、34)的宽度相同。
9.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述第一、第二、第三、第四电极(3、4、5、6)均为整块电极。
10.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述第九电极(2)呈菱形，对应所述第五至第八电极(21、12、11、22)中第一、第二、第三、第四子电极(211、121、111、221)的V形设置。
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