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CN105163498B - 线路板的加工方法 - Google Patents

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CN105163498B
CN105163498B CN201510540113.5A CN201510540113A CN105163498B CN 105163498 B CN105163498 B CN 105163498B CN 201510540113 A CN201510540113 A CN 201510540113A CN 105163498 B CN105163498 B CN 105163498B
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Abstract

本发明公开了一种线路板的加工方法,其特征在于,在线路板的至少一个表面设置膜;采用激光钻孔机钻穿所述膜后对线路板进行钻孔。本发明提供的线路板加工方法,在采用激光钻孔机对线路板进行钻孔之前,在线路板表面设置膜。激光钻孔机发射的激光钻穿膜后,再对线路板进行钻孔。因为线路板能够吸收到的激光的能量越小,其形成的窗或孔的孔径就越小,所以激光钻孔机发射的激光钻穿膜后再对线路板进行钻孔在线路板上形成的窗或孔的孔径较激光钻孔机发射的激光直接对线路板进行钻孔在线路板上形成的窗或孔的孔径减小,以实现孔朝向孔径更小的方向发展,从而满足电子产品高密度、多功能、高可靠性的发展要求。

Description

线路板的加工方法
技术领域
本发明涉及线路板制造领域,特别涉及一种线路板的加工方法。
背景技术
线路板作为提供电子零组件安装与插接时主要的支撑体,是所有电子产品不可或缺的部分。近年来信息、通讯、以及消费性电子产品制造业已成为全球成长最快速的产业之一,电子产品日新月异,并朝着体积小,质量轻,功能复杂的方向不断发展,这对线路板提出了更高的要求。传统的线路板和封装载板制造方法,通过减小板面导电线路的线宽或线距来提高板线路密度,以适应电子产品向更轻、更小的方向发展。但线宽或线距的减小量有限,仅通过提高板面线路密度已无法满足电子产品的发展需求,故高密度互连技术(HighDensity Interconnect Technology,HDI)应运而生。高密度互连线技术将多层线路叠加层压,制造出薄型、多层、稳定的高密度互连线路板。其中叠加层压在一起的线路需实现层与层之间的导通才可起到提高板线路密度的作用。
高密度互连线路板中各层导电层通过填充有导电材料的孔实现电路的导通。随着电子产品高密度、多功能、高可靠性的发展趋势,用于实现电路导通的孔也朝向孔径更小的方向发展。但目前市场上常用的钻孔设备所能形成的孔径有限,大大制约了孔朝向孔径更小的方向发展。如二氧化碳激光钻孔机,目前可发射的最小激光光斑直径为50um,且采用光斑直径为50um的二氧化碳激光钻得的孔径不会保持在50um,而会增大为70um。也就是说,目前采用二氧化碳激光钻孔机所能钻得的最小孔径为70um。又如UV激光钻孔机,目前可钻得的最小孔径为30um。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足,提供一种可缩小激光钻孔机在线路板上的钻孔孔径的线路板加工方法。
为实现以上目的,本发明通过以下技术方案实现:
线路板的加工方法,其特征在于,在线路板的至少一个表面设置膜;采用激光钻孔机钻穿所述膜后对线路板进行钻孔。
优选地是,线路板包括至少一层绝缘材料层;绝缘材料层具有相对设置的第一表面和第二表面;第一表面覆盖有第一导电层,第二表面上覆盖有第二导电层;绝缘材料层将第一导电层和第二导电层绝缘隔开;在第一导电层和第二导电层之一或两者的表面设置所述膜。
优选地是,线路板上的第一导电层或第二导电层上设有窗;所述窗采用蚀刻工艺形成;所述膜覆盖所述窗;激光钻孔机发射的激光钻穿所述膜后,穿过所述窗对绝缘材料层进行钻孔,使绝缘材料层上形成第一孔;所述第一孔贯穿绝缘材料层。
优选地是,所述第一孔在绝缘材料层的第一表面设有第一开口,在绝缘材料层的第二表面设有第二开口;所述第一开口和所述第二开口中的一个与所述窗对应,另一个被第一导电层或第二导电层覆盖;所述第一孔的孔径自第一表面和第二表面中的一个向另一个递减。
优选地是,线路板上的第一导电层和第二导电层上均设有窗;所述窗采用蚀刻工艺形成;第一导电层和第二导电层的表面均设有所述膜;所述膜覆盖所述窗;激光钻孔机发射的激光钻穿第一导电层表面的膜后,穿过第一导电层上的窗对绝缘材料层进行钻孔,形成第二孔;激光钻孔机发射的激光钻穿第二导电层表面的膜后,穿过第二导电层上的第二窗对绝缘材料层进行钻孔,形成第三孔;第二孔和第三孔连通,形成通孔。
优选地是,所述第二孔在绝缘材料层的第一表面设有第三开口;所述第三开口与其中一个所述窗对应;所述第二孔的孔径自绝缘材料层的第一表面向绝缘材料层的第一表面和第二表面之间递减;所述第三孔在绝缘材料层的第二表面设有第四开口;所述第四开口与另一个所述窗对应;所述第三孔的孔径自绝缘材料层的第二表面向绝缘材料层的第一表面和第二表面之间递减。
优选地是,将所述膜剥离后,采用导电材料填充所述第一孔或所述通孔;所述第一孔或所述通孔内的导电材料将第一导电层和第二导电层连通。
优选地是,所述第一导电层为第一铜箔;所述第二导电层为第二铜箔。
优选地是,所述激光钻孔机为二氧化碳激光钻孔机或UV激光钻孔机。
优选地是,所述膜由可吸收二氧化碳激光或UV激光的有机化合物制得。
优选地是,所述可吸收二氧化碳激光或UV激光的有机化合物选自聚酯树脂、环氧树脂或感光油墨。
本发明提供的线路板加工方法,在采用激光钻孔机对线路板进行钻孔之前,在线路板表面设置膜。激光钻孔机发射的激光钻穿膜后,再对线路板进行钻孔。由于激光钻孔机发射出的激光最先与线路板表面设置的膜接触。膜吸收激光的部分能量后被钻穿,钻穿膜后的激光能量减弱。线路板吸收钻穿膜后的激光,形成窗或孔。因为线路板能够吸收到的激光的能量越小,其形成的窗或孔的孔径就越小,所以激光钻孔机发射的激光钻穿膜后再对线路板进行钻孔在线路板上形成的窗或孔的孔径较激光钻孔机发射的激光直接对线路板进行钻孔在线路板上形成的窗或孔的孔径减小,以实现孔朝向孔径更小的方向发展,从而满足电子产品高密度、多功能、高可靠性的发展要求。
进一步地,可通过调整设置在线路板表面的膜的厚度值,来控制膜对激光钻孔机发射出的激光的能量吸收值,从而控制可被线路板吸收到的激光的能量值,从而实现对激光在线路板上钻得的窗或孔的孔径大小的控制。线路板表面设置的膜的厚度越厚,激光钻孔机发射的激光钻穿膜后在线路板上钻得的窗或孔的孔径越小。
附图说明
图1为实施例1中线路板的结构剖视图;
图2为实施例1中第二步的结构示意图;
图3为实施例1中第三步的结构示意图;
图4为实施例1中第四步的结构示意图;
图5为实施例2中线路板的结构剖视图;
图6为实施例2中第二步的结构示意图;
图7为实施例2中第三步的结构示意图;
图8为实施例2中第四步的结构示意图;
图9为实施例3中线路板的结构剖视图;
图10为实施例3中第二步的结构示意图;
图11为实施例3中第三步的结构示意图;
图12为实施例3中第四步的结构示意图;
图13为实施例4中第二步的结构示意图;
图14为实施例4中第三步的结构示意图;
图15为实施例4中第四步的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行详细的描述:
实施例1
线路板的加工方法,包括如下步骤:
第一步,如图1所示,提供一线路板1。线路板1包括一层绝缘材料层11。绝缘材料层11具有相对设置的第一表面111和第二表面112。第一表面111覆盖有第一导电层12,第一导电层12为第一铜箔。第二表面112上覆盖有第二导电层13,第二导电层13为第二铜箔。第一导电层12和第二导电层13被绝缘材料层11绝缘隔开。第一导电层12上设有窗14。窗14贯穿第一导电层12。窗14是采用线路板制造领域中常规的蚀刻工艺对线路板1上的第一导电层12进行蚀刻处理得到。
第二步,如图2所示,在第一导电层12的表面设置膜2,使膜2覆盖窗14。膜2由有机化合物制得,有机化合物选自聚酯树脂、环氧树脂或感光油墨。
第三步,提供二氧化碳激光钻孔机。如图3所示,二氧化碳激光钻孔机发射的二氧化碳激光钻穿膜2后,穿过窗14对绝缘材料层11进行钻孔,并在绝缘材料层11上形成第一孔113。第一孔113贯穿绝缘材料层11。第一孔113在绝缘材料层11的第一表面111设有第一开口01,第一开口01与窗14对应。第一孔113在绝缘材料层11的第二表面112上设有第二开口02,第二开口02被第二导电层13覆盖。第一孔113的孔径自第一表面111向第二表面112递减。
二氧化碳激光钻孔机发射的二氧化碳激光最先与第一导电层12表面设置的膜2接触。由有机化合物制得的膜2吸收二氧化碳激光的部分能量后,被钻穿。钻穿膜2后的二氧化碳激光能量减弱,穿过窗14后与绝缘材料层11接触。绝缘材料层11吸收二氧化碳激光剩余的能量,形成第一孔113。因为绝缘材料层11能够吸收到的二氧化碳激光的能量越小,其形成的第一孔113的孔径越小,所以,二氧化碳激光钻孔机发射的二氧化碳激光钻穿膜2后再对绝缘材料层11进行钻孔得到的第一孔113的孔径较二氧化碳激光钻孔机发射的二氧化碳激光直接对绝缘材料层11进行钻孔得到的孔的孔径减小。如,二氧化碳激光钻孔机发射出的光斑直径为50um的二氧化碳激光直接对绝缘材料层11进行钻孔,在绝缘材料层11上形成孔径为70um的孔。而二氧化碳激光钻孔机发射出的光斑直径为50um的二氧化碳激光先钻穿膜2,然后穿过窗14对绝缘材料层11进行钻孔,即可将在绝缘材料层11上形成的第一孔113的孔径降低至≤50um,以实现孔朝向孔径更小的方向发展,以满足电子产品高密度、多功能、高可靠性的发展要求。
建立计算模型:第一孔113上孔径/膜2上形成的孔径=[1/(1-M)*绝缘材料层11的厚度]/[1/(1-M)*绝缘材料层11的厚度+第一导电层12的厚度+膜2的厚度]。于是得到:膜2的厚度=[1/(1-M)]*绝缘材料层11的厚度*(膜2上形成的孔径-第一孔113上孔径)/第一孔113上孔径-第一导电层12的厚度。其中M为第一孔113下孔径和第一孔113上孔径的比值。一般M≥0.8,可避免钻孔时产生的绝缘材料残留在第一孔113内而堵塞第一孔113,从而确保第一孔113贯穿绝缘材料层11。当已知M、绝缘材料层11的厚度、膜2上形成的孔径、第一孔113上孔径和第一导电层12的厚度值时,即可通过上述公式计算出需要设置在第一导电层12表面的膜2的厚度,以在绝缘材料层11上加工出孔径符合要求的第一孔113。
也就是说,可通过调整第一导电层12表面的膜2的厚度值,来控制膜2对二氧化碳激光钻孔机发射出的二氧化碳激光的能量吸收值,从而控制穿过窗14的可被绝缘材料层11吸收到的二氧化碳激光的能量值,从而实现对二氧化碳激光在绝缘材料层11上钻得的第一孔113的孔径大小的控制。第一导电层12上设置的膜2的厚度越厚,二氧化碳激光钻孔机发射的二氧化碳激光钻穿膜2后,穿过窗14在绝缘材料层11上钻得的孔的孔径越小。
第四步,如图4所示,将膜2剥离,并采用导电材料3填充第一孔113,通过第一孔113内的导电材料3将第一导电层12和第二导电层13连通,实现不同导电层之间的互连。
实施例2
线路板的加工方法,包括如下步骤:
第一步,如图5所示,提供一线路板1。线路板1包括一层绝缘材料层11。绝缘材料层11具有相对设置的第一表面111和第二表面112。第一表面111覆盖有第一导电层12,第二表面112上覆盖有第二导电层13。第一导电层12为第一铜箔。第二导电层13为第二铜箔。第一导电层12和第二导电层13被绝缘材料层11绝缘隔开。第一导电层12和第二导电层上分别形成窗。第一导电层12上的的窗为第一窗15,第一窗15贯穿第一导电层12。第二导电层13上的窗为第二窗16,第二窗16贯穿第二导电层13。第一窗15和第二窗16为采用线路板制造领域中常规的蚀刻工艺对第一导电层12和第二导电层13进行蚀刻处理得到
第二步,如图6所示,在第一导电层12的表面设置膜2,使膜2覆盖第一窗15。在第二导电层13的表面设置膜2,使膜2覆盖第二窗16。膜2由有机化合物制得,有机化合物选自聚酯树脂、环氧树脂或感光油墨。
第三步,提供二氧化碳激光钻孔机。如图7所示,二氧化碳激光钻孔机发射的二氧化碳激光钻穿第一导电层12上的膜2后,穿过第一窗15对绝缘材料层11进行钻孔,形成第二孔114。第二孔114在绝缘材料层11的第一表面111设有第三开口03,第三开口03与第一窗15对应。第二孔114的孔径自第一表面111向第一表面111和第二表面112之间递减。二氧化碳激光钻孔机发射的二氧化碳激光钻穿第二导电层13上的膜2后,穿过第二窗15对绝缘材料层11进行钻孔,形成第三孔115。第三孔115在绝缘材料层11的第二表面112设有第四开口04,第四开口04与第二窗16对应。第三孔115的孔径自第二表面112向第一表面111和第二表面112之间递减。第二孔114和第三孔115连通,形成通孔。
二氧化碳激光钻孔机发射的二氧化碳激光最先与第一导电层12或第二导电层13表面设置的膜2接触。由有机化合物制得的膜2吸收二氧化碳激光的部分能量后,被钻穿。钻穿膜2后的二氧化碳激光能量减弱,穿过第一窗15或第二窗16后与绝缘材料层11接触。绝缘材料层11吸收二氧化碳激光剩余的能量,形成第二孔114或第三孔115。因为绝缘材料层11能够吸收到的二氧化碳激光的能量越小,其形成的第二孔114或第三孔115的孔径越小,所以,二氧化碳激光钻孔机发射的二氧化碳激光钻穿膜2后再对绝缘材料层11进行钻孔得到的第二孔114或第三孔115的孔径较二氧化碳激光钻孔机发射的二氧化碳激光直接对绝缘材料层11进行钻孔得到的孔的孔径减小。如,二氧化碳激光钻孔机发射出的光斑直径为50um的二氧化碳激光直接对绝缘材料层11进行钻孔,在绝缘材料层11上形成孔径为70um的孔。而二氧化碳激光钻孔机发射出的光斑直径为50um的二氧化碳激光先钻穿膜2,然后穿过第一窗15或第二窗16对绝缘材料层11进行钻孔,即可将在绝缘材料层11上形成的第二孔114或第三孔115的孔径降低至≤50um,以实现孔朝向孔径更小的方向发展,以满足电子产品高密度、多功能、高可靠性的发展要求。
建立计算模型:第二孔114上孔径/膜2上形成的孔径=[1/(1-M)*绝缘材料层11的厚度]/[1/(1-M)*绝缘材料层11的厚度+第一导电层12的厚度+膜2的厚度]。于是得到:膜2的厚度=[1/(1-M)]*绝缘材料层11的厚度*(膜2上形成的孔径-第二孔114上孔径)/第二孔114上孔径-第一导电层12的厚度。第三孔115上孔径/膜2上形成的孔径=[1/(1-M)*绝缘材料层11的厚度]/[1/(1-M)*绝缘材料层11的厚度+第二导电层13的厚度+膜2的厚度]。于是得到:膜2的厚度=[1/(1-M)]*绝缘材料层11的厚度*(膜2上形成的孔径-第三孔115上孔径)/第三孔115上孔径-第二导电层13的厚度。其中M为第二孔114下孔径和第二孔114上孔径的比值或第三孔115下孔径和第三孔115上孔径的比值。一般M≥0.8,可避免钻孔时产生的绝缘材料残留在第二孔114和第三孔115内而堵塞第二孔114和第三孔115,从而确保第二孔114和第三孔115贯穿绝缘材料层11。当已知M、绝缘材料层11的厚度、膜2上形成的孔径、第二孔114或第三孔115上孔径和第一导电层12或第二导电层13的厚度值时,即可通过上述公式计算出需要设置在第一导电层12表面的膜2的厚度,以在绝缘材料层11上加工出孔径符合要求的第二孔114和第三孔115。
也就是说,可通过调整膜2的厚度值,来控制膜2对二氧化碳激光钻孔机发射出的二氧化碳激光的能量吸收值,从而控制穿过第一窗15或第二窗16的可被绝缘材料层11吸收到的二氧化碳激光的能量值,从而实现对二氧化碳激光在绝缘材料层11上钻得的第二孔114或第三孔115的孔径大小的控制。第一导电层12和第二导电层13上设置的膜2的厚度越厚,二氧化碳激光钻孔机发射的二氧化碳激光钻穿膜2后,穿过第一窗15或第二窗16在绝缘材料层11上钻得的第二孔114或第三孔115的孔径越小。
第四步,如图8所示,采用导电材料3填充通孔,通过通孔内的导电材料3将第一导电层12和第二导电层13连通,实现不同导电层之间的互连。
实施例3
第一步,如图9所示,提供一线路板1。线路板1包括一层绝缘材料层11。绝缘材料层11具有相对设置的第一表面111和第二表面112。第一表面111覆盖有第一导电层12,第二表面112上覆盖有第二导电层13。第一导电层12为第一铜箔。第二导电层13为第二铜箔。第一导电层12和第二导电层13被绝缘材料层11绝缘隔开。
第二步,如图10所示,在第一导电层12的表面设置膜2。膜2由有机化合物制得,有机化合物选自聚酯树脂、环氧树脂或感光油墨。
第三步,提供UV激光钻孔机。如图11所示,UV激光钻孔机发射的UV激光钻穿膜2后,对线路板进行钻孔。由于铜箔对UV激光的吸收能力好,故在设置膜2之前,无需采用蚀刻工艺在第一导电层12上预先蚀刻出窗。UV激光可将第一导电层12钻透,在第一导电层12上形成窗14,然后对绝缘材料层11进行钻孔,在绝缘材料层11上形成第一孔113。第一孔113在绝缘材料层11的第一表面111上设有第一开口01,第一开口01与窗14对应。第一孔113在绝缘材料层11的第二表面112上设有第二开口02,第二开口02被第二导电层13覆盖。第一孔113的孔径自第一表面111向第一表面111和第二表面112之间递减。
UV激光钻孔机发射的UV激光最先与第一导电层12表面设置的膜2接触。由有机化合物制得的膜2吸收UV激光的部分能量后,被钻穿。钻穿膜2后的UV激光能量减弱,与线路板1接触。线路板1吸收UV激光剩余的能量,第一导电层12形成窗14,绝缘材料层11形成第一孔113。因为线路板1能够吸收到的UV激光的能量越小,其形成的窗14及第一孔113的孔径越小,所以,UV激光钻孔机发射的UV激光钻穿膜2后再对线路板1进行钻孔得到的窗14及第一孔113的孔径较UV钻孔机发射的UV激光直接对线路板1进行钻孔得到的窗及孔的孔径减小。如,UV激光钻孔机发射出的光斑直径为30um的二氧化碳激光直接对线路板1进行钻孔,在第一导电层12上形成孔径为30um的窗,在绝缘材料层11上形成孔径为30um的孔。而UV激光钻孔机发射出的光斑直径为30um的UV激光先钻穿膜2,然后对线路板1进行钻孔,即可将在第一导电层12上形成的窗14及在绝缘材料层11上形成第一孔113的孔径降低至<30um,以实现孔朝向孔径更小的方向发展,以满足电子产品高密度、多功能、高可靠性的发展要求。
建立计算模型:第一孔113上孔径/膜2上形成的孔径=[1/(1-M)*绝缘材料层11的厚度]/[1/(1-M)*绝缘材料层11的厚度+第一导电层12的厚度+膜2的厚度]。于是得到:膜2的厚度=[1/(1-M)]*绝缘材料层11的厚度*(膜2上形成的孔径-第一孔113上孔径)/第一孔113上孔径-第一导电层12的厚度。其中M为第一孔113下孔径和第一孔113上孔径的比值。一般M≥0.8,可避免钻孔时产生的绝缘材料残留在第一孔113内而堵塞第一孔113,从而确保第一孔113贯穿绝缘材料层11。当已知M、绝缘材料层11的厚度、膜2上形成的孔径、第一孔113上孔径和第一导电层12的厚度值时,即可通过上述公式计算出需要设置在第一导电层12表面的膜2的厚度,以在绝缘材料层11上加工出孔径符合要求的第一孔113。
也就是说,可通过调整第一导电层12表面的膜2的厚度值,来控制膜2对UV激光钻孔机发射出的UV激光的能量吸收值,从而控制可被线路板1吸收到的UV激光的能量值,从而实现对UV激光在第一导电层12上钻得的窗14及在绝缘材料层11上钻得的第一孔113的孔径大小的控制。第一导电层12上设置的膜2的厚度越厚,UV激光钻孔机发射的UV激光钻穿膜2后,在第一导电层12上钻得的窗及在绝缘材料层11上钻得的孔的孔径越小。
第四步,如图12所示,采用导电材料3填充通孔,通过通孔内的导电材料3将第一导电层12和第二导电层13连通,实现不同导电层之间的互连。
实施例4
线路板的加工方法,包括如下步骤:
第一步,如图9所示,提供一线路板1。线路板1包括一层绝缘材料层11。绝缘材料层11具有相对设置的第一表面111和第二表面112。第一表面111覆盖有第一导电层12,第二表面112上覆盖有第二导电层13。第一导电层12为第一铜箔。第二导电层13为第二铜箔。第一导电层12和第二导电层13被绝缘材料层11绝缘隔开。
第二步,如图13所示,在第一导电层12的表面设置一层膜2。在第二导电层13的表面也设置一层膜2。膜2由有机化合物制得,有机化合物选自聚酯树脂、环氧树脂或感光油墨。
第三步,提供UV激光钻孔机。如图14所示,UV激光钻孔机发射的UV激光钻穿第一导电层12上的膜2后,对线路板1进行钻孔。由于铜箔对UV激光的吸收能力好,故在设置膜2之前,无需采用蚀刻工艺在第一导电层12上预先蚀刻出窗。UV激光可将第一导电层12钻透,在第一导电层12上形成第一窗15,然后对绝缘材料层11进行钻孔,在绝缘材料层11上形成第二孔114。第二孔114在绝缘材料层11的第一表面111设有第三开口03,第三开口03与第一窗15对应。第二孔114的孔径自第一表面111向第一表面111和第二表面112之间递减。UV激光钻孔机发射的UV激光钻穿第二导电层13表面的膜2后,对线路板1进行钻孔。由于铜箔对UV激光的吸收能力好,故在设置膜2之前,无需采用蚀刻工艺在第二导电层13上预先蚀刻出窗。UV激光可将第二导电层13钻透,在第二导电层13上形成第二窗16,然后对绝缘材料层11进行钻孔,在绝缘材料层11上形成第三孔115。第三孔115在绝缘材料层11的第二表面112设有第四开口04,第四开口04与第二窗16对应。第三孔115的孔径自第二表面112想第一表面111和第二表面112之间递减。第二孔114和第三孔115连通,形成通孔。
UV激光钻孔机发射的UV激光最先与第一导电层12或第二导电层13表面设置的膜2接触。由有机化合物制得的膜2吸收UV激光的部分能量后,被钻穿。钻穿膜2后的UV激光能量减弱,与线路板1接触。线路板1吸收UV激光剩余的能量,在第一导电层12上形成第一窗15、在绝缘材料层11上形成第二孔114,在第二导电层13上形成第二窗16、在绝缘材料层11上形成第三孔115。因为线路板那1能够吸收到的UV激光的能量越小,其形成的窗和孔的孔径越小,所以,UV激光钻孔机发射的UV激光钻穿膜2后再对线路板1进行钻孔得到的窗和孔的孔径较UV激光钻孔机发射的UV激光直接对线路板1进行钻孔得到的窗和孔的孔径减小。如,UV激光钻孔机发射出的光斑直径为30um的UV激光直接对线路板1进行钻孔,在导电层上形成孔径为30um的窗,在绝缘材料层上形成孔径为30um的孔。而UV激光钻孔机发射出的光斑直径为30um的UV激光先钻穿膜2,然后对线路板1进行钻孔,即可将在导电层上形成的窗的孔径降低至<30um,将在绝缘材料层11上形成的孔的孔径降低至<30um,以实现孔朝向孔径更小的方向发展,以满足电子产品高密度、多功能、高可靠性的发展要求。
建立计算模型:第二孔114上孔径/膜2上形成的孔径=[1/(1-M)*绝缘材料层11的厚度]/[1/(1-M)*绝缘材料层11的厚度+第一导电层12的厚度+膜2的厚度]。于是得到:膜2的厚度=[1/(1-M)]*绝缘材料层11的厚度*(膜2上形成的孔径-第二孔114上孔径)/第二孔114上孔径-第一导电层12的厚度。第三孔115上孔径/膜2上形成的孔径=[1/(1-M)*绝缘材料层11的厚度]/[1/(1-M)*绝缘材料层11的厚度+第二导电层13的厚度+膜2的厚度]。于是得到:膜2的厚度=[1/(1-M)]*绝缘材料层11的厚度*(膜2上形成的孔径-第三孔115上孔径)/第三孔115上孔径-第二导电层13的厚度。其中M为第二孔114下孔径和第二孔114上孔径的比值或第三孔115下孔径和第三孔115上孔径的比值。一般M≥0.8,可避免钻孔时产生的绝缘材料残留在第二孔114和第三孔115内而堵塞第二孔114和第三孔115,从而确保第二孔114和第三孔115贯穿绝缘材料层11。当已知M、绝缘材料层11的厚度、膜2上形成的孔径、第二孔114或第三孔115上孔径和第一导电层12的厚度值时,即可通过上述公式计算出需要设置在第一导电层12或第二导电层13表面的膜2的厚度,以在绝缘材料层11上加工出孔径符合要求的第二孔114和第三孔115。
也就是说,可通过调整膜2的厚度值,来控制膜2对UV激光钻孔机发射出的UV激光的能量吸收值,从而控制可被线路板1吸收到的UV激光的能量值,从而实现对UV激光在导电层上钻得的窗及在绝缘材料层上钻得的孔的孔径大小的控制。导电层上设置的膜2的厚度越厚,UV激光钻孔机发射的UV激光钻穿膜2后在线路板1上钻得的窗和孔的孔径越小。
第四步,如图15所示,采用导电材料3填充通孔,通过通孔内的导电材料3将第一导电层12和第二导电层13连通,实现不同导电层之间的互连。
本发明中的孔径取窗或孔最大截面处的直径。
本发明提供的线路板的加工方法,还可应用于在线路板上钻定位盲孔或定位通孔使用,使定位盲孔或定位通孔的孔径朝向更小的方向发展,以满足电子产品高密度、多功能、高可靠性的发展要求。
本发明中的实施例仅用于对本发明进行说明,并不构成对权利要求范围的限制,本领域内技术人员可以想到的其他实质上等同的替代,均在本发明保护范围内。

Claims (8)

1.线路板的加工方法,其特征在于,在线路板的至少一个表面设置膜;采用激光钻孔机钻穿所述膜后对线路板进行钻孔;
线路板包括至少一层绝缘材料层;绝缘材料层具有相对设置的第一表面和第二表面;第一表面覆盖有第一导电层,第二表面上覆盖有第二导电层;绝缘材料层将第一导电层和第二导电层绝缘隔开;在第一导电层和第二导电层之一或两者的表面设置所述膜;
线路板上的第一导电层和/或第二导电层上设有窗,所述窗采用蚀刻工艺形成,所述膜覆盖所述窗,当第一导电层或第二导电层之一上设有窗,激光钻孔机发射的激光钻穿所述膜后,穿过所述窗对绝缘材料层进行钻孔,使绝缘材料层上形成第一孔,所述第一孔贯穿绝缘材料层,所述膜的厚度=[1/(1-M)]*绝缘材料层的厚度*(膜上形成的孔径-第N孔上孔径)/第N孔上孔径-第P导电层的厚度,其中,M为第N孔下孔径和第N孔上孔径的比值,N为1,当第一导电层上设有窗时,P为1,当第二导电层上设有窗时,P为2;
当第一导电层和第二导电层上均设有窗,激光钻孔机发射的激光钻穿第一导电层表面的膜后,穿过第一导电层上的窗对绝缘材料层进行钻孔,形成第二孔,激光钻孔机发射的激光钻穿第二导电层表面的膜后,穿过第二导电层上的第二窗对绝缘材料层进行钻孔,形成第三孔,第二孔和第三孔连通,形成通孔,所述膜的厚度=[1/(1-M)]*绝缘材料层的厚度*(膜上形成的孔径-第N孔上孔径)/第N孔上孔径-第P导电层的厚度,其中,M为第N孔下孔径和第N孔上孔径的比值,N为2或3,当N为2时P为1,当N为3时,P为2。
2.根据权利要求1所述的线路板的加工方法,其特征在于,所述第一孔在绝缘材料层的第一表面设有第一开口,在绝缘材料层的第二表面设有第二开口;所述第一开口和所述第二开口中的一个与所述窗对应,另一个被第一导电层或第二导电层覆盖。
3.根据权利要求1所述的线路板的加工方法,其特征在于,所述第二孔在绝缘材料层的第一表面设有第三开口;所述第三开口与其中一个所述窗对应;所述第三孔在绝缘材料层的第二表面设有第四开口;所述第四开口与另一个所述窗对应。
4.根据权利要求1所述的线路板的加工方法,其特征在于,将所述膜剥离后,采用导电材料填充所述第一孔或所述通孔;所述第一孔或所述通孔内的导电材料将第一导电层和第二导电层连通。
5.根据权利要求1所述的线路板的加工方法,其特征在于,所述第一导电层为第一铜箔;所述第二导电层为第二铜箔。
6.根据权利要求1所述的线路板的加工方法,其特征在于,所述激光钻孔机为二氧化碳激光钻孔机或UV激光钻孔机。
7.根据权利要求6所述的线路板的加工方法,其特征在于,所述膜由可吸收二氧化碳激光或UV激光的有机化合物制得。
8.根据权利要求7所述的线路板的加工方法,其特征在于,所述可吸收二氧化碳激光或UV激光的有机化合物选自聚酯树脂、环氧树脂或感光油墨。
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