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CN105047169A - 像素电路及其驱动方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

像素电路及其驱动方法、显示面板和显示装置 Download PDF

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CN105047169A CN201510563965.6A CN201510563965A CN105047169A CN 105047169 A CN105047169 A CN 105047169A CN 201510563965 A CN201510563965 A CN 201510563965A CN 105047169 A CN105047169 A CN 105047169A
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Abstract

本发明提供了一种像素电路及其驱动方法、显示面板和显示装置，像素电路中：驱动晶体管的源极与漏极中的一个连接控制电压线，另一个连接发光器件；存储电容的第一端连接驱动晶体管的栅极，第二端连接控制电压线；导通单元的第一端连接扫描线，第二端连接数据线，第三端连接寻址单元的第一端，第四端连接公共端，用于在第一端处为第一电平时导通第二端与第三端，在第一端处为第二电平时导通第三端与第四端；寻址单元的第二端连接数据线，第三端连接存储电容的第一端，用于在第一端处为有效电平时导通第二端与第三端。本发明可以解决扫描信号的输入位置处的输入阻抗不够大时扫描信号在传输过程中的幅值损失问题。

Description

像素电路及其驱动方法、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种像素电路及其驱动方法、显示面板和显示装置。
背景技术
与传统的LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示)器件的电压驱动方式不同，OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)器件是由电流驱动的，因此在每一个OLED器件所在的像素电路中，除一个电流驱动控制开关之外，还需要一个用于写入数据电压的寻址开关。现有技术中，寻址开关由一个薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)实现。从而，一条扫描线要向所有寻址开关中TFT的栅极提供扫描信号，因而在像素电路在扫描信号的输入位置处的输入阻抗不够大时，扫描信号的电压就会在经过一个像素电路时后损失一部分幅值，容易造成扫描线末尾处的像素电路接收不到扫描信号而不能正常地提供驱动电流，产生显示不良。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种像素电路及其驱动方法、显示面板和显示装置，可以解决扫描信号的输入位置处的输入阻抗不够大时扫描信号在传输过程中的幅值损失问题。
第一方面，本发明提供了一种像素电路，包括发光器件、驱动晶体管、存储电容、导通单元和寻址单元，其中：
所述驱动晶体管的源极与漏极中的一个连接控制电压线，另一个连接所述发光器件；
所述存储电容的第一端连接所述驱动晶体管的栅极，第二端连接控制电压线；
所述导通单元的第一端连接扫描线，第二端连接数据线，第三端连接所述寻址单元的第一端，第四端连接公共端，用于在第一端处为第一电平时导通第二端与第三端，在第一端处为第二电平时导通第三端与第四端；
所述寻址单元的第二端连接所述数据线，第三端连接所述存储电容的第一端，用于在第一端处为有效电平时导通第二端与第三端。
可选地，所述导通单元包括第一N型晶体管与第一P型晶体管，其中：
所述第一N型晶体管的栅极连接所述扫描线，源极与漏极中的一个连接所述寻址单元的第一端，另一个连接所述公共端；
所述第一P型晶体管的栅极连接所述扫描线，源极与漏极中的一个连接所述寻址单元的第一端，另一个连接所述数据线；
所述第一电平为低电平，所述第二电平为高电平。
可选地，所述导通单元包括第二N型晶体管、第二P型晶体管、第三N型晶体管和第三P型晶体管，其中：
所述第二N型晶体管的栅极连接所述扫描线，源极与漏极中的一个连接所述第三N型晶体管和所述第三P型晶体管的栅极，另一个连接所述公共端；
所述第二P型晶体管的栅极连接所述扫描线，源极与漏极中的一个连接所述第三N型晶体管和所述第三P型晶体管的栅极，另一个连接所述数据线；
所述第三N型晶体管的源极与漏极中的一个连接所述寻址单元的第一端，另一个连接所述公共端；
所述第三P型晶体管的源极与漏极中的一个连接所述寻址单元的第一端，另一个连接所述数据线；
所述第一电平为高电平，所述第二电平为低电平。
可选地，所述导通单元包括第一N型晶体管与第一P型晶体管，其中：
所述第一N型晶体管的栅极连接所述扫描线，源极与漏极中的一个连接所述寻址单元的第一端，另一个连接所述数据线；
所述第一P型晶体管的栅极连接所述扫描线，源极与漏极中的一个连接所述寻址单元的第一端，另一个连接所述公共端；
所述第一电平为高电平，所述第二电平为低电平。
可选地，所述导通单元包括第二N型晶体管、第二P型晶体管、第三N型晶体管和第三P型晶体管，其中：
所述第二N型晶体管的栅极连接所述扫描线，源极与漏极中的一个连接所述第三N型晶体管和所述第三P型晶体管的栅极，另一个连接所述数据线；
所述第二P型晶体管的栅极连接所述扫描线，源极与漏极中的一个连接所述第三N型晶体管和所述第三P型晶体管的栅极，另一个连接所述公共端；
所述第三N型晶体管的源极与漏极中的一个连接所述寻址单元的第一端，另一个连接所述数据线；
所述第三P型晶体管的源极与漏极中的一个连接所述寻址单元的第一端，另一个连接所述公共端；
所述第一电平为高电平，所述第二电平为低电平。
可选地，所述寻址单元包括一P型薄膜晶体管。
可选地，所述发光器件为有机发光二极管。
第二方面，本发明还提供了一种上述任意一种像素电路的驱动方法，包括：
将所述扫描线置为第一电平，以使所述数据线上的数据电压作为无效电平导通至所述寻址单元的第一端；
将所述扫描线置为第二电平，以使所述公共端上的公共端电压作为有效电平导通至所述寻址单元的第一端，所述寻址单元将数据线上的数据电压导通至所述存储电容的第一端，所述驱动晶体管在所述存储电容的两端电压的控制下向所述发光器件提供驱动电流。
第三方面，本发明还提供了一种显示面板，包括上述任意一种像素电路。
第四方面，本发明还提供了一种显示装置，包括上述任意一种显示面板。
由上述技术方案可知，本发明所采用的导通单元可以具有很低的输入阻抗和很高的输出阻抗，从而增强了扫描线驱动负载的能力。由此，本发明可以避免扫描信号的电压在经过一个像素电路时后幅值的损失。另一方面，本发明的导通单元可以具有很低的静态功率，有利于电路功耗的降低。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一个实施例中一种像素电路的结构框图；
图2是本发明一个实施例中一种像素电路的电路结构图；
图3是本发明又一实施例中一种像素电路的电路结构图；
图4是本发明又一实施例中一种像素电路的电路结构图；
图5是本发明又一实施例中一种像素电路的电路结构图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1是本发明一个实施例中一种像素电路的结构框图。参见图1，该像素电路包括发光器件EL、驱动晶体管T0、存储电容Cs、导通单元11和寻址单元12，其中：
驱动晶体管T0的源极与漏极中的一个连接控制电压线VDD，另一个连接发光器件EL；
存储电容Cs的第一端连接驱动晶体管T0的栅极，第二端连接控制电压线VDD；
导通单元11的第一端连接扫描线Gn，第二端连接数据线Dn，第三端连接寻址单元12的第一端，第四端连接公共端GND，用于在第一端处为第一电平时导通第二端与第三端，在第一端处为第二电平时导通第三端与第四端；
寻址单元12的第二端连接数据线Dn，第三端连接存储电容Cs的第一端，用于在第一端处为有效电平时导通第二端与第三端。
举例来说，当扫描线Gn为第一电平时，导通单元11导通数据线Dn与寻址单元12，从而寻址单元12的第一端可以接收来自数据线Dn的有效电平(即使所有数据电压包含在该有效电平的范围)，从而导通数据线Dn与存储电容Cs的第一端。此时，存储电容Cs的第二端连接的控制电压线VDD可以施加有高电平的偏置电压，从而通过对存储电容Cs的充电，将来自数据线Dn的数据电压写入至存储电容Cs中。
此后，扫描线Gn转为第二电平，导通单元11导通公共端GND与寻址单元12，从而寻址单元12的第一端可以接收来自公共端GND的无效电平而使得数据线Dn与存储电容Cs的第一端之间断开。此时，存储电容Cs两端存储的电压施加在驱动晶体管T0的栅极和源极上，使得驱动晶体管T0内形成流向发光器件EL的驱动电流。
可以理解的是，驱动电流的大小与驱动晶体管T0的栅源电压的大小有关，因此也与写入至存储电容Cs中的数据电压的大小有关。由此，发光器件EL可以在另一端连接有偏置电压VSS时在驱动电流的驱动下发光，发光的强度与驱动电流的大小有关。可以看出，该像素电路可以形成单点像素的发光显示。
需要说明的是，本文中的“高电平”和“低电平”、或者“第一电平”和“第二电平”、或者“有效电平”和“无效电平”均为某一电路节点位置处由电位高度范围代表的两种逻辑状态。可以理解的是，具体的电位高度范围可以在具体应用场景下根据需要进行设置，本发明对此不做限制。
需要说明的是，图1所示的驱动晶体管为P型晶体管(栅极为低电平时源极与漏极导通)，但在本发明的其他实施例中可以用N型晶体管(栅极为高电平时源极与漏极导通)来代替，并可以在对电路的电平进行适应性调整后则可以实现同样的工作流程，本发明对此不作限制。
可以看出的是，本发明实施例所采用的导通单元11可以具有很低的输入阻抗和很高的输出阻抗，从而增强了扫描线驱动负载的能力。由此，本发明实施例可以避免扫描信号的电压在经过一个像素电路时后幅值的损失。另一方面，本发明实施例的导通单元可以具有很低的静态功率，有利于电路功耗的降低。
作为一种导通单元11和的寻址单元12具体结构示例，图2是本发明一个实施例中一种像素电路的电路结构图。参见图2，本发明实施例中的寻址单元12包括一P型薄膜晶体管T1，该P型薄膜晶体管的栅极作为寻址单元12的第一端、源极作为寻址单元12的第二端、漏极作为寻址单元12的第三端。由此，该寻址单元12的有效电平为低电平，而无效电平为高电平。
图2中，导通单元11包括第一N型晶体管TN1与第一P型晶体管TP1，其中的第一N型晶体管TN1的栅极连接扫描线Gn，源极与漏极中的一个连接寻址单元12的第一端，另一个连接公共端GND；第一P型晶体管TP1的栅极连接扫描线Gn，源极与漏极中的一个连接寻址单元12的第一端，另一个连接数据线Dn。本发明实施例中，上述第一电平为低电平，而上述第二电平为高电平。可以理解的是，当扫描线Gn上由低电平转为高电平时，第一N型晶体管TN1开启而第一P型晶体管TP1关闭，从而导通单元11向寻址单元12输出来自公共端GND的低电平，使得寻址单元12实现上述数据电压向存储电容Cs中的写入。而当扫描线Gn上由高电平转为低电平时，第一N型晶体管TN1关闭而第一P型晶体管TP1开启，从而导通单元11向寻址单元12输出来自数据线Dn的高电平，使得寻址单元12将数据线Dn与存储电容Cs第二端之间的连接断开。可以看出，导通单元11可以实现扫描线Gn上信号的反相输出。
类似地，图3是本发明又一实施例中一种像素电路的电路结构图。参见图3，像素电路中的导通单元11包括第一N型晶体管TN1与第一P型晶体管TP1，其中的第一N型晶体管TN1的栅极连接扫描线Gn，源极与漏极中的一个连接寻址单元12的第一端，另一个连接数据线Dn；第一P型晶体管TP1的栅极连接扫描线Gn，源极与漏极中的一个连接寻址单元12的第一端，另一个连接公共端GND。可以看出，与图2所示的像素电路相比，图3所示的像素电路将第一N型晶体管TN1与第一P型晶体管TP1的位置和连接关系相互交换，从而以高电平作为上述第一电平、以低电平作为上述第二电平，实现了扫描线Gn上信号的同相输出，在此不再赘述。
可以看出，在图2和图3所示的像素电路中，导通单元11可以向寻址单元12输出与扫描线Gn上的电平逻辑相反或相同的电平，并可以大大增加像素电路在扫描信号的输入位置处的输入阻抗；同时，在忽略漏电流的情况下，导通单元11的静态功耗为零。因此，本发明可以避免扫描信号的电压在经过一个像素电路时后幅值的损失，并有利于电路功耗的降低。
作为另一种导通单元11的具体结构示例，图4是本发明又一实施例中一种像素电路的电路结构图。参见图4，本发明实施例中的导通单元11包括第二N型晶体管TN2、第二P型晶体管TP2、第三N型晶体管TN3和第三P型晶体管TP3，其中：
第二N型晶体管TN2的栅极连接扫描线Gn，源极与漏极中的一个连接第三N型晶体管TN3和第三P型晶体管TP3的栅极，另一个连接数据线Dn；
第二P型晶体管TP2的栅极连接扫描线Gn，源极与漏极中的一个连接第三N型晶体管TN3和第三P型晶体管TP3的栅极，另一个连接公共端GND；
第三N型晶体管TN3的源极与漏极中的一个连接寻址单元12的第一端，另一个连接数据线Dn；
第三P型晶体管TP3的源极与漏极中的一个连接寻址单元12的第一端，另一个连接公共端GND。
可以看出的是，本发明实施例中将高电平作为上述第一电平，而将低电平作为上述第二电平。具体地，在扫描线Gn上为高电平时，第二N型晶体管TN2开启并将数据线Dn上的高电平导通至第三N型晶体管TN3和第三P型晶体管TP3的栅极，从而第三N型晶体管TN3开启并将数据线Dn上的高电平导通至寻址模块12的第一端。而在扫描线Gn上为低电平时，第二P型晶体管TP2开启并将公共端GND上的低电平导通至第三N型晶体管TN3和第三P型晶体管TP3的栅极，从而第三P型晶体管TP3开启并将公共端GND上的低电平导通至寻址模块12的第一端，从而导通数据线Dn与存储电容Cs的第一端。此时，存储电容Cs的第二端连接的控制电压线VDD可以施加有高电平的偏置电压，从而通过对存储电容Cs的充电，将来自数据线Dn的数据电压写入至存储电容Cs中。
可以看出，本发明实施例在图3所示的像素电路中进一步增加了像素电路在扫描信号的输入位置处的输入阻抗，因此可以进一步避免扫描信号的电压在经过一个像素电路时后幅值的损失。
类似地，图5是本发明又一实施例中一种像素电路的电路结构图。参见图5，本发明实施例中的导通单元11包括第二N型晶体管TN2、第二P型晶体管TP2、第三N型晶体管TN3和第三P型晶体管TP3，其中：
第二N型晶体管TN2的栅极连接扫描线Gn，源极与漏极中的一个连接第三N型晶体管TN3和第三P型晶体管TP3的栅极，另一个连接公共端GND；
第二P型晶体管TP2的栅极连接扫描线Gn，源极与漏极中的一个连接第三N型晶体管TN3和第三P型晶体管TP3的栅极，另一个连接数据线Dn；
第三N型晶体管TN3的源极与漏极中的一个连接寻址单元12的第一端，另一个连接公共端GND；
第三P型晶体管TP3的源极与漏极中的一个连接寻址单元12的第一端，另一个连接数据线Dn；
可以看出的是，本发明实施例中将高电平作为上述第一电平，而将低电平作为上述第二电平。具体地，在扫描线Gn上为高电平时，第二N型晶体管TN2开启并将公共端GND上的低电平导通至第三N型晶体管TN3和第三P型晶体管TP3的栅极，从而第三P型晶体管TP3开启并将数据线Dn上的高电平导通至寻址模块12的第一端。而在扫描线Gn上为低电平时，第二P型晶体管TP2开启并将数据线Dn上的高电平导通至第三N型晶体管TN3和第三P型晶体管TP3的栅极，从而从而第三N型晶体管TN3开启并将公共端GND上的低电平导通至寻址模块12的第一端，从而导通数据线Dn与存储电容Cs的第一端。此时，存储电容Cs的第二端连接的控制电压线VDD可以施加有高电平的偏置电压，从而通过对存储电容Cs的充电，将来自数据线Dn的数据电压写入至存储电容Cs中。
可以看出，本发明实施例在图2所示的像素电路中进一步增加了像素电路在扫描信号的输入位置处的输入阻抗，因此可以进一步避免扫描信号的电压在经过一个像素电路时后幅值的损失。
另外可以理解的是，在上述任意一种像素电路中，若要使寻址单元12的有效电平为高电平，则可以将该P型薄膜晶体管替换为N型薄膜晶体管，本发明对此不做限制。需要说明的是，P型晶体管具有传输数据电压的高电平时没有阈值电压损失的特性，因此在实际应用中优选采用P型薄膜晶体管作为上述寻址单元12。
需要说明的是，上述任一晶体管的源极与漏极的连接方式可以根据所选用的晶体管的类型进行确定，而在晶体管具有源极与漏极对称的结构时源极与漏极可以视为不作特别区分的两个电极，其是本领域技术人员所熟知的，在此不再赘述。
另外，在上述任意一种像素电路中，发光器件EL可以具体为有机发光二极管OLED，进而可以用于形成OLED形式下的显示。
基于同样的发明构思，本发明实施例提供上述任意一种像素电路的驱动方法，包括：
将所述扫描线置为第一电平，以使所述数据线上的数据电压作为无效电平导通至所述寻址单元的第一端；
将所述扫描线置为第二电平，以使所述公共端上的公共端电压作为有效电平导通至所述寻址单元的第一端，所述寻址单元将数据线上的数据电压导通至所述存储电容的第一端，所述驱动晶体管在所述存储电容的两端电压的控制下向所述发光器件提供驱动电流。
可以理解的是，本发明实施例所提供的驱动方法与上述任意一种像素电路的工作原理相互对应，因而可以具有相应的具体步骤，在此不再赘述。
基于同样的发明构思，本发明实施例提供一种显示面板，该显示面板包括任意一种的像素电路，因而具有上述任意一种显示面板所具有的优点。举例来说，在上述发光器件为OLED时，该显示面板可以具有OLED面板的具体结构，并可以显示面板的在阵列基板上的每一像素区域内形成上述任意一种像素电路中除发光器件之外的所有结构，以形成OLED形式下的发光显示。
基于同样的发明构思，本发明实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括上述任意一种的显示面板，因而具有上述任意一种显示面板所具有的优点。需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本发明的描述中需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
本发明的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
类似地，应当理解，为了精简本发明公开并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在上面对本发明的示例性实施例的描述中，本发明的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释呈反映如下意图：即所要求保护的本发明要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如权利要求书所反映的那样，发明方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本发明的单独实施例。
应该注意的是上述实施例对本发明进行说明而不是对本发明进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。本发明可以借助于包括有若干不同元件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求和说明书的范围当中。

Claims (10)

1.一种像素电路，其特征在于，包括发光器件、驱动晶体管、存储电容、导通单元和寻址单元，其中：
所述驱动晶体管的源极与漏极中的一个连接控制电压线，另一个连接所述发光器件；
所述存储电容的第一端连接所述驱动晶体管的栅极，第二端连接控制电压线；
所述导通单元的第一端连接扫描线，第二端连接数据线，第三端连接所述寻址单元的第一端，第四端连接公共端，用于在第一端处为第一电平时导通第二端与第三端，在第一端处为第二电平时导通第三端与第四端；
所述寻址单元的第二端连接所述数据线，第三端连接所述存储电容的第一端，用于在第一端处为有效电平时导通第二端与第三端。
2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述导通单元包括第一N型晶体管与第一P型晶体管，其中：
所述第一N型晶体管的栅极连接所述扫描线，源极与漏极中的一个连接所述寻址单元的第一端，另一个连接所述公共端；
所述第一P型晶体管的栅极连接所述扫描线，源极与漏极中的一个连接所述寻址单元的第一端，另一个连接所述数据线；
所述第一电平为低电平，所述第二电平为高电平。
3.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述导通单元包括第二N型晶体管、第二P型晶体管、第三N型晶体管和第三P型晶体管，其中：
所述第二N型晶体管的栅极连接所述扫描线，源极与漏极中的一个连接所述第三N型晶体管和所述第三P型晶体管的栅极，另一个连接所述公共端；
所述第二P型晶体管的栅极连接所述扫描线，源极与漏极中的一个连接所述第三N型晶体管和所述第三P型晶体管的栅极，另一个连接所述数据线；
所述第三N型晶体管的源极与漏极中的一个连接所述寻址单元的第一端，另一个连接所述公共端；
所述第三P型晶体管的源极与漏极中的一个连接所述寻址单元的第一端，另一个连接所述数据线；
所述第一电平为高电平，所述第二电平为低电平。
4.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述导通单元包括第一N型晶体管与第一P型晶体管，其中：
所述第一N型晶体管的栅极连接所述扫描线，源极与漏极中的一个连接所述寻址单元的第一端，另一个连接所述数据线；
所述第一P型晶体管的栅极连接所述扫描线，源极与漏极中的一个连接所述寻址单元的第一端，另一个连接所述公共端；
所述第一电平为高电平，所述第二电平为低电平。
5.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述导通单元包括第二N型晶体管、第二P型晶体管、第三N型晶体管和第三P型晶体管，其中：
所述第二N型晶体管的栅极连接所述扫描线，源极与漏极中的一个连接所述第三N型晶体管和所述第三P型晶体管的栅极，另一个连接所述数据线；
所述第二P型晶体管的栅极连接所述扫描线，源极与漏极中的一个连接所述第三N型晶体管和所述第三P型晶体管的栅极，另一个连接所述公共端；
所述第三N型晶体管的源极与漏极中的一个连接所述寻址单元的第一端，另一个连接所述数据线；
所述第三P型晶体管的源极与漏极中的一个连接所述寻址单元的第一端，另一个连接所述公共端；
所述第一电平为高电平，所述第二电平为低电平。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的像素电路，其特征在于，所述寻址单元包括一P型薄膜晶体管。
7.根据权利要求1至5中任意一项所述的像素电路，其特征在于，所述发光器件为有机发光二极管。
8.一种权利要求1至7中任意一项所述的像素电路的驱动方法，其特征在于，包括：
将所述扫描线置为第一电平，以使所述数据线上的数据电压作为无效电平导通至所述寻址单元的第一端；
将所述扫描线置为第二电平，以使所述公共端上的公共端电压作为有效电平导通至所述寻址单元的第一端，所述寻址单元将数据线上的数据电压导通至所述存储电容的第一端，所述驱动晶体管在所述存储电容的两端电压的控制下向所述发光器件提供驱动电流。
9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至8中任意一项所述的像素电路。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。
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