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CN104952881A - 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置 - Google Patents

薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置 Download PDF

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CN104952881A
CN104952881A CN201510227721.0A CN201510227721A CN104952881A CN 104952881 A CN104952881 A CN 104952881A CN 201510227721 A CN201510227721 A CN 201510227721A CN 104952881 A CN104952881 A CN 104952881A
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ultraviolet light
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film transistor
light shielding
layer
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宋萍
李红敏
薛伟
董职福
古宏刚
李小和
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Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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BOE Technology Group Co Ltd
Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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Abstract

本发明涉及显示技术领域，公开一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置，其中，上述薄膜晶体管包括位于衬底基板上的有源层，还包括位于所述有源层背离所述衬底基板一侧的紫外光遮挡层，且所述有源层在所述衬底基板上的投影位于所述紫外光遮挡层在所述衬底基板上的投影内。上述薄膜晶体管中，有源层被紫外光遮挡层完全覆盖，紫外光遮挡层对紫外光有遮挡作用，因此在光配向过程中，紫外光遮挡层可以有效减小紫外光对薄膜晶体管有源层的影响，从而可以保证薄膜晶体管的性能不会受到紫外光照射的影响。

Description

薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。
背景技术
在TFT-LCD成盒工艺前需要在TFT以及CF基板上分别进行配向膜(PI)印刷以及配向处理。目前常用的PI配向处理方法是拓印Rubbing工艺，通过Rubbing摩擦工艺进行配向，使配向膜对液晶分子具有配向控制力，保证液晶分子能够沿着正确的方向排列。随着分辨率和开口率以及对比度的需求越来越高，Rubbing工艺逐渐被光配向技术取代。光配向使用紫外光对光敏感度高、稳定性好的配向材料进行光配向，具有高开口、高对比度、快速响应等优点，同时可以有效防止Rubbing工艺中的静电释放ESD高发不良、降低PI的各种条纹和颗粒不良。
但是，光配向过程使用紫外光照射时，会影响像素结构中TFT器件的有源层特性，导致漏电流变大，从而影响TFT特性，导致产生串扰等不良。
发明内容
本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置，其中，上述薄膜晶体管的性能不会受到光配向过程中紫外光照射的影响。
为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括位于衬底基板上的有源层，还包括位于所述有源层背离所述衬底基板一侧的紫外光遮挡层，且所述有源层在所述衬底基板上的投影位于所述紫外光遮挡层在所述衬底基板上的投影内。
上述薄膜晶体管中，有源层被所述紫外光遮挡层完全覆盖，紫外光遮挡层对紫外光有遮挡作用，因此在光配向过程中，紫外光遮挡层可以有效减小紫外光对薄膜晶体管有源层的影响，从而可以保证薄膜晶体管的性能不会受到紫外光照射的影响。
因此，上述薄膜晶体管的性能不会受到光配向过程中紫外光照射的影响。
优选地，所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层背离所述衬底基板一侧的源漏电极，所述紫外光遮挡层位于所述源漏电极背离所述衬底基板的一侧。
一种阵列基板，包括衬底基板，还包括上述任一技术方案中所述的薄膜晶体管。
优选地，所述紫外光遮挡层的材料为紫外光吸收材料。
优选地，所述紫外光吸收材料为氧化铟锡。
优选地，所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管的源漏电极背离所述衬底基板一侧的像素电极，且当所述紫外光遮挡层位于所述源漏电极背离所述衬底基板的一侧时，所述紫外光遮挡层与所述像素电极同层设置；或者，
所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管的源漏电极背离所述衬底基板一侧的公共电极，且当所述紫外光遮挡层位于所述源漏电极背离所述衬底基板的一侧时，所述紫外光遮挡层与所述公共电极同层设置。
一种显示面板，包括上述任一技术方案中所述的阵列基板。
一种显示装置，包括上述技术方案中所述的显示面板。
一种薄膜晶体管的制备方法，包括：
在衬底基板上形成有源层；
在有源层背离衬底基板的一侧形成紫外光遮挡层；其中，所述有源层在所述衬底基板上的投影位于所述紫外光遮挡层在所述衬底基板上的投影内。
优选地，在衬底基板上形成有源层之后，以及在有源层背离衬底基板的一侧形成紫外光遮挡层之前，还包括：
在所述有源层背离所述衬底基板的一侧形成源漏电极。
一种阵列基板的制备方法，包括如上述任一技术方案中所述的薄膜晶体管的制备方法。
优选地，所述紫外光遮挡层的材料为紫外光吸收材料。
优选地，所述紫外光遮挡层的材料为氧化铟锡。
优选地，当所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管的源漏电极背离所述衬底基板一侧的像素电极、且所述紫外光遮挡层与所述像素电极同层设置时，所述在有源层背离衬底基板的一侧形成紫外光遮挡层，具体包括：
在所述薄膜晶体管的源漏电极背离所述衬底基板的一侧形成像素电极层，通过一次构图工艺形成所述像素电极的图形和所述紫外光遮挡层的图形。
优选地，当所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管的源漏电极背离所述衬底基板一侧的公共电极、且所述紫外光遮挡层与所述公共电极同层设置时，所述在有源层背离衬底基板的一侧形成紫外光遮挡层，具体包括：
在所述薄膜晶体管的源漏电极背离所述衬底基板的一侧形成公共电极层，通过一次构图工艺形成所述公共电极的图形和所述紫外光遮挡层的图形。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的部分结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的部分截面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1和图2所示，本发明实施例提供的一种薄膜晶体管2，包括位于衬底基板1上的有源层21，还包括位于有源层21背离衬底基板1一侧的紫外光遮挡层3，且有源层21在衬底基板1上的投影位于紫外光遮挡层3在衬底基板1上的投影内。
上述薄膜晶体管2中，有源层21被紫外光遮挡层3完全覆盖，紫外光遮挡层3可以遮挡紫外光，因此在光配向过程中，紫外光遮挡层3可以有效减小紫外光对有源层21的影响，从而可以保证薄膜晶体管2的性能不会受到紫外光照射的影响。
因此，上述薄膜晶体管2的性能不会受到光配向过程中紫外光照射的影响。
如图1和图2所示，一种具体的实施例中，薄膜晶体管2还可以包括位于有源层21背离衬底基板1一侧的源漏电极23，紫外光遮挡层3位于源漏电极23背离衬底基板1的一侧。如图2所示，薄膜晶体管2还可以包括为与有源层21与衬底基板1之间的栅极22和栅绝缘层24。
在上述实施例的基础上，一种优选的实施例中，紫外光遮挡层3的材料可以为紫外光吸收材料。紫外光吸收材料可以通过对紫外光的吸收作用起到遮挡紫外光的作用。
更加优选地，上述紫外光吸收材料可以为氧化铟锡。
当然，紫外光遮挡层3的材料并不限于上述实施例中的紫外光吸收材料，也可以为紫外光反射材料，例如金属材料。
如图1和图2所示，本发明实施例还提供了一种阵列基板，该阵列基板包括上述任一实施例中的薄膜晶体管2。
如图1和图2所示，一种具体的实施例中，上述阵列基板还可以包括位于薄膜晶体管2的源漏电极23背离衬底基板1一侧的像素电极4，源漏电极23与像素电极4之间形成有钝化层25；由于阵列基板中的像素电极4可以采用氧化铟锡材料制备，因此，当紫外光遮挡层3位于源漏电极23背离衬底基板1的一侧时，紫外光遮挡层3可以与像素电极4同层设置。
另一种具体的实施例中，阵列基板除了可以包括位于薄膜晶体管2的源漏电极23背离衬底基板1一侧的像素电极4，还可以包括位于像素电极4背离衬底基板1一侧的公共电极，像素电极4与公共电极之间形成有绝缘层；由于阵列基板中的公共电极也可以采用氧化铟锡材料制备，因此，当紫外光遮挡层3位于源漏电极23背离衬底基板1的一侧时，紫外光遮挡层3可以与公共电极同层设置。
当紫外光遮挡层为氧化铟锡材料制备时，紫外光遮挡层3与阵列基板中的像素电极4或者公共电极同层设置，可以使制备过程简化，并且可以避免对薄膜晶体管2中的有源层21、栅极22、源极231和漏极232等导电结构在工作过程中的导电性能产生影响，从而可以避免对薄膜晶体管2的性能产生影响。
当然，紫外光遮挡层3也可以形成于薄膜晶体管2的有源层21与源漏电极23之间；当紫外光遮挡层3形成于薄膜晶体管2的有源层21与源漏电极23之间时，紫外光遮挡层3的材料可以优选为不导电材料，以避免对薄膜晶体管2的性能产生影响。
本发明还提供一种显示面板，包括上述任一实施例中的阵列基板。该显示面板中的阵列基板不会由于受到紫外光的照射而产生不良，性能稳定可靠。
本发明还提供一种显示装置，包括上述实施例中的显示面板。该显示装置中的阵列基板的性能稳定可靠，可以避免产生串扰等不良。
如图1、图2和图3所示，一种如上述任一实施例中的薄膜晶体管的制备方法，包括：
步骤S101，在衬底基板1上形成有源层21；
步骤S102，在有源层21背离衬底基板1的一侧形成紫外光遮挡层3；其中，有源层21在衬底基板1上的投影位于紫外光遮挡层3在衬底基板1上的投影内。
上述制备方法形成的薄膜晶体管2中，有源层21被紫外光遮挡层3完全覆盖，紫外光遮挡层3可以遮挡紫外光，因此在光配向过程中，紫外光遮挡层3可以有效减小紫外光对有源层21的影响，从而可以保证薄膜晶体管2的性能不会受到紫外光照射的影响。
如图1和图2所示，在上述实施例的基础上，一种具体的实施例中，在衬底基板1上形成有源层21之后，以及在有源层21背离衬底基板1的一侧形成紫外光遮挡层3之前，还可以包括：在有源层21背离衬底基板1的一侧形成源漏电极。
在上述实施例的基础上，一种优选的实施例中，紫外光遮挡层3的材料可以为紫外光吸收材料。紫外光吸收材料通过对紫外光的吸收作用起到遮挡紫外光的作用。
更加优选地，上述紫外光吸收材料可以为氧化铟锡。
当然，紫外光遮挡层3的材料并不限于上述实施例中的紫外光吸收材料，也可以为紫外光反射材料，例如金属材料。
一种上述任一实施例中的阵列基板的制备方法，包括如上述任一实施例中所述的薄膜晶体管的制备方法过程。
一种具体的实施例中，如图1和图2所示，当所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管2的源漏电极23背离所述衬底基板1一侧的像素电极4、且所述紫外光遮挡层3与所述像素电极4同层设置时，步骤S102，在有源层21背离衬底基板1的一侧形成紫外光遮挡层3，具体可以包括：
在所述薄膜晶体管2的源漏电极23背离所述衬底基板1的一侧形成钝化层25，在钝化层25上形成像素电极层，通过一次构图工艺形成所述像素电极4的图形和所述紫外光遮挡层3的图形。
另一种具体的实施例中，当所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管2的源漏电极23背离所述衬底基板1一侧的公共电极、且所述紫外光遮挡层3与所述公共电极同层设置时，步骤S102，在有源层21背离衬底基板1的一侧形成紫外光遮挡层3，具体可以包括：
在所述薄膜晶体管2的源漏电极23背离所述衬底基板1的一侧形成像素电极4，在像素电极4背离衬底基板1的一侧形成绝缘层，在绝缘层上形成公共电极层，通过一次构图工艺形成所述公共电极的图形和所述紫外光遮挡层3的图形。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (15)

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括位于衬底基板上的有源层，其特征在于，还包括位于所述有源层背离所述衬底基板一侧的紫外光遮挡层，且所述有源层在所述衬底基板上的投影位于所述紫外光遮挡层在所述衬底基板上的投影内。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括位于所述有源层背离所述衬底基板一侧的源漏电极，所述紫外光遮挡层位于所述源漏电极背离所述衬底基板的一侧。
3.一种阵列基板，包括衬底基板，其特征在于，还包括如权利要求1或2所述的薄膜晶体管。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述紫外光遮挡层的材料为紫外光吸收材料。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述紫外光吸收材料为氧化铟锡。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管的源漏电极背离所述衬底基板一侧的像素电极，且当所述紫外光遮挡层位于所述源漏电极背离所述衬底基板的一侧时，所述紫外光遮挡层与所述像素电极同层设置；或者，
所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管的源漏电极背离所述衬底基板一侧的公共电极，且当所述紫外光遮挡层位于所述源漏电极背离所述衬底基板的一侧时，所述紫外光遮挡层与所述公共电极同层设置。
7.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求3-6任一项所述的阵列基板。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的显示面板。
9.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成有源层；
在有源层背离衬底基板的一侧形成紫外光遮挡层；其中，所述有源层在所述衬底基板上的投影位于所述紫外光遮挡层在所述衬底基板上的投影内。
10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在衬底基板上形成有源层之后，以及在有源层背离衬底基板的一侧形成紫外光遮挡层之前，还包括：
在所述有源层背离所述衬底基板的一侧形成源漏电极。
11.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如权利要求9或10所述的薄膜晶体管的制备方法。
12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述紫外光遮挡层的材料为紫外光吸收材料。
13.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述紫外光遮挡层的材料为氧化铟锡。
14.如权利要求13所述的制备方法，其特征在于，当所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管的源漏电极背离所述衬底基板一侧的像素电极、且所述紫外光遮挡层与所述像素电极同层设置时，所述在有源层背离衬底基板的一侧形成紫外光遮挡层，具体包括：
在所述薄膜晶体管的源漏电极背离所述衬底基板的一侧形成像素电极层，通过一次构图工艺形成所述像素电极的图形和所述紫外光遮挡层的图形。
15.如权利要求13所述的制备方法，其特征在于，当所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管的源漏电极背离所述衬底基板一侧的公共电极、且所述紫外光遮挡层与所述公共电极同层设置时，所述在有源层背离衬底基板的一侧形成紫外光遮挡层，具体包括：
在所述薄膜晶体管的源漏电极背离所述衬底基板的一侧形成公共电极层，通过一次构图工艺形成所述公共电极的图形和所述紫外光遮挡层的图形。
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