CN104766774A - 一种阴极发射体 - Google Patents
一种阴极发射体 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104766774A CN104766774A CN201510179910.5A CN201510179910A CN104766774A CN 104766774 A CN104766774 A CN 104766774A CN 201510179910 A CN201510179910 A CN 201510179910A CN 104766774 A CN104766774 A CN 104766774A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- emitter
- matrix
- hole
- cathode
- cell size
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
本发明公开了一种阴极发射体,所述阴极发射体包括发射基体和浸渍物,所述发射基体有孔隙,所述浸渍物置于发射体的孔隙中,所述发射基体的孔隙有不同的孔度,所述发射体基体的工作面孔隙的孔度小于发射基体的其它部份孔隙的孔度,本发明在发射电流(4.5~5)A,热循环冲击累计10000次条件下,阴极发射体正常工作寿命达到10000小时以上。
Description
技术领域
本发明涉及一种阴极,具体涉及一种热阴极。
背景技术
阴极在很多电子器件中得到广泛应用,是电子器件中的电子发射源,是电子器件的重要组成部分。在一些电子器件中,比如霍尔推进器在工作时,先是将发射体缓慢加热,当发射体温度达到发射温度时,发射体产生足够热电子,热电子用来电离进入阴极管内的中性气体,对控制极加点火电压,使离子向发射体运动轰击发射体,维持发射体温度,然后关闭电源,进入自持放电状态,此时,阴极发射体处于高温工作状态,导致阴极在工作较长时间后发射性能将会发生减少,影响发射寿命;而作为一些需要长时间工作的电子器件,比如电推进霍尔推力器,要求寿命至少达到8000小时以上,目前现有的发射体不能满足长寿命的要求。
发明内容
鉴于上述情况,为解决上述问题,本发明提供一种阴极发射体,所述阴极发射体包括发射基体和浸渍物,所述发射基体有孔隙,所述浸渍物置于发射体的孔隙中,所述发射基体的孔隙有不同的孔度,所述发射体基体的工作面孔隙的孔度小于发射基体的其它部份孔隙的孔度。
所述的阴极发射体是中间为空心的管状结构,从内到外依次为发射体内层和发射体外层,所述发射体内层孔隙的孔度小于发射体外层孔隙的孔度。
所述的阴极发射体由钨材料制成,所述浸渍物是铝酸盐。
采用本发明的技术方案后现有技术相比,具备如下优点和有益效果:
在发射电流(4.5~5)A,热循环冲击累计10000次条件下,本发明所述的阴极发射体正常工作寿命达到10000小时以上。
附图说明解
图1本发明实施例的结构示意图;
图2 本发明实施例的结构实物放大图。
图中,1-发射体,2-发射体外层,3-发射体内层,4-发射基体,5-浸渍物。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
本实施例提供一种阴极发射体,其结构如图1所示,结构放大图如图2所示,本实施例所述阴极发射体包括钨材料制成的发射基体和铝酸盐浸渍物,所述发射基体有孔隙,所述浸渍物铝酸盐置于发射体的孔隙中,所述发射基体的孔隙有不同的孔度,所述发射体基体的工作面孔隙的孔度小于发射基体的其它部份孔隙的孔度,本实施例中,所述阴极发射体是中间为空心的管状结构,从内到外依次为发射体内层和发射体外层,所述阴极发射体的工作面是内层的表面,所述发射体内层孔隙的孔度小于发射体外层孔隙的孔度。
Claims (3)
1.一种阴极发射体,其特征在于,所述阴极发射体包括发射基体和浸渍物,所述发射基体有孔隙,所述浸渍物置于发射体的孔隙中,所述发射基体的孔隙有不同的孔度,所述发射体基体的工作面孔隙的孔度小于发射基体的其它部份孔隙的孔度。
2.如权利要求1所述的一种阴极发射体,其特征在于,所述阴极发射体是中间为空心的管状结构,从内到外依次为发射体内层和发射体外层,所述发射体内层孔隙的孔度小于发射体外层孔隙的孔度。
3.如权利要求1或2所述的一种阴极发射体,其特征在于,所述发射体基体由钨材料制成,所述浸渍物是铝酸盐。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510179910.5A CN104766774A (zh) | 2015-04-16 | 2015-04-16 | 一种阴极发射体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510179910.5A CN104766774A (zh) | 2015-04-16 | 2015-04-16 | 一种阴极发射体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104766774A true CN104766774A (zh) | 2015-07-08 |
Family
ID=53648540
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510179910.5A Pending CN104766774A (zh) | 2015-04-16 | 2015-04-16 | 一种阴极发射体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104766774A (zh) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1034823A (zh) * | 1987-12-17 | 1989-08-16 | 三菱电机株式会社 | 电子管阴极 |
US4980603A (en) * | 1987-06-12 | 1990-12-25 | Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Cathode for an electron tube |
JPH06103885A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Toshiba Corp | 多孔質焼結基体、その製造法および多孔質材料の気孔率評価法 |
JPH06111711A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Sony Corp | 含浸型陰極 |
CN1205538A (zh) * | 1997-07-09 | 1999-01-20 | 松下电子工业株式会社 | 浸渍型阴极及其制造方法 |
CN101728181A (zh) * | 2009-12-06 | 2010-06-09 | 甘肃虹光电子有限责任公司 | 一种环状钡钨阴极发射体的制造方法 |
CN103050354A (zh) * | 2011-10-17 | 2013-04-17 | 中国科学院电子学研究所 | 一种储存式覆膜浸渍钡钨阴极及制备方法 |
CN204480992U (zh) * | 2015-04-16 | 2015-07-15 | 成都国光电气股份有限公司 | 一种阴极发射体 |
-
2015
- 2015-04-16 CN CN201510179910.5A patent/CN104766774A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4980603A (en) * | 1987-06-12 | 1990-12-25 | Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Cathode for an electron tube |
CN1034823A (zh) * | 1987-12-17 | 1989-08-16 | 三菱电机株式会社 | 电子管阴极 |
JPH06103885A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Toshiba Corp | 多孔質焼結基体、その製造法および多孔質材料の気孔率評価法 |
JPH06111711A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Sony Corp | 含浸型陰極 |
CN1205538A (zh) * | 1997-07-09 | 1999-01-20 | 松下电子工业株式会社 | 浸渍型阴极及其制造方法 |
CN101728181A (zh) * | 2009-12-06 | 2010-06-09 | 甘肃虹光电子有限责任公司 | 一种环状钡钨阴极发射体的制造方法 |
CN103050354A (zh) * | 2011-10-17 | 2013-04-17 | 中国科学院电子学研究所 | 一种储存式覆膜浸渍钡钨阴极及制备方法 |
CN204480992U (zh) * | 2015-04-16 | 2015-07-15 | 成都国光电气股份有限公司 | 一种阴极发射体 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101818681B1 (ko) | 게터 내장형 전계방출 엑스선관 장치 | |
CN105609395A (zh) | 一种新型空心阴极 | |
MX2015008261A (es) | Dispositivo de bombardeo de iones y metodo para usar el mismo para limpiar una superficie de sustrato. | |
JP2019507467A (ja) | セラミックのイオン源チャンバ | |
CN108461366A (zh) | 一种一体式空心阴极 | |
MX2012001712A (es) | Aparato y metodo para remocion de oxidos de superficie por la via de la tecnica sin fundente que involucra la union de electron. | |
CN103917034A (zh) | 一种空心阴极点火电路 | |
JP2008226683A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
CN103311066B (zh) | 具有内芯的用于航天器自持空心阴极的发射体 | |
CN104766774A (zh) | 一种阴极发射体 | |
CN204480992U (zh) | 一种阴极发射体 | |
CN102842477B (zh) | X射线管 | |
CN204598341U (zh) | 一种霍尔推进器的中和器加热装置 | |
CN106508075B (zh) | 热阴极等离子体电子枪 | |
CN107910236B (zh) | 一种基于热电子发射阴极的电子发射装置 | |
CN116313689A (zh) | 一种钡钨六硼化镧复合空心阴极 | |
RU2014121444A (ru) | Способ охлаждения лопаток турбины газотурбинной установки | |
JP7129074B1 (ja) | 真空陰極アーク放電を用いたパルス型推進機 | |
CN204497566U (zh) | 一种沿面放电触发的伪火花开关 | |
CN114379824A (zh) | 一种电推进空心阴极的石墨触持极组件 | |
CN207676874U (zh) | 一种基于热电子发射阴极的电子发射装置 | |
CN107465110B (zh) | 一种基于气流循环的高重复频率高压脉冲源主开关 | |
JP2017143011A (ja) | 電子放出素子 | |
RU155052U1 (ru) | Свч прибор о-типа с безнакальным катодом | |
RU2565646C1 (ru) | Ионный двигатель |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150708 |