[go: up one dir, main page]

CN104733267A - 一种高电离率氧化物阴极等离子体源及其制备方法 - Google Patents

一种高电离率氧化物阴极等离子体源及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104733267A
CN104733267A CN201510066212.4A CN201510066212A CN104733267A CN 104733267 A CN104733267 A CN 104733267A CN 201510066212 A CN201510066212 A CN 201510066212A CN 104733267 A CN104733267 A CN 104733267A
Authority
CN
China
Prior art keywords
plasma source
ionization rate
high ionization
powder
cathode plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510066212.4A
Other languages
English (en)
Inventor
谢锦林
胡广海
金晓丽
袁林
张乔枫
杨尚川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Science and Technology of China USTC
Original Assignee
University of Science and Technology of China USTC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Science and Technology of China USTC filed Critical University of Science and Technology of China USTC
Priority to CN201510066212.4A priority Critical patent/CN104733267A/zh
Publication of CN104733267A publication Critical patent/CN104733267A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/13Solid thermionic cathodes
    • H01J1/14Solid thermionic cathodes characterised by the material
    • H01J1/142Solid thermionic cathodes characterised by the material with alkaline-earth metal oxides, or such oxides used in conjunction with reducing agents, as an emissive material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/04Manufacture of electrodes or electrode systems of thermionic cathodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种高电离率氧化物阴极等离子体源及其制备方法,它包括下列重量份数的物质:碳酸钡BaCO3 1份,碳酸锶SrCO3 0.6-0.8份,碳酸钙CaCO3 0.05-0.2份,三氧化二钪Sc2O3 0.05-0.2份;所述碳酸钡BaCO3、碳酸锶SrCO3、碳酸钙CaCO3、三氧化二钪Sc2O3的化学纯度皆为99.99%。本发明具有在抑制打火现象发生的同时增加阴极的发射能力的优点。

Description

一种高电离率氧化物阴极等离子体源及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种高电离率氧化物阴极等离子体源及其制备方法。
背景技术
美国UCLA大学的LAPD装置最早完成大面积氧化物阴极设计,氧化物阴极发射材料是碱土金属氧化物,但它们在大气中无法稳定存在,必须通过碱土金属碳酸盐或者氢氧化物在高温下分解产生。一般情况下我们使用碱土金属碳酸盐,其在大气中化学性质稳定,在真空环境下,高温分解产生氧化物。常见的碱土金属氧化物有CaO、SrO及BaO,氧化钡的逸出功最低,是很好的发射材料。BaO由高温下BaCO3分解产生,其反应式如下:
BaCO3→BaO+CO2
BaO高温下蒸发量太大,且它在热分解过程中会与碳酸钡结合,生成(BaO·BaCO3),这种盐熔点低,会在分解过程中熔化生成坚密结构,不利于阴极激活与发射。在碳酸盐中加入适量SrCO3,SrO比BaO更早生成且难熔,这样可以抑制涂层的烧结。CaCO3可以使涂层更加坚固,更耐离子轰击,同时与阴极粘结也更加牢固。这对于作为等离子体源来说非常重要,因为离子轰击溅射会使涂层变薄,发射能力下降和不均匀。也有很多人认为,SrO、CaO可以吸附更多的自由钡,并且能抑制自由钡的蒸发,形成更多的发射中心。碳酸盐的混合物的反应式为:
Ba(Sr,Ca)CO3→Ba(Sr,Ca)O+CO2
这种氧化物阴极相对于热灯丝阴极,其发射效率已经有了显著的提升,但是,在大电流发射条件(正常工作放电电流为0-10A/cm2)下容易打火造成阴极涂层受损,打火的存在限制了其发射效率。
氧化物阴极之所以打火是因为大电流流过涂层造成局部过热,大量的自由钡蒸发汽化,在阴极表面堆积电离,然后大量离子轰击涂层将涂层除去。如果要抑制打火要么降低发射电流,要么增加涂层的导电性。涂层的电阻分为两部分,一个是粉末涂层电阻,另一部分是在基金属与涂层之间会形成一个中间层,这部分也具有相当大的电阻。中间层的形成是因为基金属内部有大量的还原性物质,还原性物质扩散至基金属表面与氧化钡发生还原反应,而还原能力最强的就是单质硅,发生反应如下:
Si+2BaO→2Ba+SiO2
2BaO+SiO2→Ba2SiO4
反应生成的SiO2(二氧化硅)和Ba2SiO4(BaO·BaSiO3)是中间层的主要成分,而它们不导电,在基金属表面分布不均匀,某个局域中间层较厚,电阻就会较大,这样可能出现两种结果:一是大电流流过中间层造成打火,一是中间层长时间形成致密结构抑制还原反应。第二种情况一般不会出现,因为这是一个很漫长的过程且要求基金属硅含量很高,而打火却是很有可能的。如果抑制了中间层的形成,那么从某个方面来说就抑制了打火。
发明内容
本发明提供一种高电离率氧化物阴极等离子体源及其制备方法,它能在抑制打火现象发生的同时增加阴极的发射能力。
本发明所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现:
一种高电离率氧化物阴极等离子体源,它包括下列重量份数的物质:碳酸钡BaCO3 1份,碳酸锶SrCO3 0.6-0.8份,碳酸钙CaCO3 0.05-0.2份,三氧化二钪Sc2O3 0.05-0.2份。
所述碳酸钡BaCO3、碳酸锶SrCO3、碳酸钙CaCO3、三氧化二钪Sc2O3的化学纯度皆为99.99%。
本发明还包括一种高电离率氧化物阴极等离子体源的制备方法,它包括如下步骤:
a、按上述碳酸钡BaCO3、碳酸锶SrCO3、碳酸钙CaCO3、三氧化二钪Sc2O3的比例配置粉末;
b、按1g粉末1~2ml的比例将乙酸异戊脂加入步骤a得到的粉末,放入研磨机研磨至颗粒尺度小于3um,再按1g粉末1~2ml的比例加入胶棉液,经过充分混合后,得到备用的悬浊液;
c、用Al2O3砂纸清洁基金属板,并将洁净的基金属板固定在电动转盘上;
d将步骤b得到的悬浊液均匀喷涂到步骤c得到的基金属板上;
e、待涂层自然挥发或烘烤干;
f、重复步骤d、e,直至涂层厚度达40um-200um。
本发明的有益效果是:本发明在碳酸盐粉末中加入纯度99.99%的Sc2O3(三氧化二钪)粉末就可以抑制打火的同时增加阴极的发射能力。氧化钪将中间层不导电介质反应生成Ba3Sc4O9,这个反应条件是高温,一般要求高于1000℃。反应生成的钪酸钡在高温下(1000℃~1100℃)具有很强的发射能力(50A/cm2),是浸渍型钪酸阴极的主要发射材料。即使氧化物阴极工作温度较低时(900℃左右),化学反应速度较慢,但实验证明反应还是进行了,并且显著提高了阴极发射能力且没有打火。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面进一步阐述本发明。
一种高电离率氧化物阴极等离子体源,它包括下列重量份数的物质:碳酸钡BaCO3 1份,碳酸锶SrCO3 0.6-0.8份,碳酸钙CaCO3 0.05-0.2份,三氧化二钪Sc2O3 0.05-0.2份。
碳酸钡BaCO3、碳酸锶SrCO3、碳酸钙CaCO3、三氧化二钪Sc2O3的化学纯度皆为99.99%。
本发明还包括一种高电离率氧化物阴极等离子体源的制备方法,它包括如下步骤:
a、按上述碳酸钡BaCO3、碳酸锶SrCO3、碳酸钙CaCO3、三氧化二钪Sc2O3的比例配置粉末;
b、按1g粉末1~2ml的比例将乙酸异戊脂加入步骤a得到的粉末,放入研磨机研磨至颗粒尺度小于3um,再按1g粉末1~2ml的比例加入胶棉液,经过充分混合后,得到备用的悬浊液;
c、用100目Al2O3砂纸打磨基金属板后,再用无纺布清洗,待正表面光洁后,用干净的100目Al2O3砂纸,在镍板表面沿同一方向划槽,并将洁净的基金属板固定在电动转盘上;
d将步骤b得到的悬浊液倒入洁净的喷枪,试喷几次,其呈锥形均匀雾状结后,均匀喷涂到步骤c得到的基金属板上;
e、待涂层自然挥发或烘烤干;
f、重复步骤d、e,直至涂层厚度达40um-200um,根据厚度调节喷涂时间。
碳酸盐粉末中加入纯度99.99%的Sc2O3(三氧化二钪)粉末就可以抑制打火的同时增加阴极的发射能力,反应过程如下:
20Ni+2Sc2O3→4ScNi5+3O2
9Ba2SiO4+16ScNi5→4Ba3Sc4O9+6Ba+9Si+80Ni
从上式可以看出,氧化钪将中间层不导电介质反应生成Ba3Sc4O9,这个反应条件是高温,一般要求高于1000℃。反应生成的钪酸钡在高温下(1000℃~1100℃)具有很强的发射能力(50A/cm2),是浸渍型钪酸阴极的主要发射材料。即使氧化物阴极工作温度较低时(900℃左右),化学反应速度较慢,但实验证明反应还是进行了,并且显著提高了阴极发射能力且没有打火。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征以及本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (3)

1.一种高电离率氧化物阴极等离子体源,它包括下列重量份数的物质:碳酸钡BaCO31份,碳酸锶SrCO30.6-0.8份,碳酸钙CaCO30.05-0.2份,三氧化二钪Sc2O30.05-0.2份。
2.根据权利要求1所述的一种高电离率氧化物阴极等离子体源,其特征在于:所述碳酸钡BaCO3、碳酸锶SrCO3、碳酸钙CaCO3、三氧化二钪Sc2O3的化学纯度皆为99.99%。
3.一种制备权利要求1-2任一项所述的一种高电离率氧化物阴极等离子体源的制备方法,其特征在于:它包括如下步骤:
a、按上述碳酸钡BaCO3、碳酸锶SrCO3、碳酸钙CaCO3、三氧化二钪Sc2O3的比例配置粉末;
b、按1g粉末1~2ml的比例将乙酸异戊脂加入步骤a得到的粉末,放入研磨机研磨至颗粒尺度小于3um,再按1g粉末1~2ml的比例加入胶棉液,经过充分混合后,得到备用的悬浊液;
c、用Al2O3砂纸清洁基金属板,并将洁净的基金属板固定在电动转盘上;
d将步骤b得到的悬浊液均匀喷涂到步骤c得到的基金属板上;
e、待涂层自然挥发或烘烤干;
f、重复步骤d、e,直至涂层厚度达40um-200um。
CN201510066212.4A 2015-02-04 2015-02-04 一种高电离率氧化物阴极等离子体源及其制备方法 Pending CN104733267A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510066212.4A CN104733267A (zh) 2015-02-04 2015-02-04 一种高电离率氧化物阴极等离子体源及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510066212.4A CN104733267A (zh) 2015-02-04 2015-02-04 一种高电离率氧化物阴极等离子体源及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104733267A true CN104733267A (zh) 2015-06-24

Family

ID=53457071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510066212.4A Pending CN104733267A (zh) 2015-02-04 2015-02-04 一种高电离率氧化物阴极等离子体源及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104733267A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105679624A (zh) * 2016-03-03 2016-06-15 宁波凯耀电器制造有限公司 一种耐轰击的电子发射材料及其制备方法
CN108417470A (zh) * 2018-03-19 2018-08-17 中国科学技术大学 一种高电离率大面积氧化物阴极等离子体源阴极及制作方法
CN114975035A (zh) * 2022-04-25 2022-08-30 中国科学技术大学 一种氧化物阴极发射浆制备等离子体源的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN86104753A (zh) * 1985-07-19 1987-01-14 三菱电机株式会社 电子管用阴极
JPH03173035A (ja) * 1989-11-09 1991-07-26 Samsung Electron Devices Co Ltd ディスペンサー陰極
CN1453809A (zh) * 2002-04-25 2003-11-05 汤姆森许可贸易公司 电子枪的高密度薄发射区的氧化物阴极
WO2005062334A1 (en) * 2003-12-23 2005-07-07 L.G. Philips Displays Netherlands B.V. Oxide cathode

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN86104753A (zh) * 1985-07-19 1987-01-14 三菱电机株式会社 电子管用阴极
JPH03173035A (ja) * 1989-11-09 1991-07-26 Samsung Electron Devices Co Ltd ディスペンサー陰極
CN1453809A (zh) * 2002-04-25 2003-11-05 汤姆森许可贸易公司 电子枪的高密度薄发射区的氧化物阴极
WO2005062334A1 (en) * 2003-12-23 2005-07-07 L.G. Philips Displays Netherlands B.V. Oxide cathode

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
姚宗熙等: ""用于CRT的氧化钪分散型阴极的试验研究"", 《真空科学与技术》 *
胡广海等: ""线性磁化装置氧化物阴极放电"", 《第十五届全国等离子体科学技术会议》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105679624A (zh) * 2016-03-03 2016-06-15 宁波凯耀电器制造有限公司 一种耐轰击的电子发射材料及其制备方法
CN105679624B (zh) * 2016-03-03 2017-08-25 宁波凯耀电器制造有限公司 一种耐轰击的电子发射材料及其制备方法
CN108417470A (zh) * 2018-03-19 2018-08-17 中国科学技术大学 一种高电离率大面积氧化物阴极等离子体源阴极及制作方法
CN114975035A (zh) * 2022-04-25 2022-08-30 中国科学技术大学 一种氧化物阴极发射浆制备等离子体源的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6828588B2 (en) Protective film for FPD, vapor deposition material for protective film and its production method, FPD, and manufacturing device for FPD protective film
JP6261979B2 (ja) 皮膜の形成方法
TWI821615B (zh) 在零部件上形成耐等離子體塗層的方法、裝置及零部件和等離子體處理裝置
CN104733267A (zh) 一种高电离率氧化物阴极等离子体源及其制备方法
TW202113911A (zh) 用於電漿腔室內部的部件及其製作方法
JP2008091074A (ja) 耐湿性に優れたプラズマディスプレイパネル保護膜用蒸着材
KR20110014713A (ko) 전기 램프용 전자 방출 전극재 및 그의 제조방법
CN103663985B (zh) 一种导电平板玻璃的制造方法
JPWO2008032627A1 (ja) ドライエッチング方法
JP4075647B2 (ja) Fpd用保護膜の製造方法
US2238595A (en) Oxide coated cathode
CN116715511A (zh) 一种用于高压电容器的陶瓷绝缘子及其制备方法
JP4192642B2 (ja) Fpd用保護膜の製造方法
KR102272156B1 (ko) 이트륨계 세라믹 및 그 제조 방법
US1552310A (en) Electrode for discharge tubes
US2171230A (en) Insulating coating
JP4147988B2 (ja) Fpdの保護膜用蒸着材およびその製造方法
US2476590A (en) Cathode coating
JP4607255B2 (ja) プラズマディスプレイパネル
CN101459022A (zh) 保护层及其制备方法和含该保护层的等离子体显示面板
KR20160065385A (ko) 세라믹 부품용 파우더를 이용한 플라즈마 식각장치의 세라믹 부품 및 그 제조방법
KR20010058995A (ko) 음극선관용 음극의 표면적 향상 방법 및 그 음극선관용음극
CN109935505A (zh) 一种低温大电流密度含钪氧化物阴极的制备方法
US1865449A (en) Thermionically inactive electrode
Al-Ajili et al. Enhancement of electrical conductivity and emission stability of oxide cathodes using Ni addition

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20150624