[go: up one dir, main page]

CN104704426A - 具有光固化性能和热固化性能的树脂组合物及阻焊干膜 - Google Patents

具有光固化性能和热固化性能的树脂组合物及阻焊干膜 Download PDF

Info

Publication number
CN104704426A
CN104704426A CN201380051369.9A CN201380051369A CN104704426A CN 104704426 A CN104704426 A CN 104704426A CN 201380051369 A CN201380051369 A CN 201380051369A CN 104704426 A CN104704426 A CN 104704426A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin composition
compounds
acid
group
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201380051369.9A
Other languages
English (en)
Inventor
郑珉寿
崔炳柱
郑遇载
崔宝允
李光珠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Corp
Original Assignee
LG Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Chemical Co Ltd filed Critical LG Chemical Co Ltd
Priority claimed from PCT/KR2013/006747 external-priority patent/WO2014021590A1/ko
Publication of CN104704426A publication Critical patent/CN104704426A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/037—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polyamides or polyimides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C08L101/02—Compositions of unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups
    • C08L101/06—Compositions of unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups containing oxygen atoms
    • C08L101/08—Carboxyl groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D133/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09D133/14—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/029—Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/115—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having supports or layers with means for obtaining a screen effect or for obtaining better contact in vacuum printing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

本发明涉及一种具有光固化性能和热固化性能的树脂组合物和一种DFSR，其中所述树脂组合物能够形成DFSR，所述DFSR可无需单独处理(如等离子体处理等)而具有微起伏的表面。所述具有光固化性能和热固性性能的树脂组合物包含：具有羧基(-COOH)和光固化不饱和官能团的酸改性低聚物、聚酰亚胺类树脂、具有两个或多个光固化不饱和官能团的光聚合单体、具有热固性官能团的热固性粘合剂、以及光引发剂。

Description

具有光固化性能和热固化性能的树脂组合物及阻焊干膜
技术领域
本发明涉及可光固化和热固化的树脂组合物及阻焊干膜(dry filmsolder resist)(DFSR)。更具体而言，本发明涉及一种可光固化和热固化的树脂组合物和一种DFSR，所述可光固化和热固化的树脂组合物可形成DFSR，所述DFSR的表面无需单独的处理(如等离子体处理等)而具有微不均匀度(micro unevenness)。
背景技术
随着各种电子器件微型化且轻量化的趋势，能够形成微小开口图案的光敏阻焊剂正用于印刷电路板、半导体封装基板、柔性电路板等中。
所述阻焊剂(solder resist)通常要求显影性、高分辨率、绝缘性、焊接耐受性、镀金耐受性等。并且，当所述阻焊剂应用于半导体封装基板等时，在处理过程中，需在膜型阻焊剂的表面上形成微不均匀度以确保与后续材料具有良好的粘合强度。
迄今为止，在通过光固化、热固化等过程形成膜型阻焊剂(例如DFSR)之后，施加单独的表面处理过程(如等离子体处理)以在表面上形成这种微不均匀度。然而，存在一个缺点，即由于额外的单独过程(如等离子体处理)而使整个过程变得既复杂又不经济。
发明内容
发明目的
本发明的一方面是提供一种可光固化和热固化的树脂组合物，其可形成DFSR，该DFSR无需单独处理(如等离子体处理等)而在表面上具有微不均匀度。
本发明的另一方面的是提供一种阻焊干膜(DFSR)，其可无需单独处理(如等离子体处理等)而在表面上具有微不均匀度且与其他材料具有良好的粘合强度。
此外，本发明涉及一种包括所述DFSR的印刷电路。
技术方案
本发明提供一种可光固化和热固化的树脂组合物，其包含：具有羧基(-COOH)和光固化不饱和官能团的酸改性低聚物；聚酰亚胺类树脂；具有两个或多个光固化不饱和官能团的光聚合单体；具有热固性官能团的热固性粘合剂；以及光引发剂。
本发明还提供一种阻焊干膜，其包含：具有羧基(-COOH)和光固化不饱和官能团的酸改性低聚物；具有两个或多个光固化不饱和官能团的光聚合单体；以及具有热固性官能团的热固性粘合剂的固化产物，其中在表面上形成具有2至20μm的平均粗糙度(Rz)的微不均匀度。
在下文中，将更详细地阐释本发明的实施方案的可光固化和热固化的树脂组合物和该DFSR。
根据本发明的一个实施方案，其提供一种可光固化和热固化的树脂组合物，其包含：具有羧基(-COOH)和光固化不饱和官能团的酸改性低聚物；聚酰亚胺类树脂；具有两个或多个光固化不饱和官能团的光聚合单体；具有热固性官能团的热固性粘合剂；以及光引发剂。
在该树脂组合物中，包含聚酰亚胺类树脂、某种酸改性低聚物、光聚合单体、光引发剂、以及热固性粘合剂。
一个实施方案的所述树脂组合物可用于通过以下过程形成DFSR。首先，将所述树脂组合物涂覆于基板上且将形成DFSR的部分的树脂组合物选择性地暴露于光下。通过进行这种曝光，可使酸改性低聚物中所含的不饱和官能团和光聚合单体中所含的不饱和官能团进行光固化并形成交联键，从而交联结构可通过光固化过程而形成于曝光部分。
之后，用碱性显影剂进行显影过程，以致形成交联结构的曝光部分的树脂组合物本身保留于基板上而未暴露部分的树脂组合物可溶于显影剂中而除去。
随后，通过热处理基板上留下的树脂组合物而进行热固化过程，以致酸改性低聚物中所含的羧基可与热固性粘合剂的热固性官能团反应并可形成交联键，从而通过热固化形成交联结构且所述DFSR可形成于基板的所期望的部分上。
然而，当像这样形成的DFSR应用于半导体封装基板等中时，在处理过程中需要于DFSR上形成微不均匀度以确保与后续的材料具有良好的粘合强度。通过在该DFSR表面上形成所述微不均匀度，DFSR与DFSR上所施用的后续材料之间的接触表面积可增加，从而可确保良好的粘合强度。
然而，迄今为止，在通过上述公开的光固化和热固化过程形成DFSR之后，已对其施加单独的表面处理过程(如等离子体处理过程等)以形成该微不均匀度。但是，由于增加等离子体处理过程等，而产生使整个过程变得复杂的缺点。
相比之下，由于一个实施方案的树脂组合物因其包含聚酰亚胺类树脂而能够解决上述缺点。换言之，聚酰亚胺类树脂不显示出光固化特效，其与酸改性低聚物的混溶性差，且其能够溶于显影剂中。由于聚酰亚胺类树脂的所述特性，在未发生光固化的未曝光部分，当树脂组合物曝光后进行显影时，包含聚酰亚胺类树脂的树脂组合物可通过显影过程充分地溶解并完全除去。相比之下，在曝光部分，聚酰亚胺类树脂可因其与酸改性低聚物等不互溶，而引起与该树脂组合物的其他组分的微小相分离，因此，聚酰亚胺类树脂事实上能够与其他组分(如通过光固化交联的酸改性低聚物)离散存在。聚酰亚胺类树脂可通过同样溶于显影剂中而选择性地除去且仅其他组分(如交联的酸改性低聚物)可保留在曝光部分。因此，由于聚酰亚胺类树脂的选择性去除，可在曝光部分上形成微不均匀度(参见图1)。
因此，通过用一个实施方案的树脂组合物形成该DFSR，即使不对其施加单独的等离子体处理过程，也可在DFSR的表面上形成微不均匀度。具体而言，即使仅进行用于形成DFSR的显影过程，由于也在DFSR的表面上形成微不均匀度，可简化DFSR的形成过程且可制备与后续材料具有良好粘合强度的DFSR。
在下文中，将更详细地描述一个实施方案的树脂组合物的各组分。
酸改性低聚物
一个实施方案的所述树脂组合物包含具有羧基(-COOH)和光固化不饱和官能团的酸改性低聚物。所述酸改性低聚物可与树脂组合物的其他组分(即光聚合单体和/或热固性粘合剂)通过光固化进行交联，并使其可能用于制备DFSR。并且，树脂组合物因其包含羧基而具有碱显影特性。
作为酸改性低聚物，可不受限地使用已知可用于光固化树脂组合物中的分子中具有羧基和光固化官能团(例如，具有丙烯酸酯基或不饱和双键的可固化官能团)的任何低聚物。例如，酸改性低聚物的主链可为线型酚醛环氧树脂(novolak epoxy)或聚氨酯，且可使用包含引入至主链的羧基和丙烯酸酯基等的酸改性低聚物。优选地，光固化官能团可为丙烯酸酯基。此时，酸改性低聚物可通过使具有羧基的可聚合单体与包含丙烯酸酯类化合物的单体以低聚物的形式共聚合而获得。
更具体而言，可用于树脂组合物的酸改性低聚物的具体实例为如下。
(1)含有羧基的树脂，其通过使不饱和羧酸(a)(例如(甲基)丙烯酸等)与具有不饱和双键的化合物(b)(例如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、(甲基)丙烯酸低级烷基酯、异丁烯等)共聚而获得；
(2)含有羧基的光敏树脂，其通过使具有烯键式不饱和基团(例如乙烯基、烯丙基、(甲基)丙烯酰基等)和反应性基团(例如环氧基、酰氯等)的化合物(例如，(甲基)丙烯酸缩水甘油酯)与一部分不饱和羧酸(a)和具有不饱和双键的化合物(b)的共聚物反应，然后向其添加烯键式不饱和基团作为侧基而获得；
(3)含有羧基的光敏树脂，其通过使不饱和羧酸(a)与具有环氧基和不饱和双键的化合物(c)(例如(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸α-甲基缩水甘油酯等)和具有不饱和双键的化合物(b)的共聚物反应，然后使由此形成的仲羟基与饱和或不饱和的多元酸酐(d)(例如邻苯二甲酸酐、四氢化邻苯二甲酸酐、六氢化邻苯二甲酸酐等)反应而获得；
(4)含有羧基的光敏树脂，其通过使具有一个羟基和一个或多个烯键式不饱和双键的化合物(f)(例如(甲基)丙烯酸羟基烷基酯等)与具有不饱和双键的酸酐(e)(例如马来酸酐、衣康酸酐等)和具有不饱和双键的化合物(b)的共聚物反应而获得；
(5)含有羧基的光敏化合物，其通过使分子中具有两个或更多环氧基的多官能环氧树脂(g)的环氧基(如下文所公开的)，或其羟基另外用表氯醇环氧化的多官能环氧树脂的环氧基，与不饱和一元羧酸(h)(例如(甲基)丙烯酸)的羧基之间进行酯化反应(全部或部分酯化，优选全部酯化)，并额外地使由此形成的羟基与饱和或不饱和多元酸酐(d)反应而获得；
(6)含有羧基的树脂，其通过使有机酸(i)(其包含C2-C17烷基羧酸、含有芳基的烷基羧酸等中的任一种羧基且不包含烯键式不饱和基团)与具有不饱和双键的化合物(b)和(甲基)丙烯酸缩水甘油酯的共聚物的环氧基反应而获得；
(7)含有羧基的聚氨酯树脂，其通过使二异氰酸酯(j)(例如脂族二异氰酸酯、支链脂族二异氰酸酯、脂环族二异氰酸酯、芳族二异氰酸酯等)、含有羧基的二醇化合物(k)(例如二羟甲基丙酸、二羟甲基丁酸等)和二醇化合物(m)(例如聚碳酸酯类多元醇、聚醚类多元醇、聚酯类多元醇、聚烯烃类多元醇、丙烯酰类多元醇、双酚A类环氧烷烃加成物二元醇及具有酚羟基和醇羟基的化合物)进行加聚反应而获得；
(8)含有羧基的光敏聚氨酯树脂，其通过使二异氰酸酯(j)、双官能环氧树脂(如双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、联二甲酚型环氧树脂、联苯酚型环氧树脂，或其部分酸酐)的(甲基)丙烯酸酯(n)、含有羧基的二醇化合物(k)、以及二醇化合物(m)进行加聚反应而获得；
(9)其末端被引入一个不饱和双键的含有羧基的聚氨酯树脂，其通过在树脂(7)或(8)的合成过程中加入具有一个羟基和一个或多个烯键式不饱和双键的化合物(f)(例如(甲基)丙烯酸羟基烷基酯)而获得；
(10)其末端被(甲基)丙烯酸酯化的含有羧基的聚氨酯树脂，其通过在树脂(7)或(8)合成过程中加入分子中具有一个异氰酸酯基团和一个或多个(甲基)丙烯酰基的化合物(例如异佛尔酮二异氰酸酯和季戊四醇三丙烯酸酯的等摩尔反应物)，并(甲基)丙烯酸酯化末端基团而获得；
(11)含有羧基的光敏树脂，其通过使饱和或不饱和多元酸酐(d)与改性氧杂环丁烷化合物(其通过使不饱和一元羧酸(h)与如下所公开的分子中具有两个或多个氧杂环丁烷环的多官能氧杂环丁烷化合物反应而获得)的伯羟基反应而获得；
(12)含有羧基的光敏树脂，其通过向双环氧化合物与双酚的反应产物中引入不饱和双键，然后使其与饱和或不饱和多元酸酐(d)反应而获得；
(13)含有羧基的光敏树脂，其通过使饱和或不饱和多元酸酐(d)与如下得到的反应产物反应而获得：通过使不饱和的一元羧酸(h)与线型酚醛型酚醛树脂及环氧烷烃(例如环氧乙烷、环氧丙烷、环氧丁烷、1,3-环氧丙烷、四氢呋喃、四氢吡喃)和/或环状碳酸酯(例如碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯、碳酸丁烯酯和丙基甲基丙烯酸2,3-碳酸酯)的反应产物反应；
在以上所公开的组分中，当用于合成树脂(7)至(10)的包含异氰酸酯基团的化合物为不包含苯环的二异氰酸酯时，且当用于合成树脂(5)至(8)的多官能或双官能环氧树脂为具有双酚A骨架、双酚F骨架、联苯骨架、或联二甲苯酚骨架的线型化合物或其氢化产物时，可获得可优选用于DFSR的柔性方面的酸改性低聚物。此外，在另一方面，由于(7)至(10)的改性树脂产物包含氨基甲酸酯键，其对柔性而言是优选的。
此外，作为市售可得的酸改性低聚物，可使用例如由NipponkayakuCo.,Ltd.生产的ZAR-2000、ZFR-1031、ZFR-1121、ZFR-1122等。
同时，酸改性低聚物的含量可为15重量％至75重量％，约20重量％至50重量％、或约25重量％至45重量％，基于一个实施方案的树脂组合物的总重量计。如果酸改性低聚物的含量过低，树脂组合物的显影性变差且DFSR的强度可能降低。反之，如果酸改性低聚物的含量过高，树脂组合物可能过度显影且涂层的均匀性可能降低。
此外，所述酸改性低聚物的酸值可为约40至120mgKOH/g、约50至110mgKOH/g、或60至90mgKOH/g。如果酸值过低，碱显影特性可能降低，反之，如果酸值过高，可能难以形成正常的DFSR图案，这是因为光固化部分，例如，曝光部分，可被溶解。
光聚合单体
同时，一个实施方案的树脂组合物包含光聚合单体。所述光聚合单体例如可为具有两个或多个光固化不饱和官能团(例如多官能团乙烯基等)的化合物，且其可与酸改性低聚物的不饱和官能团形成交联键，并且当其曝光时可通过光固化形成交联结构。因此，对应于将形成DFSR的部分的曝光部分的树脂组合物——不被碱显影，而可保留在基板上。
可使用在室温下为液相的光聚合单体，因此，其可起调节一个实施方案的树脂组合物的粘度以适合涂覆方法或同时改善未曝光部分的碱显影特性的作用。
作为光聚合单体，可使用分子中具有两个或多个、三个或多个、或三个至六个光固化不饱和官能团的(甲基)丙烯酸酯类化合物。例如，可使用一种或多种选自以下的化合物：光敏(甲基)丙烯酸酯类化合物，如具有羟基的多官能丙烯酸酯类化合物，如三丙烯酸季戊四醇酯、五丙烯酸二季戊四醇酯等；水溶性多官能丙烯酸酯类化合物，如二丙烯酸聚乙二醇酯、二丙烯酸聚丙二醇酯等；多元醇的多官能聚酯丙烯酸酯类化合物，如三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四丙烯酸季戊四醇酯、六丙烯酸二季戊四醇酯等；多官能醇的环氧乙烷加成物和/或环氧丙烷加成物的丙烯酸酯类化合物，如三羟甲基丙烷、氢化双酚A等，或多元酚如双酚A、联苯酚等；多官能或单官能聚氨酯丙烯酸酯类化合物，其为具有羟基的多官能丙烯酸酯类化合物的异氰酸酯加成物；环氧丙烯酸酯类化合物，其为双酚A二缩水甘油醚、氢化双酚A二缩水甘油醚、或苯酚线型酚醛环氧树脂的(甲基)丙烯酸加成物；己内酯改性的丙烯酸酯类化合物，如己内酯改性的双三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、ε-己内酯改性的二季戊四醇的丙烯酸酯、己内酯改性的羟基新戊酸新戊二醇酯二丙烯酸酯等；及对应于上述丙烯酸酯类化合物的(甲基)丙烯酸酯类化合物，且所述化合物可单独使用或通过混合这些化合物种的两种或多种而使用。
在上述化合物中，分子中具有两个或多个、三个或多个、或三个至六个(甲基)丙烯酰基的多官能(甲基)丙烯酸酯类化合物可用作光聚合单体。具体而言，可优选使用三丙烯酸季戊四醇酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、六丙烯酸二季戊四醇酯、己内酯改性的双三羟甲基丙烷四丙烯酸酯。例如，作为市售可得的光聚合单体，可使用KAYARAD的DPEA-12等。
光聚合单体的含量可为约5至30重量％、或约7至20重量％、或约7至15重量％，基于树脂组合物的总重量计。如果光聚合单体的含量过低，光固化可能不充分，且如果其含量过高，则DFSR的干燥特性变差且其物理特性可能降低。
聚酰亚胺类树脂
同时，一个实施方案的树脂组合物包含聚酰亚胺类树脂。所述聚酰亚胺类树脂不会显示出光固化特性，与酸改性低聚物和光固化单体不混溶或不反应，且可溶于显影剂中。由于聚酰亚胺类树脂的所述特性，当一个实施方案的树脂组合物进行曝光并对其实施显影过程时，仅不具有光固化特性的聚酰亚胺类树脂可选择性地溶于显影剂中并从进行光固化的曝光部分中除去，且仅通过光固化形成交联结构的剩余酸改性低聚物可以残留。这是因为聚酰亚胺类树脂对酸改性低聚物表现出不互溶和无反应性且在光固化后导致微小的相分离。因此，仅聚酰亚胺类树脂可选择性地从曝光部分中除去并可在DFSR的表面上形成微不均匀度。
换言之，由于所述聚酰亚胺类树脂的作用，可通过由一个实施方案的树脂组合物制备的DFSR，在无需增加的单独的等离子体处理过程下，获得形成于表面的微不均匀度的DFSR。具体而言，即使仅进行自然用于形成DFSR的显影过程，DFSR可在表面上具有微不均匀度，从而可通过简化过程制备与后续材料具有优异的粘合强度的DFSR。
作为聚酰亚胺类树脂，可使用任意的聚酰亚胺树脂、具有聚酰胺酸形式的聚酰亚胺树脂的前驱体，或衍生物，其对酸改性低聚物表现出无反应性和不互溶性并在显影剂中表现出可溶性。例如，作为聚酰亚胺类树脂，可使用通过具有脂族或芳族官能团的二元胺与双酐的反应获得的聚酰胺酸的前驱体或聚酰亚胺树脂。此外，考虑到聚酰亚胺类树脂的上述特性，聚酰亚胺类树脂可具有的重均分子量为约10,000至100,000、或约20,000至100,000。不言而喻，可使用根据本领域技术人员明显已知的方法亲自合成的聚酰亚胺类树脂或购买的市售聚酰亚胺类树脂。
并且，聚酰亚胺类树脂的含量可为约1重量％至30重量％、或约5重量％至27重量％、或约10重量％至25重量％，基于树脂组合物的总重量计。如果聚酰亚胺树脂的含量太低，则最终形成的DFSR上形成的微不均匀度太差且可能无法确保其与后续材料之间具有足够的粘合强度，而如果其含量太高，则太多的聚酰亚胺类树脂从将形成DFSR的曝光部分中除去且可能无法形成具有所需图案的DFSR。
光引发剂
一个实施方案的树脂组合物包含光引发剂。所述光引发剂，例如在树脂组合物的曝光部分起着引发自由基光固化的作用。
作为光引发剂，可使用任何已知的引发剂，且可使用：包含苯偶姻及其烷基酯的苯偶姻类化合物，如苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚等；苯乙酮类化合物，如苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、1,1-二氯苯乙酮、4-(1-叔丁基二氧基-1-甲基乙基)苯乙酮等；蒽醌类化合物，如2-甲基蒽醌、2-戊基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、1-氯蒽醌等；噻吨酮类化合物，如2,4-二甲基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮、2-氯噻吨酮等；缩酮化合物，如苯乙酮二甲基缩酮、苄基二甲基缩酮等；二苯甲酮类化合物，如二苯甲酮、4-(1-叔丁基二氧基-1-甲基乙基)二苯甲酮、3,3’,4,4’-四(叔丁基二氧基羰基)二苯甲酮等。
此外，作为优选的引发剂可提及α-氨基苯乙酮化合物，如2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙酮-1,2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉代苯基)-丁基-1-酮、2-(二甲基氨基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-吗啉基)苯基]-1-丁酮、N,N-二甲基氨基苯乙酮(作为市售商品，如Chiba Specialty Chemicals Co.,Ltd.(现为Chiba JapanCo.,Ltd.)的Irgacure(注册商标)907，Irgacure 369，Irgacure 379等)；以及酰基膦氧化物，如2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基膦氧化物、双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)-苯基膦氧化物、双(2,6-二甲氧基苯甲酰基)-2,4,4-三甲基戊基膦氧化物(作为市售商品，如BASF Co.,Ltd.的Lucirin(注册商标)TPO,Chiba Specialty Chemicals Co.,Ltd.的Irgacure 819)。
此外，作为其他优选的光引发剂，可使用肟酯化合物。作为肟酯化合物的具体实例，可使用2-(乙酰氧基亚氨基甲基)噻吨-9-酮、(1,2-辛二酮、1-[4-(苯硫基)苯基]-、2-(O-苯甲酰基肟))、(乙酮、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]-、1-(O-乙酰基肟))等。作为市售商品，可使用Chiba Specialty Chemicals Co.的GGI-325、Irgacure OXE01和Irgacure OXE02、ADEKA Co.,Ltd.的N-1919和Chiba Specialty Chemicals Co.的Darocur TPO。另外，双咪唑类化合物或三嗪类化合物可用作优选的光引发剂。
光引发剂的含量可为约0.5至20重量％、或约1至10重量％、或约1至5重量％，基于树脂组合物的总重量计。如果光引发剂的含量过低，可能无法适当地发生光固化，反之，如果含量过高，树脂组合物的分辨率可能降低或DFSR的可靠性可能不足。
热固性粘合剂
一个实施方案的树脂组合物还包含具有热固性官能团(例如，一种或多种选自环氧基、氧杂环丁烷基、环醚基和环硫醚基的基团)的热固性粘合剂。所述热固性粘合剂通过热固化与酸改性粘合剂形成交联键并可确保DFSR的耐热性或机械性能。
所述热固性粘合剂的软化点可为约70至100℃，且因此，可在层压过程中降低所述不均匀度。当软化点低时，DFSR的粘性增加，而当软化点高时，流动性可能变差。
作为热固性粘合剂，可使用分子中具有二个或多个环醚基和/或环硫醚基(在下文中称为环(硫)醚基)的树脂且可使用双官能环氧树脂。也可使用其他二异氰酸酯或其双官能团嵌段异氰酸酯。
分子中具有两个或多个环(硫)醚基的热固性粘合剂可为具有两个或多个官能团(所述官能团为3元、4元、或5元的环醚基或环硫醚基中的任一个或两个)的化合物。此外，所述热固性粘合剂可为分子中具有至少两个或多个环氧基的多官能环氧化合物、分子中具有至少两个或多个氧杂环丁烷基的多官能氧杂环丁烷化合物或分子中具有至少两个或多个硫醚基的环硫树脂。
作为多官能环氧化合物的实例，可使用双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、线型酚醛型环氧树脂、苯酚线型酚醛型环氧树脂、甲酚线型酚醛型环氧树脂、N-缩水甘油基型环氧树脂、双酚A的线型酚醛型环氧树脂、双二甲苯酚型环氧树脂、双酚型环氧树脂、螯合型(chelate-type)环氧树脂、乙二醛型(glyoxal-type)环氧树脂、含氨基的环氧树脂、橡胶改性的环氧树脂、双环戊二烯酚型环氧树脂、邻苯二甲酸二缩水甘油酯树脂、杂环的环氧树脂、四缩水甘油基二甲苯酚基乙烷树脂、硅改性的环氧树脂、ε-己内酯改性的环氧树脂等。此外，结构中引入磷原子等的化合物可用于赋予阻燃性。这些环氧树脂通过热固化过程改善固化膜的粘附性、焊接耐受性和非电镀耐受性。
作为多官能氧杂环丁烷化合物，除多官能氧杂环丁烷(例如双[(3-甲基-3-氧杂环丁烷基甲氧基)甲基]醚、双[(3-乙基-3-氧杂环丁烷甲氧基)甲基]醚、1,4-双[(3-甲基-3-氧杂环丁烷甲氧基)甲基]苯、1,4-双[3-乙基-3-氧杂环丁烷甲氧基]甲基]苯、丙烯酸(3-甲基-3-氧杂环丁烷基)甲酯、丙烯酸(3-乙基-3-氧杂环丁烷基)甲酯、甲基丙烯酸(3-甲基-3-氧杂环丁烷基)甲酯、甲基丙烯酸(3-乙基-3-氧杂环丁烷基)甲酯及其低聚物或共聚物)之外，还可使用氧杂环丁烷醇和具有羟基的树脂(例如线型酚醛树脂、聚(对羟基苯乙烯)、醚酮型双酚(cardo-type bisphenol)、杯芳烃(calix arenes)、间苯二酚杯芳烃(calix resorcinarenes)、倍半硅氧烷等)的酯化产物。此外，可使用具有杂环丁烷环的不饱和单体与(甲基)丙烯酸烷基酯的共聚物。
作为分子中具有两个或多个环硫醚基的化合物，例如，可为由Japan Epoxy Resin Co.,Ltd.生产的双酚A型环硫树脂(YL700)。此外，也可使用用硫原子取代线型酚醛环氧树脂中的环氧基的氧原子的环硫树脂。
此外，作为市售产品，可使用Kukdo Chemical Co.的YDCN-500-80P等。
热固化粘合剂的含量可为相当于每1当量酸改性低聚物的羧基的0.8至2.0当量。如果热固性粘合剂的含量过低，固化后，羧基可能残留在DFSR中，且耐热性、耐碱性和电绝缘性等可能变差。反之，如果热固性粘合剂的含量过高，其不是优选的，这是因为低分子量的热固性粘合剂残留在所述干膜中且膜的强度降低。
除上述所公开的组分之外，一个实施方案的树脂组合物还可包含溶剂、以及至少一种选自下列的组分：下述的热固性粘合剂催化剂(热固化催化剂)、填料、颜料、和添加剂。
热固性粘合剂催化剂(热固化催化剂)
热固性粘合剂催化剂起着促进热固性粘合剂的热固化的作用。
作为热固性粘合剂催化剂，可使用例如以下化合物：咪唑衍生物，如咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、4-苯基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-(2-氰乙基)-2-乙基-4-甲基咪唑等；胺化合物，如双氰胺、苄基二甲胺、4-(二甲氨基)-N,N-二甲基苄胺、4-甲氧基-N,N-二甲基苄胺、4-甲基-N,N-二甲基苄胺等；肼化合物，如己二酸二酰肼、癸二酸二酰肼等；以及磷化物，三苯基膦等。此外，作为市售产品，可使用例如，由ShikokuKasei Kogyo Co.,Ltd.生产的2MZ-A、2MZ-OK、2PHZ、2P4BHZ和2P4MHZ(均为为咪唑类化合物的商品名)和由San Apro Co.,Ltd.生产的U-CAT3503N和UCAT3502T(为二甲基胺的嵌段异氰酸酯化合物的商品名)以及DBU、DBN、U-CATSA102、和U-CAT5002(为双环脒化合物及其盐的商品名)。具体而言，热固化催化剂可为用于环氧树脂或氧杂环丁烷化合物的热固化催化剂、或用于促进环氧基和/或氧杂环丁基与羧基的反应的催化剂，但不局限于此，且其可单独使用或通过混合其中的两种或多种使用。此外，可使用胍胺(guanamine)、乙酰胍胺(acetoguanamine)、苯并胍胺(benzoguanamine)、三聚氰胺(melamine)、和均三嗪(S-triazine)衍生物(例如2,4-二氨基-6-甲基丙烯酰氧基乙基均三嗪、2-乙烯基-4,6-二氨基均三嗪、2-乙烯基-4,6-二氨基均三嗪·异氰脲酸加成物、2,4-二氨基-6-甲基丙烯酰氧基乙基均三嗪·异氰脲酸加成物等，且可优选将起到增粘剂作用的化合物与所述热固性粘合剂催化剂结合使用。
考虑到适当的热固性，热固性粘合剂催化剂的含量可为约0.3重量％至15重量％，基于树脂组合物的总重量计。
填料
填料起着改善耐热稳定性、对热的尺寸稳定性、和树脂的粘合强度的作用，且通过增强颜色而用作底质颜料(body pigment)。
作为填料，可使用无机或有机填料，可使用例如，硫酸钡、钛酸钡、无定形二氧化硅、晶体二氧化硅、熔融二氧化硅、球形二氧化硅、滑石、粘土、碳酸镁、碳酸钙、氧化铝、氢氧化铝、云母等。
填料的含量可为约5至50重量％，基于树脂组合物的总重量计。当填料的用量为约50重量％以上时，其不是优选的，这是因为组合物的粘度变高，且涂布性变差或固化程度降低。
颜料
颜料通过提供可视性和遮蔽力而起到隐藏缺陷(如电路线的划痕)的作用。
作为颜料，可使用红色、蓝色、绿色、黄色、和黑色颜料。作为蓝色颜料，可以使用酞菁蓝(phthalocyanine blue)、颜料蓝15:1、颜料蓝15:2、颜料蓝15:3、颜料蓝15:4、颜料蓝15:6、颜料蓝60等。作为绿色颜料，可以使用颜料绿7、颜料绿36、溶剂绿3、溶剂绿5、溶剂绿20、溶剂绿28等。作为黄色颜料，可使用蒽醌类化合物、异吲哚酮类化合物、缩合偶氮类化合物、苯并咪唑酮类化合物等，例如，可使用颜料黄108、颜料黄147、颜料黄151、颜料黄166、颜料黄181、颜料黄193等。
颜料的含量可为约0.5至3重量％，基于光敏树脂组合物的总重量计。当颜料的用量低于约0.5重量％时，可视性和遮蔽力降低，而当颜料的用量超过约3重量％时，耐热性降低。
添加剂
添加剂可包含于其中以用于消除树脂组合物中的气泡，在涂覆过程中去除膜表面上的凸起和凹陷、赋予阻燃性、控制粘度、或作为催化剂的组分。
具体而言，熟知的添加剂如熟知的增稠剂，如微粉化的二氧化硅(micronized silica)、有机膨润土、蒙脱石等；硅类、氟类、或聚合物类消泡剂和/或流平剂；咪唑类、噻唑类、或三唑类硅烷偶联剂；阻燃剂，如磷类阻燃剂、锑类阻燃剂等可包含于其中。
在它们之中，流平剂起着在涂布过程中去除膜表面上的凸起和凹陷的作用，可使用例如由BYK-Chemie GmbH生产的BYK-380N,BYK-307,BYK-378,BYK-350等。
添加剂的含量优选为约0.01至10重量％，基于树脂组合物的总重量计。
溶剂
可通过互相混合而使用一种或多种溶剂以溶解树脂组合物或以赋予其适当的粘度。
作为溶剂，可使用酮类，如甲基乙基酮、环己酮等；芳族烃类，如甲苯、二甲苯、四甲基苯等；乙二醇醚类(溶纤剂)，如乙二醇单乙醚、乙二醇单甲醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、二丙二醇二乙醚、三乙二醇单乙醚等；乙酸酯类，如乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇单乙醚乙酸酯、乙二醇单丁醚乙酸酯、二乙二醇单乙醚乙酸酯、二乙二醇单丁醚乙酸酯、丙二醇单甲醚乙酸酯、二丙二醇单甲醚乙酸酯等；醇类，如乙醇、丙醇、乙二醇、丙二醇、卡必醇(carbitol)等；脂族烃类，如辛烷、癸烷等；石油类溶剂，如石油醚、石脑油(petroleum naphtha)、氢化石脑油(hydrogenatedpetroleum naphtha,)、溶剂石脑油(solvent naphtha)等；以及酰胺类，如二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺(DMF)等。这些溶剂可单独使用或通过混合两种或多种而使用。
溶剂的含量可为约10至50重量％，基于光敏树脂组合物的总重量计。当溶剂含量低于10重量％时，粘度过高且涂布性降低，而当含量高于50重量％重量时，其干燥性变差且粘性增加。
阻焊干膜
根据本发明的另一个实施方案，其提供一种通过使用上述所公开的一个实施方案的可光固化和热固化的树脂组合物而形成的DFSR。所述DFSR包含具有羧基(-COOH)和光固化不饱和官能团的的酸改性低聚物；具有两个或多个光固化不饱和官能团的光聚合单体；和具有热固性官能团的热固化粘合剂的固化产物，且在其表面上可具有平均粗糙度(Rz)为约2至20μm、或约3至10μm，或约4至8μm的微不均匀度。在DFSR中，微不均匀度具有的平均粗糙度(Ra)可为约50nm至5μm、或约50nm至5μm、或约100nm至3μm、或约200nm至2μm。
首先，DFSR的形成过程如下。
用缺脚轮涂布机(comma coater)、刮刀涂布机(blade coater)、唇口涂布机(lip coater)、移动式涂布机(road coater)、挤压式涂布机(squeeze coater)、反向涂布机(reverse coater)、转移辊式涂布机(transfer roll coater)、凹版涂布机(gravure coater)、喷雾涂布机(spray coater)等将一个实施方案的树脂组合物作为光敏涂层材料涂覆在载体膜上，并使其通过50至130℃的烘箱1至30分钟来干燥该树脂组合物，然后在其上层压离型膜(release film)，从而制备自底部起依序由载体膜、光敏膜、和离型膜组成的干膜。光敏膜的厚度可为约5至100μm。此时，载体膜可为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、聚酯膜、聚酰亚胺膜、聚酰胺酰亚胺膜、聚丙烯膜、聚苯乙烯膜等，而离型膜可为聚乙烯(PE)膜、聚四氟乙烯膜、聚丙烯膜、经表面处理的纸等。在剥离所述离型膜时，优选光敏膜与离型膜之间的粘附性低于光敏膜与载体膜之间的粘附性。
随后，在剥离离型膜后，通过利用真空层压机、热辊层压机、真空压制机等将光敏层层压于其上形成电路的基板上。
之后，将基板曝露于具有特定波长范围的光(UV等)下。该基板可通过使用光掩膜选择性地进行曝光，或通过使用激光直接曝光器直接图案化。在曝光后剥离载体膜。光强度取决于膜的厚度，但优选为约0至1000mJ/cm2。在进行曝光时，例如，在曝光部分酸改性低聚物、光聚合单体等可进行光固化并形成交联键，因此，在随后的显影过程中可保留而不除去所述曝光部分。相比之下，未曝光部分本身保留羧基，可被碱显影。
之后，使用碱性溶液进行显影过程。作为碱性溶液，可使用诸如氢氧化钾、氢氧化钠、碳酸钠、碳酸钾、磷酸钠、硅酸钠、氨和胺类的碱性化合物的水溶液。通过显影过程，可溶解并除去未曝光部分中的酸改性低聚物和光聚合单体。
然而，由于一个实施方案的树脂组合物包含聚酰亚胺类树脂，当进行显影过程时，不仅未曝光部分的树脂组合物而且曝光部分中的聚酰亚胺类树脂可被选择性地除去。因此，如上所述，微不均匀度可形成于最终制备的DFSR的曝光部分上。
因此，如图1所示，可通过显影过程获得在表面上具有微不均匀度的膜。
最后，可通过加热和固化(后固化)过程获得由光敏膜形成的DFSR。加热和固化温度优选为100℃或以上。通过加热和固化过程，热固性粘合剂的热固性官能团和酸改性低聚物的羧基可交联并形成交联结构。并且，作为加热和固化过程的结果，显影过程之后通过聚酰亚胺类树脂所形成的微不均匀度固定于该表面上。因此，可最终获得形成于表面上的具有平均粗糙度(Rz)为约2至20μm、约3至10μm、或约4至8μm、或平均粗糙度(Ra)为500nm至5μm、约50nm至5μm、约100nm至3μm、或约200nm至2μm的微不均匀度的DFSR。
通过上述方法，可提供DFSR和包含其的印刷电路板，例如，半导体的封装基板，且由于DFSR在表面上具有一定的微不均匀度，DFSR和后续材料之间的接触表面积增加并可显示出良好的粘合强度。此外，由于DFSR可包含如上所述的酸改性低聚物、光聚合单体、和具有热固性官能团的热固性粘合剂的固化产物，因此DFSR通过光固化和热固化形成。
更具体而言，在固化产物中，酸改性低聚物的羧基可通过热固化过程与热固性粘合剂的热固性官能团交联，且酸改性低聚物的光固化不饱和官能团可与光聚合单体中所包含的不饱和官能团交联并形成交联结构。此外，如上所述，由于聚酰亚胺类树脂在DFSR形成过程中被除去，所述微不均匀度可形成于DFSR的表面上。
同样，由于可能在无需单独的等离子体处理等的情况下在表面上形成具有微不均匀度的DFSR，当其应用于半导体封装基板时，可提供与后续材料具有良好的粘合强度的DFSR，且可通过抑制由等离子体处理等导致DFSR的性能降低而提供显示出并保持优异性能的DFSR。
此外，光固化后，DFSR还可包含光固化之后残留的少量光引发剂，其分散在固化产物中。
有益效果
根据本发明，可提供一种可光固化和热固化的树脂组合物及一种DFSR，所述可光固化和热固化的树脂组合物可形成DFSR，所述DFSR无需单独的处理(诸如等离子体处理等)而在表面上具有微不均匀度。当应用于半导体封装基板时，由此形成的DFSR可由于微不均匀度而表现出与后续材料的良好粘合强度并可无需单独的处理(如等离子体处理等)通过更简化且更经济的方法制备。且该DFSR可由于抑制了由等离子体处理引起的性能降低而表现出优异的特性并保持所述特性。
附图说明
附图1为示出通过使用本发明的一个实施方案的光固化和热固化的树脂组合物制备具有微不均匀度的DFSR的方法的示意图。
图2和图3为示出实施例1和2所制备的DFSR的表面状况的FE-SEM照片。
具体实施方式
在下文中，通过参考本发明的具体实施例更详细地阐述本发明的功能和效果。然而，以下实施例仅用于理解本发明且本发明的范围并不局限于此。
实施例
实施例1
(1)聚酰亚胺类树脂的制备
为了合成聚酰亚胺类树脂，将作为聚合单体的ODA(4,4-二氨基二苯基醚)溶于作为溶剂的DMF中以配制成20重量％，然后向其中加入与ODA的摩尔比为1:1的PMDA(均苯四酸二酐，pyromellitic dianhydride)，然后在冰浴条件下将混合物搅拌24小时，获得重均分子量为31500的PAA(聚酰胺酸，polyamic acid)。
(2)阻焊干膜的制备
光固化和热固化组合物通过混合并搅拌以上制备的11.5重量％的PAA(聚酰胺酸)型聚酰亚胺类树脂、30重量％的作为酸改性低聚物的Nipponkayaku Co.,Ltd.的ZFR-1122、10重量％的作为光聚合单体的多官能环氧丙烯酸酯(Nipponkayaku Co.,Ltd.的DPEA-12)、3重量％的作为光引发剂的Darocur TPO(ChibaSpecialty Chemicals Co.,Ltd.)、16重量％的作为热固性粘合剂的YDCN-500-80P(Kukdo Chemical Co.,Ltd.)、1重量％的作为热固化催化剂的2-苯基咪唑、15重量％的作为填料的B-30(SakaiChemical Co.,Ltd.)、0.5重量％的作为添加剂的BYK-ChemieGmbH的BYK-333、和13重量％的作为溶剂的DMF，然后用3辊磨机装置分散填料分而获得。
自底部起依序由载体膜、光敏膜、和离型膜组成的干膜通过如下步骤制备：将制备的光敏树脂组合物涂覆于载体膜(PET膜)上，使其通过75℃的烘箱8分钟来干燥，并于其上层压离型膜(PE膜)。
(3)印刷电路板的制备
在剥离所制备的干膜的离型膜后，利用真空层压机(由MeikiSeisakusho Co.,Ltd.制造的MV LP-500)将光敏膜层真空层压于形成电路的板上，将所述膜用400mJ/cm2的曝光量在波长为365nm的紫外光下进行曝光并去除PET薄膜。包含阻焊干膜(DFSR)的印刷电路板通过将所得的产品浸泡在搅拌的温度31℃的1％Na2CO3碱性溶液中以显影，然后将其在150℃下加热和固化1小时而制备。
同时，由LG Chemical Co.,Ltd.制造的覆铜层压板(copperclad laminate)LG-T-500GA(其中所述板的厚度为0.1mm且铜箔的厚度为12um)用作其上形成电路的板。此时，将该板切成5x 5cm的正方形并用化学刻蚀(chemical etching)在其铜箔表面上形成微不均匀度。
实施例2
(1)聚酰亚胺树脂的制备
为了合成聚酰亚胺类树脂，使作为聚合单体的ODA(4,4-二氨基二苯基醚)溶于作为溶剂的DMF中以配制成20重量％，然后向其中加入与ODA的摩尔比为1:1的ODPA(4,4’-氧联二(邻苯二甲酸酐))，然后在冰浴条件下将混合物搅拌24小时，获得重均分子量为33000的PAA(聚酰胺酸)。
(2)阻焊干膜的制备
基本上根据与实施例1相同的方法获得可光固化和热固化的树脂组合物，区别在于使用上述制备的PAA(聚酰胺酸)型聚酰亚胺类树脂，并使用30重量％的Nipponkayaku Co.,Ltd.的ZFR-1121作为酸改性低聚物。
自底部起依序由载体膜、光敏膜、和离型膜组成的干膜通过以下步骤制备：将所制备的光敏树脂组合物涂覆于载体膜(PET膜)上，使其通过75℃的烘箱8分钟来干燥，并于其上层压离型膜(PE膜)。
(3)印刷电路板的制备
基本上根据与实施例1相同的方法获得包含DFSR的印刷电路板，区别在于使用以上制备的干膜。
<对比实施例>
对比实施例1
基本上根据与实施例1相同的方法获得包含DFSR的印刷电路板，区别在于使用41.5重量％的ZFR-1122作为酸改性低聚物而没有使用实施例1的聚酰亚胺类树脂。
<实验实施例：用于印刷电路板的保护膜的性能评估>
实施例1和2、及对比实施例1中所制备的用于印刷电路板的阻焊干膜的表面粗糙度、显影性、和耐热可靠性根据以下方法测定。
实验实施例1：表面粗糙度
实施例1和2、及对比实施例1所获得的各DFSR在剥离离型膜后置于覆铜层压板上，并通过使用真空层压机将它们真空处理20秒并在65℃的温度和0.7Mpa的压力下层压40秒。
并且，在经层压的DFSR上配置负型(negative-type)石英光掩膜，用400mJ/cm2的紫外光(i band)对其进行曝光，并剥离其上的PET载体膜之后，使层压板在30℃的1％Na2CO3的碱性溶液中进行显影，然后将其清洗并干燥。
通过FE-SEM(Hitachi S-4800)检查干燥样品的表面状态，并通过使用光学轮廓仪(OP，Nanosystem Co.,Ltd.的nanoview)测量实施例1和对比实施例1的表面粗糙度值Rz和Ra以比较其表面粗糙度的差异。实施例1和2的表面状态的FE-SEM图附于图2和3中，且通过使用OP获得的实施例1和2与对比实施例1的影像及Rz和Ra值列于下表1中。
实验实施例2：显影性的评估
实施例1和2、及对比实施例1所获得的各DFSR在剥离其上离型膜后置于覆铜层压板上，并通过使用真空层压机将其真空处理20秒，并在65℃的温度和0.7Mpa的压力下层压40秒。
并且，在将负型石英光掩膜配置于经层压的DFSR上，用400mJ/cm2的紫外光(i band)对其进行曝光，并剥离其上的PET载体膜后，将层压板在30℃的1％Na2CO3的碱性溶液中进行显影，然后将其清洗并干燥。
显影性的评估标准和结果列于下表2中。
实验实施例3：耐热可靠性的测量方法
将用于印刷电路板的保护膜层压于覆铜层压板(CCL)并在该膜上进行光固化、热固化和后光固化过程。然后，将该膜切成150mm×130mm。在将铅浴(电炉，其可电加热并可控1温，包含用于测试的最低为2.25kg或更多的铅)的温度设定为288℃后，测试样品浮于铅浴上，该膜面朝上。检查测试样品的外观是否剥落或变形。
耐热可靠性的评估标准和结果列于下表2中。
[表1]实验实施例1的Rz和Ra结果
参考表1，可确认实施例1和2的各DFSR的表面上形成具有平均粗糙度(Rz)为约6.01μm且平均粗糙度(Ra)为约335.98nm的微不均匀度，及平均粗糙度(Rz)为约5.12μm和平均粗糙度(Ra)为约317.70nm的微不均匀度，这是因为其由包含聚酰亚胺类树脂的树脂组合物形成。
反之，可确认比较实施例1的DFSR在没有单独的等离子体处理的情况下不具有这样的微不均匀度且仅显示出的平均粗糙度(Rz)为约0.94μm且平均粗糙度(Ra)为约48.52nm。
[表2]实验实施例2和3的结果
参考表2，可确认实施例的DFSR表面具有微不均匀度，但实施例的DFSR的耐热可靠性和显影性能与不具有微不均匀度的对比实施例的DFSR一样好。因此，实施例的DFSR可表现出良好的粘合强度，并同时表现出作为DFSR的良好的性能。

Claims (21)

1.一种可光固化和热固化的树脂组合物，其包含：
酸改性低聚物，其具有羧基(-COOH)和光固化不饱和官能团；
聚酰亚胺类树脂；
光聚合单体，其具有两个或多个光固化不饱和官能团；
热固性粘合剂，其具有热固性官能团；及
光引发剂。
2.权利要求1的树脂组合物，其中酸改性低聚物的光固化不饱和官能团为丙烯酸酯基。
3.权利要求1的树脂组合物，其中酸改性低聚物包括具有羧基的可聚合单体与包含丙烯酸酯类化合物的单体的共聚物。
4.权利要求1的树脂组合物，其中酸改性低聚物的含量为15至75重量％，基于树脂组合物的总重量计。
5.权利要求1的树脂组合物，其中酸改性低聚物的酸值为40至120mgKOH/g。
6.权利要求1的树脂组合物，其中聚酰亚胺类树脂包括重均分子量为10,000至100,000的聚酰亚胺树脂或其前驱体或衍生物。
7.权利要求6的树脂组合物，其中聚酰亚胺树脂的前驱体或衍生物为聚酰胺酸。
8.权利要求1的树脂组合物，其中聚酰亚胺类树脂的含量为1至30重量％，基于树脂组合物的总重量计。
9.权利要求1的树脂组合物，其中光聚合单体包括分子中具有两个或多个(甲基)丙烯酰基的多官能(甲基)丙烯酸酯类化合物。
10.权利要求1的树脂组合物，其中光聚合单体包括一种或多种选自以下化合物的多官能(甲基)丙烯酸酯类化合物：具有羟基的多官能丙烯酸酯类化合物、水溶性多官能丙烯酸酯类化合物、多元醇的多官能聚酯丙烯酸酯类化合物、多官能醇或多元酚的环氧乙烷加成物的丙烯酸酯类化合物、多官能醇或多元酚的环氧丙烷加成物的丙烯酸酯类化合物、多官能或单官能聚氨酯丙烯酸酯类化合物、环氧丙烯酸酯类化合物、己内酯改性的丙烯酸酯类化合物、以及光敏(甲基)丙烯酸酯类化合物。
11.权利要求1的树脂组合物，其中光聚合单体的含量为5至30重量％，基于树脂组合物的总重量计。
12.权利要求1的树脂组合物，其中光引发剂包括一种或多种选自以下的化合物：苯偶姻类化合物、苯乙酮类化合物、蒽醌类化合物、噻吨酮化合物、缩酮化合物、二苯甲酮类化合物、α-氨基苯乙酮化合物、酰基膦氧化物、肟酯化合物、双咪唑类化合物、及三嗪类化合物。
13.权利要求1的树脂组合物，其中光引发剂的含量为0.5至20重量％，基于树脂组合物的总重量计。
14.权利要求1的树脂组合物，其中热固性官能团为一种或多种选自环氧基、氧杂环丁烷基、环醚基、环硫醚基的官能团。
15.权利要求1的树脂组合物，其中热固化粘合剂的含量对应于每1当量酸改性低聚物的羧基为0.8至2.0当量。
16.权利要求1的树脂组合物，其还包含溶剂、及至少一种选自热固性粘合剂催化剂、填料、颜料和添加剂的组分。
17.一种阻焊干膜，其包含具有羧基(-COOH)和光固化不饱和基团的酸改性低聚物、具有两个或多个光固化不饱和官能团的光聚合单体、及具有热固性官能团的热固性粘合剂的固化产物，所述阻焊干膜的表面形成平均粗糙度(Rz)为2至20μm的微不均匀度。
18.权利要求17所述的阻焊干膜，其中固化产物包含：
酸改性低聚物的羧基与热固性官能团交联的交联结构；和
酸改性低聚物的不饱和官能团与光聚合单体彼此交联的交联结构。
19.权利要求17的阻焊干膜，其还包含分散在固化产物中的光引发剂。
20.权利要求17的阻焊干膜，其中微不均匀度具有50nm至5μm的平均粗糙度(Ra)。
21.权利要求17的阻焊干膜，其用于制备半导体器件的封装基板。
CN201380051369.9A 2012-08-01 2013-07-26 具有光固化性能和热固化性能的树脂组合物及阻焊干膜 Pending CN104704426A (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20120084462 2012-08-01
KR10-2012-0084462 2012-08-01
KR1020130088425A KR101545724B1 (ko) 2012-08-01 2013-07-26 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물과, 드라이 필름 솔더 레지스트
PCT/KR2013/006747 WO2014021590A1 (ko) 2012-08-01 2013-07-26 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물과, 드라이 필름 솔더 레지스트
KR10-2013-0088425 2013-07-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104704426A true CN104704426A (zh) 2015-06-10

Family

ID=50266415

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380051369.9A Pending CN104704426A (zh) 2012-08-01 2013-07-26 具有光固化性能和热固化性能的树脂组合物及阻焊干膜

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9880467B2 (zh)
JP (1) JP2015529844A (zh)
KR (1) KR101545724B1 (zh)
CN (1) CN104704426A (zh)
TW (1) TWI607057B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105388703A (zh) * 2015-12-10 2016-03-09 苏州城邦达力材料科技有限公司 一种用于制备感光性覆盖膜的感光组合物及fpc用感光性覆盖膜的制备方法和应用方法
CN110536908A (zh) * 2017-06-06 2019-12-03 日本化药株式会社 光固化性组合物及电子部件用粘接剂

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101734425B1 (ko) 2013-09-24 2017-05-11 주식회사 엘지화학 드라이 필름 솔더 레지스트의 제조 방법과, 이에 사용되는 필름 적층체
TWI535768B (zh) 2014-07-18 2016-06-01 長興材料工業股份有限公司 含溶劑之乾膜及其用途
CN108027675B (zh) * 2015-09-30 2021-10-08 富士胶片株式会社 静电电容型输入装置及其电极保护膜及其膜用组合物、转印薄膜、层叠体、图像显示装置
US10795259B2 (en) 2016-02-05 2020-10-06 Lg Chem, Ltd. Photo-curable and heat-curable resin composition and dry film solder resist
TWM543773U (zh) * 2017-01-26 2017-06-21 長興材料工業股份有限公司 感光型乾膜
JP7256015B2 (ja) * 2019-01-18 2023-04-11 太陽ホールディングス株式会社 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、および電子部品
KR102420536B1 (ko) * 2019-03-27 2022-07-13 주식회사 엘지화학 알칼리 가용성, 광경화성 및 열경화성을 갖는 공중합체, 이를 이용한 감광성 수지 조성물, 감광성 수지 필름, 및 컬러필터
JP7312000B2 (ja) * 2019-03-29 2023-07-20 太陽ホールディングス株式会社 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、および電子部品

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003005365A (ja) * 2001-06-25 2003-01-08 Goo Chemical Co Ltd 紫外線硬化性樹脂組成物及びドライフィルム
WO2010074197A1 (ja) * 2008-12-25 2010-07-01 味の素株式会社 感光性樹脂組成物
CN102361913A (zh) * 2009-08-28 2012-02-22 株式会社Lg化学 新型聚酰胺酸、聚酰亚胺、包含其的感光树脂组合物以及由其制备的干燥膜
JP2012108235A (ja) * 2010-11-16 2012-06-07 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物及びそれを用いた感光性エレメント

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11282155A (ja) * 1998-03-27 1999-10-15 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物及びこれを用いたソルダーレジストの製造法
JP4606684B2 (ja) 2000-03-29 2011-01-05 学校法人神奈川大学 光硬化性・熱硬化性樹脂組成物、その感光性ドライフィルム及びそれを用いたパターン形成方法
WO2003048235A1 (en) 2001-12-06 2003-06-12 Vantico Ag Heat-curable resin composition
TW200417294A (en) 2002-11-28 2004-09-01 Taiyo Ink Mfg Co Ltd Photo- and thermo-setting resin composition and printed wiring boards made by using the same
TW200502319A (en) 2002-12-13 2005-01-16 Kaneka Corp Thermoplastic polyimide resin film, multilayer body and method for manufacturing printed wiring board composed of same
JP2004325980A (ja) 2003-04-28 2004-11-18 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 貯蔵安定性の良い感光性樹脂組成物及び感光性ドライフィルムレジスト、並びにその利用
JP2004325616A (ja) 2003-04-23 2004-11-18 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd アルカリ水溶液で現像可能な感光性樹脂組成物及び感光性ドライフィルムレジスト、並びにその利用
KR100845657B1 (ko) * 2004-07-07 2008-07-10 다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤 광 경화성·열 경화성 수지 조성물과 그것을 사용한 건식필름, 및 그의 경화물
KR20130042049A (ko) * 2004-07-14 2013-04-25 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 감광성 조성물, 패턴형성재료, 감광성 적층체, 및 패턴형성장치 및 패턴형성방법
JP2006220886A (ja) 2005-02-10 2006-08-24 Showa Denko Kk プリント配線板保護膜用感光性ドライフィルム、その製造方法およびプリント配線板
JP2006284911A (ja) 2005-03-31 2006-10-19 Showa Denko Kk ソルダーレジスト用難燃組成物およびその硬化物
KR20060124859A (ko) 2005-05-26 2006-12-06 주식회사 코오롱 솔더 레지스트 조성물
WO2008059670A1 (fr) 2006-11-15 2008-05-22 Taiyo Ink Mfg. Co., Ltd. Composition de résine photodurcissable/thermodurcissable, object durci et plaque de câblage imprimée
JP2008265069A (ja) 2007-04-18 2008-11-06 Kaneka Corp 絶縁性接着シート、積層体及びプリント配線板
CN101675386B (zh) * 2007-08-20 2013-03-06 Lg化学株式会社 碱可显影的光敏树脂组合物及由其制备的干膜
JP5064950B2 (ja) * 2007-09-14 2012-10-31 株式会社カネカ 新規な感光性樹脂組成物、それから得られる感光性樹脂組成物溶液、感光性フィルム、絶縁膜及び絶縁膜付きプリント配線板
JP5049175B2 (ja) * 2008-03-25 2012-10-17 株式会社カネカ 新規な感光性樹脂組成物、それから得られる感光性樹脂組成物溶液、感光性フィルム、絶縁膜及び絶縁膜付きプリント配線板
CN102792224A (zh) * 2010-03-08 2012-11-21 株式会社Lg化学 具有优良耐热性和机械性能的光敏树脂组合物及印刷电路板用保护膜
WO2011118939A2 (ko) 2010-03-22 2011-09-29 주식회사 엘지화학 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물과, 드라이 필름 솔더 레지스트
WO2012036477A2 (ko) 2010-09-16 2012-03-22 주식회사 엘지화학 감광성 수지 조성물, 드라이 필름 솔더 레지스트 및 회로 기판
JP2012141605A (ja) 2010-12-16 2012-07-26 Toagosei Co Ltd 黒色感光性組成物、ソルダーレジスト及び感光性ドライフィルム
WO2012176694A1 (ja) 2011-06-24 2012-12-27 東京応化工業株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化膜、絶縁膜、カラーフィルタ、及び表示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003005365A (ja) * 2001-06-25 2003-01-08 Goo Chemical Co Ltd 紫外線硬化性樹脂組成物及びドライフィルム
WO2010074197A1 (ja) * 2008-12-25 2010-07-01 味の素株式会社 感光性樹脂組成物
CN102361913A (zh) * 2009-08-28 2012-02-22 株式会社Lg化学 新型聚酰胺酸、聚酰亚胺、包含其的感光树脂组合物以及由其制备的干燥膜
JP2012108235A (ja) * 2010-11-16 2012-06-07 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物及びそれを用いた感光性エレメント

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105388703A (zh) * 2015-12-10 2016-03-09 苏州城邦达力材料科技有限公司 一种用于制备感光性覆盖膜的感光组合物及fpc用感光性覆盖膜的制备方法和应用方法
CN110536908A (zh) * 2017-06-06 2019-12-03 日本化药株式会社 光固化性组合物及电子部件用粘接剂
CN110536908B (zh) * 2017-06-06 2022-04-19 日本化药株式会社 光固化性组合物及电子部件用粘接剂

Also Published As

Publication number Publication date
TW201425469A (zh) 2014-07-01
US20150205202A1 (en) 2015-07-23
TWI607057B (zh) 2017-12-01
US9880467B2 (en) 2018-01-30
KR20140018117A (ko) 2014-02-12
KR101545724B1 (ko) 2015-08-19
JP2015529844A (ja) 2015-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102804066B (zh) 光固化和热固化树脂组合物及防焊干膜
JP6047666B2 (ja) ドライフィルムソルダーレジストの製造方法と、これに用いられるフィルム積層体
CN104704426A (zh) 具有光固化性能和热固化性能的树脂组合物及阻焊干膜
JP6162775B2 (ja) 光硬化性および熱硬化性を有する樹脂組成物と、ドライフィルムソルダレジスト
JP6702617B2 (ja) 光硬化性および熱硬化性を有する樹脂組成物およびドライフィルムソルダーレジスト
JP5977361B2 (ja) 光硬化性および熱硬化性を有する樹脂組成物と、ドライフィルムソルダレジスト
JP2013539072A (ja) 感光性樹脂組成物、ドライフィルムソルダーレジスト及び回路基板
CN104380196A (zh) 光固化和热固性树脂组合物、由其制备的阻焊干膜及包含所述阻焊干膜的电路板
KR102053322B1 (ko) 감광성 수지 조성물 및 감광성 절연 필름
CN106019829A (zh) 光固化和热固化树脂组合物及干膜型阻焊剂
CN112445069A (zh) 感光性树脂组合物
KR101648555B1 (ko) 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물 및 드라이 필름 솔더 레지스트
WO2014021590A1 (ko) 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물과, 드라이 필름 솔더 레지스트
KR101331573B1 (ko) 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물과, 드라이 필름 솔더 레지스트
CN119301201A (zh) 固化物、感光性树脂组合物、干膜及印刷布线板
KR101296851B1 (ko) 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물 및 드라이 필름 솔더 레지스트
CN114945611A (zh) 固化性组合物、其干膜和固化物
KR20150047863A (ko) 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물과, 드라이 필름 솔더 레지스트
WO2013125854A1 (ko) 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물과, 드라이 필름 솔더 레지스트
KR101629942B1 (ko) 광경화성 및 열경화성을 갖는 수지 조성물, 및 드라이 필름 솔더 레지스트
CN118974656A (zh) 固化物及印刷线路板
WO2023054523A1 (ja) 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、およびプリント配線板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20150610

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication