CN104617110B - 一种基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示技术领域，公开了一种基板及其制作方法、显示装置。所述基板上的两个导电层通过位于两者之间的第一绝缘层中的第一过孔电性连接，其中，位于上方的导电层包括对应非过孔制作区的待连接结构和位于第一绝缘层过孔底部的第一连接结构，然后形成填充所述第一绝缘层过孔的第二绝缘层，并在第二绝缘层中形成第二过孔，露出所述第一连接结构，最后形成第二连接结构，其一端与所述待连接结构电性连接，另一端通过所述第二过孔与所述第一连接结构接触设置，用于电性连接两个导电层，保证了电性连接的可靠性，提高了产品良率。

Description

一种基板及其制作方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小，功耗低，无辐射等特点，近年来得到迅速发展，在当前的平板显示器市场中占据主导地位。TFT-LCD的主体结构为对盒的薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板。

薄膜晶体管阵列基板上形成有像素电极和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)，像素电极与TFT的源电极和漏电极之间形成有绝缘层，像素电极通过所述绝缘层中的过孔与漏电极电性接触。如果所述绝缘层为树脂材料，树脂材料与源电极和漏电极直接接触的黏附性不够，会造成脱落不良，而且树脂材料会严重影响TFT的特性。

为了改善上述两个问题，在树脂层12和源电极(图中未示出)、漏电极1之间引入缓冲层11(氮化硅或者二氧化硅层)，用于进行黏附性改善和改善TFT特性。但是缓冲层11的引入也带来了其它的问题，在树脂层12和缓冲层11中形成过孔3＇的刻蚀工艺中，会出现底层过刻现象，形成的过孔3＇上端小、下端大，如图1的虚线框内所示，像素电极2通过过孔3＇与漏电极1电性接触时，会在缓冲层11和树脂层12的交界处出现断线，导致漏电极1和像素电极2电性连接不良。

发明内容

本发明提供一种基板及其制作方法，用以解决两个导电层通过两者之间的绝缘层过孔电性连接时，若形成过孔的刻蚀工艺中出现底层过刻现象，会导致两个导电层电性连接不良的问题。

本发明还提供一种显示装置，采用上述的基板，用以提高产品的良率。

为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种基板，包括第一导电层和位于所述第一导电层上方的第二导电层，以及位于所述第一导电层和第二导电层之间的第一绝缘层，所述第一导电层和第二导电层通过电性连接结构连接，所述电性连接结构包括：

位于所述第一绝缘层中的第一过孔，露出所述第一导电层，所述第一过孔的上端小、下端大；

所述第二导电层包括：

待连接结构，对应第一绝缘层的非过孔制作区；

位于所述第一过孔底部并与所述第一导电层接触设置的第一连接结构；

所述电性连接结构还包括：

填充所述第一过孔的第二绝缘层，所述第二绝缘层中具有第二过孔，露出所述第一连接结构；

位于所述第二绝缘层上方的第二连接结构，所述第二连接结构的一端与所述待连接结构电性连接，另一端通过所述第二过孔与所述第一连接结构接触设置，用于电性连接所述第一导电层和第二导电层。

如上所述的基板，优选的是，所述第一绝缘层包括第一子绝缘层和第二子绝缘层，所述第一子绝缘层靠近第一导电层设置，所述第一子绝缘层中具有第三过孔，所述第二子绝缘层中具有第四过孔；

所述第三过孔和第四过孔的位置对应，形成所述第一过孔，且所述第三过孔的孔径大于所述第四过孔的孔径，所述第二绝缘层的厚度大于或等于所述第一子绝缘层的厚度。

如上所述的基板，优选的是，所述第二子绝缘层的厚度大于所述第一子绝缘层的厚度，所述第四过孔的纵截面为上大下小的倒梯形。

如上所述的基板，优选的是，所述第一子绝缘层的厚度小于或等于所述第二导电层和第二连接结构的厚度之和；

所述第二连接结构通过所述第二绝缘层中的第二过孔与第二导电层的待连接结构和第一连接结构接触设置。

如上所述的基板，优选的是，所述基板为薄膜晶体管阵列基板；

所述第一导电层为源漏金属层，所述第二导电层为第一透明导电层，所述第一子绝缘层为缓冲层，所述第二子绝缘层为树脂层。

如上所述的基板，优选的是，所述缓冲层的厚度小于或等于所述第一透明导电层和第二连接结构的厚度之和；

所述第二连接结构通过所述第二绝缘层中的第二过孔与第一透明导电层的待连接结构和第一连接结构接触设置。

如上所述的基板，优选的是，所述第二连接结构的材料为透明导电材料。

本发明实施例中还提供一种显示装置，包括如上所述的基板。

本发明实施例中还提供一种基板的制作方法，包括：

形成第一导电层；

在所述第一导电层上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第二导电层；

形成电性连接结构，用于连接所述第一导电层和第二导电层，其中，形成电性连接结构的步骤包括：

在所述第一绝缘层中形成第一过孔，露出所述第一导电层，所述第一过孔的上端小、下端大；

所述第二导电层包括：

待连接结构，对应第一绝缘层的非过孔制作区；

位于所述第一过孔底部并与所述第一导电层接触设置的第一连接结构；

形成电性连接结构的步骤还包括：

形成填充所述第一过孔的第二绝缘层，并在所述第二绝缘层中形成第二过孔，露出所述第一连接结构；

形成第二连接结构，所述第二连接结构的一端与所述待连接结构电性连接，另一端通过所述第二过孔与所述第一连接结构接触设置，用于电性连接所述第一导电层和第二导电层。

如上所述的制作方法，优选的是，形成第一绝缘层的步骤包括：

在所述第一导电层上形成第一子绝缘层，所述第二绝缘层的厚度大于或等于所述第一子绝缘层的厚度；

在所述第一子绝缘层上形成第二子绝缘层；

在所述第一绝缘层中形成第一过孔的步骤包括：

在所述第二子绝缘层上涂覆光刻胶；

采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域，所述光刻胶不保留区域对应所述第一过孔所在的区域，光刻胶保留区域对应其他区域；

去除光刻胶不保留区域的第二子绝缘层，形成第四过孔，去除光刻胶不保留区域的第一子绝缘层，形成第三过孔，所述第三过孔和第四过孔的位置对应，形成所述第一过孔，且所述第三过孔的孔径大于所述第四过孔的孔径；

剥离剩余的光刻胶。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：

上述技术方案中，当两个导电层通过位于两者之间的第一绝缘层中的第一过孔电性连接时，位于上方的导电层包括对应非过孔制作区的待连接结构和位于第一绝缘层过孔底部的第一连接结构，然后形成填充所述第一绝缘层过孔的第二绝缘层，并在第二绝缘层中形成第二过孔，露出所述第一连接结构，最后形成第二连接结构，其一端与所述待连接结构电性连接，另一端通过所述第二过孔与所述第一连接结构接触设置，用于电性连接两个导电层，保证了电性连接的可靠性，提高了产品良率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1表示现有技术中薄膜晶体管阵列基板的局部结构示意图；

图2表示本发明实施例中薄膜晶体管阵列基板的局部结构示意图一；

图3-图5表示本发明实施例中薄膜晶体管阵列基板的制作过程图一；

图6和图7表示本发明实施例中薄膜晶体管阵列基板的制作过程图二；

图8表示本发明实施例中薄膜晶体管阵列基板的结构示意图。

具体实施方式

在半导体器件制造中，不同导电层通常通过位于两者之间的绝缘层中的过孔接触设置，来实现电性连接。在过孔的制作工艺中，需要刻蚀掉过孔制作区的绝缘层，一般通过干法刻蚀工艺对绝缘层进行刻蚀。其中，干法刻蚀是利用气态中产生的等离子体，通过经光刻而开出的光刻胶开口，与暴露于等离子体中的薄膜行物理和化学反应，刻蚀掉薄膜上暴露的表面材料。干法刻蚀一般用于非金属薄膜的刻蚀，可以获得极其精确的特征图形，也就是尺寸控制精度极佳。

在干法刻蚀工艺中，相同的工艺条件(如：等离子体的速度)下，对不同薄膜的刻蚀速率不同。而且当薄膜厚度较厚时，由于等离子体与表面薄膜的作用时间较长，导致形成的过孔的上端大、下端小，纵截面具体为倒梯形。

在半导体器件制造中，当位于导电层之间的绝缘层包括两个子绝缘层，且在相同的干刻工艺条件下，位于下方的子绝缘层的刻蚀速率大于位于上方的子绝缘层的刻蚀速率时，在所述绝缘层中形成的过孔的上端小、下端大，出现底层过刻现象，则位于上方的导电层填充所述过孔与另一导电层接触时，会在两个子绝缘层的交界处出现断线问题，导致两个导电层电性连接不良的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种基板及其制作方法，当所述基板上的两个导电层通过位于两者之间的第一绝缘层中的第一过孔电性接触时，位于上方的导电层包括对应非过孔制作区的待连接结构和位于第一过孔底部的第一连接结构，然后形成填充所述第一过孔的第二绝缘层，并在第二绝缘层中形成第二过孔，露出所述第一连接结构，最后形成第二连接结构，其一端与所述待连接结构电性连接，另一端通过所述第二过孔与所述第一连接结构接触设置，用于电性连接所述导电层断线处的两端，保证了所述两个导电层电性连接的可靠性，提高了产品良率。

本发明的具体工作原理为：

当绝缘层中的过孔的上端小、下端大，出现底层过刻现象时，选择成膜厚度较厚的材料填充所述过孔，形成过渡薄膜，当所述过渡薄膜的厚度足够大时，不会因为底层过刻现象出现断线问题。例如：所述绝缘层包括第一子绝缘层和位于第一子绝缘层上方的第二子绝缘层，在所述绝缘层中形成过孔时，位于第一子绝缘层中的过孔孔径大于位于第二子绝缘层中的过孔孔径，当所述过渡薄膜的厚度大于第一子绝缘层的厚度时，所述过渡薄膜能够填充过孔，不会出现断线问题。

一般地，金属材料的成膜厚度小于非金属材料的成膜厚度。

下面将结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

结合图2-图5所示，本发明实施例中提供一种基板，包括设置在衬底基板(透明基板)100上的第一导电层1和位于第一导电层1上方的第二导电层，以及位于第一导电层1和所述第二导电层之间的第一绝缘层10。第一绝缘层10中具有第一过孔30，露出第一导电层1，第一过孔30的上端小、下端大，如图3所示。所述第二导电层填充第一过孔30时，因为断线问题，形成待连接结构20和第一连接结构21两个部分，待连接结构20对应第一绝缘层10的非过孔制作区，第一连接结构21位于第一过孔30的底部，并与第一导电层1接触设置，如图4所示。

所述基板还包括填充第一过孔30的第二绝缘层14，第二绝缘层14中具有第二过孔31，露出所述第二导电层的第一连接结构21，结合图4和图5所示。在第二绝缘层14上方还设置有第二连接结构4，第二连接结构4的一端与所述第二导电层的待连接结构20电性连接，另一端通过第二过孔31与所述第二导电层的第一连接结构21接触设置，用于电性连接第一导电层1和所述第二导电层的待连接结构20，确保电性连接的可靠性，提高产品良率，结合图2和图7所示。

上述技术方案中，第二绝缘层14的厚度较厚，填充第一过孔30中时，不会因为底层过刻现象出现断线问题(参见图6所示)，从而位于第二绝缘层14上的第二连接结构4也不会出现断线问题。通过第二连接结构4来连接第二导电层位于断线处的两端，能够确保第一导电层1和所述第二导电层电性连接的可靠性，提高产品良率。

相应地，本发明实施例中还提供一种基板的制作方法，包括：

形成第一导电层；

在所述第一导电层上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第二导电层；

形成电性连接结构，用于连接所述第一导电层和第二导电层。

其中，形成电性连接结构的步骤包括：

在所述第一绝缘层中形成第一过孔，露出所述第一导电层，所述第一过孔的上端小、下端大；

所述第二导电层包括：

待连接结构，对应第一绝缘层的非过孔制作区；

位于所述第一过孔底部并与所述第一导电层接触设置的第一连接结构；

形成电性连接结构的步骤还包括：

形成填充所述第一过孔的第二绝缘层，并在所述第二绝缘层中形成第二过孔，露出所述第一连接结构；

形成第二连接结构，所述第二连接结构的一端与所述待连接结构电性连接，另一端通过所述第二过孔与所述第一连接结构接触设置，用于电性连接所述第一导电层和第二导电层。

具体的，可以在第二绝缘层14中形成第三过孔32，露出待连接结构20，如图6所示，第二连接结构4的一端通过第三过孔32与所述第二导电层的待连接结构20接触设置，另一端通过第二过孔31与所述第二导电层的第一连接结构21接触设置，如图7所示。

通常地，第一绝缘层10包括第一子绝缘层11和第二子绝缘层12，第一子绝缘层11靠近第一导电层1设置，在相同干法刻蚀工艺条件下，第一子绝缘层11的刻蚀速率大于第二子绝缘层12的刻蚀速率。第一子绝缘层11中具有第三过孔，第二子绝缘层12中具有第四过孔。所述第三过孔和第四过孔的位置对应，形成第一过孔30，参见图3所示，且所述第三过孔的孔径大于所述第四过孔的孔径，即，第一过孔30的上端小、下端大。

具体通过以下步骤在第一绝缘层10中形成上述形状的第一过孔30：

在第二子绝缘层12上涂覆光刻胶；

采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域，所述光刻胶不保留区域对应第一过孔30所在的区域，光刻胶保留区域对应其他区域；

去除光刻胶不保留区域的第二子绝缘层12，形成所述第四过孔，去除光刻胶不保留区域的第一子绝缘层11，形成所述第三过孔，所述第三过孔和第四过孔的位置对应，形成第一过孔30，且所述第三过孔的孔径大于所述第四过孔的孔径；

剥离剩余的光刻胶。

通过上述步骤形成的第一过孔30因为底层过刻现象，具有上端小、下端大的形状，由位于第一子绝缘层11中的第三过孔和位于第二子绝缘层12中的第四过孔组成，且所述第三过孔的孔径大于所述第四过孔的孔径。

本发明实施例中，设置第二绝缘层14的厚度大于或等于第一子绝缘层11的厚度，从而当第二绝缘层14填充第一过孔30时，不会因为底层过孔现象出现断线问题。则位于第二绝缘层14上方的第二连接结构4也不会出现断线问题，第二连接结构4的一端通过第二绝缘层14中的第二过孔31与所述第二导电层的第一连接结构21接触，另一端与所述第二导电层的待连接结构20电性连接，能够克服第二导电层断线导致的电性连接不良问题，保证第一导电层与第二导电层电性连接的可靠性。

当第二子绝缘层12的厚度较大，大于第一子绝缘层11的厚度时，第二子绝缘层12中的所述第四过孔的纵截面具体为上大下小的倒梯形，如图3所示。

进一步地，可以设置第一子绝缘层11的厚度小于或等于所述第二导电层和第二连接结构4的厚度之和，则所述第二导电层和第二连接结构4同时填充第一绝缘层10中的第一过孔30时，不会出现断线问题，具体的，第二连接结构4填充第二绝缘层14中的第二过孔31时，不会出现断线问题，结合图2-图5所示。

进一步地，还可以设置第二绝缘层14中的第二过孔31同时露出第二导电层的待连接结构20和第一连接结构21，如图5所示。第二连接结构4通过第二绝缘层14中的第二过孔31同时与第二导电层的待连接结构20和第一连接结构21，如图2所示。

需要说明的是，第一子绝缘层11和第二子绝缘层12可以为单层结构，也可以为多层结构。

优选地，第一子绝缘层11和第二子绝缘层12为单层结构，能够减小产品的厚度。

在一个具体的实施方式中，结合图2-图5所示，第一绝缘层10包括第一子绝缘层11和第二子绝缘层12，第一子绝缘层11和第二子绝缘层12为单层结构，第二子绝缘层12中的过孔的纵截面为倒梯形。且第二导电层和第二连接结构4的厚度大于或等于第一子绝缘层11的厚度。第二绝缘层14中的第二过孔31同时露出第二导电层的待连接结构20和第一连接结构21，如图5所示。第二连接结构4通过第二过孔31同时与第二导电层的待连接结构20和第一连接结构21接触设置，如图2所示，由于第二连接结构4在填充第二过孔31时不会出现断线问题，能够连接第二导电层断线处的两端，克服了第二导电层的断线导致第一导电层和第二导电层电性连接不良的问题。

在另一个具体的实施方式中，结合图3、图4、图6和图7所示，第一绝缘层10包括第一子绝缘层11和第二子绝缘层12，第一子绝缘层11和第二子绝缘层12为单层结构。第二绝缘层14的厚度大于或等于第一子绝缘层11的厚度，在填充第一绝缘层10中的第一过孔30时，不会出现断线问题。第二绝缘层14包括第二过孔31和第三过孔32，第二过孔31露出第二导电层的第一连接结构21，第三过孔32露出第二导电层的待连接结构20，位于第二绝缘层14上方的第二连接结构4的一端通过第二过孔31与第一连接结构21接触设置，另一端通过第三过孔32与待连接结构20接触设置，用于连接第二导电层断线处的两端，克服了第二导电层的断线导致第一导电层和第二导电层电性连接不良的问题。

如图8所示，对于薄膜晶体管阵列基板，其包括交叉分布的栅线和数据线(图中未示出)，用于限定多个像素区域，每个像素区域包括像素电极20和薄膜晶体管，薄膜晶体管的栅电极5和有源层图案6之间设置有栅绝缘层13。薄膜晶体管的栅电极5和栅线连接，源电极2和数据线连接，漏电极1和像素电极20连接，栅线上传输的扫描信号，用于逐行打开薄膜晶体管，当薄膜晶体管被打开时，数据线上传输的像素电压通过薄膜晶体管传输至像素电极20。

其中，像素电极20和漏电极1通过位于两者之间的第一绝缘层10中的第一过孔电性接触。

则，本发明实施例中，第一导电层为源漏金属层，第二导电层为第一透明导电层。第一导电层具体为薄膜晶体管的漏电极1，所述第二导电层的待连接结构20具体为像素电极。

优选地，位于像素电极20和漏电极1之间的第一绝缘层10包括第一子绝缘层11和第二子绝缘层12，第一子绝缘层11为缓冲层，第二子绝缘层12为树脂层。缓冲层11的设置能够改善树脂层12与漏电极1之间的黏附性，并改善薄膜晶体管的特性。

其中，缓冲层11的材料可以为氮化硅或二氧化硅。缓冲层11中具有第三过孔，树脂层12中具有第四过孔，所述第三过孔和第四过孔的位置对应，形成第一过孔30。由于树脂层12的厚度较厚，大于缓冲层11的厚度，形成的所述第四过孔的纵截面为上大下小的倒梯形。同时，由于相同干法刻蚀工艺条件下，氮化硅或二氧化硅的刻蚀速率大于树脂材料的刻蚀速率，使得所述第三过孔的孔径大于所述第四过孔的孔径，即，第一过孔30的上端小、下端大，结合图3所示。

则像素电极20通过第一过孔30与漏电极1电性接触时，会出现断线，形成位于第一过孔30底部并与漏电极1接触的第一连接结构21，结合图4所示。

如图8所示，在像素电极20上方还形成有填充所述第一过孔的第二绝缘层14，第二绝缘层14中具有第二过孔31，露出第一连接结构21。位于第二绝缘层14上方的第二连接结构4用于连接像素电极20和第一连接结构21，确保像素电极20和漏电极1电性连接的可靠性。

具体的，第二连接结构4的一端通过第二过孔31与第一连接结构21接触设置，另一端与像素电极20电性连接。通过设置第二绝缘层14的厚度大于或等于缓冲层11的厚度，可以确保第二绝缘层14填充第一过孔30时不会出现断线，位于第二绝缘层14上方的第二连接结构4也不会出现断线问题，克服了像素电极20和第一连接结构21的断线导致的电性连接不良问题，保证了像素电极20和漏电极1电性连接的可靠性。

对于横向电场型薄膜晶体管阵列基板，像素电极20的上方还形成有狭缝公共电极7，为了简化制作工艺降低成本，第二连接结构4与公共电极7通过对同一透明导电层的构图工艺同时形成。

本发明的技术方案也适用于薄膜晶体管阵列基板上其他导电层之间的电性连接方案，如：源漏金属层和栅金属层的电性连接，透明导电层和栅金属层的电性连接。

图8中只是以底栅型薄膜晶体管阵列基板来示意本发明的技术方案，但并不是一种限定，本发明的技术方案也适用于顶栅型薄膜晶体管阵列基板、共面结构薄膜晶体管阵列基板。

本发明实施例中还提供一种显示装置，包括本发明实施例中的基板，能够确保不同导电层之间通过位于两者之间的绝缘层中的过孔电性连接的可靠性，提高产品良率。

所述显示装置可以为：液晶面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

本发明的技术方案中，当两个导电层通过位于两者之间的第一绝缘层中的第一过孔电性连接时，位于上方的导电层包括对应非过孔制作区的待连接结构和位于第一绝缘层过孔底部的第一连接结构，然后形成填充所述第一绝缘层过孔的第二绝缘层，并在第二绝缘层中形成过孔，露出所述第一连接结构，最后形成第二连接结构，其一端与所述待连接结构电性连接，另一端通过所述第二绝缘层过孔与所述第一连接结构接触设置，用于电性连接两个导电层，保证了电性连接的可靠性，提高了产品良率。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种基板，包括第一导电层和位于所述第一导电层上方的第二导电层，以及位于所述第一导电层和第二导电层之间的第一绝缘层，所述第一导电层和第二导电层通过电性连接结构连接，其特征在于，所述电性连接结构包括：

位于所述第一绝缘层中的第一过孔，露出所述第一导电层，所述第一过孔的上端小、下端大；

所述第二导电层包括：

待连接结构，对应第一绝缘层的非过孔制作区；

位于所述第一过孔底部并与所述第一导电层接触设置的第一连接结构；

所述电性连接结构还包括：

填充所述第一过孔的第二绝缘层，所述第二绝缘层中具有第二过孔，露出所述第一连接结构；

位于所述第二绝缘层上方的第二连接结构，所述第二连接结构的一端与所述待连接结构电性连接，另一端通过所述第二过孔与所述第一连接结构接触设置，用于电性连接所述第一导电层和第二导电层。

2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述第一绝缘层包括第一子绝缘层和第二子绝缘层，所述第一子绝缘层靠近第一导电层设置，所述第一子绝缘层中具有第三过孔，所述第二子绝缘层中具有第四过孔；

所述第三过孔和第四过孔的位置对应，形成所述第一过孔，且所述第三过孔的孔径大于所述第四过孔的孔径，所述第二绝缘层的厚度大于或等于所述第一子绝缘层的厚度。

3.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，所述第二子绝缘层的厚度大于所述第一子绝缘层的厚度，所述第四过孔的纵截面为上大下小的倒梯形。

4.根据权利要求3所述的基板，其特征在于，所述第一子绝缘层的厚度小于或等于所述第二导电层和第二连接结构的厚度之和；

所述第二连接结构通过所述第二绝缘层中的第二过孔与第二导电层的待连接结构和第一连接结构接触设置。

5.根据权利要求2-4任一项所述的基板，其特征在于，所述基板为薄膜晶体管阵列基板；

所述第一导电层为源漏金属层，所述第二导电层为第一透明导电层，所述第一子绝缘层为缓冲层，所述第二子绝缘层为树脂层。

6.根据权利要求5所述的基板，其特征在于，所述缓冲层的厚度小于或等于所述第一透明导电层和第二连接结构的厚度之和；

所述第二连接结构通过所述第二绝缘层中的第二过孔与第一透明导电层的待连接结构和第一连接结构接触设置。

7.根据权利要求5所述的基板，其特征在于，所述第二连接结构的材料为透明导电材料。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的基板。

9.一种基板的制作方法，包括：

形成第一导电层；

在所述第一导电层上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第二导电层；

形成电性连接结构，用于连接所述第一导电层和第二导电层，其特征在于，形成电性连接结构的步骤包括：

在所述第一绝缘层中形成第一过孔，露出所述第一导电层，所述第一过孔的上端小、下端大；

所述第二导电层包括：

待连接结构，对应第一绝缘层的非过孔制作区；

位于所述第一过孔底部并与所述第一导电层接触设置的第一连接结构；

形成电性连接结构的步骤还包括：

形成填充所述第一过孔的第二绝缘层，并在所述第二绝缘层中形成第二过孔，露出所述第一连接结构；

形成第二连接结构，所述第二连接结构的一端与所述待连接结构电性连接，另一端通过所述第二过孔与所述第一连接结构接触设置，用于电性连接所述第一导电层和第二导电层。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，形成第一绝缘层的步骤包括：

在所述第一导电层上形成第一子绝缘层，所述第二绝缘层的厚度大于或等于所述第一子绝缘层的厚度；

在所述第一子绝缘层上形成第二子绝缘层；

在所述第一绝缘层中形成第一过孔的步骤包括：

在所述第二子绝缘层上涂覆光刻胶；

采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域，所述光刻胶不保留区域对应所述第一过孔所在的区域，光刻胶保留区域对应其他区域；

去除光刻胶不保留区域的第二子绝缘层，形成第四过孔，去除光刻胶不保留区域的第一子绝缘层，形成第三过孔，所述第三过孔和第四过孔的位置对应，形成所述第一过孔，且所述第三过孔的孔径大于所述第四过孔的孔径；

剥离剩余的光刻胶。