CN104556040A - 一种无定形单质硅球及其制备方法和用途 - Google Patents
一种无定形单质硅球及其制备方法和用途 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104556040A CN104556040A CN201410721677.4A CN201410721677A CN104556040A CN 104556040 A CN104556040 A CN 104556040A CN 201410721677 A CN201410721677 A CN 201410721677A CN 104556040 A CN104556040 A CN 104556040A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- elemental silicon
- amorphous elemental
- amorphous
- silicon ball
- ball
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 44
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 44
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims abstract description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 claims abstract description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 8
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 abstract description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 13
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006004 Quartz sand Substances 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021422 solar-grade silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009628 steelmaking Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本发明属于半导体材料制备技术领域，特别涉及一种无定形单质硅球及其制备方法和用途。本发明按重量比取Mg粉与SiO2球放入研钵中研磨均匀，倒入瓷坩埚中A；在管式炉中，用H2/Ar混合气作为保护气，一定温度下煅烧一定时间得到无定形单质硅球B，酸洗除去未反应的Mg及副产物MgO，得到纯相无定形单质硅球C。该无定形单质硅球在Z-Scheme体系中具有全分解水的能力，在光催化制氢方面具有重大的理论及应用意义。
Description
技术领域
本发明属于半导体材料制备技术领域，特别涉及一种无定形单质硅球及其制备方法和用途。
背景技术
硅是窄带隙半导体材料，禁带宽度只有1.12ev，室温下单质硅性质稳定，但在温度高于700。C时具有热塑性，在应力作用下会呈现塑性形变，对光、热等外部因素高度敏感，因此得到了国内外学者的积极关注；同时，自然界中硅元素在地层蕴藏量仅次于氧元素，但主要以硅酸盐和石英砂的形式存在，不存在单质硅，因此关于单质硅的制备显得尤为重要；单质硅的应用领域广阔：硅含量为95%~99%的冶金级硅主要用于炼钢、铝硅合金和高温合金；硅含量为99.9999%的太阳能级硅主要用于太阳能电池芯片的生产制造；硅含量为99.999999999%的电子能级硅主要用于半导体芯片制造；此外，硅也用于军事、航空航天、汽车发动机制造等领域，因此，关于单质硅的制备方法具有重要的意义，特别是无定形球状形貌材料。
在大量的文献报道中都提及半导体材料的形貌会对性能产生很大的影响，尤其是球状结构使得半导体材料的比表面积增大，促进了光生电子和空穴的有效分离，提高了半导体材料的产氢性能；目前常用的合成单质硅的方法是镁热还原法，将镁粉与二氧化硅前驱体按不同的质量比放入瓷坩埚中，在管式炉中通氢氩混合气加热还原而成，然而，合成一种球状结构的单质硅仍然受制于前驱体合成方法和物质本性的限制，这使得设计合成新型无定形单质硅球在理论研究及实际应用中仍是一个巨大的挑战。
发明内容
本发明的目的是提供一种无定形单质硅球简单实用的制备方法，该方法以正硅酸四乙酯为原料，氨水、乙醇和纯水的混合溶液为溶剂，利用溶胶-凝胶法、镁热还原法，制得无定形单质硅球材料；甲醇为产氢牺牲试剂，氯铂酸做助催化剂，分析无定形单质硅球的产氢性能。
本发明提供一种无定形单质硅球的制备方法，其特征包括以下步骤：
无定形单质Si球的制备：按重量比取Mg粉与SiO2（SiO2球的制备方法参照文献：T. Zhang, et al. A self-templated route to hollow silica microspheres, The Journal of Physical Chemistry C, 2009, 113, 3168-3175）球放入研钵中研磨均匀，倒入瓷坩埚中A；在管式炉中，用H2/Ar混合气作为保护气，一定温度下煅烧一定时间得到无定形硅单质球B，酸洗除去未反应的Mg及副产物MgO，得到纯相无定形硅单质球C。
步骤中，所述A中Mg粉为200目，与SiO2球的质量比为1:2到1:6。
步骤中，所述B中煅烧温度为650。C ，升温速率为3-5。C/min，煅烧时间为2~3h，其中保护气由含量10%的H2和含量90%的Ar混合而成。
步骤中，所述C过程酸洗指采用稀盐酸进行处理，稀盐酸是用市售浓盐酸（质量分数为36%~38%）与乙醇按照体积比为1:20~1:30配制而成。
本发明光催化制氢实验使用的是Lab-H2光催化制氢系统，操作步骤具体如下：本发明用300W氙灯作为光源，光源和反应系统的距离为20 cm。
在本发明的光催化实验中，50mg制备的硅单质球和50mg BiVO4（BiVO4的制备方法参照文献Guan, M. L.; Ma, D. K.; Hu, S. W.; Chen, Y. J.; Huang, S. M. Inorganic chemistry 2011, 50, 800）光催化剂的分散在200ml的2mmol的FeCl3水溶液中，不断搅拌，在光催化剂的表面通过光化学还原沉积法镀铂，镀铂的量为催化剂质量分数的0.5％，氯铂酸水溶液作为铂源，在照射前，将体系抽真空以除去溶解的氧，在整个反应过程中，进行快速搅拌，以确保光催化剂悬浮液的均匀照射。所产生的氢气被收集含量用气相色谱仪（GC-SP7800，北京金科瑞达，中国，TCD，氮气作为载气和5埃分子筛柱）分析。
附图说明
图1为本发明所制备的Si单质球材料的Raman图。
图2为本发明所制备材料的TEM形貌图：左图为SiO2, 右图为还原后无定形硅单质球。
图3为本发明所制备的Si单质球材料在Z-Scheme体系中全分解水氢气产量曲线。
图4为本发明对比例中所制备的结晶硅单质球的XRD谱图。
由图1的Raman图可以得出本发明成功合成的球形硅单质，可以看出Si的拉曼谱图在波数为510处有特征峰出现；而且，在Si的拉曼谱图中波数为350-450处氧化无峰出现，进一步证明还原彻底，得到的产物为球形硅单质。
图2为本发明所制备材料的TEM形貌图：左图为SiO2, 右图为还原后无定形硅单质球，从左边的图中可以得出的信息有为SiO2球形形貌，球的直径大约为340nm，球形的表面光滑；当经过还原后，所得到的硅单质保持着球状的形貌，但是球的表面变得粗糙。
图3为本发明所制备的Si材料在Z-Scheme体系中全分解水气体产量曲线，这说明在Z-Scheme体系Si-(Fe2+/Fe3+)-BiVO4可以实现全分解水的能力，其中，1h~5h氢气的产量分别为30μmol/g、110μmol/g、150μmol/g、190μmol/g、220μmol/g，产氢气的速率约为44μmol/h·g。
图4为本发明对比例所合成球形结晶硅单质的XRD图，由图可以确定对比例中所合成的产物对应的pdf卡号为JCPDS-27-1402，而且产物结晶度很高；说明Mg粉与SiO2前驱体的质量比不在1:2到1:6区间中，得不到无定形单质硅球。
具体实施方式
为了更好地理解本发明，下面结合实施例进一步阐明本发明的内容，但本发明的内容不仅仅局限于下面的实施例。
实施例1：
无定形单质Si球的制备：取Mg粉（200目）0.1g与SiO2球0.3g通过研磨混合均匀后放入瓷坩埚中A；在管式炉中，用H2（10%）、Ar（90%）混合气作为保护气，650℃煅烧2h，煅烧过程的升温速率为5。C/min，得到无定形硅单质球B，最后用稀盐酸（浓盐酸：乙醇=1:20）处理除去未反应的Mg及副产物MgO得到纯相无定形单质硅球C。
实施例2：
无定形单质Si球的制备：取Mg粉（200目）0.1g与SiO2球0.2g通过研磨混合均匀后放入瓷坩埚中A；在管式炉中，用H2（10%）、Ar（90%）混合气作为保护气，650℃煅烧2.5h，煅烧过程的升温速率为3。C/min，得到无定形硅单质球B，最后用稀盐酸（浓盐酸：乙醇=1:30）处理除去未反应的Mg及副产物MgO得到纯相无定形单质硅球C。
实施例3：
无定形单质Si球的制备：取Mg粉（200目）0.1g与SiO2球0.6g通过研磨混合均匀后放入瓷坩埚中A；在管式炉中，用H2（10%）、Ar（90%）混合气作为保护气，650℃煅烧3h，煅烧过程的升温速率为4。C/min，得到无定形硅单质球B，最后用稀盐酸（浓盐酸：乙醇=1:25）处理除去未反应的Mg及副产物MgO得到纯相无定形单质硅球C。
对比例：
结晶单质Si球的制备：取Mg粉（200目）0.1g与SiO2球0.1g通过研磨混合均匀后放入瓷坩埚中A；在管式炉中，用H2（10%）、Ar（90%）混合气作为保护气，650℃煅烧2h，煅烧过程的升温速率为4。C/min，得到结晶硅单质球B，最后用稀盐酸（浓盐酸：乙醇=1:20）处理除去未反应的Mg及副产物MgO得到纯相结晶硅单质球C。
Claims (5)
1.一种无定形单质硅球，其特征在于所述无定形单质硅球采用如下方法制备：按重量比取Mg粉与SiO2球放入研钵中研磨均匀，倒入瓷坩埚中A；在管式炉中，用H2/Ar混合气作为保护气，一定温度下煅烧一定时间得到无定形单质硅球B，酸洗除去未反应的Mg及副产物MgO，得到纯相无定形单质硅球C，SiO2球的制备方法参照文献：T. Zhang, et al. A self-templated route to hollow silica microspheres, The Journal of Physical Chemistry C, 2009, 113, 3168-3175。
2.如权利要求1所述的一种无定形单质硅球，其特征在于：所述Mg粉为200目，与SiO2球的质量比为1:2到1:6。
3.如权利要求1所述的一种无定形单质硅球，其特征在于：所述煅烧温度为650℃，升温速率为3-5℃/min，煅烧时间为2~3h，其中保护气由含量10%的H2和含量90%的Ar混合而成。
4.如权利要求1所述的一种无定形单质硅球，其特征在于：所述酸洗指采用稀盐酸进行处理，稀盐酸是用市售浓盐酸（质量分数为36%~38%）与乙醇按照体积比为1:20~1:30配制而成。
5.如权利要求1所述的一种无定形单质硅球在全分解水中的用途。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410721677.4A CN104556040A (zh) | 2014-12-03 | 2014-12-03 | 一种无定形单质硅球及其制备方法和用途 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410721677.4A CN104556040A (zh) | 2014-12-03 | 2014-12-03 | 一种无定形单质硅球及其制备方法和用途 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104556040A true CN104556040A (zh) | 2015-04-29 |
Family
ID=53073247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410721677.4A Pending CN104556040A (zh) | 2014-12-03 | 2014-12-03 | 一种无定形单质硅球及其制备方法和用途 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104556040A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106044777A (zh) * | 2016-06-01 | 2016-10-26 | 北京大学 | 一种由二氧化硅制备纳米硅的新方法 |
| CN113213483A (zh) * | 2021-04-14 | 2021-08-06 | 三峡大学 | 一种用于锂离子电池负极材料的非晶硅粉制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4215126B2 (ja) * | 2002-02-15 | 2009-01-28 | 株式会社東京大学Ｔｌｏ | マグネシウム基複合材料及びその製造方法 |
| CN101533907A (zh) * | 2009-04-14 | 2009-09-16 | 北京科技大学 | 一种锂离子电池硅基负极复合材料的制备方法 |
| CN102249239A (zh) * | 2011-06-08 | 2011-11-23 | 浙江大学 | 从农业废弃物制备高纯单质硅的制备方法 |
| CN103204506A (zh) * | 2013-04-15 | 2013-07-17 | 上海应用技术学院 | 一种形貌可控的介孔硅纳米材料及其制备方法 |
| CN104030290A (zh) * | 2014-06-30 | 2014-09-10 | 金之坚 | 用稻壳生产纳米硅的方法 |
-
2014
- 2014-12-03 CN CN201410721677.4A patent/CN104556040A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4215126B2 (ja) * | 2002-02-15 | 2009-01-28 | 株式会社東京大学Ｔｌｏ | マグネシウム基複合材料及びその製造方法 |
| CN101533907A (zh) * | 2009-04-14 | 2009-09-16 | 北京科技大学 | 一种锂离子电池硅基负极复合材料的制备方法 |
| CN102249239A (zh) * | 2011-06-08 | 2011-11-23 | 浙江大学 | 从农业废弃物制备高纯单质硅的制备方法 |
| CN103204506A (zh) * | 2013-04-15 | 2013-07-17 | 上海应用技术学院 | 一种形貌可控的介孔硅纳米材料及其制备方法 |
| CN104030290A (zh) * | 2014-06-30 | 2014-09-10 | 金之坚 | 用稻壳生产纳米硅的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| TIERUI ZHANG ET AL.: "A Self-Templated Route to Hollow Silica Microspheres", 《J. PHYS. CHEM. C》 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106044777A (zh) * | 2016-06-01 | 2016-10-26 | 北京大学 | 一种由二氧化硅制备纳米硅的新方法 |
| CN113213483A (zh) * | 2021-04-14 | 2021-08-06 | 三峡大学 | 一种用于锂离子电池负极材料的非晶硅粉制备方法 |
| US11834339B2 (en) | 2021-04-14 | 2023-12-05 | China Three Gorges University | Method for preparing amorphous silicon powder for anode material of lithium ion battery |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105268463B (zh) | 一种氮掺杂碳／氮化碳光催化剂材料及其一步合成方法 | |
| CN103193223A (zh) | 具有空心结构石墨化碳球的可控合成方法 | |
| CN104261360B (zh) | 一种基于催化氮化的氮化硅粉体及其制备方法 | |
| CN104607231A (zh) | 具有三维有序大孔结构的氮化碳光催化剂及其制备方法 | |
| CN102491328A (zh) | 一种碳化钛粉体及其制备方法 | |
| CN102671660A (zh) | 一种用于合成甲基氯硅烷的三元铜CuO-Cu2O-Cu催化剂的制备方法 | |
| CN106829888A (zh) | 氮化硼纳米片粉体及其宏量制备方法 | |
| CN103979602B (zh) | 一种高比表面晶态介孔二氧化锡材料的制备方法 | |
| CN105271238A (zh) | 一种利用机械化学法制备硅粉体的方法 | |
| CN111569879B (zh) | 一种利用凹凸棒石制备硅酸盐/碳复合材料的方法及其应用 | |
| CN107282083B (zh) | 一种硅锌掺杂的石墨相氮化碳纳米材料及其在光催化还原中的应用 | |
| CN103143358A (zh) | 一种有机硅单体合成用的三元铜系催化剂及其制备方法 | |
| CN103754883B (zh) | 四氯化硅加氢脱氯转制三氯氢硅的催化剂及其制备方法 | |
| CN102674350B (zh) | 一种碳化钛纳米颗粒的制备方法 | |
| CN100567147C (zh) | 一种有机-无机复合氧化硅纳米线的合成方法 | |
| CN104556040A (zh) | 一种无定形单质硅球及其制备方法和用途 | |
| CN104445340B (zh) | 由纳米块自组装的八面体氧化铈的制备方法 | |
| CN114804136B (zh) | 一种纳米ssz-13分子筛的制备方法及其应用 | |
| CN104760958A (zh) | 一种类石墨烯状无定形硅纳米片及其制备方法和用途 | |
| CN101786611A (zh) | Fe3BO6氨化制备氮化硼纳米管的方法 | |
| CN101982414B (zh) | 采用溶剂热法制备掺杂纳米二氧化铈粉末的方法 | |
| CN104229891A (zh) | 一种制备钽酸钙粉体的方法 | |
| CN110026223B (zh) | 一种介孔氮化碳纳米材料的制备方法 | |
| CN108715451A (zh) | 一种避免副产物产生的镁热还原制备纯硅材料方法 | |
| CN104071779A (zh) | 一种石墨烯的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150429 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |