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CN104538528A - 一种高强度led芯片 - Google Patents

一种高强度led芯片 Download PDF

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CN104538528A
CN104538528A CN201410828892.4A CN201410828892A CN104538528A CN 104538528 A CN104538528 A CN 104538528A CN 201410828892 A CN201410828892 A CN 201410828892A CN 104538528 A CN104538528 A CN 104538528A
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CN
China
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contact layer
type contact
layer
led chip
type
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Pending
Application number
CN201410828892.4A
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English (en)
Inventor
傅立铭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Hanksam Lighting Technology Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Hanksam Lighting Technology Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Hanksam Lighting Technology Co Ltd filed Critical Suzhou Hanksam Lighting Technology Co Ltd
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Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes

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  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种高强度LED芯片，包括N型电极、P型电极、透明导电层、发光层、基层，其特征在于：还包括P型接触层，N型接触层，所述透明导电层、P型接触层、发光层、N型接触层、基层从上至下依次排列；所述P型电极设置在P型接触层顶部，N型电极设置在N型接触层顶部。本发明提供的一种高强度LED芯片，结构稳定性好，可以运用于高温环境；机械强度高，易于处理和清洗。

Description

一种高强度LED芯片
技术领域
本发明涉及一种高强度LED芯片，属于LED结构技术领域。
背景技术
LED芯片是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。现有LED芯片由于结构问题，往往强度不足，当受外力挤压时，容易损坏。
发明内容
目的：为了克服现有技术中存在的不足，本发明提供一种高强度LED芯片。
技术方案：为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：
一种高强度LED芯片，包括N型电极、P型电极、透明导电层、发光层、基层、P型接触层，N型接触层，所述透明导电层、P型接触层、发光层、N型接触层、基层从上至下依次排列；所述P型电极设置在P型接触层顶部，N型电极设置在N型接触层顶部。
还包括低温外延层，所述低温外延层设置在N型接触层与基层之间。
作为优选方案，所述P型接触层，N型接触层均采用GaN材料。
作为优选方案，所述低温外延层采用GaN材料。
作为优选方案，所述基层采用蓝宝用材料。
有益效果：本发明提供的一种高强度LED芯片，结构稳定性好，可以运用于高温环境；机械强度高，易于处理和清洗。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作更进一步的说明。
如图1所示，一种高强度LED芯片，包括N型电极1、P型电极2、透明导电层3、发光层4、基层5、P型接触层6，N型接触层7，所述透明导电层3、P型接触层6、发光层4、N型接触层7、基层5从上至下依次排列；所述P型电极2设置在P型接触层6顶部，N型电极1设置在N型接触层7顶部。
还包括低温外延层8，所述低温外延层8设置在N型接触层7与基层5之间。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种高强度LED芯片，包括N型电极、P型电极、透明导电层、发光层、基层，其特征在于：还包括P型接触层，N型接触层，所述透明导电层、P型接触层、发光层、N型接触层、基层从上至下依次排列；所述P型电极设置在P型接触层顶部，N型电极设置在N型接触层顶部。
2.根据权利要求1所述的一种高强度LED芯片，其特征在于：还包括低温外延层，所述低温外延层设置在N型接触层与基层之间。
3.根据权利要求1或2所述的一种高强度LED芯片，其特征在于：所述P型接触层，N型接触层均采用GaN材料。
4.根据权利要求2所述的一种高强度LED芯片，其特征在于：所述低温外延层采用GaN材料。
5.根据权利要求1或2所述的一种高强度LED芯片，其特征在于：所述基层采用蓝宝用材料。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150422

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