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CN104532192A - 蒸镀装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种蒸镀装置包括：真空室，提供真空环境；蒸发源，位于真空室中，提供用于蒸镀的Li3N，并对Li3N进行加热分解，产生Li；对位系统，与蒸发源相对设置，对需镀膜的基片进行定位，使Li沉积在基片上；冷凝泵，与真空室连通，用于对真空室进行抽真空处理；分子泵，与真空室连通，用于维持真空室的低真空度。通过上述方式，本发明能够提高腔内真空度，减少对器件寿命的影响。

Description

蒸镀装置
技术领域
本发明涉及半导体制程领域，尤其是涉及一种蒸镀装置。
背景技术
有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode，OLED)因具备主动发光、响应速度快、可弯曲、超轻薄等优点，被称之为第三代梦幻现实技术。目前，全球各大厂商纷纷持续投入资金与技术进行研发，并已达成量产，市场需求高涨。
随着白光OLED(White Organic Light-Emitting Diode，WOLED)在大尺寸电视的开始逐渐应用，越来越多公司开始进行WOLED开发工作，目前大家都采用R/G/B三原色叠层制作的方式制作WOLED元件，然后利用彩色滤光片来分别得到R/G/B不同光色来实现彩色发光，由于运用叠层结构，使得在器件中需要使用CGL(charge generate layer电子产生层)层来分别为蓝光层提供电子和红绿光提供空穴，在CGL层中普遍做法是需要使用Li这种物质，而Li较活泼，具有一定危险性，大家纷纷寻找能产生Li的其他材料来代替使用纯Li,较常用的为使用Li3N，这种物质所需温度只需要500°左右，便于蒸镀，但由于Li3N蒸镀后会产生大量气体N2，且由于Li3N具有包覆H2的能力，加热后会大量释放H2。传统的蒸镀腔体是用冷凝泵来维持腔内的高真空，对于分子量较小的H2较难清除，需要很长时间，这使得腔内真空度变差，会对WOLED器件的寿命等造成一定的影响。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种蒸镀装置，能够提高腔内真空度，减少对器件寿命的影响。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种蒸镀装置，包括：真空室，提供真空环境；蒸发源，位于真空室中，提供用于蒸镀的Li3N，并对Li3N进行加热分解，产生Li；对位系统，与蒸发源相对设置，对需镀膜的基片进行定位，使Li沉积在基片上；冷凝泵，与真空室连通，用于对真空室进行抽真空处理；分子泵，与真空室连通，用于维持真空室的低真空度。
其中，分子泵与冷凝泵相对设置。
其中，分子泵快速抽取分子量小的气体，使真空度维持在E-5以下。
其中，分子泵转速为27500rpm以上。
其中，分子泵转速采用高转速分子泵，转速超过35000rpm。
其中，分子泵转速为42300rpm。
其中，分子泵转速为51000rpm。
其中，蒸镀装置用于在有机电致发光器件中蒸镀锂。
其中，分子泵快速抽取Li3N加热升温时产生的H2。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过真空室提供真空环境；蒸发源位于真空室中，提供用于蒸镀的Li3N，并对Li3N进行加热分解，产生Li；对位系统与蒸发源相对设置，对需镀膜的基片进行定位，使Li沉积在基片上；冷凝泵与真空室连通，对真空室进行抽真空处理；分子泵与真空室连通，维持真空室的低真空度，能够提高腔内真空度，减少对器件寿命的影响。
附图说明
图1是本发明实施例的蒸镀装置。
具体实施方式
请参阅图1，图1是本发明实施例的蒸镀装置。如图1所示，蒸镀装置包括：真空室、蒸发源、对位系统、冷凝泵以及分子泵。真空室提供真空环境。蒸发源位于真空室中，提供用于蒸镀的Li3N，并对Li3N进行加热分解，产生Li。对位系统与蒸发源相对设置，对需镀膜的基片进行定位，使Li沉积在基片上。冷凝泵与真空室连通，用于对真空室进行抽真空处理。分子泵与真空室连通，用于维持真空室的低真空度。
在本发明实施例中，分子泵与冷凝泵相对设置，相互独立。通常情况下蒸镀装置仅开启冷凝泵进行抽真空，使得蒸镀装置的真空室内真空度维持在E-5帕以下。当在蒸镀WOLED时，蒸发源对提供的Li3N进行加热升温，导致真空室内真空度上升，如为E-4帕时，开启分子泵，抽气能力增强，迅速抽出分子量较小的气体，如快速抽取Li3N加热升温时产生的H2，使真空室内真空度维持在E-5帕以下，即使得真空室内真空度一直维持在较高的真空状态，确保器件寿命不会因为制作时真空环境不好而造成寿命减少的问题出现。
在本发明实施例中，分子泵转速可以为27500rpm以上。分子泵转速也可以采用高转速分子泵，转速超过35000rpm。具体地，分子泵转速为42300rpm，或者分子泵转速为51000rpm。本发明实施例中的蒸镀装置主要用于在有机电致发光器件中蒸镀锂。
综上所述，本发明的蒸镀装置包括：真空室，提供真空环境；蒸发源，位于真空室中，提供用于蒸镀的Li3N，并对Li3N进行加热分解，产生Li；对位系统，与蒸发源相对设置，对需镀膜的基片进行定位，使Li沉积在基片上；冷凝泵，与真空室连通，用于对真空室进行抽真空处理；分子泵，与真空室连通，用于维持真空室的低真空度，能够提高腔内真空度，减少对器件寿命的影响。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种蒸镀装置，其特征在于，所述蒸镀装置包括：
真空室，提供真空环境；
蒸发源，位于所述真空室中，提供用于蒸镀的Li3N，并对所述Li3N进行加热分解，产生Li；
对位系统，与所述蒸发源相对设置，对需镀膜的基片进行定位，使所述Li沉积在所述基片上；
冷凝泵，与所述真空室连通，对所述真空室进行抽真空处理；
分子泵，与所述真空室连通，维持所述真空室的低真空度。
2.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述分子泵与所述冷凝泵相对设置。
3.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述分子泵快速抽取分子量小的气体，使真空度维持在E-5以下。
4.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述分子泵转速为27500rpm以上。
5.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述分子泵转速采用高转速分子泵，转速超过35000rpm。
6.根据权利要求5所述的蒸镀装置，其特征在于，所述分子泵转速为42300rpm。
7.根据权利要求5所述的蒸镀装置，其特征在于，所述分子泵转速为51000rpm。
8.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述蒸镀装置用于在有机电致发光器件中蒸镀锂。
9.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述分子泵快速抽取Li3N加热升温时产生的H2。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110894588A (zh) * 2019-12-17 2020-03-20 合肥师范学院 一种金属锂蒸镀方法
CN111139447A (zh) * 2020-02-25 2020-05-12 费勉仪器科技（上海）有限公司 一种利用差分抽气系统实现超高真空蒸镀的装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2030322U (zh) * 1988-07-25 1989-01-04 中国科学院北京真空物理实验室 热脱附及常温出气实验测量装置
CN1723741A (zh) * 2002-12-12 2006-01-18 株式会社半导体能源研究所 发光装置、制造装置、成膜方法及清洁方法
CN101066845A (zh) * 2007-06-06 2007-11-07 深圳市南玻伟光镀膜玻璃有限公司 一种可后续加工的低辐射玻璃及其制造方法
CN101339978A (zh) * 2007-07-06 2009-01-07 株式会社半导体能源研究所 发光器件的制造方法
CN101369539A (zh) * 2007-08-17 2009-02-18 株式会社半导体能源研究所 显示装置的制造方法
CN101368267A (zh) * 2007-08-17 2009-02-18 株式会社半导体能源研究所 等离子体cvd装置、微晶半导体层、薄膜晶体管的制造
CN101369540A (zh) * 2007-08-17 2009-02-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
CN101560645A (zh) * 2009-05-08 2009-10-21 深圳大学 大型真空镀膜设备
CN103776602A (zh) * 2013-12-27 2014-05-07 合肥京东方光电科技有限公司 一种真空对盒系统的检测装置
CN104120397A (zh) * 2014-07-31 2014-10-29 深圳市豪威薄膜技术有限公司 氧化铟锡低温沉积方法及系统
CN104236991A (zh) * 2014-08-19 2014-12-24 宁波英飞迈材料科技有限公司 一种可拆卸原位热处理装置及其使用方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3914709C1 (zh) * 1989-05-04 1990-10-25 Deutsche Forschungsanstalt Fuer Luft- Und Raumfahrt Ev, 5300 Bonn, De
US5778682A (en) * 1996-06-20 1998-07-14 Mitel Corporation Reactive PVD with NEG pump
WO2001058222A1 (en) * 2000-02-02 2001-08-09 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent element and method of manufacture thereof
US6689190B2 (en) * 2001-12-20 2004-02-10 Cima Nanotech, Inc. Process for the manufacture of reacted nanoparticles
CN1191654C (zh) * 2003-03-06 2005-03-02 复旦大学 一种能够大面积制备锂离子固体电解质薄膜的方法
US7021888B2 (en) * 2003-12-16 2006-04-04 Universities Research Association, Inc. Ultra-high speed vacuum pump system with first stage turbofan and second stage turbomolecular pump
CN100428334C (zh) * 2004-07-27 2008-10-22 松下电器产业株式会社 磁记录介质及其制造方法、和磁记录介质的记录再生方法
CN100366786C (zh) * 2005-08-23 2008-02-06 浙江大学 液相基底表面金属薄膜的制备技术
CN100477325C (zh) * 2007-05-16 2009-04-08 太原理工大学 一种发蓝绿光的发光二极管及制备方法
CN101368264B (zh) * 2007-08-16 2012-01-04 清华大学 有机电致发光器件
FR2942774B1 (fr) * 2009-03-06 2011-05-06 Thales Sa Dispositif de controle thermique pour un engin spatial
CN103320752B (zh) * 2013-06-19 2016-02-03 储琦 蒸发镀膜设备及其抽气工艺

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2030322U (zh) * 1988-07-25 1989-01-04 中国科学院北京真空物理实验室 热脱附及常温出气实验测量装置
CN1723741A (zh) * 2002-12-12 2006-01-18 株式会社半导体能源研究所 发光装置、制造装置、成膜方法及清洁方法
CN101066845A (zh) * 2007-06-06 2007-11-07 深圳市南玻伟光镀膜玻璃有限公司 一种可后续加工的低辐射玻璃及其制造方法
CN101339978A (zh) * 2007-07-06 2009-01-07 株式会社半导体能源研究所 发光器件的制造方法
CN101369539A (zh) * 2007-08-17 2009-02-18 株式会社半导体能源研究所 显示装置的制造方法
CN101368267A (zh) * 2007-08-17 2009-02-18 株式会社半导体能源研究所 等离子体cvd装置、微晶半导体层、薄膜晶体管的制造
CN101369540A (zh) * 2007-08-17 2009-02-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
CN101560645A (zh) * 2009-05-08 2009-10-21 深圳大学 大型真空镀膜设备
CN103776602A (zh) * 2013-12-27 2014-05-07 合肥京东方光电科技有限公司 一种真空对盒系统的检测装置
CN104120397A (zh) * 2014-07-31 2014-10-29 深圳市豪威薄膜技术有限公司 氧化铟锡低温沉积方法及系统
CN104236991A (zh) * 2014-08-19 2014-12-24 宁波英飞迈材料科技有限公司 一种可拆卸原位热处理装置及其使用方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110894588A (zh) * 2019-12-17 2020-03-20 合肥师范学院 一种金属锂蒸镀方法
CN111139447A (zh) * 2020-02-25 2020-05-12 费勉仪器科技（上海）有限公司 一种利用差分抽气系统实现超高真空蒸镀的装置
CN111139447B (zh) * 2020-02-25 2023-11-03 费勉仪器科技（上海）有限公司 一种利用差分抽气系统实现超高真空蒸镀的装置

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WO2016095275A1 (zh) 2016-06-23
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