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CN107164725A - 一种薄膜沉积设备和薄膜沉积方法 - Google Patents

一种薄膜沉积设备和薄膜沉积方法 Download PDF

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CN107164725A
CN107164725A CN201710337765.8A CN201710337765A CN107164725A CN 107164725 A CN107164725 A CN 107164725A CN 201710337765 A CN201710337765 A CN 201710337765A CN 107164725 A CN107164725 A CN 107164725A
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CN
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thin film
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mask plate
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Application number
CN201710337765.8A
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孙泉钦
杨晓东
肖昂
李国伟
吴虹见
张杨扬
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BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种薄膜沉积设备和薄膜沉积方法，该薄膜沉积设备包括一薄膜沉积腔室；基板承载部件，设置于所述薄膜沉积腔室内，用于承载待进行薄膜沉积的基板；掩膜版固定部件，用于固定一掩膜版，所述掩膜版包括遮挡区和开口区，所述开口区用于允许待沉积的薄膜材料通过；位置调整部件，用于根据待沉积的薄膜的尺寸，调整所述掩膜版与所述基板之间的间距，以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜，所述不同尺寸包括薄膜在所述基板上的正投影的面积不同。本发明中，采用一薄膜沉积设备和一掩膜版可沉积不同尺寸的薄膜。

Description

一种薄膜沉积设备和薄膜沉积方法
技术领域
本发明涉及薄膜沉积技术领域，尤其涉及一种薄膜沉积设备和薄膜沉积方法。
背景技术
目前，OLED(有机发光二极管)基板通常采用TFE(薄膜封装)工艺进行封装。
请参考图1，图1为现有的OLED面板的结构示意图，该OLED面板包括OLED基板和用于封装OLED基板的薄膜封装层，该OLED基板包括衬底基板101和设置在衬底基板101上的OLED器件102，该薄膜封装层包括三层封装薄膜，按照沉积顺序依次包括：第一无机层103，有机层104和第二无机层105。其中，第一无机层103的尺寸略大于有机层104的尺寸，第二无机层105的尺寸略大于第一无机层103的尺寸。
目前，薄膜封装的实现方法是：三层封装薄膜分别按序在不同的腔室或设备中沉积，每个腔室或设备承担一层封装薄膜的沉积。且，针对不同的封装薄膜，分别进行掩膜版(Mask)设计，各个掩膜版的开口区大小均不相同。
上述薄膜封装方法具有以下缺点：
1)需要至少3台不同工艺的腔室或设备，增加了设备成本。
2)待封装的OLED基板需要在不同设备之间传递，增加了产品受颗粒物影响的几率。
3)每层封装薄膜在进行沉积之前均需要对位，增加了对位难度。
4)每款产品需求多种Mask设计，增加了设计成本及管理难度。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种薄膜沉积设备和薄膜沉积方法，采用同一薄膜沉积设备和同一掩膜版可沉积不同尺寸的薄膜。
为解决上述技术问题，本发明提供一种薄膜沉积设备，包括：
一薄膜沉积腔室；
基板承载部件，设置于所述薄膜沉积腔室内，用于承载待进行薄膜沉积的基板；
掩膜版固定部件，用于固定一掩膜版，所述掩膜版包括遮挡区和开口区，所述开口区用于允许待沉积的薄膜材料通过；
位置调整部件，用于调整所述掩膜版与所述基板之间的间距，以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜，所述不同尺寸包括薄膜在所述基板上的正投影的面积不同。
优选地，所述薄膜沉积设备还包括：
对位部件，用于对所述掩膜版与所述基板进行对位。
优选地，所述薄膜沉积设备还包括：
气体提供部件，用于根据待沉积的薄膜的类型，向所述薄膜沉积腔室提供对应的工艺气体。
优选地，所述基板为OLED基板，所述薄膜沉积腔室为用于沉积封装所述OLED基板的薄膜封装层的薄膜沉积腔室。
优选地，所述薄膜封装层至少包括第一无机层和有机层；所述第一无机层的尺寸大于所述有机层的尺寸；
所述位置调整部件，进一步用于在沉积第一无机层之前，将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第一间距；在沉积有机层之前，将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第二间距，所述第二间距小于所述第一间距。
优选地，所述薄膜封装层还包括第二无机层；第二无机层的尺寸大于所述第一无机层的尺寸；
所述位置调整部件，进一步用于在沉积第二无机层之前，将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第三间距，所述第三间距大于所述第一间距。
优选地，所述基板承载部件包括可升降基台，和/或，所述掩膜版固定部件为可升降的固定部件；
所述位置调整部件，用于控制所述可升降基台上升或下降，和/或，控制所述掩膜版固定部件上升或下降，以调整所述掩膜版与所述基板之间的间距。
本发明还提供一种薄膜沉积方法，包括：
将待进行薄膜沉积的基板置入一薄膜沉积腔室；
将一掩膜版固定在所述基板的一侧，所述掩膜版包括遮挡区和开口区，所述开口区用于允许待沉积的薄膜材料通过；
调整所述掩膜版与所述基板之间的间距，以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜，所述不同尺寸包括薄膜在所述基板上的正投影的面积不同。
优选地，所述调整所述掩膜版与所述基板之间的间距，以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜的步骤之前还包括：
将所述掩膜版与所述基板进行对位。
优选地，所述基板为OLED基板，所述薄膜沉积方法用于沉积封装所述OLED基板的薄膜封装层。
优选地，所述薄膜封装层至少包括第一无机层和有机层；所述调整所述掩膜版与所述基板之间的间距，以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜的步骤包括：
将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第一间距，在所述基板上沉积第一无机层；
将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第二间距，在所述基板上沉积有机层，其中，所述第二间距小于所述第一间距。
优选地，所述薄膜封装层还包括第二无机层；所述调整所述掩膜版与所述基板之间的间距，以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜的步骤还包括：
将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第三间距，在所述基板上沉积第二无机层，其中，所述第三间距大于所述第一间距。
优选地，沉积所述第一无机层和第二无机层时，向所述薄膜沉积腔室内提供第一工艺气体，沉积所述有机层时，向所述薄膜沉积腔室内提供第二工艺气体，所述第一工艺气体与第二工艺气体不同。
优选地，所述调整所述掩膜版与所述基板之间的间距的步骤包括：
控制所述基板上升或下降，和/或，控制所述掩膜版上升或下降，以调整所述掩膜版与所述基板之间的间距。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
使用同一薄膜沉积设备和同一掩膜版，便可进行多个不同尺寸的薄膜的沉积，减少了设备成本，当需要沉积多层薄膜时，不需要在不同设备之间传递，减少了产品受颗粒物影响的几率，另外，不需要为每个膜层设计一个Mask，减低了设计成本及管理难度。
附图说明
图1为现有的OLED面板的结构示意图；
图2为采用掩膜版在基板上沉积薄膜时的掩膜版阴影影响效果示意图；
图3是在薄膜沉积实验中，测量得到的掩膜版与基板之间的间距，与沉积在掩膜版的遮挡区下方的薄膜与开口区的边缘之间的距离的对应关系示意图；
图4为本发明实施例的薄膜沉积方法的流程示意图；
图5-图11为本发明的一实施例的OLED基板上的薄膜封装层的沉积方法的示意图。
具体实施方式
下面首先对本发明所采用的原理进行说明。
请参考图2，图2为采用掩膜版在基板上沉积薄膜时的掩膜版阴影影响(maskshadow effect)效果示意图，图2中的掩膜版22具有遮挡区和开口区，开口区的图形对应于基板21上沉积的薄膜23的图形。在具体进行薄膜沉积时，由于掩膜版22和基板21之间具有一定的间距L1，会产生掩膜版阴影影响现象，即形成的薄膜23的图形并不完全与开口区的图形一致，会有部分薄膜沉积在掩膜版22的遮挡区下方区域，如图2所示，在掩膜版22的遮挡区下方形成与开口区边缘距离为L2薄膜。
请参考图3，图3是在薄膜沉积实验中，测量得到的掩膜版与基板之间的间距，与沉积在掩膜版的遮挡区下方的薄膜与开口区的边缘之间的距离的对应关系示意图。从图3中可以看出，当掩膜版与基板之间的间距越大时，沉积在掩膜版的遮挡区下方区域的薄膜的尺寸越大，即位于掩膜版的遮挡区下方区域的薄膜与开口区边缘之间的距离越大，相反的，当掩膜版与基板之间的间距越小时，沉积在掩膜版的遮挡区下方区域的薄膜的尺寸越小。
本发明即是利用上述原理，通过调节掩膜版与基板之间的间距，使得可以使用同一薄膜沉积设备和同一掩膜版，来进行多个不同尺寸的薄膜的沉积。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种薄膜沉积设备，包括：
一薄膜沉积腔室；
基板承载部件，设置于所述薄膜沉积腔室内，用于承载待进行薄膜沉积的基板；
掩膜版固定部件，用于固定一掩膜版，所述掩膜版包括遮挡区和开口区，所述开口区用于允许待沉积的薄膜材料通过；
位置调整部件，用于根据待沉积的薄膜的尺寸，调整所述掩膜版与所述基板之间的间距，以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜，所述不同尺寸包括薄膜在所述基板上的正投影的面积不同。
本发明实施例中，使用同一薄膜沉积设备和同一掩膜版，便可进行多个不同尺寸的薄膜的沉积，减少了设备成本，当需要沉积多层薄膜时，不需要在不同设备之间传递，减少了产品受颗粒物影响的几率，另外，不需要为每个膜层设计一个Mask，减低了设计成本及管理难度。
当然，在本发明的其他一些实施例中，所述不同尺寸还可能包括薄膜在所述基板上的厚度不同等。
为了完成薄膜沉积，本发明实施例中的薄膜沉积设备还包括：薄膜沉积部件，用于在所述掩膜版上沉积薄膜。
本发明实施例中，优选地，在进行薄膜沉积之前，还需要对掩膜版和基板进行对位，因此，本发明实施例中的薄膜沉积设备还包括：对位部件，用于对所述掩膜版与所述基板进行对位。
进一步优选地，当需要使用所述掩膜版在所述基板的预定区域内沉积多层薄膜时，所述对位部件只需在沉积第一层薄膜时，对所述掩膜版和所述基板进行对位即可，在沉积其他薄膜时，则不需要再进行对位，减少了对位次数，降低了对位难度。
在进行薄膜沉积时，通常需要向薄膜沉积腔室提供工艺气体，而在沉积不同类型的薄膜时，可能需要不同的工艺气体，因而，优选地，本发明实施例的薄膜沉积设备还可以包括：气体提供部件，用于根据待沉积的薄膜的类型，向所述薄膜沉积腔室提供对应的工艺气体。
此外，当需要在基板上连续沉积不同类型的薄膜，而该不同类型的薄膜需要不同的工艺气体时，优选地，在沉积后面的薄膜时，还需要将当前薄膜沉积腔室内的工艺气体抽取，因而，本发明实施例的薄膜沉积设备还可以包括：气体抽取部件，用于抽取所述薄膜沉积腔室内的工艺气体。
在本发明的一优选实施例中，所述基板可以为OLED基板，所述薄膜沉积腔室为用于沉积封装所述OLED基板的薄膜封装层的薄膜沉积腔室。
在一些实施例，所述薄膜封装层至少包括第一无机层和有机层；所述第一无机层的尺寸大于所述有机层的尺寸；此时，所述位置调整部件，用于在沉积第一无机层之前，将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第一间距；在沉积有机层之前，将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第二间距，所述第二间距小于所述第一间距。
在另一些实施例中，所述薄膜封装层还包括第二无机层；第二无机层的尺寸大于所述第一无机层的尺寸；所述位置调整部件，进一步用于在沉积第二无机层之前，将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第三间距，所述第三间距大于所述第一间距。
本发明实施例中，可以通过控制所述基板上升或下降，和/或，控制所述掩膜版上升或下降，以调整所述掩膜版与所述基板之间的间距。
即，优选地，所述基板承载部件可以包括可升降基台，和/或，所述掩膜版固定部件可以为可升降的固定部件；
所述位置调整部件，用于控制所述可升降基台上升或下降，和/或，控制所述掩膜版固定部件上升或下降，以调整所述掩膜版与所述基板之间的间距。
基于同一发明构思，请参考图4，本发明实施例还提供一种薄膜沉积方法，包括：
步骤41：将待进行薄膜沉积的基板置入一薄膜沉积腔室；
步骤42：将一掩膜版固定在所述基板的一侧，所述掩膜版包括遮挡区和开口区，所述开口区用于允许待沉积的薄膜材料通过；
步骤43：调整所述掩膜版与所述基板之间的间距，以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜。
本发明实施例中，在同一薄膜沉积设备中，通过调节掩膜版与基板之间的间距，可以进行多个不同尺寸的薄膜的沉积，减少了设备成本，当需要沉积多层薄膜时，不需要在不同设备之间传递，减少了产品受颗粒物影响的几率，另外，不需要为每个膜层设计一个Mask，减低了设计成本及管理难度。
本发明实施例中，优选地，在进行薄膜沉积之前，还需要对掩膜版和基板进行对位，因此，所述将一掩膜版固定在所述基板的一侧的步骤包括：将所述掩膜版与所述基板进行对位。
进一步优选地，当需要使用所述掩膜版在所述基板的预定区域内沉积多层薄膜时，所述对位部件只需在沉积第一层薄膜时，对所述掩膜版和所述基板进行对位即可，在沉积其他薄膜时，则不需要再进行对位，减少了对位次数，降低了对位难度。
本发明的一优选实施例中，所述基板为OLED基板，所述薄膜沉积方法用于沉积封装所述OLED基板的薄膜封装层。
在一些实施例中，所述薄膜封装层至少包括第一无机层和有机层；所述调整所述掩膜版与所述基板之间的间距，以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜的步骤包括：
将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第一间距，在所述基板上沉积第一无机层；
将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第二间距，在所述基板上沉积有机层，其中，所述第二间距小于所述第一间距。
在另一些实施例中，所述薄膜封装层还包括第二无机层；所述调整所述掩膜版与所述基板之间的间距，以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜的步骤还包括：将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第三间距，在所述基板上沉积第二无机层，其中，所述第三间距大于所述第一间距。
优选地，沉积所述第一无机层和第二无机层时，向所述薄膜沉积腔室内提供第一工艺气体，沉积所述有机层时，向所述薄膜沉积腔室内提供第二工艺气体，所述第一工艺气体与第二工艺气体不同。
本发明实施例中，可以通过控制所述基板上升或下降，和/或，控制所述掩膜版上升或下降，以调整所述掩膜版与所述基板之间的间距。
请参考图5-图10，图5-图10为本发明的一实施例的OLED基板上的薄膜封装层的沉积方法的示意图，该方法包括以下步骤：
步骤51：请参考图5，将OLED基板置入一薄膜沉积腔室200内；该OLED基板包括衬底基板101和OLED器件102；
具体的，可通过所述薄膜沉积腔室200内的一基板承载部件承载并固定该OLED基板。该基板承载部件包括一可升降基台201；
步骤52：请参考图6，将一掩膜版300固定在所述OLED基板的一侧，并对掩膜版300与OLED基板进行对位；所述掩膜版300包括遮挡区301和开口区302；
具体的，可通过所述薄膜沉积腔室200内的一掩膜版固定部件202固定该掩膜版300。所述掩膜版固定部件202为可升降的固定部件；
被固定的掩膜版300与该OLED基板平行设置，对位后，掩膜版300的开口区302正对该OLED基板上的待沉积区域；
步骤53：请参考图7，位置调整部件203调整掩膜版300与OLED基板之间的间距为第一间距L3，并向薄膜沉积腔室200内通入第一工艺气体S1，完成第一无机层103的沉积；
本发明实施例中，位置调整部件203通过控制掩膜版固定部件202上升或下降，以控制掩膜版300上升或下降，来调整掩膜版300与OLED基板之间的间距。
当然，在本发明的其他一些实施例中，位置调整部件203也可以通过控制可升降基台201上升或下降，以控制OLED基板上升或下降，来调整掩膜版300与OLED基板之间的间距。
步骤54：请参考图8，抽取薄膜沉积腔室200内的第一工艺气体S1；
步骤55：请参考图9，位置调整部件203调整所述掩膜版300和OLED基板之间的间距为第二间距L4，第二间距L4小于第一间距L3，并向薄膜沉积腔室200内通入第二工艺气体S2，完成有机层104的沉积；
步骤56：请参考图10，抽取薄膜沉积腔室200内的第二工艺气体S2；
步骤57：请参考图11，位置调整部件203调整所述掩膜版300和OLED基板之间的间距为第三间距L5，第三间距L5大于第一间距L3，并向薄膜沉积腔室200内通入第一工艺气体S1，完成第二无机层105的沉积。
本发明实施例中，掩膜版300与OLED基板之间的间距可以指掩膜版300与OLED基板的衬底基板101之间的垂直距离。
通过上述实施例提供的方法，在同一薄膜沉积腔室内，使用同一掩膜版，便可完成OLED基板上的多层不同尺寸的封装薄膜的沉积，减少了设备成本，且不需要在不同设备之间传递，减少了产品受颗粒物影响的几率，另外，不需要为每个膜层设计一个Mask，减低了设计成本及管理难度。
上述实施例中的薄膜沉积腔室可以是化学气相沉积(CVD)腔室。
综上，本发明实施例的上述方案具有以下优点：
1)只需要一个薄膜沉积设备，便可沉积不同尺寸的薄膜，降低了设备成本。
2)需要在一个基板上述沉积多个不同尺寸薄膜时，不需要在不同设备之间传递，降低了产品受颗粒物影响的几率。
3)只需要在进行第一次薄膜沉积时，对掩膜版和基板进行对位，降低了对位难度。
4)沉积不同尺寸的薄膜只需要一种掩膜版，降低了设计成本及管理难度。
除非另作定义，本发明中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括：
一薄膜沉积腔室；
基板承载部件，设置于所述薄膜沉积腔室内，用于承载待进行薄膜沉积的基板；
掩膜版固定部件，用于固定一掩膜版，所述掩膜版包括遮挡区和开口区，所述开口区用于允许待沉积的薄膜材料通过；
位置调整部件，用于调整所述掩膜版与所述基板之间的间距，以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜，所述不同尺寸包括薄膜在所述基板上的正投影的面积不同。
2.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，还包括：
对位部件，用于对所述掩膜版与所述基板进行对位。
3.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，还包括：
气体提供部件，用于根据待沉积的薄膜的类型，向所述薄膜沉积腔室提供对应的工艺气体。
4.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述基板为OLED基板，所述薄膜沉积腔室为用于沉积封装所述OLED基板的薄膜封装层的薄膜沉积腔室。
5.根据权利要求4所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜封装层至少包括第一无机层和有机层；所述第一无机层的尺寸大于所述有机层的尺寸；
所述位置调整部件，进一步用于在沉积第一无机层之前，将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第一间距；在沉积有机层之前，将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第二间距，所述第二间距小于所述第一间距。
6.根据权利要求5所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜封装层还包括第二无机层；第二无机层的尺寸大于所述第一无机层的尺寸；
所述位置调整部件，进一步用于在沉积第二无机层之前，将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第三间距，所述第三间距大于所述第一间距。
7.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，
所述基板承载部件包括可升降基台，和/或，所述掩膜版固定部件为可升降的固定部件；
所述位置调整部件，用于控制所述可升降基台上升或下降，和/或，控制所述掩膜版固定部件上升或下降，以调整所述掩膜版与所述基板之间的间距。
8.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括：
将待进行薄膜沉积的基板置入一薄膜沉积腔室；
将一掩膜版固定在所述基板的一侧，所述掩膜版包括遮挡区和开口区，所述开口区用于允许待沉积的薄膜材料通过；
调整所述掩膜版与所述基板之间的间距，以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜，所述不同尺寸包括薄膜在所述基板上的正投影的面积不同。
9.根据权利要求8所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述调整所述掩膜版与所述基板之间的间距，以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜的步骤之前还包括：
将所述掩膜版与所述基板进行对位。
10.根据权利要求8所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述基板为OLED基板，所述薄膜沉积方法用于沉积封装所述OLED基板的薄膜封装层。
11.根据权利要求10所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述薄膜封装层至少包括第一无机层和有机层；所述调整所述掩膜版与所述基板之间的间距，以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜的步骤包括：
将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第一间距，在所述基板上沉积第一无机层；
将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第二间距，在所述基板上沉积有机层，其中，所述第二间距小于所述第一间距。
12.根据权利要求11所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述薄膜封装层还包括第二无机层；所述调整所述掩膜版与所述基板之间的间距，以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜的步骤还包括：
将所述掩膜版与所述基板之间的间距调整为第三间距，在所述基板上沉积第二无机层，其中，所述第三间距大于所述第一间距。
13.根据权利要求12所述的薄膜沉积方法，其特征在于，沉积所述第一无机层和第二无机层时，向所述薄膜沉积腔室内提供第一工艺气体，沉积所述有机层时，向所述薄膜沉积腔室内提供第二工艺气体，所述第一工艺气体与第二工艺气体不同。
14.根据权利要求8所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述调整所述掩膜版与所述基板之间的间距的步骤包括：
控制所述基板上升或下降，和/或，控制所述掩膜版上升或下降，以调整所述掩膜版与所述基板之间的间距。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108448008A (zh) * 2018-04-12 2018-08-24 上海瀚莅电子科技有限公司 Oled薄膜封装工艺及oled薄膜封装系统
WO2018209940A1 (zh) * 2017-05-15 2018-11-22 京东方科技集团股份有限公司 薄膜制造设备和方法
CN109515020A (zh) * 2017-09-18 2019-03-26 云谷（固安）科技有限公司 喷墨打印方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11255011B1 (en) 2020-09-17 2022-02-22 United Semiconductor Japan Co., Ltd. Mask structure for deposition device, deposition device, and operation method thereof

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1487777A (zh) * 2002-08-30 2004-04-07 �����ɷ� 覆盖电子元件的保护膜的形成方法及有保护膜的电子仪器
CN102071405A (zh) * 2010-12-03 2011-05-25 湖南大学 一种多晶硅薄膜制备方法
CN102903728A (zh) * 2011-07-29 2013-01-30 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器及其制造方法
CN103000755A (zh) * 2011-09-07 2013-03-27 气体产品与化学公司 用于光伏钝化的前体
CN103864008A (zh) * 2014-03-10 2014-06-18 中国电子科技集团公司第五十五研究所 采用硅片作为掩膜版控制薄膜沉积形貌的工艺方法
CN104271797A (zh) * 2012-03-09 2015-01-07 气体产品与化学公司 显示器件的阻隔材料
CN106567052A (zh) * 2016-10-24 2017-04-19 武汉华星光电技术有限公司 掩膜板及oled器件的封装方法
CN107611285A (zh) * 2016-07-12 2018-01-19 圆益Ips股份有限公司 基板处理系统以及基板处理方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7527821B2 (en) * 2000-05-02 2009-05-05 Smiths Detection Inc. Sensor fabricating method
US6716656B2 (en) * 2001-09-04 2004-04-06 The Trustees Of Princeton University Self-aligned hybrid deposition
KR101060652B1 (ko) * 2008-04-14 2011-08-31 엘아이지에이디피 주식회사 유기물 증착장치 및 이를 이용한 증착 방법
KR20120065049A (ko) * 2010-12-10 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR102017744B1 (ko) * 2012-12-12 2019-10-15 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
CN110079783A (zh) * 2014-03-18 2019-08-02 3D-奥克赛茨公司 标签装置、其用途和用于标签装置的包装
CN104630703B (zh) * 2015-01-29 2017-09-19 四川虹视显示技术有限公司 Oled器件的掩膜板组及基板
US10233528B2 (en) * 2015-06-08 2019-03-19 Applied Materials, Inc. Mask for deposition system and method for using the mask
CN106384789B (zh) * 2016-10-31 2018-04-03 武汉华星光电技术有限公司 Oled封装结构与oled封装方法
CN106356395B (zh) * 2016-11-23 2019-01-18 信利（惠州）智能显示有限公司 一种oled成像装置及制备方法
CN106374057B (zh) * 2016-11-30 2018-03-06 深圳市华星光电技术有限公司 Oled器件的封装方法
CN107164725A (zh) * 2017-05-15 2017-09-15 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜沉积设备和薄膜沉积方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1487777A (zh) * 2002-08-30 2004-04-07 �����ɷ� 覆盖电子元件的保护膜的形成方法及有保护膜的电子仪器
CN102071405A (zh) * 2010-12-03 2011-05-25 湖南大学 一种多晶硅薄膜制备方法
CN102903728A (zh) * 2011-07-29 2013-01-30 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器及其制造方法
CN103000755A (zh) * 2011-09-07 2013-03-27 气体产品与化学公司 用于光伏钝化的前体
CN104271797A (zh) * 2012-03-09 2015-01-07 气体产品与化学公司 显示器件的阻隔材料
CN103864008A (zh) * 2014-03-10 2014-06-18 中国电子科技集团公司第五十五研究所 采用硅片作为掩膜版控制薄膜沉积形貌的工艺方法
CN107611285A (zh) * 2016-07-12 2018-01-19 圆益Ips股份有限公司 基板处理系统以及基板处理方法
CN106567052A (zh) * 2016-10-24 2017-04-19 武汉华星光电技术有限公司 掩膜板及oled器件的封装方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018209940A1 (zh) * 2017-05-15 2018-11-22 京东方科技集团股份有限公司 薄膜制造设备和方法
CN109515020A (zh) * 2017-09-18 2019-03-26 云谷（固安）科技有限公司 喷墨打印方法
CN108448008A (zh) * 2018-04-12 2018-08-24 上海瀚莅电子科技有限公司 Oled薄膜封装工艺及oled薄膜封装系统

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