CN104503176A - 阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents
阵列基板、显示面板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104503176A CN104503176A CN201410828139.5A CN201410828139A CN104503176A CN 104503176 A CN104503176 A CN 104503176A CN 201410828139 A CN201410828139 A CN 201410828139A CN 104503176 A CN104503176 A CN 104503176A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- redundant
- repair
- line
- array substrate
- lines
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims abstract description 129
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
- G02F1/1309—Repairing; Testing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
- G02F1/136263—Line defects
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
- G02F1/136272—Auxiliary lines
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本发明提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的阵列基板由于数据线和修复线之间产生ESD将数据线和修复线短接拉低数据线电压的问题。本发明的阵列基板,其包括多条信号线,以及在阵列基板周边区域与信号线交叉且绝缘设置的至少一条修复线和冗余修复线,且所述冗余修复线与所述修复线绝缘设置;其中,所述冗余修复线包括至少一个冗余修复部,每个所述冗余修复部的电阻小于每条所述修复线的电阻。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
在薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay,简称TFT-LCD)制造过程中,小尺寸产品在液晶盒检测(Cell Test)过程中通常采用短路条(Shorting Bar)检测方式。如图1所示,阵列基板上形成有公共电极线4和分别于红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素对应的三条短路条(即,红色数据信号短路条1、绿色数据信号短路条2、蓝色数据信号短路条3);其中,每条短路条连接与其对应的子像素(红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素)所连接的数据线5、6、7。通过分别给短路条施加电压,可以检测与短路条连接的数据线是是否存在破损。
为了避免数据线破损而导致显示面板报废,故在阵列基板的周边区域上还形成有与数据线交叉设置的修复线8,但是在数据线上施加有数据电压时,很容易在修复线8与数据线交叉的位置(图1中的9代表发生ESD的位置)产生静电释放(Electro-Staticdischarge,简称ESD),从而导致数据线被击穿与修复线8短路,进而导致数据线上的数据电压被拉低(数据线上的电压通常为正,而修复线8电压为零,即无电压)。然而在通过短路条检测方式检测显示面板上的数据线时,此时与修复线8短路的数据线同时还是与其他数据线连接的,故修复线8将这些数据线上的电压拉低较少部分,也就是说与修复线8短路的数据线相对于为短路的数据线被拉低的电压差异很小,从而被短路的数据线与其他数据线驱动的像素电极的电压差距很小,液晶偏转的差异不明显,显示的颜色的差异也不明显,因此这种短路不良是不容易检测出来的。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题:模组(Module)阶段时为全接触(Full Contact)检测方式,该数据线不与其他数据线连接,修复线8可以拉低这条数据线的电压,电压会导致液晶偏转的不同于正常的区域,检测表现为两线。此时检测出来该数据线存在问题,若问题严重的将导致整个面板报废,不严重也将会增加额外修复流程。
发明内容
本发明所要解决的技术问题包括,针对现有的阵列基板存在上述的问题,提供一种可以避免在由于数据线和修复线之间产生ESD将数据线和修复线短接拉低数据线电压的阵列基板、显示面板及显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板,其包括多条信号线,以及在阵列基板周边区域与信号线交叉且绝缘设置的至少一条修复线和至少一条冗余修复线,且所述冗余修复线与所述修复线绝缘设置;其中,
所述冗余修复线包括至少一个冗余修复部,每个所述冗余修复部的电阻小于每条所述修复线的电阻。
本发明的阵列基板由于增加了冗余修复线,该冗余修复线包括至少一个冗余修复部,单位长度的冗余修复部的电阻大于单位长度的修复线的电阻,此时假设ESD发生的区域位于冗余修复部和修复线所在的区域,由于此处的冗余修复部的电阻大于修复线该位置处的电阻,因此ESD将发生在数据线与冗余修复部的交叉位置,是两者交叉位置处的绝缘层被击穿,从而使得冗余修复部与数据线短接,将静电释放,以避免在数据线与修复线之间产生ESD,同时由于所述冗余修复部的电阻小于每条所述修复线的电阻,所以较修复线而言冗余修复部拉低数据线上的电压程度大大较小,从而使得在后续模组(Module)阶段检测时不会影响显示效果,进而使得阵列基板的良品率大大提高。
优选的是,所述冗余修复线包括:断开设置且贯穿全部所述信号线的多个冗余修复部,任意两相邻的冗余修复部的断开位置设于两条相邻的信号线之间。
进一步优选的是,所述阵列基板包括两条冗余修复线,所有所述修复线设于所述两条所述冗余修复线之间。
更进一步优选的是,所述阵列基板还包括两条与所述修复线交叉且绝缘设置的冗余信号线,两条所述冗余信号线和两条冗余修复线将所述修复线与所述信号线的交叉位置包围。
更进一步优选的是,所述冗余信号线与所述信号线同层且绝缘设置。
优选的是,所述修复线与所述冗余修复线同层设置。
优选的是,所述信号线包括数据线和/或栅线。
优选地是,每个所述冗余修复部的两端均悬空。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示面板,其包括上述阵列基板。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置,其包括上述显示面板。
附图说明
图1为现有的阵列基板的周边区域以及在进行Shorting bar检测的示意图;
图2为本发明的实施例1的阵列基板的周边区域以及在进行Shorting bar检测的示意图。
其中附图标记为:1、红色数据信号短路条;2、绿色数据信号短路条;3、蓝色数据信号短路条;4、公共电极线;5、与红色子像素连接的数据线;6、与绿色子像素连接的数据线;7、与蓝色子像素连接的数据线;8、修复线;9、发生ESD的位置;10、冗余修复线;11、冗余修复部;12、冗余信号线。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1:
结合图2所示,本实施例提供一种阵列基板,其包括多条信号线,以及在阵列基板周边区域与信号线交叉且绝缘设置的至少一条修复线8和至少一条冗余修复线10,且所述冗余修复线10与所述修复线8绝缘设置;其中,所述冗余修复线10包括至少一个冗余修复部11,单位长度的冗余修复部11的电阻大于单位长度的修复线8的电阻。
本领域技术人员可以理解的是,阵列基板通常包括设置个子像素的显示区域,以及将显示区域包围的周边区域,在阵列基板的制备工艺中,由于工艺原因(例如成膜,特别是在将母板切割成多个基板时,在各基板的周边区域用于产生静电)很容易在信号线与修复线之间产生电荷的堆积,并且电荷堆积到一定程度,就会导致静电释放(ESD),从而导致修复线8与信号线之间的绝缘层被击穿,导致修复线8与信号线短接,且该种不良在Shorting bar不良检测检测不出来,进而导致在后续的模组(Module)阶段检测时,修复线8拉低与其短接的信号线的电压,导致与该信号线对应的像素单元显示不良。而在本实施例中,由于增加了冗余修复线10,该冗余修复线10包括至少一个冗余修复部11,每个冗余修复部11的电阻大于所述修复线8的电阻,此时假设ESD发生的区域位于冗余修复部11和修复线所在的区域,由于该区域的冗余修复部11的电阻大于修复线8该位置处的电阻,因此ESD将发生在信号线与冗余修复部11的交叉位置(图2中的9代表发生ESD的位置),是两者交叉位置处的绝缘层被击穿,从而使得冗余修复部11与数据线短接,将静电释放,以避免在信号线与修复线8之间产生ESD,同时由于所述冗余修复部11的电阻小于每条所述修复线8的电阻,所以较修复线8而言冗余修复部11拉低信号线上的电压程度大大较小,从而使得在后续模组(Module)阶段检测时不会影响显示效果,进而使得阵列基板的良品率大大提高。
需要说明的是,图2中所示,与红色子像素连接数据线5、与绿色子像素连接数据线6、与蓝色子像素连接数据线7也就是上述内容中的信号线,但图2中所示的数据线并不对本实施例中的信号线构成限制,本实施例中信号线也可以是栅线等其他连接线。而且图2中冗余修复线的延伸方向是与修复线8的方向相同的,应当理解的是,该种设置方式可以使得布线简单,制备方便,当然同样理解的是,冗余修复线的延伸方向(各个冗余修复部8相连的延伸方向)也可以不与修复线8的延伸方向一致,可以是一条斜向,只要保证每个冗余修复部8与信号交叉绝缘设置即可。同时,在本实施例中,冗余修复线的宽度可设置为比修复线8细,由于冗余修复线的宽度较窄,因此不会占用阵列基板上较多的空间,而且冗余修复线也可以与修复线的材料不同的,只要保证每个冗余修复部11的电阻小于修复线8的电阻即可。
优选地,在本实施例中的冗余修复部11的两端均为悬空。此时可以避免在发生ESD后,当冗余修复部11和修复线8短接在一起,冗余修复部拉低信号线上的电压。当然,也可以在冗余修复部11上施加与信号线上相同或相近的电压,同样可以避免拉低信号线上的电压。
优选的,本实施例的冗余修复线10包括:断开设置且贯穿全部所述信号线的多个冗余修复部11,任意两相邻的冗余修复部11的断开位置设于两条相邻的信号线之间。之所以如此设置是因为,ESD发生的位置9是随机的,具有不确定性,此时可以更好的避免在修复线8与信号线之间产生ESD,击穿两者之间的绝缘层,导致两者短接的现象。
进一步优选的,所述阵列基板包括两条冗余修复线10,所有所述修复线8设于所述两条所述冗余修复线10之间。也就说将信号线与修复线8交叉位置全部夹设在两条冗余修复线10之间,此时可以更好的避免在修复线8与信号之间产生ESD,将发生ESD的位置全部转移至冗余修复线10与信号线之间,该种设置方式布线简单同时还可以节约成本。
更进一步优选的,所述阵列基板还包括两条与所述修复线8交叉且绝缘设置的冗余信号线12,两条所述冗余信号线12和两条冗余修复线10将所述修复线8与所述信号线的交叉位置包围。也就是此时冗余修复线10和冗余信号线12围起来的图形类似矩形,因此可以很好的将信号线与修复线8交叉位置全部包围起来,尽可能的避免修复线8与信号之间产生ESD。其中,所述冗余信号线12与所述信号线同层且绝缘设置,因此可以较少构图工艺的次数,以节约成本。当然,所述冗余信号线12与所述信号线也可以不设于同一层,只是多一次构图工艺而已。
优选的,所述修复线8与所述冗余修复线10同层设置。此时可以减少工艺次数,节约成本。当然所述修复线8与所述冗余修复线10也可以是不设于同一层的,不过要多一次构图工艺。
优选的,在本实施例中,信号线为数据线和/或栅线。可以理解的是,当信号线为数据线时,冗余信号线12则是冗余数据线,当信号线为栅线时,冗余信号线12则是冗余栅线,当信号线为数据线和栅线时,此时冗余信号线12则包括冗余数据线和冗余栅线。
需要说明的是,图2中仅仅是示意图数据线在进行Shortingbar不良检测时的示意图,其中,阵列基板上形成有公共电极线4和分别于红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素对应的三条短路条(即,红色数据信号短路条1、绿色数据信号短路条2、蓝色数据信号短路条3);其中,每条短路条连接与其对应的子像素(红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素)所连接的数据线5、6、7。通过分别给短路条施加电压,可以检测与短路条连接的数据线是是否存在破损。可以理解的是,该shorting bar不良检测同样可以用于栅线的检测,原理与数据线的检测原理大致相同,在此不一一描述。
相应的本实施例提供了一种显示面板,其包括上述阵列基板,故该显示面板的良品率高。
相应的本实施例还提供一种显示装置,其包括上述显示面板,因此本实施例的显示装置的良品率进一步提高。
该显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。当然,本实施例的显示装置中还可以包括其他常规结构,如显示驱动单元等。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板,其包括多条信号线,以及在阵列基板周边区域与信号线交叉且绝缘设置的至少一条修复线,其特征在于,所述阵列基板的周边区域还设置有至少一条与所述信号线交叉且绝缘设置的冗余修复线,且所述冗余修复线与所述修复线绝缘设置;其中,
所述冗余修复线包括至少一个冗余修复部,每个所述冗余修复部的电阻小于每条所述修复线的电阻。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述冗余修复线包括:断开设置且贯穿全部所述信号线的多个冗余修复部,任意两相邻的冗余修复部的断开位置设于两条相邻的信号线之间。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括两条冗余修复线,所有所述修复线设于所述两条所述冗余修复线之间。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括两条与所述修复线交叉且绝缘设置的冗余信号线,两条所述冗余信号线和两条冗余修复线将所述修复线与所述信号线的交叉位置包围。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述冗余信号线与所述信号线同层且绝缘设置。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述修复线与所述冗余修复线同层设置。
7.根据权利要求1-5中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述信号线包括数据线和/或栅线。
8.根据权利要求1-5中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,每个所述冗余修复部的两端均悬空。
9.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括权利要求1至8中任意一项所述的阵列基板。
10.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求9所述的显示面板。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410828139.5A CN104503176B (zh) | 2014-12-25 | 2014-12-25 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
US14/744,431 US9470943B2 (en) | 2014-12-25 | 2015-06-19 | Array substrate, display panel and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410828139.5A CN104503176B (zh) | 2014-12-25 | 2014-12-25 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104503176A true CN104503176A (zh) | 2015-04-08 |
CN104503176B CN104503176B (zh) | 2017-03-22 |
Family
ID=52944581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410828139.5A Active CN104503176B (zh) | 2014-12-25 | 2014-12-25 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9470943B2 (zh) |
CN (1) | CN104503176B (zh) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104880881A (zh) * | 2015-06-25 | 2015-09-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其修复方法、显示面板和显示装置 |
CN105590573A (zh) * | 2016-03-24 | 2016-05-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Amoled显示面板线缺陷的修复结构及修复方法 |
CN105892184A (zh) * | 2016-06-12 | 2016-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板中短路缺陷的修复方法及系统 |
CN107731791A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-02-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种提高跨线区静电击伤修复良率的结构 |
CN107909954A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-04-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种显示面板的修复方法及装置 |
CN108538863A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-09-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其修复方法、显示装置 |
CN108873529A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其修复方法、显示面板 |
CN109164613A (zh) * | 2018-10-24 | 2019-01-08 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种阵列基板及其维修方法、显示面板和显示装置 |
CN109188743A (zh) * | 2018-11-14 | 2019-01-11 | 惠科股份有限公司 | 显示面板的制作方法及显示装置 |
CN111240114A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-06-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及液晶显示面板 |
CN111338132A (zh) * | 2019-09-25 | 2020-06-26 | 友达光电股份有限公司 | 像素阵列基板 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6331054B2 (ja) * | 2014-10-15 | 2018-05-30 | 株式会社Joled | 有機el表示パネルの製造方法、有機el表示パネル |
CN105185332B (zh) * | 2015-09-08 | 2018-01-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及其驱动电路、制造方法 |
CN205910472U (zh) * | 2016-08-22 | 2017-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
CN206470510U (zh) * | 2017-01-20 | 2017-09-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种信号线结构、阵列基板和显示装置 |
CN109192700A (zh) * | 2018-10-15 | 2019-01-11 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种tft阵列基板的断线修复方法 |
CN109461765B (zh) * | 2018-11-08 | 2020-12-15 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN111223459B (zh) | 2018-11-27 | 2022-03-08 | 元太科技工业股份有限公司 | 移位寄存器以及栅极驱动电路 |
US11526232B2 (en) * | 2021-03-26 | 2022-12-13 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display module and display device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6317176B1 (en) * | 1996-07-16 | 2001-11-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display having repair lines and methods of repairing the same |
CN101211026A (zh) * | 2006-12-27 | 2008-07-02 | 三星电子株式会社 | 显示器基板、包括该基板的液晶显示设备及其修补方法 |
US20100157190A1 (en) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device |
CN103676232A (zh) * | 2013-11-25 | 2014-03-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 走线结构及该走线结构的断路修复方法、液晶面板 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102132458B1 (ko) * | 2013-08-21 | 2020-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
-
2014
- 2014-12-25 CN CN201410828139.5A patent/CN104503176B/zh active Active
-
2015
- 2015-06-19 US US14/744,431 patent/US9470943B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6317176B1 (en) * | 1996-07-16 | 2001-11-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display having repair lines and methods of repairing the same |
CN101211026A (zh) * | 2006-12-27 | 2008-07-02 | 三星电子株式会社 | 显示器基板、包括该基板的液晶显示设备及其修补方法 |
US20100157190A1 (en) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device |
CN103676232A (zh) * | 2013-11-25 | 2014-03-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 走线结构及该走线结构的断路修复方法、液晶面板 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10001684B2 (en) | 2015-06-25 | 2018-06-19 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, display panel and display device having the same, and method thereof |
CN104880881B (zh) * | 2015-06-25 | 2017-07-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其修复方法、显示面板和显示装置 |
CN104880881A (zh) * | 2015-06-25 | 2015-09-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其修复方法、显示面板和显示装置 |
CN105590573A (zh) * | 2016-03-24 | 2016-05-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Amoled显示面板线缺陷的修复结构及修复方法 |
WO2017161623A1 (zh) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Amoled显示面板线缺陷的修复结构及修复方法 |
CN105590573B (zh) * | 2016-03-24 | 2018-03-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Amoled显示面板线缺陷的修复结构及修复方法 |
CN105892184A (zh) * | 2016-06-12 | 2016-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板中短路缺陷的修复方法及系统 |
CN107731791B (zh) * | 2017-11-20 | 2020-07-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种提高跨线区静电击伤修复良率的结构 |
CN107731791A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-02-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种提高跨线区静电击伤修复良率的结构 |
CN107909954A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-04-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种显示面板的修复方法及装置 |
CN108538863A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-09-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其修复方法、显示装置 |
CN108538863B (zh) * | 2018-05-17 | 2021-09-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其修复方法、显示装置 |
CN108873529A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其修复方法、显示面板 |
CN108873529B (zh) * | 2018-07-27 | 2021-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其修复方法、显示面板 |
CN109164613A (zh) * | 2018-10-24 | 2019-01-08 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种阵列基板及其维修方法、显示面板和显示装置 |
CN109164613B (zh) * | 2018-10-24 | 2022-03-08 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种阵列基板及其维修方法、显示面板和显示装置 |
CN109188743A (zh) * | 2018-11-14 | 2019-01-11 | 惠科股份有限公司 | 显示面板的制作方法及显示装置 |
US11967259B2 (en) | 2018-11-14 | 2024-04-23 | HKC Corporation Limited | Method of manufacturing a display panel and method of detecting the display panel |
CN111338132A (zh) * | 2019-09-25 | 2020-06-26 | 友达光电股份有限公司 | 像素阵列基板 |
CN111240114A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-06-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及液晶显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160187750A1 (en) | 2016-06-30 |
US9470943B2 (en) | 2016-10-18 |
CN104503176B (zh) | 2017-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104503176B (zh) | 阵列基板、显示面板及显示装置 | |
CN104407481B (zh) | 阵列基板、信号线不良的检测方法、显示面板及显示装置 | |
CN103163668B (zh) | 液晶显示装置的检测装置 | |
CN103454819B (zh) | 用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法 | |
CN102566167B (zh) | 一种阵列基板 | |
US9488881B2 (en) | Array substrate and display device | |
CN108803177A (zh) | 阵列基板、显示面板及其检测方法 | |
CN102099847A (zh) | 有源矩阵基板、显示装置、有源矩阵基板的检查方法和显示装置的检查方法 | |
KR20070119344A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 | |
CN107505789B (zh) | 阵列基板及显示面板 | |
US10475398B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
US10269788B2 (en) | Array panel with ESD protection circuit | |
CN103208264A (zh) | 一种用于阵列基板行驱动线路的测试方法 | |
CN109377874A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
CN110416270B (zh) | Oled显示面板及其检测方法、显示装置 | |
US20180294291A1 (en) | Display panel, display apparatus, and method of repairing a signal line thereof | |
KR20140019042A (ko) | 구동회로, 그를 구비하는 평판표시장치 및 구동회로의 리페어 방법 | |
CN104749844A (zh) | 静电防护电路、阵列基板、显示面板和显示装置 | |
CN102213739A (zh) | 线路检测结构和线路检测方法 | |
KR101842537B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 어레이 기판 | |
US20160349585A1 (en) | Thin film transistor array substrate and liquid crystal display panel | |
CN109100896A (zh) | 阵列基板、显示面板及其显示面板的垂直淡线修复方法 | |
CN101846828B (zh) | 主动组件阵列基板与液晶显示面板 | |
CN107093391B (zh) | 液晶显示面板的检测电路结构与液晶显示面板 | |
CN201740952U (zh) | 画素阵列基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |