CN104216568A - 一种改进的g1f结构的触摸屏的制作工艺 - Google Patents

Abstract

本发明涉及触摸屏技术领域，具体涉及一种改进的G1F结构的触摸屏的制作工艺，本发明在采用“整体印刷导电银浆，对导电银浆进行激光蚀刻以形成银浆搭桥线路”的方式和“直接丝印导电银浆以形成银浆搭桥线路”的方式相结合，在有效防止银浆搭桥线路加工难易断裂的问题的基础上，又从蚀刻方式的分阶段、蚀刻液的选择、耐酸油墨的选择、导电银浆的选择几个方面进行控制，使得本发明的产品良率高而且性能较同类产品也有较大提高。

Description

一种改进的G1F结构的触摸屏的制作工艺

技术领域

本发明涉及触摸屏技术领域，具体涉及一种改进的G1F结构的触摸屏的制作工艺。

背景技术

触摸屏是一种显著改善人机操作界面的输入设备，具有直观、简单、快捷的优点。触摸屏在许多电子产品中已经获得了广泛的应用，比如手机、PDA、多媒体、公共信息查询系统等。

传统触控技术采用双层玻璃触摸屏，它不仅厚重，而且不能做成窄边框的触摸屏。 G1F结构的触摸屏是由ITO导电膜+钢化玻璃盖板组成， G1F结构的触摸屏由于仅有一层玻璃，而另外一层选用了ITO导电膜，使其成本、厚度、重量均得到了大幅度的改善，但其制作工艺中不可操控性因素多，但其制作工艺中不可操控性因素多，如蚀刻工艺环节中，一旦使用的蚀刻液或保护胶等使用不当，ITO走线就会出现问题，造成产品良率低、性能差。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种产品良率高、性能好的改进的G1F结构的触摸屏的制作工艺。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种改进的G1F结构的触摸屏的制作工艺，它包括以下工序：

 A、下线工序，它依次包括以下步骤： 

步骤A1、将导电薄膜烘烤，该导电薄膜包括基材层和设置于基材层正面的ITO层；

步骤A2、在导电薄膜边框区的ITO层上印刷耐酸油墨，对导电薄膜视窗区内的ITO层用第一蚀刻液进行第一次蚀刻，用第二蚀刻液进行第二次蚀刻，得到有ITO走线的导电薄膜，再用碱液去除耐酸油墨；

步骤A3、在导电薄膜基材层印刷保护胶以保护基材层不受污染和刮擦，然后在导电薄膜边框区的ITO层上整体印刷导电银浆，对导电银浆进行激光蚀刻以形成银浆搭桥线路；

步骤A4、将大张的导电薄膜进行裁切，得到薄膜sensor；

B、上线工序，它依次包括以下步骤：

步骤B1、在玻璃背面的边框区丝印油墨形成黑框区，继续在玻璃背面镀ITO层；

步骤B2、在玻璃正面印刷保护胶以保护玻璃正面不受污染和刮擦，在玻璃背面边框区的ITO层上印刷耐酸油墨，对玻璃背面视窗区内的ITO层用第一蚀刻液进行第一次蚀刻，用第二蚀刻液进行第二次蚀刻，得到有ITO走线的玻璃，再用碱液去除耐酸油墨；

步骤B3、在玻璃背面的边框区上丝印导电银浆以形成银浆搭桥线路；

步骤B4、将大张的玻璃进行裁切，得到玻璃sensor；

C、绑定工序，它依次包括以下步骤：

步骤C1、薄膜sensor和玻璃sensor测试合格后，在玻璃sensor有ITO走线的那一面贴合光学胶， 通过光学胶将薄膜sensor和玻璃sensor进行组合，然后脱泡;

步骤C2、将导电胶带ACF贴合到FPC柔性电路板上；

步骤C3、最后将FPC绑定于薄膜sensor和玻璃sensor上，得到改进的G1F结构的触摸屏。

优选的，步骤A2和步骤B2中，所述每升第一蚀刻液由以下原料组成：

盐酸         180-220 mL

磷酸二氢钠    5-20g

氢氟酸       70-90 mL

双氧水       40-50mL

氯代十六烷基吡啶  0.1-1 mL

余量为水。

优选的，步骤A2和步骤B2中，所述每升第二蚀刻液由以下原料组成：

盐酸    160-200 mL

硝酸    60-80 mL

草酸    180-200 mL

氯化铁  10-20g

烷基酚聚氧乙烯醚 10-20ml

余量为水。

本发明通过第一次蚀刻和第二次蚀刻的方式，有效的控制了蚀刻的速度，第一次蚀刻的蚀刻液中加入了缓蚀剂等成分可放慢缓蚀速度，进行初步的蚀刻，第二次蚀刻在第一次蚀刻的基础上进行，可使蚀刻更精准，使形成的蚀刻角度在40~60度之间，基本无侧蚀现象，这样大大提高了产品良率。

优选的，步骤A2和步骤B2中，所述耐酸油墨由以下重量份的原料组成：

环氧改性酚醛树脂      10-15份

乙二醇乙醚醋酸酯     20-30份

甲基丙烯酸甲酯       15-20份

三聚氰胺甲醛树脂     10-15份

氯化聚丙烯           3-6份

壬基酚聚氧乙烯醚      3-8 份

四氟乙烯粉末           5-8份。

上述几种不同树脂相互配合，取长补短，制得的耐酸油墨具有良好的韧性和耐酸性能，能保护触摸屏制作过程中蚀刻工艺的顺利进行蚀刻工艺完成后，容易剥离，不会有残留在材料表面或者污染材料。

优选的，步骤A2和步骤B2中，碱液采用质量百分比浓度为4-8%的氢氧化钠溶液。

优选的，步骤A2和步骤B2中，定期对第一蚀刻液和第二蚀刻液进行检测，用0.5mol/L 的NaOH溶液滴定，消耗该NaOH溶液<14-17ml时，须补加盐酸，控制pH值在3-5之间。

优选的，步骤A3和步骤B3中的导电银浆由以下重量百分比的原料组成： 

银粉末                 55-70 %

环氧树脂               5-15%     

聚酯树脂               5-15%

石墨粉末               0.1-1%    

二氧化硅粉末          1-2%

二乙二醇乙醚醋酸酯   5-15%

二乙二醇丁醚醋酸酯   5-15%，

其中，所述环氧树脂为PU改性环氧乙烯基酯树脂，

其中，所述聚酯树脂为丙烯酸型聚酯树脂。

其中，所述银粉末由质量比为1:20-1:30的微米银粉末和纳米银粉末组成，所述微米银粉末的粒径为10-20μm，所述纳米银粉末的粒径为60-90nm。

导电银浆中的PU改性环氧乙烯基酯树脂和丙烯酸型聚酯树脂能充分溶解于二乙二醇丁醚醋酸酯和二乙二醇丁醚醋酸酯的溶剂体系中，形成有机载体，具有导电性能的银粉末、石墨粉末加入后可以得到很好的分散，提高导电银浆的导电性，PU改性环氧乙烯基酯树脂、丙烯酸型聚酯树脂、二氧化硅粉末的采用还使得导电银浆烧结后的浆料强度高、与基材层的附着力好，可以满足触摸屏线路用的导电浆料的线宽越来越细的要求。

优选的，所述银粉末由质量比为1:20-1:30的微米银粉末和纳米银粉末组成，所述微米银粉末的粒径为10-20μm，所述纳米银粉末的粒径为60-90nm。在此粒径和配比范围内的微米银粉末和纳米银粉末能更好地配合，既可利用纳米银粉末的小质量和高表面能，使得纳米银粉末附着在微米银粉末表面，形成核\壳层的复合结构，又使得在后续的混合过程中，纳米银粉末附着在微米银粉末的表面随着微米银粉末一起运动，有效避免了纳米银粉末的团聚现象；另外由于纳米银粉末具有高的表面能，它与环氧树脂和聚酯树脂中的高分子链的结合更加紧密，因此微米银粉末可以通过附着在其表面的纳米银粉末与环氧树脂和聚酯树脂中的高分子链的结合，没有附着在微米银粉末表面的纳米银粉末将填充到环氧树脂和聚酯树脂的各种间隙，最终所有微米银粉末和纳米银粉末都得到均匀分散，提高了本发明的导电性。

优选的，步骤A1和步骤B1中导电薄膜的烘烤温度为135-145℃，烘烤时间为55-65min，基材层为PET基材层。

优选的，步骤A4中将大张的导电薄膜进行裁切前，覆上一层PE保护膜，在步骤C1进行组合时撕去；步骤B4中将大张的导电薄膜进行裁切前，覆上一层PE保护膜，在步骤C1进行组合时撕去。

本发明与现有技术相比较，有益效果在于：本发明在采用“整体印刷导电银浆，对导电银浆进行激光蚀刻以形成银浆搭桥线路”的方式和“直接丝印导电银浆以形成银浆搭桥线路”的方式相结合，在有效防止银浆搭桥线路加工难易断裂的问题的基础上，又从蚀刻方式的分阶段、蚀刻液的选择、耐酸油墨的选择、导电银浆的选择几个方面进行控制，使得本发明的产品良率高而且性能较同类产品也有较大提高。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步的说明。

实施例1。

一种改进的G1F结构的触摸屏的制作工艺，它包括以下工序：

 A、下线工序，它依次包括以下步骤： 

步骤A1、将导电薄膜烘烤，该导电薄膜包括基材层和设置于基材层正面的ITO层；

步骤A2、在导电薄膜边框区的ITO层上印刷耐酸油墨，对导电薄膜视窗区内的ITO层用第一蚀刻液进行第一次蚀刻，用第二蚀刻液进行第二次蚀刻，得到有ITO走线的导电薄膜，再用碱液去除耐酸油墨；

步骤A3、在导电薄膜基材层印刷保护胶以保护基材层不受污染和刮擦，然后在导电薄膜边框区的ITO层上整体印刷导电银浆，对导电银浆进行激光蚀刻以形成银浆搭桥线路；

步骤A4、将大张的导电薄膜进行裁切，得到薄膜sensor；

B、上线工序，它依次包括以下步骤：

步骤B1、在玻璃背面的边框区丝印油墨形成黑框区，继续在玻璃背面镀ITO层；

步骤B2、在玻璃正面印刷保护胶以保护玻璃正面不受污染和刮擦，在玻璃背面边框区的ITO层上印刷耐酸油墨，对玻璃背面视窗区内的ITO层用第一蚀刻液进行第一次蚀刻，用第二蚀刻液进行第二次蚀刻，得到有ITO走线的玻璃，再用碱液去除耐酸油墨；

步骤B3、在玻璃背面的边框区上丝印导电银浆以形成银浆搭桥线路；

步骤B4、将大张的玻璃进行裁切，得到玻璃sensor；

C、绑定工序，它依次包括以下步骤：

步骤C1、薄膜sensor和玻璃sensor测试合格后，在玻璃sensor有ITO走线的那一面贴合光学胶， 通过光学胶将薄膜sensor和玻璃sensor进行组合，然后脱泡;

步骤C2、将导电胶带ACF贴合到FPC柔性电路板上；

步骤C3、最后将FPC绑定于薄膜sensor和玻璃sensor上，得到改进的G1F结构的触摸屏。

步骤A2和步骤B2中，所述每升第一蚀刻液由以下原料组成：

盐酸         180 mL

磷酸二氢钠    5g

氢氟酸       90 mL

双氧水       50mL

氯代十六烷基吡啶  1 mL

余量为水。

步骤A2和步骤B2中，所述每升第二蚀刻液由以下原料组成：

盐酸    160mL

硝酸    60mL

草酸    180mL

氯化铁  10g

烷基酚聚氧乙烯醚 20ml

余量为水。

步骤A2和步骤B2中，所述耐酸油墨由以下重量份的原料组成：

环氧改性酚醛树脂      10份

乙二醇乙醚醋酸酯     30份

甲基丙烯酸甲酯       15份

三聚氰胺甲醛树脂    15份

氯化聚丙烯           3份

壬基酚聚氧乙烯醚      8 份

四氟乙烯粉末           8份。

步骤A2和步骤B2中，碱液采用质量百分比浓度为4%的氢氧化钠溶液。

步骤A2和步骤B2中，定期对第一蚀刻液和第二蚀刻液进行检测，用0.5mol/L 的NaOH溶液滴定，消耗该NaOH溶液<14ml时，须补加盐酸，控制pH值在3-5之间。

其中，步骤A3和步骤B3中的导电银浆由以下重量百分比的原料组成： 

银粉末                 55%

环氧树脂               10%   

聚酯树脂               5%

石墨粉末               1%     

二氧化硅粉末          2%

二乙二醇乙醚醋酸酯   15%

二乙二醇丁醚醋酸酯   12%，

其中，所述环氧树脂为PU改性环氧乙烯基酯树脂，

其中，所述聚酯树脂为丙烯酸型聚酯树脂，

其中，所述银粉末由质量比为1:20的微米银粉末和纳米银粉末组成，所述微米银粉末的粒径为10μm，所述纳米银粉末的粒径为60nm。

步骤A1和步骤B1中导电薄膜的烘烤温度为135℃，烘烤时间为55min，基材层为PET基材层。

步骤A4中将大张的导电薄膜进行裁切前，覆上一层PE保护膜，在步骤C1进行组合时撕去；步骤B4中将大张的导电薄膜进行裁切前，覆上一层PE保护膜，在步骤C1进行组合时撕去。

实施例2。

一种改进的G1F结构的触摸屏的制作工艺，它包括以下工序：

 A、下线工序，它依次包括以下步骤： 

步骤A1、将导电薄膜烘烤，该导电薄膜包括基材层和设置于基材层正面的ITO层；

步骤A2、在导电薄膜边框区的ITO层上印刷耐酸油墨，对导电薄膜视窗区内的ITO层用第一蚀刻液进行第一次蚀刻，用第二蚀刻液进行第二次蚀刻，得到有ITO走线的导电薄膜，再用碱液去除耐酸油墨；

步骤A3、在导电薄膜基材层印刷保护胶以保护基材层不受污染和刮擦，然后在导电薄膜边框区的ITO层上整体印刷导电银浆，对导电银浆进行激光蚀刻以形成银浆搭桥线路；

步骤A4、将大张的导电薄膜进行裁切，得到薄膜sensor；

B、上线工序，它依次包括以下步骤：

步骤B1、在玻璃背面的边框区丝印油墨形成黑框区，继续在玻璃背面镀ITO层；

步骤B2、在玻璃正面印刷保护胶以保护玻璃正面不受污染和刮擦，在玻璃背面边框区的ITO层上印刷耐酸油墨，对玻璃背面视窗区内的ITO层用第一蚀刻液进行第一次蚀刻，用第二蚀刻液进行第二次蚀刻，得到有ITO走线的玻璃，再用碱液去除耐酸油墨；

步骤B3、在玻璃背面的边框区上丝印导电银浆以形成银浆搭桥线路；

步骤B4、将大张的玻璃进行裁切，得到玻璃sensor；

C、绑定工序，它依次包括以下步骤：

步骤C1、薄膜sensor和玻璃sensor测试合格后，在玻璃sensor有ITO走线的那一面贴合光学胶， 通过光学胶将薄膜sensor和玻璃sensor进行组合，然后脱泡;

步骤C2、将导电胶带ACF贴合到FPC柔性电路板上；

步骤C3、最后将FPC绑定于薄膜sensor和玻璃sensor上，得到改进的G1F结构的触摸屏。

步骤A2和步骤B2中，所述每升第一蚀刻液由以下原料组成：

盐酸         200 mL

磷酸二氢钠    10g

氢氟酸       80 mL

双氧水       45mL

氯代十六烷基吡啶  0.5mL

余量为水。

步骤A2和步骤B2中，所述每升第二蚀刻液由以下原料组成：

盐酸    170 mL

硝酸    70 mL

草酸    190 mL

氯化铁  15g

烷基酚聚氧乙烯醚 15ml

余量为水。

步骤A2和步骤B2中，所述耐酸油墨由以下重量份的原料组成：

环氧改性酚醛树脂      13份

乙二醇乙醚醋酸酯     24份

甲基丙烯酸甲酯       18份

三聚氰胺甲醛树脂     13份

氯化聚丙烯           5份

壬基酚聚氧乙烯醚      4 份

四氟乙烯粉末           7份。

步骤A2和步骤B2中，碱液采用质量百分比浓度为6%的氢氧化钠溶液。

步骤A2和步骤B2中，定期对第一蚀刻液和第二蚀刻液进行检测，用0.5mol/L 的NaOH溶液滴定，消耗该NaOH溶液<16ml时，须补加盐酸，控制pH值在3-5之间。

其中，步骤A3和步骤B3中的导电银浆由以下重量百分比的原料组成： 

银粉末                 70%

环氧树脂               5%     

聚酯树脂               5%

石墨粉末               0.5%  

二氧化硅粉末          1.5%

二乙二醇乙醚醋酸酯   10%

二乙二醇丁醚醋酸酯   8%，

其中，所述环氧树脂为PU改性环氧乙烯基酯树脂，

其中，所述聚酯树脂为丙烯酸型聚酯树脂，

其中，所述银粉末由质量比为1:25的微米银粉末和纳米银粉末组成，所述微米银粉末的粒径为15μm，所述纳米银粉末的粒径为75nm。

步骤A1和步骤B1中导电薄膜的烘烤温度为135-145℃，烘烤时间为55-65min，基材层为PET基材层。

步骤A4中将大张的导电薄膜进行裁切前，覆上一层PE保护膜，在步骤C1进行组合时撕去；步骤B4中将大张的导电薄膜进行裁切前，覆上一层PE保护膜，在步骤C1进行组合时撕去。

实施例3。

一种改进的G1F结构的触摸屏的制作工艺，它包括以下工序：

 A、下线工序，它依次包括以下步骤： 

步骤A1、将导电薄膜烘烤，该导电薄膜包括基材层和设置于基材层正面的ITO层；

步骤A2、在导电薄膜边框区的ITO层上印刷耐酸油墨，对导电薄膜视窗区内的ITO层用第一蚀刻液进行第一次蚀刻，用第二蚀刻液进行第二次蚀刻，得到有ITO走线的导电薄膜，再用碱液去除耐酸油墨；

步骤A3、在导电薄膜基材层印刷保护胶以保护基材层不受污染和刮擦，然后在导电薄膜边框区的ITO层上整体印刷导电银浆，对导电银浆进行激光蚀刻以形成银浆搭桥线路；

步骤A4、将大张的导电薄膜进行裁切，得到薄膜sensor；

B、上线工序，它依次包括以下步骤：

步骤B1、在玻璃背面的边框区丝印油墨形成黑框区，继续在玻璃背面镀ITO层；

步骤B2、在玻璃正面印刷保护胶以保护玻璃正面不受污染和刮擦，在玻璃背面边框区的ITO层上印刷耐酸油墨，对玻璃背面视窗区内的ITO层用第一蚀刻液进行第一次蚀刻，用第二蚀刻液进行第二次蚀刻，得到有ITO走线的玻璃，再用碱液去除耐酸油墨；

步骤B3、在玻璃背面的边框区上丝印导电银浆以形成银浆搭桥线路；

步骤B4、将大张的玻璃进行裁切，得到玻璃sensor；

C、绑定工序，它依次包括以下步骤：

步骤C1、薄膜sensor和玻璃sensor测试合格后，在玻璃sensor有ITO走线的那一面贴合光学胶， 通过光学胶将薄膜sensor和玻璃sensor进行组合，然后脱泡;

步骤C2、将导电胶带ACF贴合到FPC柔性电路板上；

步骤C3、最后将FPC绑定于薄膜sensor和玻璃sensor上，得到改进的G1F结构的触摸屏。

步骤A2和步骤B2中，所述每升第一蚀刻液由以下原料组成：

盐酸         210 mL

磷酸二氢钠    13g

氢氟酸       85 mL

双氧水       48mL

氯代十六烷基吡啶  0.8mL

余量为水。

步骤A2和步骤B2中，所述每升第二蚀刻液由以下原料组成：

盐酸    190 mL

硝酸    75mL

草酸    190 mL

氯化铁  12g

烷基酚聚氧乙烯醚 13ml

余量为水。

步骤A2和步骤B2中，所述耐酸油墨由以下重量份的原料组成：

环氧改性酚醛树脂      13份

乙二醇乙醚醋酸酯    28份

甲基丙烯酸甲酯       17份

三聚氰胺甲醛树脂     13份

氯化聚丙烯          5份

壬基酚聚氧乙烯醚     6 份

四氟乙烯粉末        6份。

步骤A2和步骤B2中，碱液采用质量百分比浓度为7%的氢氧化钠溶液。

步骤A2和步骤B2中，定期对第一蚀刻液和第二蚀刻液进行检测，用0.5mol/L 的NaOH溶液滴定，消耗该NaOH溶液<15ml时，须补加盐酸，控制pH值在3-5之间。

步骤A3和步骤B3中的导电银浆由以下重量百分比的原料组成： 

银粉末                 60%

环氧树脂               8%     

聚酯树脂               8%

石墨粉末               0.1%  

二氧化硅粉末          1.9%

二乙二醇乙醚醋酸酯   11%

二乙二醇丁醚醋酸酯   11%，

其中，所述环氧树脂为PU改性环氧乙烯基酯树脂，

其中，所述聚酯树脂为丙烯酸型聚酯树脂，

其中，所述银粉末由质量比为1:27的微米银粉末和纳米银粉末组成，所述微米银粉末的粒径为16μm，所述纳米银粉末的粒径为75nm。

步骤A1和步骤B1中导电薄膜的烘烤温度为142℃，烘烤时间为58min，基材层为PET基材层。

步骤A4中将大张的导电薄膜进行裁切前，覆上一层PE保护膜，在步骤C1进行组合时撕去；步骤B4中将大张的导电薄膜进行裁切前，覆上一层PE保护膜，在步骤C1进行组合时撕去。

实施例4。

一种改进的G1F结构的触摸屏的制作工艺，它包括以下工序：

 A、下线工序，它依次包括以下步骤： 

步骤A1、将导电薄膜烘烤，该导电薄膜包括基材层和设置于基材层正面的ITO层；

步骤A2、在导电薄膜边框区的ITO层上印刷耐酸油墨，对导电薄膜视窗区内的ITO层用第一蚀刻液进行第一次蚀刻，用第二蚀刻液进行第二次蚀刻，得到有ITO走线的导电薄膜，再用碱液去除耐酸油墨；

步骤A3、在导电薄膜基材层印刷保护胶以保护基材层不受污染和刮擦，然后在导电薄膜边框区的ITO层上整体印刷导电银浆，对导电银浆进行激光蚀刻以形成银浆搭桥线路；

步骤A4、将大张的导电薄膜进行裁切，得到薄膜sensor；

B、上线工序，它依次包括以下步骤：

步骤B1、在玻璃背面的边框区丝印油墨形成黑框区，继续在玻璃背面镀ITO层；

步骤B2、在玻璃正面印刷保护胶以保护玻璃正面不受污染和刮擦，在玻璃背面边框区的ITO层上印刷耐酸油墨，对玻璃背面视窗区内的ITO层用第一蚀刻液进行第一次蚀刻，用第二蚀刻液进行第二次蚀刻，得到有ITO走线的玻璃，再用碱液去除耐酸油墨；

步骤B3、在玻璃背面的边框区上丝印导电银浆以形成银浆搭桥线路；

步骤B4、将大张的玻璃进行裁切，得到玻璃sensor；

C、绑定工序，它依次包括以下步骤：

步骤C1、薄膜sensor和玻璃sensor测试合格后，在玻璃sensor有ITO走线的那一面贴合光学胶， 通过光学胶将薄膜sensor和玻璃sensor进行组合，然后脱泡;

步骤C2、将导电胶带ACF贴合到FPC柔性电路板上；

步骤C3、最后将FPC绑定于薄膜sensor和玻璃sensor上，得到改进的G1F结构的触摸屏。

步骤A2和步骤B2中，所述每升第一蚀刻液由以下原料组成：

盐酸       220 mL

磷酸二氢钠    20g

氢氟酸       70 mL

双氧水       40mL

氯代十六烷基吡啶  0.1mL

余量为水。

步骤A2和步骤B2中，所述每升第二蚀刻液由以下原料组成：

盐酸    200 mL

硝酸    80 mL

草酸    180 mL

氯化铁  10g

烷基酚聚氧乙烯醚 20ml

余量为水。

步骤A2和步骤B2中，所述耐酸油墨由以下重量份的原料组成：

环氧改性酚醛树脂      15份

乙二醇乙醚醋酸酯    30份

甲基丙烯酸甲酯       20份

三聚氰胺甲醛树脂     15份

氯化聚丙烯           3份

壬基酚聚氧乙烯醚      8 份

四氟乙烯粉末           8份。

步骤A2和步骤B2中，碱液采用质量百分比浓度为8%的氢氧化钠溶液。

步骤A2和步骤B2中，定期对第一蚀刻液和第二蚀刻液进行检测，用0.5mol/L 的NaOH溶液滴定，消耗该NaOH溶液<17ml时，须补加盐酸，控制pH值在3-5之间。

其中，步骤A3和步骤B3中的导电银浆由以下重量百分比的原料组成： 

银粉末                 70%

环氧树脂               5%     

聚酯树脂               5%

石墨粉末               1%     

二氧化硅粉末          2%

二乙二醇乙醚醋酸酯   7%

二乙二醇丁醚醋酸酯   10%，

其中，所述环氧树脂为PU改性环氧乙烯基酯树脂，

其中，所述聚酯树脂为丙烯酸型聚酯树脂，

其中，所述银粉末由质量比为1:30的微米银粉末和纳米银粉末组成，所述微米银粉末的粒径为20μm，所述纳米银粉末的粒径为90nm。

步骤A1和步骤B1中导电薄膜的烘烤温度为145℃，烘烤时间为65min，基材层为PET基材层。

步骤A4中将大张的导电薄膜进行裁切前，覆上一层PE保护膜，在步骤C1进行组合时撕去；步骤B4中将大张的导电薄膜进行裁切前，覆上一层PE保护膜，在步骤C1进行组合时撕去。

上述实施例以触摸屏使用时所指的背面和正面为准。

实施例1-4制得的改进的G1F结构的触摸屏的性能测试见下表1。

。

通过上表可以看出本发明制得的改进的G1F结构的触摸屏产品良率高、透光率冷热冲击、高温高湿、高温存储性能良好，b值、雾度值低。

最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。 

Claims (9)

1.一种改进的G1F结构的触摸屏的制作工艺，其特征在于：它包括以下工序：

 A、下线工序，它依次包括以下步骤： 

步骤A1、将导电薄膜烘烤，该导电薄膜包括基材层和设置于基材层正面的ITO层；

步骤A2、在导电薄膜边框区的ITO层上印刷耐酸油墨，对导电薄膜视窗区内的ITO层用第一蚀刻液进行第一次蚀刻，用第二蚀刻液进行第二次蚀刻，得到有ITO走线的导电薄膜，再用碱液去除耐酸油墨；

步骤A3、在导电薄膜基材层印刷保护胶以保护基材层不受污染和刮擦，然后在导电薄膜边框区的ITO层上整体印刷导电银浆，对导电银浆进行激光蚀刻以形成银浆搭桥线路；

步骤A4、将大张的导电薄膜进行裁切，得到薄膜sensor；

B、上线工序，它依次包括以下步骤：

步骤B1、在玻璃背面的边框区丝印油墨形成黑框区，继续在玻璃背面镀ITO层；

步骤B2、在玻璃正面印刷保护胶以保护玻璃正面不受污染和刮擦，在玻璃背面边框区的ITO层上印刷耐酸油墨，对玻璃背面视窗区内的ITO层用第一蚀刻液进行第一次蚀刻，用第二蚀刻液进行第二次蚀刻，得到有ITO走线的玻璃，再用碱液去除耐酸油墨；

步骤B3、在玻璃背面的边框区上丝印导电银浆以形成银浆搭桥线路；

步骤B4、将大张的玻璃进行裁切，得到玻璃sensor；

C、绑定工序，它依次包括以下步骤：

步骤C1、薄膜sensor和玻璃sensor测试合格后，在玻璃sensor有ITO走线的那一面贴合光学胶， 通过光学胶将薄膜sensor和玻璃sensor进行组合，然后脱泡;

步骤C2、将导电胶带ACF贴合到FPC柔性电路板上；

步骤C3、最后将FPC绑定于薄膜sensor和玻璃sensor上，得到改进的G1F结构的触摸屏。

2.权利要求1所述的一种改进的G1F结构的触摸屏的制作工艺，其特征在于：步骤A2和步骤B2中，所述每升第一蚀刻液由以下原料组成：

盐酸         180-220 mL

磷酸二氢钠    5-20g

氢氟酸       70-90 mL

双氧水       40-50mL

氯代十六烷基吡啶  0.1-1 mL

余量为水。

3.权利要求1所述的一种改进的G1F结构的触摸屏的制作工艺，其特征在于：步骤A2和步骤B2中，所述每升第二蚀刻液由以下原料组成：

盐酸    160-200 mL

硝酸    60-80 mL

草酸    180-200 mL

氯化铁  10-20g

烷基酚聚氧乙烯醚 10-20ml

余量为水。

4.根据权利要求1所述的一种改进的G1F结构的触摸屏的制作工艺，其特征在于：步骤A2和步骤B2中，所述耐酸油墨由以下重量份的原料组成：

环氧改性酚醛树脂      10-15份

乙二醇乙醚醋酸酯     20-30份

甲基丙烯酸甲酯       15-20份

三聚氰胺甲醛树脂     10-15份

氯化聚丙烯           3-6份

壬基酚聚氧乙烯醚      3-8 份

四氟乙烯粉末           5-8份。

5.根据权利要求1所述的一种改进的G1F结构的触摸屏的制作工艺，其特征在于：步骤A2和步骤B2中，碱液采用质量百分比浓度为4-8%的氢氧化钠溶液。

6.根据权利要求1所述的一种改进的G1F结构的触摸屏的制作工艺，其特征在于：步骤A2和步骤B2中，定期对第一蚀刻液和第二蚀刻液进行检测，用0.5mol/L 的NaOH溶液滴定，消耗该NaOH溶液<14-17ml时，须补加盐酸，控制pH值在3-5之间。

7.根据权利要求1所述的一种改进的G1F结构的触摸屏的制作工艺，其特征在于：步骤A3和步骤B3中的导电银浆由以下重量百分比的原料组成： 

银粉末               55-70       %

环氧树脂               5-15%     

聚酯树脂               5-15%

石墨粉末               0.1-1%    

二氧化硅粉末           1-2%

二乙二醇乙醚醋酸酯   5-15%

二乙二醇丁醚醋酸酯   5-15%，

其中，所述环氧树脂为PU改性环氧乙烯基酯树脂，

其中，所述聚酯树脂为丙烯酸型聚酯树脂，

其中，所述银粉末由质量比为1:20-1:30的微米银粉末和纳米银粉末组成，所述微米银粉末的粒径为10-20μm，所述纳米银粉末的粒径为60-90nm。

8.根据权利要求1所述的一种改进的G1F结构的触摸屏的制作工艺，其特征在于：步骤A1和步骤B1中导电薄膜的烘烤温度为135-145℃，烘烤时间为55-65min，基材层为PET基材层。

9.根据权利要求1所述的一种改进的G1F结构的触摸屏的制作工艺，其特征在于：步骤A4中将大张的导电薄膜进行裁切前，覆上一层PE保护膜，在步骤C1进行组合时撕去；步骤B4中将大张的导电薄膜进行裁切前，覆上一层PE保护膜，在步骤C1进行组合时撕去。