CN104181741A - 一种显示装置、阵列基板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示装置、阵列基板及其制作方法。该阵列基板包括设置在衬底基板上的感光树脂层，所述感光树脂层上具有多个突起，在所述突起表面还具有漫反射层。本发明提供的显示装置、阵列基板及其制作方法，通过在感光树脂层上设置多个突起，结合漫反射层可形成良好的漫反射效果，提高半反半透屏的显示品质。

Description

一种显示装置、阵列基板及其制作方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示装置、阵列基板及其制作方法。

背景技术

随着TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)技术的不断发展，在产品工艺生产中，对其品质的管控提出了更高的要求。

近年来，半反半透屏产品越来越受到消费者的追捧，其主要特点是能够不受来外光源的影响，在强光环境下也能满足画面的正常显示，清晰地表达所需要的画面，从而实现在户外使用的目的，同时在户外使用时还可以降低背光亮度实现节省功耗的目的。

在半反半透屏产品设计中，需要将反射部分制作成凹凸不平的表面，以实现高的漫反射，以防止对外界光产生镜面反射。

现有技术中，半反半透屏的反射部分采用在阵列基板侧通过栅线、源漏电极、有源层等膜层进行叠加，形成不同高度的表面，最后在表面设置一层反射率比较高的Al膜层，这样可以在Al膜层的表面形成凹凸不平，以实现漫反射的目的。

但在实际生产中发现，采用膜层叠加的方式容易受到曝光机精度以及刻蚀精度的限制，要求每个膜层突起之间的距离至少要达到10um左右才可以实现，同时还需要保证不同层之间的位置精度，在目前工艺下，实现的漫反射效果较差。

发明内容

(一)所要解决的技术问题

本发明的目的在于提供一种显示装置、阵列基板及其制作方法，以解决现有的半反半透产品的漫反射效果较差、设计复杂、成本较高等缺陷。

(二)技术方案

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：本发明提供一种阵列基板，包括：设置在衬底基板上的感光树脂层，所述感光树脂层上具有多个突起，在所述突起表面还具有漫反射层。

优选地，所述漫反射层由反光金属制成。

优选地，所述阵列基板还包括源漏金属层和第一电极层，所述感光树脂层位于所述源漏金属层和第一电极层之间。

优选地，在所述第一电极层上方还包括绝缘层和第二电极层，所述第二电极层为狭缝状。

优选地，所述反光金属为铝。

优选地，所述突起呈波浪形均匀地设置在所述感光树脂层上。

另一方面，本发明还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

再一方面，本发明提供一种阵列基板的制作方法，包括：

步骤S1、形成感光树脂层，在所述感光树脂层上形成多个突起；

步骤S2、在所述突起上形成漫反射层。

优选地，所述步骤S1具体包括：

步骤S11、在基板上沉积感光树脂材料；

步骤S12、采用具有多个镂空图案的掩膜板对步骤S11中的基板进行曝光，最终使得在所述感光树脂层上形成多个突起结构。

优选地，所述镂空图案的尺寸小于曝光机的极限分辨率。

优选地，所述镂空图案的直径为2um，相邻两个镂空图案之间的间距为1um。

优选地，所述步骤S2具体包括：在突起结构上沉积反光金属层形成所述漫反射层。

(三)有益效果

本发明提供的显示装置、阵列基板及其制作方法，通过将感光树脂层设置多个突起，结合漫反射层可形成良好的漫反射效果，提高半反半透屏的显示品质。

附图说明

图1为本发明实施例中阵列基板结构示意图；

图2为本发明实施例中阵列基板的制作方法流程图；

图3为本发明实施例中具有镂空图案的掩膜板结构示意图；

图4为本发明实施例中阵列基板的制作步骤示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不是用来限制本发明的范围。

如图1所示，本发明实施例提供一种阵列基板，包括：设置在衬底基板上的感光树脂层1，所述感光树脂层上具有多个突起11，在所述突起表面还具有漫反射层2。其中，较优的，该漫反射层2由反光金属制成。

本实施例中，为了实现较好的光漫反射以及有效地控制成本，优选采用金属Al制作，当然，除了采用金属Al之外，还可以采用其他反光金属来制作漫反射层2。

优选地，该突起11呈波浪形均匀地分布在感光树脂层1上。在实际产生中，采用带有多个镂空图案的掩膜板对感光树脂进行曝光，在曝光过程中发生衍射曝光，在感光树脂层表面，形成透光量递变的波浪形突起。

其中，显示模式为TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)模式的显示装置所包含的阵列基板的具体结构包括：衬底基板，位于衬底基板上的栅极、栅绝缘层和有源层，该有源层上设有源漏金属层和第一电极层，该感光树脂层位于源漏金属层和第一电极层之间，该第一电极层通过设置在感光树脂层上的过孔与漏金属层连接。

另外，显示模式为ADS(高级超维场开关，Advanced SuperDimension Switch)模式的显示装置所包含的阵列基板的具体结构包括：衬底基板，位于衬底基板上的栅极、栅绝缘层和有源层，该有源层上设有源漏金属层和第一电极层，感光树脂层位于源漏金属层和第一电极层之间，该第一电极层通过设置在感光树脂层上的过孔与漏金属层连接；在该第一电极层上方设有绝缘层和第二电极层，所述第二电极层为狭缝状。

上述两种结构中，直接将阵列基板中的感光树脂层设置成具有多个突起，且在所述突起表面设置漫反射层，利用感光树脂突起结构和漫反射层可形成良好的漫反射效果，不仅能够提高半反半透屏的显示品质，并且缩短工艺周期，节省工艺成本。

在曝光过程中，掩膜板上带有镂空图形相互发生衍射，这样在感光树脂层表面可形成均匀的、透过率递变的波浪状，设置涂覆在其表面上的反光金属反射层同样为波浪状，进而形成良好的漫反射层，提高半反半透明屏的显示品质。

如图2和图4所示，本发明还提供一种阵列基板的制作方法，包括：

步骤S1、形成感光树脂层，在所述感光树脂层上形成多个突起；

具体的，该步骤包括：

步骤S11、在基板上沉积感光树脂材料；

步骤S12、采用具有多个镂空图案的掩膜板A对步骤S11中的基板进行曝光，最终使得在感光树脂层上呈现多个突起结构。

其中，为了使得各个突起能够发生衍射现象，设置镂空图案的尺寸小于曝光机的极限分辨率(目前普遍的产线曝光机精度为3.5-4um)。其中，在实际生产中，设置镂空图案的直径为2um，相邻两个镂空图案之间的间距为1um。参考图3。

步骤S2、在完成上述步骤的基础上形成漫反射层。

其中，步骤S2具体包括：在突起结构上沉积反光金属层形成漫反射层。本步骤中，采用沉积金属Al。

本实施例中设置掩膜板上镂空图案的尺寸小于曝光机的极限分辨率，所以在曝光过程中将发生衍射现象，在感光树脂的工艺中通过曝光量的管控，实现在树脂表面由于衍射形成的不同位置感光量不同，最终不同位置被曝光掉的光刻胶的胶厚度不同，形成一种凹凸不平的表面(具有突起)，在此表面上制作反光金属层，形成凹凸不平的反射层，实现了漫反射，其漫反射损失小，精细化程度高。

本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，在曝光过程中形成部分衍射曝光，在感光树脂层上形成表面凹凸不平的突起，结合漫反射层可形成良好的漫反射效果，提高半反半透屏的显示品质。

另一方面，本发明还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

该显示装置包括但不限于液晶显示器、液晶电视、液晶显示屏等设备，还可以为数码相框、电子纸、手机等需要显示模组的显示装置。

本发明提供一种显示装置，其中包括阵列基板，通过在感光树脂层上设置多个突起，且设置该突起呈透过率递变的波浪形，结合漫反射层可形成良好的漫反射效果，提高半反半透屏的显示品质。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种阵列基板，包括设置在衬底基板上的感光树脂层，其特征在于，所述感光树脂层上具有多个突起，在所述突起表面还具有漫反射层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述漫反射层由反光金属制成。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括源漏金属层和第一电极层，所述感光树脂层位于所述源漏金属层和第一电极层之间。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一电极层上方还包括绝缘层和第二电极层，所述第二电极层为狭缝状。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述反光金属为铝。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述突起呈波浪形均匀地设置在所述感光树脂层上。

7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板。

8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

步骤S1、形成感光树脂层，在所述感光树脂层上形成多个突起；

步骤S2、在所述突起上形成漫反射层。

9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：

步骤S11、在基板上沉积感光树脂材料；

步骤S12、采用具有多个镂空图案的掩膜板对步骤S11中的基板进行曝光，最终使得在所述感光树脂层上形成多个突起结构。

10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述镂空图案的尺寸小于曝光机的极限分辨率。

11.如权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述镂空图案的直径为2um，相邻两个镂空图案之间的间距为1um。

12.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：在突起结构上沉积反光金属层形成所述漫反射层。