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CN103987806B - 粘接性树脂组合物、叠层体及自剥离方法 - Google Patents

粘接性树脂组合物、叠层体及自剥离方法 Download PDF

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CN103987806B
CN103987806B CN201280061262.8A CN201280061262A CN103987806B CN 103987806 B CN103987806 B CN 103987806B CN 201280061262 A CN201280061262 A CN 201280061262A CN 103987806 B CN103987806 B CN 103987806B
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Abstract

本发明的粘接性树脂组合物包含:具有来源于梅尔德拉姆酸衍生物的结构的发泡性粘着聚合物;或者通式(1)所示的梅尔德拉姆酸衍生物和粘接性树脂。

Description

粘接性树脂组合物、叠层体及自剥离方法
技术领域
本发明涉及粘接性树脂组合物、叠层体以及自剥离方法。
背景技术
作为以往的具有自剥离性的粘接性树脂组合物,有以下组合物。
专利文献1(日本特开平5-43851号公报)中记载了,在高弹性的压敏粘接剂中配合了发泡剂的剥离性压敏粘接剂。记载了使用无机系发泡剂(碳酸铵等)、有机系发泡剂(偶氮系化合物等)作为发泡剂,进而将发泡剂微囊化了的热膨胀性微粒等。专利文献1中记载了,由于加热处理带来的发泡剂的膨胀或发泡而使粘接力降低。
专利文献2(日本特开平11-166164号公报)中记载了,具有包含平均粒径18μm以上的热膨胀性微小球(微囊)的粘着层的加热剥离型粘着片。
专利文献3~4(日本特开2001-200234号公报、日本特开2003-151940号公报)中记载了,将包含叠氮化合物的粘着材用于半导体制造工艺。
专利文献5~8(日本特开2003-231871号公报、日本特开2003-173989号公报、日本特开2003-173993号公报、日本特开2003-231867号公报)中记载了,包含通过刺激而产生气体的气体产生剂的粘着材。作为气体产生剂,记载了偶氮化合物、叠氮化合物。
此外,非专利文献1(杂志“高分子”59卷12月号(2010年)926~927页)中记载了UV感应型的耐热自剥离带。
作为与具有梅尔德拉姆酸骨架的化合物等有关的现有文献,有以下文献。
专利文献9(国际公开公报2010/025983号小册子)中记载了,含有具有梅尔德拉姆酸骨架的聚合物的低释气的光致抗蚀剂。
专利文献10(日本特开2009-227996号公报)中记载了具有梅尔德拉姆酸的骨架的聚合物。
非专利文献2(NATURE CHEMISTRY vol2.March2010.p207~212)中记载了,具有梅尔德拉姆酸骨架的化合物通过热而产生乙烯酮和二氧化碳。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平5-43851号公报
专利文献2:日本特开平11-166164号公报
专利文献3:日本特开2001-200234号公报
专利文献4:日本特开2003-151940号公报
专利文献5:日本特开2003-231871号公报
专利文献6:日本特开2003-173989号公报
专利文献7:日本特开2003-173993号公报
专利文献8:日本特开2003-231867号公报
专利文献9:国际公开公报2010/025983号小册子
专利文献10:日本特开2009-227996号公报
非专利文献
非专利文献1:杂志“高分子”59卷12月号(2010年)926~927页
非专利文献2:NATURE CHEMISTRY vol2.March2010.p207~212
发明内容
然而,专利文献1~8所记载的技术在以下方面具有课题。
偶氮化合物通过给予刺激而产生活性自由基种,因此作为基础的粘接材料由于活性自由基种而易于被分解。因此,分解了的粘接材料附着于被粘体(糊料残留),或在分解时易于污染被粘体。
此外,叠氮化合物通过给予冲击也可容易地分解,而且如果分解开始则引起链反应,因此难以控制氮气放出。另外,与偶氮化合物同样地,叠氮化合物也可考虑到由活性自由基种的产生带来的问题。
此外,无机系发泡剂、微囊由于不溶入到作为基础的粘接材料中,因此在剥离时有时残留于被粘物表面。
另外,与这些自剥离型粘接剂有关的现有文献中并未记载梅尔德拉姆酸骨架的化合物。
专利文献9、10、非专利文献2中并未记载将具有梅尔德拉姆酸骨架的聚合物用作自剥离型粘接剂的发泡性粘着聚合物的例子。
本发明可如下所示。
[1].一种粘接性树脂组合物,其特征在于,包含具有来源于梅尔德拉姆酸衍生物的结构的发泡性粘着聚合物。
[2].根据[1]所述的粘接性树脂组合物,其特征在于,所述梅尔德拉姆酸衍生物由下述通式(1)表示,
式(1)中,R1和R2各自独立地表示氢原子、卤原子、取代或未取代的碳原子数1~10的烷基、取代或未取代的碳原子数2~10的烯基、取代或未取代的碳原子数2~10的炔基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的碳原子数7~12的芳基烷基、或者取代或未取代的甲硅烷基,R1与R2可以互相结合而形成环结构。R3和R4各自独立地表示氢原子、取代或未取代的碳原子数1~10的烷基、取代或未取代的碳原子数2~10的烯基、取代或未取代的碳原子数2~10的炔基、取代或未取代的芳基,R3与R4可以互相结合而形成环结构。R1、R2、R3、R4、R1与R2互相结合而形成的环结构、和R3与R4互相结合而形成的环结构中的至少1个具有选自乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、环氧基、吖丙啶基、硫杂丙环基、氧杂环丁烷基、硫杂环丁烷基、异氰酸酯基、氨基、砜基、羟基、羧基、酸酐基中的反应性官能团作为取代基。
[3].根据[1]或[2]所述的粘接性树脂组合物,其特征在于,所述发泡性粘着聚合物包含粘接性树脂,所述粘接性树脂是介由梅尔德拉姆酸衍生物所包含的反应性官能团而结合于梅尔德拉姆酸衍生物。
[4].根据[2]或[3]所述的粘接性树脂组合物,所述发泡性粘着聚合物包含(a)和(b),
(a):来源于R1、R2、R3、R4、R1与R2互相结合而形成的环结构、和R3与R4互相结合而形成的环结构中的至少1个具有选自乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基中的反应性官能团作为取代基的、通式(1)所示的梅尔德拉姆酸衍生物的构成单元,
(b):来源于(甲基)丙烯酸衍生物的构成单元。
[5].根据[4]所述的粘接性树脂组合物,所述梅尔德拉姆酸衍生物中,R1、R2、R3和R4中的至少1个为具有乙烯基作为取代基的苄基。
[6].根据[1]~[5]的任一项所述的粘接性树脂组合物,其特征在于,通过差示扫描量热分析而测定得到的玻璃化转变点为40℃以下。
[7].一种粘接性树脂组合物,其特征在于,包含下述通式(1)所示的梅尔德拉姆酸衍生物、和粘接性树脂,
式(1)中,R1和R2各自独立地表示氢原子、卤原子、取代或未取代的碳原子数1~10的烷基、取代或未取代的碳原子数2~10的烯基、取代或未取代的碳原子数2~10的炔基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的碳原子数7~12的芳基烷基、或者取代或未取代的甲硅烷基,R1与R2可以互相结合而形成环结构。R3和R4各自独立地表示氢原子、取代或未取代的碳原子数1~10的烷基、取代或未取代的碳原子数2~10的烯基、取代或未取代的碳原子数2~10的炔基、取代或未取代的芳基,R3与R4可以互相结合而形成环结构。
[8].根据[7]所述的粘接性树脂组合物,其特征在于,在所述通式(1)中,R1和R2各自独立地表示氢原子、碳原子数1~4的烷基、苄基,R3和R4各自独立地表示氢原子、碳原子数1~4的烷基,R3与R4互相结合而形成环戊基。
[9].根据[7]或[8]所述的粘接性树脂组合物,其特征在于,所述粘接性树脂通过差示扫描量热分析而测定得到的玻璃化转变点为40℃以下。
[10].根据[7]~[9]的任一项所述的粘接性树脂组合物,其特征在于,所述粘接性树脂为丙烯酸系压敏粘接剂。
[11].一种叠层体,其包含:
基材;
在所述基材上形成的包含[1]~[10]的任一项所述的粘接性树脂组合物的剥离层;和
在所述剥离层上粘贴的被粘物。
[12].一种自剥离方法,是使用了包含基材、在所述基材上形成的包含[1]~[6]的任一项所述的粘接性树脂组合物的剥离层、和在所述剥离层上粘贴的被粘物的叠层体的自剥离方法,
其具备下述工序:将所述叠层体加热到该粘接性树脂组合物所包含的具有来源于梅尔德拉姆酸衍生物的结构的发泡性粘着聚合物的、该梅尔德拉姆酸衍生物分解的温度以上,从而所述剥离层所包含的该化合物分解,使所述剥离层与所述被粘物的界面的所述剥离层的粘接强度降低。
[13].一种自剥离方法,是使用了包含基材、在所述基材上形成的包含[7]~[10]的任一项所述的粘接性树脂组合物的剥离层、和在所述剥离层上粘贴的被粘物的叠层体的自剥离方法,
其具备下述工序:将所述叠层体加热到梅尔德拉姆酸衍生物分解的温度以上,从而所述剥离层所包含的该梅尔德拉姆酸衍生物分解,使所述剥离层与所述被粘物的界面的所述剥离层的粘接强度降低。
[14].一种带,其具备:基材层;和在所述基材层上形成的包含[1]~[10]的任一项所述的粘接性树脂组合物的剥离层。
[15].一种基板的研磨方法,其具有下述工序:
将[14]所述的带介由所述剥离层而贴附在基板的被研磨面的背面上的工序,
对所述基板的被研磨面进行研磨的工序,和
在研磨工序后,对所述带的所述剥离层施加热而从所述背面剥离所述带的工序。
[16].一种切割方法,其具有下述工序:
通过[1]~[10]的任一项所述的粘接性树脂组合物而将被粘物固定于支持体的工序,
对所述被粘物进行切割的工序,和
使通过施加热而单片化了的所述被粘物从所述支持体剥离的工序。
[17].一种半导体封装件的制造方法,其具有下述工序:
通过[1]~[10]的任一项所述的粘接性树脂组合物而将半导体芯片固定于支持体的工序,
将所述半导体芯片用树脂密封的工序,和
通过施加热而从所述支持体剥离被树脂密封了的半导体芯片的工序。
[18].一种镀敷方法,其具有下述工序:
将[14]所述的带介由所述剥离层而贴附于被镀敷体的不镀敷部分的工序,
对所述被镀敷体进行镀敷处理的工序,和
在镀敷处理工序后,对贴附于所述被镀敷体的所述带的剥离层施加热而剥离所述带的工序。
根据本发明,可以提供粘接性树脂组合物、具有由该组合物形成的剥离层的叠层体、自剥离方法,所述粘接性树脂组合物可以形成在粘接时有充分的粘接强度、在剥离时可以不损伤被粘物地容易地剥离、并且被粘物的污染少的剥离层。
附图说明
图1是显示本实施方式的叠层体的构成的截面图。
具体实施方式
以下通过第1实施方式和第2实施方式说明本发明的粘接性树脂组合物。另外,本发明中,“粘接”和“粘着”没有特别区别,表示同样的意思。
[第1实施方式]
<粘接性树脂组合物>
本实施方式的粘接性树脂组合物包含具有来源于发泡性化合物的结构的发泡性粘着聚合物。
(发泡性粘着聚合物)
发泡性粘着聚合物具有来源于作为发泡性化合物的梅尔德拉姆酸衍生物的结构。
作为这样的发泡性粘着聚合物,可以举出:
(1)梅尔德拉姆酸衍生物结合于聚合物链的聚合物,
(2)来源于梅尔德拉姆酸衍生物的构成单元构成聚合物链的一部分的聚合物。
只要是这些发泡性粘着聚合物,则可以使作为被粘体的污染原因之一的低分子化合物的含量降低。
以下,依次进行说明。
(1)梅尔德拉姆酸衍生物结合于聚合物链的发泡性粘着聚合物
作为基础的粘接性树脂,可以使用具有在低于剥离时的加热温度时保持粘接性、不发生熔化或分解等的耐热性的粘接性树脂。例如,可以使用以往公知的压敏粘接剂(粘着材)等粘着物质。
作为压敏粘接剂,可以举出将天然橡胶、聚异丁烯橡胶、苯乙烯/丁二烯橡胶、苯乙烯/异戊二烯/苯乙烯嵌段共聚物橡胶、再生胶、丁基橡胶、聚异丁烯橡胶、NBR等橡胶系聚合物用于基础聚合物的橡胶系压敏粘接剂;有机硅系压敏粘接剂;氨基甲酸酯系压敏粘接剂;丙烯酸系压敏粘接剂等。母剂可以由1种、或2种以上的成分构成。特别优选为丙烯酸系压敏粘接剂。
作为丙烯酸系压敏粘接剂,可举出以将(甲基)丙烯酸烷基酯的1种或2种以上用作单体成分的丙烯酸系聚合物(均聚物或共聚物)作为基础聚合物的丙烯酸系粘着材。作为上述丙烯酸系粘着材中的(甲基)丙烯酸烷基酯,可以举出例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等(甲基)丙烯酸C1-20烷基酯等。优选为(甲基)丙烯酸C4-18烷基(直链状或支链状的烷基)酯。
另外,上述丙烯酸系压敏粘接剂,以凝集力、耐热性、交联性等的改性作为目的,根据需要,可以包含与能够与上述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它单体成分对应的单元。作为这样的单体成分,可举出例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含有羧基的单体;马来酸酐、衣康酸酐等含有酸酐基的单体;(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯、(甲基)丙烯酸羟基丁酯、(甲基)丙烯酸羟基己酯、(甲基)丙烯酸羟基辛酯、(甲基)丙烯酸羟基癸酯、(甲基)丙烯酸羟基月桂基酯、(4-羟基甲基环己基)甲基甲基丙烯酸酯等含有羟基的单体;苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、磺基丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含有磺酸基的单体;2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等含有磷酸基的单体;(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N,N-二乙基(甲基)丙烯酰胺、N-异丙基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺等(N-取代)酰胺系单体;(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯等(甲基)丙烯酸氨基烷基酯系单体;(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系单体;N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺等马来酰亚胺系单体;N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺、N-月桂基衣康酰亚胺等衣康酰亚胺系单体;N-(甲基)丙烯酰氧基亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧基六亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-8-氧基八亚甲基琥珀酰亚胺等琥珀酰亚胺系单体;乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯基酯类;N-乙烯基-2-吡咯烷酮、N-甲基乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基吡嗪、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基唑、N-(甲基)丙烯酰基-2-吡咯烷酮、N-(甲基)丙烯酰基哌啶、N-(甲基)丙烯酰基吡咯烷、N-乙烯基吗啉等含有氮的杂环系单体;N-乙烯基羧酸酰胺类;苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯系单体;N-乙烯基己内酰胺等内酰胺系单体;丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯单体;(甲基)丙烯酸缩水甘油基酯等含有环氧基的丙烯酸系单体;(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇系丙烯酸酯单体;(甲基)丙烯酸四氢糠基酯、氟(甲基)丙烯酸酯、有机硅(甲基)丙烯酸酯等具有杂环、卤原子、硅原子等的丙烯酸酯系单体;己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、丁基二(甲基)丙烯酸酯、己基二(甲基)丙烯酸酯等多官能单体;异戊二烯、丁二烯、异丁烯等烯烃系单体;甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚等乙烯基醚系单体等。这些单体成分可以使用1种或2种以上。
丙烯酸系压敏粘接剂的制造可以酌情选择溶液聚合、本体聚合、乳液聚合和各种自由基聚合等公知的制造方法。此外,所得的粘接性树脂可以为无规共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物等中的任一种。
另外,在自由基聚合中的溶液聚合中,作为聚合溶剂,可使用例如乙酸乙酯、甲苯等。作为具体的溶液聚合例,反应在氮气等非活性气体气流下进行,作为聚合引发剂,例如相对于单体全部量100重量份加入偶氮二异丁腈0.01~0.2重量份,通常在50~100℃左右进行8~30小时左右。
自由基聚合所用的聚合引发剂、链转移剂、乳化剂等没有特别限定,可以酌情选择使用。
作为聚合引发剂,可以举出例如2,2’-偶氮二异丁腈、2,2’-偶氮二(2-脒基丙烷)二盐酸盐、2,2’-偶氮二[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]二盐酸盐、2,2’-偶氮二(2-甲基丙脒)二硫酸盐、2,2’-偶氮二(N,N’-二亚甲基异丁基脒)、2,2’-偶氮二[N-(2-羧基乙基)-2-甲基丙脒]水合物(和光纯药工业(株)制,VA-057)等偶氮系引发剂、过硫酸钾、过硫酸铵等过硫酸盐、二(2-乙基己基)过氧化二碳酸酯、二(4-叔丁基环己基)过氧化二碳酸酯、二-仲丁基过氧化二碳酸酯、叔丁基过氧化新癸酸酯、叔己基过氧化新戊酸酯、叔丁基过氧化新戊酸酯、过氧化二月桂酰、过氧化二正辛酰、1,1,3,3-四甲基丁基过氧化-2-乙基己酸酯、过氧化二(4-甲基苯甲酰)、过氧化二苯甲酰、叔丁基过氧化异丁酸酯、1,1-二(叔己基过氧化)环己烷、叔丁基过氧化氢、过氧化氢等过氧化物系引发剂、过硫酸盐与亚硫酸氢钠的组合、过氧化物与抗坏血酸钠的组合等组合了过氧化物与还原剂的氧化还原系引发剂等,但不限定于此。
此外,在作为聚合引发剂使用了有机过氧化物的情况下,也能够将聚合反应中未使用而残存的有机过氧化物使用于交联反应,在该情况下可以定量残存量,根据需要再添加,成为规定的有机过氧化物量而使用。
上述聚合引发剂可以单独使用,此外也可以混合2种以上而使用,作为整体的含量相对于单体100重量份优选为0.005~1重量份左右,更优选为0.02~0.6重量份左右。
此外,在聚合中可以使用链转移剂。通过使用链转移剂,可以适当调整粘接性树脂的分子量。
作为链转移剂,可举出例如月桂基硫醇、缩水甘油基硫醇、巯基乙酸、2-巯基乙醇、巯基乙酸、巯基乙酸2-乙基己基酯、2,3-二巯基-1-丙醇等。
这些链转移剂可以单独使用,此外也可以2种以上混合使用,作为整体的含量相对于单体100重量份为0.01~0.4重量份左右。
此外,作为进行乳液聚合的情况下所用的乳化剂,可举出例如月桂基硫酸钠、月桂基硫酸铵、十二烷基苯磺酸钠、聚氧乙烯烷基醚硫酸铵、聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸钠等阴离子系乳化剂、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基苯基醚、聚氧乙烯脂肪酸酯、聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段聚合物等非离子系乳化剂等。这些乳化剂可以单独使用,也可以2种以上并用。
此外,作为反应性乳化剂,作为导入有丙烯基、烯丙基醚基等自由基聚合性官能团的乳化剂,具体而言,有例如Aqualon HS-10、HS-20、KH-10、BC-05、BC-10、BC-20(以上,均为第一工业制药(株)制)、Adekaria Soap SE10N((株)ADEKA制)等。反应性乳化剂由于在聚合后被引入到聚合物链中,因此耐水性变好,因此优选。乳化剂的使用量相对于单体100重量份为0.3~5重量份,从聚合稳定性、机械稳定性考虑,更优选为0.5~1重量份。
可以使用通过剥离时的加热而进行粘接性树脂本身的交联反应、粘接性能降低的粘接性树脂。在该情况下,需要考虑在低于剥离时的温度时粘接性不降低的情况。
梅尔德拉姆酸衍生物具有反应性官能团。
作为反应性官能团,可以举出乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、环氧基、吖丙啶基、硫杂丙环基、氧杂环丁烷基、硫杂环丁烷基、异氰酸酯基、氨基、砜基、羟基、羧基、酸酐基等。
为了使梅尔德拉姆酸衍生物结合于粘接性树脂,通过下述方法进行:相对于粘接性树脂中存在的反应性官能团,使梅尔德拉姆酸衍生物反应而形成化学键的方法;在粘接性树脂制造时使梅尔德拉姆酸衍生物共存而形成化学键的方法;使梅尔德拉姆酸衍生物的前体存在于粘接性树脂而进行化学反应,从而形成梅尔德拉姆酸衍生物的方法等。
梅尔德拉姆酸衍生物由下述通式(1)表示。
式(1)中,R1和R2各自独立地表示氢原子、卤原子、取代或未取代的碳原子数1~10的烷基、取代或未取代的碳原子数2~10的烯基、取代或未取代的碳原子数2~10的炔基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的碳原子数7~12的芳基烷基、或者取代或未取代的甲硅烷基,R1与R2可以互相结合而形成环结构。R3和R4各自独立地表示氢原子、取代或未取代的碳原子数1~10的烷基、取代或未取代的碳原子数2~10的烯基、取代或未取代的碳原子数2~10的炔基、取代或未取代的芳基,R3与R4可以互相结合而形成环结构。
作为通式(1)中的R1、R2、R3和R4,可以举出以下基团。
作为卤原子,可以举出氟、氯、溴、碘。
作为碳原子数1~10的烷基,可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1,1-二甲基丙基、2,2-二甲基丙基、1,2-二甲基丙基、己基、戊基、辛基、壬基、癸基、环丙基、环丙基甲基、环戊基、环丙基甲基、环戊基甲基、环己基甲基等。
作为碳原子数2~10的烯基,可以举出乙烯基、异丙烯基、烯丙基、甲基烯丙基、1-丁烯基、3-己烯基、1-环戊烯基、1-环己烯基、2-环戊基乙烯基、2-环己基乙烯基等。
作为碳原子数2~10的炔基,可以举出乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、1-丁炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、1-戊炔基、2-戊炔基、3-戊炔基、4-戊炔基、1-甲基-2-丙炔基、3-甲基-1-丁炔基、3,3-二甲基-1-丁炔基、2-环戊基乙炔基、2-环己基乙炔基等。
作为碳原子数7~12的芳基烷基,可以举出苄基、1-苯基乙基、2-苯基乙基、1-苯基丙基、2-苯基丙基、3-苯基丙基、1-苯基丁基、2-苯基丁基、3-苯基丁基、4-苯基丁基等。
作为芳基,可以举出苯基、萘基、联苯基、芴基、蒽基、吡啶基、三唑基、吡咯基、噻吩基、吡啶基、嘧啶基、唑基、异唑基、噻唑基、异噻唑基、咪唑基等。
作为上述官能团和甲硅烷基被取代的情况下的取代基,可以举出乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、环氧基、吖丙啶基、硫杂丙环基、氧杂环丁烷基、硫杂环丁烷基、异氰酸酯基、氨基、砜基、羟基、羧基、酸酐基、酰亚胺基、硫醇基、碳原子数1~10的烷氧基等。
R1与R2互相结合而形成的环结构包含R1和R2所结合的碳原子而形成。对于R3和R4也同样。
作为那样的环结构,可以举出环丙烷、环丁烷、环戊烷、环己烷、环庚烷等环烷烃、环丙烯、环丁烯、环戊烯、环己烯、环庚烯等环烯烃、降冰片烯、降冰片二烯等二环式烯烃等脂环族基;
苯基、苄基、萘基、联苯基、三苯基、芴基、蒽基、菲基等芳香族基;
吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、呋喃基、噻吩基、唑基、异唑基、噻唑基、异噻唑基、吡咯基、咪唑基等杂环基。
这些环结构可以具有取代基,作为那样的取代基,可以举出乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、环氧基、吖丙啶基、硫杂丙环基、氧杂环丁烷基、硫杂环丁烷基、异氰酸酯基、氨基、砜基、羟基、羧基、酸酐基、酰亚胺基、硫醇基、碳原子数1~10的烷氧基。
另外,R1、R2、R3、R4、R1与R2互相结合而形成的环结构、和R3与R4互相结合而形成的环结构中的至少1个具有选自乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、环氧基、吖丙啶基、硫杂丙环基、氧杂环丁烷基、硫杂环丁烷基、异氰酸酯基、氨基、砜基、羟基、羧基、酸酐基中的反应性官能团作为取代基。
在本实施方式中,作为R1和R2,优选各自独立地使用氢原子、碳原子数1~4的烷基、苄基、苯基、R1与R2互相结合而形成的环丙基。
作为R3和R4,优选各自独立地使用氢原子、碳原子数1~4的烷基、苯基、R3与R4互相结合而形成的环戊基、环己基。
此外,R1、R2、R3、R4、R1与R2互相结合而形成的环结构、和R3与R4互相结合而形成的环结构中的至少1个也优选具有选自乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基中的反应性官能团作为取代基。此外,优选R1、R2、R3和R4中的至少1个为具有乙烯基作为取代基的苄基。
作为在本实施方式中使用的梅尔德拉姆酸衍生物,可以使用具有可以产生二氧化碳气体等的结构的梅尔德拉姆酸衍生物。具体而言,可以使用5-(对苯乙烯基甲基)-2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-(对苯乙烯基甲基)-2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、8-(对苯乙烯基甲基)-8-甲基-6,10-二氧杂螺[4,5]癸烷-7,9-二酮、5-(对苯乙烯基甲基)-2,2-二乙基-5-甲基-1,3-二烷-4,6-二酮等。
(2)来源于梅尔德拉姆酸衍生物的构成单元构成聚合物链的一部分的发泡性粘着聚合物
为了合成来源于梅尔德拉姆酸衍生物的构成单元构成聚合物链的一部分的发泡性粘着聚合物,通过在构成粘接性树脂的具有反应性官能团的化合物中使具有反应性官能团的梅尔德拉姆酸衍生物共存而进行聚合的方法等来进行。
发泡性粘着聚合物(2)包含(a)和(b),
(a):来源于R1、R2、R3、R4、R1与R2互相结合而形成的环结构、和R3与R4互相结合而形成的环结构中的至少1个具有选自乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基中的反应性官能团作为取代基的、通式(1)所示的梅尔德拉姆酸衍生物的构成单元,
(b):来源于(甲基)丙烯酸衍生物的构成单元。
梅尔德拉姆酸衍生物,优选R1、R2、R3和R4中的至少1个为具有乙烯基作为取代基的苄基。
来源于梅尔德拉姆酸衍生物的构成单元(a),可以以相对于来源于(甲基)丙烯酸衍生物的构成单元100重量份为0.1~50重量份、优选为0.5~40重量份、更优选为1重量份~30重量份的量包含。
此外,来源于(甲基)丙烯酸衍生物的构成单元可以使用1种或2种以上(甲基)丙烯酸衍生物。
作为(甲基)丙烯酸衍生物,可举出(甲基)丙烯酸烷基酯,可以举出例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等(甲基)丙烯酸C1-20烷基酯。优选为(甲基)丙烯酸C4-18烷基(直链状或支链状的烷基)酯。
另外,以凝集力、耐热性、交联性等的改性作为目的,根据需要,发泡性粘着聚合物可以包含与能够与上述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它单体成分对应的单元。作为这样的单体成分,可举出例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含有羧基的单体;马来酸酐、衣康酸酐等含有酸酐基的单体;(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯、(甲基)丙烯酸羟基丁酯、(甲基)丙烯酸羟基己酯、(甲基)丙烯酸羟基辛酯、(甲基)丙烯酸羟基癸酯、(甲基)丙烯酸羟基月桂基酯、(4-羟基甲基环己基)甲基甲基丙烯酸酯等含有羟基的单体;苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、磺基丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含有磺酸基的单体;2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等含有磷酸基的单体;(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N,N-二乙基(甲基)丙烯酰胺、N-异丙基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺等(N-取代)酰胺系单体;(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯等(甲基)丙烯酸氨基烷基酯系单体;(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系单体;N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺等马来酰亚胺系单体;N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺、N-月桂基衣康酰亚胺等衣康酰亚胺系单体;N-(甲基)丙烯酰氧基亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧基六亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-8-氧基八亚甲基琥珀酰亚胺等琥珀酰亚胺系单体;乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯基酯类;N-乙烯基-2-吡咯烷酮、N-甲基乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基吡嗪、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基唑、N-(甲基)丙烯酰基-2-吡咯烷酮、N-(甲基)丙烯酰基哌啶、N-(甲基)丙烯酰基吡咯烷、N-乙烯基吗啉等含有氮的杂环系单体;N-乙烯基羧酸酰胺类;苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯系单体;N-乙烯基己内酰胺等内酰胺系单体;丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯单体;(甲基)丙烯酸缩水甘油基酯等含有环氧基的丙烯酸系单体;(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇系丙烯酸酯单体;(甲基)丙烯酸四氢糠基酯、氟(甲基)丙烯酸酯、有机硅(甲基)丙烯酸酯等具有杂环、卤原子、硅原子等的丙烯酸酯系单体;己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、丁基二(甲基)丙烯酸酯、己基二(甲基)丙烯酸酯等多官能单体;异戊二烯、丁二烯、异丁烯等烯烃系单体;甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚等乙烯基醚系单体等。这些单体成分可以使用1种或2种以上。
发泡性粘着聚合物的制造可以酌情选择溶液聚合、本体聚合、乳液聚合和各种自由基聚合等公知的制造方法。此外,所得的粘接性树脂可以为无规共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物等中的任一种。
另外,在自由基聚合中的溶液聚合中,作为聚合溶剂,可使用例如乙酸乙酯、甲苯等。作为具体的溶液聚合例,反应在氮气等非活性气体气流下进行,作为聚合引发剂,例如相对于单体全部量100重量份加入偶氮二异丁腈0.01~0.2重量份,通常在50~100℃左右进行8~30小时左右。
自由基聚合所用的聚合引发剂、链转移剂、乳化剂等没有特别限定,可以酌情选择使用。
作为聚合引发剂,可以举出例如2,2’-偶氮二异丁腈、2,2’-偶氮二(2-脒基丙烷)二盐酸盐、2,2’-偶氮二[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]二盐酸盐、2,2’-偶氮二(2-甲基丙脒)二硫酸盐、2,2’-偶氮二(N,N’-二亚甲基异丁基脒)、2,2’-偶氮二[N-(2-羧基乙基)-2-甲基丙脒]水合物(和光纯药工业(株)制,VA-057)等偶氮系引发剂、过硫酸钾、过硫酸铵等过硫酸盐、二(2-乙基己基)过氧化二碳酸酯、二(4-叔丁基环己基)过氧化二碳酸酯、二-仲丁基过氧化二碳酸酯、叔丁基过氧化新癸酸酯、叔己基过氧化新戊酸酯、叔丁基过氧化新戊酸酯、过氧化二月桂酰、过氧化二正辛酰、1,1,3,3-四甲基丁基过氧化-2-乙基己酸酯、过氧化二(4-甲基苯甲酰)、过氧化二苯甲酰、叔丁基过氧化异丁酸酯、1,1-二(叔己基过氧化)环己烷、叔丁基过氧化氢、过氧化氢等过氧化物系引发剂、过硫酸盐与亚硫酸氢钠的组合、过氧化物与抗坏血酸钠的组合等组合了过氧化物与还原剂的氧化还原系引发剂等,但不限定于此。
此外,在作为聚合引发剂使用了有机过氧化物的情况下,也能够将聚合反应中未使用而残存的有机过氧化物使用于交联反应,在该情况下可以定量残存量,根据需要再添加,成为规定的有机过氧化物量而使用。
上述聚合引发剂可以单独使用,此外也可以2种以上混合而使用,作为整体的含量相对于单体100重量份优选为0.005~1重量份左右,更优选为0.02~0.6重量份左右。
此外,在聚合中可以使用链转移剂。通过使用链转移剂,可以适当调整粘接性树脂的分子量。
作为链转移剂,可举出例如月桂基硫醇、缩水甘油基硫醇、巯基乙酸、2-巯基乙醇、巯基乙酸、硫代乙醇酸2-乙基己酯、2,3-二巯基-1-丙醇等。
这些链转移剂可以单独使用,此外可以2种以上混合使用,作为整体的含量相对于单体100重量份为0.01~0.4重量份左右。
此外,作为进行乳液聚合的情况下所用的乳化剂,可举出例如月桂基硫酸钠、月桂基硫酸铵、十二烷基苯磺酸钠、聚氧乙烯烷基醚硫酸铵、聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸钠等阴离子系乳化剂、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基苯基醚、聚氧乙烯脂肪酸酯、聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段聚合物等非离子系乳化剂等。这些乳化剂可以单独使用,也可以2种以上并用。
此外,作为反应性乳化剂,作为导入有丙烯基、烯丙基醚基等自由基聚合性官能团的乳化剂,具体而言,有例如Aqualon HS-10、HS-20、KH-10、BC-05、BC-10、BC-20(以上,均为第一工业制药(株)制)、Adekaria Soap SE10N((株)ADEKA制)等。反应性乳化剂由于在聚合后被引入到聚合物链中,因此耐水性变好,因此优选。乳化剂的使用量相对于单体100重量份为0.3~5重量份,从聚合稳定性、机械稳定性考虑,更优选为0.5~1重量份。
(其它成分)
本实施方式的粘接性树脂组合物中,作为发泡性粘着聚合物以外的成分,可以包含有机溶剂、交联剂、增粘剂、增塑剂、填充剂、防老剂、抗氧化剂、着色剂(颜料、染料等)、软化剂、光稳定剂、紫外线吸收剂、阻聚剂、无机或有机的填充剂、金属粉、粒子状物、箔状物等。
作为有机溶剂,可举出例如甲基乙基酮、丙酮、甲基异丁基酮、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、四氢呋喃、二烷、环己酮、正己烷、正庚烷、环己烷、甲基环己烷、苯、甲苯、二甲苯、甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇等有机溶剂。这些溶剂可以单独使用,此外可以2种以上混合使用。
作为交联剂,可举出例如异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂、以及脲系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳二亚胺系交联剂、唑啉系交联剂、氮丙啶系交联剂、胺系交联剂等,可以适合使用异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂。作为上述异氰酸酯系交联剂,可举出例如1,2-亚乙基二异氰酸酯、1,4-亚丁基二异氰酸酯、1,6-己二异氰酸酯等低级脂肪族多异氰酸酯类;环亚戊基二异氰酸酯、环亚己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯、氢化二甲苯二异氰酸酯等脂环族多异氰酸酯类;2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、亚二甲苯基二异氰酸酯等芳香族多异氰酸酯类等,除此以外,也可使用三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯3聚体加成物[日本Polyurethane工业(株)制,商品名“Coronate L”]、三羟甲基丙烷/1,6-己二异氰酸酯3聚体加成物[日本Polyurethane工业(株)制,商品名“Coronate HL”]等。
作为上述环氧系交联剂,可举出例如N,N,N’,N’-四缩水甘油基-间苯二甲胺、二缩水甘油基苯胺、1,3-双(N,N-缩水甘油基氨基甲基)环己烷、1,6-己二醇二缩水甘油基醚、新戊二醇二缩水甘油基醚、乙二醇二缩水甘油基醚、丙二醇二缩水甘油基醚、聚乙二醇二缩水甘油基醚、聚丙二醇二缩水甘油基醚、山梨糖醇聚缩水甘油基醚、甘油聚缩水甘油基醚、季戊四醇聚缩水甘油基醚、聚甘油聚缩水甘油基醚、失水山梨糖醇聚缩水甘油基醚、三羟甲基丙烷聚缩水甘油基醚、己二酸二缩水甘油基酯、邻苯二甲酸二缩水甘油基酯、三缩水甘油基-三(2-羟基乙基)异氰脲酸酯、间苯二酚二缩水甘油基醚、双酚-S-二缩水甘油基醚,此外还可举出分子内具有2个以上环氧基的环氧系树脂等。
作为增粘剂,可举出例如松香衍生物[例如松香、聚合松香、氢化松香、它们的衍生物(松香酯系树脂、氢化松香酯系树脂等)等]、萜系树脂(例如萜烯树脂、芳香族改性萜烯树脂、氢化萜烯树脂、萜-酚树脂等)、酚系树脂(例如苯酚-甲醛树脂、烷基苯酚-甲醛树脂等)、石油系烃树脂[例如脂肪族系石油树脂、芳香族系石油树脂、将芳香族系石油树脂氢化了的脂环族系石油树脂(脂环族系饱和烃树脂)等]、苯乙烯系树脂、色满系树脂(例如香豆酮茚树脂等)等。
(粘接性树脂组合物的制造方法)
粘接性树脂组合物通过将上述的发泡性粘着聚合物和根据其用途的其它成分通过现有的方法进行混合来获得。关于混合方法,可以使用采用槽搅拌的混合、采用混炼机的混合等。
(粘接性树脂组合物)
通过上述的制造方法获得的粘接性树脂组合物中,梅尔德拉姆酸衍生物可以以相对于粘接性树脂100重量份为0.1~50重量份、优选为0.5~40重量份、更优选为1重量份~30重量份的量包含。如果梅尔德拉姆酸衍生物的添加量少于该范围,则产生的二氧化碳气体的产生量少,作为梅尔德拉姆酸衍生物的效果难以获得,因此剥离效果小。另一方面,如果梅尔德拉姆酸衍生物的添加量多于该范围,则成为剥离被粘物后在该被粘物上残留剥离层的一部分的、所谓“糊料残留”的原因。即,如果梅尔德拉姆酸衍生物以上述范围被包含,则可以获得剥离效果优异、抑制了糊料残留的粘接性树脂组合物。
关于粘接性树脂组合物的玻璃化转变温度,通过差示扫描量热分析(DSC)而测定得到的玻璃化转变点为40℃以下,优选为30℃以下,在常温具有粘接性。
<叠层体>
如图1所示,本实施方式的叠层体10包含:基材12、在基材12上形成的包含本实施方式的粘接性树脂组合物的剥离层(粘接层)14、和在剥离层14上粘贴的被粘物16。
剥离层14可以为仅粘接性树脂组合物、或具有粘接性树脂组合物、膜等基材A和压敏粘着材B作为层结构的两面带那样的形式。在该情况下,需要使粘接性树脂组合物侧与被粘物16接触。
基材12和被粘物16根据后述的用途而可以由各种材料构成。
例如,在将叠层体10用于晶片支撑系统的情况下,基材12为玻璃、SUS等硬质基板,被粘物16为硅基板(硅片)。
此外,在将叠层体10用于陶瓷电容器制造的情况下,基材12为塑料膜等,被粘物16为陶瓷电容器。
本实施方式所用的基材12根据用途而可以由各种材料构成。可举出例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酯膜等塑料基材以及纸、非织造布等多孔质材料等。
作为塑料基材,只要是可以形成为片状、膜状的基材,则没有特别限定,可举出例如聚乙烯、聚丙烯、聚-1-丁烯、聚-4-甲基-1-戊烯、乙烯/丙烯共聚物、乙烯/1-丁烯共聚物、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、乙烯/丙烯酸乙酯共聚物、乙烯/乙烯醇共聚物等聚烯烃膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等聚酯膜、聚丙烯酸酯膜、聚苯乙烯膜、尼龙6、尼龙6,6、部分芳香族聚酰胺等聚酰胺膜、聚氯乙烯膜、聚偏二氯乙烯膜、聚碳酸酯膜等。
基材12的厚度通常为4~400μm,优选为4~100μm,更优选为25~50μm左右。
对于塑料基材,根据需要,也可以进行使用有机硅系、氟系、长链烷基系或脂肪酸酰胺系的脱模剂、二氧化硅粉等的脱模和防污处理、酸处理、碱处理、底涂处理、电晕处理、等离子体处理、紫外线处理等易粘接处理、涂布型、混入型、蒸镀型等静电防止处理。
剥离层14仅为粘接性树脂组合物的情况下,根据用途而不同,但可通过下述方法来制作:将粘接性树脂组合物涂布在进行了剥离处理的隔离物等支持体上,干燥除去溶剂等而形成粘着材层后转印于基材的方法;在基材12上涂布粘接性树脂组合物,干燥除去溶剂等而在基材上形成粘着材层的方法等。
为了可以使粘接性树脂组合物均匀地涂布,可以在粘接性树脂组合物中重新添加一种以上溶媒(溶剂)。
剥离层14的膜厚虽然根据用途而优选的范围不同,但在剥离层14仅为粘接性树脂组合物的情况下,形成为0.1~100μm左右,优选形成为1~50μm左右,进一步优选形成为5~50μm左右。
此外,作为粘接性树脂组合物的形成方法,可使用在粘着片类的制造中使用的公知的方法。具体而言,可举出例如辊式涂布机、接触辊式涂布机、凹版式涂布机、反向涂布机、辊刷、喷射涂布机、浸渍辊式涂布机、棒式涂布机、刮刀式涂布机、气刀式涂布机、帘式涂布机、唇口涂布机、模具涂布机等方法。
此外,在表面露出粘接性树脂组合物的情况下,可以用进行了剥离处理的片(剥离片、隔离物、剥离衬垫等。以下称为隔离物)保护剥离层14直到供于实用为止。
作为隔离物的构成材料,可以举出例如聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酯膜等塑料膜、纸、布、非织造布等多孔质材料、网、发泡片、金属箔、和它们的层压体等适宜的薄叶体等,但从表面平滑性优异方面考虑,适合使用塑料膜。
作为该塑料膜,只要是可保护上述粘接性树脂组合物的膜,则没有特别限定,可举出例如聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜、聚氨酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜等。
上述隔离物的厚度为通常5~200μm,优选为5~100μm左右。
对于上述隔离物,根据需要,也可以进行使用有机硅系、氟系、长链烷基系或脂肪酸酰胺系的脱模剂、二氧化硅粉等的脱模和防污处理、涂布型、混入型、蒸镀型等抗静电处理。特别是,通过对上述隔离物的表面酌情进行有机硅处理、长链烷基处理、氟处理等剥离处理,可以进一步提高从上述粘着材层剥离的剥离性。
在剥离层14为两面带的情况下,剥离层14的形成方法根据用途而不同,可通过下述方法来制作:将粘接性树脂组合物和压敏粘接剂涂布于进行了剥离处理的隔离物等支持体,干燥除去溶剂等而形成粘着材层后,转印于基材A的两面的方法;在基材A上涂布粘接性树脂组合物和压敏粘接剂,干燥除去溶剂等而将粘着材层形成于基材A的两面的方法等。此时,两面带中的任何一方的粘接面需要为本实施方式的粘接性树脂组合物。
此外,作为两面带的形成方法,可使用在粘着片类的制造中使用的公知的方法。具体而言,可举出例如辊式涂布机、接触辊式涂布机、凹版式涂布机、反向涂布机、辊刷、喷射涂布机、浸渍辊式涂布机、棒式涂布机、刮刀式涂布机、气刀式涂布机、帘式涂布机、唇口涂布机、模具涂布机等方法。
作为本实施方式所用的基材A,可举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酯膜等塑料基材以及纸、非织造布等多孔质材料等。作为塑料基材,只要是可以形成为片状、膜状,则没有特别限定,可举出例如聚乙烯、聚丙烯、聚-1-丁烯、聚-4-甲基-1-戊烯、乙烯/丙烯共聚物、乙烯/1-丁烯共聚物、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、乙烯/丙烯酸乙酯共聚物、乙烯/乙烯醇共聚物等聚烯烃膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等聚酯膜、聚丙烯酸酯膜、聚苯乙烯膜、尼龙6、尼龙6,6、部分芳香族聚酰胺等聚酰胺膜、聚氯乙烯膜、聚偏二氯乙烯膜、聚碳酸酯膜等。基材A的厚度为通常4~100μm,优选为25~50μm左右。
对于塑料基材,根据需要,还可以进行使用有机硅系、氟系、长链烷基系或脂肪酸酰胺系的脱模剂、二氧化硅粉等的脱模和防污处理、酸处理、碱处理、底涂处理、电晕处理、等离子体处理、紫外线处理等易粘接处理、涂布型、混入型、蒸镀型等静电防止处理。
在基材A上形成粘接性树脂组合物、压敏粘接剂B,但形成前的基材A表面、粘接性树脂组合物、压敏粘接剂B的表面可以用进行了剥离处理的片(剥离片、隔离物、剥离衬垫)进行保护直到供于实用为止。
作为隔离物的构成材料,可以举出例如聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酯膜等塑料膜、纸、布、非织造布等多孔质材料、网、发泡片、金属箔、和它们的层压体等适宜的薄叶体等,从表面平滑性优异方面考虑,适合使用塑料膜。
作为该塑料膜,只要是可保护上述粘接性树脂组合物、压敏粘接剂B的膜,则没有特别限定,可举出例如聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜、聚氨酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜等。
上述隔离物的厚度为通常5~200μm,优选为5~100μm左右。
对于上述隔离物,根据需要,也可以进行使用有机硅系、氟系、长链烷基系或脂肪酸酰胺系的脱模剂、二氧化硅粉等的脱模和防污处理、涂布型、混入型、蒸镀型等抗静电处理。特别是,通过对上述隔离物的表面酌情进行有机硅处理、长链烷基处理、氟处理等剥离处理,可以进一步提高从上述粘着剂层剥离的剥离性。
在剥离层14为两面带的情况下,粘接性树脂组合物的膜厚根据用途而优选的范围不同,但是形成为0.1~100μm左右,优选形成为1~50μm左右,进一步优选形成为5~50μm左右。
作为压敏粘接剂B,可以举出使用了天然橡胶、聚异丁烯橡胶、苯乙烯/丁二烯橡胶、苯乙烯/异戊二烯/苯乙烯嵌段共聚物橡胶、再生胶、丁基橡胶、聚异丁烯橡胶、NBR等橡胶系聚合物作为基础聚合物的橡胶系压敏粘接剂;有机硅系压敏粘接剂;氨基甲酸酯系压敏粘接剂;使用了以丙烯酸、甲基丙烯酸的烷基酯作为成分的丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的丙烯酸系压敏粘接剂等。母剂可以由1种、或2种以上成分构成。特别优选为丙烯酸系压敏粘接剂。
压敏粘接剂B的膜厚根据用途而优选的范围不同,但是形成为5~50μm左右。
关于剥离层14,只要在本实施方式的粘接性树脂组合物中含有梅尔德拉姆酸衍生物等作为梅尔德拉姆酸衍生物即可,梅尔德拉姆酸衍生物与粘接性树脂可以化学结合。
在基材12与剥离层14之间可以包含凹凸吸收层、冲击吸收层等其它层。
剥离层14在具有粘接性树脂组合物、膜等基材A和压敏粘着材B作为层结构的两面带那样的形式的情况下,在粘接性树脂组合物与膜等基材A之间、基材A与压敏粘着材B之间可以包含凹凸吸收层、冲击吸收层等其它层。
作为凹凸吸收层、冲击吸收层的材料,可以举出使用了天然橡胶、聚异丁烯橡胶、苯乙烯/丁二烯橡胶、苯乙烯/异戊二烯/苯乙烯嵌段共聚物橡胶、再生胶、丁基橡胶、聚异丁烯橡胶、NBR等橡胶系聚合物作为基础聚合物的橡胶系树脂组合物;有机硅系树脂组合物;氨基甲酸酯系树脂组合物;使用了以丙烯酸、甲基丙烯酸的烷基酯作为成分的丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的丙烯酸系树脂组合物;使用了乙烯/丙烯共聚物、乙烯/1-丁烯共聚物、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、乙烯/丙烯酸乙酯共聚物、乙烯/乙烯醇共聚物等作为基础聚合物的聚烯烃系树脂组合物等。
凹凸吸收层、冲击吸收层的厚度只要是可以吸收凹凸、冲击的厚度即可。根据用途而形成为适当的厚度。
在剥离层14上粘贴被粘物16之前,为了不使剥离层14露出,可以用进行了剥离处理的片(剥离片、隔离物、剥离衬垫)保护剥离层14。
在形成剥离层14后,在剥离层14上粘贴被粘物16。被粘物16可以预先被制成,也可以在剥离层14上粘贴基础材后,在基础材上形成。
关于被粘物16,可以将预先制作出的被粘物16与剥离层14粘贴,也可以在剥离层14上形成。被粘物16可以为单层结构,也可以为多层结构。在多层结构的情况下,可以在剥离层14上多层叠层而形成多层结构。
<自剥离方法>
本实施方式的自剥离方法为使用了上述叠层体10的方法。
具体而言,具备下述工序:通过将叠层体10加热到梅尔德拉姆酸衍生物分解的温度以上,从而使二氧化碳气体等从剥离层14所包含的梅尔德拉姆酸衍生物产生,使剥离层14与被粘物16的界面的剥离层14的粘接强度降低。
如果加热到规定的温度以上,则梅尔德拉姆酸衍生物分解,一边产生包含二氧化碳、丙酮的气体,一边产生乙烯酮类。可以认为通过产生的气体而使剥离层14发泡,从而剥离层14与被粘物16粘接面积变少,粘接强度降低。此外,可以认为产生的二氧化碳的压力也有助于剥离。此外,产生的乙烯酮类反应性高,使构成剥离层14的粘接性树脂等的固化或缩合发生。由此可以认为,粘接性树脂的弹性模量上升,可以使粘接强度降低。
这样,可以使剥离层14的粘接强度降低,对基材12不带来损伤而可以容易地剥离被粘物16。通过使用本实施方式的叠层体,自剥离性优异,可以在相对于基板为垂直的方向上容易地剥离被粘物16。
另外,通过加热而产生的二氧化碳气体等在剥离后可以某种程度残留在剥离层14中。
为了剥离被粘物16而需要的气体产生量根据被粘物16的材料、结构而酌情不同,但是本实施方式的粘接性树脂组合物通过改变梅尔德拉姆酸衍生物的添加量、其结构而可以调整为适当的气体产生量。
例如,在使用玻璃板作为基材12,使用硅片作为被粘物16,介由剥离层14而将它们粘接了的情况下,为了剥离被粘物16,需要使气体产生,使气体产生量为2×10-3mL/cm2以上,优选为5×10-3mL/cm2以上,更优选为10×10-3mL/cm2以上,进一步优选为20×10-3mL/cm2以上的量。
在剥离被粘物16时加热叠层体10的温度为梅尔德拉姆酸衍生物分解的温度以上。上述温度只要比将被粘物16粘接于剥离层14时的温度、制造工序中需要的工艺温度高,则没有特别限定。加热温度的上限为对被粘物16的特性、以基材12作为树脂膜的情况下的膜物性没有影响的程度的温度。具体而言,加热温度为50℃~350℃,优选为50℃~300℃,更优选为50℃~250℃的范围。
<用途>
本实施方式的叠层体10可以优选用于要求在将基材12与被粘物16介由含有梅尔德拉姆酸衍生物的剥离层14而粘贴后将被粘物16从剥离层14容易地剥离的各种用途。作为其例子,可举出以防止金属板、塑料板、玻璃板等污损等作为目的的表面保护材、掩蔽材等。
此外,在制造如陶瓷电容器、共振器、电阻那样的电气部件、如液晶单元、等离子体显示器那样的显示器件、或如太阳能电池、热敏头、印刷基板(包含柔性型)、半导体芯片那样的电子部件等各种物品时等,可以将该部件或物品、材料等作为被粘物进行临时止住、或固定。或者,也可举出作为载带等的用途。在作为载带的用途中,在加工工序、出库等时,形成用剥离层将半导体、电子部件等被粘物以规定的间隔粘接保持的形态。
特别适于半导体工艺中的保护膜的粘接层、晶片的固定,可以适合用于WSS(WaferSupport System)、e-WLP(Embedded Wafer Level Packages)等。
作为使用了本实施方式的粘接性树脂组合物的用途,如上所述可以举出各种用途,具体而言,可以适用于切割方法、半导体封装件的制造方法等。
本实施方式的切割方法具有下述工序:通过上述的粘接性树脂组合物而将被粘物固定于支持体的工序;对上述被粘物进行切割的工序;和使通过施加热而被单片化了的上述被粘物从上述支持体剥离的工序。
首先,在支持体上通过规定的手段涂布粘接性树脂组合物,在该涂布面固着被粘物,从而将被粘物固定于支持体。
作为被粘物,可以举出硅片、蓝宝石基板、金属基板、陶瓷电容器等。作为支持体,可以举出玻璃板、SUS、铁等金属基板、硅片、蓝宝石基板等。切割方法可以使用公知的方法。
然后,使通过在上述那样的温度范围施加热而被单片化了的上述被粘物,例如半导体芯片从上述支持体剥离。
这样,通过本实施方式的粘接性树脂组合物而将被粘物固定于支持体,在切割工序时可以确实地保护被粘物,对剥离工序加热,通过这样的简便方法来进行,因此生产效率优异。此外,剥离工序中的被粘物的污染被减轻,制品的成品率提高。
本实施方式的半导体封装件的制造方法,具体而言,具有下述工序:通过上述的粘接性树脂组合物而将半导体芯片固定于支持体的工序;将上述半导体芯片用树脂密封的工序;和通过施加热而从上述支持体剥离被树脂密封了的半导体芯片的工序。
首先,通过规定的手段在支持体上涂布粘接性树脂组合物,在该涂布面固着半导体芯片,从而将半导体芯片固定于支持体。
作为支持体,可以举出玻璃板、SUS、铁等金属基板、硅片、蓝宝石基板等。
密封工序可以通过以往公知的方法来进行,此外密封树脂可以使用公知的密封树脂。
然后,通过在上述那样的温度范围施加热而从上述支持体剥离被树脂密封了的半导体芯片,可以获得半导体封装件。
这样,通过本实施方式的粘接性树脂组合物而将半导体封装件固定于支持体,在密封工序时可以将半导体封装件确实地固定于支持体,对剥离工序加热,可以通过这样的简便方法来进行,因此生产效率优异。此外,剥离工序中的对半导体芯片的污染被减轻,制品的成品率提高。
此外,作为具备基材层和在上述基材层上形成的包含本实施方式的粘接性树脂组合物的剥离层的带,可以用于各种用途。
本实施方式中的带可以通过在基材膜上涂布本实施方式的粘接性树脂组合物而形成剥离层来获得。
另外,成为基材层的基材膜由聚乙烯、聚丙烯、聚-1-丁烯、聚-4-甲基-1-戊烯、乙烯/丙烯共聚物、乙烯/1-丁烯共聚物、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、乙烯/丙烯酸乙酯共聚物、乙烯/乙烯醇共聚物等聚烯烃系树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等聚酯系树脂、聚丙烯酸酯、聚苯乙烯、尼龙6、尼龙6,6、部分芳香族聚酰胺等聚酰胺系树脂、聚氯乙烯系树脂、聚偏二氯乙烯系树脂、聚碳酸酯树脂等和它们的混合物等形成。基材层也可以为单层或2层以上的叠层体。另外,对于基材膜,以使其与剥离层的密合性提高为目的,也可以进行电晕放电处理、等离子体处理、铬酸处理、喷砂、溶剂处理等表面处理等。
基材层和剥离层的厚度可以根据用途而酌情选择。
具有上述构成的本实施方式的带,具体而言,可以用于基板的研磨、镀敷方法等。
使用了本实施方式的带的基板的研磨方法,具体而言,具有下述工序:将上述带介由上述剥离层而贴附在基板的被研磨面的背面上的工序;对上述基板的被研磨面进行研磨的工序;和在研磨工序后,对上述带的上述剥离层施加热而从上述背面剥离上述带的工序。
作为基板,可以举出硅片、蓝宝石基板、金属基板等。
被研磨面的研磨工序可以使用磨粒、金刚石砂轮等,通过以往公知的方法来进行。然后,通过在上述那样的温度范围施加热而使带从基板的被研磨面的背面剥离。
本实施方式的基板的研磨方法,使用了上述的具备包含粘接性树脂组合物的剥离层的带,在背面研磨工序时可以确实地保护基板的背面,对带剥离工序加热,可以通过这样的简便方法来进行。此外,在剥离时对基板的压力被抑制,因此即使在极薄基板中基板的翘曲也被减轻。此外,剥离工序中的基板的污染被减轻,制品的成品率提高。
使用了本实施方式的带的镀敷方法,具体而言,具有下述工序:将上述带贴附于被镀敷体的不镀敷部位的工序;对上述被镀敷体进行镀敷处理的工序;和在镀敷处理工序后,对贴附于上述被镀敷体的上述带的剥离层施加热来剥离上述带的工序。
作为被镀敷体,可以举出金属基板等,镀敷方法可以通过公知的方法来进行。
本实施方式的镀敷方法使用了上述的具备包含粘接性树脂组合物的剥离层的带,在镀敷时可以确实地保护被镀敷体的不镀敷部位,对带剥离工序进行加热,可以通过这样的简便方法来进行。此外,剥离工序中的基板的污染被减轻,制品的成品率提高。
此外,本实施方式中的上述带也可以适用于QFN(Quad Flat Non-LeadedPackage)用组装带等。
以上,参照附图对本发明的第1实施方式进行了说明,但它们是本发明的例示,也可以采用上述方式以外的各种构成。
[第2实施方式]
<粘接性树脂组合物>
本实施方式的粘接性树脂组合物包含上述通式(1)所示的梅尔德拉姆酸衍生物、和粘接性树脂。
(梅尔德拉姆酸衍生物)
在本实施方式中,梅尔德拉姆酸衍生物可以使用与第1实施方式同样的梅尔德拉姆酸衍生物。
另外,在本实施方式中,R1、R2、R3、R4、R1与R2互相结合而形成的环结构、和R3与R4互相结合而形成的环结构中的至少1个可以具有第1实施方式中例示那样的反应性官能团作为取代基。
作为在本实施方式中使用的梅尔德拉姆酸衍生物,可以使用具有可以产生二氧化碳气体等的结构的梅尔德拉姆酸衍生物。具体而言,可以举出以下的梅尔德拉姆酸衍生物。
1.R3、R4都为甲基的梅尔德拉姆酸衍生物
2.R3为甲基、R4为乙基的梅尔德拉姆酸衍生物
3.R3、R4都为乙基的梅尔德拉姆酸衍生物
4.具有R3与R4互相结合而形成的环戊基的梅尔德拉姆酸衍生物
1.R3、R4都为甲基的梅尔德拉姆酸衍生物
作为该梅尔德拉姆酸衍生物,可以举出2,2-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-乙基-2,2-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-苄基-2,2-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-苯基-2,2-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、2,2,5,5-四甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-乙基-2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-苄基-2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-苯基-2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、5,5-二乙基-2,2-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-苄基-5-乙基-2,2-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-苯基-5-乙基-2,2-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、5,5-二苄基-2,2-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-苯基-5-苄基-2,2-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮等。
2.R3为甲基、R4为乙基的梅尔德拉姆酸衍生物
作为该梅尔德拉姆酸衍生物,可以举出2-乙基-2-甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、2,5-二乙基-2-甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-苄基-2-乙基-2-甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-苯基-2-乙基-2-甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、2-乙基-2,5,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、2,5-二乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-苄基-2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、2-乙基-5-苯基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、2,5,5-三乙基-2-甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-苄基-2,5-二乙基-2-甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-苯基-2,5-二乙基-2-甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、5,5-二苄基-5-乙基-2-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-苯基-5-苄基-2-乙基-2-甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-(对苯乙烯基甲基)-2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮等。
3.R3、R4都为乙基的梅尔德拉姆酸衍生物
作为该梅尔德拉姆酸衍生物,可以举出2,2-二乙基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-甲基-2,2-二乙基-1,3-二烷-4,6-二酮、2,2,5-三乙基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-苄基-2,2-二乙基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-苯基-2,2-二乙基-1,3-二烷-4,6-二酮、5,5-二甲基-2,2-二乙基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-甲基-2,2,5-三乙基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-苄基-5-甲基-2,2-二乙基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-苯基-5-甲基-2,2-二乙基-1,3-二烷-4,6-二酮、2,2,5,5-四乙基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-苄基-2,2,5-三乙基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-苯基-2,2,5-三乙基-1,3-二烷-4,6-二酮、5,5-二苄基-2,2-二乙基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-苯基-5-苄基-2,2-二乙基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-(对苯乙烯基甲基)-2,2-二乙基-5-甲基-1,3-二烷-4,6-二酮等。
4.具有R3与R4互相结合而形成的环戊基的梅尔德拉姆酸衍生物
作为该梅尔德拉姆酸衍生物,可以举出螺-[4,5]-6,10-二氧杂癸烷-7,9-二酮、8-甲基-螺-[4,5]-6,10-二氧杂癸烷-7,9-二酮、8-乙基-螺-[4,5]-6,10-二氧杂癸烷-7,9-二酮、8-苄基-螺-[4,5]-6,10-二氧杂癸烷-7,9-二酮、8-苯基-螺-[4,5]-6,10-二氧杂癸烷-7,9-二酮、8,8-二甲基-螺-[4,5]-6,10-二氧杂癸烷-7,9-二酮、8-乙基-8-甲基-螺-[4,5]-6,10-二氧杂癸烷-7,9-二酮、8-苄基-8-甲基-螺-[4,5]-6,10-二氧杂癸烷-7,9-二酮、8-苯基-8-甲基-螺-[4,5]-6,10-二氧杂癸烷-7,9-二酮、8,8-二乙基-螺-[4,5]-6,10-二氧杂癸烷-7,9-二酮、8-苄基-8-乙基-螺-[4,5]-6,10-二氧杂癸烷-7,9-二酮、8-苯基-8-乙基-螺-[4,5]-6,10-二氧杂癸烷-7,9-二酮、8,8-二苄基-螺-[4,5]-6,10-二氧杂癸烷-7,9-二酮、8-苄基-8-苯基-螺-[4,5]-6,10-二氧杂癸烷-7,9-二酮、8-(对苯乙烯基甲基)-8-甲基-6,10-二氧杂螺[4,5]癸烷-7,9-二酮等。
在本实施方式中,上述梅尔德拉姆酸衍生物之中,优选使用2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、8-甲基-6,10-二氧杂螺[4,5]癸烷-7,9-二酮、2,2,5,5-四甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-苄基-2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、2-乙基-2,5,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、8,8-二甲基-6,10-二氧杂螺[4,5]癸烷-7,9-二酮、5-苄基-2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、8-苄基-8-甲基-6,10-二氧杂螺[4,5]癸烷-7,9-二酮。
(粘接性树脂)
粘接性树脂可以使用具有在低于剥离时的加热温度时保持粘接性、不发生熔化或分解等的耐热性的粘接性树脂。粘接性树脂由差示扫描量热分析(DSC)测定得到的玻璃化转变点为40℃以下,优选为30℃以下,在常温具有粘接性。例如,可以使用以往公知的压敏粘接剂(粘着材)等粘着物质。
作为压敏粘接剂,可以举出使用了天然橡胶、聚异丁烯橡胶、苯乙烯/丁二烯橡胶、苯乙烯/异戊二烯/苯乙烯嵌段共聚物橡胶、再生胶、丁基橡胶、聚异丁烯橡胶、NBR等橡胶系聚合物作为基础聚合物的橡胶系压敏粘接剂;有机硅系压敏粘接剂;氨基甲酸酯系压敏粘接剂;丙烯酸系压敏粘接剂等。母剂可以由1种、或2种以上的成分构成。特别优选为丙烯酸系压敏粘接剂。
作为丙烯酸系压敏粘接剂,可举出将使用了以(甲基)丙烯酸烷基酯的1种或2种以上作为单体成分的丙烯酸系聚合物(均聚物或共聚物)作为基础聚合物的丙烯酸系粘着材。作为上述丙烯酸系压敏粘接剂中的(甲基)丙烯酸烷基酯,可以举出例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等(甲基)丙烯酸C1-20烷基酯。优选为(甲基)丙烯酸C4-18烷基(直链状或支链状的烷基)酯。
另外,上述丙烯酸系压敏粘接剂,以凝集力、耐热性、交联性等的改性为目的,根据需要,可以包含与能够与上述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其它单体成分对应的单元。作为这样的单体成分,可举出例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含有羧基的单体;马来酸酐、衣康酸酐等含有酸酐基的单体;(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯、(甲基)丙烯酸羟基丁酯、(甲基)丙烯酸羟基己酯、(甲基)丙烯酸羟基辛酯、(甲基)丙烯酸羟基癸酯、(甲基)丙烯酸羟基月桂基酯、(4-羟基甲基环己基)甲基甲基丙烯酸酯等含有羟基的单体;苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙烷磺酸、磺基丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含有磺酸基的单体;2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等含有磷酸基的单体;(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N,N-二乙基(甲基)丙烯酰胺、N-异丙基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺等(N-取代)酰胺系单体;(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯等(甲基)丙烯酸氨基烷基酯系单体;(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系单体;N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺等马来酰亚胺系单体;N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺、N-月桂基衣康酰亚胺等衣康酰亚胺系单体;N-(甲基)丙烯酰氧基亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧基六亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-8-氧基八亚甲基琥珀酰亚胺等琥珀酰亚胺系单体;乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯基酯类;N-乙烯基-2-吡咯烷酮、N-甲基乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基吡嗪、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基唑、N-(甲基)丙烯酰基-2-吡咯烷酮、N-(甲基)丙烯酰基哌啶、N-(甲基)丙烯酰基吡咯烷、N-乙烯基吗啉等含有氮的杂环系单体;N-乙烯基羧酸酰胺类;苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯系单体;N-乙烯基己内酰胺等内酰胺系单体;丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯单体;(甲基)丙烯酸缩水甘油基酯等含有环氧基的丙烯酸系单体;(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇系丙烯酸酯单体;(甲基)丙烯酸四氢糠基酯、氟(甲基)丙烯酸酯、有机硅(甲基)丙烯酸酯等具有杂环、卤原子、硅原子等的丙烯酸酯系单体;己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、丁基二(甲基)丙烯酸酯、己基二(甲基)丙烯酸酯等多官能单体;异戊二烯、丁二烯、异丁烯等烯烃系单体;甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚等乙烯基醚系单体等。这些单体成分可以使用1种或2种以上。
丙烯酸系压敏粘接剂的制造可以酌情选择溶液聚合、本体聚合、乳液聚合和各种自由基聚合等公知的制造方法。此外,所得的粘接性树脂可以为无规共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物等中的任一种。
另外,在自由基聚合中的溶液聚合中,作为聚合溶剂,可使用例如乙酸乙酯、甲苯等。作为具体的溶液聚合例,反应在氮气等非活性气体气流下进行,作为聚合引发剂,例如相对于单体全部量100重量份加入偶氮二异丁腈0.01~0.2重量份,通常在50~100℃左右进行8~30小时左右。
自由基聚合所用的聚合引发剂、链转移剂、乳化剂等没有特别限定,可以酌情选择使用。
作为聚合引发剂,可以举出例如2,2’-偶氮二异丁腈、2,2’-偶氮二(2-脒基丙烷)二盐酸盐、2,2’-偶氮二[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]二盐酸盐、2,2’-偶氮二(2-甲基丙脒)二硫酸盐、2,2’-偶氮二(N,N’-二亚甲基异丁基脒)、2,2’-偶氮二[N-(2-羧基乙基)-2-甲基丙脒]水合物(和光纯药工业(株)制,VA-057)等偶氮系引发剂、过硫酸钾、过硫酸铵等过硫酸盐、二(2-乙基己基)过氧化二碳酸酯、二(4-叔丁基环己基)过氧化二碳酸酯、二-仲丁基过氧化二碳酸酯、叔丁基过氧化新癸酸酯、叔己基过氧化新戊酸酯、叔丁基过氧化新戊酸酯、过氧化二月桂酰、过氧化二正辛酰、1,1,3,3-四甲基丁基过氧化-2-乙基己酸酯、过氧化二(4-甲基苯甲酰)、过氧化二苯甲酰、叔丁基过氧化异丁酸酯、1,1-二(叔己基过氧化)环己烷、叔丁基过氧化氢、过氧化氢等过氧化物系引发剂、过硫酸盐与亚硫酸氢钠的组合、过氧化物与抗坏血酸钠的组合等组合了过氧化物与还原剂的氧化还原系引发剂等,但不限定于此。
此外,在作为聚合引发剂使用了有机过氧化物的情况下,也能够将不使用于聚合反应而残存的有机过氧化物使用于交联反应,在该情况下可以定量残存量,根据需要再添加,成为规定的有机过氧化物量而使用。
上述聚合引发剂可以单独使用,此外也可以混合2种以上而使用,作为整体的含量相对于单体100重量份优选为0.005~1重量份左右,更优选为0.02~0.6重量份左右。
此外,在聚合中可以使用链转移剂。通过使用链转移剂,可以适当调整粘接性树脂的分子量。
作为链转移剂,可举出例如月桂基硫醇、缩水甘油基硫醇、巯基乙酸、2-巯基乙醇、巯基乙酸、硫代乙醇酸2-乙基己酯、2,3-二巯基-1-丙醇等。
这些链转移剂可以单独使用,此外也可以混合2种以上而使用,作为整体的含量相对于单体100重量份为0.01~0.4重量份左右。
此外,作为在进行乳液聚合的情况下使用的乳化剂,可举出例如月桂基硫酸钠、月桂基硫酸铵、十二烷基苯磺酸钠、聚氧乙烯烷基醚硫酸铵、聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸钠等阴离子系乳化剂、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基苯基醚、聚氧乙烯脂肪酸酯、聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段聚合物等非离子系乳化剂等。这些乳化剂可以单独使用,也可以并用2种以上。
此外,作为反应性乳化剂,作为导入有丙烯基、烯丙基醚基等自由基聚合性官能团的乳化剂,具体而言,有例如Aqualon HS-10、HS-20、KH-10、BC-05、BC-10、BC-20(以上,均为第一工业制药(株)制)、Adekaria Soap SE10N((株)ADEKA制)等。反应性乳化剂由于在聚合后被引入到聚合物链中,因此耐水性变好,因此优选。乳化剂的使用量相对于单体100重量份为0.3~5重量份,从聚合稳定性、机械稳定性考虑,更优选为0.5~1重量份。
可以使用通过剥离时的加热而进行粘接性树脂本身的交联反应,粘接性能降低的粘接性树脂。在该情况下,需要考虑在低于剥离时的温度时粘接性不降低的情况。
(其它成分)
本实施方式的粘接性树脂组合物,作为其它成分,可以使用与第1实施方式同样的成分。
(粘接性树脂组合物的制造方法)
粘接性树脂组合物通过将上述的粘接性树脂和根据其用途的其它成分和梅尔德拉姆酸衍生物通过现有的方法进行混合来获得。关于混合方法,可以使用采用槽搅拌的混合、采用混炼机的混合等。
(粘接性树脂组合物)
在通过上述的制造方法而获得的粘接性树脂组合物中,梅尔德拉姆酸衍生物可以以相对于粘接性树脂100重量份为0.1~50重量份、优选为0.5~40重量份、更优选为1重量份~30重量份的量包含。如果发泡剂(梅尔德拉姆酸衍生物)的添加量比该范围少,则产生的二氧化碳气体的产生量少,作为发泡剂的效果难以获得,因此剥离效果小。另一方面,如果发泡剂的添加量比该范围多,则成为剥离被粘物后在该被粘物残留剥离层的一部分的、所谓“糊料残留”的原因。即,如果梅尔德拉姆酸衍生物以上述范围被包含,则可以获得剥离效果优异、糊料残留被抑制的粘接性树脂组合物。
<叠层体、自剥离方法、用途>
图1所示的本实施方式的叠层体10使用了包含本实施方式的粘接性树脂组合物的剥离层14,除此以外,具有与第1实施方式同样的结构。
本实施方式的自剥离方法使用上述的叠层体10,除此以外,可以与第1实施方式同样地进行。
本实施方式的粘接性树脂组合物、叠层体10可以适用于与第1实施方式同样的用途。
以上,参照附图对本发明的第2实施方式进行了说明,但它们是本发明的例示,也可以采用上述方式以外的各种构成。
实施例
以下,通过第1实施例、第2实施例更具体地说明本发明,但本发明的范围不限定于这些实施例等。
[第1实施例]
(制造例A1)
在500mL4口烧瓶中装入甲基丙二酸(东京化成工业(株)制)100g和乙酸酐100g。继续装入98%硫酸0.5g后,用滴液漏斗经1小时滴加甲基乙基酮75g。在室温搅拌24小时后,加入乙酸乙酯200g和蒸馏水300g,用分液漏斗进行有机层的萃取。将所得的有机层用蒸发器蒸馏除去溶剂,从而获得了2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮75g。测定H1NMR(300MHz),结果获得了以下那样的峰。δ=1.04-1.12(m,3H),1.57-1.61(m,3H),1.71(s,1.12H),1.77(s,1.92H),1.95-2.16(m,2H),3.53-5.65(m,1H)
(制造例A2)
将制造例A1的甲基乙基酮75g变更为环戊酮80g,除此以外,如制造例A1那样实施,从而获得了8-甲基-6,10-二氧杂螺[4,5]癸烷-7,9-二酮80g。测定H1NMR(300MHz),结果获得了以下那样的峰。δ=1.53(d,5.4Hz,3H),1.84-1.97(m,4H),2.21-2.27(m,4H),3.63(q,5.4Hz,1H)
(制造例A3)
在500mL4口烧瓶中装入2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮(东京化成工业(株)制)100g和二甲基甲酰胺100g。继续装入碳酸钾95g后,用滴液漏斗经1小时滴加4-氯甲基苯乙烯97g。在40度搅拌24小时后,加入乙酸乙酯400g并用吸滤器(Nutsche)过滤分离生成的固体。使用蒸馏水300mL,用分液漏斗进行2次洗涤后,用蒸发器蒸馏除去溶剂,从而获得了5-(对苯乙烯基甲基)-2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮150g。测定H1NMR(300MHz),结果获得了以下那样的峰。δ=0.97(s,3H),1.60(s,3H),1.75(s,3H),3.31(s,2H),5.22(d,12.0Hz,1H),5.70(d,19.5Hz,1H),6.65(dd,12.0,19.5Hz,1H),7.13(d,9.0Hz,2H),7.31(d,9.0Hz,2H)
(制造例A4)
将2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮100g变更为由制造例A1合成的2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮92g,除此以外,依照制造例A3实施,从而获得了5-(对苯乙烯基甲基)-2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮132g。测定H1NMR(300MHz),结果获得了以下那样的峰。δ=0.43(t,8.1Hz,1.6H),0.83(s,1.3H),0.94(t,8.1Hz,1.4H),1.27(q,8.1Hz,1.2H),1.57(s,1.7H),1.75(s,3H),1.80(q,8.1Hz,0.8H),3.31(s,2H),5.22(d,12.0Hz,1H),5.70(d,19.5Hz,1H),6.65(dd,12.0,19.5Hz,1H),7.16(d,9.0Hz,2H),7.31(d,9.0Hz,2H)
(制造例A5)
将2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮100g变更为由制造例A2合成的8-甲基-6,10-二氧杂螺[4,5]癸烷-7,9-二酮85g,除此以外,依照制造例A3实施,从而获得了8-(对苯乙烯基甲基)-8-甲基-6,10-二氧杂螺[4,5]癸烷-7,9-二酮125g。测定H1NMR(300MHz),结果获得了以下那样的峰。δ=1.28-1.38(m,2H),1.56-1.82(m,4H),1.74(s,3H),2.00-2.05(m,2H),3.32(s,2H),5.22(d,12.0Hz,1H),5.70(d,12.0Hz,1H),6.66(dd,12.0,19.5Hz,1H),7.13(d,9.0Hz,2H),7.31(d,9.0Hz,2H)
(制造例A6)
将制造例A1的甲基乙基酮75g变更为二乙基酮80g,除此以外,如制造例A1那样实施,从而获得了2,2-二乙基-5-甲基-1,3-二烷-4,6-二酮80g。测定H1NMR(300MHz),结果获得了以下那样的峰。δ=1.04(q,8.1Hz,6H),1.58(d,7.8Hz,3H),1.96(s,8.1Hz,2H),2.05(s,8.1Hz,2H),3.57(q,5.4Hz,1H)
(制造例A7)
将2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮100g变更为由制造例A1合成的2,2-二乙基-5-甲基-1,3-二烷-4,6-二酮85g,除此以外,依照制造例A3实施,从而获得了5-(对苯乙烯基甲基)-2,2-二乙基-5-甲基-1,3-二烷-4,6-二酮132g。测定H1NMR(300MHz),结果获得了以下那样的峰。δ=0.40(t,8.1Hz,3H),0.94(t,8.1Hz,3H),1.14(q,8.1Hz,2H),1.70(s,3H),1.80(q,8.1Hz,2H),3.31(s,2H),5.22(d,12.0Hz,1H),5.70(d,19.5Hz,1H),6.65(dd,12.0,19.5Hz,1H),7.13(d,9.0Hz,2H),7.30(d,9.0Hz,2H)
(制造例A8)
在500mL的4口烧瓶中,加入丙烯酸丁酯20g、丙烯酸2-乙基己酯55g、甲基丙烯酸甲酯15g、甲基丙烯酸羟基乙酯10g和乙酸乙酯100g,在室温混合。进而,加入2,2’-偶氮二戊腈0.2g,升温至75度后,继续搅拌10小时。加入二月桂酸二丁基锡0.1g、甲基丙烯酸2-异氰酸酯基乙酯5g,在75度进一步搅拌10小时,从而获得了分子量30万的丙烯酸系粘着材L。通过差示扫描量热分析((株)岛津制作所制,DSC-60)测定玻璃化转变点,结果为-40℃。
(实施例A1)
在500mL的4口烧瓶中,加入由制造例A3合成的5-(对苯乙烯基甲基)-2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮15g、丙烯酸丁酯20g、丙烯酸2-乙基己酯63g、甲基丙烯酸2g和乙酸乙酯100g,在室温混合。进而,加入2,2’-偶氮二戊腈0.2g,升温至75度后,继续搅拌10小时,从而获得了分子量30万的丙烯酸系粘着材A。通过差示扫描量热分析((株)岛津制作所制,DSC-60)来测定玻璃化转变点,结果为14℃。
加入所得的丙烯酸系粘着材A100重量份和环氧化合物(三菱gas化学(株)制,TETRAD-C)2重量份和乙酸乙酯50重量份,制成粘着材组合物(粘接性树脂组合物)。
将所得的粘着材组合物,使用敷料机以干燥皮膜的厚度成为20μm的厚度的方式涂覆在表面进行了脱模处理的PET上后,在120℃加热5分钟而使涂覆溶液干燥。接着,贴附在PET膜上,在60℃养护1天,从而制成粘着带。从表面进行了脱模处理的PET侧剥离所得的膜,用辊贴附于进行了镜面精加工的SUS板后,放置1小时。在180度的电热板上进行了3分钟加热,从电热板取出后,立即剥离带,按照以下的基准确认剥离性和糊料残留。将结果示于表1中。
(剥离性)
在将带进行真空吸附后,垂直地抬起带并进行剥离,结果,将剥离了的情况设为○,将未剥离的情况设为×。
(糊料残留)
在剥离后通过目视对SUS板进行判定。将只要观察到少量糊料残留的情况设为×。
(实施例A2)
将5-(对苯乙烯基甲基)-2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮15g变更为由制造例A4合成的5-(对苯乙烯基甲基)-2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮,除此以外,如实施例A1那样进行,获得了分子量30万的丙烯酸系粘着材B。通过差示扫描量热分析((株)岛津制作所制,DSC-60)来测定玻璃化转变点,结果为13℃。
加入所得的丙烯酸系粘着材B100重量份和环氧化合物(三菱gas化学(株)制,TETRAD-C)2重量份和乙酸乙酯50重量份而制成粘着材组合物。
将所得的粘着材组合物,使用敷料机以干燥皮膜的厚度成为20μm的厚度的方式涂覆在表面进行了脱模处理的PET上后,在120℃加热5分钟而使涂覆溶液干燥。接着,贴附在PET膜上,在60℃养护1天,从而制成粘着带。从表面进行了脱模处理的PET侧剥离所得的膜,用辊贴附于进行了镜面精加工的SUS板后,放置1小时。在180度的电热板上进行了3分钟加热,确认发泡性。从电热板取出后,剥离带,确认剥离性和糊料残留。将结果示于表1中。
(实施例A3)
将5-(对苯乙烯基甲基)-2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮15g变更为由制造例A5合成的8-(对苯乙烯基甲基)-8-甲基-6,10-二氧杂螺[4,5]癸烷-7,9-二酮,除此以外,如实施例A1那样进行,获得了分子量30万的丙烯酸系粘着材C。通过差示扫描量热分析((株)岛津制作所制,DSC-60)来测定玻璃化转变点,结果为11℃。
加入所得的丙烯酸系粘着材C100重量份和环氧化合物(三菱gas化学(株)制,TETRAD-C)2重量份和乙酸乙酯50重量份而制成粘着材组合物。将所得的粘着材组合物,使用敷料机以干燥皮膜的厚度成为20μm的厚度的方式涂覆在表面进行了脱模处理的PET上后,在120℃加热5分钟而使涂覆溶液干燥。接着,贴附在PET膜上,在60℃养护1天,从而制成粘着带。从表面进行了脱模处理的PET侧剥离所得的膜,用辊贴附于进行了镜面精加工的SUS板后,放置1小时。在180度的电热板上进行了3分钟加热,确认发泡性。从电热板取出后,剥离带,确认剥离性和糊料残留。将结果示于表1中。
(比较例A1)
在500mL的4口烧瓶中,加入丙烯酸丁酯80g、丙烯酸乙酯15g、甲基丙烯酸5g和乙酸乙酯100g,在室温混合。进而,加入2,2’-偶氮二戊腈0.2g,升温至75度后,继续搅拌10小时,从而获得了分子量40万的丙烯酸系粘着材D。通过差示扫描量热分析((株)岛津制作所制,DSC-60)来测定玻璃化转变点,结果为-40℃。
加入所得的丙烯酸系粘着材D100重量份和环氧化合物(三菱gas化学(株)制,TETRAD-C)2重量份、2,2’-偶氮二-(N-丁基-2-甲基丙酰胺)25重量份和乙酸乙酯50重量份而制成粘着材组合物。将所得的粘着材组合物,使用敷料机以干燥皮膜的厚度成为20μm的厚度的方式涂覆在表面进行了脱模处理的PET上后,在100℃加热2分钟而使涂覆溶液干燥。接着,贴附在PET膜上,在40℃养护3天,从而制成粘着带。从表面进行了脱模处理的PET侧剥离所得的膜,用辊贴附于进行了镜面精加工的SUS板后,放置1小时。在180度的电热板上进行了3分钟加热。从电热板取出后,立即剥离带,确认剥离性和糊料残留。将结果示于表1中。
(比较例A2)
加入由比较例A1获得的丙烯酸系粘着材D100重量份和环氧化合物(三菱gas化学(株)制,TETRAD-C)2重量份、Matsumoto Microsphere FN-180(松本油脂制药(株)制,热膨胀性微囊)25重量份和乙酸乙酯50重量份而制成粘着材组合物。将所得的粘着材组合物,使用敷料机以干燥皮膜的厚度成为20μm的厚度的方式涂覆在表面进行了脱模处理的PET上后,在100℃加热2分钟而使涂覆溶液干燥。接着,贴附在PET膜上,在40℃养护3天,从而制成粘着带。从表面进行了脱模处理的PET侧剥离所得的膜,用辊贴附于进行了镜面精加工的SUS板后,放置1小时。在180度的电热板上进行了3分钟加热。从电热板取出后,立即剥离带,确认剥离性和糊料残留。将结果示于表1中。
[表1]
表1
剥离性 糊料残留
实施例A1
实施例A2
实施例A3
比较例A1 ×
比较例A2 ×
(实施例A4)
加入由实施例A1获得的丙烯酸系粘着材A100重量份和环氧化合物(三菱gas化学(株)制,TETRAD-C)2重量份和乙酸乙酯50重量份而制成粘着材组合物。将所得的粘着材组合物,使用敷料机以干燥皮膜的厚度成为20μm的厚度的方式涂覆在表面进行了脱模处理的PET上后,在120℃加热5分钟而使涂覆溶液干燥。接着,贴附在PET膜上,在60℃养护1天,从而制成粘着带。从表面进行了脱模处理的PET侧剥离所得的膜,用辊贴附于进行了镜面处理的硅片后,放置1小时。在180度的电热板上进行了3分钟加热,从电热板取出后,立即剥离带,为了进行污染性评价,进行ESCA(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)测定(测定设备:VG社ESCALAB200iXL,X射线源:AlKα,分析区域:φ150μm),测定了硅片表面的碳的存在量。另外,关于评价,使用了碳与硅的原子%的比率(C/Si)。将结果示于表2中。
(比较例A3)
加入由比较例A1获得的丙烯酸系粘着材D100重量份和环氧化合物(三菱gas化学社制,TETRAD-C)2重量份、2,2-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮(Wako Chemical社制)25重量份和乙酸乙酯50重量份而制成粘着材组合物。将所得的粘着材组合物,使用敷料机以干燥皮膜的厚度成为20μm的厚度的方式涂覆在表面进行了脱模处理的PET上后,在100℃加热2分钟而使涂覆溶液干燥。接着,贴附在PET膜上,在40℃养护3天,从而制成粘着带。从表面进行了脱模处理的PET侧剥离所得的膜,用辊贴附进行了镜面精加工的硅片后,放置1小时。在180度的电热板上进行了3分钟加热,从电热板取出后,立即剥离带,与实施例A3同样地,进行了ESCA测定。将结果示于表2中。
[表2]
表2
实施例A4和比较例A3中,实施例A4的硅片表面的碳量少。因此,可知实施例A4的附着于硅片上的有机物比比较例A3少,即,污染量少。硅片表面的碳与硅的原子%的比率(C/Si)优选为10以下,更优选为6以下,进一步优选为1以下。
(实施例A5)
将5-(对苯乙烯基甲基)-2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮15g变更为由制造例A7合成的5-(对苯乙烯基甲基)-2,2-二乙基-5-甲基-1,3-二烷-4,6-二酮,除此以外,如实施例A1那样进行,获得了分子量30万的丙烯酸系粘着材K。通过差示扫描量热分析((株)岛津制作所制,DSC-60)来测定玻璃化转变点,结果为12℃。
加入所得的丙烯酸系粘着材K100重量份和环氧化合物(三菱gas化学(株)制,TETRAD-C)2重量份和乙酸乙酯50重量份而制成粘着材组合物。
将所得的粘着材组合物,使用敷料机以干燥皮膜的厚度成为20μm的厚度的方式涂覆在表面进行了脱模处理的PET上后,在120℃加热5分钟而使涂覆溶液干燥。接着,贴附在PET膜上,在60℃养护1天,从而制成粘着带。从表面进行了脱模处理的PET侧剥离所得的膜,用辊贴附于进行了镜面精加工的SUS板后,放置1小时。在180度的电热板上进行了3分钟加热,确认发泡性。从电热板取出后,剥离带,确认剥离性和糊料残留。将结果示于表3中。
(实施例A6)
在500mL的4口烧瓶中,加入由制造例A3合成的5-(对苯乙烯基甲基)-2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮10g、丙烯酸丁酯20g、丙烯酸2-乙基己酯68g、甲基丙烯酸2g和乙酸乙酯100g,在室温混合。进而,加入2,2’-偶氮二戊腈0.2g,升温至75度后,继续搅拌10小时,从而获得了分子量30万的丙烯酸系粘着材E。通过差示扫描量热分析((株)岛津制作所制,DSC-60)来测定玻璃化转变点,结果为-4℃。
加入所得的丙烯酸系粘着材E100重量份和环氧化合物(三菱gas化学(株)制,TETRAD-C)2重量份和乙酸乙酯50重量份而制成粘着材组合物。
将所得的粘着材组合物,使用敷料机以干燥皮膜的厚度成为20μm的厚度的方式涂覆在表面进行了脱模处理的PET上后,在120℃加热5分钟而使涂覆溶液干燥。接着,贴附在PET膜上,在60℃养护1天,从而制成粘着带。从表面进行了脱模处理的PET侧剥离所得的膜,用辊贴附于进行了镜面精加工的SUS板后,放置1小时。在180度的电热板上进行了3分钟加热,从电热板取出后,立即剥离带,按照以下的基准确认剥离性和糊料残留。将结果示于表3中。
(实施例A7)
将5-(对苯乙烯基甲基)-2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮10g变更为由制造例A4合成的5-(对苯乙烯基甲基)-2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮,除此以外,如实施例A6那样进行,获得了分子量30万的丙烯酸系粘着材F。通过差示扫描量热分析((株)岛津制作所制,DSC-60)来测定玻璃化转变点,结果为-5℃。
加入所得的丙烯酸系粘着材F100重量份和环氧化合物(三菱gas化学(株)制,TETRAD-C)2重量份和乙酸乙酯50重量份而制成粘着材组合物。
将所得的粘着材组合物,使用敷料机以干燥皮膜的厚度成为20μm的厚度的方式涂覆在表面进行了脱模处理的PET上后,在120℃加热5分钟而使涂覆溶液干燥。接着,贴附在PET膜上,在60℃养护1天,从而制成粘着带。从表面进行了脱模处理的PET侧剥离所得的膜,用辊贴附于进行了镜面精加工的SUS板后,放置1小时。在180度的电热板上进行了3分钟加热,确认发泡性。从电热板取出后,剥离带,确认剥离性和糊料残留。将结果示于表3中。
(实施例A8)
在500mL的4口烧瓶中,加入由制造例A3合成的5-(对苯乙烯基甲基)-2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮18g、丙烯酸丁酯20g、丙烯酸2-乙基己酯60g、甲基丙烯酸2g和乙酸乙酯100g,在室温混合。进而,加入2,2’-偶氮二戊腈0.2g,升温至75度后,继续搅拌10小时,从而获得了分子量20万的丙烯酸系粘着材G。通过差示扫描量热分析((株)岛津制作所制,DSC-60)来测定玻璃化转变点,结果为20℃。
加入所得的丙烯酸系粘着材G100重量份和环氧化合物(三菱gas化学(株)制,TETRAD-C)2重量份和乙酸乙酯50重量份而制成粘着材组合物。
将所得的粘着材组合物,使用敷料机以干燥皮膜的厚度成为20μm的厚度的方式涂覆在表面进行了脱模处理的PET上后,在120℃加热5分钟而使涂覆溶液干燥。接着,贴附在PET膜上,在60℃养护1天,从而制成粘着带。从表面进行了脱模处理的PET侧剥离所得的膜,用辊贴附于进行了镜面精加工的SUS板后,放置1小时。在180度的电热板上进行了3分钟加热,从电热板取出后,立即剥离带,按照以下的基准确认剥离性和糊料残留。将结果示于表3中。
(实施例A9)
将5-(对苯乙烯基甲基)-2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮18g变更为由制造例A4合成的5-(对苯乙烯基甲基)-2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮,除此以外,如实施例A8那样进行,获得了分子量26万的丙烯酸系粘着材H。通过差示扫描量热分析((株)岛津制作所制,DSC-60)来测定玻璃化转变点,结果为19℃。
加入所得的丙烯酸系粘着材H100重量份和环氧化合物(三菱gas化学(株)制,TETRAD-C)2重量份和乙酸乙酯50重量份而制成粘着材组合物。
将所得的粘着材组合物,使用敷料机以干燥皮膜的厚度成为20μm的厚度的方式涂覆在表面进行了脱模处理的PET上后,在120℃加热5分钟而使涂覆溶液干燥。接着,贴附在PET膜上,在60℃养护1天,从而制成粘着带。从表面进行了脱模处理的PET侧剥离所得的膜,用辊贴附于进行了镜面精加工的SUS板后,放置1小时。在180度的电热板上进行了3分钟加热,确认发泡性。从电热板取出后,剥离带,确认剥离性和糊料残留。将结果示于表3中。
(实施例A10)
在500mL的4口烧瓶中,加入由制造例A3合成的5-(对苯乙烯基甲基)-2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮15g、丙烯酸丁酯20g、丙烯酸2-乙基己酯61g、甲基丙烯酸2-羟基乙酯1g、甲基丙烯酸2g和乙酸乙酯100g,在室温混合。进而,加入2,2’-偶氮二戊腈0.2g,升温至75度后,继续搅拌10小时,从而获得了分子量25万的丙烯酸系粘着材I。通过差示扫描量热分析((株)岛津制作所制,DSC-60)来测定玻璃化转变点,结果为15℃。
加入所得的丙烯酸系粘着材I100重量份和环氧化合物(三菱gas化学(株)制,TETRAD-C)2重量份和乙酸乙酯50重量份而制成粘着材组合物。
将所得的粘着材组合物,使用敷料机以干燥皮膜的厚度成为20μm的厚度的方式涂覆在表面进行了脱模处理的PET上后,在120℃加热5分钟而使涂覆溶液干燥。接着,贴附在PET膜上,在60℃养护1天,从而制成粘着带。从表面进行了脱模处理的PET侧剥离所得的膜,用辊贴附于进行了镜面精加工的SUS板后,放置1小时。在180度的电热板上进行了3分钟加热,从电热板取出后,立即剥离带,按照以下的基准确认剥离性和糊料残留。将结果示于表3中。
(实施例A11)
将5-(对苯乙烯基甲基)-2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮15g变更为由制造例A4合成的5-(对苯乙烯基甲基)-2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮,除此以外,如实施例A10那样进行,获得了分子量26万的丙烯酸系粘着材J。通过差示扫描量热分析((株)岛津制作所制,DSC-60)来测定玻璃化转变点,结果为-4℃。
加入所得的丙烯酸系粘着材J100重量份和环氧化合物(三菱gas化学(株)制,TETRAD-C)2重量份和乙酸乙酯50重量份而制成粘着材组合物。
将所得的粘着材组合物,使用敷料机以干燥皮膜的厚度成为20μm的厚度的方式涂覆在表面进行了脱模处理的PET上后,在120℃加热5分钟而使涂覆溶液干燥。接着,贴附在PET膜上,在60℃养护1天,从而制成粘着带。从表面进行了脱模处理的PET侧剥离所得的膜,用辊贴附于进行了镜面精加工的SUS板后,放置1小时。在180度的电热板上进行了3分钟加热,确认发泡性。从电热板取出后,剥离带,确认剥离性和糊料残留。将结果示于表3中。
(实施例A12)
加入由制造例A8获得的丙烯酸系粘着材L100重量份和由制造例A3合成的5-(对苯乙烯基甲基)-2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮10重量份,Irgacure369(BASF社制)1重量份、环氧化合物(三菱gas化学(株)制,TETRAD-C)1重量份和乙酸乙酯50重量份而获得了粘着材组合物。
将所得的粘着材组合物,使用敷料机以干燥皮膜的厚度成为20μm的厚度的方式涂覆在表面进行了脱模处理的PET上后,在120℃加热5分钟而使涂覆溶液干燥。接着,贴附在PET膜上,利用UV照射机进行UV照射(1400mJ),进行了化学结合后,进一步在60℃养护1天,从而制成粘着带。从表面进行了脱模处理的PET侧剥离所得的膜,用辊贴附于进行了镜面精加工的SUS板后,放置1小时。在180度的电热板上进行了3分钟加热,从电热板取出后,立即剥离带,按照以下的基准确认剥离性和糊料残留。将结果示于表3中。
(实施例A13)
将5-(对苯乙烯基甲基)-2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮10重量份变更为15重量份,除此以外,如实施例A12那样进行,制成粘着材组合物。
将所得的粘着材组合物,使用敷料机以干燥皮膜的厚度成为20μm的厚度的方式涂覆在表面进行了脱模处理的PET上后,在120℃加热5分钟而使涂覆溶液干燥。接着,贴附在PET膜上,利用UV照射机进行UV照射(1400mJ),进而在60℃养护1天,从而制成粘着带。从表面进行了脱模处理的PET侧剥离所得的膜,用辊贴附于进行了镜面精加工的SUS板后,放置1小时。在180度的电热板上进行了3分钟加热,从电热板取出后,立即剥离带,按照以下的基准确认剥离性和糊料残留。将结果示于表3中。
[表3]
表3
剥离性 糊料残留
实施例A5
实施例A6
实施例A7
实施例A8
实施例A9
实施例A10
实施例A11
实施例A12
实施例A13
[第2实施例]
(制造例B1)
在500mL4口烧瓶中装入甲基丙二酸(东京化成工业(株)制)100g和乙酸酐100g。继续装入98%硫酸0.5g后,用滴液漏斗经1小时滴加甲基乙基酮75g。在室温搅拌24小时后,加入乙酸乙酯200g和蒸馏水300g,用分液漏斗进行有机层的萃取。将所得的有机层用蒸发器蒸馏除去溶剂,获得了2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮75g。测定H1NMR(300MHz),结果获得了以下那样的峰。δ=1.04-1.12(m,3H),1.57-1.61(m,3H),1.71(s,1.12H),1.77(s,1.92H),1.95-2.16(m,2H),3.53-5.65(m,1H)
(制造例B2)
将制造例B1的甲基乙基酮75g变更为环戊酮80g,除此以外,如制造例B1那样实施,从而获得了8-甲基-6,10-二氧杂螺[4,5]癸烷-7,9-二酮80g。测定H1NMR(300MHz),结果获得了以下那样的峰。δ=1.53(d,5.4Hz,3H),1.84-1.97(m,4H),2.21-2.27(m,4H),3.63(q,5.4Hz,1H)
(制造例B3)
在500mL4口烧瓶中装入2,2-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮(东京化成工业株式会社制)100g和二甲基甲酰胺100g。继续装入碳酸钾200g后,用滴液漏斗经1小时滴加碘代甲烷197g。在40度搅拌12小时后,加入乙酸乙酯300g并用吸滤器过滤分离生成的固体。使用蒸馏水300mL,用分液漏斗进行2次洗涤后,用蒸发器蒸馏除去溶剂,从而获得了2,2,5,5-四甲基-1,3-二烷-4,6-二酮114.8g。测定H1NMR(300MHz),结果获得了以下那样的峰。δ=1.65(s,3H),1.76(s,3H)
(制造例B4)
在500mL4口烧瓶中装入2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮(东京化成工业(株)制)100g和二甲基甲酰胺100g。继续装入碳酸钾100g后,用滴液漏斗经1小时滴加溴化苄108g。在40度搅拌12小时后,加入乙酸乙酯300g并用吸滤器过滤分离生成的固体。使用蒸馏水300mL,用分液漏斗进行2次洗涤后,用蒸发器蒸馏除去溶剂,从而获得了5-苄基-2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮145g。测定H1NMR(300MHz),结果获得了以下那样的峰。δ=0.97(s,3H),1.60(s,3H),1.75(s,3H),3.31(s,2H),6.80-7.42(m,5H)
(制造例B5)
在500mL4口烧瓶中装入由制造例B1合成的2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮100g和二甲基甲酰胺100g。继续装入碳酸钾100g后,用滴液漏斗经1小时滴加碘代甲烷81.5g。在40度搅拌12小时后,加入乙酸乙酯300g用吸滤器过滤分离生成的固体。使用蒸馏水300mL,用分液漏斗进行2次洗涤后,用蒸发器蒸馏除去溶剂,从而获得了2-乙基-2,5,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮130g。测定H1NMR(300MHz),结果获得了以下那样的峰。δ=1.15(t,8.1Hz,3H),1.65(s,6H),2.00(q,8.1Hz,2H)
(制造例B6)
将2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮100g变更为8-甲基-6,10-二氧杂螺[4,5]癸烷-7,9-二酮93.5g,除此以外,如制造例B5那样实施,从而获得了8,8-二甲基-6,10-二氧杂螺[4,5]癸烷-7,9-二酮80g。测定H1NMR(300MHz),结果获得了以下那样的峰。δ=1.50(s,6H),1.84-1.97(m,4H),2.21-2.27(m,4H)
(制造例B7)
在500mL4口烧瓶中装入由制造例B1合成的2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮100g和二甲基甲酰胺100g。
继续装入碳酸钾100g后,用滴液漏斗经1小时滴加溴化苄108g。在40度搅拌12小时后,加入乙酸乙酯300g并用吸滤器过滤分离生成的固体。使用蒸馏水300mL,用分液漏斗进行2次洗涤后,用蒸发器蒸馏除去溶剂,从而获得了5-苄基-2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮140g。测定H1NMR(300MHz),结果获得了以下那样的峰。δ=0.40(t,8.1Hz,3H),0.94(t,8.1Hz,3H),1.14(q,8.1Hz,2H),1.74(s,H),1.81(q,8.1Hz,2H),3.31(s,2H),6.80-7.42(m,5H)
(制造例B8)
将2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮100g变更为8-甲基-6,10-二氧杂螺[4,5]癸烷-7,9-二酮93.5g,除此以外,如制造例B7那样实施,从而获得了8-苄基-8-甲基-6,10-二氧杂螺[4,5]癸烷-7,9-二酮140g。测定H1NMR(300MHz),结果获得了以下那样的峰。δ=1.28-1.38(m,2H),1.56-1.82(m,4H),1.74(s,3H),2.00-2.05(m,2H),3.32(s,2H),6.80-7.42(m,5H)
(制造例B9)
将制造例B1的甲基乙基酮75g变更为二乙基酮80g,除此以外,如制造例B1那样实施,从而获得了2,2-二乙基-5-甲基-1,3-二烷-4,6-二酮80g。测定H1NMR(300MHz),结果获得了以下那样的峰。δ=1.04(q,8.1Hz,6H),1.58(d,7.8Hz,3H),1.96(s,8.1Hz,2H),2.05(s,8.1Hz,2H),3.57(q,5.4Hz,1H)
(制造例B10)
将2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮100g变更为由制造例B9合成的2,2-二乙基-5-甲基-1,3-二烷-4,6-二酮85g,除此以外,依照制造例B5实施,从而获得了2,2-二乙基-5,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮95g。测定H1NMR(300MHz),结果获得了以下那样的峰。δ=1.15(t,8.1Hz,6H),1.65(s,6H),2.00(q,8.1Hz,4H)
(制造例B11)
将2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮100g变更为由制造例B9合成的2,2-二乙基-5-甲基-1,3-二烷-4,6-二酮85g,除此以外,依照制造例B7实施,从而获得了5-苄基-2,2-二乙基-5-甲基-1,3-二烷-4,6-二酮95g。测定H1NMR(300MHz),结果获得了以下那样的峰。δ=0.40(t,8.1Hz,3H),0.94(t,8.1Hz,3H),1.14(q,8.1Hz,2H),1.70(s,3H),1.80(q,8.1Hz,2H),3.31(s,2H),7.10-7.50(m,5H)
(制造例B12)
在500mL4口烧瓶中装入2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮(东京化成工业(株)制)100g和二甲基甲酰胺100g。继续装入碳酸钾95g后,用滴液漏斗经1小时滴加4-氯甲基苯乙烯97g。在40度搅拌24小时后,加入乙酸乙酯400g并用吸滤器过滤分离生成的固体。使用蒸馏水300mL,用分液漏斗进行2次洗涤后,用蒸发器蒸馏除去溶剂,从而获得了5-(对苯乙烯基甲基)-2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮150g。测定H1NMR(300MHz),结果获得了以下那样的峰。δ=0.97(s,3H),1.60(s,3H),1.75(s,3H),3.31(s,2H),5.22(d,12.0Hz,1H),5.70(d,19.5Hz,1H),6.65(dd,12.0,19.5Hz,1H),7.13(d,9.0Hz,2H),7.31(d,9.0Hz,2H)
(参考例B1)
在500mL的4口烧瓶中,加入丙烯酸丁酯80g、丙烯酸乙酯15g、甲基丙烯酸5g和乙酸乙酯100g,在室温混合。此外,加入2,2’-偶氮二戊腈0.2g,升温至75度后,继续搅拌10小时,从而获得了分子量40万的丙烯酸系粘着材A。通过差示扫描量热分析((株)岛津制作所制,DSC-60)来测定玻璃化转变点,结果为-40℃。
(参考例B2)
在500mL的4口烧瓶中,加入由制造例B12合成的5-(对苯乙烯基甲基)-2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮15g、丙烯酸丁酯20g、丙烯酸2-乙基己酯63g、甲基丙烯酸2g和乙酸乙酯100g,在室温混合。此外,加入2,2’-偶氮二戊腈0.2g,升温至75度后,继续搅拌10小时,从而获得了分子量30万的丙烯酸系粘着材B。通过差示扫描量热分析((株)岛津制作所制,DSC-60)来测定玻璃化转变点,结果为14℃。
(实施例B1)
加入由参考例B1获得的丙烯酸系粘着材A100重量份和环氧化合物(三菱gas化学(株)制,TETRAD-C)1.5重量份、2,2-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮25重量份和乙酸乙酯50重量份而制成粘着材组合物。将所得的粘着材组合物,使用敷料机以干燥皮膜的厚度成为20μm的厚度的方式涂覆在表面进行了脱模处理的PET上后,在100℃加热2分钟而使涂覆溶液干燥。接着,贴附在PET膜上,在60℃养护3天,从而制成粘着带。从表面进行了脱模处理的PET侧剥离所得的膜,用辊贴附于进行了镜面精加工的SUS板后,放置1小时。在180度的电热板上进行了3分钟加热。从电热板取出后,立即剥离带,按照以下的基准确认剥离性和糊料残留。将结果示于表4中。
(剥离性)
将带真空吸附后,垂直地抬起带并进行剥离,结果,将剥离了的情况设为○,将未剥离的情况设为×。
(糊料残留)
在剥离后用目视对SUS板进行判定。将只要观察到少量糊料残留的情况设为×。
(实施例B2~B10)
将2,2-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮25重量份变更为表中所示的化合物25重量份,除此以外,与实施例B1同样地进行试验。将结果示于表4中。
(比较例B1)
加入由参考例B1获得的丙烯酸系粘着材A100重量份和环氧化合物(三菱gas化学(株)制,TETRAD-C)2重量份、2,2’-偶氮二-(N-丁基-2-甲基丙酰胺)25重量份和乙酸乙酯50重量份而制成粘着材组合物。将所得的粘着材组合物,使用敷料机以干燥皮膜的厚度成为20μm的厚度的方式涂覆在表面进行了脱模处理的PET上后,在100℃加热2分钟而使涂覆溶液干燥。接着,贴附在PET膜上,在40℃养护3天,从而制成粘着带。从表面进行了脱模处理的PET侧剥离所得的膜,用辊贴附于进行了镜面精加工的SUS板后,放置1小时。在180度的电热板上进行了3分钟加热。从电热板取出后,立即剥离带,确认剥离性和糊料残留。将结果示于表4中。
(比较例B2)
加入由参考例B1获得的丙烯酸系粘着材A100重量份和环氧化合物(三菱gas化学(株)制,TETRAD-C)2重量份、Matsumoto Microsphere FN-180(松本油脂制药(株)制,热膨胀性微囊)25重量份和乙酸乙酯50重量份而制成粘着材组合物。将所得的粘着材组合物,使用敷料机以干燥皮膜的厚度成为20μm的厚度的方式涂覆在表面进行了脱模处理的PET上后,在100℃加热2分钟而使涂覆溶液干燥。接着,贴附在PET膜上,在40℃养护3天,从而制成粘着带。从表面进行了脱模处理的PET侧剥离所得的膜,用辊贴附于进行了镜面精加工的SUS板后,放置1小时。在180度的电热板上进行了3分钟加热。从电热板取出后,立即剥离带,确认剥离性和糊料残留。将结果示于表4中。
[表4]
表4
※表中,R3和R4表示“CH2CH2CH2CH2”的情况下,R3和R4与所结合的碳原子一起表示环戊基。
实施例B2:2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮
(实施例B11~B14)
将2,2-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮25重量份变更为表5中所示的化合物25重量份,除此以外,与实施例B1同样地进行试验。将结果示于表5中。
[表5]
表5
(实施例B15)
加入由参考例B2获得的丙烯酸系粘着材B100重量份和环氧化合物(三菱gas化学(株)制,TETRAD-C)1.5重量份、2,2-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮25重量份和乙酸乙酯50重量份而制成粘着材组合物。将所得的粘着材组合物,使用敷料机以干燥皮膜的厚度成为20μm的厚度的方式涂覆在表面进行了脱模处理的PET上后,在100℃加热2分钟而使涂覆溶液干燥。接着,贴附在PET膜上,在60℃养护3天,从而制成粘着带。从表面进行了脱模处理的PET侧剥离所得的膜,用辊贴附于进行了镜面精加工的SUS板后,放置1小时。在180度的电热板上进行了3分钟加热。从电热板取出后,立即剥离带,按照以下的基准确认剥离性和糊料残留。将结果示于表6中。
(实施例B16~B20)
将2,2-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮25重量份变更为表6中所示的化合物25重量份,除此以外,与实施例B15同样地进行试验。将结果示于表6中。
[表6]
表6
※表中,R3和R4表示“CH2CH2CH2CH2”的情况下,R3和R4与所结合的碳原子一起表示环戊基。
本申请以2011年12月14日申请的日本申请特愿2011-273689、2011年12月14日申请的日本申请特愿2011-273692、2012年7月13日申请的日本申请特愿2012-157250、和2012年7月13日申请的日本申请特愿2012-157251为基础而主张优先权,将其公开的全部内容并入本说明书中。

Claims (18)

1.一种粘接性树脂组合物,其特征在于,包含具有来源于梅尔德拉姆酸衍生物的结构的发泡性粘着聚合物,所述梅尔德拉姆酸衍生物由下述通式(1)表示,
式(1)中,R1和R2各自独立地表示氢原子、卤原子、取代或未取代的碳原子数1~10的烷基、取代或未取代的碳原子数2~10的烯基、取代或未取代的碳原子数2~10的炔基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的碳原子数7~12的芳基烷基、或者取代或未取代的甲硅烷基,R1与R2可以互相结合而形成环结构;R3和R4各自独立地表示氢原子、取代或未取代的碳原子数1~10的烷基、取代或未取代的碳原子数2~10的烯基、取代或未取代的碳原子数2~10的炔基、取代或未取代的芳基,R3与R4可以互相结合而形成环结构;R1、R2、R3、R4、R1与R2互相结合而形成的环结构、和R3与R4互相结合而形成的环结构中的至少1个具有选自乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、环氧基、吖丙啶基、硫杂丙环基、氧杂环丁烷基、硫杂环丁烷基、异氰酸酯基、氨基、砜基、羟基、羧基、酸酐基中的反应性官能团作为取代基。
2.根据权利要求1所述的粘接性树脂组合物,其特征在于,所述发泡性粘着聚合物包含粘接性树脂,所述粘接性树脂是介由梅尔德拉姆酸衍生物所包含的反应性官能团而结合于梅尔德拉姆酸衍生物。
3.根据权利要求1所述的粘接性树脂组合物,所述发泡性粘着聚合物包含(a)和(b),
(a):来源于R1、R2、R3、R4、R1与R2互相结合而形成的环结构、和R3与R4互相结合而形成的环结构中的至少1个具有选自乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基中的反应性官能团作为取代基的、通式(1)所示的梅尔德拉姆酸衍生物的构成单元,
(b):来源于(甲基)丙烯酸衍生物的构成单元。
4.根据权利要求3所述的粘接性树脂组合物,所述梅尔德拉姆酸衍生物中,R1、R2、R3和R4中的至少1个为具有乙烯基作为取代基的苄基。
5.根据权利要求2所述的粘接性树脂组合物,所述发泡性粘着聚合物包含(a)和(b),
(a):来源于R1、R2、R3、R4、R1与R2互相结合而形成的环结构、和R3与R4互相结合而形成的环结构中的至少1个具有选自乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基中的反应性官能团作为取代基的、通式(1)所示的梅尔德拉姆酸衍生物的构成单元,
(b):来源于(甲基)丙烯酸衍生物的构成单元。
6.根据权利要求5所述的粘接性树脂组合物,所述梅尔德拉姆酸衍生物中,R1、R2、R3和R4中的至少1个为具有乙烯基作为取代基的苄基。
7.根据权利要求1~6的任一项所述的粘接性树脂组合物,其特征在于,通过差示扫描量热分析而测定得到的玻璃化转变点为40℃以下。
8.一种粘接性树脂组合物,其特征在于,包含选自由2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、8-甲基-6,10-二氧杂螺[4,5]癸烷-7,9-二酮、2,2,5,5-四甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、5-苄基-2,2,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、2-乙基-2,5,5-三甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、8,8-二甲基-6,10-二氧杂螺[4,5]癸烷-7,9-二酮、5-苄基-2-乙基-2,5-二甲基-1,3-二烷-4,6-二酮、8-苄基-8-甲基-6,10-二氧杂螺[4,5]癸烷-7,9-二酮组成的组中的1种以上的梅尔德拉姆酸衍生物、和粘接性树脂。
9.根据权利要求8所述的粘接性树脂组合物,其特征在于,所述粘接性树脂通过差示扫描量热分析而测定得到的玻璃化转变点为40℃以下。
10.根据权利要求8或9所述的粘接性树脂组合物,其特征在于,所述粘接性树脂为丙烯酸系压敏粘接剂。
11.一种叠层体,其包含:
基材;
在所述基材上形成的包含权利要求1~10的任一项所述的粘接性树脂组合物的剥离层;和
在所述剥离层上粘贴的被粘物。
12.一种自剥离方法,是使用了包含基材、在所述基材上形成的包含权利要求1~7的任一项所述的粘接性树脂组合物的剥离层、和在所述剥离层上粘贴的被粘物的叠层体的自剥离方法,
其具备下述工序:将所述叠层体加热到该粘接性树脂组合物所包含的具有来源于梅尔德拉姆酸衍生物的结构的发泡性粘着聚合物的、该梅尔德拉姆酸衍生物分解的温度以上,从而所述剥离层所包含的该梅尔德拉姆酸衍生物分解,使所述剥离层与所述被粘物的界面的所述剥离层的粘接强度降低。
13.一种自剥离方法,是使用了包含基材、在所述基材上形成的包含权利要求8~10的任一项所述的粘接性树脂组合物的剥离层、和在所述剥离层上粘贴的被粘物的叠层体的自剥离方法,
其具备下述工序:将所述叠层体加热到梅尔德拉姆酸衍生物分解的温度以上,从而所述剥离层所包含的该梅尔德拉姆酸衍生物分解,使所述剥离层与所述被粘物的界面的所述剥离层的粘接强度降低。
14.一种带,其具备:基材层;和在所述基材层上形成的包含权利要求1~10的任一项所述的粘接性树脂组合物的剥离层。
15.一种基板的研磨方法,其具有下述工序:
将权利要求14所述的带介由所述剥离层而贴附在基板的被研磨面的背面上的工序,
对所述基板的被研磨面进行研磨的工序,和
在研磨工序后,对所述带的所述剥离层施加热而从所述背面剥离所述带的工序。
16.一种切割方法,其具有下述工序:
通过权利要求1~10的任一项所述的粘接性树脂组合物而将被粘物固定于支持体的工序,
对所述被粘物进行切割的工序,和
使通过施加热而单片化了的所述被粘物从所述支持体剥离的工序。
17.一种半导体封装件的制造方法,其具有下述工序:
通过权利要求1~10的任一项所述的粘接性树脂组合物而将半导体芯片固定于支持体的工序,
将所述半导体芯片用树脂密封的工序,和
通过施加热而从所述支持体剥离被树脂密封了的半导体芯片的工序。
18.一种镀敷方法,其具有下述工序:
将权利要求14所述的带介由所述剥离层而贴附于被镀敷体的不镀敷部分的工序,
对所述被镀敷体进行镀敷处理的工序,和
在镀敷处理工序后,对贴附于所述被镀敷体的所述带的剥离层施加热而剥离所述带的工序。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5988298B2 (ja) * 2012-09-24 2016-09-07 田岡化学工業株式会社 2−シアノアクリレート接着剤組成物
JP6051302B2 (ja) * 2013-05-29 2016-12-27 三井化学東セロ株式会社 半導体ウエハ保護用フィルム及び半導体装置の製造方法
JP6138259B2 (ja) * 2013-08-29 2017-05-31 三井化学東セロ株式会社 接着フィルムおよび半導体装置の製造方法
US10196580B2 (en) * 2014-08-28 2019-02-05 The Lubrizol Corporation Lubricating composition with seals compatibility
JP6137416B2 (ja) * 2014-09-26 2017-05-31 住友ベークライト株式会社 素子積層フィルムの製造方法
CN105085745B (zh) * 2015-09-29 2017-05-10 四川锦成化学催化剂有限公司 一种烯烃聚合用催化剂组分及其制备方法
KR102594220B1 (ko) * 2016-02-29 2023-10-25 린텍 가부시키가이샤 반도체 가공 시트
CN109804032B (zh) * 2016-08-23 2022-01-14 陶氏环球技术有限责任公司 用于将聚烯烃膜粘结到玻璃纤维上的粘合剂
JP7137440B2 (ja) * 2018-11-02 2022-09-14 ライオン・スペシャリティ・ケミカルズ株式会社 フィルム用粘着剤および粘着シート
CN113574659A (zh) 2019-03-14 2021-10-29 三井化学东赛璐株式会社 电子装置的制造方法
DE102022121016A1 (de) * 2022-08-19 2024-02-22 Tesa Se Laminat

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000017241A1 (en) * 1998-09-17 2000-03-30 Loctite (R & D) Limited Auto-oxidation systems for air-activatable polymerisable compositions
JP2009227996A (ja) * 2008-02-29 2009-10-08 Tokyo Institute Of Technology ジエン重合体およびその製造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS543851A (en) 1977-06-10 1979-01-12 Tsutomu Tomohiro Nonadhesive sheet and film
DE4106357A1 (de) * 1991-02-28 1992-09-03 Hoechst Ag Strahlungsempfindliche polymere mit 2-diazo-1,3-dicarbonyl-gruppen, verfahren zu deren herstellung und verwendung in einem positiv arbeitenden aufzeichnungsmaterial
JP2970963B2 (ja) 1991-08-14 1999-11-02 日東電工株式会社 剥離性感圧接着剤及びその粘着部材
JPH08176140A (ja) * 1994-12-26 1996-07-09 Toagosei Co Ltd 5−メチレン−1,3−ジオキサン−4,6−ジオン誘導体ならびにその合成方法および安定化方法
JPH08330300A (ja) * 1995-05-29 1996-12-13 Sony Corp 絶縁材料、層間絶縁膜および層間絶縁膜の形成方法
US6228552B1 (en) * 1996-09-13 2001-05-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Photo-sensitive material, method of forming a resist pattern and manufacturing an electronic parts using photo-sensitive material
JP3810911B2 (ja) 1997-12-01 2006-08-16 日東電工株式会社 加熱剥離型粘着シート
CN1165592C (zh) 1998-01-16 2004-09-08 洛克泰特(R&D)有限公司 可固化的环氧基组合物
KR20010045418A (ko) * 1999-11-05 2001-06-05 박종섭 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를함유하는 포토레지스트 조성물
JP3526802B2 (ja) 2000-01-21 2004-05-17 旭化成ケミカルズ株式会社 半導体ウエハー固定用の粘着剤ならびに加工方法
US6872762B2 (en) 2000-07-13 2005-03-29 Loctite (R&D) Limited Epoxy resin composition with solid organic acid
KR100423902B1 (ko) * 2001-06-16 2004-03-22 삼성전자주식회사 크로스오버 전압을 조절할 수 있는 유니버셜 시리얼 버스저속 트랜시버
JP2003173989A (ja) 2001-12-04 2003-06-20 Sekisui Chem Co Ltd Icチップの製造方法
JP5006497B2 (ja) 2001-08-03 2012-08-22 積水化学工業株式会社 両面粘着テープ及び両面粘着テープの剥離方法
JP2003151940A (ja) 2001-11-15 2003-05-23 Sekisui Chem Co Ltd バックグラインドテープ及び半導体ウエハの研磨方法
JP4238037B2 (ja) 2001-11-15 2009-03-11 積水化学工業株式会社 接着性物質、接着性物質の剥離方法及び粘着テープ
JP2003173993A (ja) 2001-12-04 2003-06-20 Sekisui Chem Co Ltd バックグラインドテープ及び半導体ウエハの研磨方法
JP2004043732A (ja) 2002-07-15 2004-02-12 Three M Innovative Properties Co 発泡性接着剤組成物
JP2009227966A (ja) 2009-01-06 2009-10-08 Topcon Corp 塗料と、表面反射防止方法と、表面反射防止剤
US7951525B2 (en) 2008-09-08 2011-05-31 International Business Machines Corporation Low outgassing photoresist compositions

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000017241A1 (en) * 1998-09-17 2000-03-30 Loctite (R & D) Limited Auto-oxidation systems for air-activatable polymerisable compositions
JP2009227996A (ja) * 2008-02-29 2009-10-08 Tokyo Institute Of Technology ジエン重合体およびその製造方法

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