CN103882378B - 一种三硼酸氧钙钇晶体(ycob)高激光损伤阈值增透膜的制备方法 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 title abstract description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 21
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 19
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 10
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000004519 grease Substances 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 claims description 2
- UIXSCJMXXUVDFI-UHFFFAOYSA-N [Ca]O[Y] Chemical compound [Ca]O[Y] UIXSCJMXXUVDFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229960002645 boric acid Drugs 0.000 claims 4
- 235000010338 boric acid Nutrition 0.000 claims 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 2
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 claims 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 35
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 18
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 16
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010426 asphalt Substances 0.000 description 2
- 229940075614 colloidal silicon dioxide Drugs 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种非线性晶体三硼酸氧钙钇晶体表面高激光损伤阈值增透膜的制备方法。针对YCOB晶体各向异性强及增透膜的损伤机理，该方法的步骤包括YCOB基板的氢氟酸刻蚀、YCOB基板的冷加工、YCOB基板的离子束刻蚀、YCOB基板的超声波清洗、YCOB基板的真空离子束清洗以及YCOB基板上薄膜镀制。由本发明制备的YCOB增透膜光学特性优异、损伤阈值高、环境稳定性好，可以与现有的基板加工、清洗及薄膜制备工艺兼容。具有工艺重复性好、可控性强、易于推广等优点，在未来的高功率激光薄膜领域具有广泛应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种光学薄膜制备方法，特别是涉及一种非线性晶体三硼酸氧钙钇晶体表面高激光损伤阈值增透膜的制备方法。
背景技术
在强激光系统中，强大的激光能量极易对系统中的元件产生破坏作用，因此对增益介质具有很高的抗激光损伤要求。由于三硼酸氧钙钇(YCOB)晶体具有损伤阈值高、非线性系数大、透光波段宽、相位匹配范围大、不易潮解等优点，近年来受到广泛关注与研究，并成功应用于高功率激光系统中。YCOB晶体折射率大，激光入射时会产生较强的菲涅耳反射，降低激光系统的能量利用效率及稳定性，因此对于YCOB晶体增透薄膜的研制具有重要意义。YCOB晶体本身的各向异性，对镀制在晶体上的薄膜的力学和光学性质带来诸多问题，包括薄膜与晶体之间的应力不平衡、薄膜的附着力较低、各向热膨胀系数的差异导致温度升高容易发生龟裂等，给膜系匹配设计以及优化制备方法带来巨大的挑战。并且由于YCOB晶体增透薄膜使用在高功率激光系统中，它的性能优劣很大程度上决定了激光的输出性能，因此提高YCOB晶体增透膜的损伤阈值也是非常关键的研究内容。薄膜损伤阈值的高低是众多因素共同作用的结果，对于增透膜来说，吸收性杂质缺陷是最关键的因素之一。在薄膜制备的整个过程中都有可能引入缺陷，因此在制备过程中对全流程工艺进行优化，控制缺陷的引入是提高YCOB晶体增透膜损伤阈值的有效手段。
本发明的目的是针对上述问题，设计了一种双波长高透射膜系，通过优化全流程制备工艺，控制缺陷的引入，同时提升薄膜机械特性，实现了在YCOB晶体上透射率高、附着力良好、损伤阈值高的增透膜制备。
发明内容
由于YCOB晶体具有各向异性，热膨胀系数差别较大，导致薄膜容易龟裂和附着力差，并且在整个制备过程中容易引入缺陷杂质，导致薄膜损伤阈值降低，因此申请人通过基板刻蚀、基板超光滑抛光、基板超声波清洗、基板离子束刻蚀、基板离子束清洗、电子束蒸发镀膜的全流程控制工艺来提升YCOB晶体表面增透膜的损伤阈值及机械性能。
本发明的具体制备工艺及步骤如下：
(1)将常规抛光工艺加工的YCOB晶体放入氢氟酸和去离子水(体积比1∶20配比)混合配制的刻蚀液对基板进行刻蚀，刻蚀时间在30min能获得最佳效果，将亚表面损伤层大部分去除。
(2)采用纳米级胶体二氧化硅(SiO2)和沥青抛光垫进行化学机械抛光，使表明粗糙度小于5A，减小微观损伤，进一步减小亚表面损伤层。
(3)对化学机械抛光后的基板进行离子束刻蚀，去除100nm以上的抛光再沉积层，刻蚀时间为20分钟，离子源参数为电流1200mA，电压900V。
(4)离子束刻蚀后的基板用去离子水超声波清洗，完全去除基板上的油脂和残余颗粒。
(5)将基板(YCOB)上架后，静止20分钟后再进行抽气，本底真空为1×10-3Pa。因为上架后立即抽气，容易在基板表面引入缺陷。抽气后开始加热基板，为了防止过快加热导致基板龟裂，加热过程分为2步，先将基板用30分钟时间从室温缓慢加热至100摄氏度，恒温20分钟，再将基板用20分钟时间缓慢加热至150摄氏度，恒温60分钟。
(6)镀膜开始前，先用离子源对基板表面进行清洗，去除在真空抽气过程中吸附在基板上的颗粒污染物。离子源氧气流量为40sccm，氩气流量为25sccm，电压为350V，电流为550mA。离子束清洗时间为60s，这是因为有效的离子清洗能量会影响基底表面缺陷的大小多少和缺陷的性质，这对于减小薄膜的吸收，提高其阈值具有重要的作用。
(7)利用电子束蒸发离子束辅助方式镀制第一层SiO2材料，离子源氧气流量为50sccm，氩气流量为5sccm，电压为550V，电流为670mA。在第一层使用离子束辅助，是为了增加薄膜在YCOB晶体上的附着力，同时改善薄膜与YCOB晶体的应力。在镀制第一层薄膜过程中，SiO2速率为7.4A／s。因为选用合适的沉积速率可以改善薄膜在YCOB晶体上的应力并获得较大的附着力。
(6)后续薄膜的镀制采用电子束蒸发方式，因为使用电子束蒸发镀制使薄膜损伤阈值更高并且不会引入缺陷，这对提高其损伤阈值也有积极的意义。在镀制过程中，HfO2速率为1.4A／s，SiO2速率为6.5A／s，并且在HfO2膜层的镀制过程中充入60sccm的活性氧离子，使金属Hf在镀制过程中充分氧化，避免因失氧造成损伤阈值的降低。
(7)镀膜结束后样品在真空室缓慢退火并老化10小时，缓慢退火是为了释放成膜以后的应力，防止薄膜龟裂。
本发明与常规制备工艺相比，其特点在于针对YCOB晶体独特性质及使用要求，以控制缺陷、提高附着力为核心的方式优化全流程制备工艺，有效提高了YCOB晶体增透膜的损伤阈值及附着力。本发明的关键在于以下两点：
1.针对YCOB晶体各向异性、热膨胀系数差异较大、加热容易龟裂等特点，我们对基
板进行离子束清洗、分步骤缓慢加热、电子束蒸发与离子束辅助相结合镀膜的方式，
选用HfO2与SiO2作为镀制材料，有效地解决了上述问题。
2.为了提高YCOB晶体增透膜的抗激光损伤阈值，在整个薄膜镀制流程中以控制缺陷为核心进行工艺的优化。在镀膜之前，用氢氟酸刻蚀、纳米级胶体二氧化硅化学机械抛光、离子束刻蚀、去离子水清洗去除YCOB晶体亚表面缺陷层，并采用离子束清洗进一步控制晶体表面缺陷。在薄膜镀制过程中，选用合适的参数，控制缺陷引入，并且在镀制HfO2的过程中充入活性氧，进一步提高薄膜的氧化效率以降低薄膜中的吸收缺陷。
本发明的技术效果如下：
1.可以有效的解决YCOB晶体各向异性等特点带来的镀制难题，镀制出的薄膜应力较小、附着力较大、并且透射率高，可以在激光系统中正常稳定使用。
2.使用本发明方法制备的YCOB晶体薄膜损伤阈值高。对比了没有使用缺陷控制工艺镀制的YCOB晶体增透膜，发现使用本发明方法镀制出的薄膜缺陷损伤点少、损伤阈值有大幅度提高。
3.本发明方法简单易行，费用低廉，重复性好，整个制备过程中这些方法实用性极强，适合于批量生产，可以满足激光技术快速发展的市场需求，具有良好的经济效益。
附图说明
图1是YCOB晶体1064nm和527nm双波长增透膜的透射率曲线。
具体实施方式
本通过具体实例对本发明作进一步详细说明，如下：
YCOB晶体1064nm和527nm双波长增透膜镀制
1.被镀制样品YCOB晶体尺寸为10*10*3mm。该膜系的结构为：SL(HL)^3A，S为基板YCOB晶体，A为空气，H为高折射率材料HfO2，L为低折射率材料SiO2，每层薄膜厚度为190nm／54.8nm／62.53nm／119nm／22nm／165.54，镀膜设备为日本光驰镀膜机OTFC-1800，配置离子源为17cm射频离子源。
2.按前述工艺步骤进行镀制，将常规抛光后的YCOB基板用氢氟酸和去离子水(体积比1∶20配比)混合配制的刻蚀液进行刻蚀，刻蚀时间在30min。颏蚀后的基板用去离子水清洗，再用纳米级胶体二氧化硅(SiO2)和沥青抛光垫进行化学机械抛光，表面粗糙度<5A，抛光后的基板用离子束颏蚀，刻蚀时间为20分钟，离子源参数为电流1200mA，电压900V。离子束刻蚀后的基板用去离子水清洗，完全去除基板上的油脂和残余颗粒。然后将YCOB晶体放入镀膜设备中的工件架上，静止二十分钟后开始抽气，本底真空为1×10-3Pa。基板(YCOB)加热过程分为2步，先将基板从室温用20分钟缓慢加热至90摄氏度，恒温20分钟，再将基板用20分钟缓慢加热至140摄氏度，恒温20分钟。镀膜开始前，用离子源对基板清洗时，氧气流量30sccm，氩气流量30sccm，电压350V，电流550mA。镀膜时高低折射率材料分别使用金属Hf和SiO2环。镀制第一层SiO2材料时，离子束辅助沉积参数为：氧气流量50sccm，氩气流量5sccm，电压550V，电流670mA；SiO2的速率为8A／s。镀制后续膜层采用电子束蒸发方式，HfO2速率为2A／s，SiO2速率为8A／s，在镀制HfO2膜层的过程中充入60sccm的氧气提供离子氧。镀制结束后，经缓慢降温老化后将其取出。
3.将镀制的样品用分光光度计测试，在1064nm与527nm处透射率大于99％，光谱性能完全满足高功率激光系统中的使用需求。具体光谱曲线在附图说明中图1。
4.在纳秒激光损伤测试平台上进行损伤检测，采用1-on-1测试标准，该样品的损伤阈值大于10J／cm2(激光参数为λ=532nm，脉宽10ns)。
用该发明镀制的YCOB晶体1064和527nm双波长增透膜，它的光谱特性完全符合使用要求，损伤阈值较高，具有很强的实用价值。
Claims (4)
1.一种非线性晶体三硼酸氧钙钇晶体表面高激光损伤阈值增透膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)常规抛光后YCOB基板的氢氟酸刻蚀：将常规抛光后的YCOB基板放入氢氟酸和去离子水混合配制的刻蚀液中进行刻蚀，完全去除再沉积层；
2)YCOB基板的浮法抛光：采用浮法抛光工艺，使用沥青抛光垫，将SiO2抛光粉溶解于去离子水中，对熔石英基板进行抛光，将表面粗糙度控制在5A以下；
3)YCOB基板的离子束刻蚀：使用RF离子源对抛光后的YCOB基板进行刻蚀，去除100nm以上的抛光再沉积层；
4)离子束刻蚀后YCOB基板的超声波清洗：使用超声波清洗技术去除基板表面油脂以及300nm以上的残余颗粒；
5)YCOB基板的抽真空及加热：通过控制系统对基板进行分步骤加热，使温度缓慢上升，并恒温1小时；
6)YCOB基板上薄膜制备：使用离子源对YCOB基板进行真空离子束清洗，随后使用电子束蒸发方法在YCOB基板上制备HfO2/SiO2薄膜；
步骤2)中的所用SiO2抛光粉的平均粒径小于1μm，抛光粉的浓度小于2％，抛光后表面粗糙度小于5A；
步骤3)中YCOB基板抛光后，使用RF离子源对抛光后的YCOB基板进行刻蚀，去除100nm以上的抛光再沉积层，刻蚀时间为20分钟，离子源参数为电流1200mA，电压900V；
步骤5)中将YCOB晶体放入镀膜设备中的工件架上，静止二十分钟后开始抽气，本底真空为1×10-3Pa；基板(YCOB)加热过程分为2步，先将基板从室温用30分钟缓慢加热至100摄氏度，恒温20分钟，再将基板用20分钟缓慢加热至150摄氏度，恒温60分钟；
步骤6)中镀膜时高低折射率材料分别使用金属HfSiO2环；镀制第一层SiO2材料时，离子束辅助沉积参数为：氧气流量50sccm，氩气流量5sccm，电压550V，电流670mA；SiO2的速率为8A/s；镀制后续膜层采用电子束蒸发方式，HfO2速率为2A/s，SiO2速率为8A/s，在镀制HfO2膜层的过程中充入60sccm的离子氧气；镀制结束后，经真空10小时缓慢降温老化后将其取出。
2.根据权利要求1所述的非线性晶体三硼酸氧钙钇晶体表面高激光损伤阈值增透膜的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中刻蚀液为氢氟酸和去离子水(体积比1∶20配比)混合配制，刻蚀时间为30分钟。
3.根据权利要求1所述的非线性晶体三硼酸氧钙钇晶体表面高激光损伤阈值增透膜的制备方法，其特征在于：所述步骤4)中超声波的频率为1兆赫兹，使用酸碱清洗溶液，配比为NH4OH：H2O2：H2O＝1∶4∶10，超声时间30-60分钟，超声波功率为2-3Kw，超声波清洗后用去离子水冲洗2遍，然后用干燥空气吹干。
4.根据权利要求1所述的非线性晶体三硼酸氧钙钇晶体表面高激光损伤阈值增透膜的制备方法，其特征在于：所述步骤6)中使用氩气和氧气混合等离子体对基板表面进行清洗，氙气和氧气的纯度优于99.999％，流量比为1∶1，离子束清洗时间为60秒钟，离子束电压为350V，离子束电流为550mA。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410050236.6A CN103882378B (zh) | 2014-02-13 | 2014-02-13 | 一种三硼酸氧钙钇晶体(ycob)高激光损伤阈值增透膜的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410050236.6A CN103882378B (zh) | 2014-02-13 | 2014-02-13 | 一种三硼酸氧钙钇晶体(ycob)高激光损伤阈值增透膜的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103882378A CN103882378A (zh) | 2014-06-25 |
| CN103882378B true CN103882378B (zh) | 2015-12-09 |
Family
ID=50951493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410050236.6A Expired - Fee Related CN103882378B (zh) | 2014-02-13 | 2014-02-13 | 一种三硼酸氧钙钇晶体(ycob)高激光损伤阈值增透膜的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103882378B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104973794A (zh) * | 2015-05-28 | 2015-10-14 | 同济大学 | 一种激光薄膜元件用光学基板的离子束刻蚀装置及方法 |
| CN106199801B (zh) * | 2016-08-31 | 2018-04-03 | 奥普镀膜技术（广州）有限公司 | 一种40g100g滤光片薄膜镀制方法 |
| CN106435487B (zh) * | 2016-10-10 | 2018-07-06 | 同济大学 | 一种三硼酸锂晶体高激光损伤阈值增透膜的制备方法 |
| CN106925565B (zh) * | 2017-02-09 | 2018-08-24 | 同济大学 | 一种lbo晶体的刻蚀清洗方法 |
| JP6917807B2 (ja) * | 2017-07-03 | 2021-08-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
| CN109262377B (zh) * | 2018-11-15 | 2019-09-03 | 首都师范大学 | 用于钝化CsI(TI)晶体表面缺陷的抛光工艺 |
| CN110007377B (zh) * | 2019-04-15 | 2024-06-21 | 南京波长光电科技股份有限公司 | 一种皮秒激光高功率增透膜及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102825028A (zh) * | 2012-09-11 | 2012-12-19 | 同济大学 | 一种ycob晶体抛光表面的清洗方法 |
| CN102965614A (zh) * | 2012-11-23 | 2013-03-13 | 同济大学 | 一种激光薄膜的制备方法 |
| CN103231302A (zh) * | 2013-04-12 | 2013-08-07 | 同济大学 | 一种获取超光滑表面低亚表面损伤晶体的方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008032757A (ja) * | 2005-02-28 | 2008-02-14 | Nalux Co Ltd | レーザ損傷抑制膜を有する光学素子 |
-
2014
- 2014-02-13 CN CN201410050236.6A patent/CN103882378B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102825028A (zh) * | 2012-09-11 | 2012-12-19 | 同济大学 | 一种ycob晶体抛光表面的清洗方法 |
| CN102965614A (zh) * | 2012-11-23 | 2013-03-13 | 同济大学 | 一种激光薄膜的制备方法 |
| CN103231302A (zh) * | 2013-04-12 | 2013-08-07 | 同济大学 | 一种获取超光滑表面低亚表面损伤晶体的方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103882378A (zh) | 2014-06-25 |
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