CN103872076A - 显示设备及制造该显示设备的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种显示设备及制造该显示设备的方法。在一些方面，该显示设备包括基板、位于基板上的有机膜、位于有机膜上并具有至少一个用于暴露有机膜的至少一部分的孔的无机膜、位于无机膜上的第一电极、位于第一电极上的第二电极、位于第一电极和第二电极之间以通过第一电极和第二电极发射光的发光层、以及位于由孔暴露的有机膜上的有机图案。

Description

显示设备及制造该显示设备的方法

技术领域

本发明涉及显示设备及制造该显示设备的方法。

背景技术

最近已经研究出可以替代阴极射线管（CRT）显示器的轻而薄的平板显示器（FPD）的开发和商业化。

在平板显示器领域，到目前为止最通常使用的显示设备是重量轻并且功耗低的液晶显示器（LCD）。然而，由于液晶显示器不是光发射设备，而是光接收设备，因此具有亮度低、对比度低和视角窄的缺点，能克服上述缺点的新显示设备目前已经得到积极的开发。

由于有机发光二极管显示器是自发光的，相对于液晶显示器具有更好的视角和对比度。进一步，由于有机发光二极管显示器并不需要背光，因此具有重量轻、厚度薄和功耗低的更好的性能。进一步，有机发光二极管显示器可以由低直流电压驱动，响应速度快，特别是制造成本低。

和液晶显示器或等离子显示器不同，制造有机发光二极管显示器的工艺包括沉积和封装工艺。特别地，沉积工艺典型地是用于形成构成有机发光二极管显示器的各种结构的工艺，并通常在例如300℃至400℃的高温环境下进行。

在有机膜在沉积工艺中形成在基板上的状态下，在有机膜上沉积无机膜的高温环境下，在沉积工艺期间，从有机膜可能会产生排气。在高温环境下的沉积工艺中形成的无机膜可能会由于沉积工艺中产生的排气而从有机膜脱落。这样会导致沉积工艺中形成的无机膜的厚度的不均匀或不连续，从而降低有机发光二极管显示器的可靠性。

发明内容

因此，如果沉积工艺在大约180℃至200℃的低温环境下进行，从有机膜产生的排气的数量将减少，因此可以减少在沉积工艺中形成的无机膜的脱落。

然而，如果沉积工艺在大约180℃至200℃的低温环境下进行，在沉积工艺中形成的无机膜和接触无机膜的有机膜之间的粘合可能是不坚固的，因此在沉积工艺中形成的无机膜的特性可能达不到所要求的特性。进一步，在随后蚀刻在沉积工艺中形成的无机膜的情况中，可能出现不能蚀刻或过度蚀刻无机膜。

因此，本发明所致力于的一个主题是提供一种包括排气释放路径以在通过高温环境下的沉积工艺在有机膜上高质量地形成无机膜的显示设备。

本发明所致力于的另一个主题是提供一种制造包括排气释放路径以在通过高温环境下的沉积工艺在有机膜上高质量地形成无机膜的显示设备的方法。

本实施例的其它优点、主题和特征将部分在随后的说明中提出，部分对于本领域普通技术人员将在检验下述说明时变得明显，或者可以从对发明的实践中了解到。

根据本实施例的一个方面，提供了一种显示设备，包括：基板、位于基板上的有机膜、位于有机膜上并具有至少一个用于暴露有机膜的至少一部分的孔的无机膜、位于无机膜上的第一电极、位于第一电极上的第二电极、位于第一电极和第二电极之间以通过第一电极和第二电极发射光的发光层、以及位于由孔暴露的有机膜上的有机图案。

根据本实施例的另一方面，提供了一种显示设备，包括：基板、位于基板上的有机膜、位于有机膜上并具有至少一个用于暴露有机膜的至少一部分的孔的无机膜、位于无机膜上的第一电极、位于第一电极上的第二电极、位于第一电极和第二电极之间以通过第一电极和第二电极发射光的发光层、以及位于无机膜上并接触由孔暴露的有机膜的绝缘膜。

根据本实施例的又一方面，提供了一种制造显示设备的方法，包括：在基板上形成薄膜晶体管、在薄膜晶体管上形成有机膜、在有机膜上涂覆感光膜、通过选择性地曝光和显影感光膜形成倒锥形的有机图案、以及在有机膜和有机图案上形成无机膜。在一些实施例中，有机膜可以包括选自由丙烯酯、聚酰亚胺和聚酯组成的组中的一个或多个。在一些实施例中，有机图案可以包括负性光致抗蚀剂。在一些实施例中，无机膜可以包括选自由二氧化硅、氮化硅、氮氧化铝、氧化铝、氮化铝、二氧化钛和氮化钛组成的组中的一个或多个。

根据本发明的实施例，至少可以得到如下效果。

也就是，由于在高温环境下的无机膜沉积工艺中防止无机膜从有机膜脱落，可以在有机膜上高质量地形成无机膜。

进一步，由于在高温沉积工艺中有机膜上保留的排气大多数被释放，即使在沉积工艺完成之后，排气对周围结构的影响也被最小化。

进一步，在沉积工艺中形成的无机膜和接触无机膜的有机膜之间可以得到充分的粘合。

进一步，在蚀刻在沉积工艺中形成的无机膜的情况中，可以防止不能蚀刻或过度蚀刻无机膜。

根据本实施例的效果并不局限于上面例示的内容，相反说明书中包括了进一步的各种效果。

附图说明

本实施例的上述和其它目标、特征和优点将从结合附图进行的下述详细说明变得更加明显，附图中：

图1是根据本发明的一个实施例的显示设备的有机图案的放大剖视图；

图2是根据一个实施例的显示设备的剖视图；

图3是根据一个实施例的显示设备的平面图；

图4至图6是说明制造根据一个实施例的显示设备的方法的剖视图；

图7是根据另一实施例的显示设备的有机图案的放大剖视图；

图8至图11是说明制造根据另一实施例的显示设备的方法的剖视图；

图12是根据又一实施例的显示设备的孔的放大剖视图；

图13至图17是说明制造根据又一实施例的显示设备的方法的剖视图；和

图18和图19是根据又一实施例的显示设备的平面图。

具体实施方式

下面将参考附图详细描述本发明的示例性实施例，其中示出了典型的实施例。然而，这些实施例仅仅是示例性的，本发明并不局限于此，而是可以通过多种不同形式实施。

用来表明一个元件在另一个元件上或者在不同的层上或者在一个层上的术语“上”包括元件直接位于另一个元件或一个层上的情况，以及元件经由另一层或又一元件位于另一个元件上的情况。在整个申请文件的各个图中，相同的附图标记用于相同的元件。

尽管用术语“第一”、“第二”、“等”来描述多种构成元件，这样的构成元件并不受这些术语限制。这些术语仅用来将一个构成元件和其它构成元件区分开。因此，在如下说明中，第一构成元件可以是第二构成元件。

下面将参考附图描述本发明的实施例。

图1是根据一个实施例的显示设备的有机图案34的放大剖视图。图2是根据一个实施例的显示设备的剖视图，图3是根据一个实施例的显示设备的平面图。

显示设备是显示图像的设备，可以是液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机EL（电致发光）显示器、场发射显示器、表面传导电子发射显示器、等离子显示器或阴极射线显示器。

接下来描述作为根据一个实施例的显示设备的有机发光显示器。例如，在各种有机发光显示器中描述白有机发光显示器（W-OLED）。然而，根据本实施例的显示设备不局限于此，而可以使用各种类型的显示设备。

参考图2，根据一个实施例的显示设备可以包括在基板10上形成的缓冲层12上提供的薄膜晶体管。

在一些实施例中，缓冲层12用来防止杂质渗透，并用来平整表面，可以由用来执行缓冲层12的这些功能的各种材料制成。在一些实施例中，缓冲层12可以由无机材料形成，例如二氧化硅、氮化硅、氮氧化铝、氧化铝、氮化铝、二氧化钛或氮化钛，或者由有机材料形成，例如聚酰亚胺、聚酯或丙烯酯，或者它们的层叠。在一些实施例中，可以不包括缓冲层12。

在一些实施例中，由半导体材料制成的有源层14可以被形成为缓冲层12上的图案。在一些实施例中，有源层14可以由多晶硅形成，但不局限于此，还可以由氧化物半导体形成。在一些实施例中，有源层可以是G-I-Z-O层[(In₂O₃)_a(Ga₂O₃)_b(ZnO)_c层]（其中a、b、c是实数且满足a≥0、b≥0且c>0的条件）。

在一些实施例中，可以在缓冲层12上形成栅绝缘膜16，以覆盖有源层14，在栅绝缘膜16上可以形成栅电极18。

在一些实施例中，可以在栅绝缘膜16上形成层间绝缘膜20，以覆盖栅电极18，在层间绝缘膜20上可以形成源电极22和漏电极24，源电极22和漏电极24经由有源层14和接触孔相互接触。

在一些实施例中，对于每个像素可以提供至少一个如上配置的薄膜晶体管。

在一些实施例中，薄膜晶体管可以由第一保护层26覆盖。在一些实施例中，第一保护层26可以是具有形成在层间绝缘膜20上的至少一个层的层状结构，并且可以由有机材料和/或无机材料制成。在一些实施例中，有机材料可以是聚合物材料、丙烯酯、聚酰亚胺或聚酯，无机材料可以是二氧化硅、氮化硅、氮氧化铝、氧化铝、氮化铝、二氧化钛或氮化钛。

在一些实施例中，可以在第一保护层26上形成滤色片28，在滤色片28上可以形成平整层30。在一些实施例中，白有机发光显示器（OLED）可以使用滤色片28来实现红色、绿色和蓝色，并可以使用平整层30来补偿滤色片28的阶梯高度。在一些实施例中，滤色片28和平整层30可以是由有机材料制成的有机膜。在一些实施例中，可以使用光敏丙烯酯材料作为平整层30。

在一些实施例中，滤色片28可以被形成为具有1μm至2μm的厚度，以实现颜色特性，平整层30可以被形成为具有2μm至3μm的厚度，以补偿滤色片28的阶梯高度。

在一些实施例中，滤色片28和平整层30可能在高温环境下的沉积工艺中产生排气70，这样的排气70可能对发光层46施加影响，以导致出现像素减少等。在一些实施例中，可能由于在滤色片28和平整层30的图案化工艺中出现的光致反应，并主要是由于PAC（光敏化合物）成分，而产生排气70。作为剩余气体，可以观察到作为苯基化合物的苯甲醛、苯甲醇和甲苯，以及木糖胶。

在一些实施例中，可以在平整层30上形成第二保护层38，以防止出现像素减少等。在一些实施例中，第二保护层38可以由和第一保护层26相同的材料制成，但并不局限于此。在一些实施例中，第二保护层38可以是由无机材料制成的无机膜，并且可以由二氧化硅、氮化硅、氮氧化铝、氧化铝、氮化铝、二氧化钛或氮化钛制成。

在一些实施例中，可以在第二保护层38上形成第一电极40。在一些实施例中，第一电极40可以通过形成在第一保护层26和第二保护层38上的通孔连接到漏电极24。

在一些实施例中，可以在第二保护层38上形成像素限定膜42，像素限定膜42可以覆盖第一电极40的边缘。在一些实施例中，像素限定膜42可以提供有暴露第一电极40的一部分的开口。在一些实施例中，像素限定膜42可以由例如丙烯酯、聚酰亚胺和聚酯的有机材料形成，但并不局限于此。在一些实施例中，像素限定膜42还可以由无机材料或有机/无机复合物形成。

在一些实施例中，在像素限定膜42上可以形成间隔件44。在一些实施例中，在像素限定膜42的表面不平的情况下，间隔件44可以平整像素限定膜42的表面。在一些实施例中，间隔件44可以调节有机发光显示器的整体厚度。

在一些实施例中，在第一电极40、像素限定膜42和间隔件44上可以形成发光层46，以覆盖第一电极40的通过开口暴露的部分，可以在发光层46、像素限定膜42、间隔件44上形成第二电极48，以覆盖发光层46。

在一些实施例中，可以对第一电极40独立地图案化，从而区分每个像素。在一些实施例中，第二电极48可以被形成为共用电极，以覆盖所有像素，但并不局限于此。在一些实施例中，可以对第二电极48独立地图案化，以和第一电极40相同的方式区分每个像素。

在一些实施例中，可以由第一电极40、第二电极48和发光层46配置有机发光显示器。在一些实施例中，可以由薄膜晶体管调节施加到第一电极40和第二电极48的电压。

在较佳实施例中，第一电极40和第二电极48可以具有彼此相反的极性。在一些实施例中，第一电极40和第二电极48可以分别是阳极和阴极，或者相反，分别是阴极和阳极。

在任何情况下，用作阳极的电极包括其功函数的绝对值大的导体，用作阴极的电极包括其功函数的绝对值小的导体。在一些实施例中，具有大的功函数绝对值的导体可以是透明导电氧化物，例如ITO、In₂O₃、ZnO或IZO，或者例如Au的贵金属。在一些实施例中，具有小的功函数绝对值的导体可以是Ag、Al、Mg、Li、Ca、LiF/Ca或LiF/Al。

在其中在和基板10相对的方向实现图像的顶发射型的实施例中，第一电极40可以包括反光板，第二电极48可以是可透光的。

对此，在第一电极40作为阳极的实施例中，Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的化合物可以被形成为反光板，并且具有高功函数的ITO、IZO、ZnO或In₂O₃可以被形成为反光板。在第一电极40作为阴极的情况下，第一电极40可以由具有低功函数并且可反射光的Ag、Al、Mg、Li、Ca、LiF/Ca或LiF/Al形成。

在第二电极48作为阴极的实施例中，第二电极48可以由具有低功函数并具有薄的厚度的金属形成，例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或Ag，从而第二电极48变成半渗透膜。在一些实施例中，通过在这样的金属半渗透膜上形成透明导体，例如ITO、IZO、ZnO或In₂O₃，可以解决由于薄的厚度产生的高阻抗问题。在第二电极48作为阳极的实施例中，第二电极48可以由ITO、IZO、ZnO或In₂O₃形成。

在一些实施例中，用于形成第一电极40和第二电极48的材料可以由本领域技术人员已知的其它材料替换。

在一些实施例中，第一电极40和第二电极48可以向插入在第一电极40和第二电极48之间的发光层46施加具有不同极性的电压，以使发光层46发光。

在一些实施例中，可以使用低分子或高分子有机层作为发光层46。在使用低分子有机层的实施例中，可以用单个结构或复合结构的方式层叠空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、发光层（EML）、电子传输层（ETL）和电子注入层（EIL），并且可以采用各种可用的有机材料，例如铜酞菁（CuPc）、(N,N'-二萘-1-基-N,N'-联苯-联苯胺:NPB)和三-8-羟基喹啉铝（Alq3）。在一些实施例中，这些低分子有机层可以通过气相沉积法形成。

在一些实施例中，高分子有机层可以具有其中空穴传输层（HTL）和发光层（EML）可层叠的结构。在这种情况下，PEDOT可以被用作空穴传输层，PPV（聚苯乙炔）基和聚芴基高分子有机材料可以被用作发光层。在一些实施例中，上述层可以通过丝网印刷法或喷墨印刷法形成。

在一些实施例中，发光层46可以被包括在单元像素区80中。在一些实施例中，单元像素区80可以是包括一个发光层46的区域。在一些实施例中，单元像素区80可以包括至少一个薄膜晶体管。参考图3，单元像素区80可以排列成矩阵形式，但并不局限于此。在一些实施例中，单元像素区80还可以排列成波形瓦（pentile）形式。

在一些实施例中，可以提供多个发光层46。在一些实施例中，多个发光层46可以形成为在基本相同的平面上彼此间隔开。参考图3，多个发光层46可以排列成矩阵形式，但并不局限于此。在一些实施例中，多个发光层46还可以排列成波形瓦形式。

上述发光层46并不局限于如上所述的那样，而是可以采用其各种示例。

参考图1和图2，在一些实施例中，作为第二保护层38的无机膜可以包括至少一个孔38a，孔38a暴露作为平整层30的有机膜的至少一部分。这里，暴露平整层30的至少一部分可以意味着第二保护层38不出现在平整层30的部分区域上，并且平整层30的至少一部分直接接触除了第二保护层38之外的其它层。在一些实施例中，孔38a可以表示其中第二保护层38不出现在平整层30上的部分。

在一些实施例中，第二保护层38在邻近孔38a的区域的厚度可以小于第二保护层38在不邻近孔38a的区域的厚度。在一个示例性实施例中，第二保护层38的厚度在基板10上基本上是恒定的，除了第二保护层38在邻近孔38a的区域的厚度可以小于第二保护层38在其它区域的厚度。在一些实施例中，孔38a的形状从有机发光显示设备的上侧看是矩形。然而，孔38a的形状并不局限于此，而可以是圆形、椭圆形或多边形。

在一些实施例中，有机图案34可以位于平整层30上由孔38a暴露的地方。在一些实施例中，有机图案34的至少一部分可以直接接触平整层30。在一些实施例中，有机图案34可以通过充满整个孔38a直接接触平整层30上由孔38a暴露的全部地方，但并不局限于此。在一些实施例中，有机图案34还可以直接接触平整层30上由孔38a暴露的地方的一部分。

如图1和图2所示，在一些实施例中，有机图案34可以是倒锥形。在一个示例性实施例中，如果以平行于平整层30的一个表面切割有机图案34，则有机图案34的横截面的横截面积可以是朝着平整层30的方向减小。在图1和图2的横截面图中，有机图案34可以是梯形形状，梯形的两个底部中具有较短长度的一个底部可以直接接触平整层30。

在一些实施例中，第二保护层38可以位于平整层30上，以直接接触平整层30，并且还可以位于有机图案34上，以直接接触该有机图案。在一些实施例中，第二保护层38可以位于有机图案34的上表面上。在一些实施例中，第二保护层38可以不位于有机图案34的至少一部分的侧表面上。在一些实施例中，第二保护层38可以仅位于有机图案34的上表面上。在一些实施例中，像素限定膜42可以直接接触有机图案34的至少一部分的侧部。图1和图2示出了其中第二保护层38不位于有机图案34的一部分的侧表面上的实施例。然而，本实施例不局限于此，而是第二保护层38还可以位于有机图案34的侧表面上。在一些实施例中，第二保护层38的形成在有机图案34的侧表面上的部分的厚度可以小于第二保护层38的形成在有机图案34的上表面上的部分的厚度。

在一些实施例中，因为在沉积工艺中沉积第二保护层38，因此第二保护层38不位于有机图案34的至少一部分的侧表面上，或者第二保护层38的位于有机图案34的至少一部分的侧表面上的部分的厚度小于第二保护层38的位于有机图案34的上表面上的部分的厚度。在一些实施例中，位于平整层30上的第二保护层38可以通过沉积工艺被沉积。例如，从和平整层30相对的沉积源排放的无机材料可以被沉积在平整层30上，以形成第二保护层38。这里，由于从沉积源排放的无机材料的移动路径得到粗糙的线性度，无机材料可不沉积在具有倒锥形的有机图案34的侧表面上，或者沉积在有机图案34的侧表面上的无机材料的量可少于沉积在有机图案34的上表面上的无机材料的量。

在一些实施例中，有机图案34可以由有机材料制成。在一个示例性实施例中，有机图案34可以由光致抗蚀剂制成。在一些实施例中，有机图案34可以由负性光致抗蚀剂制成。如果负性光致抗蚀剂被用作形成有机图案34的材料，则可容易地形成有机图案34的形状，也就是倒锥形，并且有机图案34自身也可以用作排气70的移动路径。在一些实施例中，形成有机图案34的材料可以是可以容易地形成倒锥形并且排气70可以穿过的各种各样的材料中的任意一种，或者它们的组合。

在一些实施例中，有机图案34可以被形成为重叠薄膜晶体管。在一个示例性实施例中，有机图案34可以被形成为重叠漏电极24，但并不局限于此。在一些实施例中，有机图案34还可以被形成重叠源电极22或栅电极18。

在一些实施例中，有机图案34或孔38a可以位于多个发光层46之间。在一些实施例中，多个发光层46可以被形成彼此间隔开。在图3所示的一个示例性实施例中，多个有机图案34可以被形成邻近发光层46的两个侧表面。在一些实施例中，在单元像素区80中，在邻近发光层46的一个侧表面的区域可以形成三个有机图案34，在邻近发光层46的和一个侧表面相对的另一个侧表面的区域还可以形成三个有机图案34。在一些实施例中，多个有机图案34可以对于发光层46的一个侧表面和另一个侧表面平行排列，从而以相同距离彼此间隔开，但并不局限于此。在图3所示的一个示例性实施例中，由于发光层46以矩阵形式排列，有机图案34形成在每个矩阵的两个侧表面上，因此在在行方向上相邻的发光层46之间可以形成两列有机图案34。在一些实施例中，在在列方向上相邻的发光层46之间可以不形成有机图案34。

接下来将参考图4至图6描述制造根据一个实施例的显示设备的方法。图4至图6是说明制造根据一个实施例的显示设备的方法的剖视图。为了说明方便，将省略对和上述显示设备的内容重复的部分的说明。

首先，参考图4，在平整层30上展开感光膜32。在一些实施例中，感光膜32可以是具有容易被光改变的特性，也就是具有感光性的薄膜，可以使用各种各样的感光膜32。然而，较佳地使用能容易地成形为倒锥形并且排气70可以穿过的感光膜32。在一些实施例中，已经例示使用上述负性光致抗蚀剂作为感光膜32。在一些实施例中，在将感光膜32展开在平整层30上之后，可以在感光膜32上排列掩膜50，掩膜50在将要形成有机图案34的位置具有一个开口。在一些实施例中，将要形成有机图案34的位置可以基本上和形成孔38a的位置相同。在一些实施例中，在排列掩膜50之后，在将要形成有机图案34的区域上的负性光致抗蚀剂可以使用紫外线60通过开口照射而硬化。

接下来，参考图5，在使用紫外线60照射后，可以通过显影负性光致抗蚀剂形成具有倒锥形的有机图案34。也就是，如果负性光致抗蚀剂被曝光和显影，由紫外线60照射的部分可以保持倒锥形。如上所述，当形成有机图案34时，可以使用甚至在其它工艺中使用的负性光致抗蚀剂来简化倒锥形的图案的形成，并降低工艺成本，但并不局限于此。

接下来参考图6，可以在平整层30和有机图案34上形成第二保护层38。在一些实施例中，可以通过沉积工艺形成第二保护层38。在一些实施例中，沉积工艺可以在300℃至400℃的高温环境下进行。也就是，在高温环境下的沉积工艺中，从平整层30（或滤色片28）产生的排气70不能穿过由无机材料制成的第二保护层38，但是可以穿过由有机材料制成的有机图案34。如果没有孔38a或有机图案34，就没有排放从平整层30（或滤色片28）产生的排气70的路径，因此排气70可能会穿过第二保护层38并排放出来，或者通过第二保护层38的边缘渗出。也就是，第二保护层38不能在平整层30上被合适地沉积，而是从平整层30脱落。然而，由于根据一个实施例的显示设备包括孔38a和有机图案34，在第二保护层38的高温沉积工艺中产生的排气70可以通过孔38a和有机图案34排放，因此防止了第二保护层38的脱落。进一步，由于提供了形成第二保护层38的合适的环境，可以高质量地形成第二保护层38。进一步，在平整层30（或滤色片28）中保留的排气70可以在高温沉积工艺中被最大限度地排放，即使在完成沉积工艺之后，也可以使排气70对周期结构的影响最小。

图7是根据另一实施例的显示设备的有机图案37的放大的剖视图。为了说明方便，对于和图1中示出的元件基本上相同的元件使用了相同的附图标记，并省略了对它们的重复说明。

参考图7，根据另一实施例的显示设备包括“T”形有机图案37。这里，“T”形可以是图7的剖视图中所示出的形状。在一些实施例中，“T”形有机图案37可以包括柱部分和翼部分，柱部分接触平整层30并形成为垂直于平整层30的一个表面，翼部分形成为从柱部分的一个端部以平行于平整层30的一个表面的方向延伸预定距离。在一些实施例中，柱部分可以接触平整层30的由孔38a暴露的部分。在图7示出的示例性实施例中，所显示的孔38b具有和根据一个实施例的显示设备的孔38a的形状不同的形状，但并不局限于此。在一个示例性实施例中，柱部分可以位于由孔38b暴露的区域的中心部分。在一些实施例中，第二保护层38可以形成在翼部分上。在一些实施例中，第二保护层38可以不位于平整层30的与翼部分重叠的至少一部分上。在一个示例性实施例中，平整层30的与翼部分重叠的至少一部分可以直接接触像素限定膜42。

接下来，将参考图8至图11描述制造根据另一实施例的显示设备的方法。图8至图11是说明制造根据另一实施例的显示设备的方法的剖视图。为了方便，将省略对和上述显示设备的内容重复的部分的说明。

首先，参考图8和图9，可以在平整层30上展开例如光致抗蚀剂的感光膜33，然后有选择地曝光。尽管这一步骤和图4所示的步骤相似，但这一步骤和图4所示的步骤不同在于第一感光膜33a和第二感光膜33b被相继展开并随后被曝光。

参考图8，在一些实施例中，可以在平整层30上展开第一感光膜33a，有选择地曝光有机图案37的柱部分将要位于的区域。

接下来，参考图9，可以在第一感光膜33a上展开第二感光膜33b，可以有选择地曝光有机图案37的翼部分将要位于的区域。

接下来，参考图10，可以通过显影第一感光膜33a和第二感光膜33b形成“T”形有机图案37。在图8至图10中，展示了可以使用负性光致抗蚀剂作为感光膜33，因此柱部分和翼部分具有倒锥形，但并不局限于此。特别地，在根据另一实施例的显示设备中，由于有机图案37具有“T”形，在“T”形的侧表面上很难沉积无机材料，特别是甚至在邻近柱部分的侧表面的区域上，因此并非必须柱部分和翼部分都是倒锥形。例如，甚至通过使用正性光致抗蚀剂作为第一感光膜33a和第二感光膜33b，可以防止在有机图案37的侧表面上沉积第二保护层，特别是在柱部分的侧表面上。

接下来，参考图11，可以通过高温环境下的沉积工艺在平整层30和有机图案37上形成第二保护层38。在一些实施例中，由于孔38b和有机图案37用作排气70的移动路径，可以防止第二保护层38的脱落，并且可以高质量地形成第二保护层38。

图12是根据又一实施例的显示设备的孔38a的放大的剖视图。为了说明方便，对于和图1中示出的元件基本上相同的元件使用了相同的附图标记，并省略了对它们的重复说明。

参考图12，和一些实施例不同，有机图案34可以不出现在形成孔38a的区域。也就是，作为像素限定膜42的一部分的绝缘膜，而不是有机图案34，直接接触孔38a。

接下来，将参考图13至图17描述制造根据又一实施例的显示设备的方法。图13至图17是说明制造根据又一实施例的显示设备的方法的剖视图。为了方便，将省略对和上述显示设备的内容重复的部分的说明。

首先，图13至图15分别对应于图4至图6，对它们的描述被省略。

接下来，参考图16，可以使用剥除器等移除形成孔38a的区域上的有机图案34和第二保护层38。在一个示例性实施例中，有机图案34的高度可以比第二保护层38的高度高三倍，有机图案34可以导致层叠在有机图案34上的像素限定膜42的阶梯高度。因此，在进行后续工艺之前，也就是，在紧接着形成第二保护层38之后，可以移除有机图案34和有机图案34上的第二保护层38，以去除导致像素限定膜42的阶梯高度的因素。

接下来，参考图17，可以在平整层30和第二保护层38上形成像素限定膜42。在一些实施例中，像素限定膜42的一部分可以直接接触平整层30。

图18和图19是根据又一实施例的显示设备的平面图。为了方便，对于和图3中示出的元件基本上相同的元件使用了相同的附图标记，并省略了对它们的重复说明。

参考图18，在邻近发光层46的两个侧表面的区域中，可以以线形形成根据又一实施例的显示设备的有机图案35。接下来，参考图19，可以在四个单元像素区80接触在一起的部分形成有机图案36。在一些实施例中，有机图案36可以形成在对应于发光层46的角落部分的区域。

尽管参考本实施例的示例性实施例特别地展示和描述了本实施例，本领域普通技术人员应当理解可以在不背离下述权利要求限定的本实施例的精神和范围的情况下对形式和细节进行各种改变。因此本实施例应当被认为在各个方面都是展示性的，而不是限制性的，应当参考所附权利要求而不是前述说明书来认定本发明的范围。

Claims (25)

1.一种显示设备，包括：

基板；

位于所述基板上的有机膜；

位于所述有机膜上的无机膜，所述无机膜具有至少一个用于暴露所述有机膜的至少一部分的孔；

位于所述无机膜上的第一电极；

位于所述第一电极上的第二电极；

位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层，以通过所述第一电极和所述第二电极发射光；和

位于由所述孔暴露的有机膜上的有机图案。

2.如权利要求1所述的显示设备，其中所述无机膜还位于所述有机图案上。

3.如权利要求1所述的显示设备，其中所述有机图案是倒锥形。

4.如权利要求3所述的显示设备，其中所述孔被所述有机图案完全充满。

5.如权利要求3所述的显示设备，其中所述无机膜不位于所述有机图案的至少一部分的侧表面上。

6.如权利要求5所述的显示设备，进一步包括位于所述无机膜上的像素限定膜，以划分其中所述发光层所位于的区域。

7.如权利要求3所述的显示设备，其中所述有机图案由负性光致抗蚀剂制成。

8.如权利要求1所述的显示设备，其中所述有机图案为“T”形。

9.如权利要求8所述的显示设备，其中所述有机图案接触被所述孔暴露的有机膜的一部分。

10.如权利要求8所述的显示设备，其中所述无机膜不位于所述有机图案的至少一部分的侧表面上。

11.如权利要求10所述的显示设备，进一步包括：

位于所述无机膜上的像素限定膜，以划分其中所述发光层所位于的区域，

其中所述有机图案的所述至少一部分的所述侧表面接触所述像素限定膜。

12.如权利要求1所述的显示设备，其中所述有机图案的至少一部分直接接触所述有机膜。

13.如权利要求1所述的显示设备，进一步包括位于所述基板和所述有机膜之间的薄膜晶体管，以控制施加到所述第一电极和所述第二电极的电压。

14.如权利要求13所述的显示设备，其中所述孔被定位为重叠所述薄膜晶体管。

15.如权利要求1所述的显示设备，其中多个发光层被提供，

所述多个发光层被形成为在相同的平面上彼此间隔开，和

所述孔位于所述多个发光层之间。

16.一种显示设备，包括：

基板；

位于所述基板上的有机膜；

位于所述有机膜上的无机膜，所述无机膜具有至少一个用于暴露所述有机膜的至少一部分的孔；

位于所述无机膜上的第一电极；

位于所述第一电极上的第二电极；

位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层，以通过所述第一电极和所述第二电极发射光；和

位于所述无机膜上并接触由所述孔暴露的所述有机膜的绝缘膜。

17.如权利要求16所述的显示设备，其中所述绝缘膜是划分其中所述发光层所位于的区域的像素限定膜。

18.如权利要求16所述的显示设备，进一步包括位于所述基板和所述有机膜之间的薄膜晶体管，以控制施加到所述第一电极和所述第二电极的电压。

19.如权利要求18所述的显示设备，其中所述孔被定位为重叠所述薄膜晶体管。

20.如权利要求16所述的显示设备，其中多个发光层被提供，

所述多个发光层被形成为在相同的平面上彼此间隔开，和

所述孔位于所述多个发光层之间。

21.一种制造显示设备的方法，包括：

在基板上形成薄膜晶体管；

在所述薄膜晶体管上形成有机膜；

在所述有机膜上涂覆感光膜；

通过选择性地曝光和显影所述感光膜形成倒锥形的有机图案；以及

在所述有机膜和所述有机图案上形成无机膜。

22.如权利要求21所述的制造显示设备的方法，其中形成无机膜包括通过在300℃至400℃的温度下沉积无机材料而形成所述无机膜。

23.如权利要求21所述的制造显示设备的方法，进一步包括在形成所述无机膜之后通过移除所述有机图案和所述有机图案上的所述无机膜暴露所述有机膜。

24.如权利要求23所述的制造显示设备的方法，进一步包括在暴露所述有机膜之后形成位于所述无机膜上的绝缘膜，以覆盖所暴露的有机膜。

25.如权利要求21所述的制造显示设备的方法，进一步包括：

在形成所述无机膜之后在所述无机膜上形成第一电极；

在所述第一电极上形成发光层；和

在所述发光层上形成第二电极。

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