CN103855203B - 一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法 - Google Patents
一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103855203B CN103855203B CN201210524692.0A CN201210524692A CN103855203B CN 103855203 B CN103855203 B CN 103855203B CN 201210524692 A CN201210524692 A CN 201210524692A CN 103855203 B CN103855203 B CN 103855203B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrates
- doped layers
- collector
- germanium
- doped layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 241000033695 Sige Species 0.000 claims 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 16
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 12
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D12/00—Bipolar devices controlled by the field effect, e.g. insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
- H10D12/411—Insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D12/00—Bipolar devices controlled by the field effect, e.g. insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
- H10D12/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
- H10D62/137—Collector regions of BJTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/17—Semiconductor regions connected to electrodes not carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. channel regions
- H10D62/177—Base regions of bipolar transistors, e.g. BJTs or IGBTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
- H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
- H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
- H10D62/832—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge being Group IV materials comprising two or more elements, e.g. SiGe
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法，属于半导体功率器件的技术领域。该结构包括集电极、第二P+掺杂层、N+掺杂层、N+缓冲层、N‑基区、P‑基底、第一P+掺杂层和发射极；N‑基区的上方为P‑基底，N‑基区的下方为N+缓冲层，P‑基底的上方为第一P+掺杂层，第一P+掺杂层的上方形成发射极，逆导型绝缘栅双极晶体管的背面有第二P+掺杂层和N+掺杂层，第二P+掺杂层和N+掺杂层的下方形成集电极，在与P‑基底接近的所述N‑基区上有局域寿命控制区域。本发明可以在不显著增加IGBT制备成本的基础上显著改善逆导型IGBT在二极管模式时的反向恢复特性。
Description
技术领域
本发明属于半导体功率器件的技术领域，特别涉及一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法。
背景技术
传统的绝缘栅双极晶体管（IGBT）在承受反向偏压时，集电结反偏而不能导通。所以绝缘栅双极晶体管经常与一个反并联的快恢复二极管一起使用，通过快恢复二极管来为绝缘栅双极晶体管的感性负载提供电流的泄放通道。实际应用中的绝缘栅双极晶体管的单管及模块大多数是由绝缘栅双极晶体管芯片和快恢复二极管芯片共同封装而成的。逆导型绝缘栅双极晶体管是当前国际上一种新型的绝缘栅双极晶体管器件，它是将传统的绝缘栅双极晶体管元胞结构与快恢复二极管元胞结构巧妙集成于同一芯片，提供了一个紧凑的反向电流泄放通道。逆导型绝缘栅双极晶体管节省了芯片面积、封装和测试费用，降低了器件成本。此外，它还具有低的损耗、良好的安全工作区等特性。相对传统绝缘栅双极晶体管器件，逆导型绝缘栅双极晶体管在成本和性能上具有很大优势，加上巨大的市场需求使得逆导型绝缘栅双极晶体管成为国外各大厂商研究的焦点。
然而，逆导型绝缘栅双极晶体管在拥有诸多优点的同时，其结构也有一些固有的问题。由于逆导型绝缘栅双极晶体管的制备工艺兼容于现有的绝缘栅双极晶体管制备工艺，因此逆导型绝缘栅双极晶体管工作在绝缘栅双极晶体管模式时其性能较为优秀，而工作在二极管模式时其特性和理想的快恢复二极管有很大的差别。图1给出了逆导型绝缘栅双极晶体管的结构，其中P-基底、N-基区和N+缓冲层构成了PIN的二极管结构。P-基底的上面的第一P+层用于防止闩锁。绝缘栅双极晶体管的发射极即为快恢复二极管的阳极。在逆导型绝缘栅双极晶体管的背面依次设有第二P+层和N+层，分别作为绝缘栅双极晶体管的集电极和快恢复二极管的阴极。当在发射极（Emitter）和集电极（Collector）之间施加正向电压时，P-基底和N-基区之间的PN结导通，此时逆导型绝缘栅双极晶体管工作在二极管模式。图2给出了逆导型绝缘栅双极晶体管工作在二极管模式时和快恢复二极管正向导通时的载流子浓度分布。为了防止闩锁，正面第二P+掺杂层的浓度不宜过低，因此采用通过降低正面第二P+掺杂层注入效率来降低阳极一侧的载流子浓度的方法也有其局限性。
对于理想的快恢复二极管，正向导通时靠近阴极区域的载流子浓度要大于阳极区域的载流子浓度。当二极管上施加反向电压后，耗尽区从阳极一侧向阴极区域延伸。阴极区域具有更大的载流子浓度可以在整个反向恢复的整个过程中持续提供载流子，此时快恢复二极管具有更小的峰值反向恢复电流Irrm和更软的反向恢复过程，这在电路应用中是非常重要的。更小的Irrm会对另一桥臂的绝缘栅双极晶体管导通瞬间产生更小的冲击电流，而软的反向恢复过程具有更低的电流变化率和更长的反向电流下降时间，因此由回路中的杂散电感产生的冲击电压更小，这对于电路的可靠工作是非常重要的。而逆导型绝缘栅双极晶体管工作在二极管模式时，其载流子浓度分布恰好相反，因此具有较差的反向恢复特性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法，解决了现有技术中逆导型绝缘栅双极晶体管反向恢复特性差的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构，包括集电极、第二P+掺杂层、N+掺杂层、N+缓冲层、N-基区、P-基底、第一P+掺杂层和发射极；其中，所述N+缓冲层、所述N-基区和所述P-基底形成二极管结构，所述N-基区的上方为所述P-基底，所述N-基区的下方为所述N+缓冲层，所述P-基底的上方为所述第一P+掺杂层，所述第一P+掺杂层的上方形成所述发射极，所述N+缓冲层下方有所述第二P+掺杂层和所述N+掺杂层，所述第二P+掺杂层和所述N+掺杂层的下方形成所述集电极，在与所述P-基底接近的所述N-基区上有局域寿命控制区域。
进一步地，当在所述发射极和所述集电极之间施加零偏压时，所述P-基底与所述N-基区之间的PN结在所述N-基区有耗尽层，所述局域寿命控制区域的上界面与所述P-基底的距离大于所述耗尽层的宽度。
进一步地，所述局域寿命控制区域的宽度小于三分之一的所述N-基区的宽度。
进一步地，所述集电极的材料为锗或者硅锗合金。
进一步地，所述锗或者所述硅锗合金均为单晶、多晶或者非晶的任意一种。
进一步地，所述锗的厚度为0.1μm-10μm。
优选地，所述锗的厚度为0.5μm-2μm。
一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构的制备方法，包括如下步骤：
选取N-型衬底，依次通过离子注入和高温退火形成P-基底；在与所述P-基底接近的N-基区上通过离子注入的方法形成局域寿命控制区域，然后激活，所述离子注入的离子为S或者Se；在所述P-基底的局部区域通过离子注入的方法形成第一P+掺杂层，在所述N-衬底的正面淀积形成发射极；将所述N-衬底背面减薄，然后通过离子注入或者质子辐照的方法形成N+缓冲层；在所述N+缓冲层的表面通过化学气相淀积的方法或者溅射的方法淀积锗或者硅锗合金，在所述锗或者硅锗合金上通过离子注入和高温退火形成第二P+掺杂层和N+掺杂层；在所述第二P+掺杂层和所述N+掺杂层淀积金属层，形成集电极。
进一步地，所述S和所述Se的浓度均为1e12/cm3–1e16/cm3。
进一步地，所述形成局域寿命控制区域的离子注入的能量范围为0.5MeV–100MeV，所述形成局域寿命控制区域的离子注入的剂量在1e10/cm2–1e14/cm2。
本发明提供的一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法，通过载流子寿命控制，能够降低阳极一侧的载流子浓度；采用锗材料或者硅锗合金材料作为集电极，与硅相比，杂质在锗或者硅锗合金中中具有更高的激活率，因此可以获得更高的集电极掺杂浓度。本发明可以在不显著增加IGBT制备成本的基础上显著改善逆导型IGBT在二极管模式时的反向恢复特性。
附图说明
图1为现有技术提供的逆导型IGBT的结构示意图；
图2为现有技术提供的图1所述的逆导型IGBT的结构在在二极管模式时和FRD正向导通的载流子浓度分布示意图；
图3为本发明实施例提供的逆导型IGBT的结构示意图；
附图标记：
1、集电极，2、第二P+掺杂层，3、N+掺杂层，4、N+缓冲层，5、N-基区，6、P-基底，7、第一P+掺杂层，8、发射极，9、局域寿命控制区域。
具体实施方式
参见图3，本发明实施例提供的一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构，包括集电极1、第二P+掺杂层2、N+掺杂层3、N+缓冲层4、N-基区5、P-基底6、第一P+掺杂层7和发射极8；其中，N+缓冲层4、N-基区5和P-基底6形成二极管结构，N-基区5的上方为P-基底6，N-基区5的下方为N+缓冲层4，P-基底6的上方为第一P+掺杂层7，第一P+掺杂层7的上方形成发射极8，逆导型绝缘栅双极晶体管的背面有第二P+掺杂层2和N+掺杂层3，第二P+掺杂层2和N+掺杂层3的下方形成集电极1，在与P-基底6接近的N-基区5上有局域寿命控制区域9，引入载流子的深能级复合中心是一种能较好降低阳极一侧的载流子浓度的方法。其中，当在发射极8和集电极1之间施加零偏压时，P-基底6与N-基区5之间的PN结耗尽层主要在N-基区5延伸，局域寿命控制区域9的上界面与P-基底6的距离大于所述耗尽层的宽度。另外，局域寿命控制区域9的宽度小于三分之一的N-基区5的宽度。
在本发明实施例中，该集电极1的材料为锗或者硅锗合金，并且，该锗或者硅锗合金均为单晶、多晶或者非晶的任意一种。其中，锗或者硅锗合金的厚度为0.1μm-10μm，锗或者硅锗合金的厚度也可以优选为0.5μm-2μm。
一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构的制备方法，包括如下步骤：
步骤101：选取N-型衬底，然后在N-型衬底正面形成栅氧化层和多晶硅栅电极，通过刻蚀的方法形成栅极图形；
步骤102：采用硼离子注入然后高温退火的方法形成P-基底；
步骤103：在与P-基底接近的N-基区上通过离子注入的方法形成局域寿命控制区域，然后激活，离子注入的离子为S或者Se，S和Se的浓度均为1e12/cm3–1e16/cm3；离子注入的能量和激活退火的温度受到N-基区的掺杂浓度和宽度，P-基底的掺杂浓度和结深的影响。典型的离子注入能量范围为0.5MeV–100MeV，剂量在1e10/cm2–1e14/cm2，杂质激活的温度为800℃–1000℃；
步骤104：在P-基底的局部区域通过光刻的方法形成窗口，然后硼通过离子注入的方法形成第一P+掺杂层；
步骤105：在N-衬底的正面淀积绝缘介质，刻蚀形成接触孔，然后淀积金属铝形成发射极；
步骤106：N-衬底背面减薄，然后通过离子注入或者质子辐照的方法形成N+缓冲层；
步骤107：在N+缓冲层的表面通过化学气相淀积的方法或者溅射的方法淀积锗或者硅锗合金，其厚度在0.1μm-10μm之间，对与硅锗合金，其中锗的原子百分比大于40%；
步骤108：在逆导型绝缘栅双极晶体管的背面依次通过离子注入和高温退火，在锗或者硅锗合金上形成第二P+掺杂层和N+掺杂层，其中，N+掺杂层注入的杂质为P或者As，注入的能量在20KeV-2000KeV，注入的剂量在1e12/cm2-1e16/cm2，退火的温度在300℃到500℃；
步骤109：在背面淀积金属层，其中该金属层从上到下依次为Al、Ti、Ni和Ag，形成集电极。
本发明实施例的优点在于：
1）靠近二极管P-基底区域一侧的N-基区区域中的载流子寿命控制，通过第六主族元素S、Se的注入引入深能级的复合中心，从而能够降低阳极一侧的载流子浓度；
2）采用Ge材料作为集电区材料，通过离子注入并在400℃到500℃的条件下激活杂质，与Si相比，杂质在Ge中具有更高的激活率，因此可以获得更高的集电极掺杂浓度，集电极区域更高的N型掺杂浓度能够增加电子的注入，进而能够增加阴极一侧的载流子浓度。
3）将上述方法结合，可以降低二极管的峰值反向恢复电流，并且获得更软的反向恢复特性。
最后所应说明的是，以上具体实施方式仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照实例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (9)
1.一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构，其特征在于，包括集电极、第二P+掺杂层、N+掺杂层、N+缓冲层、N-基区、P-基底、第一P+掺杂层和发射极；其中，所述N+缓冲层、所述N-基区和所述P-基底形成二极管结构，所述N-基区的上方为所述P-基底，所述N-基区的下方为所述N+缓冲层，所述P-基底的上方为所述第一P+掺杂层，所述第一P+掺杂层的上方形成所述发射极，所述N+缓冲层下方有所述第二P+掺杂层和所述N+掺杂层，所述第二P+掺杂层和所述N+掺杂层的下方形成所述集电极，在与所述P-基底接近的所述N-基区上有局域寿命控制区域，其中，所述集电极的材料为锗或者硅锗合金。
2.根据权利要求1所述的逆导型绝缘栅双极晶体管结构，其特征在于，当在所述发射极和所述集电极之间施加零偏压时，所述P-基底与所述N-基区之间的PN结在所述N-基区有耗尽层，所述局域寿命控制区域的上界面与所述P-基底的距离大于所述耗尽层的宽度。
3.根据权利要求1所述的逆导型绝缘栅双极晶体管结构，其特征在于，所述局域寿命控制区域的宽度小于三分之一的所述N-基区的宽度。
4.根据权利要求1所述的逆导型绝缘栅双极晶体管结构，其特征在于，所述锗或者所述硅锗合金的均为单晶、多晶或者非晶的任意一种。
5.根据权利要求4所述的逆导型绝缘栅双极晶体管结构，其特征在于，所述锗的厚度为0.1μm-10μm。
6.根据权利要求5所述的逆导型绝缘栅双极晶体管结构，其特征在于，所述锗的厚度为0.5μm-2μm。
7.一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
选取N-型衬底，依次通过离子注入和高温退火形成P-基底；在与所述P-基底接近的N-基区上通过离子注入的方法形成局域寿命控制区域，然后激活，所述离子注入的离子为S或者Se；在所述P-基底的局部区域通过离子注入的方法形成第一P+掺杂层，在所述N-衬底的正面淀积形成发射极；将所述N-衬底背面减薄，然后通过离子注入或者质子辐照的方法形成N+缓冲层；在所述N+缓冲层的表面通过化学气相淀积的方法或者溅射的方法淀积锗或者硅锗合金，在所述锗或者硅锗合金上通过离子注入和高温退火形成第二P+掺杂层和N+掺杂层；在所述第二P+掺杂层和所述N+掺杂层淀积金属层，形成集电极。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述S和所述Se的浓度均为1e12/cm3–1e16/cm3。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成局域寿命控制区域的离子注入的能量范围为0.5MeV–100MeV，所述形成局域寿命控制区域的离子注入的剂量在1e10/cm2–1e14/cm2。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210524692.0A CN103855203B (zh) | 2012-12-07 | 2012-12-07 | 一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210524692.0A CN103855203B (zh) | 2012-12-07 | 2012-12-07 | 一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103855203A CN103855203A (zh) | 2014-06-11 |
| CN103855203B true CN103855203B (zh) | 2018-06-01 |
Family
ID=50862633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210524692.0A Active CN103855203B (zh) | 2012-12-07 | 2012-12-07 | 一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103855203B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105226091B (zh) * | 2015-11-10 | 2018-08-07 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法 |
| CN113725280A (zh) * | 2021-09-07 | 2021-11-30 | 上海超致半导体科技有限公司 | 一种低开启电压的超结rb-igbt器件 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1691349A (zh) * | 2004-04-28 | 2005-11-02 | 三菱电机株式会社 | 反向导通型半导体元件及其制造方法 |
| CN101861651A (zh) * | 2007-11-14 | 2010-10-13 | Abb技术有限公司 | 反向导通绝缘栅双极晶体管和对应制造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007103770A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Sanken Electric Co Ltd | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
| JP2011023527A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
2012
- 2012-12-07 CN CN201210524692.0A patent/CN103855203B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1691349A (zh) * | 2004-04-28 | 2005-11-02 | 三菱电机株式会社 | 反向导通型半导体元件及其制造方法 |
| CN101861651A (zh) * | 2007-11-14 | 2010-10-13 | Abb技术有限公司 | 反向导通绝缘栅双极晶体管和对应制造方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 逆导型IGBT发展概述;张文亮，etal;《新型半导体器件》;20121103;正文837页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103855203A (zh) | 2014-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102569067B (zh) | 一种平面高压超快软恢复二极管的制造方法 | |
| CN108122971B (zh) | 一种rc-igbt器件及其制备方法 | |
| CN103618006B (zh) | 一种快恢复二极管及其制造方法 | |
| CN105720107B (zh) | 一种快恢复二极管及其制造方法 | |
| CN101499422A (zh) | 用多晶硅做寿命控制层的内透明集电极igbt制造方法 | |
| CN102820225B (zh) | 具有扩散缓冲层的高压快速软恢复二极管的制造方法 | |
| CN104134663B (zh) | 具有减小振荡的功率开关模块及其制造方法 | |
| CN103489910B (zh) | 一种功率半导体器件及其制造方法 | |
| CN113571415B (zh) | Igbt器件及其制作方法 | |
| CN111211175A (zh) | 一种快恢复二极管器件结构及其制作方法 | |
| CN104681433B (zh) | 一种fs‑igbt的制备方法 | |
| CN116504817A (zh) | 开关速度快且损耗低的rc-igbt结构及其制备方法 | |
| CN107305909A (zh) | 一种逆导型igbt背面结构及其制备方法 | |
| CN204243050U (zh) | 一种快恢复二极管 | |
| CN103022099B (zh) | 一种igbt集电极结构及其制备方法 | |
| CN103035693B (zh) | 场截止型绝缘栅双极晶体管及其制造方法 | |
| CN103855203B (zh) | 一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法 | |
| CN103839994B (zh) | 一种igbt结构及其制作方法 | |
| CN103219236B (zh) | 集电区碳注入内透明集电极igbt制造技术 | |
| CN104167356A (zh) | 绝缘栅双极型晶体管及其制备方法 | |
| CN101436542A (zh) | 变缓冲层浓度内透明集电区绝缘栅双极晶体管的制造方法 | |
| CN107452623B (zh) | 一种快恢复二极管的制造方法及快恢复二极管 | |
| CN205595336U (zh) | 一种逆导型igbt背面结构 | |
| CN105489636B (zh) | 一种半导体功率器件的背面结构 | |
| CN211789025U (zh) | 一种沟槽rc-igbt器件结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |