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CN103820118A - 磷光体组合物和具有该磷光体组合物的发光器件封装件 - Google Patents

磷光体组合物和具有该磷光体组合物的发光器件封装件 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种磷光体组合物以及包含该磷光体组合物的发光装置。磷光体组合物的组成式为AzCxO12:RE，其中z为0≤z≤3，并且x为0≤x≤5，A包含选自Y、Sc、Gd和Lu中的至少一种，C包含选自B、Al和Ga中的至少一种，并且RE包含选自Eu、Ce、Sm、Yb、Dy、Gd、Tm和Lu中的至少一种。发光装置包含磷光体组合物。

Description

磷光体组合物和具有该磷光体组合物的发光器件封装件
技术领域
本实施方案涉及磷光体组合物和包含该磷光体组合物的发光装置。该发光装置可以包括发光器件封装件、照明单元或背光单元。
背景技术
LED（发光器件）是具有将电能转换为光能的性质的器件。例如，LED可以通过调节化合物半导体的组成比呈现出各种颜色。
例如，氮化物半导体呈现出优异的热稳定性和宽的带隙能，使得氮化物半导体在光学器件和高功率电子器件领域已倍受关注。特别地，已将采用氮化物半导体的蓝光、绿光以及UV发光器件商业化并广泛应用。
一般通过在蓝光LED上涂覆产生黄色光的YAG:Ce磷光体的方案来实现发射白光的LED（采用通过涂覆磷光体发光的二次光源）。
然而，根据上述方案，由于二次光引起的量子缺陷（quantum deficit）和再辐射效率，因此效率降低并且不容易显色（color rendering）。
因此，由于在相关技术的白光LED背光中是将蓝光LED与黄色磷光体结合，所以白光LED背光缺乏绿色和红色成分，使得颜色表现不自然。因此，白光LED背光有限地应用于便携式电话或便携式电脑的显示器。然而，由于白光LED背光容易驱动并且便宜，根据相关技术的白光LED背光已得到广泛应用。
一般而言，磷光体材料可以包括硅酸盐、磷酸盐、铝酸盐或硫化物，以及在发光中心使用过渡金属或稀土金属在本技术领域中是公知的。例如，尽管硅酸盐磷光体已用于背光单元或发光器件，但是硅酸盐磷光体不耐潮湿，所以硅酸盐磷光体的可靠性逊于任意其他磷光体。
同时，尽管已经大体研究了通过具有高能量的激发源（例如，紫外光或蓝光）来激发用于白光LED的磷光体以发射可见光，但是，如果将根据相关技术的磷光体暴露至激发源，那么磷光体的亮度就会降低。
发明内容
本实施方案提供具有改进的可靠性和高亮度的磷光体组合物以及具有该磷光体组合物的发光装置。
此外，本实施方案提供具有高发光强度的磷光体组合物以及具有该磷光体组合物的发光装置。
本实施方案提供具有新组成的黄色磷光体和具有该黄色磷光体的发光装置。
此外，本实施方案提供具有改进的可靠性和高亮度的磷光体组合物以及具有该磷光体组合物的发光装置。
另外，本实施方案提供具有高发光强度的磷光体组合物以及具有该磷光体组合物的发光装置。
根据本实施方案的磷光体组合物表示为组成式AzCxO12:RE（0＜z≤0.5），其中，A可以包含选自Y、Sc、Gd和Lu中的至少一种，C可以包含选自Al和Ga中的至少一种，并且RE可以包含选自Eu、Ce、Sm、Yb、Dy、Gd、Tm和Lu中的至少一种。
根据本实施方案的磷光体组合物表示为组成式A3-zC5O12:REz（0＜z≤0.5），其中，A可以包含选自Y、Sc、Gd和Lu中的至少一种，C可以包含选自Al和Ga中的至少一种，RE可以包含选自Eu、Ce、Sm、Yb、Dy、Gd、Tm和Lu中的至少一种，并且组成式A3-zC5O12:REz可以包括组成式(Y,Gd)3-z(B,Al)5O12:Ce。
根据本实施方案的磷光体组合物表示为组成式A3-zC5O12:REz（0＜z≤0.5），其中A可以包含选自Y、Sc、Gd以及Lu中中的至少一种，C可以包含选自B（硼）、Al和Ga中的至少一种，RE可以包含选自Eu、Ce、Sm、Yb、Dy、Gd、Tm和Lu中的至少一种，并且组成式A3-zC5O12:REz可以包括组成式(Gd3-y-zYy)B5O12:Cez（0≤y≤2）。
根据本实施方案的发光器件封装件包括：本体、在本体上的第一电极层和第二电极层、电连接至第一电极层和第二电极层的发光芯片、以及在发光芯片上的包含磷光体组合物的模制构件，其中磷光体组合物包括组成式AzCxO12:RE，z为0≤z≤3并且x为0≤x≤5，A包含选自Y、Sc、Gd和Lu中的至少一种，C包含选自B（硼）、Al和Ga中的至少一种，RE是选自Eu、Ce、Sm、Yb、Dy、Gd、Tm和Lu中的至少一种，并且磷光体组合物发射黄光。
附图说明
图1是示出包含根据本实施方案的磷光体组合物的发光器件封装件的截面图。
图2是示出包含本实施方案的磷光体组合物的发光器件中根据B与Al的比率的激发波长特性数据的曲线图。
图3是示出包含本实施方案的磷光体组合物的发光器件中根据B与Al的比率的发射波长特性数据的曲线图。
图4是示出包含根据本实施方案的磷光体组合物的发光器件中根据Y与Gd的比率的激发波长特性数据的曲线图。
图5是示出包含本实施方案的磷光体组合物的发光器件中根据Y与Gd的比率的发射波长特性数据的曲线图。
图6是示出包含根据本实施方案的磷光体组合物的发光器件中根据Ce的比率的激发波长特性数据的曲线图。
图7是示出包含本实施方案的磷光体组合物的发光器件中根据Ce的比率的发射波长特性数据的曲线图。
图8是示出具有根据本实施方案的发光器件的照明装置的分解透视图。
具体实施方式
在本实施方案的描述中，应理解，当层（或膜）、区域、图案或结构被称为在另一衬底、另一层（或膜）、另一区域、另一焊垫或另一图案“上”或“下方”时，可以是“直接”或“间接”在其他衬底、层（或膜）、区域、焊垫或图案上方，或者还可以存在一个或更多个中间层。已参照附图对层的这样的位置进行了描述。
为了方便或清楚起见，在附图中示出的每层的厚度和尺寸可被放大、省略或示意性地绘制。此外，元件的尺寸并不完全反映实际尺寸。
（实施方案）
图1是示出包含根据第一实施方案的磷光体的发光器件封装件200的截面图。根据第一实施方案的封装件结构不限于此，并且该封装件结构适用于两杯封装型（two cup package type）的封装件。
发光器件封装件200可包含封装件本体205、在封装件本体205上的发光器件芯片100，和在发光器件芯片100上包含磷光体组合物232的模制构件230。
根据第一实施方案的磷光体组合物232表示为组成式A3-zC5O12:REz（0＜z≤0.5），其中A可以包含选自Y、Sc、Gd和Lu中的至少一种，C可以包含选自B（硼）、Al和Ga中的至少一种，并且RE可以包含选自Eu、Ce、Sm、Yb、Dy、Gd、Tm和Lu中的至少一种。
根据第一实施方案的磷光体组合物232可以包括式Y3(B5-xAlx)O12:Ce（0≤x＜5）。
另外，根据第二实施方案的磷光体组合物232可以包括式(Y,Gd)3-z(B,Al)5O12:Cez。
根据第一实施方案和第二实施方案的磷光体组合物232相对于在420nm至500nm范围内的激发波长可以具有在559nm至567nm范围内的发射波长。
根据本实施方案的发光器件封装件200可以包含：封装件本体205、安装在封装件本体205上的第一电极层213和第二电极层214、安装在封装件本体205上并且电连接至第一电极层213和第二电极层214的发光器件芯片100，以及围绕发光器件芯片100的模制构件230。
封装件本体205可以包含硅材料、合成树脂材料或金属材料。可以在发光器件芯片100周围形成倾斜表面。
第一电极层213和第二电极层214彼此电隔离，并且执行向发光器件芯片100供电的功能。此外，第一电极层213和第二电极层214反射从发光器件芯片100产生的光，使得可增加光效率，并且可将从发光器件100产生的热散到外面。
发光器件芯片100可应用于横向型发光器件，但是本实施方案不限于此。发光器件芯片100可以应用于垂直型发光器件或倒装芯片型发光器件。
发光器件芯片100可以由氮化物半导体形成。例如，发光器件芯片100可以包含GaN、GaAs、GaAsP或GaP。
发光器件芯片100可包含如下发光结构：所述发光结构包含第一导电半导体层（未示出）、有源层（未示出）以及第二导电半导体层（未示出）。
根据本实施方案，第一导电半导体层可以包含N型半导体层，第二导电半导体层可以包含P型半导体层，但是本实施方案并不限于此。另外，可在第二导电半导体层上形成具有与第二导电半导体层相反的极性的半导体层，例如，N型半导体层（未示出）。因此，发光结构110可以包含N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P结结构中的一种。
发光器件芯片100可以布置在封装件本体205上，或者可以布置在第一电极层213或第二电极层214上。
发光器件芯片100可以通过包括导线方案、倒装芯片方案以及芯片接合方案中的一种方案电连接至第一电极层213和/或第二电极层214。尽管在本实施方案中描述了发光器件芯片100通过第一导线电连接至第一电极层213，并且通过第二导线电连接至第二电极层214，但是本实施方案不限于此。
模制构件230围绕发光器件芯片100以保护发光器件芯片100。在模制构件230中包含有磷光体组合物232，使得从发光器件芯片100发射的光的波长可以改变。
由于根据本实施方案的磷光体组合物232具有在黄光区域中的发光区域，使得磷光体组合物232可应用于实现白光LED。
例如，磷光体组合物232通过该吸收区域可以具有在420nm至500nm范围内的激发波长和在559nm至567nm范围内的黄光发射波长。
根据本实施方案的黄光磷光体组合物232适用于并且可利用于UV-LED和蓝光LED。
例如，使用蓝光LED芯片实现白光LED的常规方案包括在蓝光LED芯片上涂覆绿色和红色磷光体组合物的方案、在蓝光LED芯片上涂覆黄色磷光体组合物以及在蓝光LED芯片上涂覆绿色、红色和黄色磷光体组合物，其中本实施方案的磷光体组合物表示发射黄光并且用于实现白光LED的磷光体组合物。
根据本实施方案，白光LED可以通过向UV芯片施加绿色、红色和蓝色磷光体组合物来实现，并且可以通过向白光LED附加涂覆黄色磷光体组合物来改进显色指数。
当通过使用本实施方案的磷光体组合物232来实现白光LED时，该白光LED可用于移动通讯装置、车辆、灯、背光单元或医药等领域。
在下文中，将通过参考制造根据本实施方案的磷光体组合物的工艺来更详细地描述本实施方案的特征。
根据第一实施方案的磷光体组合物表示为组成式A3-zC5O12:REz（0＜z≤0.5），其中A可以包含选自Y、Sc、Gd和Lu中的至少一种，C可以包含选自B（硼）、Al和Ga中的至少一种，并且RE可以包含选自Eu、Ce、Sm、Yb、Dy、Gd、Tm和Lu中的至少一种。
例如，第一实施方案的磷光体组合物232可以包含组成式Y3(B5-xAlx)O12:Ce（0≤x＜5）。
根据本实施方案的磷光体组合物232具有易于通过使用稳定的起始材料通过固态反应法制造的优点。例如，在根据Y3B5-xAlxO12:Ce的组成比称量原料Y2O3、Al2O3、B2O3、CeO2和NH4Cl之后，利用溶剂在玛瑙研钵中将原料混合。在这种情况下，可以根据B与Al的比率在0≤x＜5的范围内的变化将原料混合成组合物。
另外，根据第二实施方案的磷光体组合物232可以包含组成式(Y,Gd)3-z(B,Al)5O12:Cez。例如，可以根据基础组合物(Y,Gd)3-z(B,Al)5O12:Cez中Ce的比率的变化混合材料。z可为0.1≤z≤0.3，但是本实施方案不限于此。
磷光体组合物232的合成环境具有如下条件：气体流量在400立方厘米每分钟至2000立方厘米每分钟的范围内并且合成温度在约1300℃至约1500℃的范围内。还原性气体可以包含H2、N2和NH3。在这种情况下，可以通过在5%/95%至20%/80%的范围内改变H2/N2混合气体的比率来合成磷光体组合物232。
例如，根据本实施方案的磷光体组合物232是在如下条件下合成的：其中还原性气体具有20%的H2和80%的N2的含量，气体流量为1000立方厘米/分钟持续约六小时，温度为约1400℃，但是本实施方案不限于此。
然后，可以在使用氧化锆和玻璃球进行了球磨工艺和清洁工艺之后，对烧结（fired）的磷光体组合物232进行干燥。
本实施方案的粒径为约10μm并且具有不规则形状的磷光体组合物232的颗粒可以基于SEM（扫描电子显微镜）数据来确定，磷光体组合物232的组分可以通过EDX（能量散射X射线分析仪）来确定。
如图2和图3所示，经干燥的磷光体组合物232的激发发光特性可以通过PL（光致发光）分析来分析。在根据条件变化的Y3B5-xAlxO12:Ce和(Y,Gd)3-z(B,Al)5O12:Cez的情况下，可以知道磷光体组合物232是发射波长在559nm至567nm范围内的黄色磷光体组合物232。
图2是示出包含根据本实施方案的磷光体组合物232的发光器件中根据B与Al的比率的激发波长特性数据的曲线图。
图3是示出包含本实施方案的磷光体组合物232的发光器件中根据B与Al的比率的发射波长特性数据的曲线图。
表1示出根据B与Al比率的包含本实施方案的磷光体组合物232的发光器件的特性实验例。
表1
实验例 B与Al的比率 组合物 相对强度 中心波长（nm）
实验例1（Spl1） B=5,Al=0 Y3B5O12:Ce 100 560
实验例2（Spl2） B=4,Al=1 Y3B4Al1O12:Ce 124.8 563
实验例3（Spl3） B=3,Al=2 Y3B3Al2O12:Ce 137.5 559
实验例4（Spl4） B=2,Al=3 Y3B2Al3O12:Ce 162.4 561
实验例5（Spl5） B=1,Al=4 Y3B1Al4O12:Ce 150.1 560
根据本实施方案，当在组成式Y3(B5-xAlx)O12:Ce中Al的组成比x在1≤x≤4范围内时，该发光器件具有高可靠性，并且由于其高亮度，所以与组合物Y3B5O12:Ce相比示出最佳发光强度。例如，如表1所示，可以确定，在实验例4中示出了最高发光强度，但是，本实施方案不限于此。
根据第三实施方案的磷光体组合物232表示为组成式A3-zC5O12:REz(0＜z≤0.5)，其中A可以包含选自Y、Sc、Gd和Lu中的至少一种，C可以包含选自B（硼）、Al和Ga中的至少一种，并且RE可以选自Eu、Ce、Sm、Yb、Dy、Gd、Tm和Lu中的至少一种。
根据第三实施方案的磷光体组合物232可以包含组成式(Gd3-y-zYy)B5O12:Cez（0≤y≤2）。磷光体组合物232相对于在420nm至500nm范围内的激发波长可以具有在559nm至567nm范围内的发射波长。例如，根据第一实施方案的磷光体组合物232可包含组成式(Gd3-y-zYy)B5O12:Cez（0＜z≤0.5）。
根据又一实施方案的磷光体组合物232可以包含组成式(Y,Gd)3-z(B,Al)5O12:Cez。例如，可以根据基础组合物(Y,Gd)3-z(B,Al)5O12:Cez中Ce的比率的变化混合材料。z可以为0.1≤z≤0.3，但是本实施方案不限于此。
根据本实施方案的磷光体组合物232具有容易通过使用稳定的起始材料通过固态反应法制造的优点。例如，在根据(Gd3-y-zYy)B5O12:Cez的组成比称量原料Y2O3、Gd2O3、B2O3、CeO2和NH4Cl之后，利用溶剂在玛瑙研钵中将原料混合。在这种情况下，可以根据在0≤y＜2的范围内的Y与Gd的比率的变化将原材材混合成组合物。
磷光体组合物232的合成环境具有如下条件：气体流量在400立方厘米每分钟至2000立方厘米每分钟的范围内并且合成温度在约1300℃至约1500℃的范围内。还原性气体可以包含H2、N2和NH3。在这种情况下，可以通过在5%/95%至20%/80%的范围内改变H2/N2混合气体的比率来合成磷光体组合物232。例如，根据本实施方案的磷光体组合物232是在如下条件下合成：其中还原性气体具有20%的H2和80%的N2的含量，气体流量为1000立方厘米/分钟持续约六小时，温度为约1400℃，但是本实施方案不限于此。
然后，可以在使用氧化锆和玻璃球进行了球磨工艺和清洁工艺之后，对烧结的磷光体组合物232进行干燥。
本实施方案的粒径为约10μm并且具有不规则形状的磷光体组合物232的颗粒可以基于SEM（扫描电子显微镜）数据来确定，并且磷光体组合物232的组分可以通过EDX（能量散射X射线分析仪）来确定。
如图4和图5所示，经干燥的磷光体组合物232的激发发光特性可以通过PL分析来分析。在根据条件变化的(Gd3-y-zYy)B5O12:Cez或(Y,Gd)3-z(B,Al)5O12:Cez的情况下，可知道，磷光体组合物232是发射波长在559nm至567nm范围内的黄色磷光体组合物232。
图4是示出包含本实施方案的磷光体组合物的发光器件中根据Y与Gd的比率的激发波长的特性数据的曲线图。
图5是示出包含本实施方案的磷光体组合物的发光器件中根据Y与Gd的比率的发射波长特性数据的曲线图。
表2
实验例 Y与Gd的比率 组合物 相对强度 中心波长（nm）
实验例6（Spl6） Y=0,Gd=3 Gd3B5O12:Ce 100 559
实验例7（Spl7） Y=1,Gd=2 Y1Gd2B5O12:Ce 87.2 562
实验例8（Spl8） Y=2,Gd=1 Y2Gd1B5O12:Ce 83.4 567
表2示出根据Y与Gd的比率的包含本实施方案的磷光体组合物232的发光器件的特性实验例。
根据本实施方案，当在组成式(Gd3-y-zYy)B5O12:Cez中Y的组成比y在0≤y≤2的范围内时，发光器件具有高可靠性，并且由于其与相关技术相比的高亮度，所以示出最佳的发光强度。
如图5所示，根据本实施方案，尚未在相关领域中提出的发射黄光的新型黄色磷光体组合物可以通过包含组成式(Gd3-y-zYy)B5O12:Cez或(Gd)3-z(B,Al)5O12:Cez来提供。
图6是示出包含根据本实施方案的磷光体组合物232的发光器件中根据Ce的比率的激发波长的特性数据的曲线图。
图7是示出包含本实施方案的磷光体组合物232的发光器件中根据Ce的比率的发射波长特性数据的曲线图。
表3
实验例 Ce的比率 组合物 相对强度 中心波长（nm）
实验例9（Spl9） 0.1 (Y,Gd)3(B,Al)5O12:Ce0.1 100 559
实验例10（Spl10） 0.2 (Y,Gd)3(B,Al)5O12:Ce0.2 129.9 560
实验例11（Spl11） 0.3 (Y,Gd)3(B,Al)5O12:Ce0.3 103.9 564
表3示出根据Ce的比率的包含本实施方案的的磷光体组合物232的发光器件的特性实验例。
根据本实施方案，当组成式A3-zC5O12:REz中RE的组成比z在0.1≤z≤0.3范围内时，发光器件与相关技术相比显示出高的发光强度。具体地，如表2所示的结果，已确定当Ce的比率为0.2（实验例10）时输出最大发光强度，但是本实施方案不限于实验例10。
以上公开的磷光体组合物包含组成式AzCxO12:RE，其中，z为0≤z≤3，x为0≤x≤5，A包含Y、Sc、Gd和Lu中的至少一种，C包含选自B（硼）、Al和Ga中的至少一种，并且RE为选自Eu、Ce、Sm、Yb、Dy、Gd、Tm和Lu中的至少一种。磷光体发射黄光，并且包含以下组成式的至少一种：Y3B5-xAlxO12:Ce、Gd3-y-zYyB5O12:Ce和(Y,Gd)3-z(B,Al)5O12:CeV，其中，x在0≤x≤5的范围内，Y在0≤y≤2的范围内，z在0≤z≤3的范围内，并且v在0.1≤v≤0.3的范围内。
图8是示出具有根据本实施方案的发光器件的照明装置的分解透视图。
参考图8，根据本实施方案的照明系统可以包括盖2100、光源模块2200、散热器2400、电源部件2600、内壳2700以及插座2800。根据本实施方案的照明装置还可以包括构件2300和保持器2500中的至少一种。光源模块2200可以包括根据本实施方案的发光器件。
例如，盖2100可以具有泡形、半球形、部分开放的中空形状。盖2100可以光学耦接到光源模块2200。例如，盖2100可以漫射、散射或激发从光源模块提供的光。盖2100可以是一类光学组件。盖2100可以与散热器2400耦接。盖2100可包括耦接到散热器2400的耦接部件。
盖2100可包括涂覆有乳白涂料的内表面。乳白涂料可以包括用来漫射光的漫射材料。盖2100可以具有表面粗糙度比其外表面粗糙度更大的内表面。提供表面粗糙度是为了充分散射和漫射来自光源模块2200的光。
例如，盖2100的材料可以包括玻璃、塑料、聚丙烯（PP）、聚乙烯（PE）以及聚碳酸酯（PC）。在上述材料中，聚碳酸酯（PC）具有优异的耐光性、耐热性以及强度。盖2100可以是透明的（使得使用者可以从外部看到光源模块2200）或不透明的。盖2100可以通过吹塑方案来形成。
光源模块2200可以布置在散热器2400的一个表面处。因此，来自光源模块2200的热被传递到该散热器2400。光源模块2200可以包括光源2210、连接板2230以及连接器2250。
构件2300布置在散热器2400的顶表面处，并且包括其内嵌有多个光源2210和连接器2250的引导槽（guide grooves）2310。引导槽2310对应于光源2210和连接器2250的衬底。
构件2300的表面可以涂覆有反光材料。例如，构件2300的表面可以涂覆有白色涂料。构件2300再次反射由盖2100的内表面反射的并且返回光源模块2200的方向的光，并将所述光反射向盖2100的方向。因此，可以改善根据本发明的发光器件的光效率。
例如，构件2300可以包含绝缘材料。光源模块2200的连接板2230可以包含导电性材料。因此，散热器2400可以电连接至连接板2230。构件2300可由绝缘材料构造，从而防止连接板2230与散热器2400之间发生电短路。散热器2400接收并且辐射来自光源模块2200和电源部件2600的热。
保持器2500覆盖内壳2700的绝缘部件2710的容纳槽2719。从而封闭了在内壳2700的绝缘部件2710中容纳的电源部件2600。保持器2500包含引导突起（guide protrusion）2510。引导突起2510具有穿过电源部件2600的突起的孔。
电源部件2600处理或转换从外面接收的电信号，并且将经处理或经转换的电信号提供给光源模块2200。电源部件2600在内壳2700的容纳槽2719中被容纳，并且通过保持器2500而被封闭在内壳2700里面。
电源部件2600可以包含突起2610、引导部件2630、基座2650以及延伸部件2670。
引导部件2630具有从基座2650的一侧向外突出的形状。引导部件2630可以嵌入到保持器2500之中。可以在基座2650的一个表面上方布置多个组件。例如，组件可以包括DC转换器（将从外部电源提供的AC功率转换为DC功率）、驱动芯片（控制光源模块2200的驱动）以及静电放电（ESD）保护器件（保护光源模块2200），但是本实施方案不限于此。
延伸部件2670具有从基座2650相反的一侧向外突出的形状。延伸部件2670被嵌入到内壳2700的连接部件2750的内部，并且接收来自外面的电信号。例如，延伸部件2670的宽度可以小于或等于内壳2700的连接部件2750的宽度。“+电线”和“-电线”的第一端子与延伸部件2670电连接，并且“+电线”和“-电线”的第二端子可以与插座2800电连接。
内壳2700之中可以包含模制部件和电源部件2600。模制部件通过硬化模制液体制备，并且电源部件2600可以通过模制部件固定在内壳2700的内部。
根据本实施方案，可以提供具有改进的可靠性和高亮度的磷光体组合物以及具有该磷光体组合物的发光装置。
此外，本实施方案可以提供具有高发光强度的磷光体组合物和具有该组合物的发光装置。
在本说明书中对“一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案”等的任意参考，意思是描述的与该实施方案有关的具体性质、结构或特性包含在本发明的至少一个实施方案中。在本说明书中在多个地方中的这种词语的出现不一定都参考同一实施方案。此外，当描述与任意实施方案有关的具体性质、结构或特性时，应该理解为这些落在本领域技术人员的范围之内，以实现与其他实施方案有关的性质、结构或特性。
尽管已经参考多个说明性的附图描述了实施方案，但是，应理解，本领域的技术人员可以设计许多其他的修改和实施方案，这些将落在本公开内容的原则的精神和范围之内。更具体地，可以在本公开内容、附图以及所附权利要求的范围内对组成部件和/或对主体组合排列的布置进行多种变化和修改。除了组成部件和/或布置的变化和修改之外，改变的用途对于本领域的技术人员也是明显的。

Claims (20)

1.一种组成式为AzCxO12:RE的磷光体组合物，其中z为0≤z≤3，并且x为0≤x≤5，
所述A包含选自Y、Sc、Gd和Lu中的至少一种，
所述C包含选自B、Al和Ga中的至少一种，并且
所述RE包含选自Eu、Ce、Sm、Yb、Dy、Gd、Tm和Lu中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的磷光体组合物，其中所述A为Y。
3.根据权利要求2所述的磷光体组合物，其中在所述组成式AzCxO12:RE中，所述AzCx包括Y3(B5-xAlx)。
4.根据权利要求1所述的磷光体组合物，其中所述A为Y和Gd。
5.根据权利要求4所述的磷光体组合物，其中在所述组成式AzCxO12:RE中，所述Az包括Gd3-y-zYy。
6.根据权利要求5所述的磷光体组合物，其中在所述组成式AzCxO12:RE中，所述Az包括Gd3-y-zYy。
7.根据权利要求5或6所述的磷光体组合物，其中所述Cx为B5。
8.根据权利要求1所述的磷光体组合物，其中所述C包含B和Al。
9.根据权利要求8所述的磷光体组合物，其中所述Cx为(B,Al)5。
10.根据权利要求9所述的磷光体组合物，其中所述组成式AzCxO12:RE包括组成式(Y,Gd)3-z(B,Al)5O12:Ce，并且其中所述z为0.1≤z≤0.3。
11.根据权利要求1所述的磷光体组合物，其中所述RE是Cev，其中所述Cev的组成（v）为0.1≤v≤0.3。
12.根据权利要求1所述的磷光体组合物，其中所述磷光体组合物包含组成式(Y,Gd)3-z(B,Al)5O12:Ce，其中所述z为0.1≤z≤0.3，并且
所述磷光体组合物相对于420nm至500nm范围内的激发波长具有559nm至567nm范围内的发射波长。
13.一种发光器件封装件，其包括：
本体；
在所述本体上的第一电极层和第二电极层；
电连接至所述第一电极层和所述第二电极层的发光芯片；以及
在所述发光芯片上的包含磷光体组合物的模制构件，
其中所述磷光体组合物的组成式为AzCxO12:RE，并且
其中所述z为0≤z≤3，所述x为0≤x≤5，
所述A包含选自Y、Sc、Gd和Lu中的至少一种，
所述C包含选自B（硼）、Al和Ga中的至少一种，
所述RE包含选自Eu、Ce、Sm、Yb、Dy、Gd、Tm和Lu中的至少一种，并且
所述磷光体组合物发射黄光。
14.根据权利要求13所述的发光器件封装件，其中所述发光芯片包括UVLED芯片。
15.根据权利要求13所述的发光器件封装件，其中所述发光芯片包括蓝光LED芯片。
16.根据权利要求13至15中任一项所述的发光器件封装件，其中所述组成式AzCxO12:RE包括组成式(Y,Gd)3-z(B,Al)5O12:Ce，并且其中所述z为0.1≤z≤0.3。
17.根据权利要求13至15中任一项所述的发光器件封装件，其中所述组成式AzCxO12:RE包括组成式(Y,Gd)3-z(B,Al)5O12:Ce，并且其中
所述z为0.1≤z≤0.3。
18.根据权利要求13至15中任一项所述的发光器件封装件，其中所述Cx为B5。
19.根据权利要求13至15中任一项所述的发光器件封装件，其中所述Cx为(B,Al)5。
20.根据权利要求13至15中任一项所述的发光器件封装件，其中所述组成式AzCxO12:RE包括组成式(Y,Gd)3-z(B,Al)5O12:Ce，并且其中所述z为0.1≤z≤0.3。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108473868A (zh) * 2015-12-23 2018-08-31 Lg伊诺特有限公司 荧光体组合物、包括该荧光体组合物的发光器件封装和照明装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101501020B1 (ko) * 2014-02-17 2015-03-13 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법
KR102578085B1 (ko) 2016-04-29 2023-09-14 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 형광체 조성물, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
US10361352B1 (en) * 2018-03-22 2019-07-23 Excellence Opto, Inc. High heat dissipation light emitting diode package structure having at least two light cups and lateral light emission

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5998925A (en) * 1996-07-29 1999-12-07 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device having a nitride compound semiconductor and a phosphor containing a garnet fluorescent material
JP2000265169A (ja) * 1999-03-17 2000-09-26 Yiguang Electronic Ind Co Ltd 白色光源の製造方法
US6409938B1 (en) * 2000-03-27 2002-06-25 The General Electric Company Aluminum fluoride flux synthesis method for producing cerium doped YAG
US20020180338A1 (en) * 2001-05-29 2002-12-05 Nantex Industry Co., Ltd. Process for the preparation of pink light-emitting diode with high brightness
CN1482208A (zh) * 2002-09-13 2004-03-17 北京有色金属研究总院 一种蓝光激发的白色led用荧光粉及其制造方法
CN1558454A (zh) * 1996-09-20 2004-12-29 波长变换填料及其制造方法和含有这种填料的光学元件
CN101113333A (zh) * 2007-08-28 2008-01-30 厦门大学 铈激活的钇铝石榴石荧光粉的制备方法
EP1911826B1 (en) * 2005-08-04 2009-12-16 Nichia Corporation Phosphor and light-emitting device

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100610249B1 (ko) * 2003-12-23 2006-08-09 럭스피아 주식회사 황색 발광 형광체 및 그것을 채용한 백색 반도체 발광장치
JP4779384B2 (ja) * 2005-02-28 2011-09-28 三菱化学株式会社 Ｃｅ付活希土類アルミン酸塩系蛍光体及びこれを用いた発光素子
KR100533922B1 (ko) * 2005-08-05 2005-12-06 알티전자 주식회사 황색 형광체 및 이를 이용한 백색 발광 장치
KR101331392B1 (ko) 2005-09-27 2013-11-20 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 형광체 및 그 제조방법, 및 상기 형광체를 사용한 발광장치
CN1807547B (zh) * 2006-01-27 2011-06-15 罗维鸿 用于固体光源的荧光无机物
US8133461B2 (en) * 2006-10-20 2012-03-13 Intematix Corporation Nano-YAG:Ce phosphor compositions and their methods of preparation
US9120975B2 (en) * 2006-10-20 2015-09-01 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates
CN100999662A (zh) * 2006-12-29 2007-07-18 中国科学院长春应用化学研究所 一种蓝光激发的白光led用荧光粉的制备方法
DE102008051029A1 (de) * 2008-10-13 2010-04-15 Merck Patent Gmbh Dotierte Granat-Leuchtstoffe mit Rotverschiebung für pcLEDs
TWI361216B (en) * 2009-09-01 2012-04-01 Ind Tech Res Inst Phosphors, fabricating method thereof, and light emitting device employing the same
TWI418610B (zh) * 2011-03-07 2013-12-11 Ind Tech Res Inst 螢光材料、及包含其之發光裝置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5998925A (en) * 1996-07-29 1999-12-07 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device having a nitride compound semiconductor and a phosphor containing a garnet fluorescent material
CN1558454A (zh) * 1996-09-20 2004-12-29 波长变换填料及其制造方法和含有这种填料的光学元件
JP2000265169A (ja) * 1999-03-17 2000-09-26 Yiguang Electronic Ind Co Ltd 白色光源の製造方法
US6409938B1 (en) * 2000-03-27 2002-06-25 The General Electric Company Aluminum fluoride flux synthesis method for producing cerium doped YAG
US20020180338A1 (en) * 2001-05-29 2002-12-05 Nantex Industry Co., Ltd. Process for the preparation of pink light-emitting diode with high brightness
CN1482208A (zh) * 2002-09-13 2004-03-17 北京有色金属研究总院 一种蓝光激发的白色led用荧光粉及其制造方法
EP1911826B1 (en) * 2005-08-04 2009-12-16 Nichia Corporation Phosphor and light-emitting device
CN101113333A (zh) * 2007-08-28 2008-01-30 厦门大学 铈激活的钇铝石榴石荧光粉的制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A. LAKSHMANAN等: "Synthesis, photoluminescence and thermal quenching of YAG:Cephosphor for white light emitting diodes", 《INDIAN JOURNAL OF PURE & APPLIED PHYSICS》, vol. 49, 31 May 2011 (2011-05-31) *
王磊等: "易分散球形YAG-Ce3+荧光粉的制备和性能", 《材料研究学报》, vol. 26, no. 4, 31 August 2012 (2012-08-31) *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108473868A (zh) * 2015-12-23 2018-08-31 Lg伊诺特有限公司 荧光体组合物、包括该荧光体组合物的发光器件封装和照明装置
US10982141B2 (en) 2015-12-23 2021-04-20 Lg Innotek Co., Ltd. Phosphor composition, light-emitting device package comprising same, and lighting apparatus
CN108473868B (zh) * 2015-12-23 2021-07-09 Lg伊诺特有限公司 荧光体组合物、包括该荧光体组合物的发光器件封装和照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20170110632A1 (en) 2017-04-20
JP5868929B2 (ja) 2016-02-24
US20140138728A1 (en) 2014-05-22
US10008641B2 (en) 2018-06-26
JP2014101511A (ja) 2014-06-05
EP2733190B1 (en) 2020-01-01
EP2733190A3 (en) 2014-09-03
CN103820118B (zh) 2016-08-17
EP2733190A2 (en) 2014-05-21

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