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CN103682052B - 发光器件 - Google Patents

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CN103682052B
CN103682052B CN201310146338.3A CN201310146338A CN103682052B CN 103682052 B CN103682052 B CN 103682052B CN 201310146338 A CN201310146338 A CN 201310146338A CN 103682052 B CN103682052 B CN 103682052B
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李建教
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Suzhou Liyu Semiconductor Co ltd
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LG Innotek Co Ltd
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Abstract

本发明公开了发光器件，该发光器件包括：包括第一半导体层、有源层和第二半导体层的发光结构；设置在第二半导体层上的磷光板；以及设置在发光结构与磷光板之间的接合部，该接合部将磷光板接合到发光结构。

Description

发光器件
相关申请的交叉引用
本申请要求2012年9月20日在韩国提交的韩国专利申请第10-2012-0104637号的优先权，该申请通过引用全文并入本文，如在本文中完全记载的一样。
技术领域
实施方案涉及发光器件。
背景技术
随着薄膜生长方法和器件材料的发展，发光器件如使用第III-V族或第II-VI族化合物半导体材料的发光二极管(LED)或激光二极管(LD)呈现各种颜色，如红光、绿光、蓝光和紫外光。发光器件使用荧光材料或组合颜色有效地实现白光，并且与常规光源如荧光灯和白炽灯相比，发光器件具有如低功耗、半永久性的使用寿命、快的响应速度、稳定和环境友好等优点。
通常，将包括磷光体和树脂的混合物的树脂组合物应用于发光芯片，或者用树脂组合物密封发光芯片以产生白光。此外，可以使用在发光芯片上设置包含磷光体的层、片或板的方法来代替涂敷或模制包含磷光体的树脂的方法。在这种情况下，重要的是将磷光层、磷光片或磷光板稳定地粘附到发光芯片的上部。
发明内容
实施方案提供了能够提高磷光板(phosphorplate)的粘附精度并且防止由于热引起的磷光板变色和开裂的发光器件。
在一个实施方案中，发光器件包括：包括第一半导体层、有源层和第二半导体层的发光结构；设置在第二半导体层上的磷光板；以及设置在发光结构与磷光板之间的接合部，该接合部将磷光板接合到发光结构。
接合部可以包括设置在第二半导体层上的第一接合层以及设置在磷光板的表面上并且接合到第一接合层的第二接合层。
第二接合层可以熔接(fuse)到第一接合层。在第一接合层与第二接合层之间可以存在熔接界面(fusedinterface)。
第二接合层的熔点可以不同于第一接合层的熔点。
第一接合层和第二接合层可以分别包括多个第一接合层和多个第二接合层，第一接合层和第二接合层可以设置成使得第一接合层分别对应于第二接合层，并且第二接合层之一可以接合到第一接合层之一。
发光器件还可以包括设置在第二半导体层上的用于线焊的焊垫部，其中磷光板具有露出焊垫部的开口。
第一接合层和第二接合层可以包括Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Sn、Ru、Mg、Zn、Pt和Au中的至少一种或者包含它们的合金。
发光器件还可以包括从焊垫部延伸并且设置在第二半导体层上的延伸电极部。
延伸电极部可以设置在第二半导体层与磷光板之间，并且所述开口可以露出延伸电极部的与焊垫部邻近的一部分。
接合部还可以包括设置在磷光板的表面上并且接合到延伸电极部的第三接合层。
在延伸电极部与第三接合层之间可以存在熔接界面。
第三接合层的熔点可以不同于延伸电极部的熔点。
第三接合层的宽度可以小于或等于延伸电极部的宽度。
在磷光板与发光结构之间可以存在气隙(airvoid)。
发光器件还可以包括设置在第一半导体层下方的衬底、设置在第一半导体层的露出部分上的第一电极以及设置在第二半导体层上的导电层，其中第一接合层设置在导电层上。
发光器件还可以包括设置在第一半导体层下方的反射层、设置在第一半导体层与反射层之间的欧姆区域以及设置在反射层下方的支撑层。
发光器件还可以包括设置在第一半导体层下方的第一电极部；设置在第一电极部下方的第二电极部，第二电极部穿过第一电极部、第一半导体层和有源层并且接触第二半导体层；以及设置在第一电极部与第二电极部之间、第一半导体层与第二电极部之间、以及有源层与第二电极部之间的绝缘层。
第二电极部可以包括设置在第一电极部下方的下部电极层，以及从下部电极层分支并且接触第二半导体层的至少一个接触电极。
在另一实施方案中，发光器件封装件包括：封装件本体；设置在封装件本体上的第一引线框和第二引线框；设置在第二引线框上的发光器件；以及围绕发光器件的树脂层，其中发光器件包括：包括第一半导体层、有源层和第二半导体层的发光结构；设置在第二半导体层上的磷光板；以及设置在发光结构与磷光板之间的接合部，该接合部将磷光板接合到发光结构。
附图说明
可参考附图对布置和实施方案进行详细描述，在附图中，相同的附图标记指代相同的元件，并且其中：
图1是示出根据一个实施方案的发光器件的俯视图；
图2是沿着图1所示的发光器件的AB方向截取的截面图；
图3是沿着图1所示的发光器件的CD方向截取的截面图；
图4示出图1所示的接合部的第一接合层；
图5示出图1所示的接合部的第二接合层；
图6是沿着图1所示发光器件的一个变化实施方案的AB方向截取的截面图；
图7是沿着图1所示发光器件的一个变化实施方案的CD方向截取的截面图；
图8示出第一接合层与第二接合层的熔接；
图9示出熔接到第一接合层的第二接合层；
图10是示出根据另一实施方案的发光器件的俯视图；
图11是沿着图10所示的发光器件的EF方向截取的截面图；
图12示出接合区域，在所述接合区域中图10所示第一接合部的第一接合层接合到延伸电极；
图13示出如图10所示的第一接合部的第二接合层和第二接合部的第三接合层；
图14是图11所示的虚线区域11的放大图；
图15是示出根据另一实施方案的发光器件的俯视图；
图16是沿着图15所示发光器件的AB方向截取的截面图；
图17是示出图15所示发光器件的一个变化实施方案的截面图；
图18是示出图17所示发光器件的一个变化实施方案的CD方向的截面图；
图19是示出根据另一实施方案的发光器件的截面图；
图20示出根据一个实施方案的发光器件封装件；
图21是示出包括根据一个实施方案的发光器件封装件的发光器件的分解透视图；
图22是示出包括根据一个实施方案的发光器件封装件的显示装置的视图；以及
图23示出包括根据一个实施方案的发光器件封装件的前灯。
具体实施方式
下文中，根据结合附图和实施方案得到的描述，可以清楚地理解实施方案。
在描述实施方案之前，关于优选实施方案的描述，应当理解，在一个元件(如层(膜)、区域或结构)被称为形成在另一元件(如衬底、层(膜)、区域、焊垫或图案)“上”或“下方”时，所述一个元件可以直接形成在另一元件“上”或“下方”，或者可以经由它们之间存在的中间元件间接地形成在另一个元件“上”或“下方”。在元件被称为在“上”或“下方”时，基于该元件可以包括“在元件下”以及“在元件上方”。
在附图中，为了便于描述以及清楚起见，可以放大、省略或示意性地示出每个层的厚度或者尺寸。而且，每个构成元件的尺寸或面积不完全反映其实际尺寸。
图1是示出根据一个实施方案的发光器件100-1的俯视图。图2是沿着图1所示的发光器件100-1的AB方向截取的截面图。图3是沿着图1所示的发光器件100-1的CD方向截取的截面图。图4示出图1所示的接合部160-1至160-n的第一接合层170-1至170-n。图5示出图1所示的接合部160-1至160-n的第二接合层180-1至180-n。
参考图1至图5，发光器件100-1包括衬底110、发光结构120、第一电极142、第二电极144-1和144-2、包括至少一个第一接合层170-1至170-n(其中，n是1或更大的自然数)和至少一个第二接合层180-1至180-n(其中，n是1或更大的自然数)的至少一个接合部160-1至160-n(其中，n是1或更大的自然数)以及磷光板150。
衬底110支撑发光结构120。衬底110可以由适合于半导体材料生长的材料形成。此外，衬底110可以由具有高热导率的材料形成并且可以是导电衬底或绝缘衬底。
例如，衬底110可以是蓝宝石(Al2O3)或包括GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3和GaAs中的至少一种的材料。衬底110可以在上表面上具有粗糙结构或不均匀结构以改善光的提取。
为了降低由衬底110与发光结构120之间的晶格常数差异产生的晶格失配，可以在第一半导体层122与衬底110之间设置缓冲层(未示出)。缓冲层可以是包括第III族和第V族元素的氮化物半导体。
例如，缓冲层可以包括InAlGaN、GaN、AlN、AlGaN和InGaN中的至少一种。缓冲层可以具有单层结构或多层结构并且可以掺杂有第II族元素或第IV族元素作为杂质。
此外，为了提高第一半导体层122的结晶度，可以在衬底110与发光结构120之间插入未掺杂的半导体层(未示出)。与第一半导体层122相比，由于第一半导体层122未掺杂有n型掺杂剂，所以除第一半导体层122具有低电导率之外，未掺杂的半导体层具有与第一半导体层相同的性质。
发光结构120设置在衬底110上并且发射光。发光结构120可以露出第一半导体层122的一部分。例如，可以通过部分地蚀刻第二半导体层126、有源层124和第一半导体层122来露出第一半导体层122的一部分。
第一半导体层122可以设置在衬底110上并且可以是氮化物半导体层。
例如，第一半导体层122可以是选自组成式为InxAlyGa(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN和AlInN并且可以掺杂有n型掺杂剂如Si、Ge、Sn、Se或Te。
有源层124可以设置在第一半导体层122与第二半导体层126之间。有源层124基于从第一半导体层122供给的电子和从第二半导体层126供给的空穴的复合过程中所产生的能量来产生光。
有源层124可以是组成式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体并且有源层124可以具有包括彼此交替的至少一个量子阱层和至少一个量子势垒层的量子阱结构。例如，有源层124可以具有多量子阱(MQW)结构。量子势垒层的能带隙可以大于量子阱层的能带隙。
第二半导体层126可以设置在有源层124上并且第二半导体层126可以是氮化物半导体层。第二半导体层126可以是选自组成式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN和AlInN并且可以掺杂有p型掺杂剂如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。
第一电极142设置在露出的第一半导体层122上并且第二电极144-1和144-2可以设置在第二半导体层126上。
第一电极142和第二电极144-1和144-2可以包括导电材料，例如，Pb、Sn、Au、Ge、Bi、Cd、Zn、Ag、Ni、Ti、Cu、Al、lr、ln、Mg、Pt或Pd中的至少一种，或者其合金，并且可以具有单层或多层结构。
图1所示的第一电极142和第二电极144-1、144-2可以是与用于接收电力的导线接合的电极焊垫，但是本公开内容不限于此。
磷光板150设置在发光结构120上，例如，设置在第二半导体层126上。磷光板150对从发光结构120发射的光的波长进行转换。
磷光板150可以是磷光体和树脂的混合物。混合有磷光体的树脂可以是具有高硬度和优异可靠性的透明热固性树脂，其实例包括聚硅氧烷树脂、环氧树脂、玻璃、玻璃陶瓷、聚酯树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、尼龙树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、氯乙烯树脂、聚碳酸酯树脂、聚乙烯树脂、聚四氟乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚丙烯树脂和聚烯烃树脂等。优选地，磷光板150是聚碳酸酯、玻璃或玻璃陶瓷。
混合有树脂的磷光体可以包括一种或更多种磷光体。磷光板150可以包括硅酸盐磷光体、YAG磷光体和氮化物磷光体中的至少一种。例如，硅酸盐磷光体可以是Ca2SiO4:Eu、Sr2SiO4:Eu、Sr3SiO5:Eu、Ba2SiO4:Eu或(Ca，Sr，Ba)2SiO4:Eu，YAG磷光体可以是Y3Al5O12:Ce、(Y，Gd)3Al5O12:Ce，氮化物磷光体可以是Ca2Si5N8:Eu、CaAlSiN2:Eu、(Sr，Ca)AlSiN2:Eu或α，β-SiAlON:Eu。
可以通过使用模具对浆料形式的树脂和磷光体的混合物进行加压模制来制造磷光板，但是本公开内容不限于此。可以通过将浆料形式的树脂和磷光体的混合物从挤出机挤出的方法(所谓的“挤压模制”)来形成磷光板。可替选地，可以通过将树脂和磷光体的混合物倾倒在底部上并且用设计成与底部间隔预定距离的刀片刮过(passover)该混合物(所谓的“刮刀法”)的方法来形成磷光板。
可以通过锯切或划片法将由此制造的预制磷光板切割成期望的尺寸和形状以形成磷光板150。
磷光板150可以设置有露出用于线焊的第二电极144-1和144-2的至少一个开口153-1或153-2。可以通过开口153-1或153-2露出第二电极144-1和144-2的上表面，并且导线容易接合到第二电极144-1和144-2的露出的上表面。
开口153-1或153-2的形状可以根据第二电极144-1和144-2的位置和形状而改变。例如，当第二电极144-1和144-2设置在第二半导体层126的边缘附近时，开口153-1或153-2具有通过切割磷光板150的边缘而形成的形状，如图5所示的。
由于第二电极144-1和144-2的数目是两个，所以磷光板150具有其左侧两个边缘被去除的形状，如图5所示，但是本公开内容不限于此。根据第二电极的数目和位置，开口可以具有多种形状。例如，在另一实施方案中，开口可以穿过磷光板150。
此外，磷光板150的形状可以取决于发光结构120的形状。例如，为了露出第一电极142，发光结构120可以具有去除的部分并且磷光板150可以具有与发光结构120的露出第一电极142的一部分的形状对应的开口154。开口154可能需要用于线焊至第一电极142。
接合部160-1至160-n(其中，n是1或更大自然数)置于磷光板150与发光结构120(例如，第二半导体层126)之间，并且磷光板150粘附到或者固定到发光结构(例如，第二半导体层126)上。接合部160-1至160-n(其中，n是1或更大的自然数)可以设置为多个，并且多个接合部160-1至160-n(其中，n是大于1的自然数)可以彼此间隔开。
接合部160-1至160-n(其中，n是1或更大的自然数)包括彼此粘附的第一接合层170-1至170-n(其中，n是1或更大的自然数)和第二接合层180-1至180-n(其中，n是1或更大的自然数)。
第一接合层170-1至170-n(其中，n是1或更大的自然数)设置在第二半导体层126上，第二接合层180-1至180-n设置在磷光板150的表面(例如，下表面151)上。
第一接合层170-1至170-n(其中，n是1或更大的自然数)可以设置为多个，并且多个第一接合层170-1至170-n(例如，n＝8)可以在第二半导体层126上彼此间隔开。
例如，可以通过在第二半导体层126上沉积金属材料并且通过光刻和蚀刻过程对沉积的金属材料进行图案化来形成第一接合层170-1至170-n(其中，n是1或更大的自然数)。第一接合层170-1至170-n(其中，n是1或更大的自然数)可以与供给有电力的第二电极144-1和144-2彼此间隔开。
第二接合层180-1至180-n(其中，n是1或更大的自然数)可以设置为多个，并且多个第二接合层180-1至180-n(例如，n＝8)可以在磷光板150的表面151(例如，下表面)上彼此间隔开。磷光板150的表面151可以面对第二半导体层126的上表面。
例如，可以通过在磷光板150的表面151上沉积金属材料并且通过光刻和蚀刻处理对沉积的金属材料进行图案化来形成第二接合层180-1至180-n(其中，n是1或更大的自然数)。
第一接合层170-1至170-n(其中，n是1或更大的自然数)和第二接合层180-1至180-n(其中，n是1或更大的自然数)的水平横截面可以具有多种形状如圆形、椭圆形或多边形形状。
为了将磷光板150有效地粘附或固定到第二半导体层126，在第二半导体层126的中心和第二半导体层126的边缘附近设置第一接合层170-1至170-n(例如，n＝8)。此外，当第二电极144-1和144-2设置在第二半导体层126的边缘附近时，第一接合层(例如，170-2、170-3、170-4和170-5)可以设置在第二电极144-1和144-2附近。
第二接合层180-1至180-n(例如n＝8)可以设置或布置在磷光板150的表面上，使得第二接合层180-1至180-n(例如n＝8)分别对应于第一接合层170-1至170-n(例如，n＝8)。例如，第二接合层180-1至180-n(例如，n＝8)可以设置在磷光板150的中心和磷光板150的边缘附近。
第二接合层180-1至180-n(例如，n＝8)之一可以接合到第一接合层170-1至170-n(例如，n＝8)中对应的一个第一接合层，彼此接合的第一接合层170-1至170-n(其中，n是1或更大的自然数)和第二接合层180-1至180-n(其中，n是1或更大的自然数)可以构成接合部(160-1至160-n，n≥1)。第一接合层170-1至170-n(例如，n＝8)和第二接合层180-1至180-n(例如，n＝8)可以通过共晶接合而彼此接合。
图8示出第一接合层170-1与第二接合层180-1的熔接，图9示出熔接到第一接合层170-1的第二接合层180-1。
参考图8和图9，第一接合层(例如，170-1)和第二接合层(例如，180-1)可以彼此接合，并且在第一接合层(例如，170-1)与第二接合层(例如，180-1)之间可以存在熔接界面190。
第一接合层170-1至170-n(n≥1)可以包括金属材料，例如，Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Sn、Ru、Mg、Zn、Pt和Au中的至少一种或者其合金。
第二接合层180-1至180-n(n≥1)可以包括金属材料，例如，Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Sn、Ru、Mg、Zn、Pt和Au中的至少一种或者其合金。第二接合层180-1至180-n(例如，n＝8)的熔点可以不同于第一接合层170-1至170-n(例如，n＝8)的熔点。
例如，第二接合层180-1至180-n(例如，n＝8)的熔点可以低于第一接合层170-1至170-n(例如，n＝8)的熔点，第一接合层170-1至170-n(例如，n＝8)可以是Au，第二接合层180-1至180-n(例如，n＝8)可以是AuSn。
接合部160-1至160-n(例如，n＝8)可以具有其中第二接合层180-1至180-n(例如，n＝8)粘附到第一接合层170-1至170-n(例如，n＝8)的结构。即，接合部可以具有其中第二接合层180-1至180-n(例如，n＝8)被熔化并粘附到第一接合层170-1至170-n(例如，n＝8)的结构。
当使用粘合剂(如聚硅氧烷树脂)将磷光板粘附到发光结构体或导电层时，不利地是，粘合剂(如聚硅氧烷树脂)容易受到高温损坏，从而使可靠性劣化，需要单独的工艺(在下文中，称为“焊垫露出工艺”)以露出接合到导线的焊垫部，并且粘合树脂的流动性导致粘附精度劣化。
然而，在本实施方案中，由于磷光板150通过金属熔接粘附到发光结构120，所以由于耐高温性而提高了可靠性，由于在期望位置处的准确接合的可能性而提高了粘附精度，并且不需要焊垫露出工艺，从而简化了整个过程，原因是磷光板150的形状是可变化的，以提供露出焊垫部的开口。
此外，磷光板150的表面151接触第二半导体层126的表面，如图2和图3所示的，但是本公开内容不限于此。如图9所示，磷光板150的表面的至少一部分可以通过接合部160-1至160-n(例如，n＝8)与第二半导体层126的表面隔开。
气隙163可以通过接合部160-1至160-n(例如，n＝8)存在于磷光板150与第二半导体层126之间。虽然存在气隙163，但是磷光板150的表面151的一部分可以接触第二半导体层126。
第二半导体层126、气隙163与磷光板150之间可以存在不同的折射率。因此，可以改善发光器件100-1的光扩散和提取。
此外，接合部160-1至160-n(例如，n＝8)用作散发磷光板150的热的通道。因此，在本实施方案中，提高了热发散效率，从而可以防止由热引起的磷光板150的变色和开裂。
图6是沿着图1所示的发光器件100-2的一个变化实施方案的AB方向截取的截面图。图7是沿着图6所示的发光器件100-2的一个变化实施方案的CD方向截取的截面图。根据一个变化实施方案的发光器件100-2的俯视图可以与图1相同。在图1至图3中，相同的附图标记表示相同的构造，并且省略或简要描述上面描述的内容。
参考图6和图7，与图1所示的发光器件100-1相比，根据一个变化实施方案的发光器件100-2还可以包括设置在第二半导体层126上的导电层130。
导电层130减少了全反射，并且呈现出透光性能，从而提高了从有源层124向第二半导体层126发射的光的提取效率。
导电层130可以由具有高电导率的材料形成。导电层130可以具有单层或多层结构，该单层或多层结构包括例如铟锡氧化物(ITO)、氧化锡(TO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一种透明导电氧化物。
根据该变化实施方案的发光器件100-2的第二电极144-1和144-2可以设置在导电层130上。根据该变化实施方案的发光器件100-2的接合部160-1至160-n(其中，n是1或更大的自然数)可以置于磷光板150与导电层130之间并且将磷光板150粘附或固定到导电层130。
根据该变化实施方案的发光器件100-2的第一接合层170-1至170-n(其中，n是1或更大的自然数)可以设置在导电层130上。根据该变化实施方案的发光器件100-2的第一接合层170-1至170-n(其中，n是1或更大的自然数)和第二接合层180-1至180-n(n≥1)的形成方法和材料、接合部160-1至160-n(其中，n是1或更大的自然数)的形成方法(参见图8和图9)等可以与上面描述的相同。
因此，根据该变化实施方案的发光器件100-2是耐高温的、改善了磷光板150的可靠性和粘附精度并且不需要单独的焊垫露出工艺，从而简化了整个过程。
气隙163可以通过接合部(例如，160-1)存在于磷光板150与导体层130之间，如图9所示的。
虽然存在气隙163，但是磷光板150的表面151的一部分可以接触第二半导体层126。在第二半导体层126、气隙163与磷光板150之间可以存在不同的折射率。因此，可以改善发光器件100-2的光扩散和提取。
图10是示出根据另一实施方案的发光器件100-3的俯视图。图11是沿着图10所示的发光器件100-3的EF方向截取的截面图。在图1至图3中，相同的附图标记表示相同的构造，并且省略或简要描述上述内容。
参考图10和图11，发光器件100-3包括：衬底110、发光结构120-1、导电层130、第一电极210、第二电极220、第一接合部240-1至240-m(其中，m是1或更大的自然数)、第二接合部230-1至230-n(其中，n是1或更大的自然数)和磷光板150-1。
与根据图1所示的实施方案的发光器件100-1相比，发光器件100-3在电极结构以及发光结构的形状方面不同于发光器件100-1，并且发光器件100-3还包括用于将磷光板150-1接合到延伸电极224和226的第二接合部230-1至230-m(其中，m是1或更大的自然数)。
图10所示的第一半导体层122的露出部分P1可以不同于图1所示的露出部分。例如，发光结构120可以露出第一半导体层122的第一部分P1和第二部分P2。第一部分P1可以是其中设置有第一电极210的焊垫部212的区域，第二部分P2可以是其中设置有第一电极210的延伸电极214的区域。
第一电极210可以包括设置在第一半导体层122的第一部分P1中的焊垫部212和设置在第一半导体层122的第二部分P2中的延伸电极214。
焊垫部212可以是第一电极210的其中接合有导线以接收第一电力的区域。延伸电极214是第一电极210的从焊垫部212分支并且沿着第一方向延伸的剩余区域。第一方向从发光结构(例如，第一半导体层122)的第一边缘191朝着发光结构的第四边缘194延伸。
图10所示的实施方案包括从焊垫部212分支的一个延伸电极214，但是本公开内容不限于此，并且延伸电极214的数目可以是两个或更多个。
第二电极220可以包括设置在导电层130上的焊垫部222和延伸电极224和226。在另一实施方案中，可以省略导电层130。在这种情况下，焊垫部222和延伸电极224可以设置在第二半导体层126上。
焊垫部222可以是第二电极220的其中接合有导线以接收第二电力的区域。延伸电极224和226可以是第二电极220的从焊垫部222分支并延伸的剩余区域。虽然图10示出两个第二延伸电极224和226，但是本公开内容不限于此。在另一实施方案中，第二电极的延伸电极的数目可以是一个或三个或更多个。
例如，一个延伸电极224可以包括从焊垫部222的一侧分支并且沿着第二方向延伸的第一部分F1和从第一部分F1分支并且沿着第三方向延伸的第二部分F2。
另一延伸电极226可以包括从焊垫部222的另一侧分支并且沿着第三方向延伸的第三部分F3。第二方向是从发光结构120(例如，第一半导体层122)的第三边缘193向发光结构120的第四边缘194延伸的方向，并且第三方向与第一方向相反。
在图10中，一个延伸电极224和另一延伸电极226基于第二电极焊垫222为两侧不对称的，但是在另一实施方案中，一个延伸电极224和另一延伸电极226可以彼此两侧对称。
第一接合部240-1至240-n(其中，n是1或更大的自然数)置于导电层130与磷光板150-1之间，并且将磷光板150-1接合到导电层130。
第一接合部240-1至240-n(其中，n是1或更大的自然数)可以包括设置在导电层130上的第一接合层282-1至282-n(其中，n是1或更大的自然数)和设置在磷光板150-1的表面上的第二接合层284-1至284-n(其中，n是1或更大的自然数)。
图12示出接合区域A1至Am(其中，m是1或更大的自然数)，在所述接合区域中图10所示的第一接合部(240-1至240-n)的第一接合层282-1至282-n(其中，n是1或更大的自然数)接合到第二接合部230-1至230-n(其中，n是1或更大的自然数)的延伸电极224和226。
参考图12，第一接合层282-1至282-n(其中，n是1或更大的自然数)可以形成在导电层130上并且可以具有与图4中描述的第一接合层170-1至170-n(其中，n是1或更大的自然数)相同的结构、材料和形状。
接合区域A1至Am(其中，m是1或更大的自然数)可以是延伸电极224和226的与第二接合部230-1至230-m(其中，m是1或更大的自然数)的第三接合层286-1至286-m(其中，m是1或更大的自然数)接合的部分。
图13示出图10所示的第一接合部240-1至240-n(其中，n是1或更大的自然数)的第二接合层284-1至284-n(其中，n是1或更大的自然数)和第二接合部230-1至230-n(其中，n是1或更大的自然数)的第三接合层286-1至286-m(其中，m是1或更大的自然数)。
参考图13，第二接合层284-1至284-n(其中，n是1或更大的自然数)可以设置在磷光板150-1的表面151上。第二接合层284-1至284-n(其中，n是1或更大的自然数)可以具有与图5中描述的第一接合层180-1至180-n(其中，n是1或更大的自然数)相同的结构、材料和形状。
磷光板150-1可以具有露出第二电极220的用于线焊的焊垫部222的至少一个开口291。此外，发光结构120-1可以具有去除的部分以露出第一电极210。磷光板150-1可以具有与露出第一电极210的发光结构120的一部分的形状对应的开口292。
图14是图11所示的虚线区域11的放大图。
参考图14，第三接合层286-1至286-m(其中，m是1或更大的自然数)与第二接合层284-1至284-n(其中，n是1或更大的自然数)间隔开并且设置在磷光板150-1的表面151上，使其对应于接合区域A1至Am(其中，m是1或更大的自然数)或者布置在接合区域A1至Am(其中，m是1或更大的自然数)中。
第三接合层286-1至286-m(其中，m是1或更大的自然数)可以接合到延伸电极224和226的接合区域A1至Am(其中，m是1或更大的自然数)。
第三接合层286-1至286-m(其中，m是1或更大的自然数)设置或布置在磷光板150-1的表面上，使其对应于接合区域A1至Am(其中，m是1或更大的自然数)。
第三接合层286-1至286-m(其中，m是1或更大的自然数)之一(例如，286-1)可以接合到相应的接合区域A1至Am(其中，m是1或更大的自然数)之一(例如，A1)。
彼此接合的第三接合层286-1至286-m(其中，m是1或更大的自然数)和接合区域A1至Am(其中，m是1或更大的自然数)可以构成第二接合部230-1至230-m(其中，m是1或更大的自然数)。第三接合层286-1至286-m(其中，m是1或更大的自然数)可以共晶接合到接合区域A1至Am(其中，m是1或更大的自然数)。
第三接合层286-1至286-m(其中，m是1或更大的自然数)的宽度可以小于或等于延伸电极224或226的宽度。这使得第三接合层286-1至286-m(其中，m是1或更大的自然数)能够容易接合到延伸电极224和226。
在第三接合层286-1至286-m(其中，m是1或更大的自然数)与延伸电极224和226的接合区域A1至Am(其中，m是1或更大的自然数)之间可以存在熔接界面190-1。
此外，第三接合层286-1至286-m(其中，m是1或更大的自然数)的熔点可以不同于第二电极220(即，延伸电极224和226)的熔点。
例如，第三接合层286-1至286-m(其中，m是1或更大的自然数)的熔点可以低于第二电极220(即，延伸电极224或226)的熔点。这使得第三接合层286-1至286-m(其中，m是1或更大的自然数)能够熔接到延伸电极224和226。如果延伸电极224和226的熔点低，则在接合期间延伸电极224和226可能由于熔接而变形，并且电流可能不能平稳地供给到第二半导体层126。
第二电极220可以由与图1中描述的相同的材料形成，并且第三接合层286-1至286-m(其中，m是1或更大的自然数)可以为与第二接合层180-1至180-n(其中，n是1或更大的自然数)相同的材料。例如，第二电极220可以包含Au并且第三接合层286-1至286-m(其中，m是1或更大的自然数)可以包含AuSn，但是本公开内容不限于此。
除形状之外，磷光板150-1与图5所示的磷光板150相同。
图15是示出根据另一实施方案的发光器件200-1的俯视图。图16是沿着图15所示的发光器件200-1的AB方向截取的截面图。
参考图15和图16，发光器件200-1包括第二电极部405、保护层440、电流阻挡层445、发光结构450、钝化层465、第一电极部470、第一接合部310-1至310-n(其中，n是1或更大的自然数)和磷光板150-2。
第二电极部405与第一电极部470一起向发光结构450供给电力。第二电极部405可以包括支撑层410、接合层415、势垒层420、反射层425和欧姆区域430。
支撑层410支撑发光结构450。支撑层410可以由金属或半导体材料形成。此外，支撑层410可以由具有高电导率的材料形成。例如，支撑层410可以是包括铜(Cu)、铜合金(Cu合金)、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)和铜-钨(Cu-W)中的至少一种的金属材料、或者包括Si、Ge、GaAs、ZnO和SiC中的至少一种的半导体。
接合层415可以设置在支撑层410与势垒层420之间并且用作用于将支撑层410粘附到势垒层420的接合层。接合层415可以包括例如In、Sn、Ag、Nb、Pd、Ni、Au和Cu中的至少一种金属材料。形成接合层415的目的是通过接合法来粘附支撑层410。在通过镀覆或沉积形成支撑层410的情况下，可以省略接合层215。
势垒层420设置在反射层425、欧姆区域430和保护层440下方，并且防止接合层415和支撑层410的金属离子穿过反射层425和欧姆区域430并扩散到发光结构450中。例如，势垒层420可以包括Ni、Pt、Ti、W、V、Fe和Mo中的至少一种并且可以具有单层或多层结构。
反射层425可以设置在势垒层420上并且反射从发光结构450发射的光以提高光提取效率。反射层425可以由反光材料形成，例如，包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一种的金属或者其合金。
反射层425可以具有包括金属或合金的多层结构如IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni或AZO/Ag/Ni、和透光导电材料如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO和ATO。
欧姆区域430可以设置在反射层425与第一半导体层452之间并且与第一半导体层452欧姆接触以向发光结构450平稳地供给电力。
可以选择性地使用透光导电层和金属来形成欧姆区域430。例如，欧姆区域430可以包括与第一半导体层452欧姆接触的金属材料，例如，Ag、Ni、Cr、Ti、Pd、Ir、Sn、Ru、Pt、Au和Hf中的至少一种。
保护层440可以设置在第二电极部405的边缘处。例如，保护层440可以设置在欧姆区域430的边缘处、反射层425的边缘处、势垒层420的边缘处或支撑层410的边缘处。
保护层440防止了由发光结构450与第二电极部405之间的界面脱离而导致的发光器件300-2的可靠性劣化。保护层440可以由电绝缘材料(例如，ZnO、SiO2、Si3N4、TiOx(x表示正实数)或Al2O3)形成。
电流阻挡层445可以设置在欧姆区域430与发光结构450之间。电流阻挡层445的上表面接触第一半导体层452，并且电流阻挡层445的下表面或者下表面和侧表面可以接触欧姆区域430。电流阻挡层445的至少一部分可以沿着垂直方向与第一电极部470交叠。电流阻挡层445形成在欧姆区域430与第一半导体层452之间或者形成在反射层425与欧姆区域430之间，但是本公开内容不限于此。
电流阻挡层445可以是具有比反射层425或欧姆区域430低的电导率的材料、与第一半导体层452肖特基接触的材料、或电绝缘材料。例如，电流阻挡层445可以包括ZnO、SiO2、SiON、Si3N4、Al2O3、TiO2和AiN中的至少一种。
发光结构450可以设置在欧姆区域430与保护层440之间。发光结构450的侧表面在隔离蚀刻期间可以是倾斜表面以将所得到的结构分离成单元芯片。
发光结构450可以包括第一半导体层452、有源层454和第二半导体层456。第一半导体层452、有源层454和第二半导体层456与图1描述的相同，并且省略其详细说明以避免重复。
钝化层465可以设置在发光结构450的侧表面上以电保护发光结构450。钝化层465可以设置在第二半导体层456的上表面的一部分上或者设置在保护层440的上表面的一部分上。钝化层465可以由绝缘材料如SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4或Al2O3形成。
第一电极部470可以设置在第二半导体层456上并且可以具有预定的图案。第二半导体层456可以在其上表面上设置有粗糙图案(未示出)以提高光提取效率。此外，第二半导体层456可以在其上表面上设置有粗糙图案(未示出)以提高光提取效率。
第一电极部470可以包括与用于供给电力的线焊的焊垫部102a或102b和从焊垫部102a或102b分支的延伸电极部92a、92b、92c、92d、94a或94b。用于第一电极部470的材料可以包括用于图1中描述的第一电极142和第二电极144-1和144-2的材料。
例如，第一电极部470可以由Pb、Sn、Au、Ge、Bi、Cd、Zn、Ag、Ni、Ti、Cu、Al、lr、ln、Mg、Pt和Pd中的至少一种、或者其合金形成。
延伸电极部92a、92b、92c、92d、94a或94b可以包括沿着第二半导体层456的上表面的边缘设置的外部电极92a、92b、92c和92d、以及设置在外部电极92a、92b、92c和92d内的内部电极94a和94b。
焊垫部102a或102b可以接触外部电极或内部电极中的至少一个。焊垫部102a或102b可以设置在相邻的外部电极之间(例如，在92a与92c之间，或在92b与92c之间)并且可以接触相邻的外部电极92a和92c。
图15所示的外部电极92a、92b、92c和92d、内部电极94a和94b以及焊垫部102a或102b仅作为第一电极部470的实例给出，并且第一电极部470的形状不限于此，并且可以是可变的。
磷光板150-2可以设置在第二半导体层456上。除形状之外，磷光板150-2与图5所示的磷光板150相同。磷光板150-2可以具有用于露出焊垫部102a或102b的开口153-3或153-4。
第一接合部310-1至310-n(其中，n是1或更大的自然数)可以置于第二半导体层456与磷光板150-2之间并且可以将磷光板150-2接合到第二半导体层456。
第一接合部310-1至310-n(其中，n是1或更大的自然数)可以包括形成在第二半导体层456上的第一接合层170-1至170-n(其中，n是1或更大的自然数)和形成在磷光板150-2的表面151上的第二接合层180-1至180-n(其中，n是1或更大的自然数)。
第二接合层180-1至180-n(n是1或更大的自然数)可以熔接到第一接合层170-1至170-n(其中，n是1或更大的自然数)。图16所示的第一接合部310-1至310-n(其中，n是1或更大的自然数)的第一接合层(例如，170-1)和第二接合层(例如，180-1)与图8和图9中描述的相同。
在磷光板150-2与第二半导体层456之间可以由于第一接合部310-1至310-n(其中，n是1或更大的自然数)而存在气隙。虽然存在气隙，但是磷光板150-2的一个表面的至少一部分可以接触第二半导体层456。
图17是示出图15所示的发光器件200-2的一个变化实施方案的截面图。图18是示出图17所示的发光器件200-2的变化实施方案的CD方向的截面图。在图15至图16中，相同的附图标记表示相同的构造，并且省略或简要描述上述内容。
参考图17和图18，根据该变化实施方案的发光器件200-2可以包括第二接合部320-1至320-n(其中，n是1或更大的自然数)，其代替图15和图16所示的第一接合部310-1至310-n(其中，n是1或更大的自然数)。
第二接合部320-1至320-n(其中，n是1或更大的自然数)置于第一电极部470与磷光板150-2之间并且将磷光板150-2接合到第一电极部470。
第三接合层287-1至287-n(其中，n是1或更大的自然数)可以形成在磷光板150-2的表面151上。第三接合层287-1至287-n(其中，n是1或更大的自然数)可以与图13和图14中描述的第三接合层286-1至286-m(其中，m是1或更大的自然数)相同。
第三接合层287-1至287-n(其中，n是1或更大的自然数)可以接合到第一电极部470的一部分。即，第三接合层287-1至287-n(其中，n是1或更大的自然数)可以接合到延伸电极部92a、92b、92c、92d、94a或94b的一部分。延伸电极部92a、92b、92c、92d、94a或94b的接合到第三接合层287-1至287-n(其中，n是1或更大的自然数)的部分称为“接合区域”B1至Bn(其中，n是1或更大的自然数)。
第三接合层287-1至287-n(其中，n是1或更大的自然数)可以接合到第一电极部470的外部电极92a、92b、92c和92d以及内部电极94a和94b中的每个电极的接合区域B1至Bn(其中，n是1或更大的自然数)。
第一电极部470的接合区域B1至Bn(其中，n是1或更大的自然数)和与其接合的第三接合层287-1至287-n(其中，n是1或更大的自然数)可以构成第二接合部320-1至320-n(其中，n是1或更大的自然数)。
第三接合层287-1至287-n(其中，n是1或更大的自然数)的宽度可以小于或等于外部电极92a、92b、92c或92d以及内部电极94a或94b的宽度。此外，第三接合层287-1至287-n(其中，n是1或更大的自然数)的熔点可以不同于第一电极部470的熔点。例如，第三接合层287-1至287-n(其中，n是1或更大的自然数)的熔点可以低于第一电极部470的熔点。
在磷光板150-2与第二半导体层456之间可以由于第二接合部320-1至320-n(其中，n是1或更大的自然数)而存在气隙。虽然存在气隙，但是下表面150-2的一侧的一部分可以接触第二半导体层456。
图19是示出根据另一实施方案的发光器件300的截面图。
参考图19，发光器件300包括发光结构530、第一电极部520、第二电极部516、支撑衬底510、绝缘层540、保护层570、第一电极焊垫580、第二电极垫590、磷光板150-3和至少一个接合部560-1至560-n(其中，n是1或更大的自然数)。
发光结构530包括第一半导体层532、有源层534和第二半导体层536并且其结构可以与图1中描述的结构相同。
第一电极部520设置在发光结构530(例如，第一半导体层532)下方并且接触第一半导体层532。第一电极部520可以具有欧姆层/反射层/接合层的层叠结构、欧姆层/反射层的层叠结构、或反射层(包括欧姆区域)/接合层的层叠结构，但是本公开内容不限于此。例如，第一电极部520可以具有包括依次层叠在绝缘层540上的反射层522和欧姆层524的层叠结构。
第二电极部516设置在第一电极部520下方并且穿过第一电极部520、第一半导体层532和有源层534、并且接触第二半导体层536。
第二电极部516可以包括下电极层516-1和接触电极516-2。下电极层516-1可以设置在第一电极部520下方。例如，下电极层516-1设置在支撑衬底510与第一电极部520之间、接触支撑衬底510并且与支撑衬底510平行。
接触电极516-2沿着垂直方向从下部电极层516-1分支或延伸、穿过第一电极部520、第一半导体层532和有源层534、并且接触第二半导体层536。接触电极516-2的上表面高于有源层534的上表面并且低于第二半导体层536的上表面。
第二电极部516可以包括反射层和接合层中的至少一个。第二电极部516可以具有使用反射金属或导电氧化物与第二半导体层536欧姆接触的欧姆区域518。
绝缘层540将第二电极部516与其它层520、532和534绝缘。绝缘层540可以设置在第一电极部520与第二电极部516之间、第一半导体层532与第二电极部516之间、以及有源层534与第二电极部516之间。
绝缘层540设置在下电极层516-1与反射层522之间，以将下电极层516-1与反射层522电隔离。此外，绝缘层540的部分541设置在接触电极516-2与第一电极部520之间、接触电极516-2与第一半导体层532之间、以及接触电极516-2与有源层534之间，以将接触电极516-2与其它层520、532和534电隔离。此外，绝缘层540可以设置在接触电极516-2与第二半导体层536之间。
支撑衬底510可以设置在第二电极部516下方。支撑衬底510可以是导电衬底或绝缘衬底并且支撑发光结构530。
例如，支撑衬底510可以是具有预定厚度的基础衬底，并且支撑衬底510可以包括铜(Cu)、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)、铜-钨(Cu-W)、载体晶片(例如，Si、Ge、GaAs、ZnO或SiC)和导电片中的至少一种。
第二电极部516的侧面(例如，下电极层516-1的侧面)可以从发光结构530露出到外部。第一电极焊垫580可以设置在第二电极部516的侧部P1中。第一电极焊垫580可以包括彼此间隔开的一个或更多个第一电极焊垫。
第一电极部520的侧部(例如，欧姆层524和/或反射层522的侧部)可以从发光结构530中露出，并且第二电极焊垫590可以设置在第一电极部520的侧部P2中。第一电极部520的侧部P2可以是第一电极部520的边缘。
露出的第一电极部520的侧部P2的数目可以是一个或更多个并且包括多个第二电极焊垫590。第一电极焊垫580和第二电极焊垫590可以不与发光结构530沿着垂直方向交叠。
可以设置保护层570使得保护层570围绕发光结构520的侧面。保护层570可以至少覆盖第一半导体层532和有源层534的侧表面。
例如，保护层570可以设置在露出的第二电极部516的侧部P1上、第一半导体层532的与露出的第一电极部520的侧部P2邻近的侧面上、有源层534的侧面上以及第二半导体层536的部分侧面上。
此外，保护层570可以设置在第二半导体层536的上表面的与发光结构530的侧面邻近的边缘处，但是本公开内容不限于此。保护层570防止了第一电极焊垫580以及第二电极焊垫590与发光结构530之间的电短路。
磷光板150-3设置在第二半导体层536上，并且接合部560-1至560-n(其中，n是1或更大的自然数)置于磷光板150-3与第二半导体层536之间并且将磷光板150-3粘附到发光结构530。
除形状以外，磷光板150-3与图5所示的磷光板150相同。例如，在本实施方案中，在磷光板150-3与发光结构530之间没有设置与线焊的电极焊垫580或590。因此，磷光板150-3可以没有露出用于线焊的电极焊垫580和590的开口。
接合部560-1至560-n(其中，n是1或更大的自然数)可以包括形成在第二半导体层536上的第一接合层170-1至170-n(其中，n是1或更大的自然数)和形成在磷光板150-3的表面151上的第二接合层180-1至180-n(其中，n是1或更大的自然数)。图19所示的第一接合层(例如，170-1)和第二接合层(例如，180-1)可以与图8和图9描述的第一接合层(例如，170-1)和第二接合层(例如，180-1)相同。
第一接合层(例如，170-1)和第二接合层(例如，180-1)与第一电极焊垫580和第二电极焊垫590间隔开并且彼此电隔离。
图20示出根据一个实施方案的发光器件封装件400。
参考图20，发光器件封装件400包括封装件本体610、引线框612和614、发光器件620、反射板625、导线630和树脂层640。
封装件本体610可以在其上表面处设置有腔。腔的侧壁可以是倾斜的。图20所示的封装件本体610具有腔，但是本公开内容不限于此。在另一实施方案中，封装件本体可以没有腔。
封装件本体610具有在其一个侧面区域处带有腔的结构。在此，腔的侧壁可以是倾斜的。封装件本体610可以由具有优异的绝缘性和热传导性的衬底(例如硅基晶片级封装、硅衬底、碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)等)形成，并且封装件本体610可以具有其中堆叠有多个衬底的结构。本实施方案不限于封装件本体610的上述材料、结构和形状。
考虑到发光器件620的热排放或安装，将第一引线框612和第二引线框614设置在封装件本体610的表面上以彼此电分离。
发光器件620设置在第二引线框612上并且电连接到第一引线框612和第二引线框614。在此，发光器件620可以是根据实施方案的发光器件100-1、100-2、200-1、200-2和300之一。
反射板625可以形成在封装件本体610的腔的侧壁上以沿指定方向引导从发光器件620发射的光。反射板625可以由光反射材料(例如，金属涂层或者金属薄片)形成。
树脂层640围绕位于封装件本体610的腔内部的发光器件620并且保护发光器件620免受外部环境损坏。该树脂层640可以由无色透明聚合物树脂材料(如环氧树脂或聚硅氧烷树脂)形成。
由于根据本实施方案的发光器件620包括磷光板150和磷光板150-1至150-3，所以树脂层640可以不包括磷光体。然而，在另一实施方案中，磷光板的磷光体可以与树脂层640的磷光体相同或不同。
图21是示出包括根据一个实施方案的发光器件封装件的照明器件的分解透视图。参考图21，照明装置包括光源750、用于散发光源750的热的散热器740、容纳光源750和散热器740的壳体700以及将光源750和散热器740连接至壳体700的保持器760。
壳体700包括接合到电插座(未示出)的插座连接器710和连接到插座连接器710的本体构件730，其中本体构件包括光源750。本体构件730可以设置有空气通道孔720。
壳体700的本体构件730在其表面上设置有多个空气通道孔720。空气通道孔720可以是一个或更多个。空气通道孔720可以径向布置在本体构件730上或者具有其它布置。
光源750包括衬底754和布置在衬底754上的多个发光器件封装件752。衬底754具有可以插入到壳体700的开口中的形状并且由具有高热导率的材料制成以将热量传递到散热器740。例如，发光器件封装752是根据图20所示的实施方案的发光器件封装件400。
保持器760可以设置在光源下方并且包括框和其它空气通道孔。此外，虽然未示出，但是在光源750下方设置有用于扩散、散射或汇聚由光源750的发光器件封装件150发出的光的光学构件。
图22是示出包括根据一个实施方案的发光器件封装件的显示装置的视图。参考图22，根据本实施方案的显示装置800包括：底盖810、设置在底盖810上的反射板820、用于发射光的光源模块830和835、布置在反射板820的前方以将由光源发射的光朝显示装置前方引导的导光板840、布置在导光板840前方的包括棱镜片850和860的光学片、布置在光学片前方的显示面板870、连接到显示面板870并且将图像信号供给到显示面板870的图像信号输出电路以及设置在显示面板870前方的滤色器880。底盖810、反射板820、光源模块830和835、导光板840和光学片可以构成背光单元。
光源模块包括安装在电路衬底830上的发光器件封装件835。电路衬底830可以是PCB等，并且发光器件封装件835与根据图20所示的实施方案的发光器件封装件相同。
底盖810可以容纳显示装置800的构成部件。如附图所示，反射板820可以设置为独立的元件或者可以涂敷有设置在导光板840的背面或底盖810的前方的具有高反射率的材料。
在此，反射板820可以由能够以超薄膜形式起作用的高反射率的材料制成并且其实例包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
此外，导光板840可以由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)或聚乙烯(PE)形成。
第一棱镜片850形成在使用透光的弹性聚合物的支撑膜的侧面处，并且聚合物可以包括具有多个重复形成的三维结构的棱镜层。在此，如图中所示，多个图案可以设置为凸部和凹部重复交替的条纹图案。
布置在第二棱镜片860中的支撑膜的一侧上的凸部和凹部的方向可以垂直于布置在第一棱镜片850中的支撑膜的一侧上的凸起和凹部的方向，使得来自光源模块和反射板的已变换的光可以沿着显示面板870的所有方向均匀地分布。
尽管未示出，但是扩散片可以设置在导光板840与第一棱镜片850之间。扩散片可以由聚酯或聚碳酸酯材料制成并且通过折射和散射使得来自背光单元的入射光的投影角最大化。此外，扩散片包括包含光扩散器的支撑层、形成在光发射面(第一棱镜片方向)和光入射面(反射片方向)的第一层和第二层，并且扩散片不包含光扩散器。
在本实施方案中，第一棱镜片850和第二棱镜片860构成光学片，并且光学片可以设置为例如微透镜阵列、一个或更多个扩散片和微透镜阵列的组合或一个棱镜片和微透镜阵列的组合。
显示面板870可以是液晶面板，并且除液晶面板860之外，可以布置其它需要光源的显示装置。
图23示出包括根据本实施方案的发光器件封装件的前灯900。参考图23，前灯900包括发光模块901、反射器902、灯罩903和透镜904。
发光模块901可以包括布置在衬底(未示出)上的根据一个实施方案的发光器件封装件400。反射器902可以将从发光模块901照射的光911沿着预定方向(例如，前向方向912)反射。
灯罩903是设置在反射器902与透镜904之间的构件并且阻挡或反射从反射器902反射的光并且将其引向透镜904以形成满足设计者的意图的光分布图案。灯罩903的一侧903-1的高度可以不同于灯罩903的另一侧903-2的高度。
从发光模块901照射的光在反射板902上反射、穿过灯罩903并且朝着本体的前方延伸。透镜904将由反射器902反射的光沿着前向方向折射。
从上面描述可以清楚地看出，实施方案提供了一种能够提高磷光板的粘附精度并且防止由热引起的磷光板的褪色和开裂的发光器件。
虽然已经参考大量示意性实施方案描述了实施方案，但是应当理解，本领域技术人员可以在本公开内容的原理的精神和范围内设计出大量其它的修改和实施方案。更具体地，可以在本公开内容、附图和所附权利要求的范围内对主要组合布置的组成部件和/或布置进行各种变化和修改。除了组成部件和/或布置方面的变化和修改，替选用途对于本领域技术人员来说也是明显的。

Claims (20)

1.一种发光器件，包括：
包括第一半导体层、有源层和第二半导体层的发光结构；
设置在所述第二半导体层上的焊垫；
从所述焊垫延伸并且设置在所述第二半导体层上的延伸电极；
设置在所述第二半导体层上的磷光板；以及
设置在所述发光结构与所述磷光板之间的接合部，所述接合部将所述磷光板接合到所述发光结构，
其中所述磷光板具有露出所述焊垫的开口，所述接合部还包括设置在所述磷光板的表面上并且接合到所述延伸电极的第三接合层。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述接合部包括：
设置在所述第二半导体层上的第一接合层；以及
设置在所述磷光板的表面上并且接合到所述第一接合层的第二接合层。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第二接合层熔接到所述第一接合层。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中在所述第一接合层与所述第二接合层之间存在熔接界面。
5.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第二接合层的熔点不同于所述第一接合层的熔点。
6.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一接合层和所述第二接合层分别包括复数个第一接合层和复数个第二接合层，所述复数个第一接合层和所述复数个第二接合层设置成使得所述复数个第一接合层分别对应于所述复数个第二接合层，并且所述复数个第二接合层之一接合到所述复数个第一接合层之一。
7.根据权利要求6所述的发光器件，
其中所述复数个第一接合层设置在所述第二半导体层的中心和所述第二半导体层的边缘附近。
8.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第一接合层和所述第二接合层包括Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Sn、Ru、Mg、Zn、Pt和Au中的至少一种、或者包含它们的合金。
9.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：
设置在所述第二半导体层上的导电层，
其中所述接合部包括：
设置在所述导电层和所述磷光板之间的第一接合部；以及
接合所述磷光板和所述延伸电极的第二接合部。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述延伸电极设置在所述第二半导体层与所述磷光板之间，并且所述开口露出所述延伸电极的相邻于所述焊垫的部分。
11.根据权利要求2所述的发光器件，
其中所述第三接合层与所述第二接合层间隔开。
12.根据权利要求1所述的发光器件，其中在所述延伸电极与所述第三接合层之间存在熔接界面。
13.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第三接合层的熔点不同于所述延伸电极的熔点。
14.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第三接合层的宽度小于或等于所述延伸电极的宽度。
15.根据权利要求1所述的发光器件，其中在所述磷光板与所述发光结构之间存在气隙。
16.根据权利要求2所述的发光器件，还包括：
设置在所述第一半导体层下方的衬底；
设置在所述第一半导体层的露出部分上的第一电极；以及
设置在所述第二半导体层上的导电层，
其中所述第一接合层设置在所述导电层上。
17.根据权利要求2所述的发光器件，还包括：
设置在所述第一半导体层下方的反射层；
设置在所述第一半导体层与所述反射层之间的欧姆区域；以及
设置在所述反射层下方的支撑层。
18.根据权利要求2所述的发光器件，还包括：
设置在所述第一半导体层下方的第一电极部；
设置在所述第一电极部下方的第二电极部，所述第二电极部穿过所述第一电极部、所述第一半导体层和所述有源层并且接触所述第二半导体层；以及
设置在所述第一电极部与所述第二电极部之间、所述第一半导体层与所述第二电极部之间、以及所述有源层与所述第二电极部之间的绝缘层。
19.根据权利要求18所述的发光器件，其中所述第二电极部包括：
设置在所述第一电极部下方的下电极层；以及
从所述下电极层分支并且接触所述第二半导体层的至少一个接触电极。
20.一种发光器件封装件，包括：
封装件本体；
设置在所述封装件本体上的第一引线框和第二引线框；
设置在所述第二引线框上的发光器件；以及
围绕所述发光器件的树脂层，
其中所述发光器件包括：
包括第一半导体层、有源层和第二半导体层的发光结构；
设置在所述第二半导体层上的焊垫；
从所述焊垫延伸并且设置在所述第二半导体层上的延伸电极；
设置在所述第二半导体层上的磷光板；以及
设置在所述发光结构与所述磷光板之间的接合部，所述接合部将所述磷光板接合到所述发光结构，
其中所述磷光板具有露出所述焊垫的开口，所述接合部还包括设置在所述磷光板的表面上并且接合到所述延伸电极的第三接合层。
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