CN103649132B - 用于半结晶聚合物冷却和造粒的方法 - Google Patents

Abstract

本文提供低分子量半结晶聚合物造粒的方法和系统。将包含半结晶聚合物和溶剂的聚合物组合物供给到脱挥发份装置，在真空条件下将溶剂至少部分地蒸发，导致通过蒸发冷却从聚合物中除去热量和聚合物结晶果。一旦聚合物已经达到所需温度，则将聚合物排出脱挥发份器并造粒。可用于本发明的半结晶聚合物包括丙烯基共聚物，例如丙烯-乙烯和丙烯-己烯共聚物，其具有大约5至大约75J/g的熔化热Hf和大约10,000至大约200,000g/mol的重均分子量Mw。

Description

用于半结晶聚合物冷却和造粒的方法

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年6月17日提交的美国专利申请序列号61/498,015的权益和优先权，以参考的方式将其全部引入本文。

发明背景

因为烯烃基聚合物是化学惰性的、具有低密度并且是有成本效益的，因此它们被广泛用于各种应用中。应用包括例如：粘合剂、膜、纤维、模制件及其组合。虽然这些聚合物在室温下是固体，但它们经常以熔体来生产和加工。在用于这些材料的许多制造工艺中，最后的步骤是将聚合物熔体转化成易于处理的颗粒。颗粒-粒料是一种类型-是有利的，因为它们易于包装、运输、称重、配料和再加工。

可以以多种方式来进行粒化（granulation）或造粒（pelletization）。对于低粘度材料（即：在190℃下按照ASTMD-3236测定的粘度小于100cP的那些聚合物）而言，将聚合物熔体施加到冷却表面上，将熔体冷却成固体，并以薄片、锭、团块、粒料或其它合适的形式来重新获得固体。然而，对于低粘度熔体，通常跳过该粒化步骤，并将熔体封装在可运输的熔体罐中。对于较高粘度的聚合物而言，粒化通常包括使聚合物熔体穿过模头并冷却，并将所得线料切割成粒料。当这些较高粘度聚合物具有适当的高分子量时，有可能在宽的加工温度范围内实现干净的切割，产生不连续的、商业上可接受的粒料。

然而，对于某些较低粘度的聚合物而言，只能在相对低的温度下形成可接受的粒料。之前，通过在表面冷却的挤出机中加工聚合物来实现这些低的温度，它能够利用循环制冷剂将穿过挤出机金属外壳的聚合物熔体冷却。然而，对于大量的工业工艺而言，这个方法是不可 行的，因为为获得可接受的粒料而需要从聚合物除去的热量与聚合物的量成正比，而实际能够被除去的热量与挤出机的表面积成比例。因为前者取决于体积（和线性尺寸的立方），而后者取决于面积（和线性尺寸的平方），大型工艺用的按比例放大，需要非常长的冷却时间或者多个的串联小型挤出机，来处理大量的聚合物材料。

那么，会希望发展用于将低粘度聚合物冷却的更加有效的方法，以便聚合物能够被造粒。本发明通过提供用于将低粘度半结晶聚合物冷却蒸发的如下的方法来解决这些问题的：通过在真空辅助的脱挥发份装置中除去溶剂，并持续足以使聚合物完全结晶的时间。

发明概述

本发明涉及通过将包含半结晶聚合物和溶剂的熔融聚合物组合物供给到脱挥发份装置来将相对低粘度的半结晶聚合物造粒的方法和系统。在脱挥发份器中，在真空条件下将溶剂至少部分蒸发，导致通过蒸发冷却从聚合排出热量和聚合物结晶。可以任选通过脱挥发份装置的壁或搅拌器轴的外部和/或内部冷却来除去额外的热量。一旦聚合物已经达到所需的温度和结晶水平（这将依赖于聚合物而变化，但通常由脱挥发份器出口处聚合物的温度和聚合物结晶温度之间的关系来确定），将聚合物排出脱挥发份器并造粒。在有些情况下，所需的结晶水平可以为使得聚合物能够被挤出成线料并用间歇的刀造粒的结晶水平。适用于本发明的半结晶聚合物，包括那些包含邻接的乙烯或内消旋丙烯单元的聚合物。后者的实例为包括一种或多种C₂和/或C₄-C₁₂α-烯烃的丙烯基共聚物，例如丙烯-乙烯和丙烯-己烯共聚物，其具有大约5至大约75J/g的熔化热Hf、在190℃下大约50cP至大约20,000cP的粘度和大约10,000至大约200,000g/mol的重均分子量Mw。

附图的简要说明

图1描述了适用于本发明方法和系统的说明性的脱挥发份装置。

图2描述了适用于本发明方法和系统的说明性的造粒装置。

图3a至3c描述了三种示例性半结晶聚合物的粘度与温度的函数关系。

图4a至4c表示三种示例性半结晶聚合物的差示扫描量热（DSC）曲线。

图5a至5c是三种示例性半结晶聚合物中每个的造粒机秤重（scale weight）与时间的关系图。

详述

本文中描述了各种具体的实施方案、版本和实施例，包括为了理解要求保护的发明而采用的示例性实施方案和定义。尽管下面的详细说明给出了具体的优选实施方案，但本领域技术人员会理解：这些实施方案仅仅是示例性的，并且本发明可以用其它方式来实施。为了确定侵权，本发明的范围将参照所附权利要求的任意一项或多项，包括与引用的那些相当的它们的等同物以及元件或限定。对“发明”的任何引用（reference）可指由权利要求书限定的发明的一个或多个，但不一定是全部。

本发明涉及通过将包含半结晶聚合物和溶剂的熔融聚合物组合物供给到脱挥发份装置来将相对低粘度的半结晶聚合物造粒的方法和系统。在脱挥发份器中，在真空条件下将溶剂至少部分地蒸发，导致通过蒸发冷却从聚合排出热量和聚合物结晶。这两个方法都导致聚合物粘度增加。进一步地，在低剪切环境中搅拌在脱挥发份器内的聚合物熔体，使得冷却过程不会因为由剪切引起的熔体粘性发热而被反转或受到相反的影响。

一旦聚合物已经达到所需的温度和结晶水平，这就将如同下面进一步详述中描述的，依赖于聚合物而变化，但通常由聚合物在脱挥发份器出口处的温度和聚合物结晶温度之间的关系来确定，将聚合物排出脱挥发份器并造粒。本发明的目的是要控制聚合物的冷却和结晶，使得排出脱挥发份器的聚合物熔体的粘度要使聚合物具有足够的流动 性以被挤出，同时保证聚合物仍然基本为粘性的，使得可以在保持其形状的同时将它挤出、造粒并传送。由于结晶，聚合物的粘度比期望的更高，所以可接受的造粒是可能的。

在一个或多个实施方案中，本发明涉及用于半结晶聚合物造粒的方法，其包括：提供具有出口和进口的容器，例如如下所述类型的脱挥发份容器；将包含半结晶聚合物和溶剂的第一聚合物组合物引入到容器的进口中；并且在容器中将第一聚合物组合物经受真空，使得从第一聚合物组合物中除去部分的溶剂，并降低第一聚合物组合物的温度，得到包含半结晶聚合物的第二聚合物组合物，其具有与第一聚合物组合物相比更低的溶剂含量和更低的温度。

在这样的方法中，第一聚合物组合物中最佳的溶剂量通常取决于脱挥发份器中聚合物熔体所需的温度变化，并且可以由本领域技术人员轻易地确定。例如，在一些实施方案中，第一聚合物组合物可以包含大约1wt%至大约50wt%的溶剂，或者大约5wt%至大约45wt%的溶剂，或者大约10wt%至大约40wt%的溶剂。在第一聚合物组合物中溶剂的量可以被限定在一定的范围内，使得在脱挥发份器中使用第一聚合物组合物中的残留热基本实现了溶剂的完全蒸发。在本发明的某些实施方案中，在脱挥发份器中蒸发溶剂之后，第二聚合物组合物包含可忽略量的残留溶剂。如本文所使用的，“可忽略量”意指第二聚合物组合物包含低于大约5wt%的残留溶剂。优选地，第二聚合物组合物包含低于大约2wt%、或低于大约1wt%、或低于大约5000ppm、或低于大约2000ppm、或低于大约1000ppm、或低于大约500ppm、或低于大约300ppm、或低于大约100ppm、或低于大约50ppm、或低于大约30ppm、或低于大约10ppm的残留溶剂。可以选择所用溶剂的量和溶剂的类型，使得在脱挥发份器中聚合物停留时间之内可以获得所需的溶剂的除去程度。考虑的事项可以包括但不限于：溶剂在脱挥发份器条件下的蒸汽压、溶剂的蒸发潜热、脱挥发份器中的温度和脱挥发份器中的真空水平。

进一步地，在本发明的一个或多个实施方案中，在第一聚合物组 合物中使用的溶剂的量要使得第二聚合物组合物在脱挥发份容器出口处达到预定的温度（Tf），因为当在容器中时冷却与溶剂的蒸发潜热相关。例如，可以根据下面的关系式来确定溶剂的量：

X=100*Cp(T₁-Tf)/ΔH_vap

其中X为相对每100份第一聚合物的溶剂份数，T₁为第一聚合物组合物的初始温度（℃），Tf为第二聚合物组合物在脱挥发份容器出口处的温度（℃），Cp为第二聚合物组合物在温度T₁和Tf之间的平均热容（J/℃），且ΔH_vap为溶剂在温度T₁和Tf之间的蒸发热（J/g）。如果在由于来自脱挥发份器外壁或搅拌器轴的热传导发生了而辅助的冷却的情况下，可以相应地调整溶剂的量。

可以选择第二聚合物组合物在脱挥发份器进口和出口处所需的温度（分别为T₁和Tf），以便将第二聚合物组合物的粘度维持在所需范围内。组合物的粘度随温度而变化，较低的温度一般导致较高的粘度。在本发明的一个或多个实施方案中，选择T₁以使得第一聚合物组合物（包含半结晶聚合物和溶剂）在脱挥发份器入口处或接近该入口处的粘度为大约50至大约20,000cP，并且第二聚合物组合物在脱挥发份器出口或接近该出口处的粘度为大约20,000至大约100,000cP。在同样的或其它实施方案中，第一聚合物组合物在脱挥发份器入口处的粘度为大约10至大约20,000cP，或大约100至大约15,000cP，或大约100至大约10,000cP，或大约100至大约7,500cP，或大约100至大约5,000cP，或大约100至大约4,000cP，或大约100至大约3,000cP，或大约100至大约2,000cP，或大约100至大约1,500cP，或大约100至大约1,000cP；并且第二聚合物组合物在脱挥发份器出口处的粘度为大约5,000至大约500,000cP，或大约7,500至大约300,000cP，或大约10,000至大约200,000cP，或大约20,000至大约100,000cP，或大约25,000至大约90,000cP，或大约30,000至大约80,000cP。

在本文中描述的方法中，第二聚合物组合物在脱挥发份容器出口处的最佳温度（Tf）还可以与半结晶聚合物的第一结晶温度（Tc1)有关，其中所有的温度都为摄氏度。在本发明的一个或多个实施方案中， 将确定所需的Tf以使得在Tf和Tc1之间的关系满足式Tf≤Tc1+60。Tf与Tc1之间的关系可进一步满足式Tf≤Tc1+50，或Tf≤Tc1+40，或Tf≤Tc1+35，或Tf≤Tc1+30，或Tf≤Tc1+25，或Tf≤Tc1+20，或Tf≤Tc1+15，或Tf≤Tc1+10，或Tf≤Tc1+5。在同样的或其它的实施方案中，Tf与Tc1之间的关系可以满足式Tc1-30≤Tf≤Tc1+30，或Tc1-25≤Tf≤Tc1+25，或Tc1-20≤Tf≤Tc1+20，或Tc1-15≤Tf≤Tc1+15，或Tc1-10≤Tf≤Tc1+10。或者，Tf与Tc1之间的关系可以满足式Tc1≤Tf≤Tc1+60，或Tc1≤Tf≤Tc1+50，或Tc1≤Tf≤Tc1+40，或Tc1≤Tf≤Tc1+35，或Tc1≤Tf≤Tc1+30，或Tc1≤Tf≤Tc1+25，或Tc1≤Tf≤Tc1+20。进一步地，Tf与Tc1之间的关系可以满足式Tc1-20≤Tf≤Tc1+60，或Tc1-20≤Tf≤Tc1+50，或Tc1-15≤Tf≤Tc1+40，或Tc1-15≤Tf≤Tc1+35，或Tc1-10≤Tf≤Tc1+30，或Tc1-10≤Tf≤Tc1+25，或Tc1-5≤Tf≤Tc1+20。

在本文中描述的方法中，第二聚合物组合物在脱挥发份容器出口处的最佳温度（Tf）还可以与半结晶聚合物的第二结晶温度（Tc2)有关，其中所有的温度都为摄氏度。在本发明的一个或多个实施方案中，将确定所需的Tf以使得在Tf和Tc2之间的关系满足式Tf≤Tc2+100。Tf与Tc2之间的关系可进一步满足式Tf≤Tc2+90，或Tf≤Tc2+85，或Tf≤Tc2+80，或Tf≤Tc2+75，或Tf≤Tc2+70，或Tf≤Tc2+65，或Tf≤Tc2+60，或Tf≤Tc2+50，或Tf≤Tc2+40，或Tf≤Tc2+30，或Tf≤Tc2+20，或Tf≤Tc2+10。在同样的或其它的实施方案中，Tf与Tc2之间的关系可以满足式Tc2-30≤Tf≤Tc2+90，或Tc2-25≤Tf≤Tc2+80，或Tc2-20≤Tf≤Tc2+70，或Tc2-15≤Tf≤Tc2+60，或Tc2-10≤Tf≤Tc2+50，或Tc2-10≤Tf≤Tc2+40，或Tc2-10≤Tf≤Tc2+30。或者，Tf与Tc2之间的关系可以满足式Tc2≤Tf≤Tc2+90，或Tc2≤Tf≤Tc2+80，或Tc2≤Tf≤Tc2+70，或Tc2≤Tf≤Tc2+60，或Tc2≤Tf≤Tc2+50，或Tc2≤Tf≤Tc2+40，或Tc2≤Tf≤Tc2+30。进一步地，Tf与Tc2之间的关系可以满足式Tc2-20≤Tf≤Tc2+90，或Tc2-20≤Tf≤Tc2+80，或Tc2-15≤Tf≤Tc2+70，或Tc2-15≤Tf≤ Tc2+60，或Tc2-10≤Tf≤Tc2+50，或Tc2-10≤Tf≤Tc2+40，或Tc2-5≤Tf≤Tc2+30。

方法进一步包括从容器的出口排出第二聚合物组合物，将第二聚合物组合物供给到包括挤出机和造粒模头的造粒机，并从造粒机排出粒料状的聚合物产物。在一些实施方案中，造粒机为水下造粒机，在下面详细描述并在图2中说明其类型和操作。在某些实施方案中，可以将造粒机的造粒模头加热或冷却，以便维持用于最佳造粒效果的聚合物熔体的熔融温度（和因此的粘度）。

在本文中描述的方法中，第二聚合物组合物在造粒模头出口处的最佳温度（Td）还可以与半结晶聚合物的第一结晶温度（Tc1)有关，其中所有的温度为摄氏度。在本发明的一个或多个实施方案中，确定所需的Td以使得Td与Tc1之间的关系满足式Tc1-60≤Td≤Tc1+60。Td与Tc1之间的关系可进一步满足式Tc1-50≤Td≤Tc1+50，或Tc1-40≤Td≤Tc1+40，或Tc1-35≤Td≤Tc1+35，或Tc1-30≤Td≤Tc1+30，或Tc1-25≤Td≤Tc1+25，或Tc1-20≤Td≤Tc1+20，或Tc1-15≤Td≤Tc1+15，或Tc1-10≤Td≤Tc1+10，或Tc1-5≤Td≤Tc1+5。

在一个或多个实施方案中，脱挥发份容器可以进一步包括至少一个真空端口和至少一个搅拌器轴端口、穿过所述至少一个搅拌器轴端口的搅拌器轴、与每个搅拌器轴端口相关的用于密封搅拌器轴的搅拌器轴封口、以及至少一个位于容器外面用于旋转搅拌器轴的马达。在这些实施方案的某一些中，搅拌器轴可以具有在容器外部的外部部分和延伸至容器中的内部部分，其中搅拌器轴的内部部分包括搅拌装置，例如桨叶或叶片。在一个或多个实施方案中，容器或搅拌器轴或两者的壁可以被冷却（例如通过制冷液体的循环）以给容器内部聚合物提供辅助的冷却。

在一些实施方案中，本发明进一步涉及用于半结晶聚合物造粒的方法，其包括：提供具有进口和出口的脱挥发份器，将包含半结晶聚合物和溶剂的聚合物组合物供给到脱挥发份器的进口，将聚合物组合 物从进口到出口传送以穿过脱挥发份器，从脱挥发份器的出口取出聚合物组合物，并将组合物造粒。在某些实施方案中，可以采用水下造粒机将组合物造粒。该方法可以进一步包括制造真空，以通过蒸发从聚合物组合物除去至少部分的溶剂，并使得聚合物组合物在脱挥发份器出口处的温度比聚合物组合物在脱挥发份器进口处的温度要低。在进一步的实施方案中，聚合物组合物在容器出口处的温度（Tf）可以比聚合物组合物在容器进口处的温度（T₁)低至少大约5℃，或至少大约10℃，或至少大约15℃，或至少大约20℃，或至少大约25℃，或至少大约30℃。

在同样的或其它实施方案中，从脱挥发份器取出的聚合物组合物包含小于或等于大约1wt%的溶剂，并且聚合物组合物在容器出口处的温度（Tf）与半结晶聚合物的第一结晶温度（Tc1）之间的关系满足式Tf≤Tc1+60。Tf与Tc1之间的关系可以进一步满足式Tf≤Tc1+50，或Tf≤Tc1+40，或Tf≤Tc1+35，或Tf≤Tc1+30，或Tf≤Tc1+25，或Tf≤Tc1+20，或Tf≤Tc1+15，或Tf≤Tc1+10，或Tf≤Tc1+5。在同样的或其它实施方案中，Tf与Tc1之间的关系可以满足式Tc1-30≤Tf≤Tc1+30，或Tc1-25≤Tf≤Tc1+25，或Tc1-20≤Tf≤Tc1+20，或Tc1-15≤Tf≤Tc1+15，或Tc1-10≤Tf≤Tc1+10。或者，Tf与Tc1之间的关系可以满足式Tc1≤Tf≤Tc1+60，或Tc1≤Tf≤Tc1+50，或Tc1≤Tf≤Tc1+40，或Tc1≤Tf≤Tc1+35，或Tc1≤Tf≤Tc1+30，或Tc1≤Tf≤Tc1+25，或Tc1≤Tf≤Tc1+20。进一步地，Tf与Tc1之间的关系可以满足式Tc1-20≤Tf≤Tc1+60，或Tc1-20≤Tf≤Tc1+50，或Tc1-15≤Tf≤Tc1+40，或Tc1-15≤Tf≤Tc1+35，或Tc1-10≤Tf≤Tc1+30，或Tc1-10≤Tf≤Tc1+25，或Tc1-5≤Tf≤Tc1+20。

在同样的或其它实施方案中，从脱挥发份器取出的聚合物组合物包含小于或等于大约1wt%的溶剂，并且聚合物组合物在容器出口处的温度（Tf）与半结晶聚合物的第二结晶温度（Tc2）之间的关系满足式Tf≤Tc2+60。Tf与Tc2之间的关系可以进一步满足Tf≤Tc2+50，或Tf≤Tc2+40，或Tf≤Tc2+35，或Tf≤Tc2+30，或Tf≤Tc2+25，或Tf ≤Tc2+20，或Tf≤Tc2+15，或Tf≤Tc2+10，或Tf≤Tc2+5。在同样的或其它实施方案中，Tf与Tc2之间的关系可以满足式Tc2-30≤Tf≤Tc2+30，或Tc2-25≤Tf≤Tc2+25，或Tc2-20≤Tf≤Tc2+20，或Tc2-15≤Tf≤Tc2+15，或Tc2-10≤Tf≤Tc2+10。或者，Tf与Tc2之间的关系可以满足式Tc2≤Tf≤Tc2+60，或Tc2≤Tf≤Tc2+50，或Tc2≤Tf≤Tc2+40，或Tc2≤Tf≤Tc2+35，或Tc2≤Tf≤Tc2+30，或Tc2≤Tf≤Tc2+25，或Tc2≤Tf≤Tc2+20。进一步地，Tf与Tc2之间的关系可以满足式Tc2-20≤Tf≤Tc2+60，或Tc2-20≤Tf≤Tc2+50，或Tc2-15≤Tf≤Tc2+40，或Tc2-15≤Tf≤Tc2+35，或Tc2-10≤Tf≤Tc2+30，或Tc2-10≤Tf≤Tc2+25，或Tc2-5≤Tf≤Tc2+20。

在一个或多个实施方案中，本发明又涉及一种或多种用于聚合物组合物造粒的系统。系统包括：脱挥发份容器，其具有将第一聚合物组合物引入到容器的聚合物入口和将第二聚合物组合物排出的聚合物出口；在具有溶剂出口（用于从第一聚合物组合物除去溶剂以形成第二聚合物组合物）的容器内部的脱挥发份区域；用于搅拌容器内容物的、纵向穿过容器的搅拌器轴；用于旋转搅拌器轴的、位于容器外部的马达；和用于将在从容器排出时的第二聚合物组合物造粒的造粒机。在一个或多个实施方案中，溶剂出口可以为单个溶剂出口或多个溶剂出口，并且每个出口可以为真空端口。在同样的或其它实施方案中，系统可以进一步包括位于容器的聚合物出口和造粒机之间的聚合物出料螺杆。在一个或多个实施方案中，造粒机可以为水下造粒机。

在这样的系统中，第一聚合物组合物中最佳的溶剂量通常取决于脱挥发份器中聚合物熔体所需的温度变化，并且能够由本领域技术人员如前所述地确定。例如，第一聚合物组合物可以包含大约1wt%至大约50wt%的溶剂，或者大约5wt%至大约45wt%的溶剂，或者大约10wt%至大约40wt%的溶剂。在脱挥发份器中溶剂蒸发之后，第二聚合物组合物通常将包含可忽略数量的残留溶剂，如前所定义的。例如，第二聚合物组合物包含低于大约5wt%、或低于大约2wt%、或低于大约1wt%、或低于大约5000ppm、或低于大约2000ppm、或低于大约1000ppm、或 低于大约500ppm、或低于大约300ppm、或低于大约100ppm、或低于大约50ppm、或低于大约30ppm、或低于大约10ppm的残留溶剂。第二聚合物组合物在容器出口处的温度比第一聚合物组合物在容器进口处的温度要低，并且在容器脱挥发份区域内的条件要使得可维持真空度，以促进通过蒸发来将至少部分溶剂从第一聚合物组合物中除去。在进一步的实施方案中，第二聚合物组合物在容器出口处的温度（Tf）可以比第一聚合物组合物在容器进口处的温度（T₁）低至少大约5℃，或至少大约10℃，或至少大约15℃，或至少大约20℃，或至少大约25℃，或至少大约30℃。

在根据本发明系统的同样的或其它实施方案中，第二聚合物组合物在容器出口处的温度（Tf）与半结晶聚合物的第一结晶温度（Tc2）之间的关系满足式Tf≤Tc1+60。Tf与Tc1之间的关系可以进一步满足式Tf≤Tc1+50，或Tf≤Tc1+40，或Tf≤Tc1+35，或Tf≤Tc1+30，或Tf≤Tc1+25，或Tf≤Tc1+20，或Tf≤Tc1+15，或Tf≤Tc1+10，或Tf≤Tc1+5。在同样的或其它实施方案中，Tf与Tc2之间的关系可以满足式Tc1-30≤Tf≤Tc1+30，或Tc1-25≤Tf≤Tc1+25，或Tc1-20≤Tf≤Tc1+20，或Tc1-15≤Tf≤Tc1+15，或Tc1-10≤Tf≤Tc1+10。或者，Tf与Tc1之间的关系可以满足式Tc1≤Tf≤Tc1+60，或Tc1≤Tf≤Tc1+50，或Tc1≤Tf≤Tc1+40，或Tc1≤Tf≤Tc1+35，或Tc1≤Tf≤Tc1+30，或Tc1≤Tf≤Tc1+25，或Tc1≤Tf≤Tc1+20。进一步地，Tf与Tc1之间的关系可以满足式Tc1-20≤Tf≤Tc2+60，或Tc1-20≤Tf≤Tc1+50，或Tc1-15≤Tf≤Tc1+40，或Tc1-15≤Tf≤Tc1+35，或Tc1-10≤Tf≤Tc1+30，或Tc1-10≤Tf≤Tc1+25，或Tc1-5≤Tf≤Tc1+20。

在根据本发明系统的同样的或其它实施方案中，第二聚合物组合物在容器出口处的温度（Tf）与半结晶聚合物的结晶温度（Tc2）之间的关系满足式Tf≤Tc2+60。Tf与Tc2之间的关系可以进一步满足Tf≤Tc2+50，或Tf≤Tc2+40，或Tf≤Tc2+35，或Tf≤Tc2+30，或Tf≤Tc2+25，或Tf≤Tc2+20，或Tf≤Tc2+15，或Tf≤Tc2+10，或Tf≤Tc2+5。 在同样的或其它实施方案中，Tf与Tc2之间的关系可以满足式Tc2-30≤Tf≤Tc2+30，或Tc2-25≤Tf≤Tc2+25，或Tc2-20≤Tf≤Tc2+20，或Tc2-15≤Tf≤Tc2+15，或Tc2-10≤Tf≤Tc2+10。或者，Tf与Tc2之间的关系可以满足式Tc2≤Tf≤Tc2+60，或Tc2≤Tf≤Tc2+50，或Tc2≤Tf≤Tc2+40，或Tc2≤Tf≤Tc2+35，或Tc2≤Tf≤Tc2+30，或Tc2≤Tf≤Tc2+25，或Tc2≤Tf≤Tc2+20。进一步地，Tf与Tc2之间的关系可以满足式Tc2-20≤Tf≤Tc2+60，或Tc2-20≤Tf≤Tc2+50，或Tc2-15≤Tf≤Tc2+40，或Tc2-15≤Tf≤Tc2+35，或Tc2-10≤Tf≤Tc2+30，或Tc2-10≤Tf≤Tc2+25，或Tc2-5≤Tf≤Tc2+20。

半结晶聚合物 

适合用于本发明的聚合物为具有相对低分子量和相对宽熔融曲线的半结晶聚合物（使得当聚合物的温度改变时，聚合物的粘度改变缓慢）。本文中使用的术语“聚合物”包括但不限于均聚物、共聚物、三元共聚物等以及它们的合金化聚合物和共混物。进一步地，本文中使用的术语“共聚物”意指包括具有两种或多种单体，任选与其它的单体的聚合物，并且可以指互聚物、三元共聚物等。本文中使用的术语“聚合物”还包括冲击（impact）、嵌段、接枝、无规或交替共聚物。术语“聚合物”应进一步包括所有可能的几何构型，除非另有特别说明。这样的构型包括全同立构、间同立构或无规对称。本文中使用的术语“共混物”指两种或更多种聚合物的混合物。

本文中使用的术语“单体”或“共聚单体”可以指用于形成聚合物的单体，即：聚合之前的形式的未反应化合物，并且还可以指已经将它结合到聚合物中之后的单体，本文中也称作“[单体]衍生单元”，它因聚合反应具有的氢原子数一般比聚合反应之前具有的数量要少。本文中讨论了不同的单体，包括丙烯单体、乙烯单体和二烯单体。

本文中使用的“聚丙烯”包括丙烯均聚物或丙烯或其混合物的共聚物。包括与一种或多种附加单体聚合的一种或多种丙烯单体的产物通常可以被称作无规共聚物（RCP）或冲击共聚物（ICP）。冲击共聚 物在本领域还可以称作多相共聚物。本文中使用的“丙烯基的”意指包括下面的任意聚合物：它包括单独的丙烯或与一种或多种共聚单体一起的丙烯，其中丙烯为主要的组分（即：超过50wt%的丙烯）。

在本发明的某些实施方案中，半结晶聚合物可以包括一种或多种丙烯基的聚合物，其包含丙烯和大约5wt%至大约30wt%的一种或多种选自C₂和/或C₄-C₁₂α烯烃的共聚单体。在一个或多个实施方案中，α烯烃共聚单体可以衍生自乙烯、丁烯、戊烯、4-甲基-1-戊烯、辛烯或癸烯。如下描述的实施方案，参考乙烯和己烯作为α烯烃共聚单元来讨论，但该实施方案也同样适用于与其它α烯烃共聚单体的其它共聚物。在这一方面，共聚物可简单地指：与乙烯或己烯作为α烯烃有关的丙烯基聚合物。

在一个或多个实施方案中，半结晶聚合物可以包括至少大5wt%、至少大约6wt%、至少大约7wt%、或至少大约8wt%、或至少大约10wt%、或至少大约12wt%的乙烯衍生或己烯衍生单元。在这些或其它实施方案中，共聚物可以包括高达大约30wt%、或高达大约25wt%、或高达大约22wt%、或高达大约20wt%、或高达大约19wt%、或高达大约18wt%、或高达大约17wt%乙烯衍生或己烯衍生单元，其中重量百分比是基于丙烯衍生单元和α-烯烃衍生单元的总重计。换言之，丙烯基聚合物可以包括至少大约70wt%、或至少大约75wt%、或至少大约80wt%、或至少大约81wt%的丙烯衍生单元，或至少大约82wt%的丙烯衍生单元，或至少大约83wt%的丙烯衍生单元；并且在这些或其它实施方案中，共聚物可以包括高达大约95wt%、或高达大约94wt%、或高达大约93wt%、或高达大约92wt%、或高达大约90wt%、或高达大约88wt%的丙烯衍生单元，其中重量百分比是基于丙烯衍生单元和α烯烃衍生单元的总重计。在某些实施方案中，丙烯基聚合物可以包含大约5wt%至大约25wt%的乙烯衍生或单元己烯衍生单元，或大约8wt%至大约20wt%的乙烯衍生单元或己烯衍生单元，或大约12wt%至大约18wt%的乙烯衍生单元或己烯衍生单元。

一个或多个实施方案的半结晶聚合物的特征在于熔点（Tm），其 可以由差示扫描量热法（DSC）来确定。对于本文的目的而言，最高温度峰值的最大值被认为是聚合物的熔点。在上下文中“峰值”被定义为DSC曲线（热流对温度）在一般斜率中从正到负的变化，形成最大值而不改变基线，其中将DSC曲线绘制成使得吸热反应会显示为正峰值的曲线。

在一个或多个实施方案中，半结晶聚合物的Tm（由DSC确定）低于大约115℃，或低于大约110℃，或低于大约100℃，或低于大约90℃。在同样的或其它实施方案中，半结晶聚合物的Tm大于大约25℃，或大于大约30℃，或大于大约35℃，或大于大约40℃。

在一个或多个实施方案中，半结晶聚合物的第一结晶温度（Tc1，由粘度曲线确定）低于大约100℃，或低于大约90℃，或低于大约80℃，或低于大约70℃，或低于大约60℃，或低于大约50℃，或低于大约40℃，或低于大约30℃，或低于大约20℃，或与大约10℃。在同样的或其它实施方案中，半结晶聚合物的Tc1大于大约0℃，或大于大约5℃，或大于大约10℃，或大于大约15℃，或大于大约20℃。

在其它实施方案中，半结晶聚合物Tc1的下限可以为0℃、5℃、10℃、20℃、30℃、40℃、50℃、60℃和70℃；且Tc1上限温度可以为100℃、90℃、80℃、70℃、60℃、50℃、40℃、30℃、25℃和20℃，预期到从任何下限到任何上限的范围。

在一个或多个实施方案中，半结晶聚合物的第二结晶温度（Tc2，由DSC曲线确定）低于大约100℃，或低于大约90℃，或低于大约80℃，或低于大约70℃，或低于大约60℃，或低于大约50℃，或低于大约40℃，或低于大约30℃，或低于大约20℃，或与大约10℃。在同样的或其它实施方案中，半结晶聚合物的Tc2大于大约0℃，或大于大约5℃，或大于大约10℃，或大于大约15℃，或大于大约20℃。

在其它实施方案中，半结晶聚合物Tc2的下限可以为0℃、5℃、10℃、20℃、30℃、40℃、50℃、60℃和70℃；且Tc2上限温度可以为100℃、90℃、80℃、70℃、60℃、50℃、40℃、30℃、25℃和20℃，预期到从任何下限到任何上限的范围。

在一个或多个实施方案中，半结晶聚合物的特征在于它由DSC确定的熔化热（Hf）。在一个或多个实施方案中，半结晶聚合物的Hf为至少大约0.5J/g，或至少大约1.0J/g，或至少大约1.5J/g，或至少大约3.0J/g，或至少大约4.0J/g，或至少大约5.0J/g，或至少大约6.0J/g，或至少大约7.0J/g。在这些或其它实施方案中，半结晶聚合物特征在于Hf低于大约80J/g，或低于大约75J/g，或低于大约70J/g，或低于大约60J/g，或低于大约50J/g，或低于大约45J/g。

在其它实施方案中，半结晶聚合物熔化热（Hf）的下限可以为1.0J/g、2.0J/g、3.0J/g、4.0J/g、5.0J/g、10.0J/g、15.0J/g、20.0J/g、25.0J/g和30.0J/g；并且Hf的上限可以为70.0J/g、60.0J/g、50.0J/g、45.0J/g、40.0J/g、35.0J/g、30.0J/g、25.0J/g、20.0J/g、15.0J/g和10.0J/g，预期到从任何下限到任何上限的范围。

适合用于本文的聚合物据说是“半结晶的”，意指它们通常具有相对低的结晶度。本文中使用的术语“晶体”广义地指那些具有高的相互及内部分子序列度的聚合物，并且其优选在高于110℃下熔化，更优选高于115℃，且最优选130℃以上。具有高的相互和内部分子序列度的聚合物被认为具有“高的”结晶水平，而具有低的相互和内部分子序列度的聚合物被认为具有“低的”结晶水平。聚合物的结晶度可以例如通过结晶度百分比（通常相对于一些参考或基准的结晶度）来定量表示。如本文中使用的，相对于全同立构聚丙烯均聚物来测量结晶度。优选地，采用熔化热来确定结晶度。因此，例如，假定高结晶聚丙烯均聚物的熔化热为190J/g，那么具有95J/g熔化热的半结晶丙烯共聚物将具有50%的结晶度。本文中使用的术语“可结晶的”指那些在未变形的状态下主要是无定形的、但在拉伸或退火后变成结晶的聚合物或序列。因此，在某些具体实施方案中，半结晶聚合物可以是可结晶的。用于本发明具体实施方案中的半结晶聚合物优选具有全同立构聚丙烯的2%至65%的结晶度。在进一步的实施方案中，半结晶聚合物可以具有全同立构聚丙烯的大约3%至大约40%、或大约4%至大 约30%、或大约5%至大约25%的结晶度。

半结晶聚合物可以具有75%以上、80%以上、85%以上、90%以上、92%以上、95%以上或97%的三个丙烯单元的三单元组立构规整度，由 ¹³C NMR来测定。在一个或多个实施方案中，三单元组立构规整度在大约75%至大约99%范围内，或大约80%至大约99%、或大约85%至大约99%、或大约90%至大约99%、或大约90%至大约97%、或大约80%到大约97%。采用在美国专利申请公开2004/0236042号中描述的方法来确定三单元组立构规整度。

半结晶聚合物可以具有下限4或6至上限8或10或12范围内的立构规整度指数m/r。通过¹³C核磁共振（“NMR”）来确定立构规整度指数，本文中表述为“m/r”。通过由H.N.Cheng在17Macromolecules1950(1984)定义的方法来计算立构规整度指数m/r，通过引用将其并入本文中。符号“m”或“r”描述一对邻接丙烯基团的立体化学，“m”指内消旋，且“r”指外消旋。1.0的m/r比例通常描述间同立构聚合物，且2.0的m/r比值描述无规立构材料。全同立构材料理论上可以具有接近无穷大的比值，并且许多无规立构聚合物副产物具有足够的全同立构组分，以得到大于50的比值。

在一个或多个实施方案中，半结晶聚合物可以具有大约0.85g/cm³至大约0.92g/cm³的密度，或大约0.86g/cm³至大约0.90g/cm³，或大约0.86g/cm³至0.89g/cm³，在室温下由ASTM D-792测试方法测得。

在一个或多个实施方案中，半结晶聚合物可以具有大约5,000至大约500,000g/mol的重均分子量（Mw），或大约7,500至大约300,000g/mol，或大约10,000至大约200,000g/mol，或大约25,000至大约175,000g/mol。

可以在美国专利4,540,753号（Cozewith,Ju和Verstrate）和Macromolecules,1988第21卷,第3360页(Verstrate等)中发现确定分子量用的方法。例如，通过采用装配有差示折光率检测器并采用聚苯乙烯标准样校准的Waters150凝胶渗透色谱，通过尺寸排阻色谱（SEC）来确定分子量。

在一个或多个实施方案中，半结晶聚合物可以具有大约100cP至大约1,000,000,000cP，或大约1,000至大约100,000,000cP，或大约2,000至大约10,000,000cP，或大约2,500至大约7,500,000cP，或大约3,000至大约5,000,000cP，或大约3,500至大约3,000,000cP，或大约4,000至大约1,000,000cP，或大约4,500至大约750,000cP，或大约5,000至大约500,000cP，或大约5,500至大约450,000cP，或大约6,000到大约400,000cP的在190℃下测量并根据ASTM D-3236确定的粘度（也称作布氏粘度或熔体粘度）。

在一个或多个实施方案中，半结晶聚合物的特征可以在于其在190℃下的粘度。在一个或多个实施方案中，半结晶聚合物可以具有至少大约100cP（厘泊），或至少大约500cP，或至少大约1,000cP，或至少大约1,500cP，或至少大约2,000cP，或至少大约3,000cP，或至少大约4,000cP，或至少大约5,000cP的粘度。在这些或其它实施方案中，半结晶聚合物的特征可以在于其在190℃下的粘度为低于大约100,000cP，或低于大约75,000cP，或低于大约50,000cP，或低于大约25,000cP，或低于大约20,000cP，或低于大约15,000cP，或低于大约10,000cP，或低于大约5,000cP。

在其它实施方案中，半结晶聚合物在190℃下的粘度下限可以为100cP、1,000cP、1,500cP、2,000cP、3,000cP、4,000cP和5,000cP；并且上限Hf可以为100,000cP、75,000cP、50,000cP、25,000cP、20,000cP、15,000cP、10,000cP和5,000cP，预期到从任何下限到任何上限的范围。

半结晶聚合物的制备

半结晶聚合物的聚合是通过在本文中描述的催化剂体系存在下、在0℃到200℃的温度下将单体反应1秒至10小时的时间来进行的。优选使用均相条件，例如连续溶液方法或采用过量单体作为稀释剂的本体聚合方法。连续方法可以采用某些形式的搅拌，来降低反应器中的浓度差，并维持稳定的聚合条件。虽然可以使用内部冷却系统，但 优选通过将聚合物进料冷却并允许聚合加热至聚合来除去聚合反应热。

可以在美国专利6,881,800号中发现适合于本文中描述的用于半结晶聚合物制备的示例性方法的进一步描述，为了美国实施的目的将其通过引用的方式并入本文。

可以通过下面的因素来控制半结晶聚合物的三单元立构规整度和立构规整指数：催化剂，它影响丙烯排列的立构规整性；聚合温度，通过升高温度可以降低其立构规整性；和共聚单体的类型和数量，其倾向于减少较长丙烯衍生序列的水平。

共聚单体太多会将由有规立构丙烯衍生序列结晶提供的结晶度降低到使材料缺乏强度的程度；太少，则材料会结晶度太高。可以采用 ¹³C核磁共振（NMR）、通过本领域技术人员公知的方法来测量聚合物的共聚单体含量和序列分布。可以采用本领域技术人员公知的方法来测量离散（discrete）分子量范围的共聚单体含量，包括傅里叶变换红外光谱（FTIR）连同GPC样品，如在Wheeler and Willis,Applied Spectroscopy,1993,第47卷,1128-1130页中描述的。对于含有大于75wt%丙烯的丙烯乙烯共聚物而言，这样的聚合物的共聚单体含量（乙烯含量）可以按如下测量：在大约150℃或更高的温度下，将薄的均匀薄膜挤压并安装在Perkin Elmer PE1760红外分光光度计上。记录样品从600cm^-1到4000cm^-1的完全光谱，可以按照下面方程来计算乙烯的单体重量百分数：乙烯wt%=82.585-111.987X+30.045X2，其中X为在1155cm^-1处的峰高与722cm^-1或732cm^-1之一处的峰高的比值，按两者中较高者计算。对于含有75wt%或更少丙烯含量的丙烯乙烯共聚物而言，可以采用在Wheeler和Willis中描述的程序来测量共聚单体（乙烯）含量。

参考美国专利6,525,157号，其测试方法也完全适用于在本说明书和权利要求书提到的各种测量，并且它包括关于GPC测量、通过NMR和DSC测量来确定乙烯含量的更多细节。

催化剂还可以与共聚单体和聚合温度一起控制立构规整性。采用一种或多种催化剂体系制备本文中描述的半结晶聚合物。如本文中使用的，“催化剂体系”至少包含过渡金属化合物(也称作催化剂前体)和活化剂。在公开方法的聚合反应器上游或聚合反应器中的溶液中，将过渡金属化合物(催化剂前体)和活化剂接触，生产催化剂体系的催化活性组分(催化剂)。任何给定的过渡金属化合物或催化剂前体可以与多种活化剂产生催化活性组分(催化剂)，提供在本发明方法中可配置的广泛的催化剂。本发明的催化剂体系包含至少一种过渡金属化合物和至少一种活化剂。然而，本发明的催化剂体系还可以包含与一种或多种活化剂组合的超过一种的过渡金属化合物。这样的催化剂体系可任选包含杂质清除剂。下面对这些组分的每一个作进一步的详述。

在本发明的一个或多个实施方案中，用于生产半结晶聚合物的催化剂体系包含茂金属化合物。在一些实施方案中，茂金属化合物为具有通式(In¹)Y(In²)MX₂的桥联联茚茂金属，其中In¹和In²键合到M、并通过Y桥联的、相同的取代或未取代茚基；Y是桥联基团，其中在连接In¹和In²的直接链中原子数为1至8个，并且直接链包括C或Si；并且M为3、4、5或6族的过渡金属。In¹和In²可以为取代或未取代的。如果In¹和In²被一个或多个取代基取代，则取代基选自：卤素原子、C₁至C₁₀烷基、C₅至C₁₅芳基、C₆至C₂₅烷基芳基以及含N或P的烷基或芳基。这种类型的示例性茂金属化合物包括但不限于：μ-二甲基甲硅烷基二(茚基)二甲基铪和μ-二甲基甲硅烷基二(茚基)二甲基锆。

在其它实施方案中，茂金属化合物可以为具有通式(In¹)Y(In²)MX₂的桥联联茚茂金属，其中In¹和In²为键合到M的、并由Y桥联的、相同的2,4-取代茚基；Y为桥联基团，其中连接In¹和In²的直接链的原子数为1至8，并且该直接链包含C或Si；并且M为3、4、5或6族的过渡金属。In¹和In²在2位被甲基取代，并且在4位被选自如下的取代基取代：C₅至C₁₅芳基、C₆至C₂₅烷基芳基和含N或P的烷基或芳基。该类型的示例性茂金属化合物包括但不限于：(μ-二甲基甲硅 烷基）二（2-甲基-4-（3,'5'-二-叔丁基苯基）茚基）二甲基锆、（μ-二甲基甲硅烷基）二（2-甲基-4-（3,'5'-二-叔丁基苯基）茚基）二甲基铪、（μ-二甲基甲硅烷基）二（2-甲基-4-萘基茚基）二甲基锆、（μ-二甲基甲硅烷基）二（2-甲基-4-萘基茚基）二甲基铪、（μ-二甲基甲硅烷基）二（2-甲基-4-（N-咔唑基）茚基）二甲基锆和（μ-二甲基甲硅烷基）二（2-甲基-4-（N-咔唑基）茚基）二甲基铪。

或者，在本发明的一个或多个实施方案中，茂金属化合物可以对应于在美国专利7,601,666号中公开的一个或多个式。这样的茂金属化合物包括但不限于：二甲基甲硅烷基二（2-（甲基）-5,5,8,8四甲基-5,6,7,8四氢苯并(f)茚基）二甲基铪、二苯基甲硅烷基二（2-（甲基）-5,5,8,8-四甲基-5,6,7,8-四氢苯并（f）茚基）二甲基铪、二苯基甲硅烷基二（5,5,8,8-四甲基-5,6,7,8-四氢苯并（f）茚基）二甲基铪、二苯基甲硅烷基二（2-（甲基）-5,5,8,8-四甲基-5,6,7,8-四氢苯并（f）茚基）二氯化锆和环丙基甲硅烷基二（2-（甲基）-5,5,8,8-四甲基-5,6,7,8-四氢苯并（f）茚基）二甲基铪。

在本发明的一个或多个实施方案中，用于生产半结晶聚合物的催化剂体系的活化剂包含阳离子组分。在一些实施方案中，阳离子组分具有式[R¹R²R³AH]⁺，其中A为氮；R¹和R²一起为-(CH₂)_a-基团，其中a为3、4、5或6，并与氮原子一起形成4-、5-、6-或7-元非芳族环，通过相邻的环碳原子，任选一个或多个芳族或杂芳族环可以稠合到所述非芳族环；并且R³为C₁、C₂、C₃、C₄或C₅烷基，或N-甲基吡咯烷或N-甲基哌啶。在其它实施方案中，阳离子组分具有式[R_nAH]⁺，其中A为氮，n为2或3，并且所有的R相同并且是C₁至C₃烷基，例如三甲基铵、三甲基苯胺、三乙基铵、二甲基苯胺或二甲基铵。

在本发明的一个或多个实施方案中，用于生产半结晶聚合物的催化剂体系的活化剂包含阴离子组分[Y]^-。在一些实施方案中，阴离子组分为非配位阴离子（NCA），具有式[B(R⁴)₄]^-，其中R⁴为芳基或取代芳基，其取代基中的一个或多个是相同或不同的，并且选自：烷基、芳基、卤素原子、卤化烷基和卤化烷基芳基。在一个或多个实施方案 中，取代基为全卤芳基或全氟芳基，包括但不限于全氟苯基、全氟萘基和全氟联苯基。

总之，本文中描述的催化剂体系的阳离子和阴离子组分形成活化剂化合物。在本发明的一个或多个实施方案中，活化剂可以为N,N-二甲基苯胺-四（全氟苯基）硼酸盐、N,N-二甲基苯胺-四（全氟萘基）硼酸盐、N,N-二甲基苯胺-四（全氟联苯基）硼酸盐、N,N-二甲基苯胺基-四（3,5-二（三氟甲基）苯基）硼酸盐、三苯基碳鎓-四（全氟苯基）硼酸盐、三苯基碳鎓-四（全氟萘基）硼酸盐、三苯基碳鎓-四（全氟联苯）硼酸盐或三苯基碳鎓-四（3,5-二（三氟甲基）苯基）硼酸盐。

由之前段落中提到的茂金属化合物、阳离子活化剂组分和阴离子活化剂组分的任意组合得到的任何催化剂体系，应被视为在本文中明确公开并且根据本发明可以用于一种或多种烯烃单体的聚合中。两种不同活化剂的组合也可以与相同或不同的茂金属（一种或多种）一起使用。

本发明方法用的合适的活化剂还包括alominoxanes（或铝氧烷）和烷基铝。不为理论所束缚，铝氧烷一般被认为是由通式(R^x-Al-O)_n（其是环状化合物）或R^x(R^x-Al-O)_nAlR^x ₂（其为直链化合物）表示的低聚铝化合物。最常见的是，铝氧烷被认为是环状和直链化合物的混合物。在铝氧烷的通式中，R^x独立地为C₁-C₂₀烷基，例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、其异构体等等；并且n为1至50的整数。在一个或多个实施方案中，R^x为甲基，并且n为至少4。甲基铝氧烷（MAO）以及含有一些高级烷基来改善溶解性的改性MAO、乙基铝氧烷、异丁基铝氧烷等对本文中公开的方法是有用的。

进一步地，除了上述过渡金属化合物和活化剂之外，适用于本发明的催化剂体系可以含有额外的活化剂（助活化剂）和/或清除剂。助活化剂是能够与过渡金属配合物反应的化合物，使得当与活化剂组合使用时，形成活性的催化剂。助活化剂包括铝氧烷和烷基铝。

在本发明的一些实施方案中，可以使用清除剂来“清除”任何将与催化剂另外发生反应并使它失活的毒性物质的反应。用作清除剂的典型的铝或硼烷基组分由通式R^xJZ₂表示，其中J为铝或硼；R^x为C₁-C₂₀烷基，例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基及其异构体；并且每个Z独立地为R^x或不同的一价阴离子配体，例如卤素(Cl、Br、I)、烷氧基(OR^x)等。示例性的烷基铝包括三乙基铝、二乙基氯化铝、乙基二氯化铝、三-异丁基铝、三-正辛基铝、三-正己基铝、三甲基铝及其组合。示例性的烷基硼包括三乙基硼。清除剂化合物还可以是铝氧烷和改性铝氧烷(包括甲基铝氧烷和改性的甲基铝氧烷)。

在一些实施方案中，用于生产半结晶聚合物的催化剂体系包含过渡金属化合物，其为具有通式(In¹)Y(In²)MX₂的桥联的双茚基茂金属，其中In¹和In²是键合到M的、并由Y桥联的、相同的取代或未取代茚基；Y为桥联基团，其中在连接In¹和In²的直接链中的原子数为1至8，并且直接链包括C和Si；并且M为3、4、5或6族的过渡金属。In¹和In²可以是取代或未取代的。如果In¹和In²被一个或多个取代基取代，则取代基选自：C₁至C₁₀烷基、C₅至C₁₅芳基、C₆至C₂₅烷基芳基和含N或P的烷基或芳基。

溶剂

与半结晶聚合物混合并进料至脱挥发份装置的溶剂，可以是任何非聚合的物质，通过加热到低于聚合物的分解温度的温度和/或降低溶剂/聚合物混合物的压力，能够将它从半结晶聚合物组合物中除去。在一个或多个实施方案中，溶剂可以为脂肪族或芳香族烃流体。

合适的(优选惰性的)烃流体的实例是易于挥发的液体烃，其包括例如含有1至50个，优选3至20个碳原子的烃。优选的实例包括丙烷、正丁烷、异丁烷、混合丁烷、正戊烷、2-甲基丁烷、新戊烷、正己烷、环己烷、异己烷、辛烷、其它饱和的C₆至C₈烃、甲苯、苯、乙苯、氯苯、二甲苯、脱硫的直馏轻汽油馏分和任何其它本领域技术人员认为适用于本发明目的的烃溶剂。与半结晶聚合物组合使用的溶剂的最佳量通常取决于聚合物熔体在脱挥发份器中所需的温度变化，并且可以轻易地由本领域技术人员确定。例如，聚合物组合物可以包 含大约1wt%至大约50wt%的溶剂，或大约5wt%至大约45wt%的溶剂，或大约10wt%至大约40wt%的溶剂，或大约10wt%至大约35wt%的溶剂。

脱挥发份设备 

脱挥发份装置在本领域是已知的。可以使用任何能够从聚合物熔体中除去溶剂以实现本文中描述的蒸发冷却的这样的装置。下面将更详细地描述这些装置中的一些。

在一个或多个实施方案中，适用于本发明的脱挥发份装置通常包括真空室，其具有聚合物熔体的进口、聚合物熔体的出口、通过它可以除去可挥发物的真空端口以及搅拌器轴进入的搅拌器轴端口。搅拌器轴穿过至少一个搅拌器轴端口，并延伸到真空室内，并带有搅拌装置（如桨叶）。搅拌器轴封口与每个搅拌器轴端口相关，用于密封搅拌器轴，并且每个搅拌器轴封口具有在真空室外面的外部部分。脱挥发份器配备有位于真空室外的马达，其用于将轴旋转，并包括用低含氧量气体或蒸气（例如：氮、氦、蒸汽或二氧化碳）覆盖旋转轴封口外部部分用的装置。

真空室的入口和出口用于将浓缩的聚合物相进入到真空室并将聚合物排出真空室。搅拌装置提供真空室内的浓缩聚合物的搅拌。搅拌装置包括任何本领域技术人员所知的常规搅拌装置。例如，搅拌装置包括一种或多种：常规的圆形或椭圆形桨叶、常规叶片、常规棒条或其组合。

脱挥发份器还可以包括与真空室出口相连的、用于驱动穿过出口的聚合物的螺旋轴。在该情况下，真空室还将具有螺旋轴端口，螺旋轴通过它进入室内，并且该旋转轴端口还将包括在真空室外面具有外部部分的旋转轴封口。优选地，脱挥发份器还包括采用低含氧气体来覆盖螺旋轴封口外部部分用的装置，例如供给有低含氧气体的封套。

搅拌器或螺旋轴封口的外部部分是搅拌器或螺旋轴封口的一部分，其要经受真空室外面的气氛。在本发明第一方面的脱挥发份器的 运行中，气氛为低含氧气体的气氛。

在一个实施方案中，脱挥发份器真空室具有两个搅拌器轴端口，并且搅拌器轴穿过这两个搅拌器轴端口的每一个。在这个实施方案中，搅拌器轴一般全程延伸穿过（真空）室。在另一个实施方案中，真空室只具有一个搅拌器轴端口，并且搅拌器轴仅仅延伸穿过（真空）室的部分路程。采用低含氧气体来覆盖每个轴封口的外部部分的任何合适的装置是可以使用的，包括引导到封口外部部分上的惰性气体流。任选地，用低含氧气体覆盖每个轴封口外表面的装置是围绕每个轴封口的封套，封套被设置在室的外面，并向它供给低氧含量的气体。可以采用任何合适的方式来将封套固定在真空室的外部。

任选地，在脱挥发份器的使用中，可以将每个封套维持在低含氧气体的正压下。那样，空气向封套中的泄露得到预防。

任选地，每个搅拌器轴马达包括外壳，并且外壳形成了封套的一部分。任选地，搅拌器轴具有两个马达，将每个马达安置在搅拌器轴的各个末端，并且两个马达具有外壳，每个外壳形成了封套的一部分。在脱挥发份器包括螺旋轴的情况下，螺旋轴将由马达驱动，并且马达任选包括形成部分封套的外壳。

典型地，真空室通常是圆柱形的并且是水平的，使得圆柱的轴线位于水平平面内，并且搅拌器轴也水平地延伸并任选与圆筒的轴重合。

任选地，每个轴封口是组装封口，并且脱挥发份器包括至少一个将润滑油注入组装封口的射油泵。任选地，脱挥发份器包括至少一个射油泵的润滑油储罐。任选地，储罐含有食品级油，例如食品级Royal Purple^TM油。

任选地，每个封口填充有包含Kevlar^TM纤维（或聚对苯二甲酰对苯二胺纤维）、PTFE（聚四氟乙烯）和石墨的填料。任选地，每个封口填充有包括PTFE浸渍的Kevlar或石墨的填料。

所提供的装置和方法使用任何合适的低含氧气体。优选地，低含氧气体含有低于3wt%的氧，优选低于0.5wt%的氧。更优选地，低含氧气体基本不含或不含（0.0wt%）氧。低含氧气体包括不含氧的常规 气体，例如氦、氩、氮、蒸汽、二氧化碳或其组合。低含氧气体优选是氮气。

任选地，真空室的内部体积为至少2m³，例如至少4m³，并且任选至多15m³，例如11m³。任选地，真空室通常是至少4m，任选地至少6m长的圆柱体，并且直径为至少1m。

典型地，真空脱挥发份器包括至少一个泵或与至少一个泵相连接，用于通过真空端口或多个真空端口向真空室提供真空。

脱挥发份器还可以包括与真空室出口相连的、驱动聚合物穿过出口的旋转轴。在该情况下，真空室还将具有螺旋轴端口，螺旋轴通过它进入室内，并且旋转轴端口还将包括在真空室外面具有外部部分的旋转轴封口。优选地，脱挥发份器还包括采用低含氧气体来覆盖螺旋轴封口的外部部分的装置，例如供给有低含氧气体的封套。

图1显示适用于发明的方法和系统的示例性脱挥发份器100的设置。脱挥发份器100包括真空室101，其装备有用于聚合物组合物（包含聚合物和溶剂）的入口102、用于聚合物流向造粒机200（在图1中未显示）的出口103以及通过导管（未显示）连接到包括泵的真空系统的两个真空端口104和105。真空室101通常是圆柱形，并可以具有大约2至10米的长度和超过1米的直径。真空室101被水平放置，并在每个末端装有搅拌器轴端口106、107。搅拌器轴108水平延伸穿过搅拌器轴端口106、107，并且与圆柱形真空室101的轴是共轴的。搅拌器轴端口106装备有将真空室101和搅拌器轴108之间密封用的搅拌器轴密封件109。搅拌器轴端口107装备有类似的搅拌器轴密封件110。搅拌器轴密封件109和110的功能是：防止真空室101外面的气氛进入到真空室101的内部。真空脱挥发份器100进一步包括两个安装在搅拌器轴108末端、用于驱动搅拌器轴108的液压马达111、112。这些马达111和112分别由单独的液压驱动器113和114驱动。搅拌器轴108沿着其长度方向有许多用于搅拌真空室101内部聚合物的桨叶115。

在真空室101远离进口102的末端，以与搅拌器轴108成直角来 安装水平安装的螺旋轴116（为了清楚，在图1中螺旋轴以垂直方向出现）。螺旋轴116由液压马达117驱动，所述液压马达由液压驱动器114驱动。螺旋轴116的功能是驱使聚合物离开真空室101，并穿过出口103到达下游的造粒机。螺旋轴116穿过螺旋轴端口118进入真空室，螺旋轴端口装备有螺旋轴密封件119。

密封件109具有延伸至真空室101外面的部分109a。密封件109的外部部分109a被包含在封套120中，所述封套是从真空室101末端延伸至马达111的外壳的圆柱形封套。当脱挥发份器100在运行时，封套120从氮源（未显示）提供氮，以维持在封套120内部的惰性气氛，从而用惰性气氛覆盖密封件109的外部部分109a。以这种方式，在进入密封件109中的任何渗漏将氮（而不是大气中的空气）从内部封套120抽提进入真空室101的内部，。可以通过监视器（未显示）来监视向封套120的氮供应，以便检测到从封套120流出的氮的任何忽然增加，这是可能渗漏进密封件109的指示。以相似的方式，搅拌器轴密封件110具有延伸至真空室101外部的部分，其被封装在氮填充的封套121内，并且螺旋轴密封件119具有延伸至真空室101外部的部分，其被封装在氮填充的封套122内。封套121和122具有它们自己的独立氮供应源（未显示），该氮供应源具有它们自己的、独立的、用于检测这些封套的氮流的任意增加的监视器。

如能够从图1中看到的，每个马达111、112和117具有外壳，所述外壳分别形成了封套120、121和122。

密封件109装备有专用的射油泵123，其将润滑油进料至密封件109中，从而改善密封行为并延长密封垫的寿命。泵123是空气驱动的柱塞泵，其测量每个动程向密封件供给的油的精确数量，从而保证没有过量的油被注入到密封件中。小心控制油的流动，以限制密封油进入到用于制造食物包装材料的某些聚合物中。或者，可以用氮供应124加压，其向润滑油储罐施加压力，从而迫使油以指定的压力进入密封件109中。

密封件110以相似的方式装备有油泵125和相关的空气供应或氮 气供应源126，并且密封件119装备有具有相关氮供应源128的油泵127。

在脱挥发份器100的运行期间，包含半结晶聚合物和溶剂的聚合物组合物流入真空室101的进口102。在真空室内部，用固定在搅拌器轴108上的桨叶115来搅拌聚合物组合物，其例如可以以20至45rpm之间的速度旋转。搅拌连续地在真空室101内暴露出新的聚合物表面，并通过两个指向真空系统（未显示）的真空端口104、105来除去挥发性溶剂材料，真空室101内部的真空被维持在大约20毫米汞柱的压力下。聚合物沿着真空室101长度方向流动，并通过旋转螺旋轴116从真空室101末端排出，穿过出口103，移向下游的造粒机200。

可以在美国专利序列号12/972,140中发现适用于本文的脱挥发份装置操作的进一步的实施方案和更加详细的说明，以参考的方式将其全部并入本文。合适的脱挥发份装置例如可商购自LIST USA,Inc。

造粒机

在一个或多个实施方案中，可以将冷却的聚合物在离开脱挥发份器时造粒。可以通过水下的、热面（hot face）的、线料的、水环的（water ring）或其它类似的造粒机来将聚合物造粒。虽然优选使用水下造粒机，但也可以使用本领域技术人员所知的其它等效造粒装置。水下造粒用的一般方法是本领域普通技术人员已知的。可以在美国专利号7,033,152、7,226,553和7,470,118中发现有用的水下造粒装置的实例，以参考的方式将所有这些并入本文。

在一个或多个实施方案中，采用水下造粒机将冷却的聚合物造粒。将聚合物挤出通过造粒模头以形成线料。随后通过水下造粒机水箱中的旋转切割机叶片来切割线料。水连续流过水箱，将粒料进一步冷却并固化，并将粒料从水下造粒机的水箱中带出，用于进一步的处理。

在一个实施方案中，通过本领域技术人员已知的方式来热调节造粒模头，以防止模孔冷固。

在一些实施方案中，水下造粒机使用冷冻水，进而使粒料进一步 快速冷却，并将粒料最外层固化。在一个实施方案中，在水下造粒装置中水的温度可以为大约0℃至25℃。优选水冷却系统将要进入水下造粒机水箱（切割室）的水冷却到大约5℃。

在实施方案中，水下造粒机装置具有冷冻水浆液循环回路。冷冻水帮助消除粒料粘到一起的倾向，并使挤出的聚合物线料更易于切割。冷冻水浆液循环回路从水下造粒机中伸出，将粒料-水浆液传送到粒料干燥装置，随后将水循环回水下造粒机。

在一些实施方案中，粒料在冷冻水浆液循环回路中的停留时间为至少10秒，或至少20秒，或至少30秒，或至少40秒，或至少50秒以上。因为如果粒料没有足够的时间来结晶并硬化，新鲜的粒料可能具有桥接并结块的倾向，优选粒料在粒料水路中停留足够的时间。

在同样的或其它实施方案中，冷冻水将粒料从刀片移走，并将它们传送穿过将粗大聚集或结块的粒料捕捉并除去的筛。水随后将粒料传送穿过脱水器，并传送至离心干燥机或流化床中，以从粒料除去过量的表面水分。随后可以将粒料穿过用于收集的卸料斜槽，或可以进行额外的处理，这可以包括获得期望的产品所需的粒料涂覆、结晶或进一步的冷却。

造粒模头可以用来制备不限于球形、条形、狭条形或多角形的形状的粒料。优选制备近似球形的粒料。优选使粒料易于流动的粒料形状。

根据模头板尺寸、在模头中孔的数量和所需的粒料尺寸和形状来选择造粒机的运行速度。选择在模头中孔的数量和孔的几何形状，以适合于聚合物进料流的速度和熔体材料，并且这样的测定在本领域技术人员的知识和能力范围之内。

任选地，可以将防结块剂加入到水下造粒水箱或冷冻水浆液环线中的水中。将防结块剂加入到粒料水环线中，对防止粒料在环线中粘结在一起是有用的。

水的温度、切割刀片的转速和聚合物熔体穿过造粒模头的流速，都有助于生产适当的粒料几何尺寸。另外，粒料在内部和外部两者的 温度，还影响粒料的形成以及粒料的干燥。

在粒料已经从粒料-水浆液环线排出之后，粒料中的聚合物材料的不完全结晶可能导致较差的粒料几何尺寸、粒料变形和降低的粒料自由流动能力。粒料的结晶度受到粒料停留时间和温度的影响。另外，粒料的硬度随停留时间和温度而改变。

图2显示适用于发明的方法和系统的示例性造粒机系统的设置。冷却的聚合物通过出口103离开脱挥发份器，并行进到水下造粒机200中。任选地，在进入水下造粒机200之前，聚合物进料可以穿过分流阀201。分流阀201可以用于将来自冷却/造粒作业线的聚合物进料分流，以再循环或吹扫/从装置中排出。当清洁冷却/造粒作业线时，这可能是特别有用的。

水下造粒机200将冷却的聚合物进料切割以形成粒料。粒料随后转入粒料-水浆液中，从水下造粒机200穿过导管202进入捕捉筛203。捕捉筛203可用于收集结块的粒料。随后，粒料-水浆液穿过导管204进入离心干燥机205，在那里将粒料与水分离并干燥。在替代实施方案中，不存在捕捉筛203或导管204，并且粒料-水浆液从水下造粒机200直接穿过导管202，直接进入离心干燥机205。

随后，干燥的粒料通过导管206离开离心干燥机205，在那里它们可以进行进一步被加工或者可以被收集并包装。在离心干燥机205中与粒料分离的水随后可以穿过导管207进入蓄水池208，以被循环回到水下造粒机200中。

在水下造粒机200中的水来自于蓄水池208。水从蓄水池208流出，穿过导管209进入水冷却器210。随后，冷却的水穿过导管211进入水下造粒机200中。或者，不存在水冷却器210，且水直接从蓄水池208流出，穿过导管209进入水下造粒机200中。任选地，可以通过导管212向蓄水池208的水中加入防结块添加剂。

在一定的温度范围内，采用复数粘度对数与温度作图的曲线来确定第一结晶温度（Tc1）（如通过ARES动态力学波谱计，在小振幅振荡剪切（SAOS）下、在10rad/s的频率下操作，伴随有氮气氛下20% 的应变，平行板需要直径25毫米且厚1毫米的样品，冷却速度5℃/分钟）。Tc1是发生结晶的近似温度，其中Tc1大于Tc2，但小于Tm。Tc1是低于Tm的温度，其中当在曲线上从右向左移动时，在对数（复数粘度）对温度的曲线上，斜率发生第一个相当大的、值得注意的增加。可以通过反复试验法采用曲线的线性回归来精确定位Tc1，其中在斜率变化的一侧将切线趋势线从Tc1插入到Tc1-5℃，并在斜率变化的另一侧从Tc1插入到Tc1+5℃，使得两个趋势线位于曲线上，以便获得每个趋势线用的最高可能的确定指数（r²），其中在Everitt,B.S.(2002).Cambridge Dictionary of Statistics(第二版)中定义了r²。Tc1具体确定为两个趋势线的交叉点。可以在图3a（Tc1=87℃）、图3b（Tc1=40℃）和图3c（Tc1=58℃）中找到识别Tc1的实例。

采用下面的差示扫描量热法（DSC）程序根据ASTM D3418-03来确定峰值熔点（Tm，也被称作熔点）、峰值结晶温度（Tc2，本文中称作第二结晶温度）、玻璃化转变温度（Tg）、熔化热（ΔHf或Hf）以及结晶度百分比。采用TA Instruments型Q100机器获得DSC数据。将大约重5-10mg的样品密封在铝密封的样品盘中。通过以10℃/分钟的速率将样品首次逐渐加热200℃来记录DSC数据。将样品在200℃下保持2分钟，然后以10℃/分钟的速率冷却到-90℃，随后恒温两分钟，并以10℃/分钟的速度加热到200℃。记录第一个和第二个两个循环热事件。测量吸热峰下的面积，并用来确定熔化热和结晶度百分比。采用下式来计算结晶度百分比：[熔融峰下的面积（焦耳/克）B（焦耳/克）]*100，其中B为主要单体组分的100%结晶均聚物的熔化热。从Polymer Handbook,第四版，由John Wiley and Sons出版,New York1999中获得B的值，然而条件是：100%结晶聚丙烯用的熔化热值为189J/g（B），100%结晶聚乙烯用的熔化热值为290J/g。除非另有说明，在第一个加热/冷却循环中获得本文报道的熔融和结晶温度。

可以在美国专利申请公开2009/0121372号中发现适用于本文的水下造粒系统操作的进一步的实施方案和更加详细的说明，以参考的 方式将其全部并入本文。

实施例

将三个示例性的丙烯-己烯半结晶聚合物（标识为聚合物A、B和C）如上所述地冷却并造粒。图3a、3b和3c显示三种材料作为温度的函数的粘度。在每个图中，沿着相应的曲线划线，以指示材料开始结晶的温度以及第一结晶温度Tc1，在那里斜率存在显著的变化。这些温度与测得的材料的结晶时间的一半一起，被用来设计聚合物在脱挥发份装置出口处所需的温度（Tf）以及造粒模头的温度（Td）。

图4a、4b和4c是每种示例性半结晶聚合物的差示扫描量热法（DSC）熔化曲线。在特定温度和时间下保持之后，以10℃每分钟来实施加热。

聚合物A、B和C是具有类似性质的丙烯-己烯共聚物，如表1中所示。

表1

	聚合物A	聚合物B	聚合物C
				丙烯含量(wt%)	90	90	90
己烯含量(wt%)	10	10	10
				结晶温度(Tc1)，℃(复合粘度曲线)	87	40	58
结晶温度(Tc2)，℃(DSC)	45	28	17
				造粒模头温度(Td)	87
熔点(Tm)，℃	125	75	95
				熔化热(Hf)焦耳/克	42	25	15
190℃下的粘度(cP)	900	3,000	13,500
				Mw	30,000	50,000	60,000

如上所述，将示例性的聚合物/溶剂共混物冷却，并在脱挥发份器中除去溶剂。随后将聚合物造粒。图5a、5b和5c是作为每个聚合物A、B和C的时间的函数的造粒机秤重的图，它表示向整个造粒机的相对一致的进料。虽然对于三个示例性聚合物而言，由脱挥发份器获得的冷却足以使其造粒，但发现最优选的造粒发生在Tf≤Tc1+60下。在图5a、5b和5c中将重量重置为零，是将秤（scale）周期性排空的结果。

对于聚合物A而言，Tf（在LIST的最后区域测得）是在大约105℃下操作的；并且对于聚合物B而言，Tf是在大约60℃至110℃下操作的；并且对于聚合物C而言，Tf是在大约95℃至大约130℃下操作的。人们发现：LIST的出口温度（它比Tc1高60℃）在下游造粒工艺中产生不充分的造粒。

已经描述了本文中组合物的各个方面，本发明进一步具体的实施方案包括列在下面字母段落中的那些：

A.将半结晶聚合物造粒的方法，该方法包括：a.)提供具有进口和出口的容器；b.）将包含半结晶聚合物和溶剂的第一聚合物组合物引入到容器的进口中；c.）将第一聚合物组合物在容器中经受真空，以便从第一聚合物组合物中除去至少部分的溶剂并降低第一聚合物组合物的温度，形成包含半结晶聚合物的第二聚合物组合物，且其具有 比第一聚合物组合物更低的溶剂含量和更低的温度；d.）从容器出口排出第二聚合物组合物；e.）将第二聚合物组合物进料到造粒机；和f.）从造粒机排出经粒化聚合物产品，其中第二聚合物组合物包括小于或等于大约1wt%的溶剂，并且第二聚合物组合物在容器出口处的温度（Tf）和半结晶聚合物的第一结晶温度（Tc1）之间的关系满足式Tf≤Tc1+60，其中Tf和Tc1是摄氏度。

B.段落A的方法，其中半结晶聚合物具有大于30℃的熔点和大于5J/g且低于大约70J/g的熔化热。 

C.前述段落任一项的方法，其中半结晶聚合物在190℃下具有低于20,000cP的粘度。

D.前述段落任一项的方法，其中造粒机包括造粒模头，并且其中造粒模头温度（Td）满足式Tc1-30≤Td≤Tc1+30，其中Td为摄氏度。

E.前述段落任一项的方法，其中半结晶聚合物具有大约10,000至大约200,000的Mw。

F.前述段落任一项的方法，其中第二聚合物组合物具有大约5,000至大约500,000cP的粘度。

G.前述段落任一项的方法，其中第二聚合物在容器出口处的温度（Tf）与第一半结晶聚合物的结晶温度（Tc1）之间的关系满足式Tc1-30≤Tf≤Tc1+60，或Tc1≤Tf≤Tc1+60。

H.前述段落任一项的方法，其中容器进一步包括：

a.至少一个真空端口和至少一个搅拌器轴端口；

b.穿过至少一个搅拌器轴端口的搅拌器轴，其中搅拌器轴具有在容器外部的外部部分和延伸到容器中的内部部分，搅拌器轴的内部部分包括搅拌装置；

c.用于密封搅拌器轴的、与每个搅拌器轴端口有关的搅拌器轴密封件；和

d.位于容器外面用于旋转搅拌器轴的至少一个马达。

I.用于将聚合物组合物造粒的系统，包括：a.)容器，其具有将第一聚合物组合物引入到容器用的聚合物入口和将第二聚合物组合物排 出的聚合物出口；b.）在具有溶剂出口的容器内部的脱挥发份区域，其用于将溶剂从第一聚合物组合物除去以形成第二聚合物组合物；c.）纵向穿过容器的搅拌器轴，用于搅拌容器的内容物；d.）位于容器外面用于旋转搅拌器轴的马达；和e.）造粒机，用于在排出容器时将第二聚合物组合物造粒；其中第一聚合物组合物包含半结晶聚合物和溶剂，第二聚合物组合物包括半结晶聚合物和低于1wt%的溶剂，第二聚合物组合物在容器出口的温度比第一聚合物组合物在容器进口的温度要低，在脱挥发份区域内部的条件要使得真空得以维持，以促进通过蒸发将至少一部分溶剂从第一聚合物组合物除去。

J.段落I的系统，其中第二聚合物组合物在容器出口处的温度比第一聚合物组合物在容器进口处的温度要低至少大约10℃。

K.段落I至J任一项的系统，进一步包括位于容器的聚合物出口和造粒机之间的聚合物排出螺杆。

L.段落I至K任一项的系统，其中造粒机为水下造粒机。

M.段落I至L任一项的系统，其中第二聚合物组合物在容器出口处的温度（Tf）与半结晶聚合物的结晶温度（Tc1）之间的关系满足式Tf≤Tc1+60。

N.段落I至M任一项的系统，其中第二聚合物组合物在容器出口处的温度（Tf）与半结晶聚合物的第一结晶温度（Tc1）之间的关系满足式Tc1-30≤Tf≤Tc1+60或Tc1≤Tf≤Tc1+60。

O.段落I至N任一项的系统，其中半结晶聚合物具有从大约10,000至大约200,000的Mw。

P.段落I至O任一项的系统，其中半结晶聚合物的熔化热是大约5至大约70J/g。

Q.段落I至P任一项的系统，其中半结晶聚合物包括丙烯。

R.生产聚合物粒料的方法，包括a.)提供具有进口和出口的脱挥发份器；b.）将包含半结晶聚合物和溶剂供应到脱挥发份器的进口；c.）将聚合物组合物从进口到出口地传送穿过脱挥发份器；d.）在脱挥发份器内部维持温度和压力，以便产生足以通过蒸发从聚合物组合 物中除去至少部分溶剂的真空，并使得聚合物组合物在脱挥发份器出口处的温度比聚合物组合物在脱挥发份器进口处的温度要低；e.）从脱挥发份器出口将聚合物组合物除去；和f.）将聚合物组合物造粒。

S.段落R的方法，其中聚合物组合物在容器出口处的温度（Tf）与半结晶聚合物的第一结晶温度（Tc1）之间的关系满足式Tf≤Tc1+60。

T.段落R至S任一项的方法，其中聚合物组合物在脱挥发份器出口处的温度比聚合物组合物在脱挥发份器进口处的温度低至少大约10℃。

U.段落R至T任一项的方法，其中聚合物组合物在容器出口处包含低于1wt%的溶剂。

V.段落R至U任一项的方法，其中将聚合物组合物在水下造粒机中造粒。

W.段落R至V任一项的方法，其中半结晶聚合物包括丙烯，并具有大约10,000至大约200,000的Mw、大约30℃至大约110℃的熔点和大约5至大约70J/g的熔化热。

X.段落R至W任一项的方法，其中半结晶聚合物为丙烯和乙烯的共聚物、丙烯和己烯的共聚物或其混合物。

Y.段落R至X任一项的方法，其中聚合物组合物在脱挥发份器出口处的粘度为大约5,000至大约500,000cP。

已经采用一组数字上限和一组数字下限描述了某些施方案和特征。应当理解的是：预期到从任意下限到任意上限的范围。在下面的一个或多个权利要求中出现了某些下限、上限和范围，除非另有说明。所有的数值是“大约”或“近似”的该指示值，并且考虑了实验误差和变化，这是本领域普通技术人员可以预期的。

在权利要求中使用的术语在上面没有被定义的情况下，它应被赋予相关领域中的人已经赋予该术语的最宽泛的定义，如同在至少一个印刷出版物或发行的专利中反映的一样。此外，在本申请中引用的所有专利、测试方法和其它文件全部以参考的方式并入至该公开不与本 申请不一致的程度，并且为了这样引入而允许全部权限。

虽然上文涉及本发明的实施方案，但是可以在不偏离其基本范围下作出本发明的其它或进一步的实施方案，并且其范围由所附的权利要求书确定。

Claims (9)

1.半结晶聚合物造粒的方法，所述方法包括：

a.提供具有进口和出口的容器；

b.将包含半结晶聚合物和溶剂的第一聚合物组合物引入到容器的进口中；

c.将第一聚合物组合物在容器中经受真空，以便从第一聚合物组合物中除去至少部分的溶剂并降低第一聚合物组合物的温度，形成包含半结晶聚合物的第二聚合物组合物，且其具有比第一聚合物组合物更低的溶剂含量和更低的温度；

d.从容器出口将第二聚合物组合物排出；

e.将第二聚合物组合物进料到造粒机；和

f.从造粒机排出经粒化的聚合物产品，

其中第二聚合物组合物包括小于或等于1wt％的溶剂，并且第二聚合物组合物在容器出口处的温度(Tf)和半结晶聚合物的第一结晶温度(Tc1)之间的关系满足式Tf≤Tc1+60，其中Tf和Tc1是摄氏度。

2.权利要求1的方法，其中所述半结晶聚合物具有大于30℃的熔点以及大于5J/g并低于70J/g的熔化热，在190℃下具有低于20,000cP的粘度和10,000至200,000的Mw。

3.权利要求1的方法，其中所述第二聚合物组合物具有5,000至500,000cP的粘度。

4.权利要求1的方法，其中容器进一步包括：

a.至少一个真空端口和至少一个搅拌器轴端口；

b.穿过至少一个搅拌器轴端口的搅拌器轴，其中搅拌器轴具有在容器外部的外部部分和延伸到容器中的内部部分，搅拌器轴的内部部分包括搅拌装置；

c.用于密封搅拌器轴的、与每个搅拌器轴端口有关的搅拌器轴密封件；和

d.位于容器外面、用于旋转搅拌器轴的至少一个马达。

5.生产聚合物粒料的方法，所述方法包括

a.提供具有进口和出口的脱挥发份器；

b.将包含半结晶聚合物和溶剂的聚合物组合物供应到脱挥发份器的进口；

c.将聚合物组合物从进口到出口地传送穿过脱挥发份器；

d.在脱挥发份器内维持温度和压力，以便产生足以通过蒸发从聚合物组合物中除去至少部分溶剂的真空，并使得聚合物组合物在脱挥发份器出口处的温度比聚合物组合物在脱挥发份器进口处的温度要低；

e.从脱挥发份器出口将聚合物组合物除去；和

f.将聚合物组合物造粒；

其中所述聚合物组合物在脱挥发份器出口处的温度(Tf)与所述半结晶聚合物的第一结晶温度(Tc1)之间的关系满足式Tf≤Tc1+60，其中Tf和Tc1是摄氏度。

6.权利要求5的方法，其中所述聚合物组合物在脱挥发份器出口处包含小于1wt％的溶剂。

7.权利要求5的方法，其中将所述聚合物组合物在水下造粒机中造粒。

8.权利要求5的方法，其中所述半结晶聚合物包括丙烯，并具有10,000至200,000的Mw、30℃至110℃的熔点和5至70J/g的熔化热。

9.权利要5的方法，其中所述聚合物组合物在脱挥发份器出口处的粘度为5,000至500,000cP。