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CN103415776B - 电流传感器 - Google Patents

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CN103415776B
CN103415776B CN201280011026.5A CN201280011026A CN103415776B CN 103415776 B CN103415776 B CN 103415776B CN 201280011026 A CN201280011026 A CN 201280011026A CN 103415776 B CN103415776 B CN 103415776B
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sensor
current
magnetic
sensitivity
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佐藤功
藤崎隆支
荒殿充生
高桥彰
中村将人
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Alps Green Devices Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种电流传感器，其降低磁场干扰的影响，抑制电流测定精度的下降。该电流传感器的特征在于，具备配置在电流线(11)的周围，检测由流过电流线(11)的电流产生的感应磁场，在正交于主灵敏度轴的方向上分别具有副灵敏度轴的第1磁传感器(12a)以及第2磁传感器(12b)，第1磁传感器(12a)以及第2磁传感器(12b)隔着电流线(11)而配置，第1磁传感器(12a)的主灵敏度轴方向朝向与来自流过电流线(11)的电流的感应磁场的方向非正交的方向，第2磁传感器(12b)的主灵敏度轴方向朝向与来自流过电流线(11)的电流的感应磁场的方向非正交的方向，第1磁传感器(12a)以及所述第2磁传感器(12b)的各自的主灵敏度轴方向朝向相同方向、并且第1磁传感器(12a)以及第2磁传感器(12b)的各自的副灵敏度轴方向朝向相同方向，或第1磁传感器(12a)以及第2磁传感器(12b)的各自的主灵敏度轴方向朝向相反方向、并且第1磁传感器(12a)以及第2磁传感器(12b)的各自的副灵敏度轴方向朝向相反方向。

Description

电流传感器
技术领域
本发明涉及测定电流的大小的电流传感器。特别是，涉及抑制因磁场干扰所引起的测定精度的下降的电流传感器。
背景技术
在电动汽车、混合动力车(hybrid car)中的电动机驱动技术等领域，因为使用比较大的电流，所以面向这种用途，需要能够通过非接触方式来测定大电流的电流传感器。于是，作为这样的电流传感器，通过磁传感器对由被测定电流产生的磁场的变化进行检测的方式的电流传感器被实用化。使用磁传感器的电流传感器，因为磁场干扰的影响而引起的测定精度的下降成为问题，所以提出对此进行抑制的方式。
作为抑制由于磁场干扰的影响而引起的测定精度的下降的方式，例如，提出了对于由被检测电流产生的磁场通过在相反方向设置MI(Magneto Impedance，磁阻)元件来消除磁场干扰的影响的方法(参照专利文献1)。
在先技术文献 
专利文献
专利文献1：JP特开2001-305163号公报
发明内容
发明要解决的课题
另外，在用于上述的电流传感器的磁传感器中，除了MI元件以外，还能够使用GMR(Giant Magneto Resistance，巨磁电阻)元件、霍尔元件(Hall Element)等。在电流传感器中使用GMR元件等的情况下，即使应用在专利文献1中记载的技术有时也不能充分地抑制磁场干扰的影响。
本发明鉴于这样的问题点而作，目的在于提供一种降低磁场干扰的影 响，抑制了电流测定精度的下降的电流传感器。
解决课题的手段
本发明的电流传感器，其特征在于，具备配置在被测定电流所流过的电流线的周围，检测流过所述电流线的电流所产生的感应磁场，在正交于主灵敏度轴的方向上分别具有副灵敏度轴的第1磁传感器以及第2磁传感器，所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器，隔着所述电流线而配置，配置为所述第1磁传感器的主灵敏度轴方向朝向与来自流过所述电流线的电流的感应磁场的方向非正交的方向，所述第2磁传感器的主灵敏度轴方向朝向与来自流过所述电流线的电流的感应磁场的方向非正交的方向，配置为所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器的各自的主灵敏度轴方向朝向相同方向、并且所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器的各自的副灵敏度轴方向朝向相同方向，或者配置为所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器的各自的主灵敏度轴方向朝向相反方向、并且所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器的各自的副灵敏度轴方向朝向相反方向。
根据该构成，因为第1磁传感器以及第2磁传感器的各自的主灵敏度轴方向朝向相同方向，第1磁传感器以及第2磁传感器的各自的副灵敏度轴方向朝向相同方向，所以在第1磁传感器的输出和第2磁传感器的输出中磁场干扰的影响相等地出现。因此，通过取得第1磁传感器的输出和第2磁传感器的输出的差，能够充分地降低磁场干扰的影响，抑制电流测定精度的下降。或，因为第1磁传感器以及第2磁传感器的各自的主灵敏度轴方向朝向相反的方向，第1磁传感器以及第2磁传感器的各自的副灵敏度轴方向朝向相反的方向，所以在第1磁传感器的输出和第2磁传感器的输出中磁场干扰的影响相反地出现。因此，通过取得第1磁传感器的输出和第2磁传感器的输出的和，能够充分地降低磁场干扰的影响，抑制电流测定精度的下降。
在本发明的电流传感器中也可以构成为，所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器的各自的主灵敏度轴方向朝向相同方向，具备取得所述第1磁传感器的输出和所述第2磁传感器的输出的差的运算装置。
在本发明的电流传感器中也可以构成为，所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器的各自的主灵敏度轴方向朝向相反方向，具备取得所述第1 磁传感器的输出和所述第2磁传感器的输出的和的运算装置。
在本发明的电流传感器中也可以构成为，具备：在配置面配置所述第1磁传感器的第1电路基板；和在配置面配置所述第2磁传感器的第2电路基板，配置为所述第1电路基板的所述配置面以及所述第2电路基板的所述配置面隔着所述电流线而相对。
根据该构成，因为第1磁传感器以及第2磁传感器相对于电流线对称地配置，所以容易使电流线和第1磁传感器的距离以及电流线和第2磁传感器的距离相等。因此，能够充分地提高电流测定精度。此外，因为在电流线和第1磁传感器之间，以及电流线和第2磁传感器之间不存在电路基板，所以能够缩小电流线和第1磁传感器的距离，以及电流线和第2磁传感器的距离。因此，能够增大传感器输出，充分地提高电流测定精度。
在本发明的电流传感器中也可以构成为，具备：在配置面配置所述第1磁传感器的第1电路基板、和在配置面配置所述第2磁传感器的第2电路基板，配置为所述第1电路基板的所述配置面的相反侧的面以及所述第2电路基板的所述配置面的相反侧的面隔着所述电流线而相对。
根据该构成，因为第1磁传感器以及第2磁传感器相对于电流线对称地配置，所以容易使电流线和第1磁传感器的距离以及电流线和第2磁传感器的距离相等。因此，能够充分地提高电流测定精度。
在本发明的电流传感器中也可以构成为，所述第1磁传感器的主灵敏度轴方向以及副灵敏度轴方向和所述第2磁传感器的主灵敏度轴方向以及副灵敏度轴方向具有镜像关系。
在本发明的电流传感器中也可以构成为，在从表面侧来观察所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器的情况下，所述第1磁传感器的副灵敏度轴方向相对于主灵敏度轴方向所形成的角、和所述第2磁传感器的副灵敏度轴方向相对于主灵敏度轴方向所形成的角相等，所述第1磁传感器配置在所述第1电路基板上，使得所述第1磁传感器的表面和所述第1电路基板的配置面相对，所述第2磁传感器配置在所述第2电路基板上，使得所述第2磁传感器的背面和所述第2电路基板的配置面相对。
根据该构成，因为能够使用相同构成的2个磁传感器，所以能够充分地消除磁场干扰的影响、抑制电流测定精度的下降。
在本发明的电流传感器中也可以构成为，具备：在配置面配置了第1磁传感器的第1电路基板；和在配置面配置了第2磁传感器的第2电路基板，配置为所述第1电路基板的所述配置面以及所述第2电路基板的所述配置面的相反侧的面隔着所述电流线而相对。
根据该构成，因为第1磁传感器对第1电路基板的安装模式和第2磁传感器对第2电路基板的安装模式相同，所以能够使用以相同的工序安装了磁传感器的电路基板来构成电流传感器。因此，能够低成本地使磁传感器以及电路基板的特性一致。
在本发明的电流传感器中也可以构成为，通过在所述电流线和所述第1磁传感器之间、或所述电流线和所述第1电路基板之间配置间隔件，使得所述电流线和所述第1磁传感器之间的距离以及所述电流线和所述第2磁传感器之间的距离相等。
根据该构成，通过间隔件，容易使电流线和第1磁传感器的距离以及电流线和第2磁传感器的距离相等。因此，能够充分地提高电流测定精度。
在本发明的电流传感器中也可以构成为，所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器，是使用相同的晶片制造的具有相同的构造的元件。
根据该构成，因为能够使用主灵敏度轴、副灵敏度轴的灵敏度相等的2个磁传感器，所以能够充分地消除磁场干扰的影响，抑制电流测定精度的下降。
在本发明的电流传感器中也可以构成为，所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器，是使用了磁阻效应元件的磁传感器，所述第1磁传感器的副灵敏度轴方向和所述第2磁传感器的副灵敏度轴方向，是各自所具有的磁阻效应元件的硬磁偏置(Hard Bias)的方向。
根据该构成，因为通过硬磁偏置的方向控制副灵敏度轴方向，所以GMR元件的副灵敏度轴方向的灵敏度特性一致。由此，能够高精度地消除在副灵敏度轴方向出现的磁场干扰的影响。
在本发明的电流传感器中也可以构成为，所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器，是使用了带磁会聚板的霍尔元件的磁传感器。
在本发明的电流传感器中也可以构成为，所述第1磁传感器的主灵敏度轴方向朝向与来自流过所述电流线的电流的感应磁场平行的方向，所述 第2磁传感器的主灵敏度轴方向朝向与来自流过所述电流线的电流的感应磁场的方向平行的方向。
在本发明的电流传感器中也可以构成为，所述第1磁传感器的主灵敏度轴方向朝向与来自流过所述电流线的电流的感应磁场不平行的方向，所述第2磁传感器的主灵敏度轴方向朝向与来自流过所述电流线的电流的感应磁场的方向不平行的方向。
发明效果
根据本发明，能够提供降低磁场干扰的影响、抑制电流测定精度的下降的电流传感器。
附图说明
图1是示出实施方式1所涉及的电流传感器的构成例的示意图。
图2是示出实施方式1所涉及的电流传感器的电路构成例的框图。
图3是示出实施方式1所涉及的电流传感器的制造方法的示例的示意图。
图4是示出现有的电流传感器的构成例的示意图。
图5是示出实施方式2所涉及的电流传感器的构成例的示意图。
图6是示出实施方式2所涉及的电流传感器的制造方法的示例的示意图。
图7是示出实施方式3所涉及的电流传感器的构成例的示意图。
图8是示出实施方式3所涉及的电流传感器的制造方法的示例的示意图。
图9是示出实施方式4所涉及的电流传感器的构成例的示意图。
图10是示出实施方式4所涉及的电流传感器的制造方法的示例的示意图。
图11是示出实施方式5所涉及的电流传感器的构成例的示意图。
图12是示出实施方式5所涉及的电流传感器的制造方法的示例的示意图。
图13是示出实施方式5所涉及的电流传感器的变形例的示意图。
图14是示出实施方式6所涉及的GMR元件的构造的示意图。
图15是示出在副灵敏度轴方向施加了磁场的情况下的GMR元件的电阻值的图表。
图16是示出实施方式7所涉及的电流传感器的构成例的示意图。
图17是示出实施方式7所涉及的电流传感器的其他的构成例的示意图。
具体实施方式
本发明者发现，在使用包含GMR元件等在内的磁传感器的电流传感器中，不能充分地抑制磁场干扰的影响的主要原因在于，在正交于灵敏度轴的方向上具有灵敏度这一点。例如，在使用GMR元件的磁传感器中，正交于灵敏度轴的方向的灵敏度，有时成为在灵敏度轴方向上的灵敏度的数十％程度。这样，在使用在正交于灵敏度轴的方向上也具有灵敏度的磁传感器的情况下，若仅单纯地将灵敏度轴的方向(以下，称为主灵敏度轴方向)朝向感应磁场的方向，即使取得输出的差也不能充分地消除磁场干扰的影响。这是因为，只依靠主灵敏度轴方向的控制，无法消除在正交于主灵敏度轴方向的方向(以下，称为副灵敏度轴方向)上出现的磁场干扰的影响。
基于这样的见解，本发明者们得到了通过控制2个磁传感器的副灵敏度轴的方向，来消除在副灵敏度轴方向出现的磁场干扰的影响的启发。即，本发明的要点为，在通过对2个磁传感器的输出进行运算(算出差或和)来消除磁场干扰的影响的类型的电流传感器中，通过配置2个磁传感器，使各自的副灵敏度轴方向朝向相同方向，或各自的副灵敏度轴方向朝向彼此相反的方向，来降低磁场干扰的影响，抑制电流测定精度的下降。以下，关于本发明的实施方式，参照附图进行详细的说明。
(实施方式1)
在本实施方式中，对本发明的电流传感器1的一个示例进行说明。图1是示出本实施方式的电流传感器1的示意图。图1A是示意性地示出电流传感器1及其周边的构成的立体图，图1B是从图1A的纸面左下方向(前方)来观察电流传感器1的平面图。以下，在立体图中，将纸面左下方向称为前，纸面右上方向称为后，纸面左方向称为左，纸面右方向称为 右，纸面上方向称为上，纸面下方向称为下。
在图1中，对电流线11赋予的实线的箭头，表示流过电流线11的电流的方向。即，在图1中，流过电流线11的被测定电流I的方向为朝右。对电流线11的周围赋予的实线的箭头，表示由被测定电流I产生的感应磁场A的方向。此外，在图1中，对第1磁传感器12a、第2磁传感器12b赋予的实线的箭头14a、14b表示各自的主灵敏度轴方向，虚线的箭头15a、15b表示各自的副灵敏度轴方向。在此，“主灵敏度轴”是指，朝向磁传感器的灵敏度最大的方向的轴，“副灵敏度轴”是指，朝向正交于主灵敏度轴的方向中的具有最高灵敏度的方向的轴。此外，在第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的表面，为了容易进行表里的识别而附上圆形符号。涂黑的圆形符号表示表面朝上，空白的圆形符号表示表面朝下。
如图1所示，电流传感器1，包含配置在被测定电流所流过的电流线11的周围的第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b。在此电流线11只要是能够引导电流的构成要素则什么样的方式都可以。例如，在电流线11中，包含板状的导电构件、薄膜状的导电构件(导电图案)等形状并不是线状的导电构件。另外，电流线11不作为电流传感器1的构成要素来对待。
电流传感器1，除了第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b以外，还包含配置第1磁传感器12a的第1电路基板13a以及配置第2磁传感器12b的第2电路基板13b。此外，还包含对第1磁传感器12a的输出以及第2磁传感器12b的输出进行运算的运算装置16(图2)。
第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b，只要是能够进行磁性检测，且在正交于主灵敏度轴的方向上具有副灵敏度轴的磁传感器就没有特别的限制。例如，在使用了利用硬磁偏置使灵敏度平稳的GMR(Giant Magneto Resistance)元件、TMR(Tunnel Magneto Resistance，隧道磁电阻)元件等的磁阻效应元件的磁传感器中，存在副灵敏度轴。此外，霍尔元件在使用磁通集体(磁束集体)使得在元件面内具有磁场灵敏度轴的情况下，也存在副灵敏度轴。因此，在第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b中，能够使用GMR元件、TMR元件、带磁会聚板的霍尔元件等。
在图1所示的电流传感器1中，第1磁传感器12a以及第2磁传感器 12b，被配置在电流线11的周围，使得根据来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A得到大体反相的输出。例如在图1中配置为，电流线11被夹在第1磁传感器12a和第2磁传感器12b之间，并且，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向(箭头14a、14b)，朝向与电流线11所延伸的方向垂直的方向。更具体来说，配置为第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向(箭头14a)朝向来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向，第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向(箭头14b)朝向与来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向相反的方向，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向朝向相同方向。此外，配置为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的副灵敏度轴方向(箭头15a、15b)朝向相同方向。此外，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b，被配置为其表面朝向电流线11的方向。
在图1所示的电流传感器1中，因为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的一方的主灵敏度轴方向朝向来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向，另一方的主灵敏度轴方向朝向与来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A相反的方向，所以感应磁场A的影响，表现为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的大体反相的输出信号。此外，因为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向朝向相同方向，且第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的副灵敏度轴方向朝向相同方向，所以在第1磁传感器12a的输出以及第2磁传感器12b的输出中磁场干扰的影响相等地出现。因此，通过取得第1磁传感器12a的输出和第2磁传感器12b的输出的差，能够充分地降低磁场干扰的影响、抑制电流测定精度的下降。另外，大体反相的输出信号是指，除了噪声成分等以外处于反转关系的输出信号。不过，因为只要处于能够以所希望的精度进行电流测定的程度的关系即可，所以并不要求严密地成为正负反转了的值。
此外，在图1所示的电流传感器1中，第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向以及副灵敏度轴方向与第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向以及副灵敏度轴方向，处于镜像关系。即，在从表面侧来观察第1磁传感器12a以及第2磁传感器12a的情况下，将各自的主灵敏度轴方向作为基准，第 1磁传感器12a的副灵敏度轴方向和第2磁传感器12a的副灵敏度轴方向处于反向的关系。
图2是电流传感器1的电路构成所涉及的框图。如图2所示，电流传感器1，具有和第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的输出端子连接的运算装置16。在此，运算装置16，具有对第1磁传感器12a的输出和第2磁传感器12b的输出的差进行计算的功能。因此，若在电流线11中电流流过而在电流线11的周围产生感应磁场，从第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b输出对应于电流的输出信号，则接收到输出信号的运算装置16，能够计算该2个输出信号的差并输出。通过像这样取得2个输出信号的差，能够消除磁场干扰的影响、提高电流的测定精度。另外，运算装置16的功能，可以由硬件来实现，也可以由软件来实现。
图3是示出上述的电流传感器1的制造方法的一个示例的示意图。如图3A所示，首先，准备第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b。在图3A中，第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向朝向前方，副灵敏度轴方向为朝左。此外，第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向朝向前方，副灵敏度轴方向为朝右。即，第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向以及副灵敏度轴方向与第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向以及副灵敏度轴方向，处于镜像关系。在此，将第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的上侧(GMR元件侧)的主面，分别作为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的表面。此外，将第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的下侧(基板侧)的主面，分别作为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的背面。另外，表里的关系也可以相反。
接着，如图3B所示，将第1磁传感器12a配置在第1电路基板13a的磁传感器配置面(以下，称为配置面)，将第2磁传感器12b配置在第2电路基板13b的配置面。即，将第1磁传感器12a配置为第1磁传感器12a的背面和第1电路基板13a的配置面相对，将第2磁传感器12b配置为第2磁传感器12b的背面和第2电路基板13b的配置面相对。在此，配置面(磁传感器配置面)是指，第1电路基板13a或第2电路基板13b所具备的、配置第1磁传感器12a或第2磁传感器12b的主表面。由此，如图3B所示若使第1电路基板13a的配置面和第2电路基板13b的配置面 都朝上，使第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向(箭头14a、14b)朝向相同方向，则第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的副灵敏度轴方向(箭头15a、15b)朝向彼此相反的方向。
然后，如图3C所示，在电流线11的周围配置第1电路基板13a以及第2电路基板13b，使得第1电路基板13a的配置面和第2电路基板13b的配置面隔着电流线11而相对。由此，第1磁传感器12a的表面和第2磁传感器12b的表面隔着电流线11而相对。这样的配置，例如能够通过使第1磁传感器12a以及第1电路基板13a的组合，相对于第2磁传感器12b以及第2电路基板13b的组合进行旋转而得到。
在由图3所示的方法得到的电流传感器1中，因为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b相对于电流线11对称地配置，所以容易使电流线11和第1磁传感器12a的距离以及电流线11和第2磁传感器12b的距离相等。由此，因为能够适当地消除磁场干扰，所以能够充分地提高电流测定精度。此外，因为在电流线11和第1磁传感器12a之间，以及电流线11和第2磁传感器12b之间不存在电路基板，所以能够缩小电流线11和第1磁传感器12a的距离，以及电流线11和第2磁传感器12b的距离。因此，能够增大传感器输出，充分地提高电流测定精度。
如上所述，本实施方式所涉及的电流传感器1，例如，和图4所示的电流传感器2等相比较，能够降低磁场干扰的影响、抑制电流测定精度的下降。这是因为，在本实施方式所涉及的电流传感器1中，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b被配置为副灵敏度轴方向朝向能够适当地消除磁场干扰的方向。
另外，在图1中，举例说明了第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向朝向来自流过电流线11的电流的感应磁场的方向，第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向朝向与来自流过电流线11的电流的感应磁场的方向相反的方向的情况，但本实施方式所涉及的电流传感器1的构成并不限于此。也可以构成为第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向朝向与来自流过电流线11的电流的感应磁场的方向相反的方向，第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向朝向来自流过电流线11的电流的感应磁场的方向。
另外，本实施方式，能够和其他的实施方式所示的构成适当组合来实 施。
(实施方式2)
在本实施方式中，对本发明的电流传感器1的另外的一个示例进行说明。图5是示出本实施方式的电流传感器1的示意图。图5A是示意性地示出电流传感器1以及其周边的构成的立体图，图5B是从图5A的纸面左下方向(前方)来观察电流传感器1的平面图。 
如图5所示，本实施方式所涉及的电流传感器1，包含配置在电流线11的周围的第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b，且包含配置第1磁传感器12a的第1电路基板13a以及配置第2磁传感器12b的第2电路基板13b。此外，电流传感器1，包含对第1磁传感器12a的输出以及第2磁传感器12b的输出进行运算的运算装置。在这一点上，图5所示的电流传感器1和图1所示的电流传感器1相同。图5所示的电流传感器1和图1所示的电流传感器1的不同点在于，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向以及副灵敏度轴方向的朝向。
在图5所示的电流传感器1中，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b，被配置在电流线11的周围，使得根据来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A得到大体同相的输出。更具体来说，配置为第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向(箭头14a)朝向来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向，第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向(箭头14b)朝向来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向朝向相反的方向。此外，配置为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的副灵敏度轴方向(箭头15a、15b)朝向彼此相反的方向。此外，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b，被配置为其表面朝向电流线11的方向。
在图5所示的构成的电流传感器1中，因为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向都朝向来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向，所以感应磁场A的影响，表现为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的大体同相的输出信号。此外，因为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向朝向彼此相反的方向，且第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的副灵敏度 轴方向朝向彼此相反的方向，所以在第1磁传感器12a的输出以及第2磁传感器12b的输出中磁场干扰的影响相反地出现。因此，通过取得第1磁传感器12a的输出和第2磁传感器12b的输出的和，能够充分地降低磁场干扰的影响、抑制电流测定精度的下降。另外，大体同相的输出信号是指，除了噪声成分等以外同等的输出信号。不过，因为只要处于能够以所希望的精度进行电流测定的程度的关系即可，所以并不要求严密地成为相同值。此外，在图5所示的电流传感器1中，运算装置具有对第1磁传感器12a的输出和第2磁传感器12b的输出的和进行计算的功能。
此外，在图5所示的电流传感器1中，第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向以及副灵敏度轴方向与第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向以及副灵敏度轴方向，处于镜像关系。即，从表面侧来观察第1磁传感器12a以及第2磁传感器12a的情况下，将各自的主灵敏度轴方向作为基准，第1磁传感器12a的副灵敏度轴方向和第2磁传感器12a的副灵敏度轴方向处于反向的关系。
图6是示出本实施方式所涉及的电流传感器1的制造方法的一个示例的示意图。如图6A所示，首先，准备第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b。在图6A中，第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向朝向前方，副灵敏度轴方向为朝左。此外，第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向朝向前方，副灵敏度轴方向为朝右。即，第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向以及副灵敏度轴方向与第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向以及副灵敏度轴方向，处于镜像关系。在此，将第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的上侧(GMR元件侧)的主面，分别作为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的表面。此外，将第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的下侧(基板侧)的主面，分别作为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的背面。另外，表里的关系也可以相反。
接着，如图6B所示，在第1电路基板13a的配置面配置第1磁传感器12a，在第2电路基板13b的配置面配置第2磁传感器12b。即，将第1磁传感器12a配置为第1磁传感器12a的背面和第1电路基板13a的配置面相对，将第2磁传感器12b配置为第2磁传感器12b的背面和第2电路基板13b的配置面相对。由此，如图6B所示若使第1电路基板13a的配置面和第2电路基板13b的配置面都朝上，使第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向(箭头14a、14b)朝向相同方向，则第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的副灵敏度轴方向(箭头15a、15b)朝向彼此相反的方向。另外，在图6B中，将第2磁传感器12b和第2电路基板13b向配置面内方向旋转180°来进行了表示。
然后，如图6C所示，在电流线11的周围配置第1电路基板13a以及第2电路基板13b，使得第1电路基板13a的配置面和第2电路基板13b的配置面隔着电流线11而相对。由此，第1磁传感器12a的表面和第2磁传感器12b的表面隔着电流线11而相对。这样的配置，例如能够通过使第1磁传感器12a以及第1电路基板13a的组合，相对于第2磁传感器12b以及第2电路基板13b的组合进行旋转而得到。
在由图6所示的方法得到的电流传感器1中，因为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b相对于电流线11对称地配置，所以容易使电流线11和第1磁传感器12a的距离，以及电流线11和第2磁传感器12b的距离相等。由此，因为能够适当地消除磁场干扰，所以能够充分地提高电流测定精度。此外，由于在电流线11和第1磁传感器12a之间，以及电流线11和第2磁传感器12b之间不存在电路基板，所以能够缩小电流线11和第1磁传感器12a的距离，以及电流线11和第2磁传感器12b的距离。因此，能够增大传感器输出，充分地提高电流测定精度。
如上所述，本实施方式所涉及的电流传感器1，能够降低磁场干扰的影响、抑制电流测定精度的下降。这是因为，在本实施方式所涉及的电流传感器1中，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b被配置为副灵敏度轴方向朝向能够适当地消除磁场干扰的方向。
另外，在图5以及图6中，举例说明了第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向都朝向来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向的情况，但本实施方式所涉及的电流传感器1的构成并不限于此。也可以构成为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向都朝向与来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向相反的方向。
另外，本实施方式，能够和其他的实施方式所示的构成适当组合来实 施。
(实施方式3)
在本实施方式中，对本发明的电流传感器1的另外的一个示例进行说明。图7是示出本实施方式的电流传感器1的示意图。图7A是示意性地示出电流传感器1及其周边的构成的立体图，图7B是从图7A的纸面左下方向(前方)来观察电流传感器1的平面图。 
如图7所示，本实施方式所涉及的电流传感器1，包含在电流线11的周围配置的第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b，且包含配置第1磁传感器12a的第1电路基板13a以及配置第2磁传感器12b的第2电路基板13b。此外，电流传感器1包含对第1磁传感器12a的输出以及第2磁传感器12b的输出进行运算的运算装置。在这一点上，图7所示的电流传感器1和图1所示的电流传感器1相同。图7所示的电流传感器1和图1所示的电流传感器1的不同点在于，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b与第1电路基板13a以及第2电路基板13b的位置关系。即，本实施方式所涉及的电流传感器1，配置为第1电路基板13a的配置面的相反侧的面、和第2电路基板13b的配置面的相反侧的面，隔着电流线11而相对，第1电路基板13a以及第2电路基板13b被配置在比第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b更靠近电流线侧的位置。
在图7所示的电流传感器1中，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b，被配置在电流线11的周围，使得根据来自流过电流线11的电流的感应磁场得到大体反相的输出。更具体来说，配置为第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向(箭头14a)朝向来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向，第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向(箭头14b)朝向与来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向相反的方向，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向朝向相同方向。此外，配置为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的副灵敏度轴方向(箭头15a、15b)朝向相同方向。此外，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b，被配置为其背面朝向电流线11的方向。
在图7所示的构成的电流传感器1中，因为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的一方的主灵敏度轴方向朝向来自流过电流线11的被测定 电流I的感应磁场A的方向，另一方的主灵敏度轴方向朝向与来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A相反的方向，所以感应磁场A的影响表现为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的大体反相的输出信号。此外，因为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向朝向相同方向，且第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的副灵敏度轴方向朝向相同方向，所以在第1磁传感器12a的输出以及第2磁传感器12b的输出中磁场干扰的影响相等地出现。因此，通过取得第1磁传感器12a的输出和第2磁传感器12b的输出的差，能够充分地降低磁场干扰的影响、抑制电流测定精度的下降。
此外，在图7所示的电流传感器1中，第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向以及副灵敏度轴方向与第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向以及副灵敏度轴方向，处于镜像关系。即，在从表面侧来观察第1磁传感器12a以及第2磁传感器12a的情况下，将各自的主灵敏度轴方向作为基准，第1磁传感器12a的副灵敏度轴方向和第2磁传感器12a的副灵敏度轴方向处于反向的关系。
图8是示出本实施方式所涉及的电流传感器1的制造方法的一个示例的示意图。如图8A所示，首先，准备第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b。在图8A中，第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向朝向前方，副灵敏度轴方向为朝右。此外，第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向朝向前方，副灵敏度轴方向为朝左。即，第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向以及副灵敏度轴方向与第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向以及副灵敏度轴方向，处于镜像关系。在此，将第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的上侧(GMR元件侧)的主面，分别作为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的表面。此外，将第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的下侧(基板侧)的主面，分别作为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的背面。另外，表里的关系也可以相反。
接着，如图8B所示，在第1电路基板13a的配置面配置第1磁传感器12a，在第2电路基板13b的配置面配置第2磁传感器12b。即，将第1磁传感器12a配置为第1磁传感器12a的背面和第1电路基板13a的配置面相对，将第2磁传感器12b配置为第2磁传感器12b的背面和第2电路 基板13b的配置面相对。由此，如图8B所示若使第1电路基板13a的配置面和第2电路基板13b的配置面都朝上，使第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向(箭头14a、14b)朝向相同方向，则第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的副灵敏度轴方向(箭头15a、15b)朝向彼此相反的方向。
然后，如图8C所示，在电流线11的周围配置第1电路基板13a以及第2电路基板13b，使得第1电路基板13a的配置面的相反侧的面、和第2电路基板13b的配置面的相反侧的面隔着电流线11而相对。即，使得第1电路基板13a以及第2电路基板13b，被配置在比第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b更靠近电流线侧的位置。这样的配置，例如能够通过使第2磁传感器12b以及第2电路基板13b的组合，相对于第1磁传感器12a以及第1电路基板13a的组合进行旋转而得到。
在由图8所示的方法得到的电流传感器1中，因为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b相对于电流线11对称地配置，所以容易使电流线11和第1磁传感器12a的距离以及电流线11和第2磁传感器12b的距离相等。由此，因为能够适当地消除磁场干扰，所以能够充分地提高电流测定精度。
如上所述，本实施方式所涉及的电流传感器1，能够降低磁场干扰的影响、抑制电流测定精度的下降。这是因为在本实施方式所涉及的电流传感器1中，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b被配置为副灵敏度轴方向朝向能够适当地消除磁场干扰的方向。
另外，在图7以及图8中，举例说明了第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向朝向来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向，第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向朝向与来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向相反的方向的情况，但本实施方式所涉及的电流传感器1的构成并不限于此。也可以构成为第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向朝向与来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向相反的方向，第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向朝向来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向。
此外，在图7以及图8中，对通过取得输出的差来消除磁场干扰的构 成进行了说明，但本实施方式所涉及的电流传感器1的构成并不限于此。也可以采用通过取得输出的和来消除磁场干扰的构成。在这种情况下，只要使第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向都朝向来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向或与感应磁场A的方向相反的方向，且第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的副灵敏度轴方向朝向彼此相反的方向即可。
另外，本实施方式，能够和其他的实施方式所示的构成适当组合来实施。
(实施方式4)
在本实施方式中，对本发明的电流传感器1的另外的一个示例进行说明。图9是示出本实施方式的电流传感器1的示意图。图9A是示意性地示出电流传感器1以及其周边的构成的立体图，图9B是从图9A的纸面左下方向(前方)来观察电流传感器1的平面图。 
如图9所示，本实施方式所涉及的电流传感器1，包含在电流线11的周围配置的第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b，且包含配置第1磁传感器12a的第1电路基板13a以及配置第2磁传感器12b的第2电路基板13b。此外，电流传感器1包含对第1磁传感器12a的输出以及第2磁传感器12b的输出进行运算的运算装置。在这一点上，图9所示的电流传感器1和图1所示的电流传感器1相同。图9所示的电流传感器1和图1所示的电流传感器1的不同点在于，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b与第1电路基板13a以及第2电路基板13b的位置关系。即，在本实施方式所涉及的电流传感器1中，配置为第1磁传感器12a的表面和第1电路基板13a的配置面相对，第2磁传感器12b的背面和第2电路基板13b的配置面相对。此外，作为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b使用了相同构成的磁传感器。因此，在从表面侧来观察第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的情况下，第1磁传感器12a的副灵敏度轴方向相对于主灵敏度轴方向所形成的角，和第2磁传感器12b的副灵敏度轴方向相对于主灵敏度轴方向所形成的角大体相等。在此，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b，最好包含使用相同的晶片制造的具有相同的构造的元件。这是因为由于在这样的磁传感器中能够使主灵敏度轴、副灵敏度轴 的灵敏度相等，因此磁场干扰的影响的消除变得容易。
在图9所示的电流传感器1中，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b，被配置在电流线11的周围，使得通过来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A得到大体反相的输出。更具体来说，配置为第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向(箭头14a)朝向来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向，第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向(箭头14b)朝向与来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向相反的方向，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向朝向相同方向。此外，配置为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的副灵敏度轴方向(箭头15a、15b)朝向相同方向。此外，第1磁传感器12a被配置为其背面朝向电流线11的方向，第2磁传感器12b被配置为其表面朝向电流线11的方向。
在图9所示的构成的电流传感器1中，因为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的一方的主灵敏度轴方向朝向来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向，另一方的主灵敏度轴方向朝向与来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A相反的方向，所以感应磁场A的影响，表现为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的大体反相的输出信号。此外，因为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向朝向相同方向，且第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的副灵敏度轴方向朝向相同方向，所以在第1磁传感器12a的输出以及第2磁传感器12b的输出中磁场干扰的影响相等地出现。因此，通过取得第1磁传感器12a的输出和第2磁传感器12b的输出的差，能够充分地降低磁场干扰的影响、抑制电流测定精度的下降。
图10是示出本实施方式所涉及的电流传感器1的制造方法的一个示例的示意图。如图10A所示，首先，准备第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b。在图10A中，第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向朝向前方，副灵敏度轴方向为朝右。此外，第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向朝向前方，副灵敏度轴方向为朝右。即，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b具有同样的构成，主灵敏度轴方向和副灵敏度轴方向所形成的角度的关系一致。在此，将第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的上侧(GMR 元件侧)的主面，分别作为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的表面。此外，将第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的下侧(基板侧)的主面，分别作为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的背面。另外，表里的关系也可以相反。
接着，如图10B所示，在第1电路基板13a的配置面配置第1磁传感器12a，在第2电路基板13b的配置面配置第2磁传感器12b。在本实施方式中，将第1磁传感器12a配置为第1磁传感器12a的表面和第1电路基板13a的配置面相对，将第2磁传感器12b配置为第2磁传感器12b的背面和第2电路基板13b的配置面相对。由此，如图10B所示若使第1电路基板13a的配置面和第2电路基板13b的配置面都朝上，使第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向(箭头14a、14b)朝向相同方向，则第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的副灵敏度轴方向(箭头15a、15b)朝向彼此相反的方向。
然后，如图10C所示，在电流线11的周围配置第1电路基板13a以及第2电路基板13b，使得第1电路基板13a的配置面和第2电路基板13b的配置面隔着电流线11而相对。这样的配置，例如能够通过使第1磁传感器12a以及第1电路基板13a的组合，相对于第2磁传感器12b以及第2电路基板13b的组合进行旋转而得到。
在由图10所示的方法得到的电流传感器1中，因为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b相对于电流线11对称地配置，所以容易使电流线11和第1磁传感器12a的距离以及电流线11和第2磁传感器12b的距离相等。由此，因为能够适当地消除磁场干扰，所以能够充分地提高电流测定精度。此外，因为在电流线11和第1磁传感器12a之间，以及电流线11和第2磁传感器12b之间不存在电路基板，所以能够缩小电流线11和第1磁传感器12a的距离，以及电流线11和第2磁传感器12b的距离。因此，能够增大传感器输出，充分地提高电流测定精度。
此外，因为作为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b能够使用相同构成的磁传感器，所以容易使2个磁传感器的特性相一致。因此，能够高精度地消除磁场干扰的影响、抑制电流测定精度的下降。
如上所述，本实施方式所涉及的电流传感器1，能够降低磁场干扰的 影响、抑制电流测定精度的下降。这是因为，在本实施方式所涉及的电流传感器1中，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b被配置为副灵敏度轴方向朝向能够适当地消除磁场干扰的方向。
另外，在图9以及图10中，举例说明了第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向朝向来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向，第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向朝向与来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向相反的方向的情况，但本实施方式所涉及的电流传感器1的构成并不限于此。也可以构成为第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向朝向与来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向相反的方向，第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向朝向来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向。
此外，在图9以及图10中，对通过取得输出的差来消除磁场干扰的构成进行了说明，但本实施方式所涉及的电流传感器1的构成并不限于此。也可以采用通过取得输出的和来消除磁场干扰的构成。在这种情况下，只要第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向都朝向来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向或与感应磁场的方向相反的方向，且第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的副灵敏度轴方向朝向彼此相反的方向即可。
此外，在图9以及图10中，对第1电路基板13a的配置面和第2电路基板13b的配置面隔着电流线11而相对的构成的电流传感器1进行了说明，但本实施方式所涉及的电流传感器1的构成并不限于此。也可以采用第1电路基板13a的配置面的相反侧的面和第2电路基板13b的配置面的相反侧的面隔着电流线11而相对的构成。
另外，本实施方式，能够和其他的实施方式所示的构成适当组合来实施。
(实施方式5)
在本实施方式中，对本发明的电流传感器1的另外的一个示例进行说明。图11是示出本实施方式的电流传感器1的示意图。图11A是示意性地示出电流传感器1以及其周边的构成的立体图，图11B是从图11A的纸面左下方向(前方)来观察电流传感器1的平面图。 
如图11所示，本实施方式所涉及的电流传感器1，包含在电流线11的周围配置的第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b，且包含配置第1磁传感器12a的第1电路基板13a以及配置第2磁传感器12b的第2电路基板13b。此外，电流传感器1包含对第1磁传感器12a的输出以及第2磁传感器12b的输出进行运算的运算装置。在这一点上，图11所示的电流传感器1和图1所示的电流传感器1相同。图11所示的电流传感器1和图1所示的电流传感器1的不同点在于，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b与第1电路基板13a以及第2电路基板13b的位置关系。即，本实施方式所涉及的电流传感器1，被配置为第1电路基板13a的配置面的相反侧的面、和第2电路基板13b的配置面隔着电流线11而相对。此外，作为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b使用相同构成的磁传感器。因此，在从表面侧来观察第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的情况下，第1磁传感器12a的副灵敏度轴方向相对于主灵敏度轴方向所形成的角、和第2磁传感器12b的副灵敏度轴方向相对于主灵敏度轴方向所形成的角大体相等。在此，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b，最好包含使用相同的晶片制造的具有相同的构造的元件。这是因为由于在这样的磁传感器中能够使主灵敏度轴、副灵敏度轴的灵敏度相等，因此磁场干扰的影响的消除变得容易。
在图11所示的电流传感器1中，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b，被配置在电流线11的周围，使得根据来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A得到大体反相的输出。更具体来说，配置为第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向(箭头14a)朝向来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向，第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向(箭头14b)朝向与来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向相反的方向，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向朝向相同方向。此外，配置为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的副灵敏度轴方向(箭头15a、15b)朝向相同方向。此外，第1磁传感器12a被配置为其背面朝向电流线11的方向，第2磁传感器12b被配置为其表面朝向电流线11的方向。
在图11所示的构成的电流传感器1中，因为第1磁传感器12a以及 第2磁传感器12b的一方的主灵敏度轴方向朝向来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向，另一方的主灵敏度轴方向朝向与来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A相反的方向，所以感应磁场A的影响表现为，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的大体反相的输出信号。此外，因为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向朝向相同方向，且第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的副灵敏度轴方向朝向相同方向，所以在第1磁传感器12a的输出以及第2磁传感器12b的输出中磁场干扰的影响相等地出现。因此，通过取得第1磁传感器12a的输出和第2磁传感器12b的输出的差，能够充分地降低磁场干扰的影响、抑制电流测定精度的下降。
图12是示出本实施方式所涉及的电流传感器1的制造方法的一个示例的示意图。如图12A所示，首先，准备第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b。在图12A中，第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向朝向前方，副灵敏度轴方向为朝右。此外，第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向朝向前方，副灵敏度轴方向为朝右。即，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b具有同样的构成，主灵敏度轴方向和副灵敏度轴方向所形成的角度的关系一致。在此，将第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的上侧(GMR元件侧)的主面，分别作为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的表面。此外，将第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的下侧(基板侧)的主面，分别作为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的背面。另外，表里的关系也可以相反。
接着，如图12B所示，在第1电路基板13a的配置面配置第1磁传感器12a，在第2电路基板13b的配置面配置第2磁传感器12b。在本实施方式中，将第1磁传感器12a配置为第1磁传感器12a的背面和第1电路基板13a的配置面相对，将第2磁传感器12b配置为第2磁传感器12b的背面和第2电路基板13b的配置面相对。即，第1磁传感器12a以及第1电路基板13a的组合、和第2磁传感器12b以及第2电路基板13b的组合具有同样的构成。因此，如图12B所示若使第1电路基板13a的配置面和第2电路基板13b的配置面都朝上，使第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向(箭头14a、14b)朝向相同方向，则第1 磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的副灵敏度轴方向(箭头15a、15b)也朝向相同方向。
然后，如图12C所示，在电流线11的周围配置第1电路基板13a以及第2电路基板13b，使得第1电路基板13a的配置面的相反侧的面、和第2电路基板13b的配置面隔着电流线11而相对。
在由图12所示的方法得到的电流传感器1中，因为作为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b能够使用相同构成的磁传感器，所以容易使2个磁传感器的特性相一致。因此，能够高精度地消除磁场干扰的影响、抑制电流测定精度的下降。此外，因为第1磁传感器12a对第1电路基板13a的安装模式和第2磁传感器12b对第2电路基板13b的安装模式相同，所以能够使用由同样的工序安装了磁传感器的电路基板来构成电流传感器。因此，能够低成本地使磁传感器以及电路基板的特性一致。
图13是示出图11所示的构成的电流传感器1的变形例的示意图。图13所示的电流传感器1的基本的构成，和图11所示的电流传感器1相同。图13所示的电流传感器1和图11所示的电流传感器1的不同点在于间隔件(spacer)17的有无。即，在图13所示的电流传感器1中，在电流线11和第2电路基板13b之间配置了间隔件17。通过像这样配置间隔件17，容易使电流线11和第1磁传感器12a的距离以及电流线11和第2磁传感器12b的距离相等。因此，能够充分地提高电流测定精度。
另外，在图13中示出了在电流线11和第2电路基板13b之间配置了间隔件17的构成，但间隔件17也可以配置在电流线11和第2磁传感器12b之间。此外，也可以在电流线11和第1电路基板13a(或第1磁传感器12a)之间配置其他的间隔件。
如上所述，本实施方式所涉及的电流传感器1，能够降低磁场干扰的影响、抑制电流测定精度的下降。这是因为，在本实施方式所涉及的电流传感器1中，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b被配置为副灵敏度轴方向朝向能够适当地消除磁场干扰的方向。
另外，在图11～图13中，举例说明了第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向朝向来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向，第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向朝向与来自流过电流线11的被测定电流I 的感应磁场A的方向相反的方向的情况，但本实施方式所涉及的电流传感器1的构成并不限于此。也可以构成为第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向朝向与来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向相反的方向，第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向朝向来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向。
此外，在图11～图13中，对通过取得输出的差来消除磁场干扰的构成进行了说明，但本实施方式所涉及的电流传感器1的构成并不限于此。也可以采用通过取得输出的和来消除磁场干扰的构成。在这种情况下，只要第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向都朝向来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向或与感应磁场A的方向相反的方向，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的副灵敏度轴方向朝向彼此相反的方向即可。
另外，本实施方式，能够和其他的实施方式所示的构成适当组合来实施。
(实施方式6)
在本实施方式中，对本发明的电流传感器1的另外的一个示例进行说明。本实施方式的电流传感器1，相当于在实施方式1～实施方式5中说明的电流传感器1中，将使用了磁阻效应元件的磁传感器应用于第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b而得到的电流传感器。
本实施方式所涉及的第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b，为磁比例式传感器(proportional magnetic sensor)或磁平衡式传感器。磁比例式传感器构成为，例如包含由作为磁传感器元件的2个磁阻效应元件以及2个固定电阻元件构成的桥接电路。此外，磁平衡式传感器构成为，例如包含由作为磁传感器元件的2个磁阻效应元件以及2个固定电阻元件构成的桥接电路、和配置为能够产生消除由被测定电流产生的磁场的方向的磁场的反馈线圈。在采用磁比例式传感器的情况下，因为不需要像磁平衡式传感器那样的反馈线圈及与其控制有关的构成，所以简化构成，能够实现电流传感器的小型化。另一方面，在采用磁平衡式传感器的情况下，能够容易实现响应速度高、温度依赖性小的电流传感器。
在用于第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的磁阻效应元件中， 存在GMR(Giant Magneto Resistance)元件、TMR(Tunnel Magneto Resistance)元件等，但在此，使用在正交于灵敏度轴的方向上也具有灵敏度的GMR元件。GMR元件等的磁阻效应元件，具有通过来自被测定电流的感应磁场的施加而电阻值发生变化的性质，通过将之用于第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b，能够检测感应磁场的大小。
第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b，最好包含使用相同的晶片制造的具有相同的构造的元件。这是因为由于在这样的磁传感器中能够使主灵敏度轴、副灵敏度轴的灵敏度相等，因此能够充分地消除磁场干扰的影响、抑制电流测定精度的下降。
图14是示出用于第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的GMR元件的构造的示意图。图14A示出剖面构造，图14B示出平面构造。GMR元件，如图14A所示，为在基板101上设置的多个膜的层叠构造。即，GMR元件包含：晶种层(seed layer)102、第1强磁性膜103、反平行耦合膜104、第2强磁性膜105、非磁性中间层106、软磁自由层(自由磁性层)107、以及保护层108。此外，如图14B所示，具有被配置为长度方向相互平行的多个带状的长条图案(线条)折回而形成的形状(蜿蜒形状)。
在该GMR元件中，通过反平行耦合膜104反强磁性地耦合第1强磁性膜103和第2强磁性膜105，构成所谓自销固定(self pinning)型的强磁性固定层(SFP层：Synthetic Ferri Pinned层)。这样，图14所示的GMR元件，为使用了强磁性固定层、非磁性中间层106以及软磁自由层107的白旋阀(spin valve)型的元件。另外，在图14中为了说明的简单，省略除了GMR元件以外的基底层等来进行了表示，但在基板101和晶种层102之间，例如，也可以设置由包含Ta、Hf、Nb、Zr、Ti、Mo、W等中的至少一种元素的非磁性材料构成的基底层。
晶种层102，由NiFeCr或者Cr等构成。第1强磁性膜103，优选由包含40原子％～80原子％的Fe在内的CoFe合金构成。这是因为，该组成范围的CoFe合金，具有较大的顽磁力，能够对外部磁场稳定地维持磁化。另外，第1强磁性膜103，通过在其成膜中向与蜿蜒形状的长度方向垂直的方向(从图14A的里侧向跟前一侧，从图14B的上侧向下侧的方向)施加磁场，而被赋予感应磁性各向异性。反平行耦合膜104，由Ru 等构成。此外，第2强磁性膜105，优选由包含0原子％～40原子％的Fe在内的CoFe合金构成。这是因为，该组成范围的CoFe合金具有较小的顽磁力，第1强磁性膜103相对于优先地进行磁化的方向容易在反平行方向(相差180°的方向)进行磁化。另外，第2强磁性膜105，通过在成膜中施加和第1强磁性膜103的成膜中同样的磁场(与蜿蜒形状的长度方向垂直的方向的磁场)，而被赋予感应磁性各向异性。通过在施加这样的磁场的同时进行成膜，从而第1强磁性膜103在施加磁场的方向(以下，称为Pin1方向)上优先地进行磁化，第2强磁性膜105在第1强磁性膜103的磁化方向的反平行方向(相差180°的方向，以下，称为Pin2方向)上进行磁化。非磁性中间层106由Cu等构成。
此外，软磁自由层(自由层)107，由CoFe合金、NiFe合金、CoFeNi合金等的磁性材料构成。另外，优选在软磁自由层107的成膜中施加蜿蜒形状的长度方向(垂直于Pin2方向的方向，X轴方向)的磁场，对成膜后的软磁自由层107赋予感应磁性各向异性。由此，能够得到相对于X轴方向的外部磁场线性地进行电阻变化，且磁滞(hysteresis)小的GMR元件。保护层108由Ta、Ru等构成。
GMR元件具有硬磁偏置层109，优选从硬磁偏置层109向软磁自由层(自由层)107施加一定的磁场。由硬磁偏置层109形成的磁场(以下，称为硬磁偏置(HB))的方向，为蜿蜒形状的长度方向(垂直于Pin2方向的方向，X轴方向)。通过这样的硬磁偏置层109，能够提高GMR元件的灵敏度。
此外，通过硬磁偏置层109，控制GMR元件的灵敏度轴朝向相对于硬磁偏置的方向垂直的方向，副灵敏度轴朝向硬磁偏置的方向。因此，利用这种方法，能够实现使用于电流传感器的GMR元件的硬磁偏置的方向一致，可以适当地消除在副灵敏度轴方向出现的磁场干扰的影响的构成。具体来说，在取得输出的差的电流传感器中，控制GMR元件的硬磁偏置的方向使得第1磁传感器12a的副灵敏度轴和第2磁传感器12b的副灵敏度轴朝向相同方向。在取得输出的和的电流传感器中，控制硬磁偏置的方向使得第1磁传感器12a的副灵敏度轴和第2磁传感器12b的副灵敏度轴朝向相反方向。由此，能够降低磁场干扰的影响、抑制电流测定精度的下 降。
在上述的GMR元件、以及包含GMR元件的磁传感器中，主灵敏度轴方向为Pin2方向。此外，副灵敏度轴方向为垂直于Pin2的方向。在垂直于膜的方向上没有实质的灵敏度。
图15是示出在GMR元件的副灵敏度轴方向施加了磁场的情况下的GMR元件的电阻值(即，GMR元件的灵敏度)的图表。在图15中，横轴表示副灵敏度轴方向(即硬磁偏置方向)的施加磁场的大小。在施加磁场表示为负的情况下，表示施加了硬磁偏置方向的磁场，在施加磁场表示为正的情况下，表示施加了与硬磁偏置方向相反的方向的磁场。纵轴表示GMR元件的电阻值。此外，实线表示第1GMR元件的特性，虚线表示第2GMR元件的特性。
图15A示出硬磁偏置极弱的情况的特性，图15B示出硬磁偏置较强的情况的特性，图15C示出硬磁偏置极强的情况的特性。在如图15A所示硬磁偏置弱的情况下，2个GMR元件的副灵敏度轴方向的灵敏度特性产生很大的不同。第1GMR元件通过施加负方向的磁场而电阻值下降，与此相对，第2GMR元件通过施加正方向的磁场而电阻值下降。这意味着，副灵敏度轴的方向不一致。在这种情况下，难以高精度地消除出现于副灵敏度轴方向的磁场干扰的影响。另一方面，在如图15B以及图15C所示硬磁偏置强的情况下，2个GMR元件的副灵敏度轴方向的灵敏度特性一致。在这种情况下，能够高精度地消除出现于副灵敏度轴方向的磁场干扰的影响。
这样，在将使用了磁阻效应元件的磁传感器应用于第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的情况下，通过由硬磁偏置控制副灵敏度轴方向的灵敏度特性能够高精度地消除出现于副灵敏度轴方向的磁场干扰的影响。因此，能够抑制电流测定精度的下降。
本实施方式，能够和其他的实施方式所示的构成适当组合来实施。
(实施方式7)
在本实施方式中，对本发明的电流传感器1的另外的示例进行说明。图16是示出本实施方式的电流传感器1的一个示例的示意图。图16A是示意性地示出电流传感器1及其周边的构成的立体图，图16B是从图16A 的上方来观察电流传感器1的平面图，图16C是示出磁传感器的主灵敏度轴方向以及副灵敏度轴方向与感应磁场的方向的关系的示意图。此外，图17是示出本实施方式的电流传感器1的另外的一个示例的示意图。图17A是示意性地示出电流传感器1及其周边的构成的立体图，图17B是从图17A的上方来观察电流传感器1的平面图，图17C是示出磁传感器的主灵敏度轴方向以及副灵敏度轴方向与感应磁场的方向的关系的示意图。
如图16以及图17所示，本实施方式所涉及的电流传感器1的基本的构成，和上述实施方式1～实施方式6所涉及的电流传感器1的构成相同。另一方面，本实施方式所涉及的电流传感器1，主灵敏度轴方向(箭头14a、14b)不朝向与感应磁场A平行的方向，在这一点上和上述实施方式1～实施方式6所涉及的电流传感器1不同。
图16所示的电流传感器1，具有将垂直于配置面的轴作为旋转轴，使图1所示的电流传感器的第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b旋转规定角度的构成(参照图16A、图16B)。具体来说，如图16C所示，电流传感器1构成为，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向，相对于感应磁场A形成角度θ1。换言之，第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向(箭头14a)，朝向相对于来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A不平行的方向，第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向(箭头14b)，朝向与来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向不平行的方向。但是，和实施方式1～实施方式6同样，为了电流传感器1对感应磁场A具有灵敏度，主灵敏度轴方向不正交于感应磁场A的方向。即，满足了θ1≠90°×n(n为整数)。
在主灵敏度轴方向和感应磁场A形成规定角度的本实施方式的电流传感器1中，感应磁场A的主灵敏度轴方向成分被检测。若主灵敏度轴方向和感应磁场A的方向形成的角度为θ1、感应磁场A的强度为HA，则第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b分别承受的磁场的强度H成为HAcosθ1(＜HA)。即，由于配置为主灵敏度轴方向相对于感应磁场A的方向倾斜角度θ1，所以第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b分别承受的磁场的强度H变为比感应磁场A的强度HA小。因此，通过利用角度θ1调节第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b所承受的磁场的强度，能够 调节电流传感器1的可测定的范围。
另外，在图16所示的电流传感器1中，因为第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向朝向相同方向，且第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的副灵敏度轴方向朝向相同方向，所以在第1磁传感器12a的输出以及第2磁传感器12b的输出中磁场干扰的影响相等地出现。因此，通过取得第1磁传感器12a的输出和第2磁传感器12b的输出的差，能够充分地降低磁场干扰的影响、抑制电流测定精度的下降。
图17所示的电流传感器1，具有使图5所示的电流传感器的第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b，在第1电路基板13a以及第2电路基板13b的配置面上旋转规定角度的构成(参照图17A、图17B)。具体来说，如图17C所示，电流传感器1构成为，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向相对于感应磁场A形成角度θ2。换言之，第1磁传感器12a的主灵敏度轴方向(箭头14a)，朝向相对于来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A不平行的方向，第2磁传感器12b的主灵敏度轴方向(箭头14b)，朝向与来自流过电流线11的被测定电流I的感应磁场A的方向不平行的方向。但是，和实施方式1～实施方式6同样，为了电流传感器1对感应磁场A具有灵敏度，主灵敏度轴方向不正交于感应磁场A的方向。即，满足了θ2≠90°×n(n为整数)。在这种电流传感器1中，通过利用角度θ2调节第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b所承受的磁场的强度，也能够调节电流传感器1的可测定的范围。
另外，在图17所示的电流传感器1中，由于第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的主灵敏度轴方向朝向相反的方向，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b的各自的副灵敏度轴方向朝向相反的方向，所以在第1磁传感器12a的输出以及第2磁传感器12b的输出中磁场干扰的影响相反地出现。因此，通过取得第1磁传感器12a的输出和第2磁传感器12b的输出的和，能够充分地降低磁场干扰的影响、抑制电流测定精度的下降。
这样，本实施方式所涉及的电流传感器1，由于构成为主灵敏度轴方向和感应磁场A形成规定的角度，因此通过调节该角度，能够调节电流传 感器1的能够测定的范围。例如，和被配置为主灵敏度轴方向朝向与感应磁场A的方向平行的方向的实施方式1～实施方式6的电流传感器1相比使灵敏度降低，能够扩大可测定的范围。
另外，在本实施方式中，使第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b进行了旋转，使得感应磁场A的方向和主灵敏度轴方向形成规定的角度，但也可以使第1电路基板13a以及第2电路基板13b进行旋转。此外，为了副灵敏度轴不受感应磁场A的影响，也可以使第1电路基板13a以及第2电路基板13b(或，第1磁传感器12a以及第2磁传感器12b)进行旋转，来控制相对于感应磁场的副灵敏度轴方向。在这种情况下，例如通过使副灵敏度轴方向正交于感应磁场A，能够抑制副灵敏度轴上的感应磁场A的影响。
另外，本实施方式，能够和其他的实施方式所示的构成适当组合来实施。
如上所述，本发明的电流传感器1，通过除了控制主灵敏度轴方向还控制副灵敏度轴方向，能够充分地消除磁场干扰。由此，能够抑制电流测定精度的下降。
另外，本发明并不限于上述实施方式，能够进行各种变更来实施。例如，能够对在上述实施方式中的各构成要素的配置、大小等进行适当变更来实施。此外，也能够使流过电流线11的被测定电流I的方向为相反方向。此外，上述实施方式1～实施方式7所示的构成，能够进行适当组合来实施。另外，本发明，能够不脱离本发明的范围地进行适当变更来实施。
工业实用性 
本发明的电流传感器，例如能够用于检测电动汽车、混合动力车的电动机驱动用的电流的大小。
本申请基于2011年3月2日申请的日本专利2011-045475。该基础申请的内容全部引入到本申请中。

Claims (19)

1.一种电流传感器，其特征在于，
具备配置在被测定电流所流过的电流线的周围，检测流过所述电流线的电流所产生的感应磁场，在正交于主灵敏度轴的方向上分别具有副灵敏度轴的第1磁传感器以及第2磁传感器，
所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器，隔着所述电流线而配置，
配置为所述第1磁传感器的主灵敏度轴方向朝向与来自流过所述电流线的电流的感应磁场的方向非正交的方向，所述第2磁传感器的主灵敏度轴方向朝向与来自流过所述电流线的电流的感应磁场的方向非正交的方向，
配置为所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器的各自的主灵敏度轴方向朝向相同方向、并且所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器的各自的副灵敏度轴方向朝向相同方向，或者配置为所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器的各自的主灵敏度轴方向朝向相反方向、并且所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器的各自的副灵敏度轴方向朝向相反方向。
2.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，
所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器的各自的主灵敏度轴方向朝向相同方向，
所述电流传感器具备运算装置，所述运算装置取得所述第1磁传感器的输出和所述第2磁传感器的输出的差。
3.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，
所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器的各自的主灵敏度轴方向朝向相反方向，
所述电流传感器具备运算装置，所述运算装置取得所述第1磁传感器的输出和所述第2磁传感器的输出的和。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的电流传感器，其特征在于，
具备：
第1电路基板，其在配置面配置所述第1磁传感器；和
第2电路基板，其在配置面配置所述第2磁传感器，
配置为所述第1电路基板的所述配置面以及所述第2电路基板的所述配置面隔着所述电流线而相对。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的电流传感器，其特征在于，
具备：
第1电路基板，其在配置面配置所述第1磁传感器；和
第2电路基板，其在配置面配置所述第2磁传感器，
配置为所述第1电路基板的所述配置面的相反侧的面以及所述第2电路基板的所述配置面的相反侧的面隔着所述电流线而相对。
6.根据权利要求4所述的电流传感器，其特征在于，
所述第1磁传感器的主灵敏度轴方向以及副灵敏度轴方向和所述第2磁传感器的主灵敏度轴方向以及副灵敏度轴方向具有镜像关系。
7.根据权利要求5所述的电流传感器，其特征在于，
所述第1磁传感器的主灵敏度轴方向以及副灵敏度轴方向和所述第2磁传感器的主灵敏度轴方向以及副灵敏度轴方向具有镜像关系。
8.根据权利要求4所述的电流传感器，其特征在于，
在从表面侧来观察所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器的情况下，所述第1磁传感器的副灵敏度轴方向相对于主灵敏度轴方向所形成的角、和所述第2磁传感器的副灵敏度轴方向相对于主灵敏度轴方向所形成的角相等，
所述第1磁传感器配置在所述第1电路基板上，使得所述第1磁传感器的表面和所述第1电路基板的配置面相对，
所述第2磁传感器配置在所述第2电路基板上，使得所述第2磁传感器的背面和所述第2电路基板的配置面相对。
9.根据权利要求5所述的电流传感器，其特征在于，
在从表面侧来观察所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器的情况下，所述第1磁传感器的副灵敏度轴方向相对于主灵敏度轴方向所形成的角、和所述第2磁传感器的副灵敏度轴方向相对于主灵敏度轴方向所形成的角相等，
所述第1磁传感器配置在所述第1电路基板上，使得所述第1磁传感器的表面和所述第1电路基板的配置面相对，
所述第2磁传感器配置在所述第2电路基板上，使得所述第2磁传感器的背面和所述第2电路基板的配置面相对。
10.根据权利要求1至3中任意一项所述的电流传感器，其特征在于，
具备：
第1电路基板，其在配置面配置第1磁传感器；和
第2电路基板，其在配置面配置第2磁传感器，
配置为所述第1电路基板的所述配置面以及所述第2电路基板的所述配置面的相反侧的面隔着所述电流线而相对。
11.根据权利要求10所述的电流传感器，其特征在于，
通过在所述电流线和所述第1磁传感器之间、或所述电流线和所述第1电路基板之间配置间隔件，使得所述电流线和所述第1磁传感器之间的距离以及所述电流线和所述第2磁传感器之间的距离相等。
12.根据权利要求8所述的电流传感器，其特征在于，
所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器，是使用相同的晶片制造的具有相同的构造的元件。
13.根据权利要求9所述的电流传感器，其特征在于，
所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器，是使用相同的晶片制造的具有相同的构造的元件。
14.根据权利要求10所述的电流传感器，其特征在于，
所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器，是使用相同的晶片制造的具有相同的构造的元件。
15.根据权利要求11所述的电流传感器，其特征在于，
所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器，是使用相同的晶片制造的具有相同的构造的元件。
16.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，
所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器，是使用了磁阻效应元件的磁传感器，
所述第1磁传感器的副灵敏度轴方向和所述第2磁传感器的副灵敏度轴方向，是各自所具有的磁阻效应元件的硬磁偏置的方向。
17.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，
所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器，是使用了带磁会聚板的霍尔元件的磁传感器。
18.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，
所述第1磁传感器的主灵敏度轴方向朝向与来自流过所述电流线的电流的感应磁场的方向平行的方向，所述第2磁传感器的主灵敏度轴方向朝向与来自流过所述电流线的电流的感应磁场的方向平行的方向。
19.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，
所述第1磁传感器的主灵敏度轴方向朝向与来自流过所述电流线的电流的感应磁场的方向不平行的方向，所述第2磁传感器的主灵敏度轴方向朝向与来自流过所述电流线的电流的感应磁场的方向不平行的方向。
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