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CN103328605B - 包含量子点荧光体的组合物、量子点荧光体分散树脂成型体、包含量子点荧光体的结构物、发光装置、电子设备、机械装置及量子点荧光体分散树脂成型体的制造方法 - Google Patents

包含量子点荧光体的组合物、量子点荧光体分散树脂成型体、包含量子点荧光体的结构物、发光装置、电子设备、机械装置及量子点荧光体分散树脂成型体的制造方法 Download PDF

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CN103328605B CN201280006414.4A CN201280006414A CN103328605B CN 103328605 B CN103328605 B CN 103328605B CN 201280006414 A CN201280006414 A CN 201280006414A CN 103328605 B CN103328605 B CN 103328605B
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Abstract

本发明提供可以抑制量子点荧光体的消光的包含量子点荧光体的组合物、量子点荧光体分散树脂成型体、包含量子点荧光体的结构物、发光装置、电子设备、机械装置和量子点荧光体分散树脂成型体的制造方法。使量子点荧光体分散在作为分散用树脂的环烯烃(共)聚合物中而制成包含量子点荧光体的组合物，将该包含量子点荧光体的组合物进行成型而制成量子点荧光体分散树脂成型体。此外，在量子点荧光体分散树脂成型体的一部分面或整面上，形成降低氧气对量子点分散树脂成型体的透过的阻气层。此外，可以将上述包含量子点荧光体的组合物作为密封LED芯片的密封材来使用，从而构成发光装置。

Description

包含量子点荧光体的组合物、量子点荧光体分散树脂成型体、包含量子点荧光体的结构物、发光装置、电子设备、机械装置及量子点荧光体分散树脂成型体的制造方法
技术领域
本发明涉及包含量子点荧光体的组合物、量子点荧光体分散树脂成型体、包含量子点荧光体的结构物、发光装置、电子设备、机械装置以及量子点荧光体分散树脂成型体的制造方法的改良。
背景技术
近年来，在发光二极管(LED)等中，作为变换入射光的波长而进行放射的荧光体，使用了量子点。量子点(QD)是发光性的半导体纳米粒子，直径的范围通常相当于1～20nm。而且，在轮廓明确且三维并且纳米规模大的半导体结晶中电子以量子形式被限制。这样的量子点荧光体一般分散在树脂等中来使用。
例如，下述专利文献1中记载了，多个量子点分散在由PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、聚苯乙烯、聚碳酸酯、溶胶·凝胶、UV固化树脂和环氧等热固性树脂构成的基体材中而得的闪烁模块。
此外，下述专利文献2中记载了，具有将红色发光量子点分散在甲基纤维素、乙基纤维素、硝酸纤维素等纤维素系高分子、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸酯系高分子、环氧系高分子、聚乙烯醇缩丁醛等聚乙烯醇系高分子、PDMS(聚二甲基硅氧烷，polydimethyl siloxane)等有机粘合剂中而得的红色发光量子点层的多层结构的白色发光二极管。
此外，下述专利文献3中记载了，使荧光无机纳米粒子(量子点)分散在聚硅氧烷、氟弹性体、聚酰胺、聚酰亚胺、己内酯、己内酰胺、聚氨酯、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚酯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酰胺和聚甲基丙烯酰胺等高分子材料中而得的含有荧光无机纳米粒子的组合物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006－114909号公报
专利文献2：日本特开2007－281484号公报
专利文献3：日本特表2009－536679号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，量子点荧光体由于具有不稳定的活性表面，因此反应性高，易于发生凝集。为了克服该问题，量子点荧光体的表面被封端剂(cappingagent)被覆而被钝态化。即，量子点荧光体的芯粒子表面被有机钝态层被覆。作为封端剂，可使用可以与芯表面的金属原子共价结合的Lewis碱的化合物。
然而，量子点荧光体还会因大气中所包含的氧气等而易于劣化，因此如上述各专利文献那样，需要将量子点荧光体粒子分散在树脂中来进行保护。
然而，根据树脂不同，有促进量子点荧光体粒子的消光这样的新问题。这是因为，例如上述树脂使担载于量子点荧光体粒子的表面的、以防止凝集等作为目的的有机钝态层的性能降低。
本发明的目的是提供，可以抑制量子点荧光体的消光的包含量子点荧光体的组合物、量子点荧光体分散树脂成型体、包含量子点荧光体的结构物、发光装置、电子设备、机械装置和量子点荧光体分散树脂成型体的制造方法。
用于解决课题的方法
为了实现上述目的，本发明提供以下的发明。
［1］一种组合物，其特征在于，是以浓度0.01质量%～20质量%的范围使量子点荧光体分散在环烯烃(共)聚合物中而得的。
［2］根据前项1所述的组合物，其特征在于，上述环烯烃(共)聚合物以式(1)或式(2)表示。
这里，式(1)中的R3表示选自氢原子、碳原子数1～6的直链状或支链状的饱和烃基(烷基)、或者卤原子氯或氟、卤原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团。式(1)中的R4、R5各自独立地表示选自氢原子、碳原子数1～6的直链状或支链状的饱和烃基、或者卤原子氯或氟、卤原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团。此外，R4或R5的烃基可以在相邻取代部位相互结合而形成5～7元环的饱和烃的环状结构至少1个以上。这里，x、y为大于0且小于1的实数，具有x＋y＝1的范围。
此外，式(2)中的R1、R2各自独立地表示选自氢原子、碳原子数1～6的直链状或支链状的饱和烃基、或者卤原子氯或氟、卤原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团。此外，R1、R2的烃基可以在相邻取代部位相互结合而形成5～7元环的饱和烃的环状结构至少1个以上。这里，r为正整数。
［3］一种量子点荧光体分散树脂成型体，其特征在于，是使前项1或前项2所述的包含量子点荧光体的组合物形成成型物而得的。
［4］根据前项3所述的量子点荧光体分散树脂成型体，其特征在于，上述成型物为膜、或至少一部分具有凸状部的膜、或透镜。
［5］一种包含量子点荧光体的结构物，其特征在于，具备：前项3所述的量子点荧光体分散树脂成型体；和被覆上述量子点荧光体分散树脂成型体的一部分面或整面，降低氧气对上述量子点分散树脂成型体的透过的阻气层。
［6］根据前项5所述的包含量子点荧光体的结构物，其特征在于，上述阻气层由乙烯-乙烯醇共聚树脂或聚偏1,1-二氯乙烯的层构成，或者由在乙烯-乙烯醇共聚树脂或聚偏1,1-二氯乙烯的层的至少一面上形成有二氧化硅膜或氧化铝膜的层构成。
［7］一种发光装置，其特征在于，是将前项1或前项2所述的包含量子点荧光体的组合物用于LED芯片的密封材的至少一部分而得的。
［8］根据前项7所述的发光装置，其特征在于，将包含量子点荧光体的组合物用于LED芯片的密封材的至少一部分，该密封材的厚度为0.01mm以上且小于0.4mm。
［9］根据前项7或前项8所述的发光装置，其特征在于，在密封材的上部，还配置有前项4所述的量子点荧光体分散树脂成型体。
［10］根据前项7或前项8所述的发光装置，其特征在于，在密封材的上部，还配置有降低氧气对上述密封材的透过的阻气层。
［11］一种电子设备，其特征在于，组装有前项7～10的任一项所述的发光装置。
［12］一种机械装置，其特征在于，组装有前项11所述的电子设备。
［13］一种量子点荧光体分散树脂成型体的制造方法，其特征在于，具备下述工序：调制在溶剂中溶解有环烯烃(共)聚合物的溶液的工序；在上述溶液中，以使上述成型体中的量子点荧光体的浓度为0.01质量%～20质量%的范围的方式，使量子点荧光体分散，接着进行混炼，来制造包含量子点荧光体的组合物的工序；和将上述包含量子点荧光体的组合物涂布在基材上或填充至模具中，进行加热干燥的工序。
发明的效果
根据本发明，可以提供可以抑制量子点荧光体的消光的优异的包含量子点荧光体的组合物、量子点荧光体分散树脂成型体、发光装置、电子设备、机械装置和量子点荧光体分散树脂成型体的制造方法。
附图说明
图1为表示将实施方式1涉及的包含量子点荧光体的组合物用于密封材的至少一部分的发光装置的例子的截面图。
图2为表示使用了实施方式1涉及的量子点荧光体分散树脂成型体的发光装置的例子的截面图。
图3为表示使用了实施方式1涉及的包含量子点荧光体的组合物和量子点荧光体分散树脂成型体的发光装置的例子的截面图。
图4为实施方式2涉及的包含量子点荧光体的结构物的一例的截面图。
图5为实施方式2涉及的阻气层的一例的部分截面图。
图6为应用了实施方式2涉及的包含量子点荧光体的结构物的发光装置的一例的截面图。
图7为应用了实施方式2涉及的包含量子点荧光体的结构物的发光装置的其它例的截面图。
具体实施方式
以下，说明用于实施本发明的方式(以下，称为实施方式)。
实施方式1
实施方式1涉及的包含量子点荧光体的组合物为使量子点荧光体分散在规定的分散用树脂中的构成。作为上述分散用树脂，可以使用环烯烃(共)聚合物。
一般而言，在量子点荧光体粒子的表面，主要将(A)防止凝集等作为目的而在芯表面配位有机钝态层。此外，有机钝态层(也称为壳。)除了防止凝集以外，还具有(B)保护芯粒子不受周围的化学环境影响，(C)对表面赋予电稳定性，(D)控制在特定溶剂体系中的溶解性的作用。
此外，上述有机钝态可以根据目的来选择化学结构，可以为例如具有直链状或支链状的碳原子数6～18左右的脂肪族烃的有机分子。
在使量子点荧光体分散在分散用树脂中的情况下，根据所使用的树脂，有时会使量子点荧光体的上述有机钝态层的功能降低，具体而言，除了防止凝集以外的上述(B)、(C)的功能也不能实现。例如，如果使用环氧树脂作为分散用树脂，则有所含有的缩水甘油基或酸酐与有机钝态中所包含的氨基、羧基、巯基等反应，而从量子点荧光体粒子的表面大大打乱有机钝态层(例如，剥下该层)的可能性。此外，如果使用有机硅树脂作为分散用树脂，则有有机硅树脂中所含有的Si－H基与上述氨基、羧基、巯基等进行反应，而从量子点荧光体粒子的表面剥下有机钝态层的可能性。此外，如果使用通过自由基聚合而制造的树脂作为分散用树脂，则残留自由基与量子点荧光体粒子的表面的有机钝态层的分子链结合而打乱芯－壳结构，在极端的情况下有剥下有机钝态层或分解有机钝态的可能性。这些成为量子点荧光体粒子的凝集、或消光的原因。
因此，本发明人发现，在实施方式1中，通过使用与上述有机钝态没有反应性的(低)环烯烃(共)聚合物作为分散用树脂，在其中以浓度0.01质量%～20质量%的范围分散量子点荧光体粒子，从而可以显著地维持量子点荧光体粒子中的有机钝态的功能。另外，本说明书中，所谓“环烯烃(共)聚合物”，是指包含主链中具有脂环结构的单体单元的均聚物或共聚物。
实施方式1中使用的环烯烃(共)聚合物可以通过使环烯烃类作为单体进行聚合来获得，工业上作为环烯烃类可以使用反应性高的降冰片烯类。而且，对于环烯烃(共)聚合物，最近石油分解油的C5馏分中所富含的二环戊二烯(DCP)也可以作为原料使用(参考文献；『非晶质シクロオレフィンポリマー』小原著，次世代高分子设计(编集；远藤刚，增田俊夫，西久保忠臣)，p221，アイ·ピー·シー出版，)。
作为实施方式1中所使用的树脂，优选可举出例如下述结构式(1)、式(2)所示的树脂。
这里，结构式(1)中的R3表示选自氢原子、碳原子数1～6的直链状或支链状的饱和烃基(烷基)、或者卤原子氯或氟、卤原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团。作为R3，可举出例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、2-甲基丙基、正庚基、正己基。其中，R3优选为甲基或2甲基丙基。
结构式(1)中的R4、R5各自独立地表示选自氢原子、碳原子数1～6的直链状或支链状的饱和烃基、或者卤原子氯或氟、卤原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团。此外，R4或R5的烃基可以在相邻取代部位相互结合而形成5～7元环的饱和烃的环状结构至少1个以上，可举出例如，形成环烷或降冰片烷的环状结构至少1个以上。这里，x、y为大于0且小于1的实数，从x＋y＝1的范围中选择。
结构式(1)所示的环烯烃共聚物(以后，称为COC型。)，例如通过将降冰片烯类作为原料，利用金属茂催化剂等与乙烯等进行共聚来获得。作为该COC型聚合物，可以使用例如三井化学株式会社制APL5014DP(化学结构；-(C2H4)x(C12H16)y-；下标x、y为大于0且小于1的实数，表示共聚比)等。
此外，结构式(2)中的R1、R2各自独立地表示选自氢原子、碳原子数1～6的直链状或支链状的饱和烃基、或者卤原子氯或氟、卤原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团。此外，R1、R2的烃基可以在相邻取代部位相互结合而形成5～7元环的饱和烃的环状结构至少1个以上，可举出例如，形成环烷或降冰片烷的环状结构至少1个以上。这里，r为正整数。
此外，结构式(2)所示的环烯烃(共)聚合物(以后，称为COP型。)，例如通过将降冰片烯类作为原料，进行利用了格拉布(Grubbs)催化剂等的开环易位聚合后，进行氢化来获得。此外，上述式中的r表示环烯烃单体单元的重复数。作为该COP型聚合物，可以使用例如日本ゼオン株式会社制ZEONEX480R等。
这样的非晶质环烯烃聚合物可制造为具有从各种环烯烃单体单元中选择的1种结构单元的均聚物或具有至少2种环烯烃单体单元的共聚物(树脂)。例如，作为COP型聚合物的代表性的结构式，可举出以下的结构单元A～结构单元E。还可以将它们组合，获得例如包含40质量%结构单元C和60质量%结构单元E的共聚物。
以上所述的树脂(环烯烃(共)聚合物)由于在分子中不存在与上述有机钝态反应的官能团、残留自由基，因此没有有机钝态层从量子点荧光体粒子的表面的扰乱或剥下，也没有分解有机钝态。此外，这些树脂中的量子点荧光体的分散性高，可以使量子点荧光体均匀地分散。
在树脂中分散量子点荧光体的方法没有特别限定，但优选为在非活性气体气氛下将树脂溶解在溶剂而得的溶液中，在非活性气体气氛下添加将在分散介质中分散有量子点荧光体的分散液并进行混炼。此时所使用的分散介质优选为溶解树脂的溶剂，更优选分散介质与溶剂相同。具体而言，甲苯为适合的。此外，作为以上工序中所使用的非活性气体，可举出氦气、氩气、氮气，可以将它们单独使用，也可以以任意的比例混合使用。
另外，实施方式1中适用的量子点荧光体，是指其粒径为1nm～100nm，在几十nm以下的情况下，表现量子效果的荧光体。量子点荧光体的粒径进一步优选在2～20nm的范围内。
量子点荧光体的结构由无机荧光体芯和配位于该无机荧光体表面上的封端层(具有烃基的有机钝态层)构成，无机荧光体的芯部(金属部)通过有机钝态层来被覆。
(无机荧光体)
作为无机荧光体，可举出例如，II族－VI族化合物半导体的纳米结晶、III族－V族化合物半导体的纳米结晶等。这些纳米结晶的形态没有特别限定，可举出例如，具有在InP纳米结晶的芯部分被覆有由ZnS/ZnO等形成的壳部分的芯－壳(core－shell)结构的结晶；或具有芯－壳的界限不明确而组成梯度(gradient)地变化的结构的结晶；或在同一结晶内2种以上化合物结晶被部分地分开存在的混合结晶或2种以上纳米结晶化合物的合金等。
作为化合物半导体的具体例，在二元体系中，作为II族－VI族化合物半导体，可举出CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、或HgTe等。此外，作为III族－V族化合物半导体，可举出GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP、或InAs等。
作为化合物半导体的更详细的具体例，由选自周期表的第2族中的元素(第1元素)与选自周期表的第16族中的元素(第2元素)形成，可举出例如，MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe、或BaTe。此外，可以为由上述元素形成的三元体系或四元体系的化合物半导体，也可以包含掺杂元素。
此外，作为化合物半导体的更详细的具体例，由选自周期表的第12族中的元素(第1元素)与选自周期表的第16族中的元素(第2元素)形成，可举出例如，ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、或HgTe。此外，可以为由上述元素形成的三元体系或四元体系的化合物半导体，也可以包含掺杂元素。
此外，作为化合物半导体的更详细的具体例，由选自周期表的第12族中的元素(第1元素)与选自周期表的第15族中的元素(第2元素)形成，可举出例如，Zn3P2、Zn3As2、Cd3P2、Cd3As2、Cd3N2、或Zn3N2。此外，可以为由上述元素形成的三元体系或四元体系的化合物半导体，也可以包含掺杂元素。
此外，作为化合物半导体的更详细的具体例，由选自周期表的第13族中的元素(第1元素)与选自周期表的第15族中的元素(第2元素)形成，可举出例如，BP、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN、或BN。此外，可以为由上述元素形成的三元体系或四元体系的化合物半导体，也可以包含掺杂元素。
此外，作为化合物半导体的更详细的具体例，由选自周期表的第13族中的元素(第1元素)与选自周期表的第14族中的元素(第2元素)形成，可举出例如，B4C3、Al4C3、Ga4C3。此外，可以为由上述元素形成的三元体系或四元体系的化合物半导体，也可以包含掺杂元素。
此外，作为化合物半导体的更详细的具体例，由选自周期表的第13族中的元素(第1元素)与选自周期表的第16族的元素(第2元素)形成，可举出例如，Al2S3、Al2Se3、Al2Te3、Ga2S3、Ga2Se3、Ga2Te3、GaTe、In2S3、In2Se3、In2Te3、或InTe。此外，可以为由上述元素形成的三元体系或四元体系的化合物半导体，也可以包含掺杂元素。
此外，作为化合物半导体的更详细的具体例，由选自周期表的第14族中的元素(第1元素)与选自周期表的第16族中的元素(第2元素)形成，可举出例如，PbS、PbSe、PbTe、SnS、SnSe、或SnTe。此外，可以为由上述元素形成的三元体系或四元体系的化合物半导体，也可以包含掺杂元素。
在本发明中，可以为由选自周期表的过渡金属中的任意族中的元素(第1元素)与选自周期表的d－区元素的任意族中的元素(第2元素)形成的纳米粒子材料，纳米粒子材料包含NiS、CrS、或CuInS2，但不限于此。
此外，三元体系(三元相)的无机荧光体为包含选自上述那样的族中的3种元素的组合物，例如，可以以(ZnxCdx－1S)mLn纳米结晶(L为封端剂)表示。此外，四元体系(四元相)的无机荧光体为包含选自上述那样的族中的4种元素的组合物，例如，可以以(ZnxCdx－1SySey－1)mLn纳米结晶(L为封端剂)表示。
作为这些三元体系、四元体系，可举出CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、GaNP、GaNAs、GaPAs、AlNP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs、或InAlPAs等。
实施方式1中使用的无机荧光体的调制方法没有特别限定，可举出例如，通过使用金属前体的化学湿式方法进行的调制方法，具体而言，可以在存在分散剂或不存在分散剂的条件下，将规定的金属前体添加至有机溶剂中在一定的温度下使结晶生长的方法来进行制造。
(封端剂)
接下来，作为配位于无机荧光体表面的封端剂(用于形成有机钝态层的试剂)，可举出具有碳原子数2～碳原子数30、优选为碳原子数4～碳原子数20、进一步优选为碳原子数6～碳原子数18的具有直链结构或支链结构的脂肪族烃基的有机分子。
配位于无机荧光体表面的封端剂(用于形成有机钝态层的试剂)具有用于与无机荧光体配位的官能团。作为这样的官能团，可举出例如，羧基、氨基、酰胺基、腈基、羟基、醚基、羰基、磺酰基、膦酰基或巯基等。其中，优选为羧基。
另外，封端剂中，除了用于与无机荧光体配位的官能团以外，有时在烃基的中间或末端还具有官能团。作为这样的官能团，可举出例如，腈基、羧基、卤基、卤代烷基、氨基、芳香族烃基、烷氧基、或碳－碳双键等。
实施方式1的包含量子点荧光体的组合物中，以0.01质量%～20质量%的浓度范围在环烯烃(共)聚合物中均匀分散有量子点荧光体。此外，实施方式1的包含量子点荧光体的组合物中，可以以优选为超过0.1质量%且小于15质量%、进一步优选为超过1质量%且小于10质量%的浓度范围在环烯烃(共)聚合物中均匀分散有量子点荧光体。
在量子点荧光体的浓度小于0.01质量%的情况下，作为发光元件用的量子点荧光体分散树脂成型体，得不到充分的发光强度，因此不优选。另一方面，在量子点荧光体的浓度超过20质量%的情况下，有引起量子点荧光体凝集的可能性，得不到均匀分散的量子点荧光体分散树脂成型体，因此不优选。
(量子点荧光体的调制方法)
关于实施方式1中使用的量子点荧光体，使用可获得所期望的化合物半导体的纳米结晶的金属前体而制造纳米结晶后，接着，将其进一步分散在有机溶剂中。
而且，通过将纳米结晶利用规定的反应性化合物进行处理，从而可以调制具有烃基配位于无机荧光体表面的结构的量子点荧光体。
处理方法没有特别限制，可举出例如，使纳米结晶的分散液在反应性化合物的存在下进行回流的方法。
在本实施方式中使用的量子点荧光体中，构成被覆无机荧光体(芯部)表面的有机钝态层的烃基的量没有特别限定，通常，可以相对于无机荧光体1粒子(芯)，烃基的烃链为2摩尔～500摩尔、优选为10摩尔～400摩尔、进一步优选为20摩尔～300摩尔的范围。在烃链小于2摩尔的情况下，不能赋予作为有机钝态层的功能，例如荧光体粒子易于凝集。另一方面，在烃链超过500摩尔的情况下，有不仅使来自芯部的发光强度降低，而且存在不能配位于无机荧光体的过剩烃基，易于引起液态密封树脂的性能降低的倾向。此外，量子点的成本上升。
此外，可以将实施方式1涉及的包含量子点荧光体的组合物成型为成型物，制成量子点荧光体分散树脂成型体。该成型物作为吸收从光源照射的光的至少一部分，从成型物中所包含的量子点荧光体发出2次光的成型物而起到有效的作用。作为包含量子点荧光体的组合物的成型方法，有例如将该组合物涂布在基材上或填充至模具中后，在上述非活性气体气氛下通过加热干燥来除去溶剂，根据需要从基材或模具剥离的方法等。此外，还可以将包含量子点荧光体的组合物作为密封LED芯片的密封材使用。
即，作为量子点荧光体分散树脂成型体的制造方法，其特征在于，具备下述工序：调制在溶剂中溶解有环烯烃(共)聚合物的溶液的工序；在上述溶液中，以使上述成型体中的量子点荧光体的浓度为0.01质量%～20质量%的范围的方式，使量子点荧光体分散，接着进行混炼，来制造包含量子点荧光体的组合物的工序；将上述包含量子点荧光体的组合物涂布在基材上或填充至模具中，进行加热干燥的工序。在本发明中，上述溶剂和分散介质可以没有限制地使用，优选可以使用甲苯、二甲苯(邻、间或对)、乙苯、四氢化萘等烃系溶剂。此外，还可以使用氯苯、二氯苯(邻、间或对)、三氯苯等氯系烃溶剂。
可以通过上述加热干燥等来制造量子点荧光体分散树脂成型体，或进一步随后通过加压成型来制造树脂透镜、树脂板和树脂膜等。
此外，以上所述的量子点荧光体分散树脂组合物或其成型体还可以适用于例如植物培育用照明、有色照明、白色照明、LED背光光源、加入荧光体的液晶滤波器、含有荧光体的树脂板、生发设备用光源、通信用光源等。
图1中显示将实施方式1涉及的包含量子点荧光体的组合物用于密封材的至少一部分的发光装置的例子的截面图。图1中，发光装置100包含LED芯片10、引线电极12、杯14、密封材16、17而构成。根据需要，在发光装置100的上部配置有树脂透镜20。
上述杯14可以通过适宜的树脂或陶瓷而形成。此外，上述LED芯片10不受限定，可以使用与量子点荧光体协作而构成适宜波长的光源的发光二极管。此外，密封材16可以由分散有量子点荧光体18的上述包含量子点荧光体的组合物形成。由此，可以形成例如使用来自LED芯片10的发光而从密封材16发出白色光的白色光源等。此外，密封材17密封LED、引线线等，通过环氧树脂或有机硅树脂等作为LED的密封树脂通常所使用的树脂来构成。这些密封材16和密封材17的制造可以如下实施：在氩气气氛下，首先在杯14内注入规定量的环氧树脂或有机硅树脂等，通过公知的方法进行固化而形成密封材17，然后在密封材17上注入包含量子点荧光体的组合物，进行加热干燥，从而形成密封材16。
此外，可以在收容于杯14的密封材16的上方，配置通过上述量子点荧光体分散树脂成型体而形成的透镜状的树脂(树脂透镜20)、或至少其一部分具有凸状部的膜或具有均匀的膜厚的膜，从而形成从树脂透镜20放射光的构成。在该情况下，可以不使量子点荧光体18分散在密封材16中。另外，将包含量子点荧光体的组合物用于LED芯片的密封材的至少一部分的情况下的、该密封材16的厚度优选为0.01mm以上且小于0.4mm。在该密封材16的厚度超过0.4mm的情况下，虽然也依赖于杯14的凹部内的深度，但将该密封材16密封于杯14的凹部内时对与引线电极12连接的线带来过大的负荷，因此不优选。此外，在将包含量子点荧光体的组合物用于LED芯片的密封材的至少一部分的情况下的、该密封材16的厚度如果小于0.01mm，则作为包含荧光体的密封材是不充分的。
在密封材16中不分散量子点荧光体18的情况下，优选配置通过量子点荧光体分散树脂成型体而形成的透镜状的树脂20(树脂透镜20)。
图2中显示使用了实施方式1涉及的量子点荧光体分散树脂成型体的发光装置的例子的截面图，对与图1相同要素附上相同符号。图2为未将实施方式1涉及的包含量子点荧光体的组合物使用于密封材的发光装置的例子。在该情况下，透镜状的树脂(树脂透镜20)由量子点荧光体分散树脂成型体来形成，该量子点荧光体分散树脂成型体是将使量子点荧光体18以浓度0.01质量%～20质量%的范围分散于环烯烃(共)聚合物而得的组合物成型而成的。
图3中显示使用了实施方式1涉及的包含量子点荧光体的组合物和量子点荧光体分散树脂成型体的发光装置的例子的截面图，对与图1相同要素附上相同符号。图3为将实施方式1涉及的包含量子点荧光体的组合物用于密封材的一部分，并在其上部配置由量子点荧光体分散树脂成型体形成的树脂透镜20的发光装置的例子。在该情况下，所有的树脂都是使量子点荧光体18以浓度0.01质量%～20质量%的范围分散于环烯烃(共)聚合物而形成。
此外，上述图1、图2和图3所示的发光装置可以抑制量子点荧光体的消光，作为发光装置可以维持稳定的动作，因此组装有该发光装置的便携电话、显示器、面板类等电子设备、组装有该电子设备的汽车、计算机、游戏机等机械装置类能够实现长时间稳定的驱动。
实施方式2
图4中显示实施方式2涉及的包含量子点荧光体的结构物的一例的截面图。图4中，包含量子点荧光体的结构物包含：量子点荧光体18以浓度0.01质量%～20质量%的范围分散于分散用树脂中的量子点荧光体分散树脂成型体22、被覆量子点荧光体分散树脂成型体22的整面并降低氧气等对量子点荧光体分散树脂成型体22的透过的阻气层24而构成。另外，在其它实施方式中，阻气层24可以被覆量子点荧光体分散树脂成型体22的表面的一部分而构成(参照图6、图7)。此外，上述阻气层24除了氧气以外，优选可以降低水蒸气的透过。这里，所谓阻气层24，是指在包含量子点荧光体的结构物的附近，可以以使发光二极管(LED)2000小时连续发光的情况下的量子点荧光体18的光谱辐射能可以维持初期值的70%以上的程度，保护量子点荧光体18不受氧气等影响的层。另外，上述光谱辐射能为量子点荧光体的荧光波长下的辐射能。
构成上述量子点荧光体分散树脂成型体22的分散用树脂中，可以使用例如实施方式1中说明的环烯烃(共)聚合物。此外，作为量子点荧光体分散树脂成型体22的制造方法，可以适用实施方式1中所说明的量子点荧光体分散树脂成型体的制造方法。
此外，作为上述阻气层24，由例如乙烯-乙烯醇共聚树脂或聚偏1,1-二氯乙烯的层构成，或者可以由在乙烯-乙烯醇共聚树脂或聚偏1,1-二氯乙烯的层的至少一面上形成有二氧化硅膜或氧化铝膜的层构成。这些材料都由于阻气性高，因此通过使用它们而构成阻气层24，可以保护量子点荧光体18不受氧气等影响。
另外，构成以上的量子点荧光体分散树脂成型体22和阻气层24的各树脂都具有光透过性，可以将发光二极管所产生的光透过到量子点荧光体18，以及将被量子点荧光体18变换了波长的光透过到量子点荧光体分散树脂成型体22的外部。
上述阻气层24中使用的乙烯-乙烯醇共聚树脂以下述结构式表示。
上述乙烯-乙烯醇共聚树脂可以采用公知的方法进行制造，例如将乙烯与乙酸乙烯酯等乙烯基酯作为原料，在醇类等溶剂中利用偶氮腈系引发剂或有机过氧化物系引发剂等进行共聚，制造乙烯-乙烯基酯共聚物，接着添加碱性催化剂，将上述共聚物中的乙烯基酯成分进行皂化来获得。此外，上述式中的m、n为大于0且小于1的实数，表示各重复单元在聚合物中的共聚比率(m为乙烯醇，n为乙烯)。这里，m＋n＝1。另外，乙烯-乙烯醇共聚树脂的乙烯的共聚比率为20～35mol%，从确保本实施例所必要的阻气性方面出发是适合的。
此外，上述阻气层24中所使用的聚偏1,1-二氯乙烯以下述结构式表示，但还可以使用少量的与氯乙烯等共聚而成的物质。
上述聚偏1,1-二氯乙烯可以采用公知的方法来制造，例如可以对1,2－二氯乙烷，采用使用了氢氧化钙或氢氧化钠的脱盐酸反应来获得单体，精制后在其中一边添加乳化剂一边进行聚合来制造。此外，上述式中的q为正整数，表示单体单元的重复数。
通过以上所述的各树脂，可以构成实施方式2涉及的阻气层24。另外，阻气层24中，可以如后述的图5所示那样，在表面的至少一面，通过蒸镀来形成二氧化硅膜或氧化铝膜。这是因为通过形成二氧化硅膜或氧化铝膜，可以进一步降低氧气等的透过率。
另外，实施方式2中适用的量子点荧光体可以使用与实施方式1相同的物质。
图5中显示阻气层24的一例的部分截面图。图5中，在阻气层24上，通过二氧化硅或氧化铝的蒸镀而形成有辅助膜26。这里，作为蒸镀方法，可以采用例如原子层沉积法等以往公知的方法。另外，图5中，在阻气层24的一面(在图中为上面)形成有辅助膜26，但也可以在两面(图的上下面)形成辅助膜26。
关于以上所述的阻气层24的厚度，0.5nm～20μm的范围是适合的。其原因是，如果薄于0.5nm，则不能充分地获得阻气性，此外如果厚于20μm，则从LED放出的光的取出效率受到损害。
此外，关于辅助膜26的厚度，10nm～20nm的范围是适合的。其原因是，如果薄于10nm，则得不到充分的机械强度，如果厚于20nm，则显著地表现折射率的影响，使光的取出效率降低。
图6中显示应用了实施方式2涉及的包含量子点荧光体的结构物的发光装置的一例的截面图。图6中，发光装置100包含LED芯片10、引线电极12、杯14、分散有量子点荧光体18的密封材16、未分散量子点荧光体18的密封材17和阻气层24而构成。图6的例子中，作为杯14的盖，使用了上述阻气层24。此外，密封材16通过实施方式1中所说明的由包含量子点荧光体的组合物成型而成的上述量子点荧光体分散树脂成型体22构成。上述密封材16和密封材17可以与图1的情况同样地操作来制造。在这些构成要素中，量子点荧光体18、量子点荧光体分散树脂成型体22、阻气层24如上所述。
上述LED芯片10没有限定，但可以使用与量子点荧光体协作而构成适宜波长的光源的发光二极管。此外，杯14可以通过适宜的树脂或陶瓷而形成。此外，密封材17通过环氧树脂或有机硅树脂等而形成，并密封LED芯片10、引线电极12等。
在图6所示的构成中，杯14的盖由阻气层24形成，被覆密封材16的图中的上面。由此，可以避免或降低氧气等渗透至分散于密封材16中的量子点荧光体18。
此外，阻气层24由上述光透过性树脂构成，因此来自LED芯片10的光由分散在密封材16中的量子点荧光体18变换为白色光等，然后从阻气层24取出至外部。
图7中显示应用了实施方式2涉及的包含量子点荧光体的结构物的发光装置的其它例的截面图，对与图6相同要素附上相同符号。图7的例子中，杯14的表面(包含图6的盖的部分)与在杯14之外露出的引线电极12的表面被阻气层24被覆。另外，引线电极12的表面，其一部分不被阻气层24被覆而露出。这是因为，例如在与安装基板上的电源供给通路之间取得电导通。
在本例中，也是阻气层24被覆密封材16的图中的上面。由此，可以避免或降低氧气等渗透至分散于密封材16中的量子点荧光体18。
此外，来自LED芯片10的光的一部分由分散于密封材16中的量子点荧光体18变换为其它波长的光后，与来自LED芯片10的光混合，透过阻气层24而取出至外部。
上述图4中说明的包含量子点荧光体的结构物可以适用于例如植物培育用照明、有色照明、白色照明、LED背光光源、加入荧光体的液晶滤波器、含有荧光体的树脂板、生发设备用光源、通信用光源等。
此外，上述图6、图7所示的发光装置可以延长量子点的寿命，作为发光装置可以维持长时间稳定的动作，因此组装有该发光装置的便携电话、显示器、面板类等电子设备、组装有该电子设备的汽车、计算机、游戏机等机械装置类能够实现长时间稳定的驱动。
实施例
以下，以实施例的方式说明本发明的具体例，但本发明不限定于以下实施例。
实施例中，量子效率和光谱辐射能通过大塚电子制量子效率测定装置QE－1000来进行测定。另外，上述光谱辐射能为本实施例中所使用的量子点荧光体在荧光波长下的辐射能。
实施例1
在50mL玻璃制螺口瓶中，在氩气气氛下，加入COP型的环烯烃聚合物(日本ゼオン株式会社制，ZEONEX480R；包含结构式(2)的非晶质树脂)5g、和真空冷冻脱气后在氩气气氛下保存的脱水甲苯(和光纯药工业株式会社制)5g，在室温下在滚筒式搅拌机上进行搅拌，使其溶解，获得树脂溶液ZT50－1。
在所得的树脂溶液ZT50－1中，在氩气气氛下添加调制成82mg/ml的量子点荧光体的甲苯分散液3.05g。这里作为量子点荧光体的分子结构，使用具有芯-壳结构，芯为InP，壳为ZnS，采用肉豆蔻酸作为封端剂的纳米粒子，并且芯的直径为2.1nm。然后，使用株式会社シンキー社制自转公转式搅拌装置ARV310－LED进行充分地混炼，获得相对于环烯烃聚合物含有5质量%量子点荧光体的分散液(包含量子点荧光体的组合物)Q5ZT50－1。将该分散液注入至置于聚甲基戊烯制培养皿上的有机硅环(外径55mm×内径50mm×厚1mm)的内侧。直接在氩气气氛下进行风干，获得板状的成型物后，在使氮气流通了的惰性烘箱中，在40℃的温度干燥5小时，从而使溶剂完全除去，获得量子点荧光体分散树脂成型体ZSQ－1。
接下来，为了保护量子点荧光体不受大气影响，在上述量子点荧光体分散树脂成型体ZSQ－1的表面使包含5质量%サランレジンF310(旭化成ケミカル株式会社制，主成分：聚偏1,1-二氯乙烯)的乙酸乙酯溶液涂布、干燥，从而形成阻气层，获得包含量子点荧光体的结构物AZSQ－1。阻气层的厚度为17μm。使用大塚电子(株)制量子效率测定装置QE－1000，测定该AZSQ－1的量子效率，结果为74%。该值为不逊色于以原来的量子点荧光体甲苯分散液进行了同样测定的情况下获得的量子效率80%的结果。将结果示于表1中。
此外，将AZSQ－1配置于22mW、450nm的蓝色LED封装上，使其在大气下2000小时连续地发光。LED的发光初期的量子点荧光体的光谱辐射能为0.42(mW/nm)，与此相对，经过2000小时后的光谱辐射能为0.38(mW/nm)。因此，经过2000小时后的光谱辐射能相对于初期的值保持90%这样的高值。将结果示于表1中。
实施例2
使用加热至180℃的压制机，对由实施例1获得的量子点荧光体分散树脂成型体ZSQ－1以20MPa的压制压力进行加工，获得保持100μm的厚度的包含量子点荧光体的树脂膜FZSQ－1。
接下来，为了保护量子点荧光体不受大气影响，使包含5质量%サランレジンF310(旭化成ケミカル株式会社制)的乙酸乙酯溶液在包含上述量子点荧光体的膜FZSQ－1的表面上涂布、干燥，获得形成有阻气层的包含量子点荧光体的结构物AFZSQ－1。阻气层的厚度为10μm。
关于上述结构物AFZSQ－1，实施与实施例1同样的测定，结果显示量子效率为76%，是良好的值。将结果示于表1中。此外，关于结构物AFZSQ－1，与实施例1同样地操作而测定的发光初期的光谱辐射能为0.39(mW/nm)，经过2000小时后的光谱辐射能为0.35(mW/nm)。因此，经过2000小时后的光谱辐射能相对于初期的值保持90%这样的高值。将结果示于表1中。
实施例3
在氩气气氛下，在安装有22mW、450nm的蓝色LED的杯内，使用移液管注入2.0μL由实施例1获得的Q5ZT50－1，风干2小时，然后在保持在40℃的电热板上保持5小时，制作出LED封装。接下来，与实施例2同样地操作，在密封材的表面形成阻气层。阻气层的厚度为20μm。
在大气下向上述LED封装流通20mA的电流，使其2000小时连续地发光。LED的发光初期的量子点荧光体的光谱辐射能为0.41(mW/nm)，与此相对，经过2000小时后的光谱辐射能为0.34(mW/nm)。因此，经过2000小时后的光谱辐射能保持初期值的83%。将结果示于表1中。
实施例4
将实施例1中记载的ZEONEX480R替换为三井化学社制的アペル树脂(编号L5014DP，包含结构式(1)的树脂)，除此以外，与实施例1同样地实施，获得量子点荧光体分散树脂成型体ZSQ－2。
接下来，为了保护量子点荧光体不受大气影响，与实施例1同样地操作，在上述量子点荧光体分散树脂成型体ZSQ－2的表面形成阻气层，获得包含量子点荧光体的结构物AZSQ－2。采用公知的方法测定该AZSQ－2的量子效率，结果为75%。而且，将该包含量子点荧光体的结构物AZSQ－1配置于22mW、450nm的蓝色LED封装上，使其在大气下2000小时连续地发光。LED的发光初期的量子点荧光体的光谱辐射能为0.43(mW/nm)，与此相对，经过2000小时后的光谱辐射能为0.39(mW/nm)。因此，经过2000小时后的光谱辐射能相对于初期的值保持90%这样的高值。将结果示于表1中。
实施例5
将实施例1中记载的COP中的量子点含有浓度(质量%)替换为20质量%，除此以外，与实施例1同样地实施，获得量子点荧光体分散树脂成型体ZSQ－3。
接下来，与实施例4同样地操作，在量子点荧光体分散树脂成型体ZSQ－3的表面形成阻气层，获得包含量子点荧光体的结构物AZSQ－3。采用公知的方法测定该AZSQ－1的量子效率，结果为74%。而且，将该包含量子点荧光体的结构物AZSQ－3配置于22mW、450nm的蓝色LED封装上，使其在大气下2000小时连续地发光。LED的发光初期的量子点荧光体的光谱辐射能为0.70(mW/nm)，与此相对，经过2000小时后的光谱辐射能为0.63(mW/nm)。因此，经过2000小时后的光谱辐射能相对于初期的值保持90%这样的高值。将结果示于表1中。
实施例6
将实施例1中记载的COP中的量子点含有浓度(质量%)替换为0.01质量%，除此以外，与实施例1同样地实施，获得量子点荧光体分散树脂成型体ZSQ－4。
接下来，与实施例4同样地操作，在量子点荧光体分散树脂成型体ZSQ－4的表面形成阻气层，获得包含量子点荧光体的结构物AZSQ－4。采用公知的方法测定该AZSQ－1的量子效率，结果为75%。而且，将该包含量子点荧光体的结构物AZSQ－4配置于22mW、450nm的蓝色LED封装上，使其在大气下2000小时连续地发光。LED的发光初期的量子点荧光体的光谱辐射能为0.13(mW/nm)，与此相对，经过2000小时后的光谱辐射能为0.12(mW/nm)。因此，经过2000小时后的光谱辐射能相对于初期的值保持90%这样的高值。将结果示于表1中。
实施例7～9
使用エバールM100B(株式会社クラレ制，乙烯-乙烯醇共聚树脂，乙烯共聚比率24mol%)形成阻气层，除此以外，实施与实施例1～3同样的操作。阻气层的厚度为20μm。
在实施例7、实施例8中测定量子效率，实施例7为75%，实施例8为72%，为良好的结果。将结果示于表1中。此外，实施例8中，将所形成的AFZSQ－5配置于22mW、450nm的蓝色LED封装上，使其在大气下2000小时连续地发光。此外，实施例9中，在大气下向LED封装流通20mA的电流，使其2000小时连续地发光。LED的发光初期的量子点荧光体的光谱辐射能，在实施例8中为0.43(mW/nm)，在实施例9中为0.46(mW/nm)，与此相对，经过2000小时后的光谱辐射能，在实施例8中为0.37(mW/nm)，在实施例9中为0.36(mW/nm)。因此，经过2000小时后的光谱辐射能相对于初期的值，实施例8中保持86%这样的高值，实施例9中保持78%这样的高值。将结果示于表1中。
实施例10～12
在由实施例1～3分别获得的形成于AZSQ－1、AFZSQ－1和LED封装的阻气层的表面上，通过原子层沉积法形成20nm的二氧化硅层，实施同样的测定。
在实施例10、实施例11中测定量子效率，实施例10为73%，实施例11为76%，为良好的结果。将结果示于表1中。此外，实施例11中，使蓝色LED在大气下2000小时连续地发光。此外，实施例12中，在大气下向LED封装流通20mA的电流，使其2000小时连续地发光。LED的发光初期的量子点荧光体的光谱辐射能在实施例11中为0.39(mW/nm)，在实施例12中为0.46(mW/nm)，与此相对，经过2000小时后的光谱辐射能在实施例11中为0.36(mW/nm)，在实施例12中为0.45(mW/nm)。因此，经过2000小时后的光谱辐射能相对于初期的值，在实施例11中保持92%这样的高值，在实施例12中保持98%这样的高值。将结果示于表1中。
实施例13～15
在由实施例7～9获得的各个阻气层的表面，与实施例10～12同样地操作，通过原子层沉积法形成20nm的二氧化硅层，实施同样的测定。
在实施例13、实施例14中测定量子效率，实施例13为73%，实施例14为74%，为良好的结果。将结果示于表1中。此外，实施例14中，使蓝色LED在大气下2000小时连续地发光。此外，实施例15中，在大气下向LED封装流通20mA的电流，使其2000小时连续地发光。LED的发光初期的量子点荧光体的光谱辐射能在实施例14中为0.41(mW/nm)，在实施例15中为0.44(mW/nm)，与此相对，经过2000小时后的光谱辐射能在实施例14中为0.37(mW/nm)，在实施例15中为0.39(mW/nm)。因此，经过2000小时后的光谱辐射能相对于初期的值，在实施例14中保持90%这样的高值，在实施例15中保持89%这样的高值。将结果示于表1中。
比较例1
在50mL舒仑克管中在氩气气氛下，采取调制成82mg/ml的量子点荧光体的甲苯分散液3.05g。这里作为量子点荧光体的分子结构，使用具有芯壳结构，芯为InP，壳为ZnS的纳米粒子，并且芯的直径为2.1nm。通过进行真空干燥来除去甲苯后，在氩气气氛下添加SCR1011A 2.5(g)和SCR1011B2.5(g)(都为双组分型的热固化型有机硅树脂，信越化学株式会社制)，良好地混合，获得相对于上述热固化型有机硅树脂含有5质量%量子点荧光体的树脂溶液SiQD。将这里所得的树脂溶液SiQD在氩气气氛下，使用移液管注入2.0μL到安装有22mW、450nm的蓝色LED的杯内。然后在保持在70℃的电热板上保持1小时，然后使电热板的温度为120℃，进行5小时加热，从而制作出LED封装。接下来，与实施例2同样地操作，在密封材的表面形成阻气层。阻气层的厚度为20μm。
在大气下向上述LED封装流通20mA的电流，使其2000小时连续地发光。LED的发光初期的量子点荧光体的光谱辐射能为0.37(mW/nm)，与此相对，经过2000小时后的光谱辐射能为0.02(mW/nm)。因此，2000小时后的荧光强度为初期值的5%，大幅度降低了。将结果示于表2中。
比较例2
将实施例4中记载的量子点含有浓度(质量%)替换为0.008质量%，除此以外，与实施例4同样地实施，获得量子点荧光体分散树脂成型体。
接下来，与实施例4同样地操作，在量子点荧光体分散树脂成型体的表面形成阻气层，获得包含量子点荧光体的结构物。采用公知的方法测定该包含量子点荧光体的结构物的量子效率，结果为75%。而且，将该包含量子点荧光体的结构物配置在22mW、450nm的蓝色LED封装上，使其在大气下2000小时连续地发光。LED的发光初期的量子点荧光体的光谱辐射能为0.09(mW/nm)，与此相对，经过2000小时后的光谱辐射能为测定限度以下。将结果示于表2中。
比较例3
将实施例4中记载的量子点含有浓度(质量%)替换为23质量%，除此以外，与实施例4同样地实施，获得量子点荧光体分散树脂成型体。
接下来，与实施例4同样地操作，在量子点荧光体分散树脂成型体的表面形成阻气层，获得包含量子点荧光体的结构物。采用公知的方法测定该包含量子点荧光体的结构物的量子效率，结果为74%。而且，将该包含量子点荧光体的结构物配置于22mW、450nm的蓝色LED封装上，使其在大气下2000小时连续地发光。LED的发光初期的量子点荧光体的光谱辐射能为0.81(mW/nm)，与此相对，经过2000小时后的光谱辐射能为0.40(mW/nm)。因此，经过2000小时后的光谱辐射能相对于初期的值显示为49%，是低的值。此外，观测到量子点的荧光体的凝集。将结果示于表2中。
比较例4
在密封材的表面上，代替阻气层而形成PET膜的层，除此以外，采用与实施例3同样的操作，制作出LED封装。另外，PET膜中，没有与上述各实施例中的阻气层同等程度的阻气性(阻气性低)。
在大气下向上述LED封装流通20mA的电流，使其2000小时连续地发光。LED的发光初期的量子点荧光体的光谱辐射能为0.23(mW/nm)，与此相对，经过2000小时后的光谱辐射能为0.02(mW/nm)。因此，2000小时后的光谱辐射能降低至初期值的9%。将结果示于表2中。另外，本比较例4中，LED的发光初期的量子点荧光体的光谱辐射能也小于各实施例。这是因为，由于不存在与各实施例的阻气层对应的层(PET膜的阻气性不充分)，因此由于氧气等而在短时间内量子点荧光体劣化了。
[表1]
[表2]
实施例1～6中，使LED2000小时连续地发光情况下的量子点荧光体的光谱辐射能相对于初期的值为80%以上，与比较例1～3相比，为高值。由该结果可知，通过使量子点荧光体以浓度0.01质量%～20质量%的范围分散在作为热塑性树脂的环烯烃(共)聚合物中，从而可以抑制量子点荧光体的消光。
此外，实施例1～15中，2000小时连续地发光情况下的光谱辐射能相对于初期的值为70%以上，与比较例4相比，为高值。由该结果可知，通过使量子点荧光体分散在作为热塑性树脂的环烯烃(共)聚合物中，并形成阻气层，从而可以使量子点荧光体的寿命延长。
符号的说明
10 LED芯片，12 引线电极，14 杯，16、17 密封材，18 量子点荧光体，20 树脂透镜，22 量子点荧光体分散树脂成型体，24 阻气层，26 辅助膜，100 发光装置。

Claims (12)

1.一种量子点荧光体分散树脂成型体，其特征在于，是使以浓度0.01质量％～20质量％的范围使量子点荧光体分散在环烯烃(共)聚合物中而得的组合物形成成型物而得的，
所述环烯烃(共)聚合物以式(1)或式(2)表示，
这里，式(1)中的R3表示选自氢原子、碳原子数1～6的直链状或支链状的饱和烃基(烷基)、或者卤原子氯或氟、卤原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团，式(1)中的R4、R5各自独立地表示选自氢原子、碳原子数1～6的直链状或支链状的饱和烃基、或者卤原子氯或氟、卤原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团，此外，R4或R5的烃基可以在相邻取代部位相互结合而形成5～7元环的饱和烃的环状结构至少1个以上，这里，x、y为大于0且小于1的实数，具有x+y＝1的范围，
此外，式(2)中的R1、R2各自独立地表示选自氢原子、碳原子数1～6的直链状或支链状的饱和烃基、或者卤原子氯或氟、卤原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团，此外，R1、R2的烃基可以在相邻取代部位相互结合而形成5～7元环的饱和烃的环状结构至少1个以上，这里，r为正整数。
2.根据权利要求1所述的量子点荧光体分散树脂成型体，其特征在于，所述成型物为膜或透镜。
3.根据权利要求2所述的量子点荧光体分散树脂成型体，其特征在于，所述膜为至少一部分具有凸状部的膜。
4.一种包含量子点荧光体的结构物，其特征在于，具备：
权利要求1～3的任一项所述的量子点荧光体分散树脂成型体；和
被覆所述量子点荧光体分散树脂成型体的一部分面或整面，降低氧气对所述量子点分散树脂成型体的透过的阻气层。
5.根据权利要求4所述的包含量子点荧光体的结构物，其特征在于，所述阻气层由乙烯-乙烯醇共聚树脂或聚偏1,1-二氯乙烯的层构成，或者由在乙烯-乙烯醇共聚树脂或聚偏1,1-二氯乙烯的层的至少一面上形成有二氧化硅膜或氧化铝膜的层构成。
6.一种发光装置，其特征在于，是将以浓度0.01质量％～20质量％的范围使量子点荧光体分散在环烯烃(共)聚合物中而得的组合物用于LED芯片的密封材的至少一部分而得的，
所述环烯烃(共)聚合物以式(1)或式(2)表示，
这里，式(1)中的R3表示选自氢原子、碳原子数1～6的直链状或支链状的饱和烃基(烷基)、或者卤原子氯或氟、卤原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团，式(1)中的R4、R5各自独立地表示选自氢原子、碳原子数1～6的直链状或支链状的饱和烃基、或者卤原子氯或氟、卤原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团，此外，R4或R5的烃基可以在相邻取代部位相互结合而形成5～7元环的饱和烃的环状结构至少1个以上，这里，x、y为大于0且小于1的实数，具有x+y＝1的范围，
此外，式(2)中的R1、R2各自独立地表示选自氢原子、碳原子数1～6的直链状或支链状的饱和烃基、或者卤原子氯或氟、卤原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团，此外，R1、R2的烃基可以在相邻取代部位相互结合而形成5～7元环的饱和烃的环状结构至少1个以上，这里，r为正整数。
7.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，将所述组合物用于LED芯片的密封材的至少一部分，该密封材的厚度为0.01mm以上且小于0.4mm。
8.根据权利要求6或7所述的发光装置，其特征在于，在密封材的上部，还配置有权利要求2或3所述的量子点荧光体分散树脂成型体。
9.根据权利要求6或7所述的发光装置，其特征在于，在密封材的上部，还配置有降低氧气对所述密封材的透过的阻气层。
10.一种电子设备，其特征在于，组装有权利要求6～9的任一项所述的发光装置。
11.一种机械装置，其特征在于，组装有权利要求10所述的电子设备。
12.一种量子点荧光体分散树脂成型体的制造方法，其特征在于，具备下述工序：
调制在溶剂中溶解有环烯烃(共)聚合物的溶液的工序；
在所述溶液中，以使所述成型体中的量子点荧光体的浓度为0.01质量％～20质量％的范围的方式，使量子点荧光体分散在分散介质中，接着进行混炼，来制造包含量子点荧光体的组合物的工序；和
将所述包含量子点荧光体的组合物涂布在基材上或填充至模具中，进行加热干燥的工序，
所述环烯烃(共)聚合物以式(1)或式(2)表示，
这里，式(1)中的R3表示选自氢原子、碳原子数1～6的直链状或支链状的饱和烃基(烷基)、或者卤原子氯或氟、卤原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团，式(1)中的R4、R5各自独立地表示选自氢原子、碳原子数1～6的直链状或支链状的饱和烃基、或者卤原子氯或氟、卤原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团，此外，R4或R5的烃基可以在相邻取代部位相互结合而形成5～7元环的饱和烃的环状结构至少1个以上，这里，x、y为大于0且小于1的实数，具有x+y＝1的范围，
此外，式(2)中的R1、R2各自独立地表示选自氢原子、碳原子数1～6的直链状或支链状的饱和烃基、或者卤原子氯或氟、卤原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团，此外，R1、R2的烃基可以在相邻取代部位相互结合而形成5～7元环的饱和烃的环状结构至少1个以上，这里，r为正整数。
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