CN103305142B - 粘接带 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够防止在工件的周缘部发生芯片飞出的粘接带。粘接带（1）具备用于粘贴作为工件的晶片的粘接剂层（20）、和支承粘接剂层（20）的基材膜（10）。在粘接剂层（20）存在与晶片的周缘部对应的强粘接区域（21）、和与从晶片形成芯片的部位相对应的内部区域（24），在使强粘接区域（21）的粘接力为（A）并使内部区域（24）的粘接力为（B）的情况下，各区域的粘接力满足式（1-1）的条件。（A）＞（B）...（1-1）。

Description

粘接带

技术领域

本发明涉及粘接带，特别是涉及适合在工件（被加工物）的切割处理中使用的粘接带。

背景技术

对于形成有IC（集成电路）等预定的电路图案的半导体晶片或利用树脂浇铸IC而成的半导体封装件，以使分散有金属粒子的刀具高速旋转的方式等，通过旋转刃切割处理成预定的芯片尺寸，然后进一步采取清洗或干燥、扩展、拾取、芯片焊接等各种处理。在这些工序中，通常，利用在基材膜上附设有粘接剂层的粘接带来固定并保持晶片或封装件等工件，并进行切割或拾取，在专利文献1中公开有相关粘接带的一个示例。

可是，在切割工序中，以每分钟数万转这样的高速旋转的薄的刀具一边将工件切断一边移动，并且，一边剧烈地喷射水一边冲走切削粉末。其结果是，有时会发生切割后的芯片断片飞散的问题（以下称作“芯片飞出”）。对此，在例如专利文献2的粘接带中，通过调整粘接剂层的一次熔融转变温度抑制了芯片飞出。

专利文献1：日本特开昭60-196956号公报

专利文献2：日本特开2001-123139号公报

可是，近年来，随着电子设备等的IC组装产品的小型化、薄型化的推进，也在不断地进一步要求芯片的薄型化。在芯片变薄的情况下，芯片的强度变弱，因此，如果采用现有的粘接带进行切割并拾取，则存在芯片强度比粘接带的粘接力弱而导致芯片破损的情况。

于是，尽管能够减小粘接力，以不会导致芯片破损那样的粘接力进行工件的固定和保持，但是，在工件的周缘部，能够形成比所希望的芯片尺寸小的不良芯片，其粘接面积（与粘接带接触的面积）较小，从而使得各个不良芯片的保持力较弱，由此产生的问题是，无法充分防止芯片飞出的发生。

发明内容

因此，本发明的主要目的在于提供一种粘接带，其能够在切割工件时防止工件的周缘部的芯片飞出。

为了解决上述课题，根据本发明的第一方式，提供一种粘接带，所述粘接带的特征在于，

所述粘接带具备：

粘接剂层，其用于粘贴工件；和

基材膜，其用于支承所述粘接剂层，

在所述粘接剂层存在第1区域和第2区域，所述第1区域与所述工件的周缘部对应，所述第2区域与从所述工件形成芯片的部位对应，

在使所述第1区域的粘接力为（A）、并使所述第2区域的粘接力为（B）的情况下，各区域的粘接力满足式（1-1）的条件。

（A）＞（B）…（1-1）

所述第1区域和所述第2区域各自的“粘接力”是指，在将粘接带贴合于硅镜面晶片的情况下以50mm／min（毫米/分钟）的速度、90度的角度从晶片剥下该粘接带时的粘接力。

作为本发明的第二方式，在所述第一方式中，

在所述粘接剂层存在第3区域，所述第3区域与配置用于固定该粘接带的固定部件的部位相对应，

在使所述第3区域的粘接力为（C）的情况下，各区域的粘接力满足式（1-2）的条件。

（A）＞（C）≥（B）…（1-2）

如此的话，从提高芯片的拾取性的观点出发是更加优选的。

作为本发明的第三方式，在所述第二方式中，

所述第1区域的透光率与其它区域不同。

如此的话是更加优选的。其理由是，因为，由于所述第1部分的透光率与其它区域不同，从而容易通过光学传感器来判别，因此，能够利用所述第1区域作为将工件粘贴于粘接带时的定位基准。由此，能够容易地将粘接带粘贴于工件，并且能够防止在工件的周缘部发生的芯片飞出，从而能够获得在芯片的拾取性方面优异的粘接带。

作为本发明的第四方式，在所述第三方式中，

与其它区域分开地构成所述第1区域。如此的话，则在粘接剂层设置第1区域的工序变得简单。由此，能够容易地将粘接带粘贴于工件，并且能够防止在工件的周缘部发生的芯片飞出，从而能够简便地制造出在芯片的拾取性方面优异的粘接带。

作为本发明的第五方式，在所述第三方式中，

可以与其它区域一体地构成所述第1区域。根据该方式，能够容易地将粘接带粘贴于工件，并且能够防止在工件的周缘部发生的芯片飞出，从而能够获得在芯片的拾取性方面优异的粘接带。

根据本发明的第六方式，提供一种粘接带，所述粘接带的特征在于，

所述粘接带具备：

粘合剂层，其用于粘贴工件；

粘接剂层，其形成于所述粘合剂层下；以及

基材膜，其支承所述粘合剂层和所述粘接剂层，

在所述粘接剂层存在第1区域和第2区域，所述第1区域隔着所述粘合剂层与所述工件的周缘部对应，所述第2区域与从所述工件形成芯片的部位相对应，

在使所述第1区域对所述粘合剂层的粘接力为（D）、并使所述第2区域对所述粘合剂层的粘接力为（E）的情况下，各区域的粘接力满足式（2-1）的条件。

（D）＞（E）…（2-1）

作为本发明的第七方式，在所述第六方式中，

在所述粘接剂层存在第3区域，所述第3区域与配置用于固定该粘接带的固定部件的部位相对应，

在使所述第3区域的粘接力为（C）的情况下，各区域的粘接力满足式（2-2）的条件。

（D）＞（C）≥（E）…（2-2）

如此的话，从提高芯片的拾取性的观点出发是更加优选的。

作为本发明的第八方式，在所述第七方式中，

所述第1区域的透光率与其它区域不同。如此的话，则更加优选。其理由是，因为，由于所述第1部分的透光率与其它区域不同，从而容易通过光学传感器来判别，因此，能够利用所述第1区域作为将工件粘贴于粘接带时的定位基准。由此，能够容易地将粘接带粘贴于工件，并且能够防止在工件的周缘部发生的芯片飞出，从而能够获得在芯片的拾取性方面优异的粘接带。

作为本发明的第九方式，在所述第八方式中，

与其它区域分开地构成所述第1区域。如此的话，则在粘接剂层设置第1区域的工序变得简单。由此，能够容易地将粘接带粘贴于工件，并且能够防止在工件的周缘部发生的芯片飞出，从而能够简便地制造出在芯片的拾取性方面优异的粘接带。

作为本发明的第十方式，在所述第八方式中，

可以与其它区域一体地构成所述第1区域。根据该方式，能够容易地将粘接带粘贴于工件，并且能够防止在工件的周缘部发生的芯片飞出，从而能够获得在芯片的拾取性方面优异的粘接带。

根据本发明，在切割工件时，能够防止在工件的周缘部发生的芯片飞出。

附图说明

图1是示出粘接带的概要结构的示意图。

图2是示出强粘接区域能够采用的形状的示例的俯视图。

图3是示出执行了预切割加工后的粘接带的概要结构的示意图。

图4是沿图1的X-X线的剖视图。

图5是沿图2的Y-Y线的剖视图。

图6是概要地示出半导体芯片的制造方法的图。

图7是概要地示出图6的后续的工序的图，是概要地示出利用环形框架固定粘接带后的状态的俯视图。

图8是沿图7的Z-Z线的剖视图。

图9是概要地示出图7的后续的工序的图。

图10是概要地示出图9的后续的工序的图。

图11是示出图1～图10的粘接带的变形例的图，是对应于图8的图。

图12是示出芯片焊接（diebonding）用的粘接带的概要结构的剖视图。

图13是示出图12的芯片焊接用的粘接带的变形例的图。

标号说明

1：粘接带；

1a：标签部；

1b：周边部；

10：基材膜；

20：粘接剂层；

21：强粘接区域；

22：强粘接部；

22a：内缘部；

22b：外缘部；

23：支承部；

24：内部区域；

26：外部区域；

30：晶片；

30a：侧缘部；

31：半导体封装件；

32：表面；

34：背面；

36：芯片；

38：不良芯片；

40：粘合剂层；

42：周缘部；

44：中央部；

50：支承板；

60：环形框架；

60a：内缘部；

70：上突部件；

72：上顶销；

74：吸附夹头；

100：粘合剂层；

100a：侧缘部。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的优选实施方式进行说明。

[第1实施方式]

如图1（a）、图1（b）所示，粘接带1呈长条状，在保管时卷绕成卷状，在使用时从该卷体送出。

粘接带1主要由基材膜10和粘接剂层20构成。粘接带1具有这样的结构：粘接剂层20形成于基材膜10上，粘接剂层20被基材膜10支承。

基材膜10由塑料、橡胶等构成，在粘接剂层20包括射线聚合成分的情况下，基材膜10优选以射线的透射性良好的材料构成。

作为能够选择为基材膜10的构成材料的聚合物的例子，可以列举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚-1-丁烯、聚-4-甲基-1-戊烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离聚物等α-烯烃的均聚物或共聚物或者它们的混合物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等工程塑料、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等热塑性弹性体。

基材膜10可以是将从这些组中选出的两种以上的材料混合而成的基材膜，也可以是使它们单层或多层化而成的基材膜。

基材膜10的厚度并不特别限定，可以适当地设定，但优选为50～200μm。

对于粘接剂，存在这样的类型：由于射线的照射而硬化从而使粘接力降低的射线硬化型；和粘接力不会因射线的照射而变化的非射线硬化型。

粘接剂层20的构成材料并不特别限定，可以是射线硬化型的粘接剂，也可以是非射线硬化型的粘接剂。对于前者，根据射线的照射量容易进行粘接力的控制，对于后者，能够在不允许射线照射的器件中使用，因此，根据用途适当地选择粘接剂。

作为射线，例如使用紫外线。

射线硬化型的粘接剂包括射线聚合性成分。

作为射线聚合性成分，只要能够通过射线照射实现三维网状化即可，并不特别限定，例如，可以列举出丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯、戊烯基丙烯酸酯、氢糠基丙烯酸酯、氢糠基甲基丙烯酸酯、二甘醇二丙烯酸酯、三甘醇二丙烯酸酯、四甘醇二丙烯酸酯、二甘醇二甲基丙烯酸酯、三甘醇二甲基丙烯酸酯、四甘醇二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、低聚酯丙烯酸酯、苯乙烯、二乙烯基苯、4-乙烯基甲苯、4-乙烯基吡啶、N-乙烯基吡咯烷酮、2-羟基乙基丙烯酸酯、2-羟基乙基甲基丙烯酸酯、1,3-丙烯酰氧基-2-羟基丙烷、1,2-甲基丙烯酰氧基-2-羟基丙烷、亚甲基双丙烯酰胺、N,N-二甲基丙烯酰胺、N-羟甲基丙烯酰胺、三（β-羟基乙基）异氰脲酸酯的三丙烯酸酯、异氰酸酯化合物、氨基甲酸酯（甲基）丙烯酸酯化合物、二胺和异氰酸酯化合物、尿素甲基丙烯酸酯化合物、以及在侧链具有烯键式不饱和基团的射线聚合性共聚物。

另外，作为射线聚合性成分，能够例举出氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物，该氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物由如下方式得到：使聚酯型或聚醚型等的多羟基化合物和多元异氰酸酯化合物（例如，2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-二甲苯二异氰酸酯、1,4-二甲苯二异氰酸酯、二苯甲烷-4,4-二异氰酸酯等）反应，得到末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚合物，使具有羟基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯（例如，2-羟基乙基丙烯酸酯，2-羟基乙基甲基丙烯酸酯，2-羟基丙基丙烯酸酯、2-羟基丙基甲基丙烯酸酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等）与末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚合物反应，从而得到所述氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物。

这些射线聚合性化合物可以单独使用，也可以将两种以上的射线聚合性化合物组合起来使用。

粘接剂层20的厚度并不特别限定，通常为5～50μm，优选为7～20μm。

如图1（a）所示，在粘接带1的粘接剂层20形成有圆形轮廓状（圆环状）的强粘接区域21。粘接剂层20以强粘接区域21为边界划分成内部区域24和外部区域26。

如图1（b）所示，强粘接区域21也可以呈四边形状。

根据粘贴于其上的工件（被加工物）来选择强粘接区域21的形状。例如，如图2（a）所示，在工件的对象为圆形状的晶片30的情况下，选择圆环状作为强粘接区域21的形状。另一方面，如图2（b）所示，在工件的对象为长方体状的半导体封装件31的情况下，选择四边形状作为强粘接区域21的形状。

如图3（a）、图3（b）所示，关于粘接带1，考虑到相对于晶片30或半导体封装件31等工件的粘贴、或切割时相对于环形框架60（参照图7）的安装等的操作性，也可以对粘接带1采取预切割加工。

图3（a）、图3（b）的粘接带1呈现由与环形框架60的形状相对应的标签部1a、和包围标签部1a的外周的周边部1b所构成的形状，这些部位被剥离膜2支承并保护。强粘接区域21、内部区域24以及外部区域26形成于标签部1a。

在使用该粘接带1的情况下，从剥离膜2将标签部1a剥离，并粘贴于工件来使用。周边部1b与剥离膜2一同被去除。

并且，晶片30或半导体封装件31是工件的一个示例，在使用这之外的工件时，也能够根据所使用的工件形状适当地变更强粘接区域21的形状。

在本实施方式中，特别对将晶片30作为工件的例子进行说明。

如图4所示，强粘接区域21是与晶片30的周缘部对应的部位（区域），强粘接区域21由强粘接部22和支承该强粘接部22的支承部23构成。

在本实施方式中，内部区域24、外部区域26以及支承部23由含有上述射线聚合性成分的相同的射线硬化型的粘接剂一体地构成。

强粘接部22与内部区域24和外部区域26分体地构成，包括强粘接部22的强粘接区域21的粘接力在局部上变得比内部区域24和外部区域26高。

关于强粘接部22，可以是通过与内部区域24、外部区域26以及支承部23的形成工序不同的工序在支承部23上直接涂敷粘接剂来形成，也可以是暂且在与基材膜10不同的基材上涂敷粘接剂并将其粘贴来形成。作为所述的粘接剂，使用组分与构成内部区域24、外部区域26以及支承部23的粘接剂相同或不同的粘合剂，优选使用组分与此不同的粘接剂。通过使用组分与此不同的粘接剂，能够在对被粘接体的保持中具有特殊的粘接特性。

强粘接部22优选以非射线硬化型的粘接剂构成。如果以非射线硬化型的粘接剂构成强粘接部22，则能够总是保持强粘接力，而不会受射线照射的影响。

作为非射线硬化型的粘接剂，并不特别限定，能够使用在粘接剂中使用的公知的氯化聚丙烯树脂、丙烯酸树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂等。

优选构成强粘接部22的粘接剂具有高凝聚力。

为了提高粘接剂的凝聚力，例如，优选使该粘接剂整体的质量平均分子量在10万以上。

“质量平均分子量”是指，通过凝胶渗透色谱（GPC）法使用标准聚苯乙烯的标准曲线进行检测。

（基于GPC法的测量条件）

使用设备：高效液相色谱仪LC-6A[株式会社岛津制作所制造，商品名]

柱：ShodexK2002，ShodexK2003[株式会社岛津制作所制造，商品名]

洗脱液：氯仿

测量温度：45℃

流量：2.8ml/min

RI检测器：RID-10A

包括强粘接部22的强粘接区域21的透光率与内部区域24和外部区域26不同。

“透光率”是指在使用岛津制作所制造的分光光度计UV3101PC作为测量装置并使测量波长区域为400～1000nm的情况下的以波长650nm测量的透射率。

作为使透光率变化的方法，可以对强粘接部22的粘接剂着色，可以使强粘接部22的粘接剂相分离，也可以使强粘接部22的厚度变厚。在这些方法中，对粘接剂着色的方法是优选的，根据该方法，能够减小对粘接剂的粘接力的影响，并且能够使透光率大幅地变化，从而能够利用光学传感器容易地判别强粘接区域21。

作为着色方法，采用下述方法：使用染料作为着色剂的方法；和将颜料作为着色剂分散添加至粘接剂的方法等。

在粘接剂中也可以添加非相溶的聚合物或微粒、紫外线反射剂等。

关于着色剂，能够使用已知的染料或颜料，例如可以例举出炭黑、黑色氧化铁、偶氮系、蒽醌系、酞花菁系、硫靛蓝系、喹吖啶酮系、二噁嗪系等有机系染料或颜料、或者群青、深蓝、铬朱红、铁丹、镉红、钼橙等无机系颜料、或者金属光泽用的金属粉颜料等。

从在粘接剂中的分散性这一点考虑，优选采用有机系染料。

并且，关于着色剂，可以仅单独使用一种，也可以将两种以上的着色剂组合后使用。

颜料的平均粒子直径优选在5nm以上且在30μm以下，更加优选在10nm以上且在3μm以下，进一步优选在50nm以上且在1μm以下。只要使颜料的平均粒子直径在上述范围内，就不会发生因凝聚等所导致的在粘接剂中的分散性退化，也不会在粘接剂中发生大块凝聚，另外，对粘接剂的着色度控制也变得容易。

强粘接部22的粘接剂中的着色剂的添加量并不特别限定，相对于构成强粘接部22的材料的整体，通常为0.01～5质量%，优选为0.05～2质量%，更加优选为0.1～1质量%。如果着色剂的添加量在上述范围内，则对粘接力的影响较小，并且颜料的分散性良好。

作为能够添加至粘接剂的微粒，可以列举出二氧化硅、粘土、石膏、碳酸钙、硫酸钡、氮化钛、碳化硅以及氮化硅等陶瓷类、和碳等填充料。

作为能够添加至粘接剂的紫外线反射剂，可以列举出氧化铝、氧化铍、铝、铜、银、金、镍、铬、铅、锡、锌、钯、焊锡等金属、或者合金类的填充料。

如图5所示，在使用粘接带1时，强粘接区域21成为定位的基准，将晶片30粘贴于粘接剂层20，在该状态下切割晶片30。

强粘接部22的内径设计得比晶片30的直径小，强粘接部22的外径设计得比晶片30的直径大。

强粘接部22的宽度根据晶片30的大小等来决定，在现实中为1～20mm，优选为2～15mm，更加优选为5～10mm。

如图5所示，在将晶片30粘贴于粘接剂层20的状态下，强粘接部22的内缘部22a被配置于晶片30的侧缘部30a的内侧，强粘接部22的外缘部22b被配置于晶片30的侧缘部30a的外侧。

强粘接区域21与晶片30的周缘部对应（对置），内部区域24与从晶片30制造芯片的部位对应。

强粘接部22具有一定的高度，其高度为5μm左右，非常低，即使在粘贴有晶片30的状态下，在晶片30的周缘部也几乎没有形成阶梯差（是即使形成有阶梯差也能够忽略该阶梯差的程度。）。

在使强粘接区域21（强粘接部22）的粘接力为（A）、并使内部区域24的粘接力为（B）的情况下，各区域的粘接力满足式（1-1）的条件。

（A）＞（B）…（1-1）

在现实中，优选使强粘接区域21的粘接力比内部区域24的粘接力大0.1Ｎ／25mm以上。

并且，在切割晶片30时，通过环形框架60固定粘接带1。在该情况下，外部区域26对应于配置环形框架60的部位（参照图8）。

在使外部区域26的粘接力为（C）的情况下，其粘接力在与（A）、（B）的关系中满足式（1-2）的条件。

（A）＞（C）≥（B）…（1-2）

环形框架60是用于固定粘接带1的固定部件的一个例子。

对于该固定部件，并不只是环形框架60自身，还包括具有与环形框架60相同的功能或作用的部件。

强粘接区域21、内部区域24以及外部区域26的各个区域的“粘接力”是指，在将粘接带1粘贴于硅镜面晶片的情况下，以50mm／min的速度、90度的角度从晶片剥下该粘接带1时的粘接力。

接下来，对使用粘接带1的半导体芯片的制造方法进行说明。

如图6（a）所示，隔着粘合剂（粘合剂层40）使晶片30的表面32贴合于支承板50，以支承并保护晶片30。支承板50是用于保持晶片30的强度并防止裂缝的发生或晶片30的翘曲的发生的部件。

然后，对晶片30的背面34实施背磨处理（磨削处理），使晶片30变薄。在该工序中，随着晶片30变薄，晶片30的强度降低，从而会产生裂缝或晶片30自身的翘曲等，因此，通过支承板50抑制了这样的现象。

然后，如图6（b）所示，将晶片30在贴合有支承板50的状态下粘贴于粘接带1。在该情况下，以粘接带1的粘接剂层20的强粘接区域21为定位基准，将晶片30粘贴于粘接带1，使得晶片30的侧缘部30a配置在强粘接部22的内缘部22a与外缘部22b之间。

在该状态下，粘接剂层20的强粘接部22和粘合剂层40的周缘部42隔着晶片30对置，粘接剂层20的内部区域24与粘合剂层40的中央部44对置。

在使周缘部42的接合力为（a）、并使中央部44的接合力为（b）时，各部的接合力在与（A）、（B）的关系中满足式（1-3）的条件。

（A）＞（a）≥（B）≥（b）…（1-3）

然后，从晶片30将粘合剂层40和支承板50同时（一起）剥去。在该情况下，还存在晶片30连同粘合剂层40和支承板50被从粘接带1剥去的可能性，但如式（1-3）那样，强粘接区域21的粘接力比粘合剂层40的周缘部42的接合力大，因此，可以防止将晶片30从粘接带1剥离。

然后，如图7所示，相对于粘接剂层20粘贴呈环状的环形框架60，从而固定粘接带1。

环形框架60的内径被设计得比晶片30的外径大。在将粘接带1固定于环形框架60的状态下，在环形框架60与晶片30之间形成细微的间隙。

强粘接部22的外径设计得比环形框架60的内径小。

如图8所示，在将粘接带1固定于环形框架60的状态下，强粘接部22的外缘部22b配置在环形框架60的内缘部60a的内侧，环形框架60被粘贴于粘接剂层20的外部区域26。

然后，如图7所示，将晶片30切割成矩阵状（格子状）。作为切割方法，可以使用例如刀具切割、激光切割或者隐形切割等。其结果是，制造出呈矩形状的多个芯片36。

另一方面，在制造芯片36的同时，在芯片36的外侧（晶片30的周缘部）还会形成无法构成电子部件的不良芯片38。

形成不良芯片38的区域宽度（晶片30的侧缘部30a与制造芯片36的部位的最外侧的位置之间的距离）一般为约2～3mm，在该情况下，以使强粘接部22的内缘部22a配置在比晶片30的侧缘部30a靠内侧5mm左右的位置的方式设计强粘接部22。

当然，能够适当地变更强粘接部22的宽度，也可以将内缘部22a配置得更靠内侧，从而，即使是芯片36，也可作为不良芯片38粘接于强粘接部22进行回收。也可以将强粘接部22的外缘部22b配置得更靠外侧，以使外缘部22b与环形框架60的内缘部60a一致。

然后，如图9所示，使圆筒状的上突部件70从基材膜10的下方上升来扩张粘接带1。其结果是，粘接带1被沿周方向拉伸，从而以芯片单位来分裂晶片30。

然后，向粘接剂层20照射射线，使内部区域24的粘接力降低，如图10所示，通过上突销72来上顶芯片36并以吸附夹头74吸附该芯片36。由此来拾取芯片36。

关于内部区域24和外部区域26的粘接力，在粘接带1扩展前的状态下，各区域的粘接力基本的相同，在式（1-2）中（C）＝（B）。并且，在粘接带1扩展后，如果使对内部区域24照射的射线的照射量比外部区域26多而使得内部区域24的粘接力比外部区域26的粘接力低，则可以提高芯片36的拾取性。在该情况下，在式（1-2）中满足（C）＞（B）的条件。

根据以上的本实施方式，如式（1-3）那样，由于强粘接区域21的粘接力比粘合剂层40的周缘部42的粘合力大，因此，在将晶片30粘贴于粘接带1后剥下支承板50时（参照图6），能够防止晶片30从粘接带1剥离。

另外，如式（1-1）那样，由于强粘接区域21的粘接力比内部区域24的粘接力大，因此，在切割晶片30时（参照图7和图8），还能够防止在晶片30的周缘部形成的不良芯片38发生芯片飞出。在扩展粘接带1时（参照图9），能够维持使不良芯片38粘接于强粘接部22的状态，在该情况下，也能够防止不良芯片38发生芯片飞出。

[变形例]

作为与内部区域24和外部区域26分开地构成强粘接部22的替代，如图11（a）所示，也可以与内部区域24和外部区域26一体地构成强粘接部22。

在该情况下，如图11（b）所示，在将晶片30粘贴于粘接剂层20的状态下，强粘接部22的内缘部22a被配置于晶片30的侧缘部30a的内侧，强粘接部22的外缘部22b被配置于晶片30的侧缘部30a的外侧。在将粘接带1固定于环形框架60的状态下，强粘接部22的外缘部22b配置在环形框架60的内缘部60a的内侧，环形框架60被粘贴于粘接剂层20的外部区域26。

在本变形例中，强粘接部22由与内部区域24和外部区域26相同的材料构成，通过遮蔽等方法控制射线的照射量，使其对晶片30的粘接力局部地比内部区域24和外部区域26高。作为对射线的照射量的控制的替代，可以使强粘接部22比内部区域24和外部区域26厚，从而使强粘接部22的粘接力局部地比内部区域24和外部区域26高。

根据以上的本变形例，在剥下支承板50时，能够防止晶片30从粘接带1剥离，在切割晶片30时或扩展晶片30时，也能够防止不良芯片38发生芯片飞出。

[第2实施方式]

第2实施方式主要在下述方面与第1实施方式不同，这以外的结构或作用与第1实施方式相同。

本实施方式的粘接带1是芯片焊接用的切割带，如图12（a）所示，在粘接剂层20上形成有粘合剂层100。

粘合剂层100与粘接剂层20紧密贴合，在拾取芯片36时，粘合剂层100在附着于芯片36的状态下从粘接剂层20剥离。

在粘合剂层100中使用的材料并不特别限定，能够使用在粘合剂中使用的公知的聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚酰胺亚胺树脂、聚酯树脂、聚酯酰亚胺树脂、聚苯醚树脂、聚砜树脂、聚醚砜树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚酮树脂、氯化聚丙烯树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂以及硅低聚物系等。

粘合剂层100呈现与晶片30的形状对应的圆形状。

如图12（b）所示，粘合剂层100的直径设计得比晶片30的直径大，并且比强粘接部22的外径小。

在与晶片30的关系中，粘合剂层100的侧缘部100a配置于侧缘部30a的外侧，在与强粘接部22的关系中，粘合剂层100的侧缘部100a配置于内缘部22a的外侧，且配置于外缘部22b的内侧。

在该情况下，强粘接区域21隔着粘合剂层100与晶片30的周缘部对应（对置），内部区域24与从晶片30制造芯片36的部位对应。

在将强粘接区域21（强粘接部22）对粘合剂层100的粘接力设为（D）、并将内部区域24对粘合剂层100的粘接力设为（E）的情况下，各区域的粘接力满足式（2-1）的条件。

（D）＞（E）…（2-1）

强粘接区域21和内部区域24对粘合剂层100的粘接力在与（C）的关系中满足式（2-2）的条件。

（D）＞（C）≥（E）…（2-2）

并且，粘合剂层100的形状也可以根据工件的形状适当变更，例如在工件为长方体状的半导体封装件31的情况下，与此相对应地使粘合剂层100也为四边形状。

另外，如上述那样，强粘接部22具有一定的高度，其高度为5μm左右，非常低，即使在形成有粘合剂层100的状态下，在粘合剂层100的周缘部也几乎没有形成阶梯差（是即使形成有阶梯差也能够忽略该阶梯差的程度。）。

另外，在本实施方式中，需要使强粘接部22与粘合剂层100和晶片30这两者的周缘部重复，强粘接部22的宽度为5～30mm，优选为20mm左右。

在制造芯片36的情况下，对晶片30采取与参照图6～图10进行说明的情况相同的处理。

在该情况下，在贴合有支承板50的状态将晶片30粘贴于粘接带1（参照图6（b）），粘接剂层20的强粘接部22与粘合剂层40的周缘部42隔着晶片30和粘合剂层100对置，粘接剂层20的内部区域24与粘合剂层40的中央部44对置。

强粘接区域21和内部区域24对粘合剂层100的粘接力在与（a）、（b）的关系中满足式（2-3）的条件。

（D）＞（a）＞（E）≥（b）…（2-3）

因此，在该情况下，当剥下支承板50时，可以防止晶片30从粘接带1剥离。

在扩展粘接带1并拾取芯片36时（参照图9和图10），在粘接带1扩展前的状态下，内部区域24对粘合剂层100的粘接力和外部区域26的粘接力基本相同，在式（2-2）中（C）＝（E）。并且，在粘接带1扩展后，如果使对内部区域24照射的射线的照射量比外部区域26多而使得内部区域24的粘接力比外部区域26的粘接力低，则在式（2-2）中满足（C）＞（E）的条件。

在拾取芯片36时（参照图10），保持使粘合剂层100附着于芯片36的背面的状态拾取芯片36，并保持该状态进行芯片焊接。这样，在本实施方式中，由于保持使粘合剂层100附着于芯片36的背面的状态对芯片36进行芯片焊接，因此，无需对晶片30的背面34进行背磨等背面处理，也无需进行将支承板50粘贴至晶片30的表面32并剥下的处理。

根据以上的本实施方式，特别是在切割晶片30时，不但会在晶片30的周缘部形成不良芯片38，还会在粘合剂层100的周缘部形成切断片，但是如式（2-1）那样，由于强粘接区域21的粘接力比内部区域24的粘接力大，因此，无论是在切割晶片30时，还是在扩展粘接带1时，都不仅能够防止不良芯片38发生芯片飞出，还能够防止粘合剂层100的切断片飞散。

[变形例]

在本变形例中，作为与内部区域24和外部区域26分开地构成强粘接部22的替代，如图13（a）所示，也可以与内部区域24和外部区域26一体地构成强粘接部22。

在该情况下，如图13（b）所示，在与晶片30的关系中，粘合剂层100的侧缘部100a配置于侧缘部30a的外侧，在与强粘接部22的关系中，粘合剂层100的侧缘部100a配置于内缘部22a的外侧，且配置于外缘部22b的内侧。

根据以上的本变形例，在能够防止不良芯片38发生芯片飞出的基础上，还能够防止粘合剂层100的切断片的飞散。

Claims (8)

1.一种粘接带，其特征在于，

所述粘接带具备：

粘接剂层，其用于粘贴晶片；和

基材膜，其用于支承所述粘接剂层，

在所述粘接剂层存在第1区域、第2区域和第3区域，所述第1区域与所述晶片的周缘部对应，所述第2区域与从所述晶片形成芯片的部位对应，所述第3区域与配置用于固定该粘接带的固定部件的部位相对应，

所述粘接剂层以所述第1区域为边界划分成所述第2区域和第3区域，

在将所述晶片粘贴于所述粘接剂层的状态下，所述第1区域的内缘部被配置于所述晶片的侧缘部的内侧，所述第1区域的外缘部被配置于所述晶片的侧缘部的外侧，

在使所述第1区域的粘接力为(A)、使所述第2区域的粘接力为(B)、并使所述第3区域的粘接力为(C)的情况下，各区域的粘接力满足式(1-2)的条件：

(A)＞(C)≥(B)…(1-2)。

2.根据权利要求1所述的粘接带，其特征在于，

所述第1区域的透光率与其它区域不同。

3.根据权利要求2所述的粘接带，其特征在于，

所述第1区域由强粘接部和支承该强粘接部的支承部构成，

与所述第1区域以外的其它区域分开地构成所述强粘接部。

4.根据权利要求2所述的粘接带，其特征在于，

所述第1区域具有强粘接部，

与所述第1区域以外的其它区域一体地构成所述强粘接部。

5.一种粘接带，其特征在于，

所述粘接带具备：

粘合剂层，其用于粘贴晶片；

粘接剂层，其形成于所述粘合剂层下方；以及

基材膜，其支承所述粘合剂层和所述粘接剂层，

在所述粘接剂层存在第1区域、第2区域和第3区域，所述第1区域隔着所述粘合剂层与所述晶片的周缘部对应，所述第2区域与从所述晶片形成芯片的部位相对应，所述第3区域与配置用于固定该粘接带的固定部件的部位相对应，

所述粘接剂层以所述第1区域为边界划分成所述第2区域和第3区域，

在将所述晶片粘贴于所述粘合剂层的状态下，所述第1区域的内缘部被配置于所述晶片的侧缘部的内侧，所述第1区域的外缘部被配置于所述晶片的侧缘部的外侧，

在使所述第1区域对所述粘合剂层的粘接力为(D)、使所述第2区域对所述粘合剂层的粘接力为(E)、并使所述第3区域的粘接力为(C)的情况下，各区域的粘接力满足式(2-2)的条件：

(D)＞(C)≥(E)…(2-2)。

6.根据权利要求5所述的粘接带，其特征在于，

所述第1区域的透光率与其它区域不同。

7.根据权利要求6所述的粘接带，其特征在于，

所述第1区域由强粘接部和支承该强粘接部的支承部构成，

与所述第1区域以外的其它区域分开地构成所述强粘接部。

8.根据权利要求6所述的粘接带，其特征在于，

所述第1区域具有强粘接部，

与所述第1区域以外的其它区域一体地构成所述强粘接部。