CN103293794B - 一种薄膜晶体管液晶显示装置及其修复方法 - Google Patents
一种薄膜晶体管液晶显示装置及其修复方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103293794B CN103293794B CN201210042001.3A CN201210042001A CN103293794B CN 103293794 B CN103293794 B CN 103293794B CN 201210042001 A CN201210042001 A CN 201210042001A CN 103293794 B CN103293794 B CN 103293794B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film transistor
- gate line
- pixel electrode
- repair
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims abstract description 117
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 62
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000003550 marker Substances 0.000 claims 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 45
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 16
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示装置及其修复方法，该装置在像素电极与栅极线的交叠区域上具有一凸起，所述凸起与栅极线完全交叠或部分交叠；所述栅极线上设置有修复标记，所述修复标记远离像素电极的透光区，且所述修复标记与所述凸起交叠。该修复方法包括：激光焊接所述像素内的修复标记所标示出的位置，使栅极线与所述像素电极电连接。在修复薄膜晶体管液晶显示装置亮点的过程中，可以根据修复标记精确判断修复点的位置，并且，由于所述像素电极的凸起和修复标记远离像素电极的透光区域，则在修复亮点的过程中可以使修复点尽量远离像素的透光区域，避免像素内污染或由于激光将金属融掉导致的像素边缘漏光现象的发生，进而提高修复成功率。
Description
技术领域
本发明属于液晶显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管液晶显示装置及其修复方法。
背景技术
在制作薄膜晶体管液晶显示装置(TFT-LCD，Thin Film Transistor-LiquidCrystal Display)的工艺过程中，由于成膜质量的好坏、环境的洁净度、装置件本身的设计以及设备本身等问题，不可避免的会产生杂质颗粒、膜脱落等问题，进而导致像素信号不能正常驱动、像素点缺陷等问题。这些问题在显示区域的任一点出现，都会导致薄膜晶体管液晶显示装置的显示品质大大降低。现有的解决方式一般为在做成液晶盒并加电测试后，将亮点缺陷用激光修补方式打成暗点。
具体原理为，将栅极线与像素电极短路，使像素电极大部分时间处于负电压，相对于彩膜基板上的共同电极电压形成绝对值较大的电压差，从而使液晶始终处于旋转状态，薄膜晶体管液晶显示装置显示为暗点以达到修复亮点的目的。但是，液晶显示装置中，由于彩膜基板一侧有黑色矩阵的存在，所以激光焊接栅极线与像素电极只能从薄膜晶体管阵列基板一侧进行焊接，一般包括两种方式：方法a，通过激光焊接栅极线和漏极凸出部位的金属，使栅极线和漏极凸出部位的金属短路，最终实现栅极线与像素电极的短路；或，方法b，直接通过激光焊接像素电极与栅极线金属，最终实现栅极线与像素电极的短路。
具体方法参照图1和图2，其中，图1为薄膜晶体管液晶显示装置薄膜晶体管阵列基板的正视图，图2为薄膜晶体管阵列基板背视图，图中数据线D1、D2与栅极线G1、G2围成一个像素，在一个像素内有像素电极3，在一个像素内设置有U形的共通线C，虚线601和602所围的两个区域内的黑点4和5分别为激光修复点，601内包括有漏极1和源极2。在修复亮点时可以采用以下两种方式：方法a，在601区域内，激光焊接修复点4，使漏极1与栅极交叠的部位与邻近的栅极线G2短路，以达到修复目的，但是若漏极1在允许范围内相对于栅极线G2发生偏移，背视时，漏极1与栅极交叠的部位被栅极线G2遮挡，无法判断源极2的位置，修复时，修复点4可能会与源极2交叠，从而造成栅极线G2和源极2以及漏极1之间均短路，而栅极线G2与源极2之间的短路是不希望看到的，致使修复失败；方法b，激光焊接602区域内的修复点5，使像素电极3与邻近的栅极线G1短路，以达到修复目的，方法b解决了方法a中漏极1在允许范围内相对于栅极线G2发生偏移时，造成栅极线G2和源极2以及漏极1之间均短路现象的发生。
但是，现有的修复薄膜晶体管显示装置亮点的方法b同样会出现修复失败的现象，并且在一些特定情况下，修复失败的几率较大，修复成功率较低。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管液晶显示装置及其修复方法，以解决现有的薄膜晶体管液晶显示装置修复成功率较低的问题。
该薄膜晶体管液晶显示装置，包括：
基板，位于所述基板表面上的第一金属层，设置在所述第一金属层的栅极线，位于所述第一金属层表面上的栅极绝缘层，位于所述栅极绝缘层表面上的半导体层，位于所述半导体层表面上的第二金属层，设置在所述第二金属层的数据线、源极和漏极，所述数据线与源极电连接，所述源极与漏极相对设置，位于所述第二金属层表面上的钝化层，位于所述钝化层表面上的透明导电层，设置在所述透明导电层的像素电极，所述栅极线与所述数据线垂直设置构成多个像素，所述像素电极分别设置在每个像素内，且所述像素电极与漏极电连接，其特征在于：
所述像素电极与栅极线部分交叠，在所述像素电极与栅极线的交叠区域上具有一凸起，所述凸起与栅极线完全交叠或部分交叠；
所述栅极线上设置有修复标记，所述修复标记远离像素电极的透光区，且所述修复标记与所述凸起交叠。
优选的，所述修复标记具有沿栅极线向外凸出的修复标记图形。
优选的，所述修复标记具有沿栅极线向内凹进的修复标记图形。
优选的，所述修复标记具有穿透所述栅极线的修复标记图形。
优选的，所述修复标记图形为圆弧形的修复标记图形。
优选的，所述修复标记图形为矩形的修复标记图形。
优选的，所述修复标记图形为三角形的修复标记图形。
优选的，所述薄膜晶体管液晶显示装置还包括隔离层，所述隔离层设置在所述栅极绝缘层表面上，且与所述凸起交叠。
优选的，所述隔离层的制作材料与半导体层的制作材料相同，且所述隔离层与半导体层在同一光刻过程中形成。
一种上述薄膜晶体管液晶显示装置的修复方法，包括：
确定所述薄膜晶体管液晶显示装置出现亮点的像素，激光焊接所述像素内的修复标记所标示出的位置，使所述栅极线与所述像素电极电连接。
可见，由于所述修复标记与所述像素电极的凸起交叠，在修复薄膜晶体管液晶显示装置亮点的过程中，可以根据修复标记精确判断修复点的位置，并且，由于所述像素电极的凸起和修复标记远离像素电极的透光区域，则在修复亮点的过程中可以使修复点尽量远离像素的透光区域，避免像素内污染或由于激光将金属融掉导致的像素边缘漏光现象的发生，进而提高修复成功率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有的薄膜晶体管液晶显示装置正视结构示意图；
图2是现有的薄膜晶体管液晶显示装置背视结构示意图；
图3是本发明所提供的一种薄膜晶体管液晶显示装置的背视结构示意图；
图4是本发明所提供的另一种薄膜晶体管液晶显示装置的局部背视结构示意图；
图5是本发明所提供的又一种薄膜晶体管液晶显示装置的局部背视结构示意图；
图6是本发明所提供的再一种薄膜晶体管液晶显示装置的背视结构示意图；
图7是本发明所提供的一种薄膜晶体管液晶显示装置的局部剖面图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
正如背景技术所述，现有的修复薄膜晶体管液晶显示装置亮点的方法b会出现修复失败的现象，并且在一些特定情况下，修复失败的几率较大，修复成功率较低。
发明人经研究发现，如图2所示，在像素的不透光区由于被栅极线G1所遮挡，无法判断具体修复位置，修复成功率较低，若修复点5位于像素透光区的边缘位置，则往往导致像素内污染，或者由于激光将金属融掉，致使像素边缘漏光现象的发生，导致修复品质下降，致使修复失败，造成生产的时间及成本的浪费。
本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示装置，包括：
基板，位于所述基板表面上的第一金属层，设置在所述第一金属层的栅极线，位于所述第一金属层表面上的栅极绝缘层，位于所述栅极绝缘层表面上的半导体层，位于所述半导体层表面上的第二金属层，设置在所述第二金属层的数据线、源极和漏极，所述数据线与源极电连接，所述源极与漏极相对设置，位于所述第二金属层表面上的钝化层，位于所述钝化层表面上的透明导电层，设置在所述透明导电层的像素电极，所述栅极线与所述数据线垂直设置构成多个子像素，所述像素电极分别设置在每个子像素内，且所述像素电极与漏极电连接；
所述像素电极与栅极线部分交叠，在所述像素电极与栅极线的交叠区域上具有一凸起，所述凸起与栅极线完全交叠或部分交叠；
所述栅极线上设置有修复标记，所述修复标记远离像素电极的透光区，且所述修复标记与所述凸起交叠。
由上述方案可以看出，由于所述修复标记与所述像素电极的凸起交叠，在修复薄膜晶体管液晶显示装置亮点的过程中，可以根据修复标记精确判断修复点的位置，并且，由于所述像素电极的凸起和修复标记远离像素电极的透光区域，则在修复亮点的过程中可以使修复点尽量远离像素的透光区域，避免像素内污染或由于激光将金属融掉导致的像素边缘漏光现象的发生，进而提高修复成功率。
以上是本申请的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
实施例一：
本实施例公开了一种薄膜晶体管液晶显示装置，包括：
基板，位于所述基板表面上的第一金属层，设置在所述第一金属层的栅极线，位于所述第一金属层表面上的栅极绝缘层，位于所述栅极绝缘层表面上的半导体层，位于所述半导体层表面上的第二金属层，设置在所述第二金属层的数据线、源极和漏极，所述数据线与源极电连接，所述源极与漏极相对设置，位于所述第二金属层表面上的钝化层，位于所述钝化层表面上的透明导电层，设置在所述透明导电层的像素电极，所述栅极线与所述数据线垂直设置构成多个子像素，所述像素电极分别设置在每个子像素内，且所述像素电极与漏极电连接；
所述像素电极与栅极线部分交叠，在所述像素电极与栅极线的交叠区域上具有一凸起，所述凸起与栅极线完全交叠或部分交叠；
所述栅极线上设置有修复标记，所述修复标记远离像素电极的透光区，且所述修复标记与所述凸起交叠。
具体设置如图3所示：
基板(图中未示出)，所述基板为玻璃基板或是其他材料的基板。
栅极线G11、G12和共通线C11，所述栅极线G11、G12和共通线C11设置在第一金属层，所述第一金属层设置在基板表面上。
具体的，所述共通线C11在每个其所对应的像素区域内为U形，且在与栅极线G11或G12平行的方向上通过第一金属层导通，所述栅极线上设置有栅极，且所述栅极线G11上设置有修复标记X，所述修复标记X具有沿栅极线G11向内凹进的三角形的修复标记图形。
栅极绝缘层(图中未示出)，所述栅极绝缘层设置在第一金属层表面上，在位于所述栅极线的栅极上方的栅极绝缘层表面上设置有半导体层(图中未示出)。
第二金属层，所述第二金属层设置在栅极绝缘层表面上，且所述第二金属层内设置有数据线L11和L12、源极和漏极，所述源极和数据线L11为一整体结构，所述漏极与栅极交叠的部分和源极均设置在半导体层表面上，且所述半导体层与栅极、源极、漏极一起构成了TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)，多条数据线和多条栅极线确定多个像素区。
钝化层(图中未示出)，所述钝化层设置在第二金属层表面上，且所述钝化层内设置有接触孔。
第三金属层，所述第三金属层设置在钝化层表面上，优选为透明的氧化铟锡层，且在所述第三金属层内设置有像素电极P11，所述像素电极P11通过接触孔与漏极电连接，另外，所述像素电极P11的一部分位于透光区，称作像素电极的透光区，所述像素电极P11的另一部分位于不透光区，称作像素电极的不透光区，本发明所述像素电极的不透光区具体指的是像素电极P11与栅极线G11交叠的区域。
具体的，所述像素电极P11与栅极线G11的交叠区域上具有一凸起，所述凸起与栅极线G11完全交叠或部分交叠。需要说明的是，所述像素电极P11的凸起的形状优选为矩形，还可以为三角形等其他形状，不做具体限制，所述像素电极P11的凸起的宽度依据具体情况设置，不做具体限制，所述像素电极P11的凸起优选与所述栅极线G11完全交叠，即所述像素电极P11的凸起与栅极线G11的远离像素电极P11透光区的一端齐平或超出一部分，但是所述像素电极P11的凸起与所述栅极线G11部分交叠也是可以的，只要在激光打到修复标记X的时候，能够使得栅极线G11与像素电极P11短路即可。
所述修复标记X具有三角形的修复标记图形，且与像素电极P11的凸起交叠，所述修复标记X还可以具有圆弧形、矩形或其他可以起到标示作用的修复标记图形，需要说明的是，所述修复标记X的规格需适中，不能太小使得操作人员不易辨认，更不能太大而影响液晶显示装置整体的显示效果。
另外，如图4所示，所述修复标记还可以具有沿栅极线G101向外凸出的修复标记图形X-1，或如图5所示，所述修复标记还可以具有穿透栅极线G102的修复标记图形X-2，所述像素电极的凸起为三角形。
由于所述修复标记X与所述像素电极P11的凸起交叠，在修复薄膜晶体管液晶显示装置亮点的过程中，可以根据修复标记X精确判断修复点的位置，并且，由于所述像素电极P11的凸起和修复标记X远离像素电极P11的透光区域，则在修复亮点的过程中可以使修复点尽量远离像素的透光区域，避免像素内污染或由于激光将金属融掉导致的像素边缘漏光现象的发生，进而提高修复成功率。
本发明另一实施例公开了另一种薄膜晶体管液晶显示装置，与上述实施例不同之处在于，本实施例所公开的薄膜晶体管液晶显示装置还包括隔离层，所述隔离层设置在所述栅极绝缘层表面上，且与所述凸起交叠。
具体的，如图6和图7所示，图6为俯视图，修复标记X1具有沿栅极线102向内凹进的矩形的修复标记图形，且所述修复标记X1与所述像素电极106的凸起交叠，所述隔离层(图中未标出)设置在所述栅极绝缘层表面上，且与所述像素电极106凸起交叠；图7为沿A-A’线的剖面图，如图所示，在基板101表面上设置有栅极线102，在栅极线102表面上覆盖有栅极绝缘层103，所述栅极绝缘层103还覆盖在基板101表面上，所述隔离层104设置在栅极绝缘层103表面上，且与所述修复标记X1相对应，所述钝化层105覆盖在所述栅极绝缘层103和隔离层104表面上，所述像素电极106设置在所述钝化层105表面上，且此处的像素电极106与栅极线102完全交叠。
需要说明的是，所述隔离层104的制作材料与半导体层的制作材料相同，均为非晶硅，且所述隔离层104与半导体层在同一光刻过程中同时形成。
由于所述修复标记X1与所述像素电极106的凸起交叠，在修复薄膜晶体管液晶显示装置亮点的过程中，可以根据修复标记X1精确判断修复点的位置，并且，由于所述像素电极106的凸起和修复标记X1远离像素电极的透光区域，则在修复亮点的过程中可以使修复点尽量远离像素的透光区域，避免像素内污染或由于激光将金属融掉导致的像素边缘漏光现象的发生，进而提高修复成功率。
并且，本实施例所公开的薄膜晶体管液晶显示装置在对应于所述修复标记X1的栅极绝缘层103和钝化层105之间设置有隔离层104，且所述隔离层104与所述像素电极106的凸起交叠，如此可以增加栅极线102和像素电极106之间的距离，减小像素电极106与栅极线102之间的电容，即可减小液晶显示装置工作信号的延时。
此外，由于隔离层104与半导体层在同一光刻过程中形成，所以隔离层104的形成只需改变光刻过程所用到的掩膜版结构，对于制作液晶显示装置本身而言，并不会增加任何额外步骤。
本发明的又一实施例公开了一种上述液晶显示装置亮点的修复方法，该方法包括：
对液晶显示装置加电测试，确定亮点所在的像素，如图3所示，激光焊接所述修复标记X所标示出的位置，将所述栅极线G11与所述像素电极P11的凸起焊接到一起，使栅极线G11与像素电极P11短路。
由于所述修复标记X与所述像素电极P11的凸起交叠，在修复薄膜晶体管液晶显示装置亮点的过程中，首先确定了修复所需的焊接位置，即根据修复标记精确判断修复点的位置，并且，由于所述像素电极P11的凸起和修复标记X远离像素电极的透光区域，则在修复亮点的过程中可以使修复点尽量远离像素的透光区域，避免像素内污染或由于激光将金属融掉导致的像素边缘漏光现象的发生，进而提高修复成功率。
本发明的另一实施例公开了一种薄膜晶体管液晶显示装置的制作方法，该制作方法包括：
步骤S1、提供基板，在所述基板表面上形成第一金属层，并对第一金属层进行刻蚀，形成栅极线和共通线。
具体的，所述基板为玻璃基板或是其他材料的基板。
在所述基板表面上形成栅极线和共通线具体包括：
在所述基板表面上采用等离子溅射方式形成第一金属层，即首先将所述基板放入反应腔中，高能粒子撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞出原子，这些被撞出的原子穿过真空，最后淀积在基板表面，得到第一金属层。但是第一金属层的形成并不仅限于等离子溅射方式，还可以利用其他的物理气相淀积方式形成，在此不做详细描述。然后再对第一金属层进行光刻，即在所述第一金属层上旋涂光刻胶，形成光刻胶层，利用具有栅极线和共通线图案的掩模版进行曝光，在光刻胶层上形成栅极线和共通线图案，经显影后，在光刻胶层上形成栅极线和共通线图形，以具有栅极线和共通线图形的光刻胶层为掩膜，经干法刻蚀或湿法腐蚀等工艺得到栅极线和共通线，所述栅极线设置有栅极，且栅极线上设置有修复标记，所述修复标记具有沿栅极线向外凸出的修复标记图形或沿栅极线向内凹进的修复标记图形或穿透所述栅极线的修复标记图形，所述修复标记图形为圆弧形的修复标记图形、矩形的修复标记图形或三角形的修复标记图形等可以起到标识作用的修复标记图形。
需要说明的是，本实施例中所述“栅极线和共通线图案”为在光刻胶层表面上的二维的栅极线和共通线图案，图案区域只限于光刻胶层表面而不向表面下延伸，不具有立体形状；所述“栅极线和共通线图形”为具有立体形状的三维图形，该图形的厚度为光刻胶层的厚度。
步骤S2、在栅极线、共通线和基板表面上形成栅极绝缘层，并在栅极绝缘层表面上形成非晶硅层，对所述非晶硅层进行刻蚀，形成半导体层。
具体的，在所述栅极线、共通线和基板表面上采用化学气相淀积方式形成栅极绝缘层，即首先将表面设置有栅极线和共通线的基板放入反应腔中，气体先驱物传输到基板表面进行吸附作用和反应，然后将反应的副产物移除，得到栅极绝缘层。但是栅极绝缘层的形成并不仅限于化学气相淀积方式，还可以利用其他的物理气相淀积等方式形成，在此不做详细描述。所述栅极绝缘层为SiNx层，并通过相同的工艺在栅极绝缘层表面上形成非晶硅层，对所述非晶硅层进行光刻，在与栅极相对应的位置形成半导体层。
需要说明的是，在形成半导体层的同时，还可以在修复标记上方的栅极绝缘层表面上形成隔离层。
步骤S3、在半导体层和栅极绝缘层表面上形成第二金属层，并对第二金属层进行刻蚀，形成数据线、源极和漏极。
具体的，采用物理气相淀积工艺在所述半导体层和栅极绝缘层表面上形成第二金属层，之后，采用光刻工艺在所述第二金属层内形成数据线、源极和漏极，所述数据线和源极为一整体结构。
步骤S4、在所述数据线、源极、漏极和栅极绝缘层表面上形成钝化层，对所述钝化层进行刻蚀，形成接触孔。
具体的，采用化学气相淀积工艺在所述数据线、共通线和栅极绝缘层表面上形成钝化层，之后，采用光刻工艺在所述钝化层内形成接触孔，所述接触孔位于漏极上方的钝化层内。
步骤S5、在所述钝化层表面上形成第三金属层，对所述第三金属层进行刻蚀，形成像素电极。
具体的，采用物理气相淀积工艺在所述钝化层表面上形成第三金属层，所述第三金属层为透明金属层，制作材料优选为氧化铟锡，之后，采用光刻工艺在第三金属层上形成像素电极，所述像素电极通过接触孔和漏极电连接，且所述像素电极与栅极线的交叠区域上具有一凸起，所述凸起与栅极线完全交叠或部分交叠，所述修复标记和凸起远离像素电极的透光区，且所述修复标记与所述凸起交叠。
可见，本实施例所公开的薄膜晶体管液晶显示装置的生产方法不会增加任何额外步骤，即不会增加生产成本，并且由于在薄膜晶体管液晶显示装置内设置了凸起和修复标记，所以可以提高薄膜晶体管液晶显示装置的亮点修复成功率。
本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种薄膜晶体管液晶显示装置，包括：基板，位于所述基板表面上的第一金属层，设置在所述第一金属层的栅极线，位于所述第一金属层表面上的栅极绝缘层，位于所述栅极绝缘层表面上的半导体层，位于所述半导体层表面上的第二金属层，设置在所述第二金属层的数据线、源极和漏极，所述数据线与源极电连接，所述源极与漏极相对设置，位于所述第二金属层表面上的钝化层，位于所述钝化层表面上的透明导电层，设置在所述透明导电层的像素电极，所述栅极线与所述数据线垂直设置构成多个像素，所述像素电极分别设置在每个像素内，且所述像素电极与漏极电连接，其特征在于：
所述像素电极与栅极线部分交叠，所述像素电极与栅极线具有交叠区域，在所述交叠区域，所述像素电极的端面具有一凸起，所述凸起与栅极线完全交叠或部分交叠；
所述栅极线上设置有修复标记，所述修复标记远离像素电极的透光区，且所述修复标记与所述凸起交叠。
2.根据权利要求1所述薄膜晶体管液晶显示装置，其特征在于，所述修复标记具有沿栅极线向外凸出的修复标记图形。
3.根据权利要求1所述薄膜晶体管液晶显示装置，其特征在于，所述修复标记具有沿栅极线向内凹进的修复标记图形。
4.根据权利要求1所述薄膜晶体管液晶显示装置，其特征在于，所述修复标记具有穿透所述栅极线的修复标记图形。
5.根据权利要求2-4中任一项所述薄膜晶体管液晶显示装置，其特征在于，所述修复标记图形为圆弧形的修复标记图形。
6.根据权利要求2-4中任一项所述薄膜晶体管液晶显示装置，其特征在于，所述修复标记图形为矩形的修复标记图形。
7.根据权利要求2-4中任一项所述薄膜晶体管液晶显示装置，其特征在于，所述修复标记图形为三角形的修复标记图形。
8.根据权利要求1所述薄膜晶体管液晶显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管液晶显示装置还包括隔离层，所述隔离层设置在所述栅极绝缘层表面上，且与所述凸起交叠。
9.根据权利要求8所述薄膜晶体管液晶显示装置，其特征在于，所述隔离层的制作材料与半导体层的制作材料相同，且所述隔离层与半导体层在同一光刻过程中形成。
10.一种权利要求1所述薄膜晶体管液晶显示装置的修复方法，其特征在于，包括：
确定所述薄膜晶体管液晶显示装置出现亮点的像素，激光焊接所述像素内的修复标记所标示出的位置，使所述栅极线与所述像素电极电连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210042001.3A CN103293794B (zh) | 2012-02-22 | 2012-02-22 | 一种薄膜晶体管液晶显示装置及其修复方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210042001.3A CN103293794B (zh) | 2012-02-22 | 2012-02-22 | 一种薄膜晶体管液晶显示装置及其修复方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103293794A CN103293794A (zh) | 2013-09-11 |
| CN103293794B true CN103293794B (zh) | 2015-10-21 |
Family
ID=49094933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210042001.3A Expired - Fee Related CN103293794B (zh) | 2012-02-22 | 2012-02-22 | 一种薄膜晶体管液晶显示装置及其修复方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103293794B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6289497B2 (ja) * | 2013-11-14 | 2018-03-07 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 回路基板及び表示装置 |
| CN104298036A (zh) * | 2014-10-09 | 2015-01-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示面板及薄膜晶体管阵列基板 |
| CN105140241B (zh) * | 2015-09-18 | 2018-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| CN105892115B (zh) * | 2016-06-27 | 2019-11-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板、显示面板以及阵列基板的修复方法 |
| JP2019169086A (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | 位置入力装置 |
| CN114578624B (zh) * | 2021-12-29 | 2023-01-17 | 滁州惠科光电科技有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
| CN114815425B (zh) * | 2022-05-07 | 2023-11-28 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6429909B1 (en) * | 1997-10-18 | 2002-08-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof |
| CN1598679A (zh) * | 2003-09-11 | 2005-03-23 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板和显示设备及其制造方法 |
| CN1957385A (zh) * | 2004-05-28 | 2007-05-02 | 夏普株式会社 | 显示装置的基板及其修补方法、显示装置的修补方法和液晶显示装置 |
| CN103149755A (zh) * | 2011-12-06 | 2013-06-12 | 上海中航光电子有限公司 | 一种薄膜晶体管液晶显示装置及其修复方法 |
-
2012
- 2012-02-22 CN CN201210042001.3A patent/CN103293794B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6429909B1 (en) * | 1997-10-18 | 2002-08-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof |
| CN1598679A (zh) * | 2003-09-11 | 2005-03-23 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板和显示设备及其制造方法 |
| CN1957385A (zh) * | 2004-05-28 | 2007-05-02 | 夏普株式会社 | 显示装置的基板及其修补方法、显示装置的修补方法和液晶显示装置 |
| CN103149755A (zh) * | 2011-12-06 | 2013-06-12 | 上海中航光电子有限公司 | 一种薄膜晶体管液晶显示装置及其修复方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103293794A (zh) | 2013-09-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103293794B (zh) | 一种薄膜晶体管液晶显示装置及其修复方法 | |
| CN103149755B (zh) | 一种薄膜晶体管液晶显示装置及其修复方法 | |
| CN103681693B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN103309108B (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | |
| CN101819362B (zh) | Tft-lcd阵列基板制造方法 | |
| US8237881B2 (en) | Display panel, array substrate and manufacturing method thereof | |
| CN102096255B (zh) | 液晶显示设备的阵列基板及其制造方法 | |
| KR20110075411A (ko) | 터치센서 인셀 타입 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법 | |
| CN103792747B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、修复方法及显示装置 | |
| CN103454819A (zh) | 用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法 | |
| CN102929060B (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN103135297B (zh) | 一种薄膜晶体管液晶显示装置及其断线数据线修复方法 | |
| CN109727920B (zh) | Tft基板的制作方法及tft基板 | |
| CN105182625A (zh) | 一种显示基板及其制作方法和显示装置 | |
| CN106158739B (zh) | 显示器的阵列基板及其制造方法 | |
| CN104882450B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| JP2012018322A (ja) | 液晶表示パネル | |
| CN102867823A (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN106024808A (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示器件 | |
| CN102034749B (zh) | 阵列基板及其制造方法 | |
| CN104362152B (zh) | 一种阵列基板的制备方法 | |
| CN103681695B (zh) | 薄膜晶体管阵列基板、制造方法及液晶显示装置 | |
| CN104749845A (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN104714347B (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| JP2010165866A (ja) | 薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20201202 Address after: 5-6 / F, building D, huilongda Industrial Park, Shuitian Private Industrial Park, Shiyan street, Bao'an District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: Shenzhen Haiyun Communication Co.,Ltd. Address before: 201108 Shanghai city Minhang District Huaning Road No. 3388 Patentee before: Shanghai AVIC Optoelectronics Co.,Ltd. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20151021 |