CN103226400A - 静电电容式压力传感半导体设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种静电电容式压力传感半导体设备，对于通过按压部件施加的压力具有耐压性，且能够可靠且有效率地检测压力。包括：压力检测部（10），作为静电电容的变化而检测压力；以及封装（20），密封有该压力检测部（10）。压力检测部（10）具有第1电极（1）和经由预定的距离与该第1电极（1）相对配置的第2电极（2），在第1电极（1）和第2电极（2）之间形成静电电容，且距离对应于通过按压部件向第1电极传递的压力而变化，从而静电电容变化。在封装（20）中配置有压力传递部件（22），该压力传递部件（22）将向压力检测部（10）的第1电极（1）传递的、按压部件的压力传递到第1电极（1）。

Description

静电电容式压力传感半导体设备

技术领域

本发明涉及将从外部施加的压力作为静电电容的变化而检测的静电电容式压力传感半导体设备。

背景技术

作为用作个人计算机等的输入设备的位置输入装置的一例，例如已知由位置指示器和位置检测装置构成的装置，所述位置指示器具有如笔这样的形状，且包括笔压检测部，所述位置检测装置具有使用该位置指示器进行指示操作或字符和图等的输入的输入面。

并且，在位置指示器的笔压检测部中，例如使用如在专利文献1（日本特开平4-96212号公报）中记载的可变电容器。在该专利文献1中记载的可变电容器，作为机构性的构造部件，包括安装在电介质的一个面的第1电极和配置在电介质的与所述一个面相对的另一个面侧且具有柔性的第2电极。并且，该可变电容器包括：将第2电极和电介质的另一个面之间除了其一部分之外而分隔微小间隔的分隔部件以及在第2电极和电介质之间施加相对的压力或者位移的部件。并且，成为若对笔形状的位置指示器施加笔压，则通过柔性的第2电极进行位移而电容变化的结构。

因此，该专利文献1的位置指示器的可变电容器，由于部件件数多且是机构部件，所以存在位置指示器的结构复杂的问题。

另一方面，例如，如专利文献2（日本特开平11-284204号公报）、专利文献3（日本特开2001-83030号公报）、专利文献4（日本特开2004-309282号公报）、专利文献5（美国公开公报US2002/0194919）所公开，提出了通过以MEMS（Micro Electro Mechanical Systems，微型机电系统）技术等为代表的半导体微加工技术而制作的静电电容式的压力传感器。

在该专利文献2~专利文献5中公开的压力传感器是具有包括第1电极和经由预定的距离与该第1电极相对配置的第2电极的半导体结构的压力传感器，由于根据对第1电极施加的压力，第1电极和第2电极之间的距离变化，从而在第1电极和第2电极之间形成的静电电容变化，因此，能够作为所述静电电容的变化而检测所述压力。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开平4-96212号公报

【专利文献2】日本特开平11-284204号公报

【专利文献3】日本特开2001-83030号公报

【专利文献4】日本特开2004-309282号公报

【专利文献5】美国公开公报US2002/0194919

若能够将如上述专利文献1所示的为了根据来自外部的按压力使静电电容可变从而将由多个机构性的构造部件构成的可变电容器置换为如专利文献2~专利文献5所记载的通过MEMS技术所构成的压力传感器，则能够减少部件件数，且没有用于组装的机构性的部件，所以结构变得简单，对可靠性的提高和成本的降低产生贡献。

另外，作为如在上述专利文献1中记载的位置指示器的笔压检测用等的、检测来自外部的按压力的压力传感器，为了应对不能与声压等的压力等级相比的大的压力，需要具备具有耐住该压力的耐压性的构造。并且，优选具备能够可靠且有效率地检测如例如具有笔形状的位置指示器的轴心方向的压力等的、来自特定方向的压力的构造。

另外，专利文献2和专利文献3的压力传感器是检测水或空气等流体的压力的传感器，不能作为上述位置指示器的笔压检测用而应用。

此外，在专利文献4和专利文献5的压力传感器中，通过例如陶瓷层或由例如硅等构成的半导体基板受到压力而弯曲，从而第1电极和第2电极的距离变化，静电电容变化。但是，在这些专利文献4和专利文献5中，仅仅记载了在压力直接施加到这些陶瓷层或半导体基板时的动作，并没有公开用于可靠且有效率地检测在应用于所述位置指示器的笔压检测的情况下必要的耐压性或压力的构造。此外，丝毫没有叙述对于在第1电极或者第2电极中没有预期地施加的压力的耐冲击性。

发明内容

本发明鉴于以上的点，其目的在于，提供一种对于从外部施加的按压力等而产生的压力具有耐压性，且能够可靠且有效率地检测所述压力，并且，具有考虑了对于从外部施加的没有预期的按压力的耐冲击性的构造的静电电容式压力传感半导体设备。

为了解决上述课题，本发明是一种静电电容式压力传感半导体设备，包括：压力检测部，作为静电电容的变化而检测压力；以及封装，密封有所述压力检测部，所述静电电容式压力传感半导体设备的特征在于，

所述压力检测部具有第1电极和经由预定的距离与所述第1电极相对配置的第2电极，在所述第1电极和所述第2电极之间形成静电电容，且所述距离对应于通过按压部件向所述第1电极传递的压力而变化，从而所述静电电容变化，

在所述封装中配置有具有弹性的压力传递部件，该压力传递部件将向所述压力检测部的所述第1电极传递的所述按压部件的压力传递到所述第1电极。

在具有上述结构的本发明中，在包括了作为静电电容的变化而检测压力的压力检测部以及密封有所述压力检测部的封装的静电电容式压力传感半导体设备中，具有预定的弹性的压力传递部件与封装一体或者与封装结合而配置在封装中，按压部件的压力经由该具有预定的弹性的压力传递部件而传递到压力检测部的第1电极。并且，根据传递到第1电极的压力，形成静电电容的第1电极和第2电极的距离变化，从而静电电容变化。

因此，由于具有预定的弹性的压力传递部件的存在，压力不会直接施加到压力检测部的第1电极。因此，根据本发明的静电电容式压力传感半导体设备，对于从外部施加的按压力等而产生的压力具有耐压性。

并且，由于压力检测部的第1电极经由具有预定的弹性的压力传递部件而受到压力，所以能够构成为将来自外部的按压部件的压力通过具有预定的弹性的压力传递部件而适当地传递到第1电极，压力检测部能够可靠且有效率地检测所述压力。

进一步，由于存在具有预定的弹性的压力传递部件，所以对于没有预期地施加的冲击性的压力也具有耐冲击性。

根据本发明，由于在封装内密封压力检测部，且经由具有预定的弹性的压力传递部件而对该压力检测部施加压力，所以能够提供一种对于从外部施加的按压力等而产生的压力具有耐压性，且能够可靠且有效率地检测所述压力，并且，对于没有预期的冲击性的按压力具有耐冲击性的静电电容式压力传感半导体设备。

附图说明

图1是表示本发明的静电电容式压力传感半导体设备的第1实施方式的基本结构例的图。

图2是表示在本发明的静电电容式压力传感半导体设备中使用的压力检测部的结构例的图。

图3是表示在本发明的静电电容式压力传感半导体设备中使用的压力检测部的特性例的图。

图4是表示在本发明的静电电容式压力传感半导体设备中使用的压力检测部的其他结构例的图。

图5是表示在图4的例子的静电电容式压力传感半导体设备中使用的压力检测部的特性例的图。

图6是表示本发明的静电电容式压力传感半导体设备的第1实施方式的变形例的图。

图7是表示本发明的静电电容式压力传感半导体设备的第1实施方式的其他变形例的图。

图8是表示本发明的静电电容式压力传感半导体设备的第1实施方式的其他变形例的图。

图9是表示本发明的静电电容式压力传感半导体设备的第2实施方式的结构例的图。

图10是用于说明本发明的静电电容式压力传感半导体设备的第3实施方式的结构例的图。

图11是用于说明本发明的静电电容式压力传感半导体设备的第3实施方式的其他结构例的图。

图12是用于说明本发明的静电电容式压力传感半导体设备的第4实施方式的结构例的图。

图13是用于说明本发明的静电电容式压力传感半导体设备的第5实施方式的结构例的图。

图14是用于说明本发明的静电电容式压力传感半导体设备的第6实施方式的结构例的图。

图15是用于说明本发明的静电电容式压力传感半导体设备的第7实施方式的结构例的图。

图16是用于说明应用了本发明的静电电容式压力传感半导体设备的实施方式的位置检测装置的图。

图17是用于说明应用了本发明的静电电容式压力传感半导体设备的实施方式的位置指示器的图。

图18是应用了本发明的静电电容式压力传感半导体设备的实施方式的位置检测装置的位置检测以及笔压检测电路的一例的电路图。

图19是用于说明本发明的静电电容式压力传感半导体设备的变形例的图。

具体实施方式

【第1实施方式】

图1是用于说明本发明的静电电容式压力传感半导体设备（以下，称为压力传感半导体设备）的第1实施方式的结构的图，图1（A）是本第1实施方式的压力传感半导体设备100的立体图，图1（B）是包括图1（A）的A-A线的纵剖视图，图1（C）是表示将第1实施方式的压力传感半导体设备100安装在印刷布线电路板200时的状态的图。

本第1实施方式的压力传感半导体设备100是，将作为例如通过MEMS技术制作的半导体芯片而构成的压力检测芯片10例如在正方体或者长方体的箱型的封装20内密封的设备（参照图1（A）、（B））。压力检测芯片10是压力检测部的一例。

压力检测芯片10是将被施加的压力作为静电电容的变化而检测的芯片，在本例中，具有如图2所示的结构。图2（B）是从受到压力P的面1a侧观察本例的压力检测芯片10的图，且图2（A）是图2（B）的B-B线纵剖视图。

如该图2所示，该第1例的压力检测芯片10成为纵×横×高度=L×L×H的长方体形状。在本例中，成为L=1.5mm、H=0.5mm。

本例的压力检测芯片10由第1电极1、第2电极2、第1电极1和第2电极2之间的绝缘层（电介质层）3构成。在本例中，第1电极1和第2电极2由导体构成，该导体由单晶硅（Si）构成。在本例中，绝缘层3由绝缘膜构成，该绝缘膜由氧化膜（SiO₂）构成。另外，绝缘层3不必由氧化膜构成，也可以由其他的绝缘物构成。

并且，在本例中，在该绝缘层3的与第1电极1相对的面侧，形成有以该面的中央位置作为中心的圆形的凹部4。通过该凹部4，在绝缘层3和第1电极1之间形成空间5。在本例中，凹部4的底面成为平坦的面，其直径D成为例如D=1mm。此外，在本例中，凹部4的深度成为几十微米~几百微米左右。

本例的压力检测芯片10如下通过半导体工艺而制成。首先，在构成第2电极2的单晶硅上形成由氧化膜构成的绝缘层3。接着，通过对该氧化膜的绝缘层3以形成空间5的方式配置覆盖直径D的圆形的部分以外的部分的掩模并施加蚀刻，从而形成凹部4。然后，在绝缘层3上，粘附构成第1电极1的单晶硅。由此，形成在第1电极1的下方具有空间5的压力检测芯片10。

由于该空间5的存在，若第1电极1从与第2电极2相对的面的相反侧的面1a侧被按压，则能够进行位移，使得向该空间5的方向弯曲。作为第1电极1的例子的单晶硅的厚度t成为能够通过被施加的压力P而弯曲的厚度，比第2电极2薄。如下所述，该第1电极1的厚度t被选定为，使得第1电极1相对于被施加的压力P的弯曲位移特性成为期望的特性。

在以上的结构的压力检测芯片10中，在第1电极1和第2电极2之间形成静电电容Cv。并且，如图2（A）所示，若从第1电极1的与第2电极2相对的面的相反侧的上表面1a侧对第1电极1施加压力P，则如下变化：第1电极1如在图2（A）中由虚线所示那样弯曲，第1电极1和第2电极2之间的距离缩短，静电电容Cv的值增大。第1电极1的弯曲量根据被施加的压力P的大小而变化。因此，如图2（C）的等效电路所示，静电电容Cv根据对压力检测芯片10施加的压力P的大小而变化。

另外，在作为第1电极1而例示的单晶硅中，通过压力而产生几微米的弯曲。静电电容Cv的电容通过引起该弯曲的按压力P而呈现0~10pF（皮法）的变化。

在本实施方式的压力传感半导体设备100中，具有以上的结构的压力检测芯片10以受到压力的第1电极1的面1a在图1（A）和（B）中与封装20的上表面20a相对的状态收纳在封装20内。

在本例中，封装20由封装部件21和弹性部件22构成，该封装部件21由陶瓷材料或树脂材料等电绝缘性材料构成，该弹性部件22在该封装部件21内设置在压力检测芯片10受到压力的面1a侧。弹性部件22是具有预定的弹性的压力传递部件的一例。

并且，在本例中，在封装部件21内的、压力检测芯片10受到压力的第1电极1的面1a侧的上部设置有与第1电极1的面积对应的凹部21a，在该凹部21a内充填弹性部件22而配置。在本例中，弹性部件22由具有预定的弹性的硅树脂构成，尤其由硅橡胶构成。

并且，在封装20中，形成有从上表面20a至弹性部件22的一部分为止连通的连通洞23。即，在封装部件21中形成有构成该连通洞23的一部分的贯通孔21b，且在弹性部件22中设置有构成连通洞23的端部的凹洞22a。此外，在封装部件21的连通洞23的开口部侧（上表面20a侧）形成有锥形部21c，连通洞23的开口部成为喇叭状形状。

在图1（A）和（B）中，如虚线所示那样，在连通洞23中，插入作为用于对压力传感半导体设备100施加用户的按压力等从外部施加的压力的按压部件的棒状的突状部件300。此时，来自外部的压力P向棒状的突状部件300的轴心方向（中心线方向）施加。另外，在本例中，通过贯通孔21b的内径比突状部件300抵接到贯通孔21b的部分的直径稍微大，且凹洞22a的内径比突状部件300抵接到凹洞22a的部分的直径稍微小，从而容易通过锥形部21c和贯通孔21b而将突状部件300引导至压力传感半导体设备100的内部，且插入到压力传感半导体设备100的突状部件300不会容易脱落。

即，由于连通洞23的开口部具有喇叭形状，所以突状部件300被引导至其开口部的锥形部21c，容易导入连通洞23内而插入。并且，突状部件300塞进连通洞23的端部的弹性部件22的凹洞22a内为止。由此，通过插入压力传感半导体设备100的连通洞23，突状部件300以对压力检测芯片10受到压力的面侧施加轴心方向的压力P的状态而被定位。

此时，由于凹洞22a的内径比突状部件300抵接到凹洞22a的部分的直径稍微小，所以突状部件300在弹性部件22的凹洞22a中成为通过弹性部件22而弹性保持的状态。即，若突状部件300插入压力传感半导体设备100的连通洞23，则突状部件300保持在压力传感半导体设备100中。另一方面，通过以预定的力拔出突状部件300，能够容易解除压力传感半导体设备100的保持状态。

并且，如图1（A）和（B）所示，从压力传感半导体设备100的封装部件21导出与压力检测芯片10的第1电极1连接的第1导线端子31，且导出与压力检测芯片10的第2电极2连接的第2导线端子32。第1导线端子31例如通过金线33与第1电极1电连接。此外，第2导线端子32通过以接触第2电极2的状态导出，从而与第2电极2电连接。但是，第2导线端子32和第2电极2也都可以通过金线等电连接。

在本例中，第1导线端子31和第2导线端子32由导体构成，且如图所示那样成为宽幅。并且，在本例中，第1导线端子31和第2导线端子32从与封装20的上表面20a相对的底面20b，向垂直于该底面20b的方向导出，且以隔着与配置有压力传感半导体设备100的印刷布线电路板200的厚度d对应的间隔而相互平行地相对的方式导出。

并且，如图1（C）所示，配置压力传感半导体设备100，使得以封装20的底面20b抵接到印刷布线电路板200的端面200a的状态，通过第1导线端子31和第2导线端子32夹持该印刷布线电路板200的厚度方向。

并且，将在印刷布线电路板200的一面200b中设置的印刷布线图案202和第1导线端子31通过焊锡201电连接且固定。此外，虽然省略图示，但同样地，将在印刷布线电路板200的与一面200b相反侧的面中设置的印刷布线图案和第2导线端子32通过锡焊固定。另外，在印刷布线电路板200的一面200b侧设置信号处理电路（IC等）的情况下，由于锡焊有第2导线端子32的印刷布线图案设置在印刷布线电路板200的与一面200b相反侧的面，所以经由在印刷布线电路板200中设置的通孔而连接到一面200b侧的印刷布线图案202，从而连接到信号处理电路。

若在这个状态下，如图1（C）所示，向突状部件300的轴心方向施加按压力P，则与该按压力P对应的压力经由弹性部件22施加到压力检测芯片10。如上所述，压力检测芯片10的静电电容Cv根据对压力检测芯片10施加的压力而变化。因此，在印刷布线电路板200中设置的信号处理电路进行与该静电电容Cv的电容值对应的信号处理。

此时，如图1（B）所示，在压力检测芯片10受到压力的面1a侧，通过经由弹性部件22对第1电极1施加压力，从而呈现与突状部件300的按压力P对应的静电电容Cv。

并且，此时，由于压力检测芯片10通过突状部件300受到压力的面侧不会通过突状部件300而被直接按压，而是弹性部件22介于突状部件300和压力检测芯片10之间，因此压力检测芯片10受到压力的面侧的耐压性、耐冲击性提高，能够防止该面侧因过大的压力、没有预期的瞬间压力等而损坏。即，在第1实施方式的压力传感半导体设备100中，由于压力检测芯片10经由作为具有预定弹性的压力传递部件的弹性部件22受到来自外部的突状部件300的按压力P而产生的压力，所以对于向压力检测芯片10、更具体地说是受到压力的第1电极1的施加压力具有耐压性、耐冲击性。

此外，作为按压部件的突状部件300通过插入在压力传感半导体设备100的封装20中设置的连通洞23被引导，从而被定位。因此，通过突状部件300施加的压力经由弹性部件22而可靠地传递到压力检测芯片10。

并且，由突状部件300施加的按压力通过弹性部件22，作为压力而传递到压力检测芯片10的第1电极1的面1a。因此，通过由突状部件300施加的按压力施加到压力检测芯片10受到压力的面1a，从而压力检测芯片10的静电电容Cv对应于按压力P而变化。即，本实施方式的压力传感半导体设备100呈现与按压力P对应的静电电容的变化，用于例如在开头说明的笔压检测而使用了这一变化的情况下，能够良好地检测笔压。

【第1实施方式的变形例】

<压力-静电电容电容变化特性调整>

<第1例>

在上述第1实施方式的压力传感半导体设备100的压力检测芯片10中，若改变构成被施加压力的第1电极1的单晶硅的厚度t，则第1电极1的弯曲量根据施加压力而变化。因此，通过选定第1电极1的厚度，能够改变与施加压力P对应的压力检测芯片10的静电电容Cv的电容变化特性。

图3是表示与向压力检测芯片10的施加压力对应的静电电容Cv的电容变化特性的例子的特性图。如该图3所示，在第1电极1的厚度为t=t1的情况下，与施加压力对应的压力检测芯片10的静电电容Cv的电容变化特性成为如曲线40所示的特性。

并且，在将第1电极1的厚度t设为比t1厚的t2（t2＞t1）的情况下，由于第1电极1相对于施加压力更加难以弯曲，所以与施加压力对应的静电电容Cv的电容变化特性成为进行与曲线40相同的变化的特性，但成为变化比曲线40缓慢的曲线41。

并且，在将第1电极1的厚度t设为比t1薄的t3（t3＜t1）的情况下，由于第1电极1相对于施加压力更加容易弯曲，所以与施加压力对应的静电电容Cv的电容变化特性成为进行与曲线40相同的变化的特性，但成为变化比曲线40急剧的曲线42。

如上所述，通过改变压力检测芯片10的第1电极1的厚度t，能够将与施加压力对应的静电电容Cv的电容变化特性选定为期望的特性。

另外，以上的例子是改变了第1电极1的厚度t，但也可以通过将第1电极1的材质改变为更加容易弯曲的材料、更加难以弯曲的材质，从而即使厚度t相同，也能够改变与施加压力对应的压力检测芯片10的静电电容Cv的电容变化特性。此时，通过改变第1电极1的材质的同时改变厚度t，也能够更加细致地改变电容变化特性。

另外，通过选定弹性部件22的弹性率或者相互比较后述的图10（B）和图11（B）可知，由于通过在弹性部件22和第1电极1的卡合关系（例如，抵接形状）上具备变化，也能够改变向压力检测芯片10的压力的施加特性（传递特性），所以通过这样的方法，也能够改变压力检测芯片10的静电电容Cv的电容变化特性。

<第2例>

在以上的例子中，与向压力检测芯片10的施加压力对应的静电电容Cv的电容变化特性具有相互类似的倾向。但第2例是与向压力检测芯片10的施加压力对应的静电电容Cv的电容变化特性的变化率、所谓的斜度变化的倾向具有相互不同的特性的例子。

在该第2例中，通过将压力检测芯片10的绝缘层3的凹部4的、相对第1电极1而形成空间5的面设为厚度非均匀的形状而不是一致的平面，从而将与向压力检测芯片10的压力对应的静电电容Cv的电容变化特性设为期望的特性。图4（A）、（B）是用于说明本第2例的压力检测芯片10A、10B的图，分别是与上述压力检测芯片10的图2（A）所示的剖视图对应的剖视图。在该图4（A）、（B）中，对于与上述压力检测芯片10相同的部分标注相同的参考标号，并省略其说明。

在图4（A）的例子的压力检测芯片10A中，是在绝缘层3中形成的凹部4A成为厚度以该凹部4A的与第1电极1的相对面缓慢地变深的方式变化的形状的情况的一例，在本例中，形成使得凹部4A的与第1电极1的相对面缓慢地变深的两段的台阶部61、62。通过如上所述那样形成有凹部4A之后，配置覆盖该凹部4A的与第1电极1相对的底面的预定的大小的圆形区域以外的掩模，并进一步重复实施蚀刻处理，从而形成该台阶部61、62。通过该蚀刻处理，没有被掩模的圆形区域成为深度比其周围更深的凹部，形成台阶部61、62。

在具备与第1电极1的相对面为平面的凹部4的上述压力检测芯片10的情况下与施加压力对应的静电电容Cv的特性曲线，若在图5中成为如曲线43所示的曲线，则该图4（A）的例子的压力检测芯片10A在图5中成为如曲线44所示的曲线，具有静电电容Cv相对于施加压力大致以直线方式成比例而变化的特性。

另外，为了获得如该图5的曲线44所示的特性，作为设为凹部4A的与第1电极1的相对面缓慢地变深的形状的方法，并不限定于如上述例子所示的设置台阶部61、62的方法，例如也可以设为向凹部4A的中心缓慢地变深的曲面形状的凹部。

接着，在图4（B）的例子的压力检测芯片10B中，在绝缘层3中形成的凹部4B是与图4（A）的例子不同而成为如下形状的情况的一例，即该凹部4B的与第1电极1的相对面的厚度以随着从其周围部分向其中央部分缓慢地接近第1电极1侧的方式变化。在这个例子中，在凹部4B的与第1电极1的相对面形成向第1电极1侧膨出的膨出部63、64。

在这个例子的情况下，首先，在构成绝缘层3的氧化膜中，在除了膨出部63的部分之外的部分配置掩模（mask）而实施蚀刻处理，将膨出部63的部分设为凸部。接着，将膨出部63的部分设为掩模，并以将该膨出部63的周围的膨出部64的部分露出的状态施加掩模，实施蚀刻处理，从而在膨出部63的部分的周围形成深度比该膨出部63深的区域而形成膨出部64。接着，将膨出部63、64的部分设为掩模，并以将该膨出部63、64的周围的凹部4B的部分露出的状态施加掩模，实施蚀刻处理，从而在膨出部63、64的部分的周围形成深度比膨出部64深的区域。通过根据需要而重复进行这样的处理，能够形成如图4（B）所示的中央部分比周围部分膨出的形状的空间5。

在该图4（B）的例子的情况下，与向压力检测芯片10B的施加压力对应的静电电容Cv的特性曲线，在图5中成为如曲线45所示的曲线，成为在施加压力小时电容较大地变化，若施加压力变大则电容的变化减小的特性。

另外，为了获得如该图5的曲线45所示的特性，作为设为凹部4B的与第1电极1的相对面之间的距离随着向凹部4B的中心接近第1电极1侧而缩短的形状的方法，并不限定于形成如上述例子所示的膨出部63、64的方法，也可以将凹部4B的与第1电极1相对的面设为例如向凹部4B的中心缓慢地膨出为曲面状的半圆形状。

通过以上，通过改变用于形成在绝缘层3和第1电极1之间形成的空间5的凹部4A、4B的、与第1电极1的相对面的形状来将与第1电极1之间的距离设为不均一，从而能够将与向压力检测芯片10A、10B的施加压力对应的静电电容Cv的特性设为期望的特性。

另外，与上述压力检测芯片10的情况相同地，与向压力检测芯片10A、10B的施加压力对应的静电电容Cv的特性，通过在第1电极1的厚度t、弹性部件22的弹性率或弹性特性、或者弹性部件22和第1电极1的卡合关系（例如，抵接形状）上具备变化，也能够设为期望的特性。

即，通过将与弹性部件22卡合的突状部件300的前端的形状例如以曲面形状、尖锐地削尖的形状、或者平面形状等那样变化，从而改变与向压力检测芯片10、10A、10B的施加压力对应的第1电极1向空间5的方向的弯法。由此，即使将与弹性部件22卡合的突状部件300的前端的形状如上所述那样变化为各种形状，也能够改变与施加压力对应的压力检测芯片10的静电电容Cv的电容变化特性。

<压力传感半导体设备的印刷布线电路板的安装的定位>

在上述实施方式中，如图1（C）所示，以将压力传感半导体设备100的封装20的与上表面20a相对的底面20b按压到印刷布线电路板200的端面200a的状态，在印刷布线电路板200上安装压力传感半导体设备100。

此时，若压力传感半导体设备100的封装20的底面20b为平面，则难以将压力传感半导体设备100在印刷布线电路板200的端面200a上定位。以下所示的例子是考虑了该定位的例子。

图6（A）、（B）是用于说明能够容易向印刷布线电路板定位的压力传感半导体设备的例子的图，且是对应于上述图1（B）的A-A线剖视图和图1（C）的图。在该图6（A）、（B）中，对于与上述图1的例子的压力传感半导体设备100相同的部分标注相同的参考标号，并省略其说明。

图6（A）的例子的压力传感半导体设备100A在其封装20的底面20b的例如中央部分设置突部24。另一方面，在印刷布线电路板200的端面200a上，形成该压力传感半导体设备100A的突部24嵌合的凹部203。突部24例如可以是圆柱状形状、四角柱形状、圆锥状形状、圆锥台形状、方锥台形状、半圆状形状等用于定位的任意的形状。并且，凹部203成为与突部24的形状对应的形状是理所当然的。

在印刷布线电路板200的端面200a中的凹部203的形成位置成为如下位置：在由压力传感半导体设备100A的导线端子31、32夹持印刷布线电路板200，压力传感半导体设备100A的突部24嵌合到该凹部203时，压力传感半导体设备100A的导线端子31电连接到在印刷布线电路板200的一面200b中设置的印刷布线图案202的位置。在这样定位时，虽然省略了图示，但压力传感半导体设备100A的导线端子32也被定位为电连接到在与印刷布线电路板200的面200b相反侧的面中形成的印刷布线图案。

因此，通过由压力传感半导体设备100A的导线端子31、32夹持印刷布线电路板200，将压力传感半导体设备100A的突部24嵌合到印刷布线电路板200的凹部203，从而压力传感半导体设备100A容易相对于印刷布线电路板200进行定位，能够容易且可靠地进行锡焊等作业。另外，在封装20中设置的突部24和在印刷布线电路板200中设置的凹部203能够相互置换。即，也可以通过在封装20中设置凹部、在印刷布线电路板200中设置凸部而进行相互的定位。

此外，也可以通过切下印刷布线电路板200的端面200a而形成用于收纳压力传感半导体设备100的封装20的凹部，从而将压力传感半导体设备100相对于印刷布线电路板200进行定位。在图6（B）中表示这个例子。这个例子的压力传感半导体设备100B通过在部分切下印刷布线电路板200的端面200a而形成的凹部25中收纳其封装20的底面20b侧，从而相对于印刷布线电路板200的端面200a进行定位。

在该图6（B）的例子中，也与图6（A）的例子完全相同地，压力传感半导体设备100容易相对于印刷布线电路板200进行定位，能够容易且可靠地进行锡焊等作业。

<在压力传感半导体设备中的按压部件（突状部件）300的保持>

在上述例子的压力传感半导体设备100、100A、100B中，通过由硅橡胶形成弹性部件22，将在构成连通洞23的一部分的弹性部件22中设置的凹洞22a的内径比作为按压部件的例子的棒状的突状部件300的直径稍微小，从而使得在连通洞23内保持突状部件300。但是，作为在压力传感半导体设备中保持棒状的突状部件300的部件，并不限定于这样的保持部件。

图7是用于说明具备与保持棒状的突状部件300的保持部件有关的其他例子的压力传感半导体设备100C的图，图7（A）是与上述图1（B）的A-A线剖视图对应的图，且图7（B）是从封装20的上表面20a侧观察的图。在该图7（A）、（B）中，对于与上述图1的例子的压力传感半导体设备100相同的部分标注相同的参考标号，并省略其说明。

在图7的例子中，弹性部件22的凹洞22a的内径被选定为与突状部件300的、抵接到该凹洞22a的部分的直径大致相等或者比所述抵接的部分的直径稍微大。并且，如图7（A）以及（B）所示，在弹性部件22的凹洞22a的内壁面例如以90度角为间隔形成多个突起，在图7的例子中形成4个突起26a、26b、26c、26d。此时，突起26a和突起26c之间的距离以及突起26b和突起26d之间的距离比突状部件300抵接的部分的直径短。

根据该图7的例子，若突状部件300插入连通洞23内，则通过4个突起26a、26b、26c、26d，该突状部件300被弹性保持。并且，突状部件300还能够容易从压力传感半导体设备100C的连通洞23拔出。

另外，在凹洞22a的内壁面形成的突起的数目只要是两个以上即可，优选为3个以上。此外，也可以在突状部件300的中心线方向上进一步形成这样的多个突起。

此外，作为保持棒状的突状部件300的保持部件，也可以在弹性部件22的凹洞22a的内壁面形成O环状的突部来代替设置多个突起26a、26b、26c、26d。此时，也可以在突状部件300的中心线方向上形成弹性部件22的凹洞22a的内壁的O环状的多个突部。此时，O环状的突部的内径比突状部件300抵接的部分的直径稍微小。

此外，还能够通过在弹性部件22的凹洞22a的内壁，沿着突状部件300的中心线方向的方向形成多个带状的突条，从而构成棒状的突状部件300的保持部件。

<从压力传感半导体设备的导线端子的导出方法的其他例子>

在上述实施方式的压力传感半导体设备中，将连接到第1电极1的导线端子31和连接到第2电极2的导线端子32隔着印刷布线电路板200的厚度而导出，由这两个导线端子31、32在厚度方向上夹持印刷布线电路板200，从而将压力传感半导体设备安装在印刷布线电路板200上。因此，导线端子31锡焊到印刷布线电路板200的一面200b的印刷布线图案，导线端子32锡焊到与一面200b相反侧的面的印刷布线图案。

并且，由于这样导线端子31和导线端子32连接到印刷布线电路板200的不同的面，所以在将导线端子32连接到设置于印刷布线电路板200的一面200b侧的信号处理电路部时，与该一面200b相反侧的面的印刷布线图案需要经由例如通孔而连接到该一面200b侧的导电图案。

以下说明的例子的压力传感半导体设备是通过将与导线端子31、32对应的导线端子一同向印刷布线电路板200的一面200b侧导出，从而也可以不需要通过通孔等连接的例子。

图8是用于说明这个例子的压力传感半导体设备100D的图，图8（A）是与图1（C）的情况相同地表示在印刷布线电路板200的端面200a安装有压力传感半导体设备100D的状态的图，且图8（B）是图8（A）的C-C线剖视图。在该图8（A）、（B）中，对于与上述图1的例子的压力传感半导体设备100相同的部分标注相同的参考标号，并省略其说明。

与图1的例子的情况相比，该图8的例子的压力传感半导体设备100D的封装20的大小稍微小。并且，如图8（A）以及（B）所示，连接到压力检测芯片10的第1电极1的导线端子31D和连接到第2电极2的导线端子32D具有从封装20的封装部件21的一侧面21d侧向垂直于该侧面的方向导出之后如图所示那样直角弯曲的形状。

并且，从封装部件21的与所述一侧面21d相对的侧面21e，导出处于没有与压力检测芯片10电连接的状态的伪（dummy）端子34。该伪端子34也具有如图所示那样直角弯曲的形状。该伪端子34成为与上述压力传感半导体设备100的导线端子32相同的宽幅。

此时，从封装部件21的侧面21d侧导出的导线端子31D、32D以直角弯曲的部分和从侧面21e侧导出的伪端子34以直角弯曲的部分成为相互相对的状态，且如图8（A）、（B）所示，它们之间的距离被选定为与印刷布线电路板200的厚度d大致相等。压力传感半导体设备100D的其他结构与压力传感半导体设备100相同。

如图8（A）所示，这个例子的压力传感半导体设备100D如下配置：在封装20的底面20b抵接到印刷布线电路板200的端面200a的状态下，由导线端子31D、32D和伪端子34夹持印刷布线电路板200的厚度方向。

并且，对在印刷布线电路板200的一面200b中设置的印刷布线图案202D以及203D和第1导线端子31D以及第2导线端子32D分别进行锡焊而固定。此外，虽然省略了图示，但同样在印刷布线电路板200的与一面200b相反侧的面中，对伪端子34进行锡焊而固定在伪布线图案上。

根据这个例子的压力传感半导体设备100D，能够获得与上述压力传感半导体设备100相同的效果，且由于连接到压力检测芯片10的第1电极1的导线端子31D和连接到第2电极2的导线端子32D的双方位于印刷布线电路板200的一面200b侧，所以能够获得如下效果：不需要如压力传感半导体设备100那样的、用于将连接到第2电极2的导线端子32连接到印刷布线电路板200的一面200b侧的印刷布线图案的、例如通孔等的布线。

【第2实施方式】

在上述第1实施方式的压力传感半导体设备中，在封装内配置有作为压力传递部件的例子的弹性部件。但是，通过将构成封装的封装部件也由弹性材料构成，从而也能够构成为将封装部件也兼用作为压力传递部件。第2实施方式是这样构成的情况下的一例。

图9是用于说明该第2实施方式的压力传感半导体设备100E的图。图9（A）是该第2实施方式的压力传感半导体设备100E的立体图，且图9（B）是图9（A）的D-D线剖视图。在该图9（A）、（B）中，对于与上述图1的例子的压力传感半导体设备100相同的部分标注相同的参考标号，并省略其说明。

即，该第2实施方式的压力传感半导体设备100E的封装20E由具有弹性的树脂材料、例如由硅橡胶而成的封装部件21E构成，不具备独立配置的弹性部件22。

并且，在该封装部件21E中，形成有与上述压力传感半导体设备100的连通洞23对应的截面为预定形状、例如圆形的连通洞23E。并且，如图9（B）所示，在该连通洞23E的内壁面上设置有用于保持圆棒状的突状部件300的O环状的突部27a和27b。即，连通洞23E的内径成为与圆棒状的突状部件300抵接的部分的直径相等或者比其稍微大，且O环状的突部27a和27b的内径被选定为比突状部件300抵接的部分的直径还要小。

并且，压力检测芯片10的第1电极1连接到由导体构成的第1导线端子31E，且第2电极2连接到由导体构成的第2导线端子32E。在该第2实施方式中，如图9（A）、（B）所示，这些第1导线端子31E和第2导线端子32E按照与封装20E的上表面20Ea或者底面20Eb平行且与底面20Eb成为同一水平面的方式导出。压力传感半导体设备100E的其他结构与压力传感半导体设备100相同。

该第2实施方式的压力传感半导体设备100E通过底面20Eb抵接到印刷布线电路板200的形成有印刷布线图案的面200b而配置，第1导线端子31E和第2导线端子32E对导体图案进行锡焊，从而固定在印刷布线电路板200上。

在该第2实施方式的压力传感半导体设备100E中，具有与上述实施方式的压力传感半导体设备100相同的效果，且由于封装20E由起到作为压力传递部件的功能的封装部件21E构成，所以能够将作为压力传感半导体设备的结构非常简化。

另外，即使在将该第2实施方式的压力传感半导体设备100E安装到印刷布线电路板200的形成有印刷布线图案的面200b的情况下，也能够与如图6所示的向端面200a的定位的情况相同地，通过定位用的突部、凹部、槽、或者突状部等而进行定位。

【第3实施方式】

在上述第1实施方式的压力传感半导体设备100中，将作为压力传递部件的例子的弹性部件22收纳于在封装部件21中设置的凹部内。此外，在上述第2实施方式中，封装部件21还兼具了压力传递部件的功能。作为压力传递部件的主要功能是：将突状部件300的施加压力传递到压力检测芯片10，从而在压力检测芯片10中产生与施加压力对应的弹性位移。从这个观点出发，可考虑更多方式的压力传递部件。如以上所述，作为压力传递部件，优选还具有能够防御意想不到的瞬间压力的功能。

在第3实施方式中，考虑作为压力传递部件的上述功能，作为该压力传递部件，配置没有与封装部件固定的部件。

图10是用于说明该第3实施方式的压力传感半导体设备100F的图。图10（A）是该第3实施方式的压力传感半导体设备100F的立体图，且图10（B）是图10（A）的E-E线剖视图。在该图10（A）、（B）中，对于与上述图1的例子的压力传感半导体设备100相同的部分标注相同的参考标号，并省略其说明。

如图10（A）和（B）所示，在该第3实施方式的压力传感半导体设备100F中，封装20F由封装部件21F和压力传递部件（22F、28Fa、28Fb）构成。封装部件21F由主要部21Fa和盖部21Fb构成。并且，如图10（B）所示，在封装部件21F的主要部21Fa中形成有凹部23F，压力检测芯片10被收纳为通过凹部23F而使第1电极1的上方成为开口状态。此外，在压力检测芯片10的上方设置的凹部23F中，构成压力传递部件22F的按压突部22Fa与第1电极1相对而被收纳。

并且，在压力检测芯片10的第1电极1的上表面，在这个例子中，粘附形成具有预定的弹性的缓冲部件28Fa。该缓冲部件28Fa起到如下作用：保护压力传递部件22F的按压突部22Fa不会直接接触到第1电极1而损伤第1电极1，且通过压力传递部件22F而弹性传递由按压部件300F所施加的压力。该缓冲部件28Fa例如由硅橡胶等构成，但其弹性率或弹性特性根据与施加压力对应的压力检测芯片10的静电电容Cv的期望的电容变化特性或者与由按压部件300F施加的意想不到的压力对应的抗冲击性特性而选定。

压力传递部件22F包括：经由缓冲部件28Fa抵接到压力检测芯片10的第1电极1的按压突部22Fa；凸缘部22Fb；向封装20F的外部露出，从而受到按压部件300F的按压力的、从封装20F的上表面20Fa突出的按压施加部22Fc。并且，在这个例子中，压力传递部件22F的按压突部22Fa构成为球状形状。此外，在凸缘部22Fb的按压突部22Fa侧的面上，粘附形成具有预定的弹性的缓冲部件28Fb。此外，在这个例子中，按压施加部22Fc构成为柱状突部形状。

在这个例子中，压力传递部件22F通过缓冲部件28Fa、28Fb的存在，将从按压部件300F施加的压力弹性地传递到压力检测芯片10的第1电极1。因此，与缓冲部件28Fa、28Fb不同地，压力传递部件22F能够由不具有弹性的树脂构成。此外，也可以由具有弹性的材料、例如硅橡胶等构成压力传递部件22F，使缓冲部件28Fa、28Fb具备可防御意想不到的瞬间压力的弹性特性。

另外，在压力传递部件22F由硅橡胶等弹性体构成的情况下，能够省略缓冲部件28Fa或缓冲部件28Fb。

如图10（B）所示，封装部件21F的主要部21Fa的凹部23F具有移动自由地收纳压力传递部件22F的按压突部22Fa的凹洞23Fa，且具有压力传递部件22F的凸缘部22Fb经由缓冲部件28Fb而卡合的梯级部23Fb。

并且，在该第3实施方式的压力传感半导体设备100F中，通过在收纳有压力检测芯片10的封装部件21F的主要部21Fa内的凹部23F的凹洞23Fa内，插入压力传递部件22F的按压突部22Fa，且将压力传递部件22F的凸缘部22Fb经由缓冲部件28Fb与在封装部件21F的主要部21Fa中设置的梯级部23Fb卡合，从而将压力传递部件22F安装到封装部件21F的主要部21Fa。此时，压力传递部件22F的按压施加部22Fc和按压突部22Fa在与压力检测芯片10的第1电极1的面正交的施加压力方向上排列。

并且，保持这个安装状态，通过封装部件21F的盖部21Fb而将压力传递部件22F的按压施加部22Fc从封装20F的上表面20Fa突出而露出的状态，对压力传递部件22F的上部进行密封。

另外，在该第3实施方式中，与第1实施方式的压力传感半导体设备100相同地，连接到第1电极1的第1导线端子31F和连接到第2电极2的第2导线端子32F从封装20F的底面20Fb向垂直于该底面20Fb的方向导出。

在该第3实施方式的压力传感半导体设备100F中，按压部件300F的前端按压压力传递部件22F的按压施加部22Fc的上表面。另外，在该第3实施方式中，按压施加部22Fc构成为从封装20F的上表面20Fa突出，但也可以是与上表面20Fa为同一个面或者比上表面20Fa更向压力检测芯片10侧的方向后退的结构。

若按压部件300F的按压力施加到压力传递部件22F的按压施加部22Fc，则通过缓冲部件28Fa以及28Fb的弹性，压力传递部件22F的按压突部22Fa将压力检测芯片10的第1电极1向空间5侧按压。由此，压力检测芯片10的第1电极1向空间5侧弯曲，静电电容Cv变化。

另外，在该第3实施方式的压力传感半导体设备100F中，由于压力传递部件22F的按压突部22Fa的形状为球状，所以即使从按压部件300F施加的按压力的方向与垂直于压力检测芯片10的第1电极1的面的方向不同，也因维持缓冲部件28Fa和球状的按压突部22Fa的接触点位置，所以能够相对于第1电极1维持稳定的抵接状态。

【第3实施方式的变形例】

在图10的例子中，在压力传递部件22F中设置有从封装20F的上表面20Fa突出的按压施加部22Fc。与之相对，为了更加可靠地承受来自外部的按压部件的按压的施加，也可以设置凹部或者凹洞来代替这样的突状的形状。

图11是用于说明具有这样的结构的第3实施方式的变形例的压力传感半导体设备100G的图。图11（A）是该第3实施方式的变形例的压力传感半导体设备100G的立体图，且图11（B）是图11（A）的F-F线剖视图。在该图11（A）、（B）中，对于与上述图1的例子的压力传感半导体设备100相同的部分标注相同的参考标号，且对于与图10（A）、（B）的压力传感半导体设备100F对应的部分，在相同的数字中附加G来代替后缀F而表示，并省略其详细的说明。

即，在该图11的例子中，与图10的例子相同地，封装部件21G由主要部21Ga和盖部21Gb构成，且成为在其凹部23G内收纳有压力传递部件（22G、28Ga、28Gb）的结构。并且，压力传递部件22G成为能够经由另外构成压力传递部件的缓冲部件28Ga、28Gb而施加将压力检测芯片10的第1电极1向空间5的方向弯曲的压力的结构。

在该图11的例子中，压力传递部件的构造、具体地说压力传递部件22G的形状与图10的例子的压力传递部件不同。压力传感半导体设备100G的其他结构与压力传感半导体设备100F相同。

即，在该图11的例子中，压力传递部件22G包括按压突部22Ga、凸缘部22Gb、按压施加部22Gc。如图11（B）所示，按压突部22Ga成为前端尖锐的形状，且在按压施加部22Gc中包括半球状的凹部22Gd。此时，压力传递部件22G的凹部22Gd和按压突部22Ga形成为在与压力检测芯片10的第1电极1的面正交的压力施加方向上排列。

在该图11的例子中，通过将与压力传递部件22G相对的、例如成为球状形状的按压部件300G的前端插入在压力传递部件22G中设置的凹部22Gd中，从而能够起到即使按压部件300G的压力施加方向和与压力检测芯片10的第1电极1的面正交的压力施加方向多少有些不同，也能够忽略该方向的偏差的功能，因此，能够将由按压部件300G施加的压力稳定且可靠地传递到压力检测芯片10的第1电极1。通过由按压部件300G施加的按压力，按压突部22Ga将压力检测芯片10的第1电极1向空间5侧按压。由此，压力检测芯片10的第1电极1向空间5侧弯曲，静电电容Cv变化。

在该图11的例子的压力传感半导体设备100G中，通过将按压部件300G的前端插入到在压力传递部件22G中设置的凹部22Gd，从而进行压力传递部件22G和按压部件300G之间的可靠的定位。并且，在这个例子中，由于将凹部22Gd的形状设为半球状，且将按压部件300G的前端设为球状形状，所以即使按压部件300G的按压方向多少有些偏离垂直于压力检测芯片10的第1电极1的面的方向，也与相对于电极1向垂直的方向施加的情况相同地，对压力检测芯片10的第1电极1施加按压部件300G的按压力。

并且，在以上说明的图10和图11所示的第3实施方式中，将按压压力检测芯片10的第1电极1的压力传递部件的前端部的形状设为包括突起状或者球面形状等的突状形状。这样，通过将压力传递部件的前端部设为各种突状形状，从而通过选定例如压力传递部件22F的按压突部22Fa或者压力传递部件22G的按压突部22Ga的各个前端形状和缓冲部件28Fa、28Fb或者缓冲部件28Ga、28Gb的材料中的任一个或者两个，从而能够将与由按压部件300F或者按压部件300G施加的压力对应的压力检测芯片10的静电电容Cv的电容变化特性设为期望的特性。此时，按压压力检测芯片10的第1电极1的压力传递部件的前端部具有非平面形状，使得成为上述球状或前端尖锐的形状等，但作为该非平面形状，既可以是将第1电极1侧作为点而按压的例如方锥或圆锥形状，也可以是具有预定的曲率的曲面形状。此外，按压压力检测芯片10的第1电极1的压力传递部件的前端部也可以不是作为点而按压的形状，而是具有预定的面积，进而以按照这个面积对应于按压部件300G的施加压力而非直线变化的方式按压第1电极1的形状。

【第4实施方式】

在上述实施方式中，为了通过压力检测芯片10检测从与印刷布线电路板的形成有印刷布线图案的面（基板面）平行的方向按压的压力，安装为使得将压力传感半导体设备的压力检测芯片10的第1电极1的面与印刷布线电路板的端面平行。在这个构造中，压力传感半导体设备需要安装在印刷布线电路板的端面的部分，安装位置的自由度受到限制。

以下说明的第4实施方式是在想要将来自与印刷布线电路板的基板面平行的方向的按压力施加到压力检测芯片10的第1电极1的情况下，能够将压力传感半导体设备配置在印刷布线电路板的基板面上的任意的位置的压力传感半导体设备的构成例。

图12是表示该第4实施方式的压力传感半导体设备100H的构成例的图，图12（A）是该例的压力传感半导体设备100H的外观立体图，图12（B）是图12（A）中的G-G线剖视图。

如图12（B）所示，在该第4实施方式的压力传感半导体设备100H中，压力检测芯片10的第1电极1和第2电极2在垂直于封装20H的底面20Hb的方向上，密封在封装20H内。并且，连接到压力检测芯片10的第1电极1的导线端子31H按照向与底面20Hb平行的方向且与底面20Hb成为同一水平面的方式导出。连接到第2电极2的导线端子32H也按照向与底面20Hb平行的方向且与底面20Hb成为同一水平面的方式导出。

并且，在将压力检测芯片10收纳于内部的封装20H的封装部件21H内，在与封装20H的底面20Hb平行的方向上设置有凹洞23H。该凹洞23H成为连通至封装部件21H内的压力检测芯片10的第1电极1的上表面1a为止。此外，该凹洞23H的开口侧成为以喇叭状扩展的锥形部，从而引导使得作为按压部件的突状部件300H的插入变得容易。

并且，在压力检测芯片10的第1电极1的上表面1a侧，设置有构成压力传递部件的、例如由硅橡胶构成的缓冲部件22H。进而，在凹洞23H的内壁面形成有O环状突部23Ha和23Hb。凹洞23H的内径成为与从外部对这个例子的压力传感半导体设备100H施加压力的突状部件300H（在图中用虚线表示）抵接的部分的直径大致相等或者比其稍微大。并且，O环状突部23Ha和23Hb的内径被选定为比突状部件300H（在图中用虚线表示）抵接的部分的直径还要稍微小。

因此，在该凹洞23H内插入突状部件300H，从而将突状部件300H的前端经由缓冲部件22H而抵接到压力检测芯片10的第1电极1的上表面1a。由此，通过对插入到凹洞23H内的突状部件300H从相对于封装20H的上表面20Ha或者底面20Hb平行的方向施加按压力，从而能够将压力检测芯片10的第1电极1向空间5的方向弯曲，能够改变压力检测芯片10的静电电容Cv。

此时，根据该第4实施方式，突状部件300H通过插入到凹洞23H，由O环状突部23Ha和23Hb所保持。并且，与突状部件300H的按压力对应的压力经由缓冲部件22H可靠地施加到压力检测芯片10的第1电极1。

另外，在图12的例子中，设为作为压力传递部件而设置缓冲部件22H的结构，但也可以如图1的例子所示那样，设为在压力检测芯片10的第1电极1的前面且在凹洞23H中配置弹性部件的结构。此外，也可以如第2实施方式那样，由具有弹性的材料构成封装部件21H，从而构成为使封装部件兼具压力传递部件的功能。

另外，在该图12的例子中，通过选定插入到凹洞23H内的、突状部件300H的前端部的形状和缓冲部件22H的材料中的任一个或者两个，从而能够将与由突状部件300H施加的压力对应的压力检测芯片10的静电电容Cv的电容变化特性设为期望的特性。

【第5实施方式】

与第4实施方式相同地，该第5实施方式也是在安装到印刷布线电路板时，根据由突状部件从与印刷布线电路板的基板面平行的方向施加的压力，压力检测芯片10的静电电容Cv变化的压力传感半导体设备的情况的例子。

图13是表示该第5实施方式的压力传感半导体设备100I的构成例的图，图13（A）是该压力传感半导体设备100I的外观立体图，图13（B）是图13（A）中的H-H线剖视图。

如图13（B）所示，该第5实施方式的压力传感半导体设备100I大致相当于，具有将图10所示的第3实施方式的压力传感半导体设备100F的侧面作为上表面和底面的位置关系，且变更了导线端子的导出方法的例子。另外，关于压力传递部件的形状的相似性也高。因此，在图13中，对于与图10的例子的压力传感半导体设备100F对应的部分，在相同的参考标号中附加I来代替后缀F而表示。

即，如图13（B）所示，在该第5实施方式的压力传感半导体设备100I中，压力检测芯片10的第1电极1和第2电极2在垂直于封装20I的底面20Ib的方向上，密封在封装20I内。并且，连接到压力检测芯片10的第1电极1的导线端子31I按照向与底面20Ib平行的方向且与由突状部件（未图示）施加压力P的方向正交的方向，与底面20Ib成为同一水平面的方式导出。连接到第2电极2的导线端子32I也按照向与底面20Ib平行的方向且与底面20Ib成为同一水平面的方式导出。

并且，如图13（A）和（B）所示，在该第5实施方式的压力传感半导体设备100I中，封装20I由封装部件21I和压力传递部件22I构成。并且，压力传递部件22I收纳于封装部件21I内的凹部23I内。此时，压力传递部件22I通过压力传递部件22I的按压突部22Ia插入到凹洞23Ia内，且压力传递部件22I的凸缘部22Ib经由缓冲部件28Ib与在封装部件21I的主要部21Ia中设置的梯级部23Ib对接，从而压力传递部件22I安装到封装部件21I的主要部21Ia。

其中，在这个例子的情况下，在封装部件21I的凹部23I的开口侧，按照以喇叭状扩展的方式形成锥形部，且在该开口侧，在锥形部的底部露出压力传递部件22I的按压施加部22Ic。即，由在构成封装部件21I的盖部21Ib中设置的锥形部和压力传递部件22I的按压施加部22Ic的露出面形成凹部。将突状部件的前端通过该凹部引导而抵接到压力传递部件22I的按压施加部22Ic，从而容易对压力检测芯片10安装突状部件，且能够可靠地传递压力。另外，在这个例子的情况下，压力传递部件22I的按压突部22Ia经由缓冲部件28Ia而将压力检测芯片10的第1电极1向空间5的方向按压。

根据该图13的例子的第5实施方式，与第4实施方向相同地，能够通过压力传感半导体设备100I检测来自与封装20I的上表面20Ia或者底面20Ib平行的方向的压力。此外，在该第5实施方式中，能够获得与上述第3实施方式相同的效果。

另外，将该第5实施方式中的压力传递部件22I的、按压压力检测芯片10的第1电极1的前端部的形状，在图13中设为球状，但能够与上述第3实施方式相同地，设为各种非平面形状。此外，在该第5实施方式中，也能够通过选定压力传递部件22I的、按压压力检测芯片10的第1电极1的前端部的形状、即按压突部22Ia的前端形状和缓冲部件28Ia、28Ib的材料中的任一个或者两个，从而能够将与由突状部件施加的压力对应的压力检测芯片10的静电电容Cv的电容变化特性设为期望的特性。

【第6实施方式】

与第4~第5实施方式相同地，该第6实施方式也是根据来自与封装的上表面或者底面平行的方向的按压力，改变压力检测芯片10的静电电容Cv的压力传感半导体设备100J的情况下的例子。

图14是表示该第6实施方式的压力传感半导体设备100J的构成例的图，图14（A）是该压力传感半导体设备100J的外观立体图，图14（B）是图14（A）中的I-I线剖视图。

如图14（A）和（B）所示，在该第6实施方式的压力传感半导体设备100J中，封装20J由封装部件21J和压力传递部件22J构成。封装部件21J由主要部21Ja和盖部21Jb构成。并且，如图14（B）所示，封装部件21J的主要部21Ja包括从压力检测芯片10的第1电极1的上方，向与封装20J的底面20Jb平行的方向以锁型弯曲的凹部23J。

并且，在这个例子中，在压力检测芯片10的第1电极1的上表面粘附形成缓冲部件28Ja。该缓冲部件28Ja起到如下作用：保护压力传递部件22J不会直接接触到第1电极1而损伤第1电极1，且通过压力传递部件22J而弹性传递被施加的压力。该缓冲部件28Ja例如由硅橡胶等构成，但其弹性率根据压力检测芯片10相对于按压部件的施加压力P所期望的静电电容Cv的电容变化特性而选定。

压力传递部件22J包括：经由缓冲部件28Ja抵接到压力检测芯片10的第1电极1的按压突部22Ja；凸缘部22Jb；向封装20J的外部露出，从而受到按压部件的压力的按压施加部22Jc。并且，在这个例子中，按压突部22Ja构成为半球面形状。此外，在凸缘部22Jb的按压突部22Ja侧的面上粘附形成有缓冲部件28Jb。此外，在这个例子中，在压力传递部件22J中形成有容纳按压部件的前端的凹部22Jd。

如图14（B）所示，封装部件21J的主要部21Ja的凹部23J包括移动自由地收纳压力传递部件22J的按压突部22Ja的凹洞23Ja，且具有压力传递部件22J的凸缘部22Jb经由缓冲部件28Jb而卡合的梯级部23Jb。

并且，在该第6实施方式的压力传感半导体设备100J中，通过在收纳有压力检测芯片10的封装部件21J的主要部21Ja内的凹部23J内，插入压力传递部件22J的按压突部22Ja，且将压力传递部件22J的凸缘部22Jb经由缓冲部件28Jb与在封装部件21J的主要部21Ja中设置的梯级部23Jb对接，从而将压力传递部件22J安装到封装部件21J的主要部21Ja。

并且，保持这个安装状态，通过封装部件21J的盖部21Jb而将压力传递部件22J的按压施加部22Jc从封装20J露出的状态，对封装20J进行密封。

并且，如图14（B）所示，在该第6实施方式的压力传感半导体设备100J中，压力检测芯片10的第1电极1和第2电极2以相对于封装20J的上表面20Ja或者底面20Jb成为水平的方向的状态，密封在封装20J内。并且，连接到压力检测芯片10的第1电极1的导线端子31J按照向与底面20Jb以及由按压部件施加的压力P平行的方向且与底面20Jb成为同一水平面的方式导出。连接到第2电极2的导线端子32J也按照向与底面20Jb以及由按压部件施加的压力P平行的方向且与底面20Jb成为同一水平面的方式导出。

如上所述，凹部23J作为从第1电极1的上部以锁形弯曲的形状的、用于压力传递部件22J的引导孔而形成，成为在其锁形的弯曲部中具备倾斜壁23Jc的内部形状。并且，在该凹部23J内，与该凹部23J的内部形状对应的锁形形状的压力传递部件22J成为能够在该引导孔23J内在施加按压部件的压力P的方向上改变位置的方式间隙配合的状态。

并且，在压力传递部件22J的按压突部22Ja中，包括与凹部23J的倾斜壁23Jc对接的倾斜面22Je。

在第6实施方式的压力传感半导体设备100J中，由于具有如上所述的构造，所以若压力传递部件22J受到来自图14（B）中的用箭头所示的方向的按压部件的压力P，则压力传递部件22J通过缓冲部件28Jb向压力P的施加方向进行位移。于是，由于压力传递部件22J的按压突部22Ja的倾斜面22Je与凹部23J内的倾斜壁23Jc对接，所以压力传递部件22J将压力检测芯片10的第1电极1向按压的方向进行位移。因此，压力检测芯片10的第1电极1根据由该压力传递部件22J的位移所产生的按压力而弯曲，由此，压力检测芯片10的静电电容Cv变化。

在该第6实施方式的压力传感半导体设备100J中，也能够通过选定缓冲部件28Ja、28Jb的材质以及压力传递部件22J的弹性常数，从而将与按压部件的压力P对应的压力检测芯片10的静电电容Cv的电容变化特性设为期望的特性。此外，为了即使在对压力检测芯片10施加了过大的压力P的情况下，也因配置有具有预定的弹性的缓冲部件28Ja、28Jb而保护压力检测芯片10不会受到过大的压力P所引起的损伤，能够由塑料、陶瓷等硬度比较高的树脂材料形成封装20J以及压力传递部件22J。因此，凹部23J内的倾斜壁23Jc和压力传递部件22J的倾斜面22Je不会相互产生弹性变形，能够将从沿着压力检测芯片10的电极面的方向施加的压力P降低传递损耗而变换为垂直于压力检测芯片10的电极面的方向。

【第7实施方式】

该第7实施方式也是在将压力传感半导体设备安装到印刷布线电路板的基板面时，能够检测来自与封装的上表面或者底面平行的方向的按压力的压力传感半导体设备的情况下的例子。

图15是表示该第7实施方式的压力传感半导体设备100K的构成例的图，图15（A）是该压力传感半导体设备100K的外观立体图，图15（B）是图15（A）中的J-J线剖视图。

该第7实施方式是第6实施方式的变形例。即，在该第7实施方式中，压力检测芯片10的第1电极1和第2电极2向相对于封装20K的上表面20Ka或者底面20Kb垂直的方向配置，并密封在封装20K内。并且，连接到压力检测芯片10的第1电极1的导线端子31K按照向与底面20Kb以及由按压部件施加的压力P平行的方向且与底面20Kb成为同一水平面的方式导出。连接到第2电极2的导线端子32K也按照向与底面20Kb以及由按压部件施加的压力P平行的方向且与底面20Kb成为同一水平面的方式导出。

如图15（A）和（B）所示，在该第7实施方式的压力传感半导体设备100K中，构成封装20K的封装部件21K由主要部21Ka和盖部21Kb构成，且在封装部件21K内部，形成有从压力检测芯片10的第1电极1的上部以锁形弯曲的形状的凹部23K。

在该第7实施方式中，在该凹部23K内充填有流体（或者流动体）29，且通过封闭阀22Ka而封闭凹部23K，使得该流体29不会泄露。其中，如下所述，该封闭阀22Ka可进行位移。

并且，在该第7实施方式中，阀按压部22Kb经由与在封装部件21K的主要部21Ka中设置的梯级部23Kb卡合的缓冲部件28Ka，将封闭阀22Ka向压缩流体29的方向按压。并且，在阀按压部22Kb中，包括容纳从图15（B）中的用箭头所示的横向施加按压力P的按压部件的前端的凹部22Kd。

在第7实施方式的压力传感半导体设备100K中，由于具有如上所述的构造，所以若阀按压部22Kb受到来自图15（B）中的用箭头所示的方向的按压力P，则通过缓冲部件28Ka，阀按压部22Kb向按压力P的施加方向进行位移，且伴随于此，封闭阀22Ka向压缩流体29的方向进行位移。

于是，传递到流体29的按压力P被传递到压力检测芯片10的第1电极1，压力检测芯片10的第1电极1根据该按压力P而弯曲，由此，压力检测芯片10的静电电容Cv变化。

根据以上所述，在该第7实施方式的压力传感半导体设备100K中，由流体29、封闭阀22Ka、阀按压部22Kb以及缓冲部件28Ka构成了压力传递部件。

此时，在这个例子中，凹部23K的截面积被选定为，压力检测芯片10的第1电极1上的截面积Sb比封闭阀22Ka侧的截面积Sa更小。因此，对封闭阀22Ka侧施加的压力成为大的力而传递到压力检测芯片10的第1电极1，从而能够高效率地将按压力P传递到压力检测芯片10的第1电极1上。

在该第7实施方式的压力传感半导体设备100K中，缓冲部件28Ka的材质和流体29的材料被选定为，使得将与按压力P对应的压力检测芯片10的静电电容Cv的电容变化特性设为期望的特性。这里，作为流体29，可以是液体、气体中的任一种，只要能够传递由按压部件施加的压力P即可。

【半导体设备的应用例】

以上说明的本发明的压力传感半导体设备可应用于，将根据施加压力而变化的静电电容使用于电路的一部分，从而实现各种功能或用途的电子装置中。

以下说明的是其一例，是与在开头说明的位置检测装置一同使用的位置指示器，且使用于可进行笔压检测的装置的情况下的例子。以下，说明这个应用例。图16是表示使用了本发明的实施方式的压力传感半导体设备的位置指示器400和位置检测装置500的外观结构例的图。

位置检测装置500是经由电缆501连接到个人计算机或便携设备等未图示的外部装置，从而用作这些外部装置的输入装置的装置。或者，是通过具有显示部而无需与外部装置连接就能够进行操作的装置。

这个例子的位置检测装置500由通过电磁感应方式检测由位置指示器400指示的位置的检测部502、以及具有该检测部502的中空的薄的大致成为长方体的框体503构成。框体503包括具有用于露出检测部502的检测面的开口部504的上部框体505以及与该上部框体505重合的未图示的下部框体。并且，上部框体505具有用于露出检测部502的输入面的四边形的开口部504，在该开口部504中嵌入检测部502。具有这样的结构的位置检测装置500进行基于位置指示器400的指示操作的字符和图等的输入，且在具有显示部的情况下，能够在显示部中进行与位置指示器400的指示操作对应的显示。

接着，参照图17说明位置指示器400的结构例。图17是图16所示的位置指示器400的K-K线剖视图。

该位置指示器400是通过电磁感应方式对位置检测装置500指示位置的指示器。即，位置指示器400具有对从位置检测装置500发送的特定频率的电磁波产生谐振的谐振电路。并且，位置指示器400通过将该谐振电路检测出的谐振信号发送到位置检测装置500，从而对位置检测装置500指示位置。

如图17所示，位置指示器400包括表示框体的一个具体例的壳401、芯体402、位置指示线圈403、构成可变电容器的压力传感半导体设备404、铁氧体磁芯405、印刷布线电路板406而构成。由位置指示线圈403、压力传感半导体设备404的可变电容器Cv、以及与可变电容器Cv并联连接的、集体作为电容器Cf而表示的多个固定电容的电容器406c构成谐振电路。另外，固定电容的电容器406c被选定为与谐振电路的谐振频率对应的个数（静电电容）。

壳401作为位置指示器400的外装部而形成。该壳401成为一方封闭的有底的圆筒状。并且，壳401由轴向叠加而组装结合的第1壳407和第2壳408构成。第1壳407的轴向的一端侧大致成为圆锥状，且在其前端具有开口部407a。并且，该第1壳407的轴向的另一端开口。

第2壳408成为轴向的一端开口且另一端封闭的圆筒形。第1壳407和第2壳408在同一轴线上配置，且通过粘结剂等而卡合。并且，在第2壳408中收纳安装有电子部件的印刷布线电路板406，并通过粘结剂等而固定。在第1壳407中，收纳铁氧体磁芯405而固定。

铁氧体磁芯405例如成为圆筒形，在其筒孔405a中插入并贯通芯体402。并且，芯体402的指示部402a从铁氧体磁芯405的轴向的一端侧突出。进而，在铁氧体磁芯405的外周，构成谐振电路的位置指示线圈403卷绕而安装。位置指示线圈403的未图示的两端电连接到印刷布线电路板406上的电子部件。

在这个例子中，压力传感半导体设备404使用上述图8所示的实施方式的压力传感半导体设备100D。

即，在图17的例子中，内置压力检测芯片4041的压力传感半导体设备404在位于芯体402侧的、印刷布线电路板406的端部如图8所示那样安装。即，如图17所示，压力传感半导体设备404具有与图8所示的导线端子31D、32D对应的形状的导线端子4042以及4043。并且，在印刷布线电路板406的端部，压力传感半导体设备404的封装的底面侧以被印刷布线电路板406的端面按压的状态安装，使得该印刷布线电路板406的各面的一面侧被导线端子4042、4043夹持、另一面侧被伪端子（未图示）夹持。

并且，导线端子4042、4043对在印刷布线电路板406中形成的导体图案406a、406b分别进行锡焊。并且，在印刷布线电路板406中，设置有上述固定电容的多个电容器406c。这些多个电容器406c并联连接在导体图案406a、406b之间。另外，这些导体图案406a、406b虽然省略图示，但电连接到位置指示线圈403的一端和另一端。这样，压力传感半导体设备404相对于印刷布线电路板406进行固定安装，使得从芯体402受到壳401的轴向的按压力，能够改变压力检测芯片4041的静电电容Cv。

芯体402由棒形状的部件构成，沿着壳401的轴向而收纳在壳401内。该芯体402由在其轴向的一端具有笔尖的作用的指示部402a和从指示部402a连续地形成的轴部402b构成。指示部402a大致形成为圆锥状。在将芯体402收纳于壳401内时，该指示部402a从第1壳407的开口部407a向外侧突出。

并且，在一端具有指示部402a的芯体402的另一端侧与按压体409嵌合。即，按压体409具有圆柱状的形状，且具有在芯体402的轴向上芯体402的另一端侧嵌合的嵌合凹洞409c。并且，在按压体409的侧周部，形成有插入切口部410a、410b内的突部409a、409b，该切口部410a、410b形成在保持部410的侧面、且在壳401的轴向上具有预定的长度。按压体409通过突部409a、409b和切口部410a、410b分别嵌合到在第1壳407中固定的筒状的保持部410内，从而在芯体402的轴向上可移动地收纳。因此，按压体409以突部409a、409b插入到切口部410a、410b内的状态，在保持部410的切口部410a、410b的长度的范围内可向壳401的轴向移动。

并且，在按压体409中，进一步设置有突起409d，该突起409d插入到压力传感半导体设备404的凹孔（参照图8的凹孔23），从而将压力检测芯片4041的第1电极1向空间5的方向按压。

由于位置指示器400由如上所述那样构成，所以若使用者手持着位置指示器400，接触到位置检测装置500的检测部502并按压，则芯体402向壳401的轴向进行位移，由此，按压体409的突起409d将压力传感半导体设备404的压力检测芯片4041的第1电极1向空间5的方向按压。因此，在压力传感半导体设备404的压力检测芯片4041的第1电极1中，被施加与对芯体402施加的笔压对应的按压力，压力检测芯片4041的静电电容Cv根据笔压而变化。

由此，位置指示器400的谐振电路的谐振频率变化。如以下所说明，位置检测装置500检测该位置指示器400的谐振电路的谐振频率的变化，从而检测对位置指示器400施加的笔压。

【用于位置检测装置500中的位置检测和笔压检测的电路结构】

接着，参照图18说明使用上述实施方式的位置指示器400进行指示位置的检测和笔压的检测的位置检测装置500中的电路结构例。图18是表示位置指示器400和位置检测装置500的电路结构例的框图。

作为电路结构，位置指示器400包括位置指示线圈403、由压力检测芯片4041构成的可变电容Cv、由固定电容的多个电容器406c构成的固定电容Cf并联连接的谐振电路。

另一方面，在位置检测装置500中，X轴方向环路线圈组511和Y轴方向环路线圈组512层叠而形成有位置检测线圈510。各个环路线圈组511、512例如分别由n、m条矩形的环路线圈构成。构成各个环路线圈组511、512的各个环路线圈配置成等间隔排列而依次重合。

此外，在位置检测装置500中，设置有X轴方向环路线圈组511和Y轴方向环路线圈组512连接的选择电路513。该选择电路513依次选择两个环路线圈组511、512中的一个环路线圈。

此外，在位置检测装置500中，设置有振荡器521、电流驱动器522、切换连接电路523、接收放大器524、检波器525、低频滤波器526、采样保持电路527、A/D变换电路528、同步检波器529、低频滤波器530、采样保持电路531、A/D变换电路532、处理控制部533。

振荡器521产生频率f0的交流信号。并且，振荡器521将产生的交流信号提供给电流驱动器522和同步检波器529。电流驱动器522将从振荡器521提供到的交流信号变换为电流并向切换连接电路523送出。切换连接电路523根据来自后述的处理控制部533的控制，切换由选择电路513选择的环路线圈要连接的连接方（发送侧端子T、接收侧端子R）。在该连接方中，在发送侧端子T中连接电流驱动器522，在接收侧端子R中连接接收放大器524。

在由选择电路513选择的环路线圈中产生的感应电压经由选择电路513和切换连接电路523而传送到接收放大器524。接收放大器524对从环路线圈提供到的感应电压进行放大，并对检波器525和同步检波器529送出。

检波器525对在环路线圈中产生的感应电压、即接收信号进行检波，并向低频滤波器526送出。低频滤波器526具有充分低于上述频率f0的截止频率，将检波器525的输出信号变换为直流信号并向采样保持电路527送出。采样保持电路527保持低频滤波器526的输出信号的预定的定时、具体地说是接收期间中的预定的定时中的电压值，并向A/D（模拟至数字）变换电路528送出。A/D变换电路528将采样保持电路527的模拟输出变换为数字信号，并向处理控制部533输出。

另一方面，同步检波器529通过来自振荡器521的交流信号，对接收放大器524的输出信号进行同步检波，并向低频滤波器530送出与它们之间的相位差对应的电平的信号。该低频滤波器530具有充分低于频率f0的截止频率，将同步检波器529的输出信号变换为直流信号并向采样保持电路531送出。该采样保持电路531保持低频滤波器530的输出信号的预定的定时中的电压值，并向A/D（模拟至数字）变换电路532送出。A/D变换电路532将采样保持电路531的模拟输出变换为数字信号，并向处理控制部533输出。

处理控制部533控制位置检测装置500的各个部分。即，处理控制部533控制选择电路513中的环路线圈的选择、切换连接电路523的切换、采样保持电路527、531的定时。处理控制部533基于来自A/D变换电路528、532的输入信号，从X轴方向环路线圈组511以及Y轴方向环路线圈组512以一定的发送持续时间发送电波。

在X轴方向环路线圈组511以及Y轴方向环路线圈组512的各个环路线圈中，通过从位置指示器400发送的电波而产生感应电压。处理控制部533基于在该各个环路线圈中产生的感应电压的电压值的电平，计算位置指示器400的X轴方向和Y轴方向的指示位置的坐标值。此外，处理控制部533基于与发送的电波和接收到的电波的相位差对应的信号的电平，检测笔压。

这样，在位置检测装置500中，能够由处理控制部533检测接近的位置指示器400的位置。并且，通过检测接收到的信号的相位，能够获得位置指示器400的笔压值的信息。

【其他的实施方式或者变形例】

在上述第1实施方式的压力传感设备中，在设置于封装部件21的凹部21a中充填作为压力传递部件的弹性部件22的例子的硅橡胶而一体构成了封装20，但也可以如图19所示那样，封装20分为上部部件和下部部件而形成，且这些上部部件和下部部件通过热熔敷等而固定的结构。另外，图19是在图6（A）的例子的压力传感设备100A中应用了该变形例的情况，对于与图6（A）相同的部分标注相同的参考标号，并省略其详细的说明。

即，在图19（A）所示的压力传感设备中，封装20分为上部封装部件21UP1和下部封装部件21DW1。并且，在上部封装部件21UP1中，形成有与上述凹部21a对应的凹部21UP1a，作为压力传递部件的、例如由硅橡胶构成的弹性部件22UP配置在该凹部21UP1a内。在这个例子的情况下，如图19（A）所示，弹性部件22UP成为从凹部21UP1a内向压力检测芯片10的第1电极1侧稍微突出的状态。并且，在该上部封装部件21UP1中，通过封装部件21UP1的贯通孔21UP1b和在弹性部件22UP中形成的凹洞22UPa，形成插入棒状的突状部件300的连通洞23。

另一方面，下部封装部件21DW1将压力检测芯片10以露出其第1电极1的一面1a侧的状态收纳于其内部。并且，如上所述，下部封装部件21DW1导出导线端子31和导线端子32。此时，在这个例子中，在下部封装部件21DW1中，上部封装部件21UP1的、突出的弹性部件22UP正好嵌合的凹部21DW1a形成为在压力检测芯片10的第1电极1的一面1a上，以该一面1a作为露出底部。

并且，在该图19（A）的例子的压力传感设备中，如以上构成的上部封装部件21UP1和下部封装部件21DW1通过热熔敷等而相互固定而一体化，使得上部封装部件21UP1的弹性部件22UP的突出部嵌合到下部封装部件21DW1的凹部21DW1a。由此，作为整体而构成一个封装20。另外，在该图19（A）的例子中，下部封装部件21DW1的底面构成封装20的底面20b，但在该底面20b中，形成相对于印刷布线电路板固定该压力传感设备时的定位用的突部24。

另外，上部封装部件21UP1和弹性部件22UP由不同的部件构成，但也可以上部封装部件21UP1和弹性部件22UP设为由相同的部件、例如硅橡胶等树脂部件一体构成的、由一个部件而成的压力传递部件。

图19（A）的例子是作为压力传递部件而弹性部件22UP设置在上部封装部件21UP1侧的情况。与之相对，图19（B）是弹性部件设置在下部封装部件侧的情况。

即，在该图19（B）的例子中，封装20分为上部封装部件21UP2和下部封装部件21DW2，但在下部封装部件21DW2中，在图19（A）的下部封装部件21DW1上，按照在压力检测芯片10的第1电极1的一面1a上相对而配置的方式，粘附了例如由硅橡胶构成的弹性部件22DW。并且，在该下部封装部件21DW2的弹性部件22DW的、压力检测芯片10的第1电极1的上部，形成有构成连通洞23的前端部的凹部22DWa。

另一方面，上部封装部件21UP2包括与弹性部件22DW的凹部22DWa一同构成连通洞23的贯通孔21UP2b而构成。并且，该上部封装部件21UP2和下部封装部件21DW2按照由所述贯通孔21UP2b和所述弹性部件22DW的凹部22DWa形成连通洞23的方式结合而固定。

另外，在图19（B）所示的例子中，上部封装部件21UP2和弹性部件22DW由不同部件构成，但也可以通过将上部封装部件21UP2设为与弹性部件22DW相同的部件、例如硅橡胶等树脂部件，从而设为由一个部件构成的压力传递部件。

接着，在上述实施方式的压力传感半导体设备的压力检测芯片10中，空间5通过圆形的凹部4而形成为圆形的空间，但空间的形状并不限定于圆形。

此外，在上述说明中，设为本发明的压力传感半导体设备的应用例是在用于位置检测装置的位置指示器的笔压检测而使用的例子。但是，本发明的压力传感半导体设备的应用例并不限定于此，能够应用于利用与按压力对应的电容变化的全部装置或电子设备中。

另外，在上述例子中，压力检测芯片是仅由可变电容器构成的结构，但也可以是通过半导体工艺而对于该可变电容器形成有串联或并联的电容器的结构。此外，压力检测芯片当然也可以是通过半导体工艺而在同一个半导体芯片中形成有应与可变电容器单体或者可变电容器和其他电容器的串联或者并联电路连接的信号处理电路的结构。

Claims (15)

1.一种静电电容式压力传感半导体设备，包括：压力检测部，作为静电电容的变化而检测压力；以及封装，密封有所述压力检测部，所述静电电容式压力传感半导体设备的特征在于，

所述压力检测部具有第1电极和经由预定的距离与所述第1电极相对配置的第2电极，在所述第1电极和所述第2电极之间形成静电电容，且所述距离对应于通过按压部件向所述第1电极传递的压力而变化，从而所述静电电容变化，

在所述封装中配置有压力传递部件，该压力传递部件将所述按压部件的压力传递到所述第1电极。

2.如权利要求1所述的静电电容式压力传感半导体设备，其特征在于，

所述压力传递部件与所述封装一体形成。

3.如权利要求2所述的静电电容式压力传感半导体设备，其特征在于，

与所述封装一体形成的所述压力传递部件由硅树脂构成。

4.如权利要求2所述的静电电容式压力传感半导体设备，其特征在于，

所述封装和所述压力传递部件由相同的材料构成。

5.如权利要求1所述的静电电容式压力传感半导体设备，其特征在于，

所述压力传递部件具有预定的弹性，从所述压力传递部件向所述压力检测部的所述第1电极传递的压力是对应于所述压力传递部件的所述预定的弹性而传递的。

6.如权利要求1所述的静电电容式压力传感半导体设备，其特征在于，

所述压力传递部件的按压所述压力检测部的所述第1电极的前端部具有非平面形状。

7.如权利要求6所述的静电电容式压力传感半导体设备，其特征在于，

在所述压力传递部件中形成的所述非平面形状是与所述静电电容相对于通过所述按压部件而传递的压力的电容变化特性对应的形状。

8.如权利要求6所述的静电电容式压力传感半导体设备，其特征在于，

在所述压力传递部件中形成的所述非平面形状是突状形状。

9.如权利要求1所述的静电电容式压力传感半导体设备，其特征在于，

所述封装通过将收纳所述压力检测部的第一封装部件和包括所述压力传递部件的第二封装部件相互固定而一体构成。

10.如权利要求9所述的静电电容式压力传感半导体设备，其特征在于，

收纳所述压力检测部的所述第一封装部件和包括所述压力传递部件的所述第二封装部件由相互不同的材料构成。

11.如权利要求1所述的静电电容式压力传感半导体设备，其特征在于，

在所述封装中设置有凹部，用于插入所述按压部件而将所述按压部件的压力传递到所述压力检测部的所述第1电极。

12.如权利要求11所述的静电电容式压力传感半导体设备，其特征在于，

所述凹部设置在所述压力传递部件中。

13.如权利要求11所述的静电电容式压力传感半导体设备，其特征在于，

所述凹部形成为球面状。

14.如权利要求11所述的静电电容式压力传感半导体设备，其特征在于，

在所述封装中设置的所述凹部形成为筒状，在将所述按压部件的压力传递到所述压力检测部的所述第1电极时，通过形成为所述筒状的所述凹部而引导所述按压部件。

15.如权利要求14所述的静电电容式压力传感半导体设备，其特征在于，

在所述凹部中配置有保持部，保持用于将压力传递到所述压力检测部的所述第1电极的所述按压部件。

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